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XIII Encontro de

Iniciao Cientfica
CARACTERIZAO DE CLULAS SOLARES POR QE E IV COM VARIAO
DE TEMPERATURA
Autor: Paulo Henrique Dias Vieira (Bolsista PIBITI-IME) phdvthb@gmail.com
Orientador: Wagner Anacleto Pinheiro Maj QEM D.C. IME anacleto@ime.eb.br

SEO DE ENGENHARIA MECNICA E DE MATERIAIS SE/4


Introduo e Objetivo

Nos ltimos anos, h uma crescente preocupao global acerca de formas de se


obter energia. A poluio gerada pelo uso contnuo de petrleo e carvo est alarmante, e
grupos ambientais pressionam cada vez mais as autoridades pela busca de novas fontes
energticas limpas. A energia hidreltrica, tida como limpa, responsvel por grandes
impactos ambientais: a quantidade de gs carbnico que as florestas inundadas liberam
contribui significativamente para o aumento do Efeito Estufa. A energia elica, por sua
vez, necessita de uma vasta rea para que se gere pouca energia. A energia nuclear
alvo de crticas pelo perigo que ela apresenta e pela questo do lixo nuclear, que no
possui tratamento, e muitas vezes enterrado em reas isoladas.
Esses motivos fazem o mundo dar cada vez mais ateno aos dispositivos
fotovoltaicos. A gerao de energia eltrica a partir da luz solar vem se tornando alvo
principal de muitas pesquisas nas ltimas dcadas, e recentemente o Brasil tambm se
lanou nesse campo. A potncia do sol na superfcie terrestre de 1 kW por metro
quadrado; como a eficincia real das clulas solares ainda est muito aqum da terica(5),
muito se pesquisa para entender o funcionamento delas.
Este trabalho foi motivado por esse cenrio, e visa uma melhor compreenso do
comportamento de um dispositivo fotovoltaico em diferentes temperaturas.

Figura 2. Grfico de Voc versus o inverso da temperatura


para a clula de Si.

Metodologia
Para que o objetivo fosse alcanado, foram necessrias as seguintes ferramentas:
Clulas-padro de silcio e arseneto de glio e clula solar de CdS/CdTe.
Equipamento de medida IV SISTEMA DE AQUISIO DE CURVA DE DADOS IV DE
CLULAS SOLARES; MODELO SCD1 da PV Measurements.
Equipamento de medida de eficincia quntica SISTEMA DE MEDIDA DE RESPOSTA
ESPECTRAL DE CLULAS SOLARES modelo QEX7 da PV Measurements.
Dois dispositivos termoeltricos (placa de Peltier).

Resultados
Com os equipamentos de medida IV e QE, foram obtidas as curvas respectivas
para as clulas de Si, GaAs e CdS/CdTe. Foram escolhidas as temperaturas de 10C
como mnima e 60C como mxima, com uma variao de 10C para cada medida feita.
Em alguns casos, algumas temperaturas no foram possveis de serem estabilizadas,
seja por superaquecimento do dispositivo termoeltrico, seja por condensao de gua
na superfcie da clula.
Uma vez obtidas as curvas, compararam-se os valores de Isc e Voc, e observou-se
que enquanto os valores de Isc permaneciam praticamente constantes, os valores de Voc
eram diretamente proporcionais ao inverso da temperatura absoluta. O estudo indica que
a temperaturas mais baixas o rendimento da clula solar tende a ser maior, mas no se
pode concluir nada acerca de uma temperatura tima - que leve a um rendimento
mximo por conta da condensao de gua na superfcie da clula solar, o que impede
a passagem da luz solar.

Figura 3. Grfico de QE por comprimento de onda a diferentes temperaturas


para a clula de Si.

Concluses
Com base nos dados obtidos, pode-se concluir que a variao de
temperatura se comporta qualitativamente segundo a teoria prev: a
eficincia quntica e o valor da tenso de circuito aberto diminuem com o
aumento da temperatura de modo aproximadamente linear(3).
A variao de temperatura para coleta dos dados experimentais ficou
limitada devido ao problema de condensao de umidade. Para trabalhos
futuros sugere-se a confeco de uma cmara a vcuo para que, sob baixas
temperaturas, a clula possa continuar trabalhando sem a condensao de
gua em sua superfcie. Ademais, o trabalho cumpriu os objetivos propostos.

Referncias
1. Disponvel em: <http://en.wikipedia.org/wiki/Peltier_effect#Peltier_effect>. Acesso em 20 de fev. 2012.
2. FONASH, S. J. Solar cell device physics. 2. ed.
3. GRAY, J. L. The Physics of The Solar Cells. In: Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. Eds. Luque, A.; Hegedus, S.
John Wiley & Sons Ltda. 2003.
4. NEAMEN, D. A. Semiconductor physics and devices: basic principles. 3. ed.
5. WIKIPEDIA. Disponvel em <http://en.wikipedia.org/wiki/Solar_cell>. Acesso em 25 de fev. 2012.

Figura 1. Grficos IV a diferentes temperaturas para a clula de Si.

Agradecimentos:

Ministrio
da Defesa