FST

BM

lectronique 1

CHAPITRE III
TRANSISTORS BIPOLAIRES
La constitution du transistor bipolaire
La dfinition du BJT
TRANSISTOR = TRANsfer + reSISTOR
Le mot transistor vient du fait
Transistor AMPLIFICATION PAR TRANSFERT

Dun courant dun circuit faible rsistance (Base-metteur)

un circuit haute rsistance (Base-Collecteur).
La reprsentation schmatique du BJT Bipolar Jonction Transistor

Le BJT, un lment trois terminaux

2 Types de transistor :
H.Aissaoui

BJT Type npn

Dcembre 2014

BJT Type pnp

Chapitre 3 Page de 58

FST

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lectronique 1

La dfinition de lmetteur, de la base et du collecteur

~150 mil
~1 mil

~150 mil
~1 mil

E = metteur,
FORTEMENT DOP
B = Base,
LGREMENT DOP et TRS TROITE
C = Collecteur,
MOYENNEMENT DOP
(La plus large des rgions car il dissipe plus de chaleur que le E et le B).

BJT npn 2 couches de n et 1 couche de p

BJT pnp 2 couches de p et 1 couche de n.
Le BJT est un lment ou composant trois lectrodes ou terminaux.
H.Aissaoui

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

FST

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lectronique 1

Le symbole du BJT et les conventions de courants et de tensions

[I E , I C , I B > 0] et [V BE , V CE > 0]
H.Aissaoui

Dcembre 2014

[I E , I C , I B > 0] et [V EB , V EC > 0]
Chapitre 3 Page de 58

FST

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lectronique 1

BJT Type npn

BJT Type pnp

Le fonctionnement du BJT
Le transistor est form de 3 semi-conducteurs avec 2 jonctions.
La diode metteur peut tre polarise en directe ou inverse (2 possibilits).
La diode Collecteur peut tre polarise en directe ou inverse (2 possibilits).

H.Aissaoui

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

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lectronique 1

Dans le fonctionnement du BJT nous pouvons avoir 4 possibilits selon la polarisation du transistor.

JONCTION
BASE-COLLECTEUR
JONCTION
BASEMETTEUR

H.Aissaoui

VBC > 0

VBC < 0

VBE > 0

SATURATION
Rgion active directe
( Interrupteur ferm )
AMPLIFICATION

VBE < 0

Rgion active inverse

BLOCAGE
( Mode rarement utilis
( Interrupteur ouvert )
)

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lectronique 1

AMPLIFICATEUR
Amplification linaire
Le signal de sortie a la mme
frquence que le signal dentre avec une
amplitude plus grande.
Pour le fonctionnement comme un
amplificateur linaire (Classe A)
Polarisation dans la rgion ou zone
active.

Ve(s)

G (s)
-

vs (s)
-

H(s=jw) = ve (s) / vs(s)

INTERRUPTEUR
Interrupteur
Le circuit agit comme un interrupteur laissant passer le signal dentre ou le bloquer.

Interrupteur ON (ferm)
Transistor Satur

H.Aissaoui

Interrupteur OFF (ouvert)

Transistor Bloqu

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lectronique 1

LES CARACTRISTIQUES
Les configurations ou les montages du BJT
La configuration metteur Commun CE (la plus utilise)

En DC

En AC
Tension dentre du ct de la Base
Tension de sortie du ct du Collecteur
Masse du ct de lmetteur

La configuration Base Commune CB

H.Aissaoui

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lectronique 1

En DC

En AC
Tension dentre du ct de lmetteur
Tension de sortie du ct du Collecteur
Masse du ct de la Base
Notes
*Le circuit complet de polarisation et de couplage nest pas montr.
*Cette configuration est utilise comme amplificateur ou interrupteur.

H.Aissaoui

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lectronique 1

La configuration Collecteur Commun CC (rarement utilise)

En DC

En AC
Tension dentre du ct de la Base
Tension de sortie du ct de lmetteur
Masse du ct du Collecteur
Notes
*Le circuit de polarisation et de couplage nest pas montr.
*Cette configuration est utilise pour ladaptation dimpdances et comme amplificateur de
courant et de puissance.
*Gain de puissance = Gain de tension .Gain de courant
(TRS IMPORTANT)

H.Aissaoui

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lectronique 1

Remarques
*Chaque configuration a des caractristiques diffrentes et est utilise pour une application
spcifique ou particulire.
*Tableau de comparaison des configurations

H.Aissaoui

Paramtres

metteur
Commun (CE)

Base
Collecteur
Commune (CB) Commun (CC)

Rsistance
dentre

Moyenne
(~ 3 K)

Faible
(~30 )

Moyenne/Forte
(~3 K)

Rsistance
de sortie

Moyenne
(~10 K)

Moyenne/Forte
(~100K)

Faible
(~100 )

TransConductance
(Io/Vi)

Moyenne
(~- 40 mA/V)

Moyenne
(~40 mA/V)

Non
Applicable

Gain
de tension
(Vo/Vi)

Fort
(~- 200)

Fort
(~200)

Pas de gain
(~1)

Gain
de courant
(Io/Ii)

Fort
(~-200)

Pas de gain
(~1)

Fort
(~200)

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lectronique 1

Les quations de courants du BJT (, , i B , i C et i E )

1.
* est le gain de courant en Base Commune (CB)
* CC =

I CQ

* AC =

ic
I C
VCB constant
=
ie
I E

I EQ

, CC relie le courant du Collecteur au courant de lmetteur.

Notes
*Plus la Base et troite et lgrement dope, plus CC se rapproche 1.
*En pratique CC ~ AC =
*En pratique la valeur de CC est comprise entre 0.95 et 0.99
0.95 < CC < 0.99.

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11

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lectronique 1

2.
* est le gain de courant en metteur Commun (CE)
* CC =
* AC =

I CQ
I BQ

= h FE , CC relie le courant du Collecteur au courant de la Base.

ic
I C
VCE constant = h fe (Dpend du point dopration).
=
ib
I B

Notes
*Dans le BJT Type npn, moins de 5 % (entre 1 et 5) dLECTRONS LIBRES injects se
recombinent avec les TROUS de Base pour produire I B
1
CC Min =
= 20
5%
*En pratique CC ~ AC = ( h FE ~ h fe )
*En pratique la valeur de CC est comprise entre 50 et 500
50 < CC < 500.
3. i B , i C et i E

v BE
)]
VT
v
i
I
*i E ~ CS [exp ( BE )] = C

VT

*i C ~ I CS [exp (

H.Aissaoui

I CS
= I ES
avec
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FST

*i B ~

BM

lectronique 1

v
i
I CS
[exp ( BE )] = C

VT

avec

I CS
= I BS

I C = I E (Majoritaires) + I CBO (Minoritaires)

I C = I C (Majoritaires) + I CBO (Minoritaires)
Notes
*Lorsque I E = 0 I C = I CBO

I B
I
+ CBO
(1 ) (1 )
IC
I
1
1

= IC + C
=1+ =
et =

1
(1 )
I
I C = I B + CBO
(1 )
I E = I C + I B I C = (I C + I B ) + I CBO I C =

H.Aissaoui

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BM

*Lorsque I B = 0 I C =

* I C = I B + I CEO .
* I CEO ~ I CBO .
* TRS IMPORTANT
*v BE = V BE + v be
*i C = I C +i c

H.Aissaoui

lectronique 1

I CBO
= I CEO
(1 )

I C ~ I B
I E = ( 1) I B ~ I C .

(DC+AC).
(DC+AC).

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lectronique 1

Les courbes courant tension (dentre et de sortie) du BJT

1) Les caractristiques entre et sortie
Lobjectif
Savoir les relations qui existent entre
Les tensions dentre et de sortie
Les courants dentre et de sortie
Les caractristiques dentre et de sortie
Caractristiques dentre
Relation entre le courant dentre et la tension dentre pour diffrentes valeurs de tension de
sortie.
Caractristiques de sortie
Relation entre le courant de sortie et la tension de sortie pour diffrentes valeurs de courant
dentre.
2) Configuration metteur Commun (CE)

H.Aissaoui

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H.Aissaoui

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lectronique 1

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lectronique 1

Caractristiques de sortie (npn)

Caractristique dentre (npn)

Base metteur Polarisation directe

Base Collecteur Polarisation inverse.
Avec la courbe caractristiques de sortie on peut calculer les valeurs de CC et AC .

H.Aissaoui

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lectronique 1

Exemple
Calculer CC et AC pour I B = 25 A et V CE = 7.5 Volts.

H.Aissaoui

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lectronique 1

Pour un V CE donne linformation de CC est donne sur la courbe.

Notes
*Pour BJT Type npn
V BE > 0
V CE > 0
I C , I E et I B > 0
*Pour BJT Type pnp
V EB > 0
V EC > 0
I C , I E et I B > 0
3)

Configuration Base Commune (CB)

H.Aissaoui

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BM

lectronique 1

Caractristiques de sortie (npn)

H.Aissaoui

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BM

lectronique 1

Pour un V CB donne linformation de CC est donne sur la courbe.

Caractristique dentre (npn)

Avec la courbe caractristiques de sortie on peut calculer les valeurs de CC ~ AC = I E = 3mA
et V CB = 7.5 Volts
I
3mA
CC ~ AC = = C =
= 1.
IE
3mA
Notes
*Pour BJT Type npn
V BE > 0
H.Aissaoui

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lectronique 1

V CB > 0
I C , I E et I B > 0.
*Pour BJT Type pnp
V EB > 0
V BC > 0
I C , I E et I B > 0.
*La zone sature V CB < 0 (voir la caractristique de sortie).
Configuration Collecteur Commun (CC) metteur-Suiveur

H.Aissaoui

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lectronique 1

Pour la courbe Caractristiques de sortie , elle ressemble celle de la configuration CE (npn) avec le
courant de sortie gal I E et la tension de sortie gale V CE (le courant de contrle est I B ).
Pour la courbe Caractristiques dentre , elle ne ressemble pas celle de la configuration CE (npn).
Notes
*Pour BJT Type npn
V CB > 0
V CE > 0
I C , I E et I B > 0.
*Pour BJT Type pnp
V BC > 0
V EC > 0
I C , I E et I B > 0.
*Cette configuration est un amplificateur de gain de courant ou de puissance.

H.Aissaoui

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FST

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lectronique 1

Le but de la polarisation du BJT,

Cest dassurer :
Le fonctionnement du BJT dans une marge spcifie
La linarit
Lopration infrieure la puissance maximale permise.
Le point dopration

Pour sassurer que le BJT fonctionne un point bien dfini sur la courbe de caractristiques de
sortie, il faut bien polariser le BJT avec une tension et des courants continus. Cette polarisation
dtermine le POINT DOPRATION (Q) ou le POINT DE FONCTIONNEMENT du BJT.

La droite de charge dynamique (ac) et statique (dc) :

Un amplificateur voit 2 charges:
Une charge statique
Une charge dynamique

H.Aissaoui

Droite de charge statique

Point dopration
Droite de charge dynamique
Excursion de v o .
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lectronique 1

* Pour le circuit qui suit :

Pour chaque valeur de I B nous avons un point dopration spcifique Q.
Q Droite de charge Courbe (caractristiques de sortie) pour un I B .

*Pour chaque valeur de R C la droite de charge et le point dopration changent.

H.Aissaoui

Dcembre 2014

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FST

BM

lectronique 1

*Pour chaque valeur dalimentation V CC la droite de charge et le point dopration changent.

H.Aissaoui

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

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FST

BM

lectronique 1

*Pour faire oprer un transistor comme un amplificateur linaire, il faut le polariser presque au
milieu de la zone active.

H.Aissaoui

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

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FST

H.Aissaoui

BM

lectronique 1

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FST

H.Aissaoui

BM

lectronique 1

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

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FST

BM

lectronique 1

Le modle AC petit signal du BJT et les paramtres du BJT :

Le BJT peut tre modlis AC petit signal principalement de 3 faons :
Le modle hybride T (r e ) :
Dans ce modle, la diode metteur est remplace par une rsistance r e dans laquelle circule un
courant I E .
Le modle hybride (r ) :
Dans ce modle, la diode metteur est remplace par une rsistance r dans laquelle circule
un courant I B .
Le modle hybride gnral :
Dans ce modle, le BJT est remplac par un quadriple modle hybride (h 11 , h 12 , h 21 et h 22 ).
Notes :
* r e est la rsistance vue par lmetteur.
* r est la rsistance vue par la Base.
*Dans les 2 modles hybrides T et , les rsistances r e et r dpendent de la valeur du courant
continu I E et I B respectivement, alors que le modle hybride gnral est normalement fourni par le
manufacturier un courant I C et une tension V CE bien spcifiques.
V
V
0.026V
0.026V
* re = T =
et r = T =
.
IE
IB
IE
IB
Trs Important:
re ~
H.Aissaoui

0.026V
et r ~ re
IC
Dcembre 2014

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FST

BM

lectronique 1

*Le BJT est (idalement) une source de courant contrle par le courant de Base (le petit courant
i B contrle le grand courant i C ).
Le BJT est aussi une source de courant contrle par la tension v BE .
La grandeur de la source est gale la trans-conductance multiplie par la tension v BE .
*Calcul de la trans-conductance:
v
v BE
V
)] = I CS [exp ( BE be )] =
VT
VT
VT
v
v
V
i C = I CS [exp ( BE )] [exp ( be )] = I C [exp ( be )]
VT
VT
VT
v
v
Pour v be << V T i C ~ I C (1 + be ) i C = I C + I C ( be ) = I C + i c
VT
VT
v
I
i c = I C ( be ) = g m v be g m = C = i c / v be = trans-conductance
VT
VT

i C ~ I CS [exp (

La trans-conductance = pente de la courbe i c versus v be .

* g m ~ 1/r e .
*Les 2 modles source de courant contrle par un courant (i B ) ou source de courant contrle
par une tension (g m v BE ) sont identiques.

H.Aissaoui

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Chapitre 3 Page de 58

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FST

BM

lectronique 1

Configuration CE :

Configuration CB :

H.Aissaoui

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FST

BM

lectronique 1

Notes :
*Un meilleur modle est dajouter une rsistance r O en parallle avec la source de courant
dpendante.
* r O peut tre calcule partir de la courbe caractristique de sortie :

H.Aissaoui

Dcembre 2014

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FST

BM

lectronique 1

r O = V (Early)/I C et r O est dpendante du courant I B .

V(Early) = intersection de toutes les courbes laxe de V CE .
5.1.1.1.
Le modle hybride (r ) :
Configuration CE :

H.Aissaoui

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Chapitre 3 Page de 58

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FST

BM

lectronique 1

O r = r e
Notes :
*Le modle hybride r est meilleur que le modle hybride r e car lentre et la sortie sont isoles.
*TRS IMPORTANT :
Un lment rsistif sur le chemin de lmetteur est reflt lentre du circuit en le multipliant
par le facteur (r = r e ).
5.1.1.2.

Le modle hybride gnral :

Un quadriple modle hybride est caractris par les paramtres h 11 , h 12 , h 21 et h 22 .

Donc on peut dire que :

h 11 = La rsistance dentre h i
h 12 = Le gain en tension inverse h r
H.Aissaoui

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

35

FST

BM

lectronique 1

h 21 = Le gain de courant h f
h 22 = La conductance de sortie h o

Pour les configurations CE, CB et CC on ajoute les symboles e, b et c chacun de ces paramtres
(exemple pour le CE hie, hre , hfe et hoe).

BJT Type npn en CE

H.Aissaoui

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FST

BM

lectronique 1

BJT Type pnp en CB

Les relations qui existent entre les paramtres hybrides et autres sont :
hie = r = r e
hfe = AC
hib = r e
hfb = - ~ -1
hr ~ 0 h r .V o ~ 0
1/ho>>>
Alors le modle devient :

H.Aissaoui

Dcembre 2014

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37

FST

BM

lectronique 1

BJT Type npn Configuration CE :

Hybride gnral

Hybride

BJT Type pnp Configuration CB :

Hybride gnral

H.Aissaoui

Dcembre 2014

Hybride

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38

FST

BM

lectronique 1

Lanalyse des circuits avec des BJT se divise en 2 parties :

Lanalyse DC ou la polarisation (une polarisation judicieuse est importante pour minimiser
leffet des variations des paramtres)
Lanalyse AC avec un signal dentre variant dans le temps.
Nous allons tudier simultanment lanalyse DC et AC avec diffrentes configurations de polarisation.
5.1.2.
Lanalyse AC et DC des circuits metteur Commun (CE) avec diffrentes
configurations de polarisation :
Toute variation de temprature entrane une variation de. Une augmentation de se traduit par une
augmentation du courant I C et une diminution de la tension V CE (augmentation de la chute de tension
aux bornes de la rsistance R C ) Dplacement du point dopration Q du transistor.
Nous allons montrer quune rsistance R E relie lmetteur et une tension constante V B la Base
assurerons une certaine insensibilit la variation de.
Idalement il faut que le point dopration Q soit prs du milieu de la droite de charge statique (DC)
pour que le dispositif demeure linaire et les fluctuations de tension et de courant ne doivent pas saturer
le transistor ni le bloquer.
Zone active diode metteur en polarisation directe et diode Collecteur en polarisation
inverse.
H.Aissaoui

Dcembre 2014

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39

FST

BM

lectronique 1

Pour lanalyse DC il faut calculer le point dopration ou I CQ , V CEQ .

5.1.2.1.

La polarisation fixe ou de base :

Notes : IMPORTANT
*Dans lanalyse DC les condensateurs de couplage se comportent comme des circuits ouverts.
*Dans lanalyse AC les condensateurs de couplage se comportent comme des courts circuits au
milieu de la bande dopration (pas vrai dans lanalyse de la rponse en frquence).
* Dans lanalyse AC lalimentation est mise la masse.
1) Analyse DC :
H.Aissaoui

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

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FST

BM

lectronique 1

Tous les condensateurs sont remplacs par des circuits ouverts.

V VBE
LKT (Entre) V CC - R B . I B - V BE = 0 I B = CC
RB
V VCE
LKT (Sortie) V CC - R C . I C - V CE = 0 I C = CC
(Droite de charge).
RC
V VBE
I C =. I B =. ( CC
)
V CE = V CC - R C . I C
RB
Point dopration (I CQ et V CEQ ).

Notes :
*Le courant I C est directement dpendant de .
*La tension V CE est dpendante de la rsistance R C .
* Dans la zone active la tension V BC est ngative (polarisation inverse).
* I C sat =

H.Aissaoui

VCC
.
RC

Dcembre 2014

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FST

BM

lectronique 1

Dans cette configuration une variation de entrane une augmentation de I C .

Le courant I C est directement li . Donc le circuit ne prsente aucun moyen de compensation. Par
contre les composants de polarisation sont peu nombreux et simples (utilis dans les circuits
numriques).
Exemple pratique simple de circuit polarisation fixe :

H.Aissaoui

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

42

FST

BM

lectronique 1

2) Analyse AC :

H.Aissaoui

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

43

FST

BM

lectronique 1

*Z i = R B // (re )
Z i = (re) pour R B 10 (re)
*Z o lorsque lentre est en court-circuit
Z o = R C // r o
Z o = R C pour r o 10 R C
*A v =
Sortie :
Loi dOhm
I c = .I b
H.Aissaoui

Vo
Vi
V o = - I c (R C //R L )
V o = - . I b .(R C //R L )
Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

44

FST

BM

lectronique 1

Entre:
Ib =

Vi
re

V o = - .

R C // R L
Vi
. (R C //R L ) A v = Vo = re
re
Vi

Cas o R L ~ A v sans charge = -

A v avec charge R L = -

RC
re

R C // R L
re

pour r o 10*(La plus grande valeur de R C et R L ).

A v sans charge = -

RC
re

pour r o 10 R C .

Io
Ri
R C // R L
*A i = I = A v
= {[].[(.re) ]}/ R L
RL
re
i
H.Aissaoui

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Chapitre 3 Page de 58

45

FST

BM

lectronique 1

Pour R C >> R L A i = -.
Notes :
* est absent dans lexpression de A v .
*r e dpend de I C qui son tour dpend de .
5.1.2.2.
La polarisation stabilise par lmetteur ou par raction dmetteur :

1) Analyse DC :
Tous les condensateurs sont remplacs par des circuits ouverts.
LKT (Entre) V CC - R B . I B - V BE - R E . I E = 0
I E = (+ 1). I B ~ . I B
H.Aissaoui

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

46

FST

BM

lectronique 1

VCC VBE
R B R E
LKT (Sortie) V CC - R C . I C - V CE - R E . I E = 0
IE ~ IC
V VCE
I C = CC
(Droite de charge)
RC RE
V VBE
I C =. I B =. ( CC
)
V CE = V CC - (R C + R E ). I C
R B R E
Point dopration (I CQ et V CEQ ).
IB=

Notes :
*Dans lexpression du courant I B , on remarque que la rsistance R E est rflchie lentre par
R E (TRS IMPORTANT).

H.Aissaoui

Dcembre 2014

Chapitre 3 Page de 58

47

FST

BM

lectronique 1

*Lorsque change, le courant I C change avec lexpression de

VCC VBE
VCC VBE
I C = (
) ou I C = ( R
)
B
R B R E
RE

*I C sat =

VCC
.
RC RE

*Dans cette configuration, lorsque la temprature augmente

augmente I C augmente V E augmente
Le courant dans R B doit diminuer
I B diminue I C diminue compensation
Pour que la compensation soit efficace, il faut que R E soit beaucoup plus grande que R B / .
2) Analyse AC :
H.Aissaoui

Dcembre 2014

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48

FST

BM

lectronique 1

*Z i
Z b ~ r e + R E

Z b ~ (r e + R E ) avec r o trs grande

Normalement R E >>> r e Z b ~ R E
Z i = R B // Z b = R B // (R E )
Z i = R B // (R E )

H.Aissaoui

Dcembre 2014

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49

FST

BM

lectronique 1

Z i = R B // R E
*Z o lorsque lentre est en court-circuit
Zo= RC
avec r o trs grande
V
*A v = o
Vi
Sortie :
Loi dOhm
V o = - I C (R C //R L )
I C = . I B
V o = - . I B . (R C //R L )

avec r o trs grande

Entre:
IB =

Vi
V
V
R // R
~ i V o = - . i . (R C //R L ) A v = Vo = - C L
Zb
R E
R E
RE
Vi

Cas o R L ~ A v sans charge = -

H.Aissaoui

RC
.
RE

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FST

BM

lectronique 1

A v avec charge R L = -

R C // R L
RE

pour r o 10*(La plus grande valeur de R C et R L ).

A v sans charge = -

RC
RE

pour r o 10 R C .

Io
Ri
*A i = I = A v
.
RL
i
Notes :
* est absent dans lexpression de A v .
*r e dpend de I C qui son tour dpend de .

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FST

5.1.2.3.

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BM

lectronique 1

La polarisation par diviseur de tension :

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52

FST

BM

lectronique 1

1) Analyse DC :
Tous les condensateurs sont remplacs par des circuits ouverts.
Thorme de Thvenin quivalent de Thvenin
E Th = V TH = V CC (

R2
) = V BB
R1 R 2

R 1R 2
= R B =R BB
R1 R 2
LKT V TH - R TH . I B - V BE - R E . I E = 0
I E = (+ 1). I B ~ . I B
R Th =R TH = R 1 //R 2 =

IB=

VTH VBE
V V
= BB BE
R TH R E
R TH R E

LKT V CC - R C . I C - V CE - R E . I E = 0
IE ~ IC
V VCE
I C = CC
(Droite de charge statique)
RC RE
I C =. I B =. [

VTH VBE
]
R TH R E

V CE = V CC - (R C + R E ). I C

Point dopration (I CQ et V CEQ ).

Notes :
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53

FST

BM

lectronique 1

*Lorsque change, le courant I C change avec lexpression de

VTH VBE
] .
R TH R E
V VBE
= BB
RB
RE

I C = I B =. [
IC =

VTH VBE
R TH
RE

TRS IMPORTANT.

VCC
.
RC RE
*Important :
Lorsque R TH 0.1 R E ou R E 10R TH alors la tension V TH = V BB sera approximativement gale
V B et le courant I C sera indpendant des variations de .
V
V VBE
(I B est ngligeable) I E ~ I C I E ~ I C = E = B
RE
RE
I C indpendant de .
Il y a une compensation complte la variation de lorsque R E est beaucoup plus grande que
R B / ou lorsque R TH =R B 0.1 R E .
Cette condition est importante et elle permet de faire une analyse approximative obtenant des
rsultats satisfaisants.
*I C sat =

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BM

*R 1 =

lectronique 1

VCC
RB
R B et R 2 =
V
VBB
1 BB
VCC

V TH = V BB et R TH = R B connues R 1 et R 2 calcules.
2) Analyse AC :

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FST

BM

lectronique 1

*Z i
Z i = R B // r e
R B = R 1 //R 2 =

avec r o trs grande

R 1R 2
R1 R 2

Z i = R 1 //R 2 //r e =

R 1R 2
// r e
R1 R 2

Z i = (re) pour R B 10 (re)

Sans C E Z i = (r e + R E ) car R E rflchie vers la base est gale R E .
*Z o lorsque lentre est en court-circuit
Z o = R C // r o
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FST

BM

lectronique 1

Z o ~ R C Pour r o 10 R C
V
*A v = o
Vi
Sortie
Loi dOhm
V o = - I c (R C //R L )
I c = . I b
V o = - . I b . (R C //R L )

avec r o trs grande

R C // R L
Vi
. (R C //R L ) A v = Vo = re
re
Vi
R // R L
R // R L
Sans C E A v sans condensateur = - C
~- C
re R E
RE
RC
Cas o R L ~ avec C E A v sans charge = re
R C // R L
A v avec charge R L = re

Entre: I b =

Vi
re

V o = - .

pour r o 10*(La plus grande valeur de R C et R L ).

A v sans charge = *A i =

RC
re

pour r o 10 R C .

Ri
R C // R L
Io
= Av
= {[].[re]}/ R L
RL
re
Ii

Pour R C >> R L A i = -.
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BM

lectronique 1

Notes :
* est absent dans lexpression de A v .
*r e dpend de I C qui son tour dpend de .
*Juste pour la polarisation stabilise par lmetteur ou par raction dmetteur le gain A v sans
R
charge ~ - C pour les autres le gain
RE
R
A v sans charge ~ - C .
re

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