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Smbolos

Curvas caractersticas de salida en Emisor Comn en un BJT npn

Efecto Early en las caractersticas de entrada

Zonas de Funcionamiento

De manera general la polarizacin de un circuito hace referencia a las fuentes


de corriente directa (fuentes reguladas, bateras, pilas) que se utilicen para
alimentar el circuito. Para el caso particular del transistor bipolar, la
polarizacin busca obtener un punto de funcionamiento en una regin
especfica, es decir busca establecer un valor fijo de voltaje entre el terminal
de colector y emisor y un valor fijo de corriente de colector, que hagan que el
punto de operacin del transistor est en una regin de operacin especfica.

Zonas de Funcionamiento

Caractersticas dinmicas. Tiempos de conmutacin


Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) ser siempre mayor que
tiempo de encendido (ton), como ocurre en la mayora de los conmutadores, tal y como
se muestra en la siguiente figura.

Tiempo de retardo (Delay


Time, td)
Tiempo de subida (Rise time,
tr)
Tiempo de almacenamiento
(Storage time, ts)
Tiempo de cada (Fall time, tf)

rea de operacin segura en un BJT de potencia


Adems de especificar la mxima disipacin de potencia a diferentes temperaturas de
encapsulado, los fabricantes de transistores de potencia suelen indicar una grfica de la
frontera del rea de operacin sin riesgo (SOA, Safe Operation Area) en el plano Ic-Vce.
La especificacin de una SOA tpica presenta la forma que se muestra en la siguiente
figura:

1. La corriente mxima permisible ICmax. Si se excede esta corriente de manera continua puede dar como
resultado que se fundan los alambres que conectan el dispositivo a los terminales del encapsulado
2. La hiprbola de mxima disipacin de potencia. Este es el lugar geomtrico de los puntos para los cuales se
cumple que VceIc = Pmax (a TCO). Para temperaturas TC > TCO se obtendrn un conjunto de hiprbolas ms
bajas. An cuando se pueda permitir que el punto de trabajo se mueva de modo temporal por encima de la
hiprbola, no debe permitirse que el promedio de disipacin de potencia exceda de Pmax.

rea de operacin segura en un BJT de potencia

3. Lmite de segunda ruptura. La segunda ruptura es un fenmeno que resulta debido a que la circulacin de
corriente por la unin entre emisor y base no es uniforme.
Ms bien, la densidad de corriente es mayor cerca de la periferia de la unin. Esta aglomeracin de corriente da
lugar a mayor disipacin de potencia localizada y por lo tanto a calentamientos en lugares que reciben el nombre
de puntos calientes. Como el calentamiento produce un aumento de corriente, puede ocurrir un gradiente
trmico que provoque la destruccin de la unin semiconductora.
4. Voltaje de ruptura de la unin colector emisor BVCEO. Nunca debe permitirse que el valor instantneo de Vce
exceda de BVCEO; de otra manera, ocurrir la ruptura de avalancha de la unin entre colector y base.

Finalmente, debe mencionarse que por lo general se utilizan escalas logartmicas para Ic y Vce que
llevan a un lmite de rea de rectas.

Caractersticas
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)
No tiene diodo parsito
Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V
El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

Curva Caracterstica

Consideremos que el IBGT se


encuentra bloqueado inicialmente.
Esto significa que no existe ningn
voltaje aplicado al gate. Si un voltaje
VGS es aplicado al gate, el IGBT
enciende
inmediatamente,
la
corriente ID es conducida y el voltaje
VDS se va desde el valor de bloqueo
hasta cero

Introduccin
El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola:

Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un


Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta que no
sube completamente Vd)
La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la carga
almacenada en su base (huecos en la regin n-).

Bibliografa

[1] FISHER, M. J.: Power Electronics, Ed. PWS - KENT Publishing


Company.
[2] RASHID, M. H.: Electrnica de Potencia, Ed. Prentice Hall
International Editions.
[3] DANIEL W. HART: Electrnica de Potencia, Ed. Prentice Hall.

[4] ALDANA y otros: Electrnica de Potencia Ed. Universidad


Politcnica de Madrid

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