Clases de diodos

Diodo zener.El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de caracterstica inversa y, en

particular, en la zona del punto de ruptura de su caracterstica inversa
Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se
fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa acta como un diodo normal y por
tanto no se utiliza en dicho estado
EFECTO ZENER
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan, debido a la
caracterstica constitucin de los mismos, fuertes campos elctricos que causan la
rotura de los enlaces entre los tomos dejando as electrones libres capaces de establecer
la conduccin. Su caracterstica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensin
inversa nominal y superando la corriente a su travs un determinado valor
mnimo, la tensin en bornas del diodo se mantiene constante e independiente de la
corriente que circula por l.
FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZENER
El simbolo del diodo zener es:

y su polarizacin es siempre en inversa, es decir

Tres son las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si:
a.- Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin que
el zener va a mantener constante.
b.- Coriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor,
no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus bornas
c.- Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el
mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.
Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la
tensin en sus bornas a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente
que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor minimo de
funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que puede disipar.
Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.
Diodo tnel.Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como
detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente
delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin
directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que
aumenta el voltaje aplicado.

Representacin grfica de un diodo TUNEL y su correspondiente grfica

Diodos VARACTORES.Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, que se
utilizan como sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en FM.
A mxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarizacin cero,
cuando la capa de agotamiento es ms delgada. Cuanto ms alto es el voltaje inverso
aplicado, ms estrecha es la capa de agotamiento y por lo tanto, la capacitancia
disminuye. Estos diodos tambin reciben el nombre de diodos Varicap.

El smbolo del diodo varactor se muestra abajo con una representacin del diagrama.
Cuando un voltaje inverso es aplicado a la juncin PN, los agujeros en la regin P se
atraen a la terminal del nodo y los electrones en la regin N se atraen a la terminal del
ctodo, creando una regin de poca corriente. Esta es la regin de agotamiento, son
esencialmente desprovistos de portadores y se comportan como el dielctrico de un
condensador.
La regin de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a l
aumenta; y puesto que la capacitancia vara inversamente con el espesor dielctrico, la
capacitancia de la juntura disminuir cuando el voltaje aplicado a la juntura PN
aumenta. En la grfica, se observa la variacin de la capacidad con respecto al voltaje.
En la grfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se
disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea utilizado
tambin como generador armnico.
Las consideraciones importantes del varactor son:
Valor de la capacitancia.
Voltaje.
Variacin en capacitancia con voltaje.
Voltaje de funcionamiento mximo.
Corriente de la salida.
DIODOS VARISTOR
O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos
de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando aparece un
transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El
transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes
sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo
de silicio).

CARACTERISTICAS:
Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin
fcil del componente correcto para una aplicacin especfica.
Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente.
Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que
ocurre.
Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de
circuitera en conmutacin digital.
Alto grado de aislamiento.
Mximo impulso de corriente no repetitiva
El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del
impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos.
Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se
permite generalmente que garantice un `mximo impulso de corriente no repetitiva'.
Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente
desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que
la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10%
como mximo.
Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del
propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que
utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora.
Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que
estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas
garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.
Energa mxima
Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada
por el varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de:
La amplitud de la corriente.
El voltaje correspondiente al pico de corriente.
La duracin del impulso.
El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo entre
100% y 50% del pico de corriente.

 La no linealidad del varistor.

A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia
generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la
norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico
en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien
sinusoidal.

Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor
medio (t2)
DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)
Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy
pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en
fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el
nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de portadores calientes.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un material
semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico, cualquiera,
la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se
hace entre un metal y una regin semiconductora con la densidad del dopante
relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando
tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo Schottky, se forma colocando una
pelcula metlica en contacto directo con un semiconductor, segn lo indicado en la
figura N05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la
movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La parte metlica ser
el nodo y el semiconductor, el ctodo.

En una deposicin de aluminio

(3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran
haca el metal, creando una regin de transicin en la ensambladura.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos
materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la de los diodos
bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo necesaria rehacer la
barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene un dopaje relativamente
alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable
para este tipo de diodo est alrededor de los 100V.
La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensin, en
las cuales las cadas en los rectificadores son significativas.

Figura N05 (Diodo Schottky construido a travs de la tcnica de CIs.)

Curva caracterstica de un diodo SCHOTTKY

EL DIODO LASER
Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las
caractersticas de un diodo lser son:
La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en
muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz
preferencial una sola direccin.

Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser

Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser

Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz
monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede
controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas
operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin.
Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos:
Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin
digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos
musicales. El principio de operacin de uno y otro es idntico.

Esquema del funcionamiento del CD-ROM

Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos,
se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes
de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un
detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al
detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital.
Diodo de capacidad variable (VARICAP).Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la anchura de la
barrera de potencial en una unin PN varia en funcin de la tensin inversa aplicada
entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador
variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a
500pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1v.
La aplicacin de estos diodos se encuentra en la sintona de TV, modulacin de
frecuencia en transmisiones de FM y radio, sobre todo.
Diodo Schottky.-

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico

alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de

1ns en dipositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral

(tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como
"knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima
necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto,
claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de
potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del
flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente.
Funcionamiento
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin
cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutacin puede llegar a ser muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera
Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor
N utilizada por los diodos normales.
As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador
mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con
impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles) desempearn
un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin
aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores
normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms rpida.

Caractersticas
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y
eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral
valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos
Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose,
por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo
cido.
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir
resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades
de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de
energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la
corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este
no pierda sus facultades.
El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL. Por ejemplo
los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean

mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da
una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y
menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las
Schottky TTL con la misma potencia.
Fotodiodo.Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan
como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin
muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente
presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir
sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud
de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8
m ); o de cualquier otro material semiconductor.
Ancho de Banda
Un ancho de banda tpico de un LED es de 200 MHz, con rendimientos de 50 mW/mA.
Los LED presentan un espectro de emisin ms ancho que los lser. Un LED
de 850 nm. tiene un ancho entre 30 y 50 nm.
Fotodiodo Avalancha
El fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicacin por avalancha para conseguir
amplificar la fotocorriente creada por los pares hueco-electrn. Esto proporciona una
elevada sensibilidad y gran rapidez. Sin embargo, el equilibrio entre ruido y ganancia es
difcil de conseguir y como consecuencia, el coste es alto. Asimismo la estabilidad de
temperatura es deficiente y se requiere una tensin de alimentacin de valor elevado
(100-300 v.), estrechamente controlada. Por estas razones, el fotodiodo de avalancha
tiene limitadas aplicaciones.
Led

Diodo emisor de luz, tambin conocido como LED (acrnimo del ingls de LightEmitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de
espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula
por l una corriente elctrica. Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia.
El color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la
construccin del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta
el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin reciben el
nombre de UV LED(UltraViolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja
suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode). Fueron inventados
porOleg Lsev.
El funcionamiento fsico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn
al pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida
se puede manifestar en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin
y una fase aleatoria. El que esa energa perdida cuando pasa un electrn de la banda de
conduccin a la de valencia se manifieste como un fotn desprendido o como otra forma
de energa (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material
semiconductor. Cuando un diodo semiconductor se polariza directamente, los huecosde
la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los
electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energtico
superior a otro inferior ms estable. Este proceso emite con frecuencia
un fotn en semiconductores de banda prohibida directa o "direct bandgap" con la
energa correspondiente a su banda prohibida (vase semiconductor). Esto no quiere
decir que en los dems semiconductores (semiconductores de banda prohibida indirecta
o "indirect bandgap") no se produzcan emisiones en forma de fotones; sin embargo,
estas emisiones son mucho ms probables en los semiconductores de banda prohibida
directa (como el Nitruro de Galio) que en los semiconductores de banda prohibida
indirecta (como el Silicio). La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma
notable en todos los diodos y slo es visible en diodos como los LEDs de luz visible,
que tienen una disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que la
radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y una energa de la banda
prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la
energa se libera principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin
ultravioleta. En el caso de que el diodo libere la energa en forma de radiacin
ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiacin para producir radiacin
visible, mediante sustancias fluorescentes o fosforescentes que absorban la radiacin
ultravioleta emitida por el diodo y posteriormente emitan luz visible.

A (p)

C K (n)

Representacin simblica del diodo LED

El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta
de plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en
las lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por
razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente un
LED es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn por la cual el patrn de
intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo [1].
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que
atraviesa el LED; para ello, hay que tener en cuenta que el voltajede operacin va desde
1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el material de
fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe circular
por l vara segn su aplicacin. Valores tpicos de corriente directa de polarizacin de
un LED corriente estn comprendidos entre los 10 y los 40 mA. En general, los LEDs
suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por ellos, con lo
cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar un compromiso entre la
intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms grande es la intensidad que
circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por
ellos).