UNIVERSIDAD DEL ZULIA

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA
DEPARTAMENTO DE CIRCUITOS Y COMUNICACIONES
CTEDRA DE ELECTRNICA ANALGICA
ASIGNATURA: ELECTRNICA ANALGICA I (LABORATORIO)

Integrantes:
Bozo, Vernica CI: 23857481.
Vlchez, Guillermo CI: 23444786.

Maracaibo, mayo 2013.

INTRODUCCIN

El diodo ha sido en los ltimos aos, la base de innumerables dispositivos

electrnicos y con su amplia gama de aplicaciones ha contribuido de manera
estupefacta al avance tecnolgico.
Este dispositivo, consta de dos terminales que permiten la circulacin de corriente
elctrica en un solo sentido. De tal forma, si se aplica un potencial con polaridad
en directa el diodo conduce corriente elctrica; si se aplica un potencial con
polaridad en inversa, ste deja de conducir.
El funcionamiento de estos diodos semiconductores, se basa en la unin de dos
materiales conocidos como material tipo n y tipo p y est hecho de cristales
semiconductores como el silicio, germanio y Arsenio de galio con cierto grado de
impurezas que permiten diferenciar estas dos reas portadoras de cargas
negativas y positivas (huecos), respectivamente.
De esta manera, al unir ambos materiales se crea una regin de agotamiento que
resulta sin necesidad de aplicar alguna fuerza de excitacin y es dicha regin la
que precisamente se relaciona con la capacidad de conduccin de un diodo al
aplicar cualquier potencial entre sus terminales.
Ahora bien, existe un dispositivo electrnico dentro de esta clasificacin de diodos
semiconductores conocido como diodo zener. Este componente se comporta
bsicamente como un diodo de unin en polarizacin directa; sin embargo, en
polarizacin inversa, conduce corriente elctrica al alcanzar el voltaje zener
(regin zener) produciendo cambios abruptos de corriente en el sistema.
A continuacin, quedarn expuestas las caractersticas de estos simples pero
imprescindibles y multifuncionales dispositivos con la finalidad de verificar de
manera experimental, a travs de circuitos serie, el comportamiento de los diodos
semiconductores.

INFORMACIN PRELIMINAR

Diodo: Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la

circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la
actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto
para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una
lmina como nodo, y un ctodo.
Diodo Semiconductor: Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal
semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que
contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de
tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva
(huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada
regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es
donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de
electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir,
cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de
los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p
(Je). Al establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a
ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que
se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V D) es de 0,7 V en el caso
del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el
diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Polarizacin directa de un diodo

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga

espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo
de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,

esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor

que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del
cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la

zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor
y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo

positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin
en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como
se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y
una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes

de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de
valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los
tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn
que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres
cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo
que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de
valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones
negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo,
debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco

(ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea

corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin.
Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn
rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie
del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de
valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No
obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial
de fuga es despreciable.

Curva caracterstica del diodo.

Tensin umbral, de codo o de partida (V ): La tensin umbral (tambin

llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la
tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin
embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de
potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se
producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax ): Es la intensidad de corriente mxima que puede

conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la
cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo
del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ): Es la pequea corriente que se

establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares

electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada

incremento de 10 en la temperatura.

Corriente superficial de fugas: Es la pequea corriente que circula por la

superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la
tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la
corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr ): Es la tensin inversa mxima que el diodo puede

soportar antes de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente
inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados): En polarizacin inversa se

generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin;
si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su
energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden
provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su
vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de
valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones
que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de
la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados): Cuanto ms dopado est el

material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo
elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia
d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo
elctrico ser grande, del orden de 310 5 V/cm. En estas condiciones, el propio
campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose
la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales,
como los Zener, se puede producir por ambos efectos

Diodo Zener: Un diodo zner es bsicamente un diodo de unin, pero construido

especialmente para trabajar en la zona de ruptura de la tensin de polarizacin
inversa; por eso algunas veces se le conoce con el nombre de diodo de
avalancha.

Su principal aplicacin es como regulador de tensin; es decir, como circuito que

mantiene la tensin de salida casi constante, independientemente de las
variaciones que se presenten en la lnea de entrada o del consumo de corriente de
las cargas conectadas en la salida del circuito.
El diodo zner tiene la propiedad de mantener constante la tensin aplicada, aun
cuando la corriente sufra cambios. Para que el diodo zener pueda realizar esta
funcin, debe polarizarse de manera inversa.
Generalmente, la tensin de polarizacin del diodo es mayor que la tensin de
ruptura; adems, se coloca una resistencia limitadora en serie con l; de no ser
as, conducira de manera descontrolada hasta llegar al punto de su destruccin.
En muchas aplicaciones de regulacin de tensin, el diodo zner no es el
dispositivo que controla de manera directa la tensin de salida de un circuito; slo
sirve de referencia para un circuito ms complejo; es decir, el zner mantiene un
valor de tensin constante en sus terminales.
Esta tensin se compara mediante un circuito amplificador a transistores o con
circuito integrados con una tensin de salida. El resultado de la comparacin
permite definir la accin a efectuar: aumentar o disminuir la corriente de salida, a
fin de mantener constante la tensin de salida.
Es importante hacer notar que los diodos zner se construyen especialmente para
que controlen slo un valor de tensin de salida; por eso es que se compran en
trminos de la tensin de regulacin.

Objetivo General: Demostrar experimentalmente las caractersticas de los diodos

de unin y zener.
Objetivos Especficos:

Identificar los parmetros de cada diodo utilizando el manual de

semiconductores.
Medir la resistencia de cada diodo e identificar nodo y ctodo.
Verificar las caractersticas de un diodo de unin en un circuito serie.
Caracterizar el comportamiento de un diodo de unin a travs del trazado
de una curva.
Verificar las caractersticas de un diodo zener en un circuito serie.
Caracterizar el comportamiento de un diodo de zener a travs del trazado
de una curva.

Materiales y equipos.
-

Protoboard.
Cables de conexin tipo caimn-caimn.
Fuente de alimentacin de corriente directa.
1 Resistor de 1k Ohmios.
1 Diodo de Unin 1N4007
1 Diodo Zener 1N4737A
Multimetro Digital (1000 Vmax, 20Amax)

Procedimiento Experimental
Empleando el manual de semiconductores se identificaron los parmetros de cada
uno de los siguientes diodos: 1N4007; DZE0026; 1N270; FR307; 1N4733A.
Luego, se midieron las resistencias de cada diodo, identificando nodo y ctodo.
Numero de

Tipo de Diodo

Resistencia

Resistencia

Identificacin
1N4007

BY2518401

Directa ()

Inversa ()

R Si

605

LED

Encendido

Apagado

535

Tabla No. 1

Se conect el circuito que se muestra en la fig. No. 1 y se registraron los datos en

la tabla No. 2.

Fig. 1

Simulaciones

V1
(Volt.)
Vd
medido
(Volt.)
Vd

0,2

0,4

0,6

0,7

0,8

0,19

0,38

0,47

0,49

0,51

0,53

0,58

0,63

0,18

0,30

0,36

0,38

0,4

0,42

0,48

0,53

simulad
o (Volt.)
%Error
Id
medido
(mA)
Id
simulad
o
(mA)
%Error
Rd
medido
(ohm)
Rd
simulad
o (ohm)
%Error

0%

26%

30%

28%

27%

26%

20%

19%

5,55
%
0

0,11

0,18

0,27

0,45

1,37

3,30

0,23

0,31

0,4

0,57

1,5

3,46

0%

0%

0%

52%

32%

21%

4,27

1,88

1,18

8,67
%
0,42

4,62%

41,93
%
2,72

1,56

1,22

0,74

0,32

0,15

0%

0%

0%

173%

122%

88%

59%

31%

26,67
%

0,19

Tabla No. 2. Medicin de voltaje y corriente en el diodo de unin.

Anlisis de la tabla No.2

En la tabla No. 2 se obtuvo porcentajes de error significativamente altos en
trminos generales. Estos porcentajes de error elevados producto de las
mediciones y simulaciones de voltaje y corriente, as como la resistencia calculada
del diodo, pudo deberse a las resistencias internas tanto de la fuente de
alimentacin DC como la del mismo dispositivo semiconductor, lo que pudo
ocasionar valores un poco elevados en comparacin a los resultados obtenidos en
las simulaciones. Tomando en cuanto lo antes mencionado, se puede observar las
caractersticas del diodo en polarizacin directa, ya que cuando se produce una
cada de tensin cercana a los 0,7v en el dispositivo semiconductor, comienza a
cumplir sus funciones dentro del circuito cerrado.
Este comportamiento del diodo en condiciones de polarizacin directa se debe a
que el potencial positivo aplicado al material tipo p, atrae los electrones del
material tipo n llenando los huecos del material tipo p; mientras que el potencial
negativo aplicado al material tipo n, atrae los huecos del material tipo n,
reduciendo de esta manera la regin de agotamiento y permitiendo as que una
gran cantidad de portadores mayoritarios atraviesen la barrera, conduciendo
corriente elctrica.

Ahora, invirtiendo las polaridades del diodo se registraron los resultados en la

tabla No. 3
Simulaciones

V1
(Volt.)
Vd
medido
(Volt.)
Vd
simulad
o (Volt.)
%Error
Id
medido
(mA)
Id
simulad
o
(mA)
%Error
Rd
medido
(ohm)
Rd
simulad

10

12

14

1,02

4,05

8,99

9,99

12,01

14,01

10

12

14

2%

0%

0%

0%

0,11%

0,1%

1,25
%
0

0,08
%
0

0,07
%
0

0%

0%

0%

0%

0%

0%

0%

0%

0%

o (ohm)
%Error

0%

0%

0%

0%

0%

0%

0%

0%

0%

Tabla No.3 Medicin de voltaje y corriente en inversa en el diodo de unin.

Anlisis de la tabla No. 3.

En la tabla No. 3 se puede observar que los errores porcentuales de voltaje son
bajos, obteniendo como mayor porcentaje de error un 2%, considerando estos
resultados bastante precisos y efectivos. En cuanto a los porcentajes de error
respecto a la corriente y la resistencia del diodo, se obtuvo un margen de 0%
entre los valores medidos y simulados por lo que los mismos demuestran que las
caractersticas del diodo de unin en inversa sigue el patrn del modelo terico.
De esta manera, si se aplica el potencial positivo al material tipo n, ste atraer los
electrones del material tipo p, mientras que el potencial negativo aplicado al
material tipo p, atraer los huecos del material tipo n; obteniendo como resultado
una regin de agotamiento tan ancha que impedir el paso de los portadores
mayoritarios correspondientes por esta barrera haciendo alusin a un circuito
abierto.

Con los valores obtenidos en las tablas No.1 y

caracterstica del diodo.

No. 2 se traz la curva

Fig. 2. Grfica Id vs Vd de un diodo de unin.

Anlisis de la grfica mostrada en la Fig. 2.

En la Grfica de corriente del diodo (Id) contra voltaje del diodo (Vd), puede
observarse que en polarizacin en directa, entre los tramos de voltajes de 0V y
valores cercanos a los 0,6V, no se obtienen ningn valor de corriente en el
dispositivo, por lo que a medida que se aumenta la cada de tensin y sobrepasa
estos 0,6V, ocurre un cambio abrupto en la circulacin de corriente, de manera
que la curva refleja un comportamiento exponencial. Asimismo, cuando el valor de
voltaje alcanza los 0,7v cambia su comportamiento a un estado casi lineal entre
la corriente y el voltaje del diodo.
Ahora bien, cuando el diodo de unin es conectado en inversa puede observarse
en la grfica que a cualquier cada de tensin que se produzca en el mismo,
ninguna corriente circulara a travs de l, todo esto es producto de las mismas
caractersticas del dispositivo semiconductor.

Conectando el circuito mostrado en la fig. No.3 se obtuvieron los resultados de la

tabla No. 4.

Fig. 3

Simulaciones

V1
(Volt.)
Vd
medido
(Volt.)
Vd
simulad
o (Volt.)
%Error
Id
medido
(mA)
Id
simulad
o
(mA)
%Error
Rd
medido
(ohm)
Rd

0,2

0,4

0,6

0,7

0,8

0,2

0,4

0,59

0,63

0,65

0,67

0,7

0,73

0,19

0,38

0,45

0,46

0,46

0,47

0,5

0,52

0
%
0

5,2
%
0

5,2
%
0

31,11
%
0

36%

38,2%

40%

40,4%

0,11

42,55
%
0,30

1,26

3,2

0,1

0,24

0,33

0,52

1,49

3,47

0
%

0%

0%

100%

2,23

15,43
%
0,56

7,78%

63,33
%
5,9

42,3%

100
%

4,5

2,3

1,57

0,9

0,33

0,15

0,23

simulad
o (ohm)
%Error

0
%

0%

0%

Ind

Ind

275%

147%

69,7%

53,33
%

Tabla No. 4. Medicin de voltaje y corriente en polarizacin directa en el diodo

zener.
Anlisis de la tabla No. 4.

En la tabla No. 4 se obtuvo porcentajes de error significativamente altos. Estos

porcentajes de error elevados presente tanto en las tensiones y corrientes como
en la resistencia del diodo, puede tener estrecha relacin con la resistencia interna
de la fuente de alimentacin DC, as como tambin, la del mismo zener, lo que
pudo ocasionar valores elevados en comparacin a los resultados obtenidos en
las simulaciones.
Para tensiones mayores que a tensin umbral, la corriente del diodo aumenta
rpidamente. Esto quiere decir que aumentos pequeos en la tensin del diodo
originarn grandes aumentos en su corriente. La causa es que despus de haber
superado la barrera potencial, lo nico que se opone a la corriente es la
resistencia de las zonas p y n, por esta razn la resistencia interna del diodo zener
puede ser un factor afectante.
Adems de ello, otro factor influyente pudo deberse a las magnitudes de corrientes
tan bajas que implican dificultad al momento de tomar la lectura, ya que el
multmetro puede no percibir con exactitud los bajos amperajes. Si se observa con
detalle, a medida que la magnitud de la corriente aumenta su valor, el porcentaje
de error entre los datos simulados y medidos, se hace menor.
Tomando en cuanto lo antes mencionado, se puede observar que las
caractersticas del diodo zener en polarizacin directa, son similares a las de un
diodo de unin PN, ya que cuando se produce una cada de tensin cercana a los
0,7v en el dispositivo semiconductor, comienza a circular corriente a travs de l.

Invirtiendo las polaridades del diodo se complet la tabla No. 5.

Simulaciones

V1
(Volt.)
Vd
medido
(Volt.)
Vd
simulad
o (Volt.)
%Error
Id
medido
(mA)
Id
simulad
o
(mA)
%Error
Rd
medido
(ohm)
Rd

10

12

14

1,01

4,01

6,02

7,7

7,74

7,75

7,78

7,79

7,3

7,42

7,43

7,45

7,46

0%

5,47
%
0,27

4,31
%
1,23

2,25

4,42
%
4,16

4,42%

0,33
%
0

4,3%

0,25
%
0

0,6

1,47

2,56

4,55

6,54

0%

0%

0%

0%

55%

16%

12%

6,57%

28,51

6,29

3,44

8,57
%
1,87

12,17

2,9

1,64

1,14

6,11

1,27

simulad
o (ohm)
%Error

0%

0%

0%

0%

134%

25,8
%

18,62
%

14%

11,4%

Tabla No.5. Medicin de voltaje y corriente en inversa en el diodo zener.

Anlisis de la tabla No. 5.

En la tabla No. 5 se obtuvo, en trminos generales, resultados relativamente

bajos, exceptuando algunos valores que se encuentran entre un 55% y 11% de
error. Los datos que se encuentran dentro de este rango pueden ser consecuentes
a la resistencia interna de los equipos utilizados (fuente DC y multmetro digital), y
del dispositivo semiconductor (zener) como se present en los casos anteriores.
De esta manera, se observa que diodo en polarizacin inversa slo permite el
paso de corriente cuando el potencial es justamente un valor crtico, en este caso,
7,5V (tericamente). En este momento el diodo empez a permitir el paso de la
corriente en sentido inverso al indicado por la flecha.
Sin embargo, cuando el potencial es inverso pero su magnitud es menor al voltaje
zener (7,5V), se observa cmo deja de conducir corriente elctrica,
comportndose como un circuito abierto, quedando en evidencia el modelo terico
caracterstico de un diodo zener.

Utilizando los datos obtenidos en la tabla No. 4 y No. 5 se obtuvo la grfica resultante del
circuito de la Fig. 3.

Fig. 4. Grfica Idz vs Vdz de un diodo zener.

Anlisis de la tabla grfica representada en la Fig. 4

En la grfica anterior, se observa que para un estado de polarizacin inversa hay
un punto donde la aplicacin de un voltaje demasiado negativo produjo un cambio
abrupto de las caractersticas del circuito, donde la corriente tuvo un incremento
muy rpido en una direccin opuesta a la de la regin de voltaje positivo. Esto
ocurre ya que, a medida que se incrementa el voltaje a travs del diodo, aumenta
la velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de
saturacin inversa (Is).
De esta manera, cuando el zener alcanz los 7,7V obtuvo la velocidad y energa
cintica suficientes como para liberar ms portadores por las colisiones con otras
estructuras atmicas, esto quiere decir que en ese instante de produjo un proceso
de ionizacin por medio del cual los electrones de valencia absorbieron suficiente
energa para abandonar el tomo padre. Estos portadores adicionales son los que
contribuyen con el proceso de ionizacin y terminan produciendo la corriente de
saturacin inversa.
Por el contrario, para condiciones de polarizacin directa, se observa que el diodo
zener se comporta como un diodo de unin, conduciendo corriente cuando ste
alcanza un potencial de 0,65V.

Adems de ello, se observa en la grfica el comportamiento no lineal de este

dispositivo semiconductor. La ligera pendiente de la curva en la regin zener
revela que este diodo posee un nivel de resistencia asociado en el modo de
conduccin.

CONCLUSIONES

Mediante la realizacin de este procedimiento experimental, se pudo verificar el

comportamiento de los diodos de unin y zener ante una corriente continua,
dejando en evidencia sus caractersticas, alcanzando as los objetivos propuestos
al inicio de esta seccin.
De esta manera se tiene que, un diodo comercial de unin se eleva generalmente
a 0.7V para una polarizacin en directa, conduciendo cierto nivel de corriente para
funcionar como el equivalente a un corto circuito. Esto tiene estrecha relacin con
la regin de agotamiento, ya que en presencia de una polarizacin directa y del
incremento de su magnitud, se reducir el ancho de esta banda (debido al
potencial positivo aplicado al material tipo p y el potencial negativo aplicado al
material tipo n) hasta alcanzar los 0.7V que permitirn que un flujo de electrones
atraviese la unin.
Asimismo, para una condicin sin ninguna polarizacin aplicada, el flujo neto de
una carga en una direccin es cero. Sin embargo, si la condicin de polarizacin
es en inversa tampoco habr conduccin, ya que la regin de agotamiento se

ensanchar evitando que los portadores mayoritarios puedan atravesarla

comportndose como un circuito abierto.
Ahora, el diodo zener posee caractersticas distintas al someterse a una condicin
de polarizacin inversa, ya que existe un punto (voltaje zener) donde la aplicacin
de un voltaje demasiado negativo producir un cambio abrupto de las
caractersticas, de manera que la corriente se incrementar muy rpido en una
regin opuesta a la de la regin de voltaje positivo.
Adems, el diodo zener presenta la caracterstica de mantener un voltaje
especfico (voltaje zener) sin importar el incremento del voltaje aplicado en
polarizacin inversa, es decir, la principal funcin de este diodo es como regulador
de tensin de manera que mantendr la tensin entre sus terminales casi
constante, independientemente de las variaciones que se presenten en la lnea de
entrada o del consumo de corriente de las cargas conectadas a la salida del
circuito. Por el contrario, en condiciones de polarizacin directa, el zener se
comportar como un diodo de unin.

BIBLIOGRAFA

Boylestad, R. y Nashelsky, L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos

Electrnicos. Ediciones Pearson. Dcima edicin.
Malvino, A. (1994). Principios de Electrnica. Ediciones Mc Graw Hill. Quinta edicin.