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Diseno de amplicadores lineales y de bajo ruido

de RF (Tema 2)
Prof. A. J. Zozaya
Lunes, 27 de mayo de 2013

Indice
1. Introducci
on

2. Modelos varios

3. Deniciones de potencia

4. Deniciones de ganancia
4.1. Ganancia de potencia de transduccion GT . . .
4.2. Ganancia de potencia de transduccion unilateral
4.3. Ganancia de potencia operativa G . . . . . . . .
4.4. Ganancia de potencia disponible GA . . . . . .

.
.
.
.

4
4
7
7
8

.
.
.
.

9
10
13
13
13

. . .
GT U
. . .
. . .

.
.
.
.

5. Estabilidad en circuitos de RF
5.1. Estudio graco de la estabilidad: crculos de estabilidad
5.2. Estudio numerico de la estabilidad: pruebas K y
5.2.1. Prueba K . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.2. Prueba (1 o 2 ) . . . . . . . . . . . . . . . .

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.

6. Estabilizaci
on

14

7. Dise
no de amplicadores de peque
na se
nal
7.1. Dise
no unilateral para una ganancia GT U dada . . . . . . . . . . .
7.2. Dise
no bilateral para maxima ganancia GT M AX . . . . . . . . . .
7.3. Dise
no bilateral para una ganancia de potencia G, o disponible GA ,
dadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.3.1. Dise
no para una ganancia de potencia G dada . . . . . . .
7.3.2. Dise
no para una ganancia de potencia disponible GA dada

15
15
18

19
20
22

8. Dise
no de un amplicador de bajo ruido (LNA)
8.1. Conceptos de interes . . . . . . . . . . . . . . . .
8.1.1. Temperatura equivalente de ruido . . . . .
8.1.2. Figura de ruido . . . . . . . . . . . . . . .
8.2. Parametros de ruido que denen un dispositivo de
8.3. Procedimiento de dise
no . . . . . . . . . . . . . .

1.

. . . . . . .
. . . . . . .
. . . . . . .
dos puertos
. . . . . . .

.
.
.
.
.

.
.
.
.
.

24
24
26
27
30
32

Introducci
on

Los siguientes apuntes recogen las expresiones matematicas discutidas en clase


y el discurso basico desarrollado por mi en el aula. Constituyen aun un borrador.
En absoluto sustituyen el libro de texto [1, 2, 3, 4], en el cual se encuentran todos
los topicos cubiertos en clase pero desarrollados de una manera mas amplia y
exhaustiva y complementados con numerosos ejemplos.

2.

Modelos varios

En esta Seccion han de deducirse los modelos en forma de diagramas de ujo


de se
nal, del generador y de la impedancia de carga. A partir de estos modelos
se resolveran mas adelante, a su vez, las diferentes deniciones de potencia y de
ganancia. Tambien han de deducirse en esta seccion los coecientes de entrada
in y de salida out del amplicador, los cuales no coinciden en general con s11 ,
ni con s22 , respectivamente. (En la version actual de estas notas esta seccion se
encuentra a
un incompleta).
0
La tension a la salida de la fuente vale VS+ = VS Z0Z+Z
, de modo que siendo
S
por denicion aS =

V+
S ,
Z0

sera:

VS Z0
aS =
Z0 + ZS

Reduciendo apropiadamente el diagrama de ujo de se


nal que se muestra en
la Fig.1, se pueden obtener los coecientes de reexion de entrada in y de salida
out :
in = s11 +

s12 s21 L
1 s22 L

(1)

out = s22 +

s12 s21 S
1 s11 S

(2)

(a)

(b)

Figura 1: (a) Diagrama de ujo de se


nal de un amplicador de una sola etapa. (b) Diferentes
deniciones de potencia. Ambas guras han sido tomadas de [3]. NOTA: en esta gura se llama bS
lo que nosotros denominamos aS .

3.

Deniciones de potencia
(En la version actual de estas notas esta seccion se encuentra a
un incompleta).
La fuente entrega una potencia par:
1
Ps = |as |2
2

.
La potencia entregada al amplicador es
)
1( 2
|a1 | |b1 |2
2
(
)
1
= |a1 |2 1 |in |2
2
1
1 |in |2
= |as |2
2
|1 s in |2

Pin =

(3)
(4)
(5)

La potencia disponible de fuente vale Pin con la condicion de que in = s :


Pavs = Pin |in =s
1
1 |s |2
= |as |2
2
|1 s s |2
1 |as |2
=
2 |1 |s |2

(6)
(7)
(8)

La potencia PL entregada a la carga vale


)
1( 2
|b2 | |a2 |2
(9)
2
(
)
1
= |b2 |2 1 |L |2
(10)
2
La potencia disponible de red es la potencia que entrega la red a una carga
conjugadamente adaptada, o sea:

PL =

Pavn = PL |L =
out
)
1 2(
= |b2 | 1 |L |2
2
L =out
(
)
1
= |b2 |2 1 |out |2
2

4.

Deniciones de ganancia
(En la version actual de estas notas esta seccion se encuentra a
un incompleta).

4.1.

Ganancia de potencia de transducci


on GT

La Transducer power gain GT se dene como la relacion entre la potencia


entregada a la carga PL y la potencia disponible de fuente Pavs :
PL
Pavs
)(
)
|b2 |2 (
2
2
=
1

|
|
1

|
|
L
s
|as |2

GT =

(11)
(12)

para resolver la expresion de GT sera necesario, a su vez, resolver la relacion ab2s .


Para ello reduciremos apropiadamente el diagrama de ujo de se
nal de la Fig. 1.
En las paginas 183 y 184 de [1] se ilustra esta reduccion paso a paso (ver Fig. 2):
b2 =

s21 as
(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L

De esta forma
|s21 |2 (1 |L |2 ) (1 |s |2 )
|(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L |2
(1 |s |2 ) |s21 |2 (1 |L |2 )
=
|(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L |2

GT =

(13)
(14)

Figura 2: Reducci
on del diagrama de ujo de se
nal de un amplicador de una sola etapa de la Fig.
1 para obtener la relaci
on ab2s .

La ganancia de potencia de transductor GT tal cual aparece denida en la Ec.


(14) es dicil de interpretar fsicamente, sin embargo, mediante la introduccion de
los coecientes de reexion de entrada in y de salida out admite otras expresiones
alternativas eventualmente mas intuitivas.
Para ello comprobemos que el denominador de la Ec. (14) se puede escribir
de dos formas alternativas al introducir los mencionados coecientes reales de
reexion de entrada y de salida del amplicador.

s21 s12 S L
(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L =(1 s11 S ) (1 s22 L )
1 s11 S
[
(
)
]
s21 s12 S
=(1 s11 S ) (1 s22 +
L
1 s11 S
=(1 s11 S )(1 out L )
o
s21 s12 S L
(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L =(1 s22 L ) (1 s11 S )
1 s22 L
]
[
(
)
s21 s12 L
=(1 s22 L ) (1 s11 +
S
1 s22 L
=(1 s22 L )(1 in S )
al sustituir estas expresiones en la Ec. (14) se obtienen las siguientes deniciones
equivalentes:
2
1 |S |2
2 1 |L |
|s
|
21
|1 in S |2
|1 s22 L |2
2
1 |S |2
2 1 |L |
GT =
|s
|
21
|1 s11 S |2
|1 out L |2

GT =

(15)
(16)

Tomemos, por ejemplo, la Ec. (15) para analizarla brevemente. La misma se


compone de tres partes
2
1 |S |2
2 1 |L |
|s
|
21
|1 in S |2
|1 s22 L |2
=G1D G0 G2

GT =

donde
G0 = |s21 |2
es la ganancia de potencia de transductor basica del amplicador calculada para
una impedancia de Z0 ,
G1D =

1 |S |2
|1 in S |2
6

es un factor funcion de la seleccion de S y L , y


1 |L |2
|1 s22 L |2
contabiliza los cambios de GT en funcion del L seleccionado.
Cuando la carga cambia desde su valor Z0 , dicho cambio tiene un impacto
tanto directo como indirecto en GT . Los mismo ocurre cuando la impedancia de
fuente cambio desde su valor de Z0 a otro distinto. Dicho cambio se ve reejado
tanto directa como indirectamente sobre GT . Cuando las impedancias de fuente
y de carga son ambas iguales a Z0 , entonces L = S = 0 y entonces GT = |s12 |2 .
G2 =

4.2.

Ganancia de potencia de transducci


on unilateral GT U

Al postular |s12 | = 0, siendo cierto o no, la ganancia de potencia de transduccion GT asume la forma de GT U , denominada ganancia de potencia de
transducci
on unilateral:
|s21 |2 (1 |L |2 ) (1 |s |2 )
|(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L |2
= GT ||s12 |=0

GT =
GT U

GT U =

4.3.

2
(1 |s |2 )
2 (1 |L | )
|s
|
21
|(1 s11 S )|2
|(1 s22 L )|2

(17)
(18)
(19)

Ganancia de potencia operativa G

La ganancia de potencia G del amplicador se dene como la relacion entre


la potencia entregada a la carga PL = 12 (|b2 |2 |a2 |2 ) entre la potencia entregada
al amplicador Pin = 12 (|a1 |2 |b1 |2 ).
PL
Pin
1
(|b2 |2 |a2 |2 )
G = 21
(|a1 |2 |b1 |2 )
2
G=

tomando en cuenta que a2 = L b2 y que b1 = in a1


PL
Pin
|b2 |2 (1 |L |2 )
G=
|a1 |2 (1 |in |2 )

G=

para resolver la expresion de G sera necesario, a su vez, resolver la relacion ab21 .


Para ello reduciremos apropiadamente el diagrama de ujo de se
nal de la Fig. 1
(Eq. 9.6a, pag. 466 de [1]):
s21 a1
b2 =
1 s22 L
De esta forma
|s21 |2 (1 |L |2 )
|1 s22 L |2 (1 |in |2 )
2
1
2 1 |L |
=
|s
|
21
1 |in |2
|1 s22 L |2

G=

For a given set of S-parameters, G depends only on L . Hence G is very useful


for investigating the eect of the load on the amplier power gain.

4.4.

Ganancia de potencia disponible GA

La ganancia de potencia disponible GA se dene como la relacion entre


la potencia disponible de red Pavn y la potencia disponible de fuente Pavs :
Pavn
Pavs
)(
)
|b2 |2 (
2
2
=
1

|
|
1

|
|
out
s
|as |2

GA =

(20)
(21)

|b2 |
la relacion |a
2 ya la hemos resuelto con anterioridad. De seguido tomaremos su
s|
forma equivalente:
2

|b2 |2
|s21 |2
=
|as |2 |(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L |2
1
1
=
|s21 |2
2
|1 s11 S |
|1 out L |2
1
1
=
|s21 |2
2
|1 s11 S |
|1 out out |2
de modo que al sustituir en la Ec. (21) se obtiene:
GA =

1 |S |2
1
|s21 |2
2
|1 s11 S |
1 |out |2

(22)

Cuadro 1: Resumen de ganancias.

(1|S |2 )|s21 |2 (1|L |2 )

GT

GT

2
1|S |2
|s |2 1|L |
|1in S |2 21 |1s22 L |2

GT

2
1|S |2
|s |2 1|L |
|1s11 S |2 21 |1out L |2

GT U

2
1|s |2
2 1|L |
|s
|
21
2
|(1s11 S )|
|(1s22 L )|2

2
1
|s |2 1|L |
1|in |2 21 |1s22 L |2

GA

1|S |2
|s |2 1
|1s11 S |2 21 1|out |2

|(1s11 S )(1s22 L )s21 s12 S L |2

Ejemplo
Ver el Ejemplo 12.1, paginas 561 a 562, de la Ref. [4]

5.

Estabilidad en circuitos de RF

(En la version actual de estas notas esta seccion se encuentra a


un incompleta).
La estabilidad de un amplicador, alimentado a la entrada a traves de ZS y
cargado a la salida con ZL , depende de que las ganancias de lazo de entrada LG1 =
|S in | < 1 y de salida LG2 = |L out | < 1. Como usualmente las impedancias
de fuente y de carga son pasivas, esto es {ZS } > 0 y {ZL } > 0), y por tanto
|S | < 1 y |L | < 1, las mencionadas condiciones de estabilidad se reducen a
|in | < 1 y |out | < 1. De esta forma se denen dos tipos de estabilidad: la
estabilidad incondicional en la que |in | < 1 y |out | < 1 para todas las posibles
impedancias de fuente y de carga pasivas, y la estabilidad condicional (tambien
referida como potencialmente inestable ) en la que |in | < 1 y |out | < 1 solo
para cierto rango de impedancias de fuente y de carga pasivas.
El primer asunto que debe ser revisado en el dise
no de amplicadores es la estabilidad. Este estudio suele realizarse de dos formas complementarias: gracamente,
mediante la carta de Smith, trazando los denominados crculo de estabilidad
de fuente, o de entrada, y crculo de estabilidad de carga, o de salida, y
numericamente, mediante la realizacion del test K , recientemente sustituido
por la realizacion del test .
9

5.1.

Estudio gr
aco de la estabilidad: crculos de estabilidad

El estudio graco consiste en identicar en la carta de Smith de S y L , los


lugares geometricos de los valores de Zs y de ZL , respectivamente, para los cuales
|in | > 1
|in | = 1
|in | < 1

|out | > 1
|out | = 1
|out | < 1

zona de inestabilidad
lmite entre ambas zonas
zona de estabilidad

Nos enfocaremos en los lugares geometricos |in | = 1 y |out = 1|, por denir
ellos la frontera entre la estabilidad y la inestabilidad. Dichos lugares geometricos
contienen los valores de impedancias de carga L y de fuente S , respectivamente,
que hacen ciertas las ecuaciones:



s12 s12 L

|in | = s11 +
=1

1 s22 L



s12 s12 S

|out | = s22 +
=1

1 s11 S

(23)
(24)

Las ecuaciones anteriores pueden ser reescritas de la forma




s
L
11

=1
1 s22 L


s
S
22

=1
1 s11 S

(25)
(26)

donde = s11 s22 s12 s21 , como ya sabemos. Tomando en cuenta que
I
s11 =sR
11 + s11
I
s22 =sR
22 + s22

=R + I
I
L =R
L + L
I
S =R
S + S

y al sustituir estas expresiones en las ecuaciones previas, y despues de elevar al


cuadrado y de varias operaciones algebraicas se obtienen las siguientes ecuaciones:
10

R
R
L CL

)2

+ IL CLI

)2

= rL2

R
R
S CS

|L CL | = rL

)2

+ IS CSI

)2

= rS2

(27)

|S CS | = rS

(28)

donde
(s22 s11 )
|s22 |2 ||2




s12 s21


rL =

|s22 |2 ||2

(s11 s22 )
|s11 |2 ||2




s12 s21


rS =

|s11 |2 ||2

CL =

CS =

(29)
(30)

Las ecuaciones (27) y (28) denen una pareja de crculos, denominados crculos
de estabilidad de salida y de entrada, respectivamente, los cuales constituyen los
limites entre las regiones de estabilidad e inestabilidad del amplicador, cargado
con ZL y alimentado a traves de ZS , en los planos (cartas de Smith) de L y S .

Figura 3: Crculos de estabilidad de salida y de entrada. Figura tomada prestada de [3].

En la Fig. 3 se muestra la apariencia de estos crculos. Una vez dibujados tales


crculos toca determinar que zona es inestable y que zona no lo es. Las regiones
disponibles consisten en el interior y el exterior de cada crculo. La determinacion
de la zona estable (o inestable) se realiza mediante la ubicacion en la carta de
Smith de un valor de prueba de L , para el crculo de estabilidad de salida, y de
S , para el crculo de estabilidad de entrada y de la obtencion, a partir de cada uno
de ellos, de los valores de in y out , respectivamente. Dependiendo de la condicion
que se cumpla, |in | 1 y |out | 1, se podra concluir entonces sobre la cualidad
11

de la region de pertenencia de los L y S de prueba seleccionados. Normalmente


se suele tomar el centro de la carta de Smith como valor de referencia de ambas
impedancias de prueba, esto es L = 0 y S = 0. Para estos valores de carga y de
impedancia de fuente se cumple que |in | = |s11 | y |out | = |s22 |, respectivamente.
De esta forma se podra concluir lo siguiente:
si |s11 | < 1, el centro de la carta de Smith, o sea L = 0, pertenece a la
region de estabilidad del amplicador (ver Fig. 4).
si |s11 | > 1, el centro de la carta de Smith, o sea L = 0, pertenece a la
region de inestabilidad del amplicador (ver Fig. 4).
si |s22 | < 1, el centro de la carta de Smith, o sea S = 0, pertenece a la
region de estabilidad del amplicador (ver Fig. 5).
si |s22 | > 1, el centro de la carta de Smith, o sea S = 0, pertenece a la
region de inestabilidad del amplicador (ver Fig. 5).

Figura 4: Determinaci
on de las regiones de estabilidad e inestabilidad de salida, o de carga, mediante
el valor de prueba L = 0. Figura tomada prestada de [3].

Asignaci
on
Realizar la Asignacion 4 (asignacion4.pdf).

12

Figura 5: Determinaci
on de las regiones de estabilidad e inestabilidad de entrada, o de fuente,
mediante el valor de prueba S = 0. Figura tomada prestada de [3].

5.2.
5.2.1.

Estudio num
erico de la estabilidad: pruebas K y

Prueba K

Numericamete la estabilidad de un amplicador, para una frecuencia determinada, se determina mediante el calculo de K y de y constatar que se cumpla:
K=

1 |s11 |2 |s22 |2 + ||2


>1
2|s12 ||s21 |

|| = |s11 s22 s12 s21 | < 1

(31)
(32)

Las condiciones simultaneas dadas por las Ecs. (31) y (32) se deducen a partir
de la distancias de los crculos de estabilidad al centro de la Carta de Smith, y
su deduccion puede leerse en [3] y [4], por ejemplo.
5.2.2.

Prueba (1 o 2 )

Recientemente se ha deducido un u
nico parametro, , cuyo valor permite determinar la estabilidad del amplicador para
una frecuencia dada. En realidad se trata
de dos parametros: 1 y 2 , siendo 1 la
distancia de la region de inestabilidad de
carga al centro de la Carta de Smith (ver
Fig. 6) [2]:
13
Figura 6: Denicion de 1 . Figura tomada
prestada de [2].

1 =

1 |s22 |2
|s11 s22 | + |s21 s12 |

y 2 la distancia de la region de inestabilidad de fuente al centro de la Carta de


Smith:
1 |s11 |2
2 =
|s22 s11 | + |s21 s12 |
La estabilidad de un amplicador para una frecuencia dada se comprueba si
(1 o 2 ) > 1

6.

(33)

Estabilizaci
on

(En la version actual de estas notas esta seccion se encuentra a


un incompleta).
La estabilizacion basica de amplicador se logra a
nadiendo perdidas a la entrada (estabilizacion de entrada), o a la salida (estabilzacion de salida). El principio
que subyace en este procedimiento consiste en anular la polaridad negativa de la
parte real de Zin , o de Zout , respectivamente. En efecto, sabemos que la inestabilidad del amplicador se debe a
|in | > 1
|out | > 1

{ZS + Zin } < 0 o {YS + Yin } < 0


{ZL + Zout }< 0 o {YL + Yout }< 0

(34)
(35)

Figura 7: Topologas basica para la estabilizacion de fuente. Figura tomada de [1].

Al a
nadir perdidas en la entrada (ver Fig. 7) se desea:

+ Zin } > 0
o {YS + Gin + Yin } > 0
{ZS + Rin

14

(36)

Figura 8: Topologas basica para la estabilizacion de carga. Figuras tomada de [1].

Y al hacerlo a la salida (ver Fig. 8) se desea:

{ZL + Rout
+ Zout } > 0
o {YL + Gout + Yout } > 0

(37)

El valor mnimo de perdidas que habra que a


nadir para estabilizar el amplicador se determina sobre la Carta de Smith. Sea que se trate de una conductancia,
o de una resistencia, este valor mnimo debe yacer sobre el crculo de igual conductancia, o igual resistencia, que roza tangentemente el circulo de estabilidad
correspondiente.

7.

Dise
no de amplicadores de peque
na se
nal
(En la version actual de estas notas esta seccion se encuentra a
un incompleta).

7.1.

Dise
no unilateral para una ganancia GT U dada

El desarrrollo que sigue se basa en la premisa de que |sii | < 1, o sea que toda
la Carta de Smith representa la region de estabilidad del amplicador, o que el
amplicador es incondicionalmente estable.
(Aqu debe incluirse el analisis relativo al error que se comete al asumir el
transistor como un dispositivo unilateral)
Al asumir la condicion unilateral, la ganancia GT U se puede factorizar de la
forma:
2
(1 |s |2 )
2 (1 |L | )
|s
|
21
|(1 s11 S )|2
|(1 s22 L )|2
=GS G0 GL

GT U =

15

donde
1 |i |2
(38)
|1 s11 i |2
siendo i = S para ii = 11, e i = L para ii = 22. Los terminos GS , G0 y GL son
independientes entre si, por lo que el amplicador puede pensarse como constituido
de tres bloques independientes tal como se ilustra en la Fig. 9.
Gi =

Figura 9: Modelo equivalente del amplicador al asumir |s12 | = 0. Figura tomada prestada de [1].

Los bloques GS y GL en la Fig. 9, aunque estan constituidos de elementos


pasivos, pueden representar perdidas o ganancias. Los terminos GS y GL , sin
embargo, suelen llamarse ganancias, porque calibrando apropiadamente los valores
de i es posible recuperar parte de (o toda) la potencia que por la desadaptacion
natural de los puertos de entrada y de salida del amplicador (normalmente: sii =
i ) se perdera. En efecto, el menor valor de Gi se obtiene cuando la impedancia
de entrada ZS , o de carga ZL , presenta un nivel de desadaptacion con la linea de
transmision que la conecta al amplicador tal que |S | = 1, o |L | = 1. Este es
el peor caso (difcil de ocurrir), e implica atenuacion innita Gi (dB) = dB,
o ganancia nula Gi = 0. Cuando ZS y ZL se adaptan apropiadamente a la lnea,
esto es |i | = 0, se obtiene una ganancia nula en dB, Gi (dB) = 0dB, o unitaria
en una escala lineal Gi = 1. Sin embargo, dise
nando apropiadamente las redes
de adaptacion de entrada y de salida (bloques GS y GL en la Fig. 9), de modo
que i = sii , eventualmente se obtienen valores de Gi en dB mayores que cero,
o mayores que 1 en una escala lineal. El valor maximo de ganancia que puede
obtenerse de estas redes adaptacion de entrada y de salida viene dada por la
expresion:
GiM AX =

1
1 |sii |2

(39)

siendo 1 |sii |2 , precisamente, las perdidas por desadaptacion en el puerto correspondiente del amplicador.
Con todo lo anterior, el dise
no unilateral de un amplicador para una ganancia
nar las redes de adaptacion de entrada y de
GT U (dB) determinada consiste en dise
16

salida del amplicador, de modo de obtener unos valores de GS (dB) y de GL (dB),


tales que sumados a G0 (dB), nos permita obtener aquel valor de ganancia dado:
GT U (dB) = GS (dB) + G0 (dB) + GL (dB).
Para proceder con el dise
no es necesario establecer una apropiada correlacion
entre i y Gi , de modo que, partiendo de un valor deseado Gi de Gi , despejar
el valor de i adecuado y proceder con el dise
no de la red pasiva de adaptacion
correspondiente. En realidad dicha correlacion ya existe Ec. (38):
Gi =

1 |i |2
|1 sii i |2

y establece una relacion, para una Gi dada, mas bien con una familia de valores de
i , y no con un valor u
nico (salvo para GiM AX ). Los valores de i de esta familia se
re
unen en forma de un crculo sobre la Carta de Smith: los denominados crculos
de ganancia constante de fuente (i = S), o de carga (i = L). La construccion
de estos crculos de ganancia constante se efect
ua normalizando la ganancia Gi
respecto de su maximo:

gi =

Gi

GiM AX
)
1 |i |2 (
2
=
1

|s
|
ii
|1 sii i |2

de esta forma se obtienen las ecuaciones de los crculos de ganancia constante de


fuente y de carga (una deduccion detallada de esta ecuacion puede leerse en [3]):
|i Cgi | = rgi

(40)

donde
gi sii
Cgi =
1 |sii |2 (1 gi )

1 gi (1 |sii |2 )
rgi =
1 |sii |2 (1 gi )

(41)
(42)

Es conveniente apuntar que los centros de estos crculos yacen todos sobre la
recta que parte del origen de la Carta de Smith y pasa por sii . Por otro lado,
el crculo de ganancia GiM AX consiste de un u
nico punto, precisamente sii . Si
|sii | < 0 todos los crculos yacen sobre la Carta de Smith. El crculo de ganancia
nula pasa por el origen de la Carta de Smith (i = 0).
Los pasos de dise
no seran los siguientes:
17

1. Determinar mediante la Ec. (39) los valores maximos de ganancia que pueden lograrse mediante las redes de adaptacion de entrada y de salida (bloques
identicados con las ganancias GS y GL , respectivamente, en la Fig. 9).
2. Decidir en consecuencia si seran necesarios ambos bloques de adaptacion,
ya que una sola red podra suplir toda la ganancia requerida de dise
no. De
ser necesarias ambas redes, toca denir el valor de ganancia que cada una
de ellas aportara, teniendo presente (evidentemente) que dicha ganancia
Gi (dB) ha de satisfacer la condicion: Gi (dB) < GiM AX (dB).
3. Calcular el valor de ganancia normalizado gi correspondiente: gi = Gi /GiM AX
de cada red de adaptacion, y con la ayuda de las Ecuaciones (40) hasta la
(42) trazar sobre la Carta de Smith los correspondientes crculos de ganancia constante.
4. Seleccionar sobre cada crculo de ganancia constante dibujado en el punto
anterior, un valor de i (existen innitas posibilidades).
5. Dise
nar las redes de adaptacion de entrada y de salida que transformen los
i originales en los i seleccionados en el punto anterior. Es evidente que de
redes de adaptacion que suplan la transformacion requerida de impedancia
de fuente y de carga hay innitas.
NOTA: la notacion usada en el texto, al primar algunas cantidades, no guarda
relacion alguna con las variables primadas que aparecen en la Fig. 9, la cual ha
sido tomada de la Ref. [2], y que en nuestro caso estan para indicar un valor
concreto de la variable primada.
Ejemplo
Ver el Ejemplo 9-8, paginas 488 a 490, de la Ref. [1].

7.2.

Dise
no bilateral para m
axima ganancia GT M AX

Siendo el amplicador bilateral resulta complicado dise


nar para una ganancia
determinada si no se establecen restricciones para la impedancia de fuente y de
carga [2] ya que se dispone de una sola ecuacion Ec. (14) con dos incognitas
(S y L ). Usualmente el dise
no bilateral basado en GT se realiza para maxima
ganancia. La maxima ganancia de transduccion se logra, al igual que en el caso
unilateral, cuando simultaneamente se cumple que

18

S =in
(

s12 s21 L
S = s11 +
1 s22 L

L =out

s12 s21 S
L = s22 +
1 s11 S

El sistema de ecuaciones:
(

s12 s21 L
S = s11 +
1 s22 L
(

s12 s21 S
L = s22 +
1 s11 S

(43)
)

(44)

permite resolver as los valores de S y L necesarios para obtener una ganancia


GT M AX :
GT =

(1 |s |2 ) |s21 |2 (1 |L |2 )
|(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L |2

cuyo valor maximo, al sustituir en ella las Ecs. (43) y (44), puede expresarse de
la forma [3]:
GT M AX =

|s21 | (
K K2 1
|s12 |

(45)

De esta forma, para obtener la maxima ganancia GT M AX dada por la Ec.


(45), sera necesario dise
nar las redes de adaptacion de entrada y de salida que
transformen S y L en los valores dados por las Ecs. (43) y (44), respectivamente.
Ejemplo
Ver Ejemplo 3.6.3, paginas 243 a 246, de la Ref. [3].

7.3.

Dise
no bilateral para una ganancia de potencia G, o
disponible GA , dadas

El dise
no bilateral para una ganancia de potencia operativa G dada sigue un
esquema logico dual con el dise
no bilateral para una ganancia disponible GA determinada. En el primer caso, se parte del hecho de que el amplicador es adaptado
conjugadamente a la entrada, y en el segundo caso de que existe adaptacion conjugada a la salida. Como el procedimiento logico general de dise
no en ambos casos
es el mismo, haremos su descripcion en paralelo.
19

7.3.1.

Dise
no para una ganancia de potencia G dada

La ganancia de potencia operativa, denida como:


G=

2
1
2 1 |L |
|s
|
21
1 |in |2
|1 s22 L |2

es una funcion u
nicamente de la impedancia de carga G = G(L ) por cuanto se
impone adaptacion conjugada a la entrada del amplicador S = in
(

s12 s21 L
S = s11 +
1 s22 L
(

s11 L
=
1 s22 L

El dise
no para una ganancia G dada, dgase G , presupone entonces denir
una apropiada correlacion entre G y L . Para ello rescribimos G de la forma:

G=

1 |L |2
|s21 |2
(1 |in |2 ) |1 s22 L |2
1 |L |2

=(
|s21 |2
)

s11 L 2
1 1s22 L |1 s22 L |2
1 |L |2
|s21 |2
|1 s22 L |2 |s11 L |2
=g(L )|s21 |2
=

donde
g(L ) =

1 |L |2
|1 s22 L |2 |s11 L |2

(46)

A partir de la Ec. (46) se puede deducir la siguiente ecuacion parametrica, con g


como parametro [3]:
|L Cg | = rg
(47)
donde

Cg =

g(s22 s11 )
1 + g(|s22 |2 ||2 )

rg =

1 2Kg|s12 s21 | + g 2 |s12 s21 |2


|1 + g(|s22 |2 ||2 )|
20

(48)
(49)

La Ecuacion (47) dene un crculo en el plano L de igual ganancia g (iso-g),


o ganancia constante, con centro en Cg y de radio rg . Dicho crculo se denomina
crculo de ganancia de potencia operativa. Todos los valores de L sobre
dicho lugar geometrico producen una ganancia g dado por la Ec. (46) siempre
y cuando la entrada del amplicador se encuentre adaptada S = in (L ) . La
Ec. (47) en realidad dene una familia de crculos de igual ganancia de potencia
operativa. Todos los centros de estos crculos yacen sobre una misma recta que
parte del origen y que pasa por el punto (s22 s11 ) , y, siendo el amplicador
incondicionalmente estable, tales crculos permanecen todos en el interior de la
Carta de Smith.
Para obtener una ganancia de potencia operativa determinada G se ha de
proceder de la siguiente manera:
1. Descomponer la ganancia operativa G de la forma:
G(dB) = g(dB) + G0 (dB)
donde G0 (dB) = 20 log(|s21 |) y g(dB) = 10 log(g) y g viene dado por la Ec.
(46).
2. Comprobar que el valor G deseado se puede lograr a partir de g. Esto se
realiza comprobando que G GM AX , siendo GM AX = GT M AX [3], esto es:
GM AX =
.

|s21 | (
K K2 1
|s12 |

3. Calcular el incremento g (dB) de ganancia requerido g (dB) = G (dB)


G0 (dB), y determinar el valor de g como:
g = 10

g (dB)
10

4. Trazar con la ayuda de las Ecs. (48) y (49) el crculo iso-g sobre el plano
L en la Carta de Smith.
5. Seleccionar un valor L sobre el crculo de ganancia de potencia operativa
trazado en el punto anterior. Dise
nar la red de adaptacion de carga que

transforme L en L .
6. Calcular in como:
s12 s21 L
1 s22 L
y dise
nar la red de adaptacion de fuente que transforme S en in .
in = s11 +

21

Ejemplo
Ver Ejemplo 9-13, paginas 498 a 500, de la Ref. [1].
7.3.2.

Dise
no para una ganancia de potencia disponible GA dada

La ganancia de potencia disponible, denida como:


GA =

1 |S |2
1
|s21 |2
2
|1 s11 S |
1 |out |2

es una funcion u
nicamente de la impedancia de fuente GA = GA (S ) por cuanto
se impone adaptacion conjugada a la salida del amplicador L = out
(

s12 s21 S
L = s22 +
1 s11 S
(

s22 L
=
1 s11 S

El dise
no para una ganancia de potencia disponible GA dada, dgase GA , presupone denir una apropiada correlacion entre GA y S . Para ello rescribimos GA
de la forma:
1 |S |2
(1 |out |2 ) |1 s11 S |2
1 |S |2
=|s21 |2 (
2 )

22 S
|1 s11 S |2
1 s1s
11 S

GA =|s21 |2

1 |S |2
|1 s11 S |2 |s22 S |2
=|s21 |2 gA (S )
=|s21 |2

donde
gA (S ) =

1 |S |2
|1 s11 S |2 |s22 S |2

(50)

A partir de la Ec. (50) se puede deducir la siguiente ecuacion parametrica, con gA


como parametro [3]:
|L CgA | = rgA
(51)
donde

22

CgA =

gA (s11 s22 )
1 + gA (|s11 |2 ||2 )

(52)

rgA =

1 2KgA |s12 s21 | + gA2 |s12 s21 |2


|1 + gA (|s11 |2 ||2 )|

(53)

La Ecuacion (51) dene un crculo en el plano S de igual ganancia gA (iso-gA ),


con centro en CgA y de radio rgA . Dicho crculo se denomina crculo de ganancia
de potencia disponible. Todos los valores de S sobre dicho lugar geometrico
producen una ganancia gA dado por la Ec. (50) siempre y cuando la salida del
amplicador se encuentre adaptada L = out (S ) . La Ec. (51) en realidad dene
una familia de crculos de igual ganancia de potencia disponible. Todos los centros
de estos crculos yacen sobre una misma recta que parte del origen y que pasa por
el punto (s11 s22 ) , y, siendo el amplicador incondicionalmente estable, tales
crculos permanecen todos en el interior de la Carta de Smith.
Para obtener una ganancia de potencia disponible determinada GA se ha de
proceder de la siguiente manera:
1. Descomponer la ganancia disponible GA de la forma:
GA (dB) = gA (dB) + G0 (dB)
donde G0 (dB) = 20 log(|s21 |) y gA (dB) = 10 log(gA ) y gA viene dado por la
Ec. (50).
2. Comprobar que el valor GA deseado se puede lograr a partir de gA . Esto se
realiza comprobando que GA GAM AX , siendo GAM AX = GT M AX [3], esto
es:
GAM AX =

|s21 | (
K K2 1
|s12 |

.
3. Calcular el incremento gA (dB) de ganancia requerido gA (dB) = GA (dB)
G0 (dB), y determinar el valor de gA como:
gA = 10

g (dB)
A
10

4. Trazar con la ayuda de las Ecs. (52) y (53) el crculo iso-gA sobre el plano
S en la Carta de Smith.

23

5. Seleccionar un valor S sobre el crculo de ganancia de potencia disponible


trazado en el punto anterior. Dise
nar la red de adaptacion de carga que

transforme S en S .
6. Calcular out como:
out = s22 +

s12 s21 S
1 s11 S

y dise
nar la red de adaptacion de fuente que transforme L en out .

8.

Dise
no de un amplicador de bajo ruido (LNA)

Antes de enunciar el procedimiento de dise


no de un amplicador de bajo ruido
(LNA) vamos a revisar algunos conceptos de interes.

8.1.

Conceptos de inter
es

En la caracterizacion del ruido que un amplicador, o una red de dos puertos


en general, introduce en un sistema se suelen usar tres conceptos bases: resistencia
equivalente de ruido RN , temperatura de ruido equivalente Te y gura de ruido F .
Caracterizaremos de seguido al resistor como elemento base generador de ruido.
Todo resistor a un temperatura distinta de 0 K produce ruido que se maniesta
mediante una tension vn (t) de media nula y cuyo valor rms1 Vn (ver Fig. 10):

Vn =

lm

T T

[vn (t)]2 dt

viene dado por [4]:


v
u
u 4hf BR
Vn = t hf

e T 1

(54)

donde h = 6,626 103 4[J-s] es la constante de Planck, = 1,380 102 3[J/K]


es la constante de Boltzman, T es la temperatura en Kelvin, B es el ancho de
banda del sistema en Hz, f es la frecuencia central de B en Hz y R es el valor de
la resistencia en .
1

El valor rms (root mean square) de una funcion es la raz cuadrada de la media aritmetica,
o promedio, del cuadrado de dicha funcion.

24

Figura 10: Voltaje de ruido vn (t) que produce un resistor de valor R. Figura tomada prestada de [4].
hf
Al tomar en cuenta que T
1 para valores de f y T bastante amplios, por
hf
hf

ejemplo T = 100K (-173.15 Celsius) y f = 100GHz, e T 1 + T


y la Ec. (54)
se suele aproximar de la forma:

Vn

T BR

(55)

Este ruido es independiente de la frecuencia y su densidad espectral de potencia


es constante con f . Esta cualidad le conere el calicativo de ruido blanco. Por
otro lado: a mayor B mayor potencia de ruido, por tanto el ancho de banda del
sistema determina la potencia de ruido. Fuentes de ruido blanco independientes
producen ruido cuyas potencias se han de sumar.
Una fuente de ruido blanco, como el resistor previamente descrito, entregara la
mayor potencia de ruido posible si se conecta a una carga adaptada, esto es: a
una resistencia del mismo valor. En terminos de ruido, este sera el peor caso y
por esta razon siempre trabajaremos con las fuentes de ruido como si entregaran
su potencia de ruido a una carga adaptada. Esta idea se ilustra en la Fig. 11.
La potencia de ruido que el resistor ruidoso R entrega al resistor de carga R
de la Fig.11 vale
Pn =In2 R
(

Vn
2R
=T B

)2

Ahora bien, cualquier fuente de ruido blanco (o aproximadamente blanco) que


entrega a una resistencia de carga R una potencia de ruido No , puede ser modelada
bien por una resistencia equivalente de ruido RN que, a una temperatura T0
de referencia de 290 Kelvin (16.85 grados Celsius), entrega la misma potencia
25

Figura 11: Resistor entregando su maxima potencia de ruido a otro resistor de igual valor a traves
de un ltro ideal de ancho de banda B. La resistencia ruidosa es modelada mediante un equivalente
de Thevenin en la que se introduce un generador, que genera Vn voltios rms, con una resistencia
interna ideal, no ruidosa, par a R. Figura tomada de la Ref. [4].

No , o por una resistencia del mismo valor a una temperatura Te , denominada


temperatura equivalente de ruido, tal que No = Te B:
Vn2
4T0 B
No
Te =
B

RN =

Figura 12: Denici


on de la temperatura equivalente de ruido Te . Figura tomada de [4].

8.1.1.

Temperatura equivalente de ruido

La segunda de estas ideas se ilustra en la Fig. 12. (En un futuro incluir aqu una
graca tambien relacionada con RN ). Con estas dos deniciones en mente es posible acu
nar a un amplicador una resistencia de ruido equivalente, o una temperatura de ruido equivalente. En cualquier caso, el parametro usado es una medida
del ruido que el amplicador produce. En la Fig. 13 se ilustra como se suele denir
la temperatura equivalente de ruido de un amplicador.
26

Figura 13: Denici


on de la temperatura equivalente de ruido Te de un amplicador. El amplicador
real ruidoso produce un ruido No aun en ausencia de alguna entrada. Para cuanticar este ruido en
forma de una temperatura equivalente Te , el amplicador real es sustituido por uno ideal, que no
produce ruido, pero alimentado a su entrada por una resistencia R (igual a la resistencia de carga
usada en la denici
on) que produce un ruido de entrada de potencia Ni = Te B a una temperatura
Te que, al pasar a traves del amplicador, da lugar a No = GTe B a la salida. Figura tomada de
[4].

En la Figura 13, el amplicador real ruidoso genera un ruido No en ausencia


de alguna entrada. Para cuanticar este ruido en forma de una temperatura equivalente Te , el amplicador real es sustituido por uno ideal que no produce ruido.
Luego, el amplicador es alimentado con una resistencia R ruidosa igual a la resistencia de carga usada en la denicion y su temperatura se calibra hasta un valor
Te para que produzca un ruido de entrada de potencia Ni = Te B que, al pasar
a traves del amplicador, de lugar a No = GTe B a la salida. La temperatura
No
Te = GB
es la temperatura equivalente de ruido del amplicador.
8.1.2.

Figura de ruido

Otro parametro ampliamente usado para caracterizar el ruido que a


nade un
amplicador determinado, es la gura de ruido F . La gura de ruido se dene
como la razon entre las relacion de se
nal a ruido de entrada SN Ri a la relacion
de se
nal a ruido de salida SN Ro . La relacion se
nal a ruido se dene como:
SN R =

27

S
N

donde S es la potencia de la se
nal u
til (como la informacion) y N la potencia
del ruido que la acompa
na y que proviene de diferentes fuentes de ruido. Siendo
el ruido aditivo, la SN R de una se
nal debe empeorar al pasar a traves de un
amplicador, puesto que tanto la se
nal u
til como el ruido de entrada se amplican
por igual, pero el amplicador a
nade su propio ruido a la salida:
Si
So
>
Ni
No
Precisamente, la relacion
dor:

SN Ri
SN Ro

se denomina gura de ruido del amplica-

F =

Si /Ni
So /No

(56)

En la Figura 14 se ilustra el concepto base para la denicion de esta gura de


merito.

Figura 14: Representaci


on graca de la idea para la denicion de la gura de ruido F de un amplicador. El amplicador es alimentado con un generador ideal que genera la se
nal u
til Si de entrada.
A esta se
nal se suma un ruido de entrada Ni el cual se atribuye a una resistencia cuyo valor R se
calibra para que Ni = T0 B. La salida del amplicador se carga con una resistencia adaptada (?)
de igual valor R. Figura tomada de [4].

En la Figura 14 el amplicador bajo test es alimentado por un generador ideal


que genera la se
nal u
til Si de entrada. A Si se suma un ruido de entrada Ni el cual
se atribuye a una resistencia cuyo valor R se calibra para que Ni = T0 B. La salida
del amplicador se carga con una resistencia adaptada de igual valor R. Aqu el
concepto de adaptacion debe referirse a que el valor de R debe obtenerse no solo
para garantizar que ella entregue una Ni = T0 B maxima a otra resistencia de
igual valor, sino que, haciendolo a traves del amplicador, sea a su vez la maxima
potencia que pueda entregar a este (?).
Al sustituir en la Ec. (56) las cantidades de interes se obtiene:

28

Si /Ni
So /No
Si No
=
So Ni
Si (GT0 B + GTe B)
=
GSi (T0 B)
Te
=1 +
T0

F =

(57)
(58)
(59)
(60)

La Ecuacion (60) establece precisamente la relacion entre la temperatura equivalente de ruido Te del amplicador y su gura de ruido F :
Te = (F 1)T0
por lo que puede concluirse que ambos parametros son completamente equivalentes.
Un importante resultado se obtiene a partir de esta equivalencia cuando se
desea determinar la gura de ruido de un sistema que consiste en la cascada de
varios dispositivos de dos puertos, cada uno de ellos con su propia gura de ruido,
o temperatura equivalente de ruido. El analisis se simplica para el caso de un
sistema compuesto de dos dispositivos de dos puertos en cascada, como se ilustra
en la Figura 15, a partir del cual la generalizacion para el caso de N dispositivos
es natural.

Figura 15: Dos dispositivos de dos puertos en cascada para la determinacion de su gura de ruido
global. Figura tomada de [4].

Para el sistema de la Fig. 15 la gura de ruido F viene dada por:

29

Si N 0
G1 G2 Si Ni
N0
=
G1 G2 Ni
G2 [(G1 T0 B + G1 Te1 B) + Te2 B]
=
G1 G2 T0 B
Te1
1 Te2
=1 +
+
T0
G1 T0
F2 1
=F1 +
G1

F =

Esta ecuacion puede generalizarse, como ya se haba enunciado, para el caso


de N dispositivos en cascada [4]:
F = F1 +

F2 1
FN 1
+ ... +
G1
G1 G2 GN 1

(61)

De la Ecuacion (61) se desprende que al disponer de varios dispositivos en


cascada, la gura de ruido del primer dispositivo es la mas importante. Este
resultado es sumamente importante en el dise
no de circuitos de comunicaciones
donde la gura de ruido sea un factor de importancia (ver ejemplo siguiente).
Ejemplo
Ver el Ejemplo 2.5.1.1 Illustrative exercise: cascade noise gure calculations, paginas 104 a 105, de la Ref. [2].

8.2.

Par
ametros de ruido que denen un dispositivo de
dos puertos

.
La gura de ruido de un dispositivo de dos puertos viene dada por la expresion
[3]:
F = Fmin +

4rN |s opt |2
(1 |S |2 )|1 + opt |2

(62)

donde Fmin es la menor gura de ruido del dispositivo, la cual corresponde a


un valor de impedancia optima de fuente Zopt para la cual se obtiene el menor
valor de potencia de ruido de salida, opt es el valor de S cuando ZS = Zopt , y
rN = RN /Z0 es la resistencia equivalente de ruido del dispositivo. Los parametros
Fmin , opt y rN sino no son suplidos por el fabricante han de medirse (ver [5]).
30

Conceptualmente el valor de Zopt se obtiene mediante el experimento virtual


que se muestra en la Fig. 16.

Figura 16: Conguraci


on l
ogica para la determinacion del valor de la impedancia de fuente ZS = Zopt
optima. Los generadores ideales de corriente y de voltaje de ruido modelan el ruido del dispositivo
de dos puertos que, en el experimento, es sustituido por uno ideal no ruidoso. El valor de ZS se va
variando hasta conseguir el menor valor de potencia de ruido a la salida. Dicho valor de ZS es el
valor
optimo Zopt que produce un coeciente de reexion optimo opt . Figura tomada de [2].

En la Figura 16, se muestra la conguracion logica para la determinacion del


valor de la impedancia de fuente ZS = Zopt optima. Los generadores ideales de
corriente y de voltaje de ruido modelan el ruido del dispositivo de dos puertos
que, en el experimento, es sustituido por uno ideal no ruidoso. El valor de ZS se
va variando hasta conseguir el menor valor de potencia de ruido a la salida. Dicho
valor de ZS es el valor optimo Zopt que produce un coeciente de reexion optimo
opt .
Es conveniente indicar que normalmente opt = in , por lo que al dise
nar la
red de adaptacion de fuente para un valor optimo de S (en terminos de ruido), se
introduce cierto nivel de desadaptacion de impedancia a la entrada, y por tanto
no es posible obtener maxima ganancia de amplicacion para mnima gura de
ruido.
No pude evitar copiar esto textualmente de [2]: At a specic set of operating
conditions, the three noise parameters (Fmin , opt ,and rN ) can fully characterize
the noise performance of a given two-port. Changing the temperature, frequency,
and the dc bias conditions of the active device also change the noise parameters.
Problema
Al revisar las especicaciones de ruido del amplicador BFP640, observamos
que solo el parametro F nos viene dado. Dicho valor se corresponde con Fmin (se
desprende del contexto). Ya que RN , Te y F son equivalentes entre si, conciba un
procedimiento para determinar RN a partir de F y de Te .

31

8.3.

Procedimiento de dise
no

El dise
no de un amplicador de bajo ruido se realiza siguiendo los lineamientos
generales de dise
no de un amplicador para una ganancia de potencia disponible
GA dada, donde la impedancia de fuente se determina a partir de una decision
de compromiso entre un valor de gura de ruido determinado F y un valor de
ganancia disponible de fuente dado GA . Esta solucion de dise
no de compromiso se
decide sobre la Carta de Smith mediante la interseccion de un crculo de gura
de ruido constante y un crculo de ganancia disponible de fuente.
La ecuacion de los crculos de ruido constante tiene la siguiente apariencia
[3, 4]:
|S CF | = rF

(63)

donde
CF =
rF =

opt
N
+1

N (N + 1 |opt |2 )
N +1

(64)
(65)

siendo N el parametro de gura de ruido:


N=

F Fmin
|S opt |2
=
|1 + opt |2
2
1 |S |
4rN

Ejemplo1
Ver el Ejemplo 12.5, paginas 581 a 583, de la Ref. [4].

Ejemplo2
Ver el 2.6.3 Illustrative example: design of a single-ended 1.9-GHz
LNA, paginas 111 a 114, de la Ref. [2].

Referencias
[1] Reinhold L. and Pavel Bretchko. RF Circuit Design, Theory and applications.
Prentice Hall, 2000.
[2] Rowan Gilmore and Les Besser. Practical RF Circuit Design for Modern
Wireless Systems, Volumen II, Active Circuits and Systems. Artech House,
2003.
32

[3] Guillermo Gonzalez. Microwave Transistor Ampliers, Analysis and Design.


Prentice Hall, 1997.
[4] David M. Pozar. Microwave Engineering. JohnWiley & Sons, Inc., 2012.
[5] AN-60-040. Understanding noise parameter measurements. Technical report,
Modelithics and Mini-Circuits, 2009.
[6] Aplication Note 95-1. S-parameter techniques for faster more accurate network
design. Technical report, HEWLETT PACKARD, 1967.
[7] Chris Bowick. RF Circuit Design. Newnes, 1982.
[8] Rowan Gilmore and Les Besser. Practical RF Circuit Design for Modern
Wireless Systems, Volumen I, Passive Circuits and Systems. Artech House,
2003.
[9] Steve Marsh. Practical MMIC Design. Artech House, 2006.

33

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