Zonas de Funcionamiento
Zonas de Funcionamiento
1. La corriente mxima permisible ICmax. Si se excede esta corriente de manera continua puede dar como
resultado que se fundan los alambres que conectan el dispositivo a los terminales del encapsulado
2. La hiprbola de mxima disipacin de potencia. Este es el lugar geomtrico de los puntos para los cuales se
cumple que VceIc = Pmax (a TCO). Para temperaturas TC > TCO se obtendrn un conjunto de hiprbolas ms
bajas. An cuando se pueda permitir que el punto de trabajo se mueva de modo temporal por encima de la
hiprbola, no debe permitirse que el promedio de disipacin de potencia exceda de Pmax.
3. Lmite de segunda ruptura. La segunda ruptura es un fenmeno que resulta debido a que la circulacin de
corriente por la unin entre emisor y base no es uniforme.
Ms bien, la densidad de corriente es mayor cerca de la periferia de la unin. Esta aglomeracin de corriente da
lugar a mayor disipacin de potencia localizada y por lo tanto a calentamientos en lugares que reciben el nombre
de puntos calientes. Como el calentamiento produce un aumento de corriente, puede ocurrir un gradiente
trmico que provoque la destruccin de la unin semiconductora.
4. Voltaje de ruptura de la unin colector emisor BVCEO. Nunca debe permitirse que el valor instantneo de Vce
exceda de BVCEO; de otra manera, ocurrir la ruptura de avalancha de la unin entre colector y base.
Finalmente, debe mencionarse que por lo general se utilizan escalas logartmicas para Ic y Vce que
llevan a un lmite de rea de rectas.
Caractersticas
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)
No tiene diodo parsito
Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V
El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.
Curva Caracterstica
Introduccin
El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola:
Bibliografa