Ic
B
IB
IE
Estructura
2
FUNCIONAMIENTO
El bajo desempeo de los transistores bipolares
laterales
muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido
a que son diseados simtricamente, lo que signica que
no hay diferencia alguna entre la operacin en modo
activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los
termi- nales base-emisor genera que la corriente que
circula en- tre el emisor y el colector cambie
signicativamente. Este efecto puede ser utilizado para
amplicar la tensin o co- rriente de entrada. Los BJT
pueden ser pensados como fuentes de corriente
controladas por tensin, pero son ca- racterizados ms
simplemente como fuentes de corrien- te controladas
por corriente, o por amplicadores de co- rriente,
debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de
germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn
compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte
de stos (los transistores bipolares de heterojuntura)
estn hechos de arseniuro de galio, especialmente
utilizados en aplicacio- nes de alta velocidad.
Funcionamiento
Ib5
Ic
Ib4
pendiente 1/
Ib3
pendiente
Ib2
Ib1
Corte transversal simplicado de un transistor de unin
bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin basecolector es mucho ms amplia que la base-emisor.
Ib
Vce
pendiente rbe
Vbe
Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.
3
repelente de la regin agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse
en la regin de la base. Estos electrones vagan a
travs de la base, desde la regin de alta concentracin
cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados
portadores minoritarios debido a que la base est dopada
con material P, los cuales generan huecos como
portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difun- dirse a travs de esta en mucho menos tiempo
que la vida til del portador minoritario del
semiconductor, para mi- nimizar el porcentaje de
portadores que se recombinan antes de alcanzar la
unin base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusin de los electro- nes.
un transistor NPN):
F =
C
E
C
II
F = IB
F =
F =
F + 1
3.1 NPN
El smbolo de un transistor
NPN.
C
B
E
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares,
en los cuales las letras N y P se reeren a los
portado- res de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regio- nes del transistor. La mayora de los
transistores bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que
la movilidad de los huecos en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la base) entre dos capas de
material dopado N. Una pequea corriente ingresando
a la base en conguracin emisor-comn es amplicada
en la salida del colector.
La echa en el smbolo del transistor NPN est en la
ter- minal del emisor y apunta en la direccin en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.
3.3 PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP
con las letras P y N rerindose a las cargas
mayorita- rias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeo en la mayora de las circunstancias.
E
B
Transistor NPN
Ib = (Vbb - 0,7)/Rb
Reemplazando los datos:
Ib = (5V - 0,7)/500 = 0,0086 mA
2 Paso:
Ic = .Ib = 100 * 0,0086 = 0,8 mA
3 Paso:
Vce = Vcc - Rc.Ic = 12 - 0,8 * 2 = 10,4
V
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son
comnmente opera- dos con el colector a masa y el
emisor conectado al termi- nal positivo de la fuente de
alimentacin a travs de una carga elctrica externa.
Una pequea corriente circulan- do desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde
el emisor hacia el colector.
La echa en el transistor PNP est en el terminal del
emi- sor y apunta en la direccin en la que la corriente
conven- cional circula cuando el dispositivo est en
funcionamien- to activo.
5
Cuando un transistor no est ni en su regin
de saturacin ni en la regin de corte entonces est
en una regin intermedia, la regin acti- va. En
esta regin la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y
de las resistencias que se encuen- tren conectadas
en el colector y emisor. Esta regin es la ms
importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplicador de seal.
Regin inversa:
Historia
(e VT
1
IE = IES
VBE
(
IC = T IES e
VBE
VT
)
1
6 TEORA Y MODELOS
MATEMTICOS
emisor-colector. est relacionada con a travs de las
siguientes relaciones:
T =
IC
IE
F =
IC
IB
T
Modelo Ebers-Moll para transistores NPN
F =
T = F + 1
Jp
JE
Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del transistor estn
expresa- das ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas
en el mo- delo de transporte de un transistor de unin
bipolar.
( VBE
( VBC
)
VBC )
iC = IS e VT e VT ISR e VT 1
( VBE
)
( VBC
)
I
iB = IS e VT 1 + S e VT 1
F
R
( VBE
( VBE
)
VBC )
I
iE = IS e VT e VT + S e VT 1
F
Dnde:
IE es la corriente de emisor.
IC es la corriente de colector.
T es la ganancia de corriente directa en
congura- cin base comn. (de 0.98 a 0.998)
IES es la corriente de saturacin inversa del
diodo base-emisor (en el orden de 1015 a 1012
amperios)
VT es el voltaje trmico kT /q (aproximadamente
26 mV a temperatura ambiente 300 K).
Dnde:
iC es la corriente de colector.
iB es la corriente de base.
iE es la corriente de emisor.
F es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a
500)
R es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a
20)
IS es la corriente de saturacin inversa (en el
orden de 1015 a 1012 amperios)
VT es el voltaje trmico kT /q (aproximadamente
26 mV a temperatura ambiente 300 K).
VBE es la tensin base-emisor.
6
emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman
los valores especcos de:
6 TEORA Y MODELOS
MATEMTICOS
7
de seales de altas frecuencias este modelo no es
utiliza- do debido a que ignora las capacitancias entre
electrodos que entran en juego a altas frecuencias.
Referencias
Vase tambin
Wikilibros
x = 'e' debido a que es una
conguracin emisor comn.
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
i = Corriente de Base (i)
i = Corriente de Colector (i)
V = Tensin Base-Emisor (V BE)
V = Tensin Colector-Emisor (V
h = h - Representa la dependencia
de la curva I BV BE del transistor en
el va- lor de V CE. Es usualmente un
valor muy pequeo y es generalmente
despreciado (se considera cero).
h = h - La ganancia de corriente
del transistor. Este parmetro es
general- mente referido como hFE o
como la ga- nancia de corriente continua
(DC) en las hojas de datos.
h = h - La impedancia de salida del
transistor. Este trmino es usualmente
es- pecicado como una admitancia,
debien- do ser invertido para
convertirlo a impe- dancia.
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan que las condiciones de
anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para
con- diciones de corriente continua estos subndices son
expre- sados en maysculas. Para la topologa emisor
comn, un aproximado del modelo de parmetro h es
comnmente utilizado ya que simplica el anlisis del
circuito. Por esto los parmetros h y h son ignorados
(son tomados como innito y cero, respectivamente).
Tambin debe notarse que el modelo de parmetro h
es slo aplicable al anli- sis de seales dbiles de
bajas frecuencias. Para anlisis
Transistor
Transistor Uniunin (UJT)
Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
Enlaces externos
Curvas caractersticas del transistor
Cmo funcionan los transistores? por William
Beaty (en ingls) (en espaol)
Lnea del tiempo histrica de los transistores (en
in- gls)
8
LICENSES
10
10.1 Text
Transistor de unin bipolar Fuente: http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor%20de%20uni%C3%B3n%20bipolar?oldid=79078969 Colaboradores: Murphy era un optimista, Cinabrium, Digigalos, Petronas, RobotQuistnix, ALE!, GermanX, Matiasasb, Paintman, CEMbot, Davius, FrancoGG, Leandroidecba, Jcabfer, Isha, Tarantino, Gusgus, VanKleinen, Kved, Gsrdzl, Muimota, Humberto,
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Petruss, Antonio maza, Aipni- Lovrij, UA31, AVBOT, Flakinho, Louperibot, Josemanuel Navas, MALM RINO, Arjuno3, Luckasbot, Plugger, Living001, Max adam, Kb99, Ortisa, Xqbot, Jkbw, Charlest, Igna, Botarel, AstaBOTh15, Rojasyesid, Halfdrag,
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