1. RAIOS-X
Figura
1:
localizao
dos
raios
subdivises
no
espectro
eletromagtico.
Fonte:
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/b7/X-ray_applications.svg/1000px-X-ray_applications.svg.png.
2. PRODUO DE RAIOS-X
onde
eltrons
eram
produzidos
em
um
filamento
incandescente
Figura 2: Ilustrao do processo de obteno de raios-x por tubos de raios-X padro (primeira figura a esquerda), e por
rotao do anodo (segunda figura a direita). O espectro de energia de um tubo de raios-X mostra que possui linhas de
fluorescncia superpostas por uma radiao bremsstralung contnua. Fonte: J. Als-Nielsen, D. Mcmorrow, Elements of
Modern X-ray Physics.
Figura 3: Ilustrao do processo de obteno de raios-x Anel de Armazenamento Sncrotron. Fonte: J. Als-Nielsen, D.
Mcmorrow, Elements of Modern X-ray Physics.
Figura 4: Radiao pela insero de um dispositivo a- um undulator b- um wiggler. A diferena na performance destes
dispositivos se deve diferena nos ngulos mximos das oscilaes dos eltrons no plano horizontal. Fonte: J. AlsNielsen, D. Mcmorrow, Elements of Modern X-ray Physics.
3. RADIAO SNCROTRON
colimao do feixe (dada em mili radianos=mrad). Isto descreve quanto o feixe est
divergindo, ao se propagar. Em terceiro, considera-se a rea da fonte (mm2), por sua
relevncia para focar o feixe. E finalmente, existe a relevncia da distribuio espectral.
Algumas fontes de raios-X produzem espectros bem suaves, outras tm picos at certas
energias dos ftons. Ento ao se comparar a brilhancia de diferentes fontes, importante
considerar qual a faixa de energia dos ftons que est contribuindo para medida de
intensidade. convencionado ento definir a faixa de energia do fton como a energia
relativa fixa da largura de banda (BW), a qual foi escolhida em 0,1%. Juntando estes
aspectos, define-se a brilhancia como:
Brilhancia
ftons / s
(mrad ) (mm2 rea )(0,1% BW )
2
(eq. 1)
A mquina atual chama-se UVX, possui 30m de dimetro e opera com uma energia
de 1,37 GeV. Atualmente, o laboratrio possui 15 linhas de luz em operao disponveis
para a comunidade cientfica, cobrindo energias desde alguns eV at dezenas de keV.
Metade as linhas de luz dedicada ao estudo estrutural de materiais e molculas, e so
divididas em trs grupos: Difrao de Raios X (linhas de luz XRD1, XRD2 e XPD),
Cristalografia de Macromolculas (linhas de luz MX1 e MX2) e Espalhamento de Raios X
a Baixo ngulo (linhas de luz SAXS1 e SAXS2). A outra metade das linhas dedicada
espectroscopia dos materiais, ou seja, a interao dos raios X com a matria. Essas
linhas so divididas em dois grupos: Espectroscopia de Absoro e Fluorescncia de
Raios X (linhas de luz XRF, XAFS1, XAFS2 e DXAS) e Espectroscopia de UV e Raios X
Moles (linhas de luz PGM, SXS, TGM e SGM).
H quatro anos, uma nova fonte de luz, batizada de Sirius, est em
desenvolvimento. A nova mquina ter aproximadamente 165m de dimetro e operar
com uma energia de 3,0 GeV. O projeto colocar o Brasil na linha de frente dos
aceleradores sncrotron do mundo.
a)
b)
Figura 7: a) Ilustrao das linhas do LNLS; b) Ilustrao do Projeto Sirius.
(i) Soft X-Ray Spectroscopy (SXS): Tem como fonte um bending magnet e opera na faixa
dos raios-X moles, de 900 a 5500 eV. Possui monocromadores de cristais duplos de
diversos materiais (Si, Be, InSb e YB66) e resoluo entre 0,5 eV e 0,9 eV. adequada
5.1 Teoria
A equao que governa este fenmeno no nada mais do que uma equao de
conservao de energia, escrita como:
Ec h
(eq. 2)
Em que Ec, e so, respectivamente, a energia cintica mxima com a qual um eltron
pode ser ejetado, a frequncia da luz incidente e a funo trabalho do material, e h a
constante de Planck.
Assim como os eltrons esto presos aos tomos com energias de ligao bem
definidas (os nveis de energia 1s, 2s, 2p, 3d... estudados em Qumica), os eltrons nos
slidos so separados em bandas de energia. Aqueles com maior energia de ligao
formam o nvel interno, e os de menor energia de ligao formam a banda de valncia.
Esta ltima a banda responsvel pelas propriedades eltricas, magnticas, etc. do
material. O ltimo eltron ligado ao material define o Nvel de Fermi (EF).
Ento, em slidos, o processo da fotoemisso pode ser dividido em trs etapas
sucessivas: (i) absoro de um fton de energia h , criando um fotoeltron e um buraco;
(ii) transporte do fotoeltron at a superfcie; (iii) ejeo do fotoeltron do material. O
eltron pode ser ejetado tanto de um nvel interno como da banda de valncia. A equao
3 e a Figura 3.1 ilustram os processos envolvidos na fotoemisso de raios X.
N h N 1 e
Em que
(eq. 3)
a funo
Figura 9: Diagrama dos processos envolvidos na tcnica de espectroscopia de fotoemisso de banda de valncia e de
nvel interno. Ftons de energia h incidem sobre uma amostra e ejetam eltrons com origem tanto em nveis internos,
quanto na banda de valncia. Processos inelsticos do origem ao background.
(eq. 4)
a energia do fton
de Fermi a seguir:
(3.3)
em que
( )e
fotoemisso, a funo de onda do estado final pode ser decomposta no eltron ejetado,
representado por uma onda plana
correspondentes aos estados finais possveis, como nas equaes 3.4 e 3.5.
(3.4)
(3.5)
Aps o eltron ser ejetado do material ele coletado por um analisador que conta
o nmero de eltrons que saem do material em funo da sua energia cintica (Fig. 10).
O experimento consiste na contagem do nmero de eltrons ejetados da amostra em
funo de sua energia cintica. A partir da equao de conservao de energia,
possvel saber a energia de ligao do eltron no material, como representado na Figura
9. Finalmente, o sinal detectado no experimento
em que
a energia do m-
XAS pode ser aplicado no apenas no apenas a cristais, mas tambm a materiais que
possuem pouca ou nenhum ordenamento de longo alcance: sistemas amorfos, vidros,
quasi-cristais, filmes desordenados, em estudos biolgicos, biofsicos, mdicos,
engenharia, cincia dos materiais e geologia.
A quantidade bsica medida com XAS o coeficiente de absoro (E) de raio-X,
que descreve quo fortemente os raios-x so absorvidos como funo da energia E dos
raios-X. Geralmente (E) decresce suavemente medida que a energia aumenta, ou
seja, o raio-X torna-se mais penetrante. Entretanto, em energias especificas que so
caractersticas dos tomos no material, existem aumentos abruptos denominados bordas
de absoro. Esses valores de energia correspondem aos valores das energias de
ligao dos eltrons nas camadas eletrnicas de um dado elemento, sendo estas
chamadas de borda K, borda L, etc., correspondendo camada K, camada L, etc.
O termo XAS amplo e compreende diversas tcnicas diferentes: XAFS (X-ray
Absorption Fine Structure) e esta pode ser dividida em EXAFS (Extended X-ray
Absorption Fine Structure) e XANES (X-ray Absorption Near Edge Structure), NEXAFS
(Near Edge XAFS), e SEXAFS (Surface EXAFS). Embora a fsica bsica destas tcnicas
seja fundamentalmente a mesma, diferentes aproximaes, tcnicas, terminologias, e
aproximaes tericas podem ser empregadas em diferentes situaes, particularmente
em regimes de baixa energia (raio-X mole) e alta energia (raio-X duro). Neste curso
abordaremos especificamente a tcnica XAFS dando nfase para EXAFS.
Figura 12: Ilustrao esquemtica da absoro de um fton por um tomo seguida da interao das funes de onda do
fotoeltron espalhado pelos tomos vizinhos com o fotoeltron emitido pelo tomo absorvedor.
(eq.6)
Onde (E) o coeficiente de absoro e E a energia do fton incidente. Em quase todas
as energias de raio-x, o coeficiente de absoro uma funo suave da energia, com um
valor que depende da densidade da amostra , nmero atmico Z e nmero de massa A,
conforme a relao:
Z 4
AE 3
(eq.7)
Figura 13: Ilustrao do sinal XAFS pelo coeficiente de absoro em funo da energia dos ftons incidentes.
Figura 14: a) coeficiente de absoro de um nico tomo; b) coeficiente de absoro de um tomo que sofre interao
com o tomo vizinho.
0
N
(k )
i2 fi ( , k ) sen(2kRi ).e 2
0
i kRi
2 2
i .k
.e
2 Ri
i ( k )
(eq.8)
onde:
0 : absoro do tomo absorvedor isolado (curva suave ilustrada na Fig-14a);
: coeficiente de absoro atmico para uma energia E;
k: vetor de onda do fotoeltron, dado por k
2m
.( E E0 ) , sendo m a massa do eltron e
2
2 Ri
: fator que leva em conta a limitao do livre caminho mdio do fotoeltron na
i (k )
matria ();
ii. 2 i2 .k 2 : fator de Debye-Waller, no qual a variao mdia quadrtica da posio
relativa entre o tomo absorvedor e o tomo retroespalhador. Essa variao pode ser
esttica (desordem estrutural) ou dinmica (vibraes trmicas):
2
2
2
total
desordem
term desordem estrut.
(eq.9)
prximas. Tal equao est baseada em duas hipteses principais: primeiramente o raio
do tomo absorvedor pequeno o suficiente para que a curvatura da onda emitida seja
desprezvel e, assim, tenha validade a aproximao por ondas planas, e tambm o
fotoeltron sofre um nico retroespalhamento por tomos vizinhos. A equao 8 expressa
o sinal EXAFS em termos do vetor de onda k do fotoeltron e de grandezas estruturais
relevantes como Ni, Ri e . Numa anlise EXAFS, o que se faz justamente obter esses
parmetros ajustando-se uma curva terica modelada pela equao 8 a curva
experimental. Essa equao pode tambm ser reescrita de outra forma.
i (k ) 4 0 S 0
c r
j
g ij (r ) iC (k , r )dr
(eq.10)
de modo que
iC (k , r )
f i (k ) e 2 Ri /
kRij2
sen[2kRij 2 j j ]
(eq.10)
Figura 15: Iustrao do significado da funo gij(r), onde o grafico ao lado mostra comportamento tpico desta funo
para um material amorfo.
Figura 16: Ilustrao de como se calcula o nmero mdio de tomos do tipo j (represenado em amarelo) numa coroa
esfrica no intervalo de distncia radial entre rmin e rmax em volta dos tomos centrais do tipo i (representados por
crculos cinzas).
g ij e
U ij ( r ) / k BT
(eq.11)
i (k ) Im S 0
f j (k ) e
2 rij / j
i ( 2 krij 2 j j )
ij
(r , T )e
2 r / j
e i 2 kr dr
(eq.12)
Com r=rij+r, e a integral na eq. 12 pode ser expandida em srie de potncia de k, tal
que:
g ij (r, T )e
(eq.13)
2 r / j
(2ik ) n C n
e i 2 kr dr exp
n!
n 0
C 2 (T ) 2 (T )
C 2 (T )
E 1 z
2
estrutural
2k e (1 z )
k ( E )1 10 z z 2
2k e3 (1 z )
C3estrutural
(eq.14)
(eq.15)
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS: