de RF (Tema 2)
Prof. A. J. Zozaya
Lunes, 27 de mayo de 2013
Indice
1. Introducci
on
2. Modelos varios
3. Deniciones de potencia
4. Deniciones de ganancia
4.1. Ganancia de potencia de transduccion GT . . .
4.2. Ganancia de potencia de transduccion unilateral
4.3. Ganancia de potencia operativa G . . . . . . . .
4.4. Ganancia de potencia disponible GA . . . . . .
.
.
.
.
4
4
7
7
8
.
.
.
.
9
10
13
13
13
. . .
GT U
. . .
. . .
.
.
.
.
5. Estabilidad en circuitos de RF
5.1. Estudio graco de la estabilidad: crculos de estabilidad
5.2. Estudio numerico de la estabilidad: pruebas K y
5.2.1. Prueba K . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.2. Prueba (1 o 2 ) . . . . . . . . . . . . . . . .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
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.
.
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.
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.
.
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.
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.
.
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.
.
.
.
6. Estabilizaci
on
14
7. Dise
no de amplicadores de peque
na se
nal
7.1. Dise
no unilateral para una ganancia GT U dada . . . . . . . . . . .
7.2. Dise
no bilateral para maxima ganancia GT M AX . . . . . . . . . .
7.3. Dise
no bilateral para una ganancia de potencia G, o disponible GA ,
dadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.3.1. Dise
no para una ganancia de potencia G dada . . . . . . .
7.3.2. Dise
no para una ganancia de potencia disponible GA dada
15
15
18
19
20
22
8. Dise
no de un amplicador de bajo ruido (LNA)
8.1. Conceptos de interes . . . . . . . . . . . . . . . .
8.1.1. Temperatura equivalente de ruido . . . . .
8.1.2. Figura de ruido . . . . . . . . . . . . . . .
8.2. Parametros de ruido que denen un dispositivo de
8.3. Procedimiento de dise
no . . . . . . . . . . . . . .
1.
. . . . . . .
. . . . . . .
. . . . . . .
dos puertos
. . . . . . .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
24
24
26
27
30
32
Introducci
on
2.
Modelos varios
V+
S ,
Z0
sera:
VS Z0
aS =
Z0 + ZS
s12 s21 L
1 s22 L
(1)
out = s22 +
s12 s21 S
1 s11 S
(2)
(a)
(b)
3.
Deniciones de potencia
(En la version actual de estas notas esta seccion se encuentra a
un incompleta).
La fuente entrega una potencia par:
1
Ps = |as |2
2
.
La potencia entregada al amplicador es
)
1( 2
|a1 | |b1 |2
2
(
)
1
= |a1 |2 1 |in |2
2
1
1 |in |2
= |as |2
2
|1 s in |2
Pin =
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
PL =
Pavn = PL |L =
out
)
1 2(
= |b2 | 1 |L |2
2
L =out
(
)
1
= |b2 |2 1 |out |2
2
4.
Deniciones de ganancia
(En la version actual de estas notas esta seccion se encuentra a
un incompleta).
4.1.
|
|
1
|
|
L
s
|as |2
GT =
(11)
(12)
s21 as
(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L
De esta forma
|s21 |2 (1 |L |2 ) (1 |s |2 )
|(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L |2
(1 |s |2 ) |s21 |2 (1 |L |2 )
=
|(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L |2
GT =
(13)
(14)
Figura 2: Reducci
on del diagrama de ujo de se
nal de un amplicador de una sola etapa de la Fig.
1 para obtener la relaci
on ab2s .
s21 s12 S L
(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L =(1 s11 S ) (1 s22 L )
1 s11 S
[
(
)
]
s21 s12 S
=(1 s11 S ) (1 s22 +
L
1 s11 S
=(1 s11 S )(1 out L )
o
s21 s12 S L
(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L =(1 s22 L ) (1 s11 S )
1 s22 L
]
[
(
)
s21 s12 L
=(1 s22 L ) (1 s11 +
S
1 s22 L
=(1 s22 L )(1 in S )
al sustituir estas expresiones en la Ec. (14) se obtienen las siguientes deniciones
equivalentes:
2
1 |S |2
2 1 |L |
|s
|
21
|1 in S |2
|1 s22 L |2
2
1 |S |2
2 1 |L |
GT =
|s
|
21
|1 s11 S |2
|1 out L |2
GT =
(15)
(16)
GT =
donde
G0 = |s21 |2
es la ganancia de potencia de transductor basica del amplicador calculada para
una impedancia de Z0 ,
G1D =
1 |S |2
|1 in S |2
6
4.2.
Al postular |s12 | = 0, siendo cierto o no, la ganancia de potencia de transduccion GT asume la forma de GT U , denominada ganancia de potencia de
transducci
on unilateral:
|s21 |2 (1 |L |2 ) (1 |s |2 )
|(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L |2
= GT ||s12 |=0
GT =
GT U
GT U =
4.3.
2
(1 |s |2 )
2 (1 |L | )
|s
|
21
|(1 s11 S )|2
|(1 s22 L )|2
(17)
(18)
(19)
G=
G=
4.4.
|
|
1
|
|
out
s
|as |2
GA =
(20)
(21)
|b2 |
la relacion |a
2 ya la hemos resuelto con anterioridad. De seguido tomaremos su
s|
forma equivalente:
2
|b2 |2
|s21 |2
=
|as |2 |(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L |2
1
1
=
|s21 |2
2
|1 s11 S |
|1 out L |2
1
1
=
|s21 |2
2
|1 s11 S |
|1 out out |2
de modo que al sustituir en la Ec. (21) se obtiene:
GA =
1 |S |2
1
|s21 |2
2
|1 s11 S |
1 |out |2
(22)
GT
GT
2
1|S |2
|s |2 1|L |
|1in S |2 21 |1s22 L |2
GT
2
1|S |2
|s |2 1|L |
|1s11 S |2 21 |1out L |2
GT U
2
1|s |2
2 1|L |
|s
|
21
2
|(1s11 S )|
|(1s22 L )|2
2
1
|s |2 1|L |
1|in |2 21 |1s22 L |2
GA
1|S |2
|s |2 1
|1s11 S |2 21 1|out |2
Ejemplo
Ver el Ejemplo 12.1, paginas 561 a 562, de la Ref. [4]
5.
Estabilidad en circuitos de RF
5.1.
Estudio gr
aco de la estabilidad: crculos de estabilidad
|out | > 1
|out | = 1
|out | < 1
zona de inestabilidad
lmite entre ambas zonas
zona de estabilidad
Nos enfocaremos en los lugares geometricos |in | = 1 y |out = 1|, por denir
ellos la frontera entre la estabilidad y la inestabilidad. Dichos lugares geometricos
contienen los valores de impedancias de carga L y de fuente S , respectivamente,
que hacen ciertas las ecuaciones:
s12 s12 L
|in | = s11 +
=1
1 s22 L
s12 s12 S
|out | = s22 +
=1
1 s11 S
(23)
(24)
(25)
(26)
donde = s11 s22 s12 s21 , como ya sabemos. Tomando en cuenta que
I
s11 =sR
11 + s11
I
s22 =sR
22 + s22
=R + I
I
L =R
L + L
I
S =R
S + S
R
R
L CL
)2
+ IL CLI
)2
= rL2
R
R
S CS
|L CL | = rL
)2
+ IS CSI
)2
= rS2
(27)
|S CS | = rS
(28)
donde
(s22 s11 )
|s22 |2 ||2
s12 s21
rL =
|s22 |2 ||2
(s11 s22 )
|s11 |2 ||2
s12 s21
rS =
|s11 |2 ||2
CL =
CS =
(29)
(30)
Las ecuaciones (27) y (28) denen una pareja de crculos, denominados crculos
de estabilidad de salida y de entrada, respectivamente, los cuales constituyen los
limites entre las regiones de estabilidad e inestabilidad del amplicador, cargado
con ZL y alimentado a traves de ZS , en los planos (cartas de Smith) de L y S .
Figura 4: Determinaci
on de las regiones de estabilidad e inestabilidad de salida, o de carga, mediante
el valor de prueba L = 0. Figura tomada prestada de [3].
Asignaci
on
Realizar la Asignacion 4 (asignacion4.pdf).
12
Figura 5: Determinaci
on de las regiones de estabilidad e inestabilidad de entrada, o de fuente,
mediante el valor de prueba S = 0. Figura tomada prestada de [3].
5.2.
5.2.1.
Estudio num
erico de la estabilidad: pruebas K y
Prueba K
Numericamete la estabilidad de un amplicador, para una frecuencia determinada, se determina mediante el calculo de K y de y constatar que se cumpla:
K=
(31)
(32)
Las condiciones simultaneas dadas por las Ecs. (31) y (32) se deducen a partir
de la distancias de los crculos de estabilidad al centro de la Carta de Smith, y
su deduccion puede leerse en [3] y [4], por ejemplo.
5.2.2.
Prueba (1 o 2 )
Recientemente se ha deducido un u
nico parametro, , cuyo valor permite determinar la estabilidad del amplicador para
una frecuencia dada. En realidad se trata
de dos parametros: 1 y 2 , siendo 1 la
distancia de la region de inestabilidad de
carga al centro de la Carta de Smith (ver
Fig. 6) [2]:
13
Figura 6: Denicion de 1 . Figura tomada
prestada de [2].
1 =
1 |s22 |2
|s11 s22 | + |s21 s12 |
6.
(33)
Estabilizaci
on
(34)
(35)
Al a
nadir perdidas en la entrada (ver Fig. 7) se desea:
+ Zin } > 0
o {YS + Gin + Yin } > 0
{ZS + Rin
14
(36)
{ZL + Rout
+ Zout } > 0
o {YL + Gout + Yout } > 0
(37)
7.
Dise
no de amplicadores de peque
na se
nal
(En la version actual de estas notas esta seccion se encuentra a
un incompleta).
7.1.
Dise
no unilateral para una ganancia GT U dada
El desarrrollo que sigue se basa en la premisa de que |sii | < 1, o sea que toda
la Carta de Smith representa la region de estabilidad del amplicador, o que el
amplicador es incondicionalmente estable.
(Aqu debe incluirse el analisis relativo al error que se comete al asumir el
transistor como un dispositivo unilateral)
Al asumir la condicion unilateral, la ganancia GT U se puede factorizar de la
forma:
2
(1 |s |2 )
2 (1 |L | )
|s
|
21
|(1 s11 S )|2
|(1 s22 L )|2
=GS G0 GL
GT U =
15
donde
1 |i |2
(38)
|1 s11 i |2
siendo i = S para ii = 11, e i = L para ii = 22. Los terminos GS , G0 y GL son
independientes entre si, por lo que el amplicador puede pensarse como constituido
de tres bloques independientes tal como se ilustra en la Fig. 9.
Gi =
Figura 9: Modelo equivalente del amplicador al asumir |s12 | = 0. Figura tomada prestada de [1].
1
1 |sii |2
(39)
siendo 1 |sii |2 , precisamente, las perdidas por desadaptacion en el puerto correspondiente del amplicador.
Con todo lo anterior, el dise
no unilateral de un amplicador para una ganancia
nar las redes de adaptacion de entrada y de
GT U (dB) determinada consiste en dise
16
1 |i |2
|1 sii i |2
y establece una relacion, para una Gi dada, mas bien con una familia de valores de
i , y no con un valor u
nico (salvo para GiM AX ). Los valores de i de esta familia se
re
unen en forma de un crculo sobre la Carta de Smith: los denominados crculos
de ganancia constante de fuente (i = S), o de carga (i = L). La construccion
de estos crculos de ganancia constante se efect
ua normalizando la ganancia Gi
respecto de su maximo:
gi =
Gi
GiM AX
)
1 |i |2 (
2
=
1
|s
|
ii
|1 sii i |2
(40)
donde
gi sii
Cgi =
1 |sii |2 (1 gi )
1 gi (1 |sii |2 )
rgi =
1 |sii |2 (1 gi )
(41)
(42)
Es conveniente apuntar que los centros de estos crculos yacen todos sobre la
recta que parte del origen de la Carta de Smith y pasa por sii . Por otro lado,
el crculo de ganancia GiM AX consiste de un u
nico punto, precisamente sii . Si
|sii | < 0 todos los crculos yacen sobre la Carta de Smith. El crculo de ganancia
nula pasa por el origen de la Carta de Smith (i = 0).
Los pasos de dise
no seran los siguientes:
17
1. Determinar mediante la Ec. (39) los valores maximos de ganancia que pueden lograrse mediante las redes de adaptacion de entrada y de salida (bloques
identicados con las ganancias GS y GL , respectivamente, en la Fig. 9).
2. Decidir en consecuencia si seran necesarios ambos bloques de adaptacion,
ya que una sola red podra suplir toda la ganancia requerida de dise
no. De
ser necesarias ambas redes, toca denir el valor de ganancia que cada una
de ellas aportara, teniendo presente (evidentemente) que dicha ganancia
Gi (dB) ha de satisfacer la condicion: Gi (dB) < GiM AX (dB).
3. Calcular el valor de ganancia normalizado gi correspondiente: gi = Gi /GiM AX
de cada red de adaptacion, y con la ayuda de las Ecuaciones (40) hasta la
(42) trazar sobre la Carta de Smith los correspondientes crculos de ganancia constante.
4. Seleccionar sobre cada crculo de ganancia constante dibujado en el punto
anterior, un valor de i (existen innitas posibilidades).
5. Dise
nar las redes de adaptacion de entrada y de salida que transformen los
i originales en los i seleccionados en el punto anterior. Es evidente que de
redes de adaptacion que suplan la transformacion requerida de impedancia
de fuente y de carga hay innitas.
NOTA: la notacion usada en el texto, al primar algunas cantidades, no guarda
relacion alguna con las variables primadas que aparecen en la Fig. 9, la cual ha
sido tomada de la Ref. [2], y que en nuestro caso estan para indicar un valor
concreto de la variable primada.
Ejemplo
Ver el Ejemplo 9-8, paginas 488 a 490, de la Ref. [1].
7.2.
Dise
no bilateral para m
axima ganancia GT M AX
18
S =in
(
s12 s21 L
S = s11 +
1 s22 L
L =out
s12 s21 S
L = s22 +
1 s11 S
El sistema de ecuaciones:
(
s12 s21 L
S = s11 +
1 s22 L
(
s12 s21 S
L = s22 +
1 s11 S
(43)
)
(44)
(1 |s |2 ) |s21 |2 (1 |L |2 )
|(1 s11 S )(1 s22 L ) s21 s12 S L |2
cuyo valor maximo, al sustituir en ella las Ecs. (43) y (44), puede expresarse de
la forma [3]:
GT M AX =
|s21 | (
K K2 1
|s12 |
(45)
7.3.
Dise
no bilateral para una ganancia de potencia G, o
disponible GA , dadas
El dise
no bilateral para una ganancia de potencia operativa G dada sigue un
esquema logico dual con el dise
no bilateral para una ganancia disponible GA determinada. En el primer caso, se parte del hecho de que el amplicador es adaptado
conjugadamente a la entrada, y en el segundo caso de que existe adaptacion conjugada a la salida. Como el procedimiento logico general de dise
no en ambos casos
es el mismo, haremos su descripcion en paralelo.
19
7.3.1.
Dise
no para una ganancia de potencia G dada
2
1
2 1 |L |
|s
|
21
1 |in |2
|1 s22 L |2
es una funcion u
nicamente de la impedancia de carga G = G(L ) por cuanto se
impone adaptacion conjugada a la entrada del amplicador S = in
(
s12 s21 L
S = s11 +
1 s22 L
(
s11 L
=
1 s22 L
El dise
no para una ganancia G dada, dgase G , presupone entonces denir
una apropiada correlacion entre G y L . Para ello rescribimos G de la forma:
G=
1 |L |2
|s21 |2
(1 |in |2 ) |1 s22 L |2
1 |L |2
=(
|s21 |2
)
s11 L 2
1 1s22 L |1 s22 L |2
1 |L |2
|s21 |2
|1 s22 L |2 |s11 L |2
=g(L )|s21 |2
=
donde
g(L ) =
1 |L |2
|1 s22 L |2 |s11 L |2
(46)
Cg =
g(s22 s11 )
1 + g(|s22 |2 ||2 )
rg =
(48)
(49)
|s21 | (
K K2 1
|s12 |
g (dB)
10
4. Trazar con la ayuda de las Ecs. (48) y (49) el crculo iso-g sobre el plano
L en la Carta de Smith.
5. Seleccionar un valor L sobre el crculo de ganancia de potencia operativa
trazado en el punto anterior. Dise
nar la red de adaptacion de carga que
transforme L en L .
6. Calcular in como:
s12 s21 L
1 s22 L
y dise
nar la red de adaptacion de fuente que transforme S en in .
in = s11 +
21
Ejemplo
Ver Ejemplo 9-13, paginas 498 a 500, de la Ref. [1].
7.3.2.
Dise
no para una ganancia de potencia disponible GA dada
1 |S |2
1
|s21 |2
2
|1 s11 S |
1 |out |2
es una funcion u
nicamente de la impedancia de fuente GA = GA (S ) por cuanto
se impone adaptacion conjugada a la salida del amplicador L = out
(
s12 s21 S
L = s22 +
1 s11 S
(
s22 L
=
1 s11 S
El dise
no para una ganancia de potencia disponible GA dada, dgase GA , presupone denir una apropiada correlacion entre GA y S . Para ello rescribimos GA
de la forma:
1 |S |2
(1 |out |2 ) |1 s11 S |2
1 |S |2
=|s21 |2 (
2 )
22 S
|1 s11 S |2
1 s1s
11 S
GA =|s21 |2
1 |S |2
|1 s11 S |2 |s22 S |2
=|s21 |2 gA (S )
=|s21 |2
donde
gA (S ) =
1 |S |2
|1 s11 S |2 |s22 S |2
(50)
22
CgA =
gA (s11 s22 )
1 + gA (|s11 |2 ||2 )
(52)
rgA =
(53)
|s21 | (
K K2 1
|s12 |
.
3. Calcular el incremento gA (dB) de ganancia requerido gA (dB) = GA (dB)
G0 (dB), y determinar el valor de gA como:
gA = 10
g (dB)
A
10
4. Trazar con la ayuda de las Ecs. (52) y (53) el crculo iso-gA sobre el plano
S en la Carta de Smith.
23
transforme S en S .
6. Calcular out como:
out = s22 +
s12 s21 S
1 s11 S
y dise
nar la red de adaptacion de fuente que transforme L en out .
8.
Dise
no de un amplicador de bajo ruido (LNA)
8.1.
Conceptos de inter
es
Vn =
lm
T T
[vn (t)]2 dt
e T 1
(54)
El valor rms (root mean square) de una funcion es la raz cuadrada de la media aritmetica,
o promedio, del cuadrado de dicha funcion.
24
Figura 10: Voltaje de ruido vn (t) que produce un resistor de valor R. Figura tomada prestada de [4].
hf
Al tomar en cuenta que T
1 para valores de f y T bastante amplios, por
hf
hf
Vn
T BR
(55)
Vn
2R
=T B
)2
Figura 11: Resistor entregando su maxima potencia de ruido a otro resistor de igual valor a traves
de un ltro ideal de ancho de banda B. La resistencia ruidosa es modelada mediante un equivalente
de Thevenin en la que se introduce un generador, que genera Vn voltios rms, con una resistencia
interna ideal, no ruidosa, par a R. Figura tomada de la Ref. [4].
RN =
8.1.1.
La segunda de estas ideas se ilustra en la Fig. 12. (En un futuro incluir aqu una
graca tambien relacionada con RN ). Con estas dos deniciones en mente es posible acu
nar a un amplicador una resistencia de ruido equivalente, o una temperatura de ruido equivalente. En cualquier caso, el parametro usado es una medida
del ruido que el amplicador produce. En la Fig. 13 se ilustra como se suele denir
la temperatura equivalente de ruido de un amplicador.
26
Figura de ruido
27
S
N
donde S es la potencia de la se
nal u
til (como la informacion) y N la potencia
del ruido que la acompa
na y que proviene de diferentes fuentes de ruido. Siendo
el ruido aditivo, la SN R de una se
nal debe empeorar al pasar a traves de un
amplicador, puesto que tanto la se
nal u
til como el ruido de entrada se amplican
por igual, pero el amplicador a
nade su propio ruido a la salida:
Si
So
>
Ni
No
Precisamente, la relacion
dor:
SN Ri
SN Ro
F =
Si /Ni
So /No
(56)
28
Si /Ni
So /No
Si No
=
So Ni
Si (GT0 B + GTe B)
=
GSi (T0 B)
Te
=1 +
T0
F =
(57)
(58)
(59)
(60)
La Ecuacion (60) establece precisamente la relacion entre la temperatura equivalente de ruido Te del amplicador y su gura de ruido F :
Te = (F 1)T0
por lo que puede concluirse que ambos parametros son completamente equivalentes.
Un importante resultado se obtiene a partir de esta equivalencia cuando se
desea determinar la gura de ruido de un sistema que consiste en la cascada de
varios dispositivos de dos puertos, cada uno de ellos con su propia gura de ruido,
o temperatura equivalente de ruido. El analisis se simplica para el caso de un
sistema compuesto de dos dispositivos de dos puertos en cascada, como se ilustra
en la Figura 15, a partir del cual la generalizacion para el caso de N dispositivos
es natural.
Figura 15: Dos dispositivos de dos puertos en cascada para la determinacion de su gura de ruido
global. Figura tomada de [4].
29
Si N 0
G1 G2 Si Ni
N0
=
G1 G2 Ni
G2 [(G1 T0 B + G1 Te1 B) + Te2 B]
=
G1 G2 T0 B
Te1
1 Te2
=1 +
+
T0
G1 T0
F2 1
=F1 +
G1
F =
F2 1
FN 1
+ ... +
G1
G1 G2 GN 1
(61)
8.2.
Par
ametros de ruido que denen un dispositivo de
dos puertos
.
La gura de ruido de un dispositivo de dos puertos viene dada por la expresion
[3]:
F = Fmin +
4rN |s opt |2
(1 |S |2 )|1 + opt |2
(62)
31
8.3.
Procedimiento de dise
no
El dise
no de un amplicador de bajo ruido se realiza siguiendo los lineamientos
generales de dise
no de un amplicador para una ganancia de potencia disponible
GA dada, donde la impedancia de fuente se determina a partir de una decision
de compromiso entre un valor de gura de ruido determinado F y un valor de
ganancia disponible de fuente dado GA . Esta solucion de dise
no de compromiso se
decide sobre la Carta de Smith mediante la interseccion de un crculo de gura
de ruido constante y un crculo de ganancia disponible de fuente.
La ecuacion de los crculos de ruido constante tiene la siguiente apariencia
[3, 4]:
|S CF | = rF
(63)
donde
CF =
rF =
opt
N
+1
N (N + 1 |opt |2 )
N +1
(64)
(65)
F Fmin
|S opt |2
=
|1 + opt |2
2
1 |S |
4rN
Ejemplo1
Ver el Ejemplo 12.5, paginas 581 a 583, de la Ref. [4].
Ejemplo2
Ver el 2.6.3 Illustrative example: design of a single-ended 1.9-GHz
LNA, paginas 111 a 114, de la Ref. [2].
Referencias
[1] Reinhold L. and Pavel Bretchko. RF Circuit Design, Theory and applications.
Prentice Hall, 2000.
[2] Rowan Gilmore and Les Besser. Practical RF Circuit Design for Modern
Wireless Systems, Volumen II, Active Circuits and Systems. Artech House,
2003.
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