prsente par
Jrme Goy
en vue d'obtenir le titre de
DOCTEUR DE L'INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
(arrt ministriel du 30 mars 1992)
Spcialit : Microlectronique
Bernard Courtois
Nadine Guillemot
Michel De La Bachelerie
Franois Bailleu
Jean-Michel Karam
Francis Pressecq
Yves Kocher
Directeur de thse
Prsidente du jury
Rapporteur
Rapporteur
Examinateur
Examinateur
Examinateur
5HPHUFLHPHQWV
Je tiens en premier lieu remercier mon directeur de thse, Monsieur Bernard Courtois, pour
m'avoir accueilli dans son laboratoire et m'avoir fait dcouvrir le monde de la recherche scientifique.
Monsieur Bernard Courtois ma beaucoup encourag publier mes travaux et a fait beaucoup pour
promouvoir mes recherches dans le monde scientifique.
Je remercie tout particulirement Monsieur Jean-Michel Karam, qui fut mon responsable pendant
ma thse et avec qui je poursuis actuellement une carrire industrielle, d'avoir cru en moi, de m'avoir
soutenu et aid techniquement et moralement, et d'avoir su trouver parmi ses relations les personnes les
plus mme de rpondre mes besoins et qui soient susceptibles de financer mes travaux.
La personnalit trs forte de Monsieur Jean-Michel Karam, la qualit de son rle de chef du groupe
microsystmes, ainsi que son savoir-faire dans le monde des affaires font qu'il restera pour moi comme
l'exemple suivre de la russite professionnelle.
Je remercie Monsieur Francis Pressecq, du Centre National d'Etudes Spatiales, de m'avoir permis de
raliser les tests optiques dans son laboratoire, et d'avoir grandement contribu promouvoir mes
travaux.
Je remercie Messieurs Yves Kocher, Pierre Turon, et Dominique Herv, de la socit Sodern, pour
l'intrt qu'ils ont port mes recherches, pour leur soutien et leurs conseils dans le domaine des
capteurs d'images spatiaux qu'ils connaissent bien.
Je remercie Monsieur Robin Rolland, du Centre Inter-universitaire de Micro-Electronique, de
m'avoir grandement aid pour le choix et la fourniture de matriel de mesure pendant les tests que j'ai
effectus pendant ma troisime anne, ainsi que Monsieur Alexandre Chagoya, avec qui j'ai nou de
trs bons rapports professionnels pour tout ce qui touche aux logiciels de simulation et de conception
de circuits lectroniques.
Je remercie tout particulirement ma famille pour leur soutien et leur coute lors des priodes
difficiles, bien que le domaine dans lequel je travaille ne leur soit pas du tout familier.
Enfin, je remercie toutes les personnes qui ont travaill dans mon entourage au sein du laboratoire
TIMA-CMP, notamment Zein Juneidi, Sbastien Colin, Andrs Bianchi, Ahmed Khalid et Grgory
Di Pendina, pour l'ambiance de travail qu'ils ont su mettre pendant ces annes de recherche.
7DEOHGHVPDWLqUHV
CHAPITRE 1 PRESENTATION DES APS CONTEXTE DE L'ETUDE ........................................................................ 1
1.1 INTRODUCTION : LES CAPTEURS DIMAGES ................................................................................................................ 2
1.1.1 Prsentation des APS ........................................................................................................................................... 2
A) Contexte de l'tude .................................................................................................................................................................. 2
B) Mode de fonctionnement des capteurs d'images CMOS ......................................................................................................... 3
4.3.4
4.3.5
4.3.6
4.3.7
4.3.8
4.3.9
7DEOHGHVLOOXVWUDWLRQV
Figure 1.1 Vue en coupe d'un viseur d'toiles ............................................................................................................................................................2
Figure 1.2 Vue en coupe d'un CCD. La technologie ncessite l'utilisation d'au moins deux grilles en polysilicium distinctes .................................3
Figure 1.3 Lecture d'une matrice CCD .......................................................................................................................................................................4
Figure 1.4 Lecture d'une ligne d'une matrice APS......................................................................................................................................................5
Figure 1.5 Limitation de la vitesse de lecture due aux taux de transfert de charges ...................................................................................................6
Tableau 1.6 Comparaison des caractristiques moyennes de chaque technologie......................................................................................................7
Figure 1.7 Evolution du march des capteurs d'images ..............................................................................................................................................8
Figure 1.8 Evolution des rgles de dessin ..................................................................................................................................................................9
Figure 1.9 Utilisation de microlentilles ....................................................................................................................................................................10
Figure 1.10 Utilisation dune structure danti-blouissement vertical......................................................................................................................12
Figure 2.1 Schmatique d'un pixel APS 4 transistors, avec ses capacits parasites..................................................................................................14
Figure 2.2 Lecture de la matrice par slection de lignes...........................................................................................................................................15
Figure 2.3 Simulation d'un pixel APS 4 transistors ..................................................................................................................................................15
Figure 2.4 Variantes de larchitecture 4 transistors, avec point de polarisation faible (Vd = Vpix = Vreset 1V) ...................................................18
Figure 2.5 Illustration des transferts de charges lors de l'ouverture du transistor de limitation................................................................................19
Figure 2.6 Schmatique d'un pixel rsistance de forte valeur implantation par un transistor en rgion de sous-seuil ...........................................21
Figure 2.7 Rponse du pixel rsistance de forte valeur...........................................................................................................................................22
Figure 2.8 Principe de la conduction des charges vers la photodiode intgrante......................................................................................................24
Figure 2.9 Masques des pixels..................................................................................................................................................................................24
Figure 2.10 Problme de dispersion des charges dans la surface du capteur............................................................................................................25
Figure 2.11 Double chantillonnage corrl, CDS ...................................................................................................................................................27
Figure 2.12 Utilisation du CDS avec des matrices de photoMOS............................................................................................................................28
Figure 2.13 Double chantillonnage non corrl, NCDS .........................................................................................................................................29
Figure 2.14 Amplificateur de colonne miroir de courant.......................................................................................................................................30
Figure 2.15 Double Echantillonnage Delta pour amliorer la qualit de la correspondance entre amplificateurs de colonne et pixels ..................31
Figure 2.16 Ralisation d'un CDS ou NCDS en sortie de la matrice........................................................................................................................32
Figure 2.17 Ralisation d'un CDS ou NCDS l'intrieur de chaque amplificateur de colonne................................................................................33
Figure 2.18 Double Echantillonnage Delta pour rduire le bruit induit par la chane Double Echantillonnage Corrl ou Non-Corrl ............34
Figure 2.19 Matrice de filtres RVB pour pixels couleurs : motif de Bayer .............................................................................................................35
Figure 2.20 Effet de Moir .......................................................................................................................................................................................35
Figure 2.21 Effet de Moir en pratique ....................................................................................................................................................................36
Figure 2.22 Utilisation de trois matrices pour chaque composante de couleur.........................................................................................................36
Figure 2.23 Photodiode sensible la longueur d'onde de la lumire incidente ........................................................................................................37
Figure 3.1 Capteurs photosensibles ralisables en technologie standard CMOS......................................................................................................39
Figure 3.2 Principe de fonctionnement du photoMOS .............................................................................................................................................39
Figure 3.3 Variation de la profondeur de la zone dpeuple en fonction de la tension de grille ..............................................................................40
Figure 3.4 Trois types de phototransistors................................................................................................................................................................41
Tableau 3.5 Comparaison de caractristiques entre les phototransistors et la photodiode .......................................................................................41
Figure 3.6 Domaines d'utilisation de la photodiode .................................................................................................................................................42
Figure 3.7 Absorption de la lumire dans un matriau .............................................................................................................................................43
Figure 3.8 Coefficient d'absorption de la lumire par le silicium intrinsque ..........................................................................................................44
Figure 3.9 Absorption de la lumire dans le silicium dop ......................................................................................................................................45
Figure 3.10 Taux de cration de paires supplmentaires d'e-/h+ par des photons de grande nergie ........................................................................46
Figure 3.11 Rendement de cration de paires e-/h+ par photon, en fonction de la concentration en porteurs libres du silicium .............................46
Figure 3.12 Illustration de la succession des coefficients d'absorption dans la jonction PN ....................................................................................47
Figure 3.13 Phnomnes contribuant au courant photonique dans une photodiode.................................................................................................48
Figure 3.14 Dure de vie des porteurs libres ............................................................................................................................................................50
Figure 3.15 Mobilit des porteurs libres...................................................................................................................................................................50
Figure 3.16 Organigramme du logiciel de calcul......................................................................................................................................................51
Figure 3.17 Exemple de fonctionnement du logiciel de calcul .................................................................................................................................52
Figure 3.18 Rendements des trois rgions de la jonction PN ...................................................................................................................................53
Figure 3.19 Influence de la profondeur de la zone de charge d'espace sur le rendement quantique.........................................................................54
Figure 3.20 Influence de la largeur de la zone de charge d'espace sur le rendement quantique ...............................................................................54
Figure 3.21 Rendement quantique des trois photodiodes ralisables en technologie CMOS standard.....................................................................55
Figure 3.22 Variation de la capacit parasite d'une jonction PN en fonction du dopage ND ....................................................................................56
Figure 3.23 Variation des capacits parasites des trois photodiodes en fonction de la tension leur bornes Ad = 30m20m.............................57
Tableau 3.24 Comparaison des capacits parasites de chaque photodiode...............................................................................................................57
Figure 3.25 Variation du courant d'obscurit des trois photodiodes en fonction de la temprature Ad = 30m20m ...........................................58
Figure 3.26 Circuit de caractrisation des photodiodes ............................................................................................................................................59
Figure 3.27 Banc de mesure .....................................................................................................................................................................................60
Tableau 3.28 Flux de lumire utiliss pour la mesure du rendement quantique .......................................................................................................61
Figure 3.29 Image obtenue par la camra CCD de calibration de la source lumineuse ............................................................................................62
Figure 3.30 Schma de mesure du courant de diode ................................................................................................................................................62
Figure 3.31 Mesure de la valeur de la capacit d'intgration....................................................................................................................................63
Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
100
Chapitre 1
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Le CCD, dont les caractristiques dterminent en grande partie la qualit du viseur, est coupl un
refroidisseur effet Peltier permettant d'abaisser sa temprature 15C, afin de diminuer son courant
d'obscurit. Il est reli une lectronique de commande et de dtection du signal. L'ensemble doit tre
endurci aux radiations pour supporter les contraintes lis une utilisation prolonge dans l'espace.
Bien que les CCD actuels soient capables d'atteindre des performances allant jusqu' la dtection du
photon (ou de l'lectron), ils ont maintenant atteint un niveau de complexit qui repousse au maximum
les possibilits de la technologie, et sont prsent fortement concurrencs par une nouvelle gnration
de capteurs d'images utilisant la technologie CMOS traditionnelle[1]. Ces derniers sont moins coteux,
et offrent en outre des fonctionnalits supplmentaires, telles que le fentrage, ou l'intgration de la
conversion analogique-numrique sur le circuit.
page 2
Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
L'objectif de cette tude est l'analyse des possibilits offertes par les capteurs CMOS de remplacer
les CCD dans les viseurs d'toiles. Les restrictions lies cette utilisation concernent principalement le
bruit de lecture, qui reste trs infrieur pour les CCD (de l'ordre de quelques lectrons). Dans ce but,
nous avons analys plusieurs types de photodiodes ralisables en technologie CMOS standard, ainsi
que diffrentes architectures de pixel, afin de dterminer la plus adapte pour une application faible
flux.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
N lignes
N colonnes
Amplificateur
Sortie
Registre de sortie
On voit que la principale limitation de cette technologie est lie au taux de transfert de charges (ou
CTE : Charge Transfert Efficiency) d'un pixel son voisin. Pour les meilleurs CCD actuels, la CTE est
de l'ordre de 0.99999. La fraction de signal rsultant de la lecture d'un pixel situ l'extrmit de la
matrice est de :
= CTE 2 N
(1.1)
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
N colonnes
Ligne / Colonne active
Dcodeur de lignes
N lignes
Fentre de lecture
Pixel inactif
Pixel actif
Amplificateur de colonne inactif
Amplificateur de colonne actif
Amplificateurs
de colonne
Contrle
Squencement
Sortie
Multiplexeur de sortie
Balayage des colonnes
Des transistors prsents dans chaque pixel commandent l'intgration de la lumire, slectionnent le
pixel, et amplifient le signal avant de le transmettre dans les colonnes. C'est pourquoi ces circuits sont
appels 'capteurs pixels actifs' ou APS (Active Pixel Sensor).
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Intgration de l'lectronique
La plupart des circuits APS fabriqus de nos jours intgrent des fonctions labores telles que le
contrle de la lecture d'une trame, le fentrage, l'anti-blouissement, ou la conversion analogiquenumrique. Ces fonctions ncessitent l'emploi d'une puce annexe dans le cas des CCD, qui ne peuvent
avoir de transistors sur le circuit d'imagerie.
Sensibilit aux radiations
Ce point constitue une limitation fondamentale de l'utilisation de CCD dans des viseurs d'toiles,
car les radiations crent des piges lectrons dans le substrat du capteur, affectant ainsi la CTE. Les
radiations sont galement un point critique pour les APS, car elles augmentent significativement le
courant d'obscurit, mais dans ce cas, le signal capt en sortie ne transite que par un seul pixel, et est
donc beaucoup moins dgrad.
Vitesse de lecture, rsolution
Ces deux derniers points sont directement lis la valeur du taux de transfert de charges, qui
augmente exponentiellement avec le temps de transfert, comme illustr ci-dessous[3].
Figure 1.5 Limitation de la vitesse de lecture due aux taux de transfert de charges
Facteur de remplissage
D'un autre ct, les capteurs d'image CMOS souffrent encore de l'intgration de transistors dans le
pixel, qui affecte le facteur de remplissage, celui-ci tant proche de 100% chez les CCD.
Depuis l'apparition des APS, vers 1995, la taille des pixels n'a pas cess de diminuer conjointement
avec la taille des transistors, ce qui fait que le facteur de remplissage n'a pas beaucoup progress et
reste autour de 30-40%.
Non-uniformits de la matrice
Bien que peu voqus dans la littrature, les non-uniformits (ou 'bruit spatial') des capteurs CMOS
sont un problme proccupant pour certaines applications scientifiques exigeantes, comme c'est le cas
de cette tude. Contre cela, peu de solutions existent, car les transistors du pixel sont gnralement
dessins aux dimensions minimum de la technologie, et souffrent donc de variations spatiales de leurs
caractristiques, dont principalement la tension de seuil (non-uniformit des offsets du capteur) et le
facteur de gain (non-uniformit de la sensibilit).
Ce rapport prsentera une tude des non-uniformits des APS, de leur cause, et de quelques
propositions pour y remdier.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Bruit de lecture
Plusieurs tudes ont t menes sur ce sujet[4][5][6], et s'accordent sur le point que le bruit de lecture
des capteurs CMOS est trs suprieur celui des CCD, en grande partie en raison de la ncessit de
repolariser la photodiode sous une tension stable (tension de Reset) aprs la phase d'intgration de la
lumire. Cette 'remise zro' ne peut se faire qu'un utilisant un transistor plac en srie avec la capacit
de la photodiode, crant ainsi un bruit 'shot' gal KT/C. Le bruit quivalent du pixel se trouve alors
tre de l'ordre que plusieurs dizaines d'lectrons, bien suprieur au bruit des CCD fabriqus de nos
jours.
On observe actuellement que les dispositifs base d'imagerie se tournent de plus en plus vers les APS,
et cette tendance ne fera que se confirmer l'avenir.
CCD
APS
Rsolution moyenne
1024 1024
1024 1024
Taille du pixel
9m 9m
7m 7m
Facteur de remplissage
70-100%
50-70%
Rendement quantique
35-70%
20-50%
Facteur de conversion
10-20V
5-20V
2-15 pA/cm
100-1000 pA/cm
7-15 e-
20-50 e-
1-150 MHz
10-700 MHz
70-85 dB
50-75 dB
Anti-bloussement
non
oui
Fentrage
non
oui
Conversion A/N
non
8-10 bits
Courant d'obscurit
Bruit de lecture
Vitesse de lecture
Dynamique
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
700 000 k$
600 000 k$
500 000 k$
Facsimile
Scanners
400 000 k$
Vidocamras PC
Camras industrielles
300 000 k$
Camras numriques
Camras analogiques
200 000 k$
100 000 k$
1997
1998
1999
2000
2001
2002
500 000 k$
450 000 k$
400 000 k$
350 000 k$
Facsimile
Scanners
300 000 k$
Vidocamras PC
250 000 k$
Camras industrielles
200 000 k$
Camras numriques
Camras analogiques
150 000 k$
100 000 k$
50 000 k$
1997
1998
1999
2000
2001
2002
Source : Cahners In-Stat Group 1998
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
C) Le facteur de remplissage
On appelle facteur de remplissage le rapport entre la surface du pixel utilise pour la dtection de la
lumire (principalement la surface de la photodiode) et la taille du pixel. Ce facteur est de l'ordre de 30
70% pour les circuits actuels. Dans certains cas particuliers, on pourra considrer que les charges
gnres dans la zone active du pixel, cest dire entre les transistors, contribuent au courant
photonique, soit parce qu'elles diffusent vers la photodiode, soit parce qu'elles modifient les
caractristiques lectriques des transistors qui les entourent.
Dans la suite de ce rapport, on ne considrera comme zone active que la surface de la photodiode,
l'influence de la rponse de la partie lectronique tant difficile dterminer avec prcision.
Longueur de grille d'un transistor MOS
Taille du pixel
Dimensions (m)
100
10
densit dlectronique
pouvant tre incluse
dans un pixel
0,1
1970
1975
1980
1985
1990
1995
2000
Anne
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
On peut avoir recours une matrice de microlentilles pour amliorer le facteur de remplissage du
circuit. Celles-ci sont de mme taille qu'un pixel, et sont utilises pour concentrer le faisceau lumineux
vers la partie sensible du capteur. On peut atteindre ainsi des facteurs de remplissage quivalents
proches de 100%.
(1.2)
B) Le courant d'obscurit
Le courant d'obscurit reprsente le courant mesur par le pixel en l'absence de toute illumination. Il
est principalement d au courant de saturation inverse de la photodiode, les courants de fuite des
transistors tant ngligeables.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Comme dans le cas d'une diode classique, on lui distinguera une composante primtrique et une
composante surfacique, et il sera fortement dpendant de la temprature (doublement de sa valeur tous
les 7C environ). Pour le rduire, on utilise parfois un systme de refroidissement par effet Peltier,
notamment dans le cas des viseurs dtoiles, o la valeur du courant dobscurit est un paramtre
crucial.
Lors de l'irradiation du circuit, le courant d'obscurit augmente significativement, et celui-ci sera donc
une contrainte majeure pour l'utilisation des capteurs d'images CMOS dans des applications spatiales.
B) Le facteur de conversion
Il exprime le gain du pixel, soit la diffrence de niveau relev en sortie pour chaque lectron gnr
dans le photosite. L'augmentation du facteur de conversion permet en outre de rduire le bruit de
lecture, comme on le verra par la suite.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
C) L'anti-blouissement
Cette proprit est fondamentale pour les systmes d'imagerie, car elle consiste empcher un pixel
qui subit une trop forte illumination de parasiter ses pixels voisins. En effet, les charges cres par la
lumire sont parfois accumules dans le substrat et peuvent se propager dans le capteur si elles sont
trop nombreuses, modifiant ainsi le rendement quantique des pixels voisins.
Pour viter cela, on peut soit utiliser une structure de photosite qui empche les charges de se propager
(par exemple en isolant les pixels entre eux par des caissons successifs), ou bien prvoir un transistor
d'vacuation des charges qui devient passant lorsque le potentiel en surface du photosite dpasse un
certain seuil. Ce transistor peut tre de structure latrale ou verticale.
P+ diffusion
Vb
caisson N
B
C
Substrat P
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
200
Chapitre 2
Etat de l'art
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
VDD
CGST
CGSL
CGDL
CGDR
id
Vd
Vpix
CGDT
Cd
Vcol
VSS
icol
Figure 2.1 Schmatique d'un pixel APS 4 transistors, avec ses capacits parasites
Ce type de pixel est le plus communment employ pour la ralisation de matrices images
APS[7][8][9], car il est d'une conception simple et stable. Le transistor de limitation de l'intgration
(contrle du temps dobturation), L, et le transistor de reset, R, sont commands en interrupteurs. Un
troisime transistor T permet d'isoler le signal sensible issu de la diode (Vd, Vpix), des colonnes de la
matrice, dont la capacit parasite s'ajouterait sans cela la capacit de la diode, dgradant ainsi
considrablement les performances du capteur. Enfin, un transistor de slection de la ligne, S, ralise
un multiplexage du signal de long de la matrice de capteurs.
La phase de lecture se compose de quatre phases :
fermeture des transistors R et L : la tension Vreset est applique aux bornes de la diode, neutralisant
les charges accumules dans celle-ci pendant la lecture de la trame prcdente.
ouverture du transistor de Reset, le transistor de limitation tant toujours ferm. Le courant gnr
par la photodiode ne pouvant tre vacu par les transistors, il reste confin aux bornes de la diode
et s'intgre dans la capacit parasite de celle-ci.
en fin d'intgration, le transistor L s'ouvre, gelant ainsi le signal Vpix sur la grille du transistor T,
grce aux capacits parasites CGSL, CGDR et CGST.
la lecture du pixel est ralise en basculant le transistor de slection pour tous les pixels dune
mme ligne. La tension Vpix module ainsi le courant dans la colonne, qui sera lu par l'amplificateur
situ en bout de chaque colonne.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
(a)
(b)
Figure 2.2 Lecture de la matrice par slection de lignes
(a) : au niveau pixel / transistor
(b) : au niveau systme
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
q
q
C int C d + C GD L + C GS L + C GD R + C GS T
(2.1)
Avec :
Cd =
Ad :
Pd :
si :
Xdep :
k:
T:
Vi :
Vd :
NA :
ND :
Csurf :
Cperi :
d :
A d si
=
X dep
A d si
2 si
q
2kT 1
1
Vi + Vd
+
q N A N D
ou Cd =
A d Csurf
+ Pd C peri
V
1+ d
d
(2.2) (2.3)
kT N A N D
ln
2
q
ni
(2.4)
Dans le cas d'un pixel de 30m 30m, on obtient des valeurs de l'ordre de la centaine de
femto-Farad, soit un facteur de conversion d'environ 1.6V/e-.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
b. Facteur de remplissage
Si on se place dans une utilisation faible flux, on pourra considrer que le signal utile, Vd, varie
faiblement autour de sa valeur nominale, Vreset.
Vdf = Vreset Fc n e
(2.5)
K p WT
(VDD Vpix VT
2 LT
K p WT
(VDD Vdf Vpix VT
2 LT
(2.6)
courant consomm dans une colonne de la matrice pendant la phase de lecture (A)
facteur de gain du transistor T (A/V)
largeur de grille du transistor T (m)
longueur de grille du transistor T (m)
tension de seuil du transistor T (V)
variation de la tension Vpix due l'ouverture des transistors L et S (V) (voir figure 2.3)
Si le courant de colonne est trop faible, il risque d'tre dissip dans les colonnes et sera plus
difficilement dtectable en sortie. Dans le cas contraire, il reprsentera une grande part de la
consommation du capteur, puisqu'il se retrouve dans chaque colonne de la matrice.
Pcol = VDD n x i col = VDD n x
K p WT
(VDD Vreset + Fc n e Vpix VT
2 LT
(2.7)
Pcol : puissance dissipe dans les colonnes du circuit lors de la lecture (W)
nx : nombre de colonnes de la matrice
Il est noter ici qu'une majorit des tudes et des ralisations de capteurs CMOS APS se basent sur
une tension Vreset gale VDD. Cela a pour consquence que lors de faibles illuminations, le transistor
T est polaris dans sa rgion de sous-seuil, et que les courants de colonne sont trs faibles. Il est donc
beaucoup plus difficile de dtecter de petits signaux.
Pour obtenir des courants de colonnes de lordre du micro-Ampre, (Pcol mW), on se fixera
Vreset 4V.
Du fait de cette polarisation, et pour diminuer la rsistance srie des transistors L et R, on utilisera
des transistors de type P, qui sont prfrables aux transistors N lorsque le point de fonctionnement est
lev, comme cest le cas ici. En revanche, ces transistors ncessitent l'utilisation d'un caisson N de
grande dimension, ce qui dgrade significativement le facteur de remplissage du pixel.
Une variante de cette architecture pourrait consister symtriser chaque transistor, ainsi que leur point
de polarisation.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
VDD
Vpix
Vd
Cd
S
Cd
id
id
Vd
Vpix
VSS
Vreset
VSS
R
Vreset
VSS
(a)
(b)
Figure 2.4 Variantes de larchitecture 4 transistors, avec point de polarisation faible (Vd = Vpix = Vreset 1V)
(a) : avec photodiode la masse
(b) : avec photodiode VDD
Le premier cas de figure utilise une photodiode N polarise en faible inversion. Lors de l'intgration
du signal, la tension ses bornes va diminuer et risque de s'inverser, polarisant ainsi la diode en direct.
Ce cas de figure pourra donc tre employ, mais uniquement pour des faibles flux.
Le deuxime cas requiert de polariser les deux bornes de la diode, et complique sa conception
(utilisation de photodiodes P, qui occupent une surface plus grande). On perd ainsi sur le facteur de
remplissage au lieu d'en gagner.
c. Linarit
La capacit de jonction utilise pour l'intgration du signal varie selon la tension applique ses
bornes. On a ainsi un effet de non-linarit lors de fortes expositions.
En combinant les quations (2.1), (2.3), et (2.5), on obtient :
dVd ( t )
V (t ) n e
q
q
dn e =
1+ d
dt
d
C d (Vd ( t ))
A d C surf + Pd C peri
Tint
(2.8)
n
Vd ( t ) = Vreset + Fc e
Tint
Tint :
q2 ne
t +
4 T 2 (A C + P C )2
int
d
surf
d
peri
d
2
t
(2.9)
page 18
Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
(2.10)
VLT VLH
VLL VLT
CGDL
CGSL
CGDL
Vpix
Vd
Cd
CGSL
Vpix
Vd
Cd
VSS
VSS
VSS
VSS
(a)
(b)
Figure 2.5 Illustration des transferts de charges lors de l'ouverture du transistor de limitation
(a) : 1re phase : transistor L ferm (VL < VLT)
(b) : 2me phase : transistor L ouvert (VL > VLT)
Soit :
1re phase
2me phase
C GDL
C GSL + C GDL
+ (VL H VL T )
Vd = (VL T VL L )
C GSL + C GDL + C d + C MOS
C GDL + C d
C GSL + C GDL
C GSL
+ (VL H VL T )
Vpix = (VL T VL L )
C GSL + C GDL + C d + C MOS
C GSL + C MOS
Vd :
Vpix :
VLL :
VLH :
VLT :
(2.11)
(2.12)
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Les capacits tant fixes, on cherchera rduire les termes (VLT VLL) et (VLH VLT), ce qui revient
fixer les tensions de commande de grille du transistor L les plus proches possible des niveaux de
saturation et de blocage.
Dans le deuxime terme des quations (2.11) et (2.12), la capacit Cd est trs suprieure CMOS, et on
aura donc un offset moins important sur le nud Vd que sur le nud Vpix.
e. Bruit de lecture
Pour finir, le paramtre le plus significatif d'un pixel APS est son bruit de lecture. En dehors du
bruit prsent pendant l'intgration de la lumire, qui est un bruit grenaille d au courant gnr par la
photodiode et qui ne peut pas tre corrig, le bruit de lecture est domin par le bruit grenaille provoqu
par le transistor de remise zro de la valeur du pixel[6].
Si on considre que le temps de Reset du pixel est suffisant pour atteindre un niveau stable, on a une
densit de bruit issue de la photodiode de :
=
:
k:
T:
kT
C int
(2.13)
Pour exprimer ce bruit en terme d'lectrons quivalents gnrs par la photodiode, il faudra le diviser
par le facteur de conversion, soit :
=
:
k T C int
=
C int
q
k T C int
q
(2.14)
Soit 127 lectrons rms T = 300K pour une capacit typique d'une centaine de femto-Farad.
Cette valeur est trop importante dans notre cas et devra tre rduite.
On voit donc ici qu'un point fondamental est la valeur de la capacit d'intgration Cint, puisque
celle-ci va jouer sur le facteur de conversion, et par l mme sur le bruit de lecture du pixel.
La difficult majeure rencontre lors de la conception d'un pixel APS est ainsi la rduction de la
capacit parasite de la photodiode. Ceci peut se faire soit en agissant sur la technologie, soit en
modifiant la structure du pixel. Dans notre cas, on a choisi d'utiliser une technologie standard, la fois
pour rduire le cot de fabrication du capteur, et pour faciliter sa production en srie.
Nous allons maintenant tudier les autres architectures de pixel qui permettent de diminuer le bruit
de lecture.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
VDD
VDD
id
id
Cd
VSS
Cd
VSS
On a en sortie une tension qui est fonction du courant de diode par la formule :
Vpix = VDD
Vpix :
id :
ID0 :
n:
W:
L:
n k T id W
ln
q
I
DO L
(2.15)
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
b. Facteur de remplissage
Un atout de cette structure, outre le fait de ne pas intgrer le signal et donc de ne pas avoir de bruit
de Reset, est sa simplicit de ralisation. La commande du pixel ne ncessite en effet pas de signal
Reset, ni de signal de fin d'intgration, et sa lecture peut tre ralise en utilisant un transistor de
transconductance et un transistor de slection de ligne, selon le principe dvelopp prcdemment.
On atteint ainsi de bonnes performances sur le facteur de remplissage du pixel (en conservant une taille
de pixel constante), ou sur la rsolution du capteur, si on rduit la taille du pixel en proportion.
c. Accs alatoire aux pixels
La suppression de l'intgration de la lumire permet en outre une lecture en temps rel de la valeur
du courant de diode. Il n'y a ainsi pas de dbut ni de fin d'intgration, et on peut tout moment
connatre l'exposition de n'importe quel pixel de la matrice. Cet avantage sera certainement trs utile
pour des applications multimdia, mais n'est pas fondamental dans le cas qui nous intresse.
d. Variation spatiale du signal
Bien que ces trois premires caractristiques ne soient pas dommageables pour la fabrication d'un
capteur d'image, la variation spatiale des rponses est un point beaucoup plus critique. En effet, la
formule (2.15) montre que la sensibilit du pixel dpend essentiellement des caractristiques du MOS
qui varient significativement selon la temprature, la gomtrie de la grille (souvent dessine aux
dimensions minimales), et les dopages qui changent avec l'irradiation du capteur.
Les concepteurs de cette architecture de pixel recommandent d'utiliser en parallle de la matrice de
capteur une mmoire de mme taille servant stocker les non-uniformits de chaque pixel afin de les
corriger en sortie du circuit. Cette solution s'avre relativement complexe mettre en uvre,
(consommation, densit d'intgration, fiabilit...) et pour cette raison, ce type d'architecture sera rejet
dans notre cas.
D'une manire gnrale, il y aura un compromis faire entre la rduction de la valeur de la capacit
d'intgration (ou de l'lment d'amplification, comme ici du MOS) et la variation spatiale de ses
caractristiques, qui deviendra de plus en plus critique quand les dimensions approchent les minima de
la technologie.
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
La diffrence de dopage entre les diffrentes couches cre un puis de potentiel sous l'lectronique du
pixel, qui sert stocker les lectrons. Ceux-ci se dplacent alors par diffusion dans toute la surface du
circuit et sont capts par la diode la plus proche.
La prcision de la dtection tant fondamentale pour lapplication qui nous intresse (dtection du
barycentre dune toile), ce point sera particulirement dlicat. En revanche, cette architecture permet
de raliser un effet de binning en lisant sparment chacune des quatre diodes lmentaires
constituant chaque pixel, ce qui augmente la rsolution de limage, et rduit ainsi cet inconvnient.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
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offset lors de
louverture de R
Valeur nominale de la tension de Remise zro
bruit kT/C
bruit kT/C
CDS
niveau zro
Tint
ouverture
du transistor
de Reset
1re lecture
2me lecture
trame 1
trame 2
temps d'accs au pixel
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
le temps o le transistor R est ferm. A louverture de celui-ci, la tension de bruit, qui oscille autour de
sa valeur nominale Vreset, est "gele" aux bornes de la capacit dintgration (appel 'niveau zro' dans
la figure prcdente). On a donc aprs louverture un niveau de tension stable, dont la valeur moyenne
est gale (Vreset offset), et dont lcart-type d'une trame une autre est gale kT / C int .
En l'absence de CDS, la valeur du signal aprs l'intgration de la lumire dpendra directement de la
valeur de ce palier. La lecture du pixel aura donc elle aussi un cart-type de kT / C int d'une trame
une autre.
la mthode du CDS, en soustrayant ces deux tensions, limine compltement le bruit de Remise zro
du pixel. On obtient ainsi directement le taux d'illumination du pixel.
On peut remarquer ici que le CDS supprime galement l'offset qui apparat l'ouverture du transistor R.
B) Application, limitations
Bien que trs efficace, cette technique ne peut pas tre utilise dans la majorit des cas, en raison de
la complexit de sa mise en uvre. En effet, pendant le temps d'intgration Tint, le circuit de lecture a
parcouru la matrice entire, et il faut donc que lors de la deuxime lecture d'un pixel, aprs intgration,
il puisse retrouver la valeur de Reset qu'avait ce pixel, afin de faire la soustraction des niveaux.
Pour cela, il faudrait pouvoir stocker les niveaux de Reset de chaque pixel de la matrice. On peut par
exemple concevoir une matrice de points mmoire analogiques de mme taille que le capteur, mais
cette solution parat coteuse en terme de surface et complexe mettre en uvre.
En revanche, la technique du CDS est particulirement adapte aux photoMOS, dont le principe de
fonctionnement repose sur l'intgration des charges sous une grille en polysilicium, puis sur leur
transfert quasi instantan vers le circuit de lecture.
La rapidit de ce transfert permet d'avoir successivement les deux niveaux de tension ncessaires pour
le CDS.
Valeur nominale de la tension de Remise zro
bruit kT/C
bruit kT/C
CDS
niveau zro
Tint
ouverture
du transistor
de Reset
1re lecture
2me lecture
transfert
des charges
trame 1
trame 2
temps d'accs au pixel
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bruit kT/C
bruit kT/C
NCDS
niveau zro
Tint
ouverture
du transistor
de Reset
1re lecture
trame 1
2me lecture
trame 2
temps d'accs au pixel
Le NCDS soustrait deux niveaux de tension qui ont lieu pendant le temps o le pixel est accd. Il n'y a
donc pas de stockage de tension, et sa mise en uvre s'en trouve ainsi grandement simplifie.
B) Application, limitations
Le palier de Reset n'est pas li au niveau d'illumination lu, mais celui de la trame suivante. On a
ainsi l'effet inverse de celui dsir : puisque les deux tensions ne sont pas corrles, on double en
valeur quadratique le bruit de Reset du pixel au lieu de le supprimer.
Cette technique ne sera utile que pour supprimer l'offset li l'ouverture du transistor R et les offsets
de la chane d'acquisition, mais ne pourra tre employe que si le bruit de lecture est trs faible.
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Pixel
Vreset
R
L
VDD
T1
Vpix
S
VSS
Structure identique
colonne
Icol
VDD
M1
Vpix
Vpix
Icol
miroir de
courant
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Le principal problme li cette structure, est que les deux transistors de transconductance T1 et M1
sont de taille minimale, et peuvent tre spars par une distance gale la taille de la matrice de
capteurs. Il est alors trs difficile de les faire se correspondre.
Dans ce cas, la technique du DDS peut tre employe grce un pixel tmoin dont la structure reprend
le plus fidlement possible celle des pixels de la matrice.
Pixel
Vreset
R
L
VDD
T1
Vpix
S
VSS
Mesure de la qualit
de la restitution du
signal
Pixel tmoin
VDD
Tension de
rfrence
T2
S
VDD
M1
Vpix
Vpix
Icol
miroir de
courant
Le niveau relev en sortie lorsque la tension est applique sur le pixel tmoin, sera utilis comme
rfrence de signal pour la mesure.
Le DDS permet ainsi de calibrer l'offset induit par le miroir de courant et par la dispersion des
caractristiques de M1.
Il est noter que cette technique ne sera utile que si l'on a pas employ de CDS ni de NCDS, car dans
ces deux cas de figure l'offset de la chane d'acquisition est dj corrig.
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sig
ref
Sortie unique
multiplexeur
sig2
sig1
sig6
sig4
sig3
sig5
ref2
sig7
ref1
sig8
ref3
ref8
ref6
ref4
ref5
ref7
Dans une premire phase sig, le niveau de signal de chaque pixel se retrouve en sortie des
amplificateurs de colonne. Le multiplexeur balaye alors ces valeurs.
On applique ensuite une phase ref qui nous donne le niveau de rfrence de chaque pixel. Ces niveaux
sont galement parcourus par le multiplexeur de sortie.
La tension de sortie ainsi obtenue (illustre ci-dessus) est difficilement exploitable, puisqu'il faut alors
soustraire pour chaque pixel son niveau de rfrence de son niveau de signal, qui ne sont pas
successifs.
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sig
ref
multiplexeur signal
sig2
sig3
Sortie signal
sig6
sig4
sig7
sig5
sig1
sig8
t
multiplexeur rfrence
Sortie rfrence
ref1
ref3
ref8
ref6
ref4
ref5
ref7
t
Figure 2.17 Ralisation d'un CDS ou NCDS l'intrieur de chaque amplificateur de colonne
Les deux niveaux de tension sont stocks dans deux capacits diffrentes prsentes dans chaque
amplificateur de colonne. On a en sortie deux tensions correspondant l'une au signal lu, l'autre au
niveau de rfrence. On peut alors plus facilement raliser la soustraction des deux niveaux de sortie,
puisque ceux-ci sont prsents simultanment.
On voit donc que si l'on veut recourir la technique du CDS ou du NCDS, il sera ncessaire de prvoir
un double systme d'chantillonneur-bloqueur dans chaque amplificateur de colonne.
Les dispersions de caractristiques d'un chantillonneur l'autre peuvent s'avrer critiques pour
l'homognit du circuit.
Le Double Echantillonnage Delta est alors utilis pour court-circuiter les deux capacits et obtenir ainsi
un niveau de rfrence de l'offset induit par les chantillonneurs.
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sig
1
Vsig
Csig
DDS
Mesure de l'offset
Cref
1
Vref
ref
B) Application, limitations
La technique du Double Echantillonnage Delta ne doit pas tre confondue avec les deux
prcdentes, car elle ne s'applique pas pour rduire le bruit de reset du pixel, mais seulement pour
corriger les offsets induits dans les amplificateurs de colonnes.
Elle ne corrige pas non plus les non-uniformits des gains des amplificateurs de colonne.
Contrairement au CDS et au NCDS, elle corrige le bruit spatial (dispersion des caractristiques sur la
matrice de capteurs) et non le bruit temporel.
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Figure 2.19 Matrice de filtres RVB pour pixels couleurs : motif de Bayer
Selon cette technique, le quart des pixels est utilis pour capter la composante rouge de limage, un
autre quart dlivre limage bleue, et la moiti restante des pixels dtecte limage verte.
Dans chaque teinte (rouge, vert, et bleu), la valeur des pixels manquants est reconstitue par un
algorithme d'interpolation bas sur l'image partielle obtenue[12].
L'inconvnient li cette technique est la perte d'information lie au fait que chaque pixel est ddi
une composante de couleur unique, et que l'image obtenue dans chaque teinte est partielle.
Un autre problme peut apparatre lorsque l'image capte possde un motif dont la taille est
sensiblement la mme que le motif RVB de la matrice. On voit alors apparatre des couleurs sur
l'image capte qui n'taient pas prsentes sur l'image d'origine. C'est le phnomne de Moir.
Par exemple, supposons que le sujet photographier possde un motif d'alternance de points noirs et
blancs dune taille proche de celle des pixels. L'image rsultante pourra tre vert claire, comme illustr
ci-dessous.
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
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diff. P+
I1
caisson Nsubstrat P-
I2
Dans le cas d'un procd de fabrication standard (contrainte que l'on s'est fixe pour le cadre de cette
thse), les deux jonctions qui peuvent tre superposes sont :
une jonction entre une zone de diffusion P dans un caisson N
courant I1
une jonction entre le caisson N et le substrat de type P
courant I2
Partant de ces deux courants, il est possible de connatre:
l'intensit de la lumire incidente
la longueur d'onde de la lumire incidente si celle-ci est monochromatique.
Dans le cas d'une lumire incidente constitue de plusieurs longueurs d'ondes (comme la lumire
blanche), il nous manque une grandeur pour valuer les trois paramtres fondamentaux :
intensit
teinte
saturation
ou bien la valeur des trois composantes :
rouge
vert
bleu
Il faudrait pour cela pouvoir connatre un troisime courant I3, ce qui implique l'utilisation d'une
troisime jonction PN (Buried Triple Junction, BTJ) qui est incompatible avec une technologie
standard CMOS.
De plus, cette technologie est encore trs dlicate mettre en uvre en raison de sa forte dpendance
vis--vis du coefficient dabsorption du silicium, ainsi que de la variation spatiale des profondeurs des
jonctions.
Pour ces raisons, ce type de photodiode ne pourra pas tre employ l'heure actuelle pour la ralisation
de capteurs APS couleur.
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
300
Chapitre 3
Etude des dispositifs
photosensibles :
La photodiode
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3.1 Introduction
On a vu dans le chapitre 2 que l'amlioration des caractristiques du pixel APS passe par un choix et
une caractrisation des diffrents types de capteurs photosensibles ralisables en technologie CMOS.
Pour la fabrication du circuit, nous avons choisi la technologie fournie par Austria Mikro Systeme, car
elle possde les avantages suivants:
bonne tenue aux radiations
possibilit de prototypage et de faible volumes de production
bonnes caractristiques pour la fabrication de circuits analogiques et mixtes
Dans cette technologie, il est possible de raliser trois types de photodiodes, et un phototransistor
MOS.
G
grille SiPoly
N+
P+
N-
dpltion
Nsubstrat P -
photodiode
caisson N
photodiode
diffusion N
photodiode
diffusion P
dans caisson N
photogrille / photoMOS
Les trois photodiodes sont constitues d'une simple jonction PN dont le champ lectrique interne est
utilis pour sparer les paires lectron-trou cres par la lumire incidente.
La photogrille, ou photoMOS, est base sur le mme principe, mais la jonction PN n'est cette fois pas
cre par des couches de dopages implants, mais par une grille en polysilicium.
Lorsque la grille est soumise une tension leve, une zone d'inversion se cre en dessous d'elle, dont
la largeur dpend de la tension applique. C'est le champ lectrique prsent dans cette zone d'inversion
qui est utilis pour sparer les paires lectron-trou.
VG
VT
Cox
Poly
V1
Oxyde
Eint
e
h+
Semiconducteur
N+
C1
TR
V2
N+
C2
Substrat P
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X depMOS
XdepMOS :
si :
Cox :
VG :
NA :
= Si
C ox
2 VG C ox
1+
1
q Si N A
(3.1)
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
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diffusion P+
caisson N-
diffusion P+
caisson N-
B
substrat P-
Oxyde de champ
Si-Poly
zone de charge
d'espace
(a)
substrat P-
(b)
anneaux de garde
en diffusion P+
SiPoly
SiPoly
caisson N-
B
C
substrat P-
(c)
Figure 3.4 Trois types de phototransistors
(a) Phototransistor vertical
(b) Phototransistor vertical avec zone de champ
(c) Phototransistor latral avec/sans anneau de garde
Les tudes portant sur les phototransistors[15] montrent que ceux-ci peuvent atteindre des
rendements quantiques considrables ( de l'ordre de 100 800 fois le rendement de la photodiode)
mais qu'en contrepartie ils souffrent d'un trs fort courant d'obscurit et d'une mauvaise uniformit des
rponses.
Ces deux derniers paramtres tant cruciaux pour notre application, nous avons choisi de rejeter les
phototransistors dans la suite de cette tude.
Rendement
quantique
Courant
d'obscurit
Uniformit
des rponses
Phototransistor latral
39700 %
131 nA/cm
3.26 %
12600 %
94 nA/cm
4.11 %
5300 %
25 nA/cm
3.92 %
13600 %
56 nA/cm
2.96 %
50 %
1 nA/cm
0.50 %
Phototransistor vertical
Phototransistor vertical avec zone de champ
Photodiode
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I dark = I S e qV kT 1
(3.2)
= I S e qV kT 1
+ q Ad
(3.3)
obscurit
illumination
(1)
courant de saturation
inverse (obscurit)
V
IS
Iph
Iph
tension de
circuit ouvert
(2)
(3)
courant de saturation
inverse (illumination)
courant de
court-circuit
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
On utilise trs peu le mode direct, puisque la diffrence des caractristiques entre l'obscurit et
l'illumination est trs peu marque.
Le mode gnrateur de courant / tension peut tre utilis par exemple pour la fabrication de piles
photovoltaques.
On se basera ici sur le troisime domaine d'utilisation, le mode inverse, qui est le domaine o la
mesure de l'illumination reue par la diode est la plus aise. Dans ce mode, le courant est trs peu
fonction de la tension aux bornes de la diode, et sa valeur est directement proportionnelle l'intensit
de la lumire incidente. Les principaux problmes de cette utilisation sont lis au fait que les courants
mesurer sont trs faibles (de l'ordre du pico-Ampre, voire du femto-Ampre), et que le courant
d'obscurit de la diode perturbe la mesure.
Nous allons maintenant caractriser les diffrents phnomnes qui se droulent lors de l'illumination
d'une jonction PN. Ceux-ci sont :
l'absorption de la lumire dans le silicium
le taux de cration de paires lectrons-trous par chaque photon absorb
la capacit de la jonction PN sparer les paires lectrons-trous cres, ce qui induit le courant
photonique
(x) (x+dx)
abs(x,dx)
profondeur
x x+dx
Figure 3.7 Absorption de la lumire dans un matriau
A l'intrieur d'une rgion troite note ( x, x+dx ), une proportion dx du flux lumineux (x) qui sera
parvenu cette profondeur sera absorbe.
abs ( x , dx ) = dx ( x )
abs(x,dx) :
(x) :
0 :
:
(3.4)
flux lumineux absorb une profondeur x, et sur une largeur dx (s-1 m-2)
flux lumineux prsent une profondeur x (s-1 m-2)
flux lumineux sous la surface (x = 0) (s-1 m-2)
coefficient d'absorption de la lumire (m-1)
En consquence, le flux lumineux (x+dx) qui se retrouve la profondeur x+dx sera gal :
( x + dx ) = ( x ) abs ( x , dx ) = ( x ) dx ( x ) = ( x ) (1 dx )
(3.5)
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
(3.6)
1e+6
1e+5
1e+4
1e+3
1e+2
1e+1
0,001
0,01
0,1
Lambda (m)
1e+6
1e+5
1e+4
1e+3
1e+2
1e+1
1e+0
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
q
0 = 7,4 10 22
nd
h c
0 :
:
h:
c:
nd :
(3.7)
coefficient d'absorption des photons qui ne crent pas de paire lectron-trou (m-1)
longueur d'onde de la lumire incidente (m)
constante de Planck = 6.625 10-34 J s
vitesse de la lumire = 3 108 m/s
concentration de porteurs libres (m-3)
Ainsi, dans les formules (3.4), (3.5), et (3.6), il convient de remplacer la valeur de par ( + 0), o
reprsente le coefficient d'absorption des photons crant une paire lectron-trou, et 0 le coefficient
d'absorption des photons ne crant pas de paire lectron-trou.
La figure 3.7 devient donc :
0.e-(+0)x
0
0.e-x
profondeur
En plus de ce phnomne, il peut se produire dans le cas de particules de grande nergie, soit de
faible longueur d'onde, une cration de paires supplmentaires de porteurs libres par un effet de
cascade d'ionisations.
On notera cet effet (1+), reprsentant le taux de cration de paires supplmentaires de porteurs
libres.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
= 20%
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0,25
0,35
0,45
0,55
0,65
0,75
0,85
0,95
1,05
Lambda (m)
Figure 3.10 Taux de cration de paires supplmentaires d'e-/h+ par des photons de grande nergie
On note que cet effet n'est significatif que pour < 0.35m et qu'il est ngligeable dans le visible,
domaine qui nous intresse ici.
La combinaison de ces deux effets nous permet de formuler le rendement de cration de paires de
porteurs libres par photon :
cr = (1 + )
(3.8)
1,0
0,8
1e+17 cm-3
0,6
1e+18 cm-3
1e+19 cm-3
1e+20 cm-3
0,4
0,2
0,0
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Lorsque l'nergie des photons reus devient infrieure la bande de valence du silicium
(Eg = 1.12eV, soit > 1.1m), ceux-ci ne peuvent plus crer de porteurs libres, et le rendement cr
devient nul.
Les capteurs photosensibles base de silicium ne pourront donc tre sensible qu'au proche infrarouge.
Pour des longueurs d'ondes plus grandes, il faudra recourir d'autres matriaux (SiGe, InSb ).
1 = 0 e N x N
2 = 0 e ( N x N + w )
0 e N x
0
1 e x
xN
2 e P x
xN+w
xN+w+xP
profondeur
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
A l'intrieur de la zone de charge d'espace de la jonction, on peut considrer que tous les porteurs libres
crs sont spars. On a donc un rendement quantique directement proportionnel au flux absorb dans
cette rgion.
Dans les zones N et P, la cration d'lectrons et de trous va dsquilibrer la relation entre porteurs
minoritaires et majoritaires, et de ce fait les porteurs minoritaires de chaque rgion vont diffuser vers le
bas. On a donc une composante du courant photonique qui sera due aux trous dans la zone N, et aux
lectrons dans la zone P. Cette diffusion sera fortement dpendante de la dure de vie des porteurs
minoritaires de chaque rgion.
Iph
Idark
diffusion h+
N+
Eint
e-
gnration e / h+
ZCE
h+
diffusion e
ZCE = (1 r ) e N x N 1 e w
L ( + N L h ) e N x N [sh ( x N L h ) + 1 ch ( x N L h )]
N = (1 r ) 2 N 2 h 1
N L h e N x N
ch ( x N L h ) + 1 sh ( x N L h )
N L h 1
(3.9)
(3.9 a)
(3.9 b)
L ( P L e ) e P x P [sh ( x P L e ) + 2 ch ( x P L e )]
P = (1 r ) e ( N x N + w ) 2 P 2 e 2
+ P L e (3.9 c)
ch ( x P L e ) + 2 sh ( x P L e )
P L e 1
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Avec:
N = + 0N
1 = s1
Lh
Dh
P = + 0P
2 = s2
Le
De
(3.9 d)
(3.9 e)
Lh = Dh h
L e = D e e
(3.9 f)
k T
h
D h =
q
kT
e
D e =
q
(3.9 g)
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
1e-5
1e-6
1e-7
lectrons
trous
1e-8
1e-9
1e-10
1e+14
1e+15
1e+16
1e+17
1e+18
1e+19
1e+20
Dopage (cm-3)
Mobilit (cm/V.s)
10000
1000
lectrons
trous
100
10
1e+14
1e+15
1e+16
1e+17
1e+18
1e+19
1e+20
Dopage (cm-3)
Dans l'quation du rendement quantique, il n'y a donc que le coefficient de rflexion de la lumire en
surface r qui soit inconnu, ainsi que les vitesses de recombinaison en surface (s1) et en face arrire (s2).
Pour les calculs de la partie suivante, on a pris :
r = 0.5
s1, s2 variant de 0 1010 m/s
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
fichier technologique
+
donnes sur le circuit
Paramtres
connus
Paramtres
inconnus
choix du paramtre
utilis comme
abscisse du graphe
x = ....
t = ....
0,50
0,45
0,40
sortie
graphique
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
librairie
qu. de physique des
semi-conducteurs
ni = Nc N v e
ND = 1e21
Eg
2 kT
n i2
ND
n2
= i
NA
n pN =
T = 300
n nP
ND = 1e20
NA = ???
T = 300
ni = 1.45e10
npN = 210
nnP = ???
Paramtres connus
Paramtres inconnus
ND = 1e20
T = 300
ni = 1.45e10
npN = 210
T=x
NA
nnP
choix du paramtre
utilis comme
abscisse du graphe
100000
10000
1000
100
sortie
graphique
10
1
0,1
0,01
250
300
350
Le fichier technologique nous donne le dopage de la rgion N : ND = 1021 atomes/cm-3, ainsi que la
temprature typique d'utilisation : T = 300K.
Les quations de physique nous permettent de calculer la valeur de la concentration intrinsque ni du
silicium, et les concentrations de porteurs minoritaires en fonction du dopage.
A partir de ces fichiers, le programme value les paramtres :
ND : donn dans le fichier technologique
NA : n'est pas dans le fichier technologique il n'y a pas de formule pour le calculer valeur inconnue
T : donn dans le fichier technologique
ni : n'est pas dans le fichier technologique calcul partir de la formule, connaissant T
npN : n'est pas dans le fichier technologique calcul partir de la formule, connaissant ni, ND
npN : n'est pas dans le fichier technologique on ne connat pas la valeur de NA pour le calcul
valeur inconnue
Chapitre 3 Etude des dispositifs photosensibles : la photodiode
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Une fois que l'organisation des fonctions est dfinie, on peut choisir de faire varier une donne
(T = x), ce qui fait varier la valeur de ni, et donc celle de nnP. On peut alors tracer le graphique de nnP
en fonction de T.
Rendement quantique
0,40
0,35
0,30
Region N
Region P
0,25
ZCE
Total
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
page 53
Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
0,50
0,45
Rendement quantique
0,40
0,35
Prof. = 0,1 m
Prof. = 0,3 m
0,30
Prof. = 1 m
Prof. = 3 m
0,25
Prof. = 10 m
Prof. = 30 m
0,20
Prof. = 100 m
0,15
0,10
0,05
0,00
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
Figure 3.19 Influence de la profondeur de la zone de charge d'espace sur le rendement quantique
Plus les rgions se trouvent prs de la surface, plus la photodiode sera sensible aux longueurs d'ondes
courtes, de grande nergie.
Pour amliorer les caractristiques en ce qui concerne les grandes longueurs d'ondes, absorbes en
profondeur, il faut que la zone de charge d'espace soit la plus large possible, afin de s'assurer que les
paires lectrons-trous gnres en profondeur participent galement au courant photonique.
0,50
0,45
Rendement quantique
0,40
0,35
Larg. = 0,1 m
Larg. = 0,3 m
0,30
Larg. = 1 m
Larg. = 3 m
0,25
Larg. = 10 m
Larg. = 30 m
0,20
Larg. = 100 m
0,15
0,10
0,05
0,00
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
Figure 3.20 Influence de la largeur de la zone de charge d'espace sur le rendement quantique
Le rendement quantique d'une photodiode sera amlior lorsque la zone de charge d'espace de la
jonction PN sera le plus proche de la surface (longueurs d'ondes courtes) et la plus large possible
(longueurs d'onde longues).
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Partant de ces constatations, on peut simuler le comportement des photodiodes que l'on peut raliser
en technologie standard CMOS.
Pour obtenir le graphe suivant, on s'est fix :
r (coefficient de rflexion en surface) = 0.5
s1 = s2 (vitesses de recombinaison, inconnues) = s variant de 0 1010 m/s.
0,50
0,45
Rendement quantique
0,40
0,35
Diff. N , s = 0
0,30
Diff. N , s = 1e10
Caisson N , s = 0
0,25
Caisson N , s = 1e10
Diff. P , s = 0
0,20
Diff. P , s = 1e10
0,15
0,10
0,05
0,00
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
Figure 3.21 Rendement quantique des trois photodiodes ralisables en technologie CMOS standard
Les meilleurs rsultats sont obtenus pour les diodes N (diffusion N ou caisson N) sur substrat P. La
diode constitue de diffusion P sur un caisson N possde un comportement moins bon partir de
> 0.6m , car alors les photons sont absorbs dans le substrat, en dessous du caisson N, et ne peuvent
alors plus influencer le courant de la photodiode.
Le rendement de la photodiode cre par un caisson N sur substrat P est trs dpendant de la valeur
de la vitesse de recombinaison en surface des porteurs minoritaires. En effet, du fait que le caisson est
trs peu dop (31016 atomes/cm3 au lieu de 1020 atomes/cm3 pour la diffusion), sa longueur de
diffusion est trs grande, et donc son rendement quantique dans la zone N sera plus significatif que
celui de la diode diffusion, pour peu que sa vitesse de recombinaison soit faible.
Si sa vitesse de recombinaison est grande (s = 1010 m/s), le dnominateur de l'quation (3.9 b) est
prdominant, et le rendement quantique diminue.
On choisira de prfrence pour la conception de notre matrice de capteurs une photodiode caisson N
ou diffusion N.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
140
Capacit (fF)
120
100
80
60
40
20
0
1e+15
1e+16
1e+17
1e+18
1e+19
1e+20
Dopage (atomes/cm3)
On peut donc s'attendre ce que la capacit de la diode caisson N (faiblement dope) soit infrieure
celle des diodes base de diffusion.
Pour estimer la variation de la valeur de la capacit en fonction de la tension ses bornes, qui
dterminera la linarit du pixel (voir section 2.1.1 B) c. ), on a trac le graphe suivant :
page 56
Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
300
250
Capacit (fF)
200
Diff. N
Caisson N
150
Diff. P
100
50
0
1
1,5
2,5
3,5
4,5
Figure 3.23 Variation des capacits parasites des trois photodiodes en fonction de la tension leur bornes
Ad = 30m20m
Les valeurs de linarit et de bruit issu de ces mesures sont donnes dans le tableau ci-dessous :
Capacit d'une
diode 30m20m
sous 3 Volts
Bruit de
remise zro
= KT/CP
Facteur de
conversion
= q/CP
146 fF
153 e- rms
1.1 V/e-
34 %
51 fF
91 e- rms
3.1 V/e-
34 %
207 fF
183 e- rms
0.77 V/e-
36 %
Bien que la diode caisson N aie une capacit trs infrieure aux autres diodes, celle-ci reste
cependant trop leve pour nous permettre d'atteindre l'objectif de 50 e- rms que l'on s'est fix.
Pour cela, il faut soit diminuer la surface de la diode, soit recourir une architecture permettant
d'intgrer les charges gnres par la lumire dans une capacit autre que celle de la photodiode.
Ces deux solutions seront approfondies et ralises dans la suite de cette tude.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
I Sd = A d
Lh
ch ( x N / L h ) + 1 sh ( x N / L h )
Le
ch ( x P / L e ) + 2 sh ( x P / L e )
ISd :
npN :
nnP :
(3.10)
100
10
Diff. N
Caisson N
Diff. P
1
0,1
0,01
-20
-10
10
20
30
40
50
Temprature (C)
Figure 3.25 Variation du courant d'obscurit des trois photodiodes en fonction de la temprature
Ad = 30m20m
On voit ici que la valeur du courant d'obscurit est sensiblement la mme quelle que soit le type de
diode, et qu'il dpend fortement de la temprature (doublement de sa valeur tous les 5C environ).
La valeur du courant d'obscurit ne sera donc pas un critre significatif dans le choix du type de
photodiode.
Chapitre 3 Etude des dispositifs photosensibles : la photodiode
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
diodes
caiss.N/sub.P
diodes
diff.P/caiss.N
diodes 40 40 m
plots I/O
diodes 20 20 m
plots I/O
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
cache = 3mm
support
filtre
circuit
diffuseur
source de
lumire
30 cm
Afin de connatre avec prcision l'intensit de la lumire la surface du capteur, on a utilis une
camra scientifique calibre Princeton Instruments TE/CCD 512 TKBM, place la place du circuit.
On vrifie ainsi que l'image capte est bien homogne sur l'ensemble de la surface o sont places les
photodiodes de test.
Les mesures sont effectues avec cinq filtres aux longueurs d'ondes de 532, 610, 750, 850, et 950 nm,
et pour trois valeurs du flux lumineux. Le rendement est calcul sur la moyenne de ces trois flux.
Flux 1 (ph/s/m)
532 nm
3.0 1018
610 nm
3.5 1018
750 nm
4.2 1018
850 nm
9.6 1018
950 nm
10.8 101
8
Flux 2 (ph/s/m)
4.5 1018
5.2 1018
Flux 3 (ph/s/m)
18
18
6.0 10
6.9 10
12.7 101
19.2 101
16.1 101
21.5 101
21.2 10
28.9 10
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
8
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Figure 3.29 Image obtenue par la camra CCD de calibration de la source lumineuse
,
Cd
Csuiv
Id
AmpliOP suiveur
f = 10 Hz
Cmes
Vd
Oscilloscope
VDC
CIO
Lorsque l'interrupteur est ferm, la tension VDC se retrouve aux bornes de la capacit de mesure, de
valeur 100pF. A l'ouverture, cette capacit est dcharge par le courant issu de la photodiode selon la
formule :
I d = (C mes + C IO + C suiv + C d )
Id :
Cmes :
CIO :
Csuiv :
Cd :
V :
t :
V
t
(3.11)
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
La valeur de la capacit d'intgration (Cmes + CIO Csuiv + Cd) est obtenue sous obscurit (avec un
courant de diode ngligeable) et en plaant une rsistance de forte valeur (1M) en parallle de la
diode, selon le schma :
CIO
Cd
AmpliOP suiveur
Csuiv
Id
f = 10 Hz
Cmes
Oscilloscope
Vd
VDC
CIO
(C mes + C IO + C suiv + C d )
=
nb e / s / m
=
V
1
t surf . diodes
(3.12)
532 nm
610 nm
750 nm
850 nm
950 nm
30%
37%
5%
29%
35%
2%
22%
14%
1%
11%
10%
0%
36%
42%
8%
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
0,50
Rendement quantique
0,40
0,30
Diff. N
Caisson N
Diff. P
0,20
0,10
0,00
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
Lambda (m)
On observe que la forme des courbes obtenues par rsultat exprimental correspond bien aux calculs
thoriques, comme montr dans la figure 3.21, savoir que :
le rendement de la diode P est infrieur ceux des diodes N, du fait qu'elle est contenue dans un
caisson N de faible profondeur, et qu'elle ne peut donc pas capter les longueurs d'ondes trop
grandes, qui sont absorbes sous le caisson.
les rendements des diodes N est relativement stable entre 0.5 m et 0.75 m, puis commence
chuter partir de 0.8 m, zone pour laquelle les photons sont capts dans de grandes profondeurs
( > 10 m), et dont les paires lectrons-trous cres ne peuvent plus diffuser suffisamment vers la
zone de charge d'espace.
le rendement de la photodiode caisson N est lgrement meilleur que celui de la photodiode
diffusion N, pour des vitesses de recombinaisons faibles, du fait que le caisson est faiblement
dop, et donc que sa zone de charge d'espace est plus grande.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
diodes de
priphrie
diode 1
diode 3
diode 2
diode 4
On a choisi d'utiliser dans cette version des diodes de grande surface (40m 40m, et 80m
80m), ce qui minimise l'influence des capacits parasites et des courants d'obscurits induits par
l'lectronique de mesure.
On a galement ajout ici des matrices de photoMOS, qui nous permettront de comparer ses
caractristiques celles des photodiodes.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
photodiodes
40m 40m
lectronique
de mesure
photodiodes
80m 80m
lectronique
de mesure
slection de la
matrice / diode
Figure 3.35 Circuit de caractrisation des capacits parasites et des courants d'obscurit des photodiodes
VDD
VDD
W10, L
VR
plot d'entre-sortie
W, L
Ip
Csuiv
CIO
Ip10
AmpliOP suiveur
Cd
Vd
Oscilloscope
Figure 3.36 Schma de mesure des capacits parasites et des courants d'obscurit
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Mesure de la capacit
des photodiodes + de l'lectronique (fF)
diode 1
1800
6000
630
1600
1700
7250
16250
70000
diode 2
1800
6125
645
1600
1650
7250
16500
70000
diode 3
1800
6125
630
1675
1600
7250
16000
69750
diode 4
1850
6375
615
1700
1675
7125
16000
68750
sans diode
98
155
98
165
73
120
67
125
Ce tableau nous permet de vrifier que les capacits introduites par l'lectronique de mesure sont bien
infrieures aux capacits des diodes. On a donc corrig le problme majeur du prcdent circuit.
Capacit surfacique
(nF/cm)
diode 1
26.6
22.8
8.3
5.6
25.4
27.9
252.9
272.9
diode 2
26.6
23.3
8.6
5.6
24.6
27.9
256.8
272.9
diode 3
26.6
23.3
8.3
5.9
23.9
27.9
249.0
272.0
diode 4
27.4
24.3
8.1
6.0
25.0
27.4
249.0
268.1
moyenne
Capacit
d'une diode
30m 20m (fF)
25.0
150
7.0
42
26.3
158
262.8
1577
Tableau 3.38 Comparaison des capacits des trois types de photodiodes et du photoMOS
On voit une grande similitude entre les valeurs obtenues et les rsultats calculs dans le tableau
3.24. Ceci nous permet de confirmer les conclusions labores prcdemment sur le fait que la
photodiode constitue par un caisson N sur substrat P semble la plus adapte pour une utilisation en
faible flux.
En outre, on s'aperoit que la capacit du photoMOS est trs suprieure celle des photodiodes. Ceci
pourrait s'avrer un inconvnient majeur dans l'application qui nous intresse, mais cette structure
possde l'avantage de pouvoir facilement tre utilise dans une technique de Double Echantillonnage
Corrl, qui supprime son bruit de lecture et augmente significativement son facteur de conversion. Les
problmes que pourraient induire cette capacit importante sont donc ainsi limins.
page 67
Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Variation relative
1,10
1,05
Diff. N
Caisson N
1,00
Diff. P
PhotoMOS
0,95
0,90
1,5
2,0
2,5
3,0
On voit ici une variation d'environ 15% entre la valeur de la photodiode diffusion N VR = 1.5V, et
sa valeur VR = 3V. La diode caisson N varie elle d'environ 10%, et la diode P de 7%.
La capacit d'intgration du photoMOS ne varie pas selon la tension ses bornes car elle est n'est pas
constitue par une zone de charge d'espace, comme c'est le cas des photodiodes, mais elle est due
l'paisseur d'oxyde entre la grille et le substrat.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Mesure du courant
d'obscurit de
l'lectronique (fA)
diode 1
133
105
237
398
diode 2
158
24
104
331
diode 3
75
138
273
101
diode 4
69
104
233
116
sans diode
0.9
0.1
8.9
2.3
diode 1
518
408
890
1545
diode 2
612
94
371
1284
diode 3
289
537
1032
388
(pA/cm)
diode 4
266
407
874
443
moy
421
361
792
915
35%
45%
32%
56%
Courant d'obscurit
d'une diode
30m 20m
2.5 fA
2.2 fA
4.8 fA
5.5 fA
15800 e-/s
13600 e-/s
29700 e-/s
34300 e-/s
Tableau 3.41 Comparaison des courants d'obscurit des trois types de photodiodes et du photoMOS
Cette fois encore, les rsultats exprimentaux concordent avec les calculs thoriques et les
conclusions faites dans la partie 3.3.4 , saloir que l'ordre de grandeur du courant d'obscurit est
sensiblement le mme quelque soit le type d'lment photosensible (quelques femto-Ampres pour une
surface de 30m 20m, T 15C), et que celui-ci ne constituera pas un paramtre critique dans le
choix de l'architecture du capteur.
On note cependant ici une grande dispersion des rponses ( allant de 35% 56% de la valeur
moyenne) qui risque de dgrader fortement les performances du systme d'imagerie dans les faibles
flux. Pour attnuer cette dispersion spatiale (DSNU : Dark Signal Non-Uniformities), il sera ncessaire
de fonctionner des niveaux de lumires crant un courant photonique trs suprieur au courant
d'obscurit.
Rendement quantique
36 %
42 %
3%
35 %
On a ici la valeur du rendement quantique moyen du photoMOS qui n'avait pas pu tre obtenu sur le
circuit prcdent.
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
3.6 Conclusions
Ce chapitre propose une tude relativement complte des principaux paramtres des lments
photosensibles qui peuvent tre utiliss dans un pixel APS.
Il ressort de cette tude que la photodiode constitue par une zone de diffusion P sur caisson N n'est
pas adapte cette utilisation, en raison de son trs faible rendement quantique. Ceci provient du fait
que dans cette diode, l'intgration des photons est limite la profondeur du caisson N ; les photons de
grandes longueur d'onde qui pntrent trop en profondeur ne participant plus au courant photonique.
Dans les diodes de type N et dans le photoMOS, au contraire, les charges intgres en profondeur dans
le substrat crent un courant de diffusion des porteurs minoritaires qui vient augmenter le rendement
quantique.
Il apparat galement que la capacit de la photodiode caisson N est moins importante que les
autres, du fait du faible dopage de celle-ci. Cette faible capacit l'avantage d'augmenter le facteur de
conversion (gain) du pixel, et par l mme de rduire son bruit de remise zro du signal.
En revanche, les rgles de dessin de la technologie imposent de respecter une distance importante
(5 m) entre le caisson N et les transistors des pixels, ce qui rduit fortement le facteur de remplissage
des pixels caisson N.
Le photoMOS est un bon lment photosensible, bien que la grille en polysilicium filtre une partie
de la lumire incidente[3], car il possde la particularit de pouvoir transfrer trs rapidement les
charges intgres sous la grille dans une autre capacit, ralisant ainsi un Double chantillonnage
Corrl qui amliore de beaucoup ses performances. Dans le cas d'une photodiode, cette technique est
beaucoup plus difficile mettre en uvre en raison de la ncessit de mmoriser les tats de chaque
pixel en dbut d'intgration (voir partie 2.2.1 ).
La photodiode constitue d'une zone de diffusion N sur le substrat P est la plus simple raliser, et
possde ainsi le meilleur facteur de remplissage. Cependant, la capacit parasite de cette diode induit
un bruit de remise zro trop important dans le cas qui nous intresse. Pour y remdier, il faudra
chercher une architecture de pixel APS qui intgre les charges photoniques dans une capacit diffrente
de celle de la diode.
A partir de ces conclusions, il se dgage trois types de pixels CMOS possibles:
un pixel avec une photodiode caisson N
un pixel avec un photoMOS quip d'une technique de Double Echantillonnage Corrl
un pixel avec une photodiode diffusion N quip d'une capacit d'intgration spare
Ces trois solutions feront chacune l'objet d'une tude et d'une ralisation dans le chapitre suivant. Nous
obtiendrons ainsi des informations complmentaires sur le bruit spatial et temporel des pixels, la
dynamique, ou le facteur de conversion de chaque architecture, qui nous permettront de connatre le
type de pixel le mieux adapt une utilisation faible flux.
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
400
Chapitre 4
Ralisation et tests
d'un capteur d'image APS
256 256 pixels
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
4.1 Introduction
Dans ce chapitre, nous allons tudier la ralisation et le test d'un capteur d'image CMOS APS d'une
rsolution de 256 256 pixels. Ce circuit permettra de valider ou de rejeter les multiples solutions
d'architecture qui s'offrent nous pour la fabrication d'un capteur faible flux.
Parmi ces choix, on distingue :
le type d'lment photosensible : photodiode N+, photodiode N-, photodiode P+, ou photoMOS
le type d'architecture du pixel : pixel standard avec/sans transistor de limitation d'intgration, ou
pixel amplification dans une capacit spare
le type de sortie du pixel : sortie en tension ou sortie en courant
les fonctions de rduction de bruit spatial et temporel : CDS, NCDS, DDS
le choix d'un type d'adressage des pixels : dfinition d'un protocole de commande du circuit,
ralisation du fentrage
Afin de tester plusieurs architectures de pixel, et plusieurs photodiodes possibles, nous avons
fractionn la matrice de capteurs en quatre matrices de 128 128 pixels chacune, chaque matrice
utilisant une architecture et un type de photodiode diffrent.
Ce circuit a t dessin avec la technologie Austria Mikro Systeme (AMS) 0.6m, double mtal,
double poly, et possde une surface de 10.3 8.8 mm dont 7.7 7.7 mm sont occups par la matrice
de capteurs.
dcodeurs
de ligne
(5)
4 matrices
128 x 128
gnration
des signaux
de commande
amplificateurs de colonne
contrle
multiplexeur analogique
sortie
registre X start
registre X stop
X
dcodeur de colonne
registre Y start
registre Y stop
rglage temps d'intgr.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
pixels standards
4 transistors
+
photodiode N-/P-
pixels standards
3 transistors
+
photoMOS
pixels amplification
8 transistors
+
photodiode P+/N-
pixels amplification
5 transistors
+
photodiode N+/P-
dcodeurs ligne
FF
80
7F
Y
sortie
X
00
00
7F 80
amplificateurs de colonne / dcodeur colonne
FF
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
R1
ligne 1
L
S
R
R1
ligne 2
S
R
R1
ligne 3
S
temps
Figure 4.3 Signaux de commande des lignes. Les squences de lecture sont identiques,
mais dcales d'une priode Tligne d'une ligne une autre.
Pour gnrer ces chronogrammes, on utilise 5 phases codant les fronts de monte et de descente de
chaque signal R, L,S :
phase R1 : front descendant du Reset fin du reset, dbut du cycle de lecture
phase L1 : front montant du signal L dbut d'intgration de la lumire
phase L2 : front descendant du signal L fin de l'intgration de la lumire
phase S : impulsion sur le signal S slection du pixel, lecture de la valeur de l'illumination
phase R2 : front montant du Reset remise zro du pixel
Ces phases se retrouvent donc successivement sur chaque ligne, avec un intervalle de temps Tligne,
comme illustr sur la figure ci-dessus.
Chaque phase est ralise par un compteur associ un dcodeur de ligne 1 parmi N. La sortie du
compteur correspond au numro de la ligne sur laquelle la phase est dclenche.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
La figure suivante montre par exemple le cas de la phase de lecture d'une fentre de 6 6 pixels
commenant l'adresse ligne 0x20 jusqu' l'adresse 0x25.
ligne 0x25
ligne 0x24
rechargement
du compteur
sa valeur
initiale
ligne 0x23
ligne 0x22
incrmentation
du compteur
ligne 0x21
ligne 0x20
Figure 4.4 Illustration de l'action du compteur d'adresse sur le dcodage des lignes
Ainsi, on aura par exemple un ensemble compteur + dcodeur qui sera charg de remettre le signal
reset actif (phase R2). Pour cela, le dcodeur fera parcourir un bit 1 le long des lignes de la fentre de
lecture. Lorsqu'un bit 1 est positionn devant une ligne, tous les pixels de cette ligne seront remis
zro.
Il est ncessaire que les cinq compteurs soient retards les uns par rapport aux autres. Le retard d'un
compteur par rapport un autre correspondra l'intervalle de temps qui s'coule entre deux phases.
La programmation de chaque retard permettra de dfinir une squence de lecture spcifique.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Ainsi, on pourra par exemple modifier le retard L2 pour contrler la dure de l'intgration de la
lumire par le capteur (rglage de la luminosit de l'image reue), ou encore raccourcir le retard S afin
que la slection du pixel (lecture) intervienne pendant l'intgration de celui-ci.
B) Ralisation
a. Programmation d'une squence de lecture
Le squencement tant ralis par ligne, un mme instant tous les pixels d'une mme ligne vont
dlivrer leur signal sur la colonne qui leur est associe. Le multiplexeur de colonne balaye alors
successivement les valeurs de chaque pixel de la ligne (voir figure 1.4).
On distingue :
l'horloge 'pixel', dont la priode correspond au temps de lecture d'un pixel sur la sortie
frquence de fonctionnement du multiplexeur de colonne
l'horloge 'ligne', priode pendant laquelle les pixels d'une mme ligne sont lus
frquence de fonctionnement des amplificateurs de colonne
priode de maintient du signal S sur une ligne
l'horloge 'trame', priode de lecture d'une trame
frquence de fonctionnement des pixels, temps d'une squence de lecture
On a :
Tligne = n x Tpixel
(4.1)
(4.2)
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
YMIN
YMAX
XMIN
XMAX
Dans le cas de la lecture d'une fentre allant de l'adresse 0x20 0x25 en X, et de 0x30 0x35 en Y, on
obtient le chronogramme suivant :
retards de S, R2, L1, L2
(respectivement 5, 10, 11, et 12 Tpixel)
prolongent les signaux de reset
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
La sortie du compteur de pixel servant de base au compteur de slection, note ci-dessus X(7:0), sera
envoye au multiplexeur de colonnes.
0x02
AND 8
D
C
30m
0x01
AND 8
D
C
30m
0x00
AND 8
D
C
Clk
A7
A6
A5
A4
A2
A3
A1
A0
Sorties du compteur
Chaque sortie du dcodeur tant envoye sur une ligne des pixels, il est ncessaire que ces sorties
soient espaces de la hauteur d'un pixel, soit 30m dans notre cas.
Pour viter les 'glitchs' (pics lors du basculement du dcodeur), on synchronise chaque sortie sur un
front montant d'horloge grce des bascules D.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
R1
RH
RL
RH
RL
LL
R2
changement
des niveaux
haut et bas
Reset
1
L1
LH
LL
LH
L2
1
0
changement
des niveaux
haut et bas
mise en forme
du signal
Le signal de slection S ne durant que pendant un temps Tligne, il n'est pas ncessaire de le transformer.
Les valeurs hautes et basses des signaux R et L ne sont pas forcment 0 et 5V. On a vu dans la partie
2.1.1 B) d. que pour limiter les offsets lors du basculement des transistors dans les pixels, il est
prfrable de rduire la diffrence entre les deux niveaux de ces signaux. Par exemple, pour rendre un
transistor N passant, il suffit de faire basculer sa grille de 0 2V (pour les transistors P, les niveaux
seront 5 et 3V).
Ces changements de niveaux sont cods par des switchs doubles basculant entre les tensions notes
RH, RL, LH et LL, qui sont fournies en entre du circuit.
Cette lectronique tant reproduite pour chaque ligne de la matrice, sa hauteur ne devra pas excder la
hauteur d'un pixel, soit 30m.
bascules
switchs
30 m
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
VDD
Vd
Vpix
CGDT
Cd
Vcol
VSS
icol
Afin d'augmenter le gain du pixel et de rduire son bruit temporel, il a t dmontr dans le
chapitre 3 que la photodiode fabrique partir d'un caisson N sur un substrat de type P est la mieux
adapte pour l'application qui nous intresse. Elle possde avant tout la plus faible capacit surfacique,
et a en outre un bon rendement quantique (environ 40% entre 0.5m et 0.8m) et un faible courant
d'obscurit.
En revanche, sa fabrication impose de respecter un espace important entre cette diode et les transistors
de l'lectronique du pixel (rgles de dessin fixes par la technologie employe), ce qui rduit
significativement le facteur de remplissage du pixel.
La figure ci-dessous montre clairement la distance minimum qu'il a fallu respecter autour de la zone
photosensible.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
lignes
R, L, S, Vreset,
VDD, VSS
colonnes
photodiode
caisson N
388 m
Facteur de remplissage
Capacit d'intgration Ci
388 m 7 nF/cm = 27 fF
Courant d'obscurit
Facteur de conversion FC
q
= 5.9 V/eCi
Bruit de lecture
kT 1
= 66 e- rms
C i FC
Les valeurs de 42%, 7nF/cm, et 361pA/cm ont t mesures exprimentalement pour une photodiode
caisson N dans le chapitre 3.
Les autres paramtres caractristiques (dynamique, vitesse de lecture, ) sont principalement
dtermins par les amplificateurs de colonne, que l'on verra par la suite.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Vreset
VDD
L
COX
T
diff N
Vpix
CGDT
sub P
Vcol
icol
Il est noter quon a supprim ici le transistor de passage not TR dans la figure 3.2, afin dacclrer
le transfert des lectrons sur la sortie. En effet, la technique communment employe consiste faire
basculer la grille du photoMOS jusqu la limite de conduction de ce transistor, ce qui nous amne
allonger significativement le temps de transfert. Si lon veut utiliser la technique du CDS, il est
ncessaire que ce temps soit relativement court afin de ne pas pnaliser la vitesse de lecture dune
trame.
Linconvnient li la suppression de ce transistor est que la capacit de loxyde COX se retrouve ainsi
en srie avec la capacit de sortie CGDT (voir figure ci-dessus). On peut donc sattendre des offsets
importants lors du basculement de la tension de grille L.
Dans notre cas, on va tcher de limiter ces offsets en rduisant lamplitude du basculement de la
tension L comme il est expliqu dans la partie 4.2.2 B) .
La figure suivante illustre le dessin du pixel standard photogrille.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
lignes
R, L S, Vreset,
VDD, VSS
photogrille
diffusion N
recouverte de
polysilicium
colonnes
605 m
Facteur de remplissage
Capacit d'intgration Ci
Courant d'obscurit
Facteur de conversion FC
Bruit de lecture
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Cint
VDD
Vdiode
Cd
Aop
Iph
Vpix
V+
S
Icol
Lamplificateur oprationnel est ici utilis pour forcer une polarisation constante aux bornes de la
photodiode. En consquence, le courant mis par celle-ci circule dans la capacit qui a t place aux
bornes de lamplificateur. Cette capacit dintgration est ralise par superposition de couches de
polysilicium 1 et 2. On peut ainsi lui attribuer nimporte quelle valeur.
Un transistor de remise zro du signal est plac aux bornes de cette capacit. Le bruit de lecture du
pixel sera principalement caus par le bruit grenaille de ce transistor qui est donn par lquation
(2.14). Ce bruit (exprim en lectrons rms) est proportionnel la racine carre de la valeur de la
capacit dintgration. On a choisi ici de se fixer : Cint = 10 fF.
Ce type darchitecture se retrouve dans la littrature[21] sous le terme damplificateur transimpdance
capacitive, ou Capacitive transimpedance amplifier, CTIA.
REMARQUE Dans cette architecture, le transistor de limitation dintgration, command par la tension
de commutation note L na pas t implant. La lecture de la tension de sortie du pixel se passe donc
pendant lintgration de la lumire par celui-ci, ce qui nous amne chantillonner une tension
variable dans le temps. On a pour cette raison rencontr quelques difficults lors des tests de ce circuit
qui seront dcrits par la suite.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Outre la rduction du bruit de lecture, cette architecture possde les avantages suivants :
Augmentation du facteur de conversion
L'utilisation d'une capacit en polysilicium la place de la capacit parasite de la diode rend le pixel
plus stable dans le temps et moins sensible au rayonnements, du fait que les lectrons sont stocks dans
les couches surfaciques, et non dans le substrat. De plus, l'application d'une tension continue aux
bornes de la diode fait que le point de fonctionnement de celle-ci est toujours constant lors de
l'intgration, ce qui amliore la linarit du capteur.
On peut galement sattendre ce que la bonne stabilit du procd de fabrication sur les couches de
polysilicium amliore les dispersions spatiales des rponses, lorsquon le compare avec la prcision
relative obtenue sur le dopage, et donc la valeur, de la capacit de diode qui se trouve tre llment
critique des architectures classiques.
Anti-blouissement
Dans le cas des pixels standards, une surexposition du capteur provoque une accumulation des
charges dans le substrat, sous la photodiode. Ces charges sont susceptibles de se dplacer vers dautres
pixels, modifiant ainsi leur caractristiques. On parle alors dblouissement du capteur.
Dans le cas prsent, une accumulation de charges dans la capacit ne fait que saturer l'amplificateur.
On peut cependant envisager de raliser un anti-blouissement en jouant sur la valeur haute applique
sur la grille du transistor de Reset. En effet, lors de l'illumination du pixel, la tension de sortie de
lamplificateur va augmenter progressivement. Lorsquelle aura atteint une valeur suffisamment
leve, la tension grille-source du transistor de Reset va faire que celui-ci devienne passant, courtcircuitant la capacit et vacuant ainsi les charges en trop accumules.
La figure suivante montre le rsultat dune simulation effectue en fixant une tension de commande de
grille de 4V, et une tension de Reset gale 4V. La tension de sortie ne pourra pas dpasser 4.35V.
Iph = 100 pA
Iph = 30 pA
Iph = 10 pA
Iph = 3 pA
Iph = 1 pA
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
b. Ralisation
On cherche minimiser le nombre de transistors ncessaires pour limplantation de lamplificateur
oprationnel. Ces transistors devront ncessairement tre intgrs dans le pixel, et donc ils seront
dessins aux dimension minimales.
La premire architecture possible est celle de la figure ci-dessous :
R
Cint
VDD
VDD
Vcapa
Vdiode
V+
Cd
Iph
S
Vpol
Icol
VDD
REMARQUE Pour des raisons de surface, le transistor de Reset est de type N. Il n'est pas ncessaire ici
d'utiliser des transistors P car le point de fonctionnement est fix par la tension 'V+' une valeur
arbitraire. La commande de Reset de ce pixel sera donc inverse para rapport aux autres (niveau
passant 5V, et niveau bloqu 0V).
On a choisit pour ce pixel une photodiode de type P : faible rendement quantique, bonne isolation entre
pixels. Le courant photonique sera dans le sens contraire du courant des pixels diode N.
La mthode employe dans ce cas pour la ralisation de lanti-blouissement est linverse de celle
dcrite prcdemment : lors de lillumination la tension de sortie de lampli diminue ; lorsquelle
devient trop basse, la tension grille-source du transistor de remise zro sera suffisante pour rendre
celui-ci passant, dchargeant ainsi la capacit dintgration.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
lignes
R, S, V+, Vpol,
VDD, VSS
photodiode P
colonnes
452 m
Facteur de remplissage
8% 50% = 4%
10 fF
Courant d'obscurit
Facteur de conversion FC
q
= 16 V/eC int
Bruit de lecture
kT 1
= 40 e- rms
C int FC
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Cint
Vdiode
Cd
VDD
Vcapa
Iph
Vpol
S
Icol
Le point de fonctionnement est fix par la tension Vpol applique sur la grille dun transistor N agissant
comme source de courant. Les tensions dentre et de sortie de lampli sont court-circuites par le
transistor de remise zro du signal une tension proche de 4V.
La photodiode choisie ici est de type N+ (bon rendement quantique, faible surface), ce qui fait que le
courant photonique est dirig de manire faire augmenter la tension de sortie au cours de
l'intgration.
La capacit dintgration est identique au pixel prcdent (capacit poly1/poly2), et donc les valeurs de
bruit de lecture et de facteur de conversion seront identiques.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Figure 4.20 Simulation de la squence de lecture du pixel amplificateur par inverseur CMOS
On peut constater ici que le point de fonctionnement de la photodiode reste relativement stable entre
4.021V et 4.013V, et que la diffrence de potentiel cre par lillumination du capteur se retrouve donc
aux bornes de la capacit dintgration.
On peut estimer ici le gain apport par ltage CMOS :
A CMOS =
(VCAPA )
4.19 3.96
=
= 29
4.013 4.021
(VDIODE )
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
(4.3)
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
lignes
R, S, Vpol,
VDD, VSS
photodiode N
colonnes
597 m
Facteur de remplissage
10 fF
Courant d'obscurit
Facteur de conversion FC
q
= 16 V/eC int
Bruit de lecture
kT 1
= 40 e- rms
C int FC
Ce type de pixel semple donc en thorie le plus mme de rpondre aux spcifications recherches. Il
conjugue en effet une architecture impliquant un bruit de lecture faible et un bon facteur de conversion,
une photodiode de type N+ et une lectronique simple qui permettent un bon facteur de remplissage.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
VDD
Vpix
m1
Pixel
m2
VDD
Icol
m3
VDD
m4
VDD
VDD
VDD
Ipol
m5
m6
Ipol
m11
1.5V
Vcol
VDD
VDD
m13
1.5V
m7
m8
m15
Vcol
m12
Sortie
m14
Suiv
m9
m16
m10
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Les transistors m1 et m2 sont les transistors de transconductance et de slection du pixel (valable pour
n'importe lequel des 4 types de pixels).
Le miroir de courant constitu par les transistors m9 et m10 recre dans le transistor m3 un courant
strictement identique celui de la colonne, grce lasservissement constitu par les transistors m11,
m12, m13, et m14.
Les transistors m1 et m3 tant strictement identiques, on retrouve sur la grille de m3 la mme tension
que celle prsente lintrieur du pixel.
Les paires de transistors m5/m6 et m7/m8 permettent respectivement de polariser le courant (qui vient
sajouter au courant de mesure) et la tension de la colonne de la matrice.
X (7:0)
Out
1
Figure 4.23 multiplexage des sorties
Les interrupteurs analogiques sont constitus de paires de transistors N/P dont les dimensions sont
calcules pour rduire au maximum les offsets louverture.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
page 92
Jrme Goy
4.3
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Tests
Sorties de contrle
Signaux de
commande
Image de test
Ordinateur
Oscilloscope numrique
TDS2150
Objectif
photographique
Carte de test
du circuit
Figure 4.24 Chane dacquisition du signal utilise pour le test du circuit APS
La slection dune fentre de lecture se fait manuellement par les bus dadresse et de donnes du
circuit. Un affichage permet de contrler le bon droulement de la squence de lecture de la trame.
Loscilloscope est utilis pour visualiser les signaux de sortie et pour la conversion
analogique/numrique des paliers dillumination des pixels. Les valeurs sont cods sur 16 bits, entre
32768 et +32768.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Reset
Illumination
Ce type de courbe est obtenu grce la fonction de lecture manuelle de la matrice dcrite la section
4.2.1 C) , cest dire que lon fige les dcodeurs de slection du pixel sur une adresse dtermine.
On sest rendu compte que la sortie ne pouvait tre correctement rendue par les amplificateurs de
colonne que si elle est comprise entre 3.1 Volts et 4.0 Volts. Or louverture du transistor de limitation
du temps dintgration du pixel cre un offset en sortie qui fait basculer le signal en dehors de cette
plage, bien que la diminution de lamplitude de basculement des grilles aie t prvue dans la partie
4.2.2 B) . On ne pourra donc pas utiliser cette fonctionnalit par la suite.
Cet inconvnient na quune porte limite puisque la possibilit de suppression de ce transistor de
larchitecture standard avait t prvue. Le contrle du temps dintgration de la matrice est alors
obtenu non pas en ouvrant le transistor L en fin dintgration, mais en retardant la fin de la remise
zro du pixel, comme illustr sur la figure suivante[20].
t2
t1
Remise zro
t2
t1
Transistor de
limitation L
L(1)
L(2)
Remise zro
(actif ltat bas)
R(2)
R(1)
offsets
Vpix (1)
Sortie du pixel
intgration
de la lumire
Sortie du pixel
Vpix (1)
Vpix (2)
intgration
de la lumire
Vpix (2)
temps
Lecture
temps
Lecture
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
On peut voir dans la figure prcdente que lutilisation du retard de louverture du transistor de Reset
supprime effectivement les offsets, mais en revanche il ncessite de raliser une lecture du signal
pendant lintgration de la lumire par le pixel. Ceci nous amne des variations de rponse sur les
pixels dune mme ligne, car ceux-ci sont remis zro au mme instant (adressage des pixels par
ligne), mais sont lus des priodes dcales dun intervalle de temps gal Tpixel.
t5
........
t4
Matrice APS
t3
t2
t1
Remise zro
(actif ltat bas)
remise zro
1
8
Sortie des pixels
intgration
de la lumire
temps
lecture par
multiplexage des
colonnes
Lecture pixel 1
Lecture pixel 2
Lecture pixel 3
Lecture pixel 4
Lecture pixel 5
........
Les temps dintgration des pixels dune mme ligne sont donc diffrents (voir ci-dessus t1, t2, t3, ),
et limage apparatra donc plus claire sur sa partie droite que sur sa partie gauche.
Pour viter cela, il faut prvoir un systme dchantillonneur-bloqueur synchrone dans chaque
amplificateur de colonne, avant le multiplexage.
Ce systme na pas t prvu dans le cas du circuit qui a t fabriqu, et on a d corriger par un
traitement informatique les erreurs lies aux variations de temps dintgration.
acquisition dune image noire (sous obscurit) pour connatre les offsets induits par les pixels
acquisition de limage que lon veut visualiser
soustraction des deux images
correction des temps dintgration des pixels par multiplication dun coefficient li au numro de
colonne de chaque pixel.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
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Les courbes suivantes montrent la sortie de chaque pixel telle quelle est dlivre par le convertisseur
analogique-numrique dans le cas de la lecture dune matrice de 10 10 pixels.
5000
noir = 0
-5000
-10000
-15000
-20000
blanc = -25000
-25000
-30000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Pixel
On voit nettement ici une forme en 'dent de scie' sur limage blanche due au fait que le temps
dintgration des pixels de la colonne de gauche est infrieur celui des pixels de la colonne de droite.
-20000
-25000
-30000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
90
100
Pixel
-20000
-25000
-30000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Pixel
Le traitement appliqu a clairement uniformis les rponses des pixels, diminuant ainsi les nonuniformits de limage.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Figure 4.31 Image dorigine / Image brute dlivre par le capteur / Image aprs traitement
Malgr lamlioration apporte par ce traitement, on voit quil subsiste des non-uniformits. Nous
allons maintenant identifier ces non-uniformits et les quantifier.
REMARQUE Les parties suivantes dcrivent le procd de mesure uniquement mais ne donnent pas de
valeur numrique. Lensemble des rsultats obtenus a t regroup en fin de chapitre pour permettre
une meilleure comparaison des performances de chaque architecture de pixel.
Vreset
offset 2
offset 1
gain 2
gain 1
temps
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Les origines des non-uniformits du capteur APS sont montres dans la figure suivante.
V reset
Transistor de Reset :
non-uniformit doffset louverture
VDD
L
Vd
Transistor de transconductance :
non-uniformit doffset et de gain
Vpix
CGDT
Cd
VSS
Photodiode :
non-uniformit de gain
Pixel
Icol
m3
Amplificateur
de colonne
VDD
m4
VDD
VDD
VDD
Ipol
m5
m6
m11
1.5V
Vcol
VDD
Ipol
VDD
m13
1.5V
m7
m8
m15
Vcol
m12
Sortie
m14
Suiv
m9
m16
m10
Les non-uniformits cres par des transistors utiliss en mode analogique peuvent tre dues :
une variation des dimensions de la grille : W et L
une variation du facteur de gain : KP
une variation de la tension de seuil : VT
Les transistors utiliss comme interrupteurs (par exemple R et L) crent des non-uniformits doffsets
lorsquils souvrent (voir partie 2.1.1 B) d. ) en raison de la variation spatiale des valeurs de leurs
capacits grille-source et grille-drain.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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La suite de ltude des dispersions spatiales des rponses va se dcomposer comme suit :
quantification et identification des non-uniformits dues la reproduction de la tension du pixel Vpix
par lensemble constitu du transistor de transconductance et des amplis de colonne
dfinition dune mthode de correction de ces non-uniformits afin de les supprimer des
mesures suivantes
quantification et identification des non-uniformits causes par la variation de la capacit
dintgration et par louverture du transistor de reset.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Figure 4.34 Bruit spatial (Fixed Pattern Noise) cr par la reproduction de la tension du pixel
par lensemble constitu du transistor de transconductance et de lamplificateur de colonne
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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En soustrayant limage moyenne de limage dorigine, on obtient les non-uniformits cres par la
variation des caractristiques des transistors de transconductance des pixels.
moyenne sur chaque colonne
On constate que limage de droite apparat plus claire sur le haut et plus fonce sur le bas. Ceci est d
au fait que plus les pixels sont loigns des amplificateurs de colonne, plus la concordance entre les
transistors T et m3 est difficile.
Lidentification prcise de lorigine des non-uniformits est importante car les variations causes par
les amplificateurs de colonne peuvent tre corriges par Double Delta Sampling, comme il est dcrit
dans la section 2.2.3 .
La valeur numrique du bruit spatial montr ci-dessus nest pour linstant pas rvlatrice car elle est
exprime en units donnes par le convertisseur analogique-numrique de sortie. Pour la quantifier, il
faut dabord pouvoir faire la correspondance entre la variation de tension Vpix et la variation de la
tension de sortie.
Ceci est obtenu en acqurant plusieurs images pour diffrentes valeurs de la tension de remise zro du
pixel Vreset, tout en maintenant la matrice entire de pixel en mode de Reset permanent (Vpix = Vreset).
Pour Vreset variant de 3.1V 4.0V par pas de 0.1V, on obtient la figure suivante.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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30000
25000
4.0V
20000
3.9V
15000
= 580
3.8V
10000
3.7V
5000
3.6V
3.5V
-5000
3.4V
-10000
3.3V
-15000
3.2V
3.1V
-20000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Pixel
Figure 4.36 Tension de sortie du CAN pour chaque pixel et pour diffrentes valeur de la tension Vreset
On peut grce ces mesures reconstituer la valeur de la tension Vpix de chaque pixel.
Si le convertisseur analogique-numrique dlivre par exemple la valeur 7000 pendant la lecture du
pixel numro 48, on peut ainsi savoir que la tension Vpix de ce pixel vaut environ 3.73 Volts, comme
illustr ci-dessus.
De la mme manire, on peut dterminer que lcart-type des rponses obtenu pour la valeur de la
tension Vreset gale 3.8V, soit = 580 units, correspond une variation de la tension Vpix de 10.9
mV.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Pour les mesurer, on acquiert une image sous obscurit, ou bien avec un temps dintgration nul, et une
autre image sous illumination uniforme.
Les deux images telles quelles sont obtenues en sortie du CAN sont ensuite interpoles daprs la
mthode dcrite prcdemment pour obtenir leur quivalent en terme de variation de la tension du
pixel. On corrige ainsi intgralement les non-uniformits provoques par lensemble (transistor de
transconductance + ampli colonne). Les non-uniformits mesures ne proviennent alors plus que du
pixel proprement dit.
tension du pixel
Vreset
offset
image "noire"
gain
image "blanche"
temps
Les non-uniformits doffset cres par louverture du transistor de remise zro du pixel sont donnes
par limage sous obscurit.
Les non-uniformits de gain cres par la variation de la valeur de la capacit parasite de la photodiode
sont donnes par la soustraction de limage sous illumination par limage des offsets.
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VDD
Cint
R parasite
VDD'
VGSm1
Vdiode
Cd
Iph
m1
Vcapa
T
g
Vpol
m2
S
Icol
A la fermeture du transistor de slection du pixel S c, la tension Vcapa agit sur la grille du transistor de
transconductance T pour faire circuler un courant Icol dans la colonne.
Or ce courant cre une lgre chute de la tension dalimentation VDD d due la rsistance des lignes
de mtal. La tension dalimentation du pixel devient alors VDD' = VDD R Icol.
Cette chute de tension se retrouve sur la tension de diode Vdiode e du fait que la tension grille-source
du transistor m1 varie peu en raison de sa polarisation en courant force par le transistor m2. La
variation de la tension Vdiode cre alors un flux de charges entre les capacits Cd et Cint f qui amplifie
la chute de tension sur Vcapa g dun facteur gal Cd / Cint 15.
La baisse de Vcapa amplifie ainsi la valeur du courant de colonne, qui augmente encore la chute de la
tension VDD', et ainsi de suite.
On obtient finalement une saturation de la tension Vcapa une valeur proche de VSS.
Lors de la conception du circuit, la chute de tension de lalimentation VDD avait t anticipe et
calcule, mais lenchanement de ces consquences tait difficilement prvisible.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Cependant, il a t ajout au circuit fabriqu un ensemble de 3 colonnes de 128 pixels bass sur
larchitecture prcdente mais possdant une sortie en tension. Le problme prcdent est alors rsolu.
R
VDD
Cint
VDD'
VGSm1
Vdiode
Cd
m1
Vcapa
Iph
m2
Vpol
Vcol
Figure 4.40 Architecture du pixel amplification par inverseur CMOS avec sortie en tension.
Lorsque le transistor de slection du pixel S est ferm, la tension Vcapa est transmise sur la colonne
Cest sur ces 3 colonnes quont port les mesures effectues sur cette architecture, dont le principe
consiste intgrer le courant photonique dans une capacit en polysilicium.
Nous allons donc maintenant pouvoir comparer les deux architectures afin dvaluer leur qualits et
leurs dfauts respectifs.
Dans ce cas de figure, les non-uniformits sont causes :
par la remise zro du pixel, dont la valeur sera gale VDD' VGSm1. Les dispersions des
caractristiques analogiques de m1 (tension de seuil, facteur de gain, dimensions de grille) vont
faire que ce palier de remise zro ne sera pas uniforme pour tous les pixels, contrairement
lhypothse mise sur les pixels architecture standard (voir page Erreur ! Signet non dfini.).
par loffset cr louverture du transistor de reset, de la mme manire que dans le cas prcdent
par les variations spatiales de la capacit dintgration Cint, qui cre un non-uniformit de gain.
Les mesures sont cette fois obtenues partir de trois images qui sont mutuellement soustraites, comme
illustr ci-dessous.
tension du pixel
Vreset
gain
image "blanche"
temps
Figure 4.41 Mthode de calcul du palier de reset, de loffset et du gain de chaque pixel
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Le fait que ces pixels soient quips dune sortie en tension plutt quune sortie en courant
supprime les consquences de la chute de tension dalimentation (cest dire linstabilit du pixel),
mais il nen reste pas moins la prsence dune rsistance parasite sur la ligne dalimentation.
Lors de la remise zro des pixels, les tensions Vdiode et Vcapa sont court-circuites une valeur gale
VDD' VGSm1 = VDD R Ipol m2 VGSm1, qui varie selon le numro de ligne du pixel (la tension
dalimentation est fournie par le haut de la matrice de pixel).
On obtient le trac sur loscilloscope montr ci-dessous.
tot
pixels "bas"
niveau
de
reset faible
pixels "hauts"
niveau de
reset lev
pix
Figure 4.42 Paliers de remise zro des pixels amplification par inverseur CMOS
La caractrisation des non-uniformits des paliers de remise zro t calcule pour deux cas de
figure :
mesure du bruit spatial brut des pixels tel quil apparat en sortie du circuit : tot
mesure du bruit spatial des pixels si lon tient compte de la chute de la tension dalimentation, en
calculant lcart-type des pixels autour de leur rgression linaire : pix.
On cherche ainsi distinguer les imperfections du circuit qui seront corriges dans une future version,
en surdimensionnant les lignes dalimentation, des imperfections propres larchitecture du pixel
choisie (pix).
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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tension du pixel
remise zro du
pixel
remise zro du
pixel
intgration
de la lumire
intgration
de la lumire
temps
"Gel" de la tension du pixel une
valeur alatoire lors de louverture
du transistor de reset
Figure 4.43 Origine du bruit de lecture
Les deux paliers de remise zro ntant pas identiques entre deux lectures successives, on aura en
sortie des niveaux diffrents, bien que lillumination du circuit soit constante.
Pour quantifier le bruit de lecture, on procde un grand nombre de lectures de paliers successifs dun
mme pixel. Afin de rduire le bruit ajout par la chane dacquisition du signal, on procde un
moyennage temporel de la tension sur la priode de temps qui suit louverture du transistor de reset.
On amliore ainsi considrablement la prcision de la lecture.
Il est noter que le moyennage temporel effectu supprime le bruit induit par les appareils de mesure
(amplificateurs, CAN) mais ne supprime pas le bruit de lecture que lon cherche mesurer, car on
ne fait ici que lisser le palier de reset, sans chercher observer directement le bruit prsent pendant la
phase de remise zro.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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le bruit que lon voit ici nest d
quaux appareils de mesure
rduit par moyennage temporel
signal de synchro
trame
h
g
h
g
h
g
Figure 4.44 Observation du bruit de lecture des pixels : lecture dune fentre de 2 3 pixels
remise zro du
signal
intgration de la
lumire dans la
diode de sortie
offsets apparaissant
lors du basculement
de la tension de grille
quantit de charges
stockes sous la
grille pendant
lintgration de la
lumire
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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La valeur du bruit de lecture cr par le transistor de reset est donn, de la mme manire que pour
un pixel classique, par la lecture du palier suivant la remise zro c.
La technique du CDS, quand elle, consiste soustraire les valeurs avant et aprs le transfert des
charges. On mesure donc un lger bruit temporel provenant du basculement de la grille.
tension
Nous avons pour cela ici fig la squence de lecture sur un pixel particulier, en utilisant le mode de
lecture manuel prvu pour le circuit (voir partie 4.2.1 C) ), et nous avons effectu une soustraction des
paliers d et e par traitement informatique.
temps
Lensemble de ces mthodes nous donne donc le bruit de lecture de chaque architecture de pixel
exprim en Volts rms. Pour le convertir en lectrons rms quivalent, il convient de le diviser par le
facteur de conversion.
(4.4)
(4.5)
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
= 2phV + 2L
= Fc2 e2 + 2L
= Fc2 n e + 2L
= Fc Vs + 2L
(4.6)
2,5
1,5
0,5
0
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
Figure 4.47 Calcul du facteur de conversion de larchitecture pixel standard, diode standard caisson N
La pente obtenue nous donne le facteur de conversion de ce type darchitecture de pixel. La valeur
dorigine est le bruit de lecture qui a t calcul dans la partie prcdente.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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1 n y i ri
lin = 100% 1
n i =1 y i
yi :
ri :
n:
(4.7)
On voit sur les graphes prcdents que dans le cas du pixel standard (figure de gauche) la droite de
rgression linaire est parfaitement confondue avec la rponse du pixel. Dans le cas du pixel
amplification par inverseur CMOS (figure de droite) on peut observer un lger dcalage entre les deux
courbes. Ce dcalage est cependant trs faible et on peut dire quon a ici une trs bonne linarit dans
les deux cas.
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Figure 4.49 Variation de la tension de sortie une frquence de lecture des pixels
de 10kHz (gauche) et 100kHz (droite)
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Dans un second temps, on sest attach quantifier les non-uniformits apportes par la
reproduction du signal dans le transistor de transconductance T et les amplificateurs de colonne (voir
figure 4.33). Lerreur induite par cette reconstitution du signal cre des non-uniformits doffset et de
gain, donns dans les lignes 5 10 du tableau.
Dans chaque cas (offset et gain), on caractrise les non-uniformits totales (tel quillustr sur la figure
4.34), puis on cherche quantifier la part qui est due la variation des caractristiques du transistor T
du pixel (lignes 6 et 9) par rapport celle due aux transistors m3 des amplificateurs de colonne (lignes
7 et 10). Pour cela, on utilise la mthode dcrite dans la partie 4.3.2 A) et dans la figure 4.35.
Enfin, les dernires lignes du tableau donnent les valeurs du courant dobscurit, du bruit de lecture, du
facteur de conversion, de la dynamique, de la linarit, et de la vitesse de lecture tels que dcrits dans
les parties 4.3.3 4.3.7 .
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Pixel standard
Photodiode Caisson N
Pixels standard
Photogrille
3,8 V
3,7 V
Ecart-type 1
64,4 mV
Min-Max
145,5 mV
Moyenne
27,5 mV
31,1 mV
-585,2 mV
Ecart-type 2
2,1 mV
21,1 mV
73,5 mV
Min-Max
5,6 mV
60,3 mV
146,4 mV
Moyenne
3,8275 V
3,7311 V
3,4148 V
Ecart-type 3
2,1 mV
21,1 mV
89,8 mV
80,6 mV
Min-Max
5,6 mV
60,3 mV
205,5 mV
153,7 mV
Moyenne
614,0 mV
603,4 mV
541,0 mV
Ecart-type (PRNU)
2,6 mV (0,4%)
7,3 mV (1,2%)
26,9 mV (5,0%)
Min-Max
7,0 mV (1,1%)
17,7 mV (2,9%)
59,2 mV (10,9%)
Moyenne
10
Tension de Reset
Offset louverture du
transistor de Reset
Tension de Reset +
Offset louverture du
transistor de Reset
Gain du pixel
Pixels amplification
par inverseur CMOS
Sortie en tension
total
sans la
chute de la
tension
dalim
4,0 V
h 29,0 mV
74,9 mV
Transconductance : offset
total
Ecart-type
18,2 mV
16,6 mV
Min-Max
47,6 mV
40,1 mV
Transconductance : offset
pixel pixel
Ecart-type
10,9 mV
Min-Max
26,2 mV
Transconductance : offset
colonne colonne
Ecart-type
14,6 mV
Min-Max
26,5 mV
Transconductance : gain
total
Ecart-type
2,9%
2,9%
Min-Max
7,2%
7,6%
Transconductance : gain
pixel pixel
Ecart-type
1,9%
Min-Max
4,6%
Transconductance : gain
colonne colonne
Ecart-type
2,2%
Min-Max
4,2%
Moyenne
9,1 fA
106,3 fA
12,2 fA
Ecart-type (DSNU)
0,9 fA
22,8 fA
1,7 fA
Min-Max
3,0 fA
58,7 fA
3,6 fA
70 81 e- rms
64 78 e- rms
Avec CDS: 25 e- rms
Facteur de conversion
4,8 V/e-
10,2 V/e-
14,7 V/e-
Dynamique
800 mV
800 mV
1000 mV
80.000 e-
70.000 e-
96,8%
Courant d'obscurit
Bruit de lecture
170.000 e98,8%
Linarit de la rponse
c
d
11,8 mV
25,2 mV
11,7 mV
18,9 mV
2,3%
1,7%
5,3%
3,4%
600 kHz
( limite par le multiplexeur de sortie, qui est commun tous les pixels )
Tableau 4.50 Rsultats des tests des 3 types de pixels APS raliss
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
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Pixel 1
Pixel 2
T1
Pixel 1
T2
Pixel 2
T1
T2
/ non linarit
Icol
de la tension
VGS
Icol
Vcol
d
Vcol
Vcol
Vcol
/ ncessaire
reproduction
du signal
M1
M2
miroir de
courant
miroir de
courant
/ temps de charge
des capacits
parasite des
colonnes
Icol
- bonne
Icol
reproductibilit
des suiveurs de
colonne
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Bibliographie
page 118
Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
Bibliographie
page 119
Study, conception and fabrication of an APS image sensor in standard CMOS technology
for low light level applications such as star trackers
In the field of image sensors, the technology called "CMOS sensors" or APS (Active Pixel Sensor) has been
recently developped, based on the integration of MOS transistors within each pixel, whose role is to amplify and
drive the signal throughout metal lines crossing the
image array. The spatial field, in particular, is interested in this technology because of its low sensitivity to
radiations, and because its price and performances are now reaching the one of the best actualCCDs.
This thesis explores the improvements which can be done to the current CMOS sensors in order to facilitate their
use in satellites.
This improvements concern especially the study of the photosensitivepart (photodiode or photoMOS), the choice
of a pixel architecture which could improve the gain and reduce readout noise, and the realization of a sequential
scanning system with possibility of adjustable exposure time and windowing.
In this perspective, several solutions have been realized and tested, and results give a wide idea of the advantages
and drawbacks of each kind of sensor.
Etude, conception, et ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard CMOS
pour des applications faible flux de type viseur d'toiles
Dans le domaine des capteurs d'image est apparu rcemment la technologie dite de "capteurs CMOS" ou APS
(Active Pixel Sensor) qui intgre l'intrieur de chaque pixel quelques transistors MOS chargs d'amplifier et
deconduire le signal le long de lignes de mtal parcourant l'ensemble de la zone image. Le domaine spatial en
particulier s'intresse cette
technologie du fait qu'elle est moins sensible aux radiations que les capteurs CCD, et qu'elle atteint prsent des
cots et des niveaux de bruit de lecture satisfaisants.
Cette thse explore les amliorations qui peuvent tre apportes aux capteur CMOS traditionnels afin de les
rendre plus proches des contraintes requises pour l'utilisation spatiale.
Ces amliorations concernent notamment l'tude de la partie photosensible (photodiode ou photoMOS), le choix
d'une architecture de pixel permettant d'augmenter son gain intrinsque tout en rduisant son bruit de lecture, et
la ralisation d'un systme de balayage de la matrice avec possibilit de fentrage et de temps d'exposition
programmable.
Dans ce cadre, plusieurs solutions ont t fabriques et testes, et les conclusions permettent de dresser une large
vision des avantageset des inconvnients de chaque type de capteur.