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MTODOS ELCTRICOS DE PROSPECCIN

SONDEOS DIPOLARES

SONDEOS DIPOLARES
En
los
Sondeos
Elctricos Dipolares (SED) las
separaciones entre electrodos
M
de corriente (AB) y de
potencial (MN) son pequeos
en comparacin con la paralelo
distancia R que los separa. Su
posicin mutua puede ser

x
cualquiera, aunque, en la
A
prctica se emplean las
configuraciones bsicas de la
fig. 103
N

perpendicular

x
A

B
x

x
B

x
A

x
B

x
A

x
B

azimutal

x
A

x
B

Fig. 103 Dispositivos dipolares

No obstante, el dispositivo preferido


es el azimutal, particularmente el caso en el
que = 90 que se conoce con el nombre
especial de Sondeo Dipolar Ecuatorial
(SDE).
Lo mismo puede decirse del
dispositivo radial con = 0 que recibe el
nombre de sondeo Dipolar Axil (SDO),
mostrados ambos en la fig. 104.

axil
(radial y paralelo)

x
B

radial

A
x

ecuatorial
(azimutal y paralelo)

Fig. 104 Dispositivos dipolares especiales

Definicin
Se tiene un Sondeo Elctrico Dipolar (SED) cuando se obtienen valores de la
resistividadad aparente del subsuelo, utilizando cualesquiera de los dispositivos mostrados en
los grficos anteriores, en funcin de la separacin creciente entre dipolos, El procedimiento
que se emplea es similar al aplicado en el mtodo SEV. El mtodo SED se desarroll con el
propsito de reemplazar las dificultosas mediciones de SEV profundos en los que las lneas de
corriente son demasiado largas. Como el campo dipolar decrece con R3 (Ec. 138 y siguientes),
sus requerimientos de energizacin son mayores.
El potencial de un dipolo

P(x,y)

Ubicando un dipolo de corriente AB en un


sistema de coordenadas cartesianas y siendo: b =
AB << R; y P(x,y) un punto cualquiera (fig. 105),
ser:
UP =

R2

b
R1 = x + y 2
2

R1

x
B

I 1
1

2 R 1 R 2

x 2 + y 2 bx

12

12

12

b2
= x 2 + y 2 bx +
4

= R 2 bx

Fig. 105 Un punto en el campo de un dipolo

(135)

b
R 2 = x + + y 2
2

12

12

12

bx
= R1 2
R
12

bx

R1 + 2
R

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De modo que reemplazando los valores de R1 y R2 en la ecuacin (135) obtendremos


el valor de U en funcin de R y :
1 2
1 2
I
bx
bx

U=
1

1
+

=
2R R 2
R 2

I
2 R
=

1 bx
1 bx

1 + 2 R 2 + ... 1 + 2 R 2 + ... =

I bx
bI x
M
=
= 2 cos
2
2
2R R
2R R R

(136)

donde M se denomina momento del dipolo:

M=

bI I
= AB
2 2

(137)

El campo dipolar: sus componentes


Por derivacin de la ecuacin (136), segn convenga, se obtienen las componentes del
campo elctrico en el punto P(x,y):
U
M
2M
=
2 cos = 3 cos
R
R R
R

(138)

1 U
1 M
M
=
2 cos = 3 sen
R
R R
R

(139)

ER =

E =

Ey
y

ER

Ex

P
R

x
A

Ex =

Ey =

Fig. 106 Componentes del campo dipolar


2
2

x
M
= M 2x y
x x 2 + y 2 (x 2 + y 2 )1 2
(x 2 + y 2 )5 2

(140)

x
3xy
M
=M
2
2
1
2
y x + y (x 2 + y 2 )
(x 2 + y 2 )5 2

(141)

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Resultando para el mdulo del campo:


E = (E 2R + E 2 )1 2 =

En coordenadas polares:

En coordenadas cartesianas: E = (E 2x + E 2y )1 2 =

M
(1 + 3 cos 2 )1 2
3
R

(142)

M[(2x 2 + y 2 ) 2 + x 2 y 2 ]1 2

(143)

(x 2 + y 2 )5 2

Y siendo el ngulo entre el campo E y la direccin QP, tendremos que:

tg =
tg( + ) =

Ey
Ex

E
M sen R 3
1
=
= tg
3
E R 2M cos R
2
=

(144)

tg + tg
3 tg
3xy
=
= 2 2
2
1 tg tg 2 tg 2x y

(145)

Propiedades del campo dipolar


a) Sobre un mismo radio vector ( = CTE)

U decrece con R

U=

(Ec. 136:

M
R2

cos )

E decrece con R3
(Ec. 142)

E =

M
R

(1 + 3 cos 2 )1 2
B

Fig. 107 Variacin de E con ( = Cte)

b) Si R = CTE

U es mximo sobre el eje x y nulo sobre el


eje y.
(en Ec. 136, haciendo: = 0 (cos =1) y
= /2 (cos = 0)
c) es independiente de R:

tg = 1/2tg

(Ec. 144)
d) En el eje x (y = 0; = 0)

R
x
A
Fig. 108 Mximo valor de E ( = 0)

Ey = E = 0

(hacer y = 0 en la Ec. 141:

Ey = M
y = 0 en la Ec. 139:

3xy

(x + y 2 )5 2
M
E = 3 sen
R

e) En el eje y (x = 0; = /2)

Ey = ER = 0

(hacer x = 0 en la Ec. 141


y = /2 en la Ec 138:

2M
E R = 3 cos
R

x
B

A
Fig. 109 Valor de E en x = 0; = /2.
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Por lo tanto, en el caso d) como en e) resulta que:


E =Ex
y si en ambos casos el valor de R es el mismo:
E x =0 =

1
E
2 y =0

que se deduce reemplazando los correspondientes valores de en la Ec 142. Pero, el sentido


de (Ex)y=0 es opuesto al de (Ex)x=0. Es decir, el signo de Ex cambia en el primer cuadrante,
entonces, hay en l un punto en el que Ex = 0, cual es?
Para saberlo, igualamos a 0 la Ec. 140:

Ex = M

2x 2 y 2
(x + y )
2

2 52

= 0 2x 2 y 2 = 0

de donde resulta que:


y = 2 x tg = 2 = 54 o 44 ' 08 ''

Resistividad aparente en los dispositivos dipolares


El campo creado por un dipolo de corriente, puede explorarse con un dipolo de
potencial MN (con centro en O=P(x,y)), conectado a un voltmetro, conformando un circuito
de potencial similar al empleado en el mtodo SEV. Denominando al ngulo entre el radio
vector QP y el dipolo MN, tendremos:
N

E = E R cos + E sen

E =

M
(2 cos cos + sen sen )
R3

E =

IAB
(2 cos cos + sen sen )
2R 3

a =

2R 3
V
(2 cos cos + sen sen ) 1
I
ABMN

Fig. 110 MN dipolo cualquiera

(146)

(147)

Girando el dipolo MN alrededor de O se obtienen diferentes resistividades aparentes,


entre ellas: ; R; x y y que dan lugar a los tipos bsicos de Sondeo Dipolar, para cuyo
clculo necesitamos conocer los respectivos valores de la constante geomtrica,
2R 3
K=
(2 cos cos + sen sen ) 1
ABMN
dando a los valores que corresponde en cada caso.

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Coeficientes geomtricos en los dispositivos dipolares


a) dispositivo paralelo ( = -)
(fig. 111)
K II =

=-
O

2R
(2 cos 2 sen 2 ) 1 =
ABMN
3

2R 3
(3 cos 2 1) 1
ABMN
N

(148)

b) dispositivo perpendicular ( = /2-)


(fig. 112)

K =

R 3
4
ABMN 3 sen 2

(149)

Fig. 112: SD

Fig. 111: SDII

c) dispositivo radial ( = 0)
(fig. 113)

KR =

R 3
1
ABMN cos

(150)

Fig. 113: SDR

d) dispositivo azimutal ( = /2)


(fig. 114)
K =

2R 3
1
ABMN sen

(151)

= /2
N

Fig. 114: SDA

2R 3
KE =
ABMN

(152)

Fig. 115: SDE

f) dispositivo axil ( = = 0)
(fig. 116)
R 3
K0 =
ABMN

e) dispositivo ecuatorial ( = = /2)


(fig. 115).

=
/2
B

=0
0
Q
A

=0
0
M

(153)
Fig. 116: SDO

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En la prctica los dispositivos dipolares ms utilizados son los tres ltimos: el SD


azimutal (SDA), el SD ecuatorial (SDE) y el SD axil (SDO).
Los sondeos dipolares
De manera similar al mtodo SEV, se obtienen valores de la resistividad aparente para
valores de R crecientes, lo que se hace habitualmente desplazando el dipolo de potencial y
manteniendo fijo el de corriente por la mayor dificultad de su instalacin en condiciones de
que sean mnimas las resistencias de contacto. Por otra parte, no debe descuidarse el que AB y
MN puedan considerarse realmente dipolos. En tal sentido, Cuan pequeos deben ser AB y
MN?
De acuerdo con los geofsicos rusos AB depende del dispositivo segn:
AB 0,6 R, y
0,6 R AB 1,3 R
AB 0,2 R

SDA:
SDE:
SDO:
Mientras que:

70 110

MN 0,2 R.

en los tres casos

Suelen medirse SD bilaterales, de los que


en las figuras 117 y 118 se dan ejemplos para
SDO y SDE. Son de gran utilidad para detectar
buzamientos de sustratos resistivos, lo que suele
conseguirse con un solo SD bilateral.

M1

N1
R

A
R

R
M1

N1

M 2 N2

Fig. 117 SDO Bilateral

M2

N2

Fig. 118 SDE Bilateral

Distancia representativa
Los SD deben graficarse de
manera similar a los SEV, lo que se
consigue representando a en funcin de
la "distancia representativa", que segn
el dispositivo ser:
SDO:
R
SDE:
R= AO = OB
SDA:
pR
La determinacin de p en este
ltimo caso se efecta con ayuda de un
baco en funcin de la relacin AB/R y
del ngulo (figura 119).
Fig. 119 Abaco de VENDRITSEV para determinacin de p

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Clases de resistividad aparente en los sondeos dipolares


Las distintas resistividades (fig. 121) se obtienen girando MN alrededor de O (fig.
120), previamente se establece una convencin de signos, tanto para la corriente I como para
los ngulos de los dispositivos.
(+)

O
M

B(-)

(+)
A(+)

Fig. 120 Convencin de signos en los SD

Fig. 121 Direccin de las resistividades principales

Para aprovechar todo el desarrollo efectuado en el mtodo SEV, resulta conveniente


partir de una expresin del potencial en funcin de la resistividad Schlumberger (S) y
expresar en funcin de este parmetro las distintas clases de resistividad de los SED.
Relacin de U con la resistividad de Schlumberger (
S)
Partamos de considerar un monoelectrodo de corriente A, por el que se introduce en el
terreno (de resistividad ) una corriente I, y un dipolo de potencial con cualquier orientacin
(fig. 122), en cuyo caso y siendo MN =a <<AO, se tendr:
a
AM AO cos
M
2

a
O
AN AO + cos
A
2
I 1
1
N
V =

2 AM AN
Fig. 122 Polo-dipolo

I
1
1
=
V =

a
a
2

AO cos AO + cos
2
2

I
2

a cos
I a cos

2
2
a
2 AO 2
AO cos 2
4

(154)

De esta ltima, y haciendo =a se deduce:


a = 2AO

'
2 E
V 1
1
= 2AO
a cos I
cos I

Siendo E el campo en direccin de AO y E el campo en direccin de MN, es:


E ' = E cos
2 E
a = 2AO
I
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SONDEOS DIPOLARES

Similar a la observada con un dispositivo trielectrdico de Schlumberger (Ec. 47).


Por el principio de reciprocidad, un dipolo activo en MN producir en A un potencial
U igual al V anterior, o sea:

U=

a I a cos
2 OA 2

O, lo que es lo mismo, al de AB en O,
dispositivo que resulta de girar el anterior
alrededor del centro T (fig. 123), en cuyo caso se
puede poner:

U=

aS I b cos
2 R 2

(155)
B
M

O
N

(156)

Fig. 123 Dispositivo girado alrededor de T

Potencial de partida para calcular las componentes del campo dipolar y con base en
ellas las resistividades dipolares.
ER =

U
bI 2 S S
=

cos
R 2R 2 R
R

(157)

E =

1 U S bI
=
sen
R 2R 3

(158)

(suponiendo homogeneidad lateral:

S
= 0 puesto que S depende de R, pero no de )

Las frmulas para R y


En a = K

V
se reemplazan los valores de KR y K (Ec. 150 y 151):
I

R 3
1 V 3 1
= R
ER
bI
cos
ABMN cos I

(159)

2R 3 1 V 2R 3 1
=
=
E
bI sen
ABMN sen I

(160)

R =

y reemplazando en stas ER y E por las expresiones correspondientes (Ec. 157 y 158), se


obtiene finalmente:
R = S

R S
2 R

= S

(161)

Las frmulas para x y y


De modo anlogo podemos calcular x y y reemplazando en a = K

V
los valores
I

de KII y K (Ec. 148 y 149):

2R 3
2R 3
2
1 V
x =
(3 cos 1)
=
(3 cos 2 1) 1 E x
I
bI
ABMN

(162)
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SONDEOS DIPOLARES

R 3
4
V R 3
4
y =
=
Ey
bI 3 cos 2
ABMN 3 cos 2 I

(163)

pero
E x = E R cos E sen
E y = E R sen E cos
de donde, reemplazando en stas ER y E y stas en las anteriores, se llega a:

x = S

R cos 2 S
3 cos 2 1 R

y = S

R S
3 R

(164)

En el caso general de un ngulo cualquiera y segn la Ec 147 ser:


2R 3
=
(2 cos . cos + sen . sen ) 1 E
bI
y siendo
E = E R cos E sen

tendremos:
=

2 cos cos . R + sen sen .


2 cos cos + sen sen
S
) + sen sen . S
R
2 cos cos + sen sen

cos cos (2 S R

(165)

En resumen
1.- Las diferentes resistividades que se pueden obtener en los SED: R, , x y y pueden
expresarse en funcin de la resistividad S obtenida con un dispositivo Schlumberger.
2.- Trabajando en condiciones de homogeneidad lateral, o sea, cuando se cumple que:
S/ =0, R, y y son independientes de . Ello implica que los SDR, SDA y SD son
independientes de (son posibles los sondeos curvos)
3.- El hecho de que = S implica que en SDA (y en particular en los SDE) se pueden
utilizar los mtodos de interpretacin de los SEV, lo que constituye una inestimable ventaja.

Trabajo de campo
Valen para los sondeos dipolares las mismas observaciones realizadas para el mtodo
SEV, debiendo tenerse presente adems que los SD, requieren mayor apoyo topogrfico y el
empleo de corrientes de emisin ms intensas (decenas de amperes en los SD profundos).
En atencin a reducir en lo posible las resistencias de contacto en AB, se busca que
tales puntos se movilicen lo menos posible, y si ello es factible, que ni siquiera cambien de
posicin mientras dura toda la operacin. Ello implica que para agrandar el dispositivo entre
punto y punto deben necesariamente desplazarse M y N, lo que seguramente ser causa de
errores debido a las inevitables heterogeneidades laterales.
En SDE (el mas utilizado) se comienza midiendo un SEV hasta AB = 1 a 2 km.

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Caractersticas comparativas entre los distintos dispositivos


Caractersticas prcticas del SDR
Es el de ms fcil ejecucin (MN se mueve sobre una recta), mayor poder resolvente pero
menor penetracin (comparable con la del SEV).
Adecuado para determinar sustratos resistivos,
V decrece con : es mximo para = 0, y nulo para = /2 (en terreno lateralmente
homogneo).
Cuando = 0 se tiene el dispositivo dipolar axil.
Caractersticas prcticas del SDA
De penetracin doble que la del SEV.
Cuando hay homogeneidad lateral sus curvas son iguales a las de los SEV.
V crece con :
es mximo para = /2 y nulo para = 0 (en terreno lateralmente
homogneo).
Se presta para sondeos curvos,
Cuando = /2 se tiene el dispositivo dipolar ecuatorial.
Caractersticas prcticas del SD
La forma de la curva depende de .
V es mximo para = /2 y = 0 y mnimo para valores entre 40 y 60 (en medio
homogneo se anula para = 544408").
Entre tales valores de su resolucin es mxima, pero al mismo tiempo es ms sensible a las
heterogeneidades superficiales.
Cuando = 0 se tiene el dispositivo dipolar axil.
Cuando = /2 se tiene el dispositivo dipolar ecuatorial.
Caractersticas prcticas del SD
De mayor poder resolvente que el SDE.
No padece de efectos inductivos entre ambos dipolos.
Mayores valores de V sobre cortes H y mayor precisin para obtener S (y calcular la
resistividad longitudinal, l) sobre sustratos resistivos.
Permite obtener directamente el buzamiento de sustratos resistivos si ste es menor que 12.
Es menos sensible a las heterogeneidades laterales que los dems tipos de SD.

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