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Prctica #1 Polarizacin JFET y MOSFET

Edison A. Buri, eburi@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana
Laboratorio Electrnica Analgica II

ResumenThe document contains information on the JFETs

implementation and MOSFET , as well as the polarizations for
both , the functioning of every one and the calculations for the
aforementioned polarizations.
Index TermsJFET, MOSFET, Polarizations.

O BJETIVOS
1. Calcular, disear e implementar las polarizaciones siguientes:
Polarizacin
Polarizacin
Polarizacin
Polarizacin
Polarizacin

con Fuente al Gate.

con Resistencia de Source.
por Medio de Divisor de Tensin.
con Doble Fuente.
con Gate a Tierra.

2. Realizar el circuito y la simulacin de la polarizacin de

los transistores mosfet incremental y decremental.

I.

Figura 1. Tipos de JFET

Tiene una alta impedancia de ingreso, razn por la cual son

los mas recomendables a la hora de disear amplificadores de
corriente alterna. se encuentra compuesto de 3 partes como las
podemos ver en la Figura 2.

I NTRODUCCIN

El transistor FET a diferencia del BJT maneja tensin en lugar de corriente, sin embargo, ambos se disponen en dos tipos
de canales como son de canal N y de canal P respectivamente,
lo que tienen estos transistores son las polarizaciones tanto del
BJT Y JFET son las mismas, lo que si varia son las ecuaciones
de calculo para cada una, por la razn ya mencionada, de
la misma manera en el caso del Mosfet existe de dos tipos
de Canal N y P, pero para el de canal N son los del tipo
decremental, mientras para el canal P son del tipo incremental.
Figura 2. Partes del JFET

II.

M ARCO T ERICO

JFET (Transistor de Efecto de Campo)

El transistor de efecto de campo o tambin llamado JFET,
es unipolar el cual se lo puede controlar mediante variaciones
en la tensin. Ademas de que se encuentra subdido en JFET de
canal N y P, siendo NJFET y PJFET. Se muestra en la Figura
1. Se diferencia de los BJT debido a que estos se controlan
por corriente.[1]

EL transistor JFET tiene 2 variables que dependen de su

construccin estas son su valor de IDss y Vp, las cuales
las podemos conocer en las caractersticas del transistor, es
decir, en su datasheet, donde la IDss es la mxima corriente
que puede pasar por el drenaje y la fuente (Id). Existir una
resistencia en el canal dentro del transistor, mientras el voltaje
entre en el Drenaje y la Fuente sea menor que Vp. Figura 3.

Figura 5. Grfica del transistor en operacin.

Polarizacin con Fuente al Gate

Figura 4. Estrangulamiento por Vp.

El esquema se puede ver en la figura 6.

Figura 3. Curva de IDss

Figura 6. Polarizacin con Fuente al Gate

Las ecuaciones a usar son las siguientes:

Vp es el voltaje negativo que se aplica a la puerta para
estrangular el canal de paso y no permitir el paso de mas
corriente. Figura 4.

V gg = V gs

(3)

Como tiene que estar en la mitad del valor de la fuente, ver

ecuacin 4
Cuando el voltaje en la puerta es menor a Vp. Entonces
se usa la corriente Id, y se usa la ecuacin de Shockley, ver
ecuacin 1

V ds =

V dd
2

(4)

Usamos la ecuacin 2, para Vgs.

Planteamos la malla de salida


V gs
Id = Idss 1
Vp

(1)
V dd Id Rd V ds = 0

Ahora se encuentra el valor de IDss en funcin de Vds. Para

cada valor, Vgs sera constante. Luego se grfica la ecuacin
de shockley y se encuentra la relacin del efecto de Vgs en
el transistor.

(5)

Reemplazando 4, se tiene.
V dd
= Id Rd
2

(6)

Despejando RD, se tiene 7.

r
V gs = V p 1

Id
IDss

!
(2)

Rd =

V dd
2 Id

(7)

Polarizacin con Resistencia de Source

El esquema se puede ver en la figura 7.

Vg =

R2 (V dd)
R2 + R1

(12)

V g = V gs + Id Rs

(13)

R2 (V dd)
Vg

(14)

R1 + R2 =

Despejando R1, ver ecuacin 15.

R1 =

R2 (V dd)
R2
Vg

(15)

Polarizacin con Doble Fuente

El esquema se puede ver en la figura 9.

Figura 7. Polarizacin con Resistencia de Source.

Las ecuaciones a usar son las siguientes:

V gs
Id
Planteamos la malla de salida, ver ecuacin 9.
Rs =

V dd V ds Id (Rd + Rs) = 0
V dd
Id Rs
2
Despejando Rd, ver ecuacin 11.
Id Rd =

Rd =

V dd
Rs
2 Id

(8)

(9)
(10)

(11)

Polarizacin con Divisor de Tensin

Figura 9. Polarizacin concon Doble Fuente

El esquema se puede ver en la figura 8.

Las ecuaciones a usar son las siguientes:
Rs =

V ss V gs
Id

(16)

Planteamos la malla de salida, ver ecuacin 17.

V dd + V ss V ds Id Rd Id Rs = 0

(17)

V dd + V ss V ds Id Rd Id Rs = 0

(18)

Id Rd = V dd + V ss V d Id Rs

(19)

Figura 8. Polarizacin con Divisor de Tensin

Las ecuaciones a usar son las siguientes:

Se plantea el partidor de tensin para Vg, ver ecuacin 12.

Rd =

V dd + V ss V d
Rs
Id

(20)

Polarizacin con Gate a Tierra

El esquema se puede ver en la figura 10.

Figura 11. Simulacin de la configuracin Polarizacin con Fuente al Gate..

Figura 10. Polarizacin conGate a Tierra

Las ecuacin a usar es la siguiente:

Rd

Polarizacin con Resistencia de Source: La simulacin se

observa en la Figura 12.

V dd
IDss

(21)

Adenas V gs = 0,

III.

M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS

Se puede ver en la Cuadro I

Cuadro I
D ESCRIPCIN DE M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS .
Material
MPF102
Resistencias
Multimetro
Cable Multipar
Fuente de Tension DC

IV.
IV-A.

cantidad
1
20

costo
1.00
0.3

Total

1.60

Figura 12. Simulacin de la configuracin Polarizacin con Resistencia de

Source.

D ESARROLLO

Simulaciones

Polarizacin con Fuente al Gate: La simulacin se observa

en la Figura 11

Polarizacin por Medio de Divisor de Tensin: La simulacin se observa en la Figura 13.

IV-B.

Clculos

Polarizacin con Fuente al Gate : Dado que al obtener los

valores de Vp e IDss del JFET, procedemos a reemplazar los
datos en la ecuacin 2.
IDss = 12,8mA
V p = 2,9V
Id = 5mA
Dado que V gg = V gs tenemos que
V gg = V gs

(22)

V dd
12
=
= 6V
2
2
!
r
5mA
V gs = 2.9 1
= 1.08
12mA
V ds =

(23)

(24)

Figura 13. Simulacin de la configuracin Polarizacin por Medio de .

Polarizacin con Doble Fuente: La simulacin se observa

en la Figura 14.

V dd Id Rd V ds = 0

(25)

V dd
= Id Rd
2

(26)

V dd
2 Id

(27)

12
= 1.2k
2 (5m)

(28)

Rd =

Rd =

Ahora veremos la recta de carga en la Figura 16.

Figura 14. Simulacin de la configuracin Polarizacin con Doble Fuente.

Polarizacin con Gate a Tierra: La simulacin se observa

en la Figura 15.

Figure 16. Recta de Carga de Polarizacin con Fuente al Gate

Se puede ver la de Tabla de valores calculados, medidos y

simulados en el Cuadro II
Cuadro II
C UADRO DE VALORES MEDIDOS DE P OLARIZACIN CON R ESISTENCIA DE
S OURCE .

Figura 15. Simulacin de la configuracin Polarizacin con Gate a Tierra.

Id
Vgs
Vds

Calculados
5mA
1.08V
6V

Medidos
4.94mA
1.09V
5.87V

Medido
4.949mA
1.08V
6.061V

Polarizacin con Resistencia de Source: Como ya calculamos el valor de Vgs, ademas nuestra Id es la misma para
todos, hallamos la resistencia Rd.
Rs =
Rs =

V gs
Id

1,08
= 216 220
5m

V dd V ds Id (Rd + Rs) = 0
Id Rd =

V dd
Id Rs
2

V g = 1,08 + (5m) 330 = 0,57

R2 (V dd)
Vg

(38)

R2 (V dd)
R2
Vg

(39)

1k (12)
1k = 20,05k 20k
0,57

(40)

(29)

R1 + R2 =

(30)

R1 =

(31)

R1 =

Usamos la ecuacin 33.

(32)
Rd =

V dd
Rd =
Rs
2 Id
Rd =

(33)

12
216 = 984 1k
2 (5m)

(37)

12
330 = 870
2 (5m)

(41)

Ahora veremos la recta de carga en la Figura 18.

(34)

Ahora veremos la recta de carga en la Figura 17.

Figure 18. Recta de Carga de Polarizacin por Medio de Divisor de Tensin.

Se puede ver la de Tabla de valores calculados, medidos y

simulado en el Cuadro IV
Figure 17. Recta de Carga de Polarizacin con Resistencia de Source.

Se puede ver la de Tabla de valores calculados, medidos y

simulado en el Cuadro III
Cuadro III
C UADRO DE VALORES MEDIDOS DE P OLARIZACIN CON R ESISTENCIA DE
S OURCE .

Id
Vgs
Vds

Calculados
5mA
1.08V
6V

Medidos
4.84mA
1.07V
6V

Simulado
4.91mA
1.08V
6.061V

Cuadro IV
C UADRO DE VALORES MEDIDOS DE P OLARIZACIN POR M EDIO DE
D IVISOR DE T ENSIN .

Id
Vds
Vgs
Vg

Calculado
5mA
6V
1.08V
0.57V

Medido
4.9mA
5.87v
1.07v
0.6v

Simulado
4.976mA
6.029V
1.08v
0.6v

Polarizacin con Doble Fuente: Para esta nos impusimos

una fuente de doble simtrica, es decir, V dd = 12V y V ss =
12V , ademas de un V ds = 6V .

Polarizacin por Medio de Divisor de Tensin: Para esta

configuracion nos imponemos los valores de las resistencias
R2 = 1k y Rs = 330.
R2 (V dd)
Vg =
R2 + R1

(35)

V g = V gs + Id Rs

(36)

V ss V gs
Id

(42)

12 (1,08)
= 2,64k 2,67
5m

(43)

V dd + V ss V ds Id Rd Id Rs = 0

(44)

Rs =

Rs =

12 + 12 6 Id Rd Id Rs = 0

(45)

Id Rd = 18 Id Rs

(46)

18
Rs
Id

(47)

18
2,67k = 990 1k
5m

(48)

Rd =

Rd =

Ahora veremos la recta de carga en la Figura 19.

Figure 20. Recta de Carga de Polarizacin con Gate a Tierra.

Se puede ver la de Tabla de valores calculados, medidos y

simulado en el Cuadro VI
Cuadro VI
C UADRO DE VALORES MEDIDOS DE P OLARIZACIN CON D OBLE F UENTE .

Id
Vds

Calculados
12.8mA
6V

Medidos
12.5mA
6V

Simulado
13mA
6.078V

Polarizacion Mosfet Incremental: Utilizamos las siguientes

ecuaciones
Figure 19. Recta de Carga de Polarizacin con Doble Fuente.

Se puede ver la de Tabla de valores calculados, medidos y

simulado en el Cuadro V
Cuadro V
C UADRO DE VALORES MEDIDOS DE P OLARIZACIN CON D OBLE F UENTE .

Id
Vgs
Vds
Vss

Calculados
5mA
1.08V
6V
-12V

Medidos
4.82mA
1.07V
6.05V
-11.70V

Simulado
5.002mA
1.08V
5.987V
-12V

Polarizacin con Gate a Tierra: Dado que esta configuracin no tiene Rs, la Id = Idss, Entonces usaremos la
ecuacin 33, pero daremos al Rs = 0.
Rd =

12
= 468,75 470
2 (5m)

(49)

V dd
IDss

(50)

12
12,8m

(51)

Rd 937,5

(52)

Rd

Rd

Ahora veremos la recta de carga en la Figura 20.

Id = k(VGS VGS(T H) )2

(53)

VGS = VDD ID RD

(54)

VGS = VDD...... ID = 0

(55)

Polarizacion Mosfet Decremental: Utilizamos las siguientes

ecuaciones


V gs
Id = Idss 1
(56)
Vp
!
r
Id
V gs = V p 1
(57)
IDss
V.

A NALISIS DE R ESULTADOS

Polarizacin con Fuente al Gate

La recta de carga del punto de trabajo queda dada en V ce
por el V dsq, llegando a ser V dsq = V gg
Polarizacin con Resistencia de Source
En este caso la recta de carga del punto de trabajo esta dado
por V dsq = V gsq.
Polarizacin por Medio de Divisor de Tensin
La recta de carga del punto de trabajo se da cuando V gs =
0.

Polarizacin con Doble Fuente

La recta de carga del punto de trabajo se da en id = 4,61mA
Polarizacin con Gate a Tierra
La recta de carga del punto de trabajo se cuando V gsq = 0,
dado que Id = Idss.
C ONCLUSIONES
En la practica se pudo obtener los valores de IDss y Vp
por experimentacion, para el FET MPF102, sin embargo, cada
FET tiene sus propios valores tanto de IDss como de Vp, por
esta razn hay que ser cuidadosos de no daar el FET que se
utilize, por que estos valores se lo usa en los clculos de cada
polarizacin.
In the practice could obtain the values of IDss and Vp for
experimentation itself , for the FET MPF102 , however , each
FET has its own values so much of IDss tipical of Vp , for
this reason has somebody be careful from not damaging the
FET than himself utilize , why these moral values you use it
in the calculations of every polarization
R EFERENCIAS
[1] Electrnica, teora de circuitos y dispositivos electrnicos, 10ma Edicin,
Boylestad, Robert L, Pearson Educacin.
[2] Domenico Furnari, Giancarlo Golia. Fundamenti Di Electtronica Analogica, Padova,1988, Casa Editrice Dott
[3] T. FLOYD, Electronic Device, Editorial Prentice Hall / Pearson Education, 2011.
[4] Scribd, Armando Rob, Electronica polarizacion del fet, Publicado: Feb
15, 2012, Consultado: 22/10/2014. Disponible: http://es.slideshare.net/
armandorob/electronica-polarizacion-del-fet
[5] Scribd, Engineering UVM Hermosillo, Polarizacin FET, Publicado: 24
de julio de 2009, Consultado: 22/10/2014. Disponible: http://es.slideshare.
net/projectronicsuvm/polarizacin-fet
[6] Universidad Nacional Abierta y a Distancia, Electrnica Bsica, Configuraciones De Polarizacin Del Fet, Consultado: 22/10/2014. Disponible: http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/leccin_
21_configuraciones_de_polarizacin_del_fet.html