ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Laboratorio de Dispositivos Electrnicos
PRCTICA N 8
Anlisis AC de un Transistor Bipolar de
Juntura en Configuracin Emisor Comn
Objetivo General: Implementar y demostrar el comportamiento de un TBJ en configuracin
Emisor Comn e identificar los parmetros de operacin en base a los resultados obtenidos en la
medicin de voltajes y corrientes.
TRABAJO PREPARATORIO
1. Represente el Circuito Emisor Comn mediante el modelo de parmetros r.
El modelo T simplificado que se usa con los parmetros r, para representar un circuito
en configuracin en emisor comn, es el siguiente:

2. Partiendo del modelo anterior deducir las ecuaciones de ganancia de voltaje, ganancia
de corriente, impedancia de entrada e impedancia de salida.

3. Para el circuito siguiente determinar, la ganancia de voltaje, ganancia de corriente,

impedancia de entrada e impedancia de salida.

Anlisis DC
[ ]

[ ]
[

[ ]

[ ]

[V]

Por lo tanto, el transistor est trabajando en la regin activa.

Anlisis AC

[ ]

Donde:

[ ]

4. Dibujar la seal de entrada y de salida en un mismo grfico.

5. Determinar cul ser el voltaje de entrada mximo para que no exista recorte en la
salida.
Recorte por arriba

0.24 [V]
Recorte por abajo

0.27 [V]
Por lo tanto el valor mximo que puede tener la entrada es de 0.24 [V].

6. Realizar y presentar la simulacin del circuito.

7. Armar el circuito en el protoboard.