FABRICAO DE
CIRCUITOS
INTEGRADOS
GRUPO I
TURNO- MANH
SALA- I 102
DISCIPLINA- ELECTRONICA I
2 ANO -2014
ELABORADO POR:
HELDER FALCO 16133
HILTON CHIEMBA 16351
ndice
Introduo..........................................................................................................................2
1.
2.
1.2.
Crescimento Epitaxial.........................................................................................5
1.3.
A oxidao..........................................................................................................6
1.4.
A difuso.............................................................................................................8
1.5.
1.6.
A metalizao....................................................................................................10
1.7.
A fotolitografia..................................................................................................10
1.8.
O encapsulamento.............................................................................................14
Concluso........................................................................................................................18
Bibliografia......................................................................................................................19
Introduo
O processo de fabricao de um Circuito Integrado consiste de uma srie de
passos que so elaborados em uma ordem especfica. A realizao destes passos
converte um projecto de circuito em um componente real.
O conhecimento do processo de fabricao de um circuito integrado
fundamental ps permite ao projectista: melhorar o projecto, propor ideias inovadoras
usando as caractersticas do processo, inferir sobre o efeito do layout no desempenho do
circuito.
Este trabalho considerar apenas o processo de fabricao de CIs baseada no
silcio (Si) sendo o material mais popular, caracterizado por uma larga gama de
componentes com boa relao custo-desempenho.
1.1.
(Silcio Policristalino)
(Silcio monocristalino)
O silcio policristalino triturado e depois fundido. Enquanto est na fase lquida
podem ser adicionadas quantidades controladas de impurezas por meio de um processo
conhecido como dopagem (dopantes como Ferro e Boro) ao silcio intrnseco para que
sejam obtidas as propriedades eltricas desejadas. possvel controlar tambm o tipo
dos portadores usados para produzir conduo elctrica, criando-se, tanto lacunas
(silcio tipo p) como eltrons (silcio tipo n). Essa habilidade de controlar o tipo de
impureza e a dopagem do silcio permite a fabricao de dodos, transstores e resistores
em circuitos integrados de forma bastante flexvel.
Aps a obteno do silcio dentro das caractersticas necessrias, o cristal
cortado com lminas ou fios de diamante formando wafers (bolachas), com espessuras
que variam de 0,25mm e 1mm de acordo com o dimetro do cristal.
(Wafers-bolachas)
1.2.
Crescimento Epitaxial
1.3.
A oxidao
toda a rea de processamento, e todo o pessoal deve vestir roupas feitas de materiais
especiais.
Figura 1.3
Figura 1.3.1
1.4.
A difuso
A difuso o processo pelo qual os tomos se movem de uma regio com alta
concentrao para uma regio com baixa concentrao pela rede cristalina. Na
fabricao de CIs, a difuso um mtodo em que so introduzidos tomos de impureza
(dopantes) no silcio para mudar a sua resistividade. A velocidade em que ocorre a
difuso de dopantes no silcio uma funo muito dependente da temperatura. Portanto,
para aumentar a velocidade, a difuso de impurezas de dopantes feita geralmente em
7
1.5.
1.6.
A metalizao
(sputtering). Um alvo de metal puro (por exemplo, 99,99% de alumnio) colocado sob
um feixe de ons de argnio (Ar) dentro de uma cmara em vcuo. As lminas so
tambm colocadas dentro da cmara, acima do alvo. Esses tomos de metal cobriro
todas as superfcies dentro da cmara, incluindo as lminas. A espessura da camada de
metal pode ser controlada pelo intervalo de tempo da pulverizao catdica (sputtering),
o qual est normalmente na faixa de 1 a 2 minutos.
1.7.
A fotolitografia
Aplicao de Fotoresiste
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Fabricao da Fotomscara
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Fotogravao
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1.8.
O encapsulamento
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Figura 2.3(b)
Figura 2.3(c)
regies n+ de dreno e fonte dos MOSFETs tipo n. Uma camada de fotorresiste pode ser
usada para bloquear as regies em que os MOSFETs tipo p sero formados (figura
2.5(e)). Uma etapa fotolitogrfica reversa pode ser usada para proteger os MOSFETs
tipo n durante a implantao de boro p+ de dreno e fonte (figura 2.6(f)). Antes de as
janelas de contactos serem abertas, uma camada espessa de xido CVD depositada
sobre toda a lmina. Uma fotomscara usada para definir as janelas de contacto (figura
2.7(g)), seguida de uma corroso hmida ou seca do xido. Uma fina camada de
alumnio evaporada ou depositada por pulverizao catdica (sputtering) sobre a
lmina. Uma etapa final de mascaramento e corroso utilizada para delinear as
interconexes (figura 2.8(h)).
Figura 2.4(d)
Figura 2.5(e)
Figura 2.6(f)
Figura 2.7(g)
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Figura 2.8(h)
Concluso
Aprendemos que os circuitos integrados so componentes de extrema
importncia ps permitem a criao de dispositivos electrnicos com um alto
desempenho e mobilidade visto que actualmente estamos na era da nanotecnologia onde
procure-se cria dispositivos menores com grande capacidade desempenho. Isso leva a
uma certa complexidade no processo de fabricao sendo fundamental cumprir com
grande preciso as etapas e processos de fabricao.
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Bibliografia
Tecnologia de fabricao de circuitos integrados (VLSI);
Etapas dos Processo Fotolitogrfico - Beijamim Rodrigues de Souza;
Processo de Fabricao de Circuitos Integrados;
Procesos de fabricacin - Antonio Luque Estepa;
Projetos de Circuitos Integrados;
Circuitos integrados - HILTON A. MELLO
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