ELECTRNICA DE POTENCIA, TRANSISTORES Y SNUBBERS

Luis Machado
e-mail: le_mc@hotmail.es

RESUMEN: En este documento se har una

revisin de lo que son y para que se utilizan los
transistores y los snubbers en la electrnica de
potencia, se tratar temas como su estructura y
curvas caractersticas, as como tambin
ventajas y desventajas de unos sobre otros.

mientras que la base es una regin mucho

ms estrecha y poco dopada.

TRANSISTORES
El primer transistor fue creado en 1948 por
un esquipo de fsicos de los laboratorios de
telefona Bell y pronto se volvi un
dispositivo semiconductor de mucha
importancia, hasta la presente fecha se
utilizan transistores para el control de
energa elctrica.
Por
esto,
estos
dispositivos semiconductores son el
corazn de la electrnica de potencia.

La simbologa que se utiliza para su

esquematizacin se muestra en la Fig.2.

Existen tres tipos de transistores que son

utilizados en la electrnica de potencia,
estos son:

BJT (Bipolar Junction Transistor)

MOSFET
(Metal
Oxide
Semiconductor
Field
Effect
Transistor)
IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor)

A continuacin se revisar cada uno de los

transistores mencionados:

BJT
El transistor bipolar de juntura presenta una
estructura interna que consiste en tres
regiones con material semiconductor tipo n
y tipo p, estos pueden ser construidos
utilizando una estructura NPN o PNP. Estas
estructuras se muestran en la Fig.1.
Las regiones correspondientes al colector y
emisor se encuentran altamente dopadas,
siendo este dopaje mayor en el emisor;

El control de este dispositivo se lo realiza

mediante corriente aplicada en la base. En
la mayora de los casos se utiliza con ms
frecuencias los transistores del tipo NPN
debido a que los electrones se mueven ms
rpido que los huecos, lo cual hace ms
rpido el tiempo de conmutacin.
Caractersticas Estticas
A continuacin se muestran las curvas
caractersticas de este dispositivo, en donde
la corriente de colector se encuentra en
funcin de la corriente de base (Fig. 3) y

tambin en funcin del voltaje colectoremisor (Fig. 4), as tambin se ilustran las
regiones de operacin del BJT: corte, activa,
de quasi-saturacin y de saturacin.

Caractersticas Dinmicas
Las caractersticas del transistor cuando se
encuentra conmutando entre los estados de
corte y conduccin son muy importantes al
momento de determinar la velocidad de
conmutacin del dispositivo ya que de esto
dependern las prdidas que se tendrn en
el dispositivo. El comportamiento del
dispositivo ser distinto, dependiendo el tipo
de carga que se tenga, a continuacin
podemos apreciar, este comportamiento
cuando se tiene una carga resistiva (Fig. 5)
y una carga inductiva (Fig.6).

Aplicaciones
En la electrnica de potencia se utiliza los
BJT como interruptores, los cuales estn
conmutando entre las zonas de corte y
saturacin.
As tambin se lo utiliza en circuitos
amplificadores
de
seal,
y
como
osciladores.
Otro uso que tienen es el de rectificadores,
debido a su modo de comportamiento.

MOSFET

Para cada una de estas regiones se tienen

las siguientes caractersticas:

Este es otro dispositivo de conmutacin que

tiene una mayor velocidad de conmutacin
comparado con el BJT, sin embargo, este no
maneja potencias de la misma magnitud.
Para este elemento se presentan dos
estructuras, una de canal N (Fig. 7) y una de
canal P (Fig. 8)

Caractersticas Dinmicas
Al igual que el BJT, el MOSFET presenta
caractersticas especiales cuando realiza la
conmutacin entre sus estados, tanto al
momento de encenderse (Fig. 10) como al
momento de apagarse (Fig. 11).

En las figuras tambin se puede apreciar es

smbolo respectivo para cada elemento
semiconductor.

Este elemento es controlado mediante la

aplicacin de voltaje en su terminal Gate.
Caractersticas estticas
Usando la curva caracterstica de este
dispositivo (Fig. 9) se pueden apreciar las
regiones de trabajo en las que este opera,
estas son: Regin Activa, regin de corte y
regin hmica.

Aplicaciones
Se puede utilizar un MOSFET como un
inversor, cuando asemos que este oscile
entre la regin hmica y la regin de corte.
As tambin se lo puede utilizar como un
interruptor, al igual que el BJT.

IGBT
El transistor bipolar de compuerta aislada es
una combinacin de los dos transistores
vistos anteriormente, este junta las ventajas
que estos presentan lo cual le permite
trabajar con frecuencias e intensidades
elevadas.
Este dispositivo se controla mediante
voltaje, los cual hace que sea mucho ms
rpido que el BJT al momento de la
conmutacin, pero no tan rpido como en
MOSFET, adems la potencia que requiere
para ser accionado es muy pequea, lo cual
permite que sea controlado utilizando
circuitos integrados.
La estructura que presenta un IGBT se la
puede apreciar en la Fig. 12

Su smbolo es el
mostrado en la Fig.13

Caractersticas estticas
El IGBT tiene un comportamiento similar el
de un MOSFET, este se muestra en la
Fig.14 que relaciona la corriente en el
colector con el voltaje en el colector,
mientras que en la Fig.15 se aprecia la
corriente del colector en funcin del voltaje
de gate.

Caractersticas Dinmicas
Al igual que el MOSFET, este dispositivo
presenta una reaccin tanto al encendido
(Fig.16) como en el apagado (Fig.17), las
cuales estn ilustradas en las siguientes
figuras:

Aplicaciones
Los IGBT se los utiliza para el control de
motores,
sistemas
de
alimentacin
ininterrumpida y sistemas de soldadura. As
tambin se los emplea en la iluminacin de
baja frecuencia y alta potencia.

Una vez que se ha expuesto las

caractersticas de cada elemento, a
continuacin se realizar una comparacin
que muestre las ventajas y desventajas que
presenta cada uno.

Dispositivos

BJT

MOSFET

IGBT

Ventajas
Trabaja con grandes
potencias.
Es resistente ante
descargas
electrostticas.
Su costo no es
elevado.
Tiene menores
prdidas de potencia
en la conmutacin.
Trabajan a altas
frecuencias.
Su ganancia es mayor
que un BJT.
No tiene problema de
segunda ruptura
El circuito de control
es ms simple.
Tiene menor cada de
tensin.
Menores prdidas en
conduccin.
Frecuencia de trabajo
mayor al BJT, pero
menor al MOSFET.
Potencia de manejo
mayor que el
MOSFET pero menor
que el BJT.

Desventajas

Su velocidad de
conmutacin es
moderada
Tiene problemas de
segunda ruptura.

Son sensibles a
descargas estticas.
Son de difcil
proteccin.
Su precio es ms
elevado.
Manejan potencias
bajas.

A mayor temperatura
menor cada de
tensin.
Se calienta ms.

SNUBBERS
Los dispositivos semiconductores que
anteriormente se han visto, presentan
limitaciones de operacin, todos tienen una
tensin, potencia o corriente mxima de
trabajo, por esto, cuando se requiera armar
un circuito con ellos se debe prever los
posibles fallos que se pueda tener (sobre
tensin, cortocircuito, etc) para asegurar un
correcto funcionamiento.
Los Snubbers son circuito que ayudan a los
elementos
semiconductores
en
su
conmutacin, para reducir el esfuerzo que
estos soportan durante el proceso y as
asegurar que operen en su regin segura de
trabajo.
Para la eleccin o diseo de un snubber se
debe tomar en cuenta los siguientes
parmetros:

El menor tamao del equipo posible

Un alto rendimiento
Costos del mercado

Existen algunas clasificaciones y subclasificaciones de snubbers, como son:

Snubbers de tensin disipativos

Eliminan la energa absorbida en la
conmutacin y la disipan en una
resistencia, se tienen los siguientes
tipos:
o
o
o

Snubber de tensin RC
Snubber de tensin RCD
Snubber de enclavamiento
de tensin RCD

Snubbers de corriente disipativos

Se los conoce como turn-on
snubbers, estos contralan la
evolucin de la corriente a travs del
dispositivo en el encendido. Y se
tienen:
o
o

Snubber de corriente RLD

Snubber de correinte con
inductancia saturable

Snubber Unificado
Unifica un snubber de tendin RCD
y un snubber de corriente RLD en
un solo snubber.

Snubbers no disipativos
Se utilizan cuando se trabaja en
altas frecuencias, ya que en esas
condiciones las prdidas con los
circuitos anteriores son muy
grandes. Este tipo de snubbers
devuelven la energa almacenada a
la fuente de entrada, a la carga o la
mantienen hasta el siguiente ciclo
de conmutacin, es este tipo de
snubbers tenemos:
o
o
o

Snubber de tesin
Snubber de corriente
Snuber unificado

Ventajas del uso de Snubbers

Prolongan la vida til de los
dispositivos.
Reducen el ruido electromagntico
lo cual disminuye las interferencias
en el equipo.
Reduce el estrs elctrico que
soportan los elementos.

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS:

[1]

MUHAMMAD H. Rashid, Power Electronic Handbook, Canada: Academic Press

[2]

Apartado
3.2,
El
transistor
de
Potencia
[Online]
Available:
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.2.Transist
or_potencia.pdf

[3]

MARTN PERNA Alberto, Proteccin elctrica de semiconductores: Redes de ayuda a

la conmutacin disipativas y no disipativas, Guijn 1999 [Online] Available:
http://pels.edv.uniovi.es/pels/pels/Pdf/Leccion%20Snubbers.pdf

[4]

SATTAR Abdus, IXYS Corporation, Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Basics
[Online] Available: http://www.ixys.com/Documents/AppNotes/IXYS_IGBT_Basic_I.pdf

[5]

TECHNICAL INFORMATION SHEET NUMBER 364, Snubbers. 12/2/98, Issued by the

applications engineering department

[6]

Bipolar Transistor, [Online] Available: http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/ChenmingHu_ch8.pdf

[7]

Power semiconductor switching devices, EE 442-642 Fall 2012, [Online] Available:

http://www.egr.unlv.edu/~eebag/EE-442-642-Power%20switching%20devices.pdf