ELECTRONICA ANALOGICA I

UNIDAD I
INTENSIDAD DE CAMPO ELCTRICO.
Una partcula con carga elctrica en el espacio crea un campo elctrico, que es
directamente proporcional a la carga elctrica e inversamente proporcional al
cuadrado de la distancia que separa el centro de la carga del punto donde se calcula
el campo elctrico. Es una magnitud vectorial que se mide en [N/C] y se calcula
mediante la expresin:
De forma vectorial.
Modularmente tenemos que la intensidad del campo
elctrico es la siguiente formula:

Representacin del campo.

Un campo se representa dibujando las llamadas lneas de campo. Para el campo
creado por una carga puntual, las lneas de campo son radiales.

Para el caso de un campo creado por dos cargas puntuales iguales del mismo signo:

Para el caso de un campo creado por dos cargas puntuales iguales de distinto signo:

Halla el mdulo de la intensidad del campo elctrico creado por una carga positiva de
1C a 1m, 2m, 3m y 4m de distancia, en el vaco.
Solucin:

Si el valor de r se duplica, el valor de E se reduce a la cuarta parte, es decir

E2=2250 N/C
E3=1000 N/C
E4=562,5 N/C

1.2 ENERGIA Y UNIDAD DE ENERGIA.

En fsica nuclear se utiliza como unidad el electronvoltio (eV) definido
como la energa que adquiere un electrn al pasar de un punto a otro
entre los que hay una diferencia de potencial de 1 voltio.
Su relacin con la unidad del SI es:
1 eV = 1'602 10-19 J
1.3 Naturaleza del tomo.
El modelo atmico nuclear de Rutherford
El tomo es un espacio fundamentalmente vaco formado por:
Corteza:
Electrones girando a gran distancia del ncleo Masa muy pequea y carga
elctrica negativa
Ncleo:
Contiene casi toda la masa del tomo
En l se encuentra toda la carga positiva.
Protones: de masa igual a la del tomo de hidrgeno y carga igual a la del electrn
pero positiva (Rutherford demostr su existencia)
Neutrones: otra partcula con la misma masa del protn pero sin carga elctrica
(Chadwick confirm su existencia 20 aos despus)
Todos los tomos son neutros, por tanto han de tener el mismo nmero de
cargas positivas que negativas.
El nmero de protones en el ncleo de un tomo se denomina Nmero Atmico (Z).
Cada elemento tiene su propio nmero atmico. El nmero atmico caracteriza a
cada elemento qumico.
El nmero de masa de un tomo se calcula sumando el nmero de protones con el
nmero de neutrones (la masa de los electrones es casi despreciable y la masa de
protones y neutrones es 1). A este nmero se le llama Nmero de Masa o Nmero
Msico (A). Nmero Msico = N protones + N neutrones A = Z + N
Modelo de Bohr
Los electrones se mueven en rbitas estables
El electrn tiene en cada rbita una determinada energa, que es tanto mayor
cuanto mas alejada este la rbita del ncleo.
Cuando el electrn salta de un estado de mayor energa a otro de menor energa,
esta energa se libera.
Hay restricciones que afectan al nmero de electrones que pueden ocupar una
determinada capa: cuando la tercera tiene 8 electrones, comienza a llenarse la cuarta,
a pesar de que la tercera admite hasta 18 electrones.
Esta distribucin por capas se conoce como la configuracin electrnica del
elemento.
La banda de valencia (BV): est ocupada por los electrones de valencia de los
tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran en la ltima capa o nivel
energtico de los tomos. Los electrones de valencia son los que forman los enlaces
entre los tomos, pero no intervienen en la conduccin elctrica.

La banda de conduccin (BC): est ocupada por los electrones libres, es decir,
aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden moverse fcilmente. Estos
electrones son los responsables de conducir la corriente elctrica.
En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente
elctrica debe haber poca o ninguna separacin entre la BC y la BV (que pueden
a llegar a solaparse), de manera que los electrones puedan saltar entre las bandas.
Cuando la separacin entre bandas sea mayor, el material se comportar como un
aislante. En ocasiones, la separacin entre bandas permite el salto entre las mismas
de solo algunos electrones. En estos casos, el material se comportar como un
semiconductor. Para que el salto de electrones entre bandas en este caso se
produzca deben darse alguna o varias de las siguientes situaciones: que el material
se encuentre a altas presiones, a una temperatura elevada o se le aadan impurezas
(que aportan ms electrones).
Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una zona denominada banda
prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los
electrones.
un tomo puede ganar o perder electrones, y as queda cargado elctricamente,
llamndose ion. Cuando el tomo tiene carga positiva se lo denomina catin
; y cuando tiene carga negativa, anin.
1.4 NIVELESDE ENERGIA.
En qumica y teora atmica se parte del hecho de que los electrones que forman
parte del tomo estn distribuidos en "capas" o niveles energticos. En funcin de la
capa que ocupe un electrn tiene una u otra energa de ah que se diga que ocupa
una capa de cierto nivel energtico. La existencia de capas se debe a dos hechos: el
principio de exclusin de Pauli que limita el nmero de electrones por capa, y el hecho
de que slo ciertos valores de la energa estn permitidos (tcnicamente estos valores
coinciden con los autovalores del operador hamiltoniano cuntico que describe la
dinmica de los electrones que interaccionan electromagnticamente con el ncleo
atmico).
1.5 MODELO DE LA BANDA DE ENERGIA.
Pues bien, resulta que en el caso de un semiconductor intrnseco, de un
semiconductor puro, a temperaturas muy bajas, es decir, cuando no hay
prcticamente agitacin trmica en el cristal, o lo que es lo mismo, cuando todos los
e- de valencia se encuentran ligados a sus enlaces covalentes correspondientes,
desde el punto de vista energtico estos e- se encuentran en una banda conocida
como banda de valencia que se encuentra totalmente ocupada. La banda superior
de estados permitidos se conoce con el nombre de banda de conduccin que, en
este caso, estar totalmente vaca ya que, de momento, no disponemos de
portadores libres que pueden moverse por el cristal. Entre ambas, existe una banda
de estados no permitidos denominada banda prohibida o gap de energas

En la Figura se muestra el comportamiento de las impurezas aceptadoras y

donadoras en funcin de la temperatura utilizando el diagrama de bandas de energa.
A temperaturas muy bajas, prximas a 0 K todos los niveles donadores estn
ocupados y los aceptadores vacos, puesto que no hay energa suficiente para que se
realicen transiciones electrnicas. A medida que aumentamos la temperatura, los ede los niveles donadores pasan a la banda de conduccin y los e- de la banda de
valencia a los niveles aceptadores, creando h+ en la banda de valencia y
producindose la ionizacin de las impurezas correspondientes. A temperatura de 300
K se puede asegurar la ionizacin total de las impurezas aceptadoras y donadoras, o
lo que es lo mismo, la prctica totalidad de los e- de la banda de conduccin y de los
h+ de la banda de valencia proceden de la ionizacin de dichas impurezas. Decimos
la prctica totalidad por que siempre se habrn creado pares e- - h+ que proceden de
la rotura estadstica de enlaces covalentes.
1.6 SEMICONDUCTORES.
La gran mayora de los dispositivos de estado slido que actualmente hay en el
mercado, se fabrican con un tipo de materiales conocido como semiconductores.
Las diferentes propiedades qumicas de los materiales se deben a que estn
formados por tomos distintos, mientras que, las distintas fases (slida, lquida o
gaseosa) de una misma sustancia se deben a lo ms o menos fuertemente unidos
que se encuentren sus tomos, siendo en la fase slida la distancia interatmica
menor. Esdecir, en un slido la disposicin espacial de sus tomos juega un papel
importante en la determinacin de sus propiedades especficas. Atendiendo a esta
disposicin atmica, un slido puede ser: amorfo, policristalino o cristalino.

Los slidos cristalinos.

Atendiendo a sus propiedades elctricas, a sus propiedades conductoras, estos
slidos pueden clasificarse en tres grandes grupos: conductores, semiconductores y
aislantes. En los buenos conductores metlicos, tales como el Cu, Ag y Al, sus
estructura cristalina (disposicin atmica) es tal que los electrones exteriores
(electrones de valencia) estn compartidos por todos los tomos y pueden moverse
libremente por todo el material (Figura 1.2.). Esta situacin se mantiene en un amplio
rango de temperaturas. En la mayora de los metales cada tomo contribuye con un
electrn, por lo que el nmero de electrones libres suele ser > 1023 e-/cm3. La
conduccin elctrica tiene, entonces, lugar a consecuencia del movimiento neto de
dichos e- libres al someterles a la accin de un campo elctrico aplicado.
Existen otros materiales que a temperatura ambiente son a la vez malos conductores
y malos aislantes. Son los denominados semiconductores.

SEMICONDUCTORES INTRISECOS.
El Si como el Ge poseen cuatro e- de valencia, esto es, 4 e- externos .En la
representacin de dos dimensiones:

La peculiaridad ms destacable es que la vacante dejada en el enlace covalente

se comporta como si fuese una nueva partcula libre de carga positiva +q (=1,6 10-19
C) y masa comparable a la del e-. Esta partcula aparente recibe el nombre de
hueco.
Cuando un enlace est incompleto de forma que haya un hueco, es relativamente fcil
que un e- ligado de un tomo vecino abandone el enlace covalente para llenar el h+.
El e- liberado inicialmente por la vibracin trmica no interviene en este proceso y
puede desplazarse de manera totalmente independiente. Se ha convertido en un ede conduccin.
n = p = ni
n = concentracin de e- (n de e- / unidad de volumen)
p = concentracin de h+ (n de h+ / unidad de volumen)
ni = concentracin intrnseca.

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS. IMPUREZAS DONADORAS Y

ACEPTADORAS.
Para aumentar el nmero de portadores el procedimiento ms comn consiste en
introducir, de forma controlada, una cierta cantidad de tomos de impurezas
obtenindose lo que se denomina semiconductor extrnseco o dopado. En ellos, la
conduccin de corriente elctrica tiene lugar preferentemente por uno de los dos tipos
de portadores.
Semiconductores tipo n. Impurezas donadoras
Los elementos que tienen la propiedad de ceder e- libres sin crear h+ al mismo
tiempo, se les denomina donantes o impurezas donadoras y hacen al semiconductor
de tipo n porque a dicha temperatura tenemos muchos ms e- que h+

Semiconductores tipo p. Impurezas aceptadoras

Un razonamiento similar se puede hacer cuando sustituimos un tomo de Si por otro
que tenga 3 e- de valencia.

A estos elementos que tienen predisposicin para aceptar e- ligados se les conoce
con el nombre de aceptadores o impurezas aceptadoras y se dicen que hacen al
material de tipo p ya que ste conduce, fundamentalmente (aunque no de forma
exclusiva), mediante los h+.
Entre los donantes ms corrientes para el Si, se encuentran el fsforo (P),
arsnico (As) o antimonio (Sb), siendo el fsforo el ms comn.
Entre los aceptadores habituales para el Si, se encuentran el boro (B), galio (Ga),
indio (In) o aluminio (Al), siendo el boro el ms comn.