0 INTEGRABTES

Bryan Abril
Jaime Huilca
Sebastin Tapia
Freddy Caar
Edgar Chuva

Amplificador diferencial
0 El amplificador tiene dos entradas y produce una

salida a la diferencia de sus seales de entrada.

0 Idealmente, no amplifica las seales que se aplican
por igual a ambas entradas y que se conoce como
seales de modo comn.

Amplificador diferencial
0 Existen razones por las cuales es conveniente usar

amplicadores diferenciales:

0 La primera es su insensibilidad al ruido y a las

interferencias.
0 La segunda es porque esta conguracin permite
polarizar al amplicador y conectar etapas de
amplicadores sin la necesidad de capacitores de
derivacin y acoplamiento.

Amplificador diferencial

0 Amplificador diferencial ideal: amplifica solo la

diferencia entre los dos voltajes, independiente del

modo comn.

Factor de rechazo al modo comn

0 Comoon Mode Rejection Ratio

0 Los Amplificadores MOSFET al igual que los BJT

pueden tener diferentes configuraciones y por ende

diferentes aplicaciones de acuerdo a las nesecidades.

Amplificador MOSFET
0 Los MOSFET o transistores de xido de metal de

efecto de campo, difieren en la teora operativa, la

aplicacin y el sonido de los tradicionales transistores
de audio. Estos transistores modernos pueden
proporcionar una mayor produccin, menores
tiempos de conmutacin, y se ven menos afectados
por la temperatura, lo que es ideal para los
transistores del amplificador de potencia

0 Muchas piezas de equipo de audio utilizan MOSFETs

para un sonido limpio, un bajo ruido y habilidades

para producir seales de gran tamao.

0 su misin principal es la de proporcionar ganancia en

corriente, para poder cargar la baja impedancia que

supone un altavoz, normalmente entre 2 y 16 Ohm.

MOSFET par diferencial

MOSFET par diferencial

 Q1 Q2

Operacin en modo comn

I D1 I D 2

I
2

vs vCM VGS
I 1 'W
k n (VGS Vt ) 2
2 2 L
vD1 vD 2 VDD I D RD
ID

Q1 y Q2 en saturacin
vDS vGS Vt
(VDD I D RD ) vS vCM vs Vt

VCS

I
vCM (max) Vt VDD RD
2
vCM (min) Vss VCS Vt (VGS Vt )

El par diferencial MOS con un VCM de tensin de entrada de

modo comn.

vGS Vt vCM vs Vt
vCM (VCS VSS ) Vt
vCM VCS VSS vGS

Hace que la fuente de corriente este trabajando

Ejercicio:

ID

VDD VSS 1.5V , kn'

1 'W
k n (VGS Vt ) 2
2 L

I
0.2 2m(VGS 0.5) 2
2
VGS 0.816V

W
4mA / V 2 ,Vt 0.5V , I 0.4mA, RD 2.5k
L

VCM 1V
VDS VGS Vt
VD VS VG VS Vt

VDS 1.5 0.2m 2.5k 1V

VD VG Vt VD VCM Vt

VDS VGS Vt 0.816 0.5

VD 1 1 0.5

VCM (max) 1.5V

VCS (min) 0.48

VCM (min) 0.82 0.48 1.5 0.2V

0.48

Par diferencial con carga activa: espejo de corriente

Par diferencial con carga activa: fuentes de corriente

Par diferencial con carga activa: fuentes de corriente

Operacin en modo diferencial

1.

vid 0

I D1 I

1 'W
k n (VGS 1 Vt ) 2
2 L

VGS 1 Vt 2 I / k n' (W / L)

vGS 1 vGS 2

vid (max) vGS 1 vS Vt 2 I / k n' (W / L) vGS 2

iD1 iD 2

Q2

vo vD 2 vD1 0

if

off vGS 2 Vt

vid vid max iD1 I

vGS 1 Vt 2 I / k n' (W / L)
vid vs Q2 off

2.

vid 0

vGS 1 vGS 2
iD1 iD 2
vo vD 2 vD1 0

2I / kn' (W / L) vid 2I / kn' (W / L)

El par diferencial MOS con una seal de entrada diferencial aplicado vid. Con vid positivo:
Vgs1> VGS2, ID1> iD2, y Vd1 <Vd2; por lo tanto (VD2 - VD1) ser positivo. Con vid
negativo: Vgs1 <VGS2, ID1 <iD2, y Vd1> Vd2; por lo tanto (VD2 - VD1) ser negativo.

Modo diferencial circuito equivalente con carga

Vo
Vid
2

Q4

Q1
V
g m id
2

ro1

ro3 //

1
gm

Vid
2

Q2

g mVgs4 ro 4

ro 2

gm (

Vid
)
2

Q3

Ro ro 2 // ro 4
Carga activa

Ro ro RSS
Carga pasiva

Carga activa

vo g m ( v2id v gs 4 )(ro 2 // ro 4 )
v gs 4 g m

vid
2

(ro1 // ro 3 //

1
) gm
gm

vid
2

1
v2id
gm

vo g m ( v2id v2id )(ro 2 // ro 4 )

Ad

g m (ro 2 // ro 4 )
vid
vid
cuando ro 2 ro 4 ro
Ad

gm
ro
2

Carga pasiva

Ad g m ( RD // ro )

Modo diferencial circuito equivalente con carga

id

ViCM

id

Vo
i1

1
gm

2 Rss

ro1

vicm i1 2 RSS
vicm i2 2 RSS

ro 3 //

1
gm

g mVgs4

ro 4

i1

vo ro 4 ( g m v gs4 i2 )
v gs4 i1 (ro 4 //

i2

V gs4

1
)
gm

id
ro 2

i2
v
vo ro 4 ( g m v gs4 icm )
2 RSS
v gs4

1
gm

2 Rss

( Rss ro )

vicm
1
(ro 3 //
)
2 RSS
gm

vo ro 4 [
Acm

ViCM

g m vicm
v
1
(ro 3 //
) icm ]
2 RSS
gm
2 RSS

vo
r
1
o4
vicm
2 RSS 1 ro 3 g m

1. Encontramos la transconductancia Gm

Determinacin de la transconductancia
cortocircuito Gm ; io/vid del par diferencial MOSactivo cargado.

vid 1
v g 3 g m1 ( )(
// ro 3 // ro1 )
2 g m3
ro1 , ro 3 (1 / g m 3 )
vg 3

g m1 vid
( )
g m3 2

vid
io g m 4 v g 3 g m 2 ( )
2
g m 4 vid
vid
io g m1 (
)( ) g m 2 ( )
g m3 2
2
g m 3 g m 4 , g m1 g m 2 g m
io g m vid
Gm g m

2. Encontramos la resistencia de salida Ro

i v x / Ro 2
Ro 2 ro 2 (1 g m 2 ro 2 )(1 / g m1 )
g m 2 ro 2 1
Ro 2 2ro 2
vx
vx
vx
vx
ix i i
2i
2

ro 4
ro 4
Ro 2 ro 4
vx
Ro ro 2 // ro 4
ix

3. Encontramos la ganacia diferencial

Ad

vo
Gm Ro g m (ro 2 // ro 4 )
vid

when ro 2 ro 4 ro
Ad

gm
ro
2

Modo comn, ganacia en CMRR

Anlisis del amplificador diferencial activo cargado MOS

para determinar su ganancia en modo comn.

i1 i2

vicm
2 Rss

Ro1 Ro 2 ro 2 Rss 2 g m ro Rss

v g 3 i1 (

1
// ro 3 )
g m3

i4 g m 4 v g 3 g m 4i1 (

1
// ro 3 )
g m3

vo (i4 i2 )ro 4 [ g m 4i1 (

Acm

1
// ro 3 ) i2 ]ro 4
g m3

vo
ro 4
1

vicm
2 Rss 1 g m 3 ro 3

g m 3 ro 3 1, ro 3 ro 4
Acm

1
2 g m 3 Rss

CMRR
let

Ad
[ g m (ro 2 // ro 4 )][2 g m 3 Rss ]
Acm

ro 2 ro 4 ro , g m 3 g m

CMRR g m ro g m Rss

Amplificador Diferencial con Mosfet utilizando

resistencia de polarizacin