Capitolo 3 Misure di spostamento

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3. MISURE DI SPOSTAMENTO
3.1 IL TRASDUTTORE PIEZOELETTRICO DI SPOSTAMENTO
Questo tipo di trasduttore sfrutta la propriet dei materiali piezoelettrici di generare cariche elettriche, Q,
proporzionali alla deformazione causata dallo spostamento, che si vuole misurare1:
Q = kq x i
con kq il coefficiente di piezoelettricit e x i lo spostamento. Questi trasduttori vengono normalmente
utilizzati per risalire alla forza, o alla pressione, origine dello spostamento in questione. In caso di
spostamenti costanti, o lentamente variabili questi trasduttori non riescono a garantire una relazione lineare perfetta fra carica e spostamento, come verr accennato in seguito, per cui in questi casi
opportuno ricorrere ad altri tipi di trasduttori.
Il trasduttore piezoelettrico, per la piccola energia in gioco, deve essere collegato ad un amplificatore di
carica2 (vedi fig. 3.1a), che possiede unalta impedenza di ingresso, dellordine di 1014 , per impedire
che la carica venga dissipata nella misura.
Per studiare il comportamento di questo sistema meccanico-elettrico, si considera il caso di uno
spostamento, xi, generato da una forza, che ha il seguente andamento:

F =0 ,
F = Fi
F =0 ,

per t < 0
per 0 < t < T

per t > T

descritto nella figura 3.1b.

Fi

Rf

Fi

Cf
k

m
?

xi

Fi

xi

si stema
m ec canico
x

eo

sis tema
ele t trico
eo

eo
T

Figura 3.1. Schematizzazione del trasduttore di spostamento (a) e andamento delle tensioni
alluscita dai vari blocchi in caso di spostamento a gradino (b).
Il sistema pu essere scomposto in due sotto sistemi: uno meccanico del secondo ordine, che trasforma
la forza, Fi, in uno schiacciamento, xi, del trasduttore piezoelettrico, e laltro elettrico del primo ordine,
che traduce questo schiacciamento in una tensione, eo.
Se si trascura il transitorio introdotto dal sistema meccanico3, si ha:
x i (t ) = k F (t )
e, di conseguenza, landamento temporale della tensione, eo(t), legato solo alla dinamica dellamplificatore di carica, il cui schema presentato nella figura 3.2.

Rf
iR
if

i-

i
ee+

i+

Cf

iC

eo

Figura 3.2. Schema dellamplificatore di carica.

1
2
3

Vedi il paragrafo Il trasduttore piezoelettrico nel Capitolo Note su alcuni componenti elettronici.
Vedi il paragrafo Lamplificatore di carica nel Capitolo Sistemi di condizionamento del segnale.
Nella figura 9.40b il transitorio meccanico stato amplificato, rispetto al comportamento reale.

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Da quanto spiegato nel paragrafo sullAmplificatore di carica esposto nel testo, la corrente,
i(t ) = dQ(t ) dt , in ingresso quella proveniente dal trasduttore, per cui:
dx (t )
i (t ) = kq i
dt
Per il principio di Kirchoff sulle correnti, che convergono nel nodo4, si ha:
i (t ) = i f (t )
+

perch si considerano nulle le correnti i e i . La corrente, i f (t ) , proveniente dal parallelo resistivo-capacitivo, data dalla somma di quella proveniente dalla resistenza R f e di quella proveniente dalla capacit Cf:
i f (t ) = iR (t ) + iC (t )
(3.1)
Considerando il condensatore scarico al tempo t = 0, e che e + = e = 0 , si ha:
t
1
(
)
eo t =
i t ' dt ' + 0
C f 0 c ( )
La corrente iC (t ) si ottiene derivando lespressione precedente:
deo (t ) iC (t )
=
dt
Cf
per cui la (3.1) assume la forma:
eo (t )
de (t )
dx (t )
+ C f o = kq i
Rf
dt
dt

k
deo (t )
dx (t )
+ eo (t ) = q f i
dt
Cf
dt

con = R f C f , costante di tempo.

Durante il tempo compreso fra t = 0 e t = T lo spostamento x(t) costante per cui:
de (t )
f o + eo (t ) = 0 ,
dt
e, di conseguenza:

eo (t ) = K e f .
Per t = 0 + la condizione al contorno impone che:
Q kq x i
eo (t = 0) =
=
Ca
Ca
in cui Ca la capacit del sensore piezoelettrico. Landamento della tensione eo(t) nellintervallo di tempo 0 t T , di conseguenza:
k x t
eo (t ) = q i e f
(3.2)
Ca
Al tempo t = T + la forza, Fi, torna a zero e, cos, anche lo schiacciamento, xi, generando sulle piastre una
carica Q uguale e contraria a quella indotta dallo schiacciamento e la tensione, eo, si abbassa di una
quantit pari a kq xi Ca , come mostrato nella figura seguente.

eo
kq . xi
Ca

Figura 3.3. Andamento della tensione in uscita dallamplificatore di carica in seguito ad uno
schiacciamento costante del sensore piezoelettrico, seguito da un rilascio.

Vedi il paragrafo Richiami di elettrotecnica nel Capitolo Termodinamica dei fluidi ed elettrotecnica.

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Per t > T + la tensione in uscita dallamplificatore segue la legge:

de (t )
f o + eo (t ) = 0
dt
la cui soluzione :
eo (t ) = K e

t
f

(3.3)

La condizione al contorno data dalleguaglianza della (3.2), cui stato sottratto il valore kq xi Ca con
la (3.3), valutate al tempo t = T :
T

k x T k x

C1 e f = q i e f q i
Ca
Ca
da cui si ottiene la costante:
T
k x

C1 = q i 1 e f
Ca

La (3.3) diventa:
T
t

k x

eo (t ) = q i 1 e f e f
Ca

Landamento della tensione mostrato nella figura 3.4 per diversi valori della costante di tempo f .

eo

f crescenti

kq .x i
Ca

f crescenti
t

Figura 3.4. Andamento della tensione al variare della costante di tempo f .

Si nota che allaumentare del valore della costante di tempo la tensione tende ad avvicinarsi ad un valore
costante allinterno del tempo T. Si deduce, quindi, che pi f alto, pi la misura di uno spostamento
costante accurata. Se si vuole mantenere il valore di eo (t ) al tempo t = T pari al 5% del valore iniziale,
occorre che la costante di tempo soddisfi alla seguente condizione:
K e

T
f

= 0.95 K

da cui:
e

T
f

= 1.05 ,

f = 20 T

3.2. GLI ESTENSIMETRI A RESISTENZA VARIABILE

Quando si deve verificare lo sforzo, cui soggetta una struttura sotto carico, si pu misurarne la deformazione conseguente e risalire al valore numerico dello sforzo ricorrendo alle equazioni, che legano le
tensioni alle deformazioni. Ad esempio, se si conosce la direzione della sollecitazione, la deformazione,
= L L , legata alla tensione , che si esercita nella stessa direzione di L , dalla equazione
= E
in cui L la lunghezza della parte in esame, L la sua variazione di lunghezza ed E il modulo di
elasticit. Espressioni pi complesse devono essere utilizzate, se non si conosce a priori la direzione
della sollecitazione.
Nella pratica si impiega per le deformazioni una unit convenzionale: la microdeformazione, che vale
1 def = 10 6
Una deformazione pari a = 3 10 4 equivale a = 300 def .

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Se si conoscono le direzioni delle tensioni principali, occorre misurare le deformazioni, 1 ed 2, nelle

due direzioni e risalire alle tensioni tramite le seguenti espressioni:
E
E
1 =
2 =
( + 1 )
2 ( 1 + 2 ) ,
1
12 2
essendo il coefficiente di contrazione trasversale, o di Poisson.
Se non si conosce nulla sulla direzione delle tensioni, allora occorre determinare le deformazioni a, b, c
in tre direzioni a, b, c, scelte a priori. Queste direzioni formano gli angoli a, b, c con la direzione
incognita della deformazione principale (vedi fig. 3.5).
defor mazi one
princi pal e

ba
b

cb

c
Figura 3.5. Relazioni angolari di tre direzioni delle deformazioni con la deformazione principale.
Gli angoli ba e cb sono scelti dallo sperimentatore, o sono gi predisposti dalla posizione dei sensori
utilizzati per la misura delle deformazioni, come vedr mostrato in seguito. Si genera, cos, un sistema di
cinque equazioni nelle cinque incognite: 1, 2, a, b, c:
+

+

a = 1 2 + 1 2 cos 2 a ,
b = 1 2 + 1 2 cos 2 b
2
2
2
2
1 + 2 1 2
c =
+
cos 2 c ,
2
2

ba = b a

cb = c b

in cui 1 ed 2 sono le tensioni nelle direzioni principali.

Le deformazioni sono misurate da sensori chiamati estensimetri a resistenza variabile, o strain gages,
costituiti da conduttori metallici, o da semiconduttori. Il principio di funzionamento di questi sensori si
basa sulla loro variazione di resistenza elettrica, quando questi sono soggetti a deformazione. Se si fa
aderire rigidamente lestensimetro al pezzo, soggetto ad una forza, o ad un momento, lestensimetro
rileva la presenza delle tensioni superficiali. Si tratta di misure non distruttive, cio di misure che non
richiedono il danneggiamento del pezzo, su cui montato lestensimetro.
Di seguito presentato il principio di funzionamento dellestensimetro. Un conduttore metallico, o un
semiconduttore, di sezione A e di lunghezza L, oppone alla corrente elettrica una resistenza R, pari a:
L
R=
(3.4)
A
in cui la resistivit , misurata in ohm m [ m] (linverso della resistivit chiamata conduttanza,
indicata con il simbolo , misurata in siemens [S]).
Se il conduttore subisce un allungamento, o una compressione, la sua resistenza cambia a causa della variazione, sia della sezione e della lunghezza, sia di una propriet fondamentale dei materiali, chiamata
piezoresistivit; questa propriet mette in luce la dipendenza della resistivit, , dalla deformazione del
conduttore. La variazione della resistenza, in funzione della variazione dei suoi parametri [vedi (3.4)],
pu essere ottenuta, differenziando il logaritmo della resistenza, funzione della resistivit, della lunghezza e dellarea dellestensimetro:
log R = log + log R log A
Sapendo che:
dx
dlog x =
x
si ottiene:

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dR d dL dA
(3.5)
=
+

L
A
La superficie del conduttore pu essere espressa dalla relazione
A = (k r ) r
in cui k uguale a per una sezione circolare; per un conduttore di sezione rettangolare il prodotto
( k r ) uguale alla dimensione del primo lato, mentre il secondo lato uguale ad r. Con questa
posizione si ha
dA
dr
= 2
A
r
La variazione dr legata alla variazione dL dalla espressione:
dr
dL
=
r
L
in cui il coefficiente di Poisson, per cui la (3.5) si trasforma nella
dR dL
dL d
(3.6a)
=
+ 2
+

R
L
L
dL
Portando a fattore comune
= , si ottiene:
L
dR
(3.6b)
= K
R
in cui
d L
K = 1 + 2 + 1 E ,
1 E =

(3.7)
dL
Il coefficiente K chiamato fattore di estensimetro, 1 il coefficiente di piezoresistenza ed E il modulo
di elasticit del conduttore, o del semiconduttore. Il termine l E non molto grande per i metalli (come verr esposto nel paragrafo successivo), mentre pu raggiungere valori elevati, anche attorno a 200 ,
per i semiconduttori.
La (3.6b) mostra la relazione, che lega la variazione di resistenza alla deformazione; per potere, quindi,
misurare lentit della deformazione, occorre misurare la variazione di resistenza, R, ricorrendo al
ponte di Wheatstone, come verr illustrato in seguito.
ESTENSIMETRI METALLICI

I materiali usati per questi estensimetri sono costituiti da leghe, alcune delle quali sono elencate nella
tabella seguente, insieme alle loro caratteristiche. Si pu osservare come il fattore di estensimetro oscilli
tra 2 e 6.
I materiali pi utilizzati sono leghe di rame-nichel (constantana), di nichel-cromo (nicromo) e di ramemanganese-nichel (manganina), con un fattore di estensimetro pari a circa 2.
Tabella 3.1
materiale

Composizione, %

Constantana
Nichromo
Manganina
Chromel
Platino
Platino-Irridio
Platino-Rodio

Cu60, Ni40
Ni80, Cr20
Cu84, Mn12, Ni4
Ni65, Fe25, Cr10
Pt100
Pt80, Ir20
Pt90, Rh10

Fattore di
estensimetro
2.0
2.0
2,2
2.5
5.1
6.0
4.8

Resistivit,
mm2/m
0.48
1.3
0.43
0.90
0.10
0.36
0.23

Le massime temperature di operazione degli estensimetri pi utilizzati sono elencate nella tabella 3.2.
Tabella 3.2
Materiale
Constantana
Chromel
Nichromo
Platino
Platino-Irridio

Temperatura massima, C
400
800
1000
1300
1300

Gli estensimetri metallici possono essere utilizzati:

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a. sotto forma di fili metallici non vincolati (unbonded strain gage) e possono avere
diametri di circa 30 m; questo tipo di estensimetro viene impiegato come
trasduttore di vibrazioni, presentato nel Capitolo Misure di vibrazioni,
b. sotto forma di film sottili (vedi fig. 3.6a) dello spesssore di circa 35 m,
depositati su un sottile strato di resine di polyamide o di fenoli vetrosi dello
spessore di alcuni m; questi estensimetri, detti estensimetri vincolati (bounded
strain gage), vengono incollati fortemente sul pezzo di cui si vuole misurare la
deformazione e non sono pi recuperabili.
Lincollaggio di film sottili sul pezzo una operazione delicata, che richiede molta esperienza; dal
risultato di questa operazione dipende, infatti, il successo della misura. Si parte con il rendere
leggermente ruvida la superficie su cui si posiziona lestensimetro e successivamente la si pulisce con
appropriati solventi. Si mette, poi, un sottile strato di collante e si posiziona lestensimetro, premendolo
forte per farlo aderire strettamente al pezzo. evidente che lo spessore di collante deve essere il minimo
possibile, in modo che lestensimetro sia soggetto alla stessa deformazione superficiale del pezzo. Dopo
avere saldato i connettori ai terminali dellestensimetro, si copre la superficie dellestensimetro con uno
strato di vernice per proteggerlo dallumidit, che potrebbe alterarne le caratteristiche.
La figura 3.6a mostra un estensimetro utilizzato per la misura di sforzi longitudinali. Si possono notare
due caratteristiche singolari: la prima relativa allandamento ripiegato a U del percorso dellestensimetro
e la seconda allingrossamento che subisce la sezione dellestensimetro quando il percorso cambia
direzione.
asse
di misura

parte
lo ngitudinale

parte
tra sversale

forza
a

term ina le
dell'estensi metro

parte
longitud ina le
asse
di misura

fo rza

p arte
tr asversa le
a

Figura 3.6. Estensimetro a film sottile (a) e particolare del cambio di direzione (b).
Poich lestensimetro utilizzato per la misura di tensioni superficiali locali, ne consegue che la sua
dimensione deve essere la pi piccola possibile. Questa condizione contrasta con la necessit di avere,
per una buona misura, grandi variazioni di resistenza, R, proporzionali al valore, R (a parit di
deformazione, ), come mostrato dalla (3.6b). Per avere grandi valori di R occorrerebbero estensimetri
lunghi di piccola sezione. Sulla riduzione della sezione si raggiunto ormai un limite inferiore con i
film sottili, mentre sullaumento della lunghezza si raggiunge lobiettivo, ripiegando il percorso
dellestensimetro per farlo rimanere in vicinanza del punto di misura, come mostrato nella figura 3.6a.
Lingrossamento della parte trasversale dellestensimetro di figura 3.6a dovuto allesigenza di diminuire linfluenza di variazioni di resistenza nel tratto trasversale in seguito alla sua deformazione, legata
al modulo di Poisson. Infatti, quando, ad esempio, lestensimetro si allunga, in seguito ad una forza
esercitata sul pezzo su cui incollato, la parte longitudinale, parallela alla direzione della forza (zona b
della fig. 3.6b) si allunga e si restringe, aumentando la sua resistenza, mentre la parte trasversale (parte a
della fig. 3.6b) si accorcia e allarga la sua sezione, diminuendo, cos, la sua resistenza; il contrario avviene, quando il pezzo soggetto a compressione. Per ridurre linfluenza di questo effetto secondario
sulla variazione di resistenza si ingrandisce la sezione trasversale, in modo da diminuire il suo contributo
alla resistenza totale.
Nelle figure successive sono mostrati alcuni tipi di estensimetri, chiamati rosette, per la misura di
deformazioni in due o tre direzioni.

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Capitolo 3 Misure di spostamento

19

I
II
III

VI
V
IV

Figura 3.7. Varie configurazioni di estensimetri.

Le dimensioni longitudinali degli estensimetri vanno dal millimetro a qualche centimetro e la loro resistenza, R, varia tra circa 5 a circa 1200 .
Gli estensimetri sono normalmente utilizzati per misurare deformazioni longitudinali, che possono essere
al massimo dellordine di 2 3 mm/m . Per un estensimetro medio, cio con un fattore di estensimetro
attorno a 2 3, le variazioni di resistenza sono dellordine 5 7 m / .
ESTENSIMETRI A SEMICONDUTTORE

Come i conduttori cos anche i semiconduttori5, come ad esempio, Si, Ge, In-Sb, In-P, Ga-As e Ga-Sb
cambiano la loro resistenza, se sono sottoposti a deformazione. Tra questi semiconduttori il pi utilizzato
decisamente il Si, a causa della sua inerzia chimica e della tecnologia ampiamente sviluppata, a suo
riguardo, nel mondo industriale.
Nei semiconduttori il termine 1 E, che compare nel fattore di estensimetro, molto pi grande del
termine (1+2 ) [vedi (3.7)], per cui risulta predominante e pu raggiungere valori fino a 200. Il valore
dipende dal tipo di semiconduttore e dal tipo di drogaggio (n o p), dalla concentrazione del drogaggio
stesso (che influenza la resistivit), dalla temperatura6 e dal piano di taglio del cristallo, da cui ricavato.
Nella figura seguente mostrato landamento del fattore di estensimetro, K, del Silicio in funzione della
resistivit, o7 (alla temperatura ambiente) per alcune direzioni del piano di taglio del cristallo (tra
parentesi quadre sono indicati gli indici di Miller8 che definiscono la direzione del piano di taglio).

Vedi il paragrafo I semiconduttori nel Capitolo Note su alcuni componenti elettronici.

In modo pi marcato rispetto agli estensimetri metallici.
7
La resistivit dipende dalla concentrazione del drogaggio.
8
In un cristallo cubico, come ad esempio quello del Silicio, la direzione cristallografica definita dalla perpendicolare al
piano che si sta considerando, identificata dagli stessi numeri che identificano il piano, cio le intercette di grandezza unitaria
sugli assi cartesiani di riferimento (indici di Miller).
6

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Capitolo 3 Misure di spostamento

20

k
z

1
1 60

c
80
3
0

- 40
5

(abc) = indici di Mi ller

- 80

0 .01

0 .1

10

resistivit

Figura 3.8. Fattore di estensimetro, k, in funzione della resistivit, , del Silicio;

1. Si-p[111], 2. Si-p[110], 3. Si-p[100]; 4. Si-n[111], 5. Si-n[110], 6. Si-n[100].
Si pu notare come il taglio del cristallo influenza notevolmente il coefficiente di estensimetro, passando
da valori bassi fino a raggiungere valori attorno a 200. I semiconduttori drogati con elementi donatori
(Si-n) hanno un coefficiente negativo, al contrario di quelli drogati con elementi accettori (Si-p)9. Il
grafico evidenzia la dipendenza del coefficiente di estensimetro dalla concentrazione degli elementi usati
per il drogaggio, legata alla resistivit.
Come sopra accennato, il fattore di estensimetro nei semiconduttori caratterizzato, sia da una sensibile
dipendenza dalla temperatura, per cui occorre prevedere un meccanismo di compensazione per ridurne
linfluenza sulla misura, sia da unalta non linearit di in funzione della variazione R/R. Un esempio
di estensimetro mostrato nella figura seguente, che prende il nome di estensimetro diffuso.
c on tat ti met all izz at i

y
st ra to di SI -p

z
ba se di SI -n

Figura 3.9. Estensimetro diffuso a semiconduttore.

La base dellestensimetro costituita da Silicio, drogato con elementi donatori; su un solco di questa
base viene diffuso del Silicio, drogato con elementi accettori; lo spessore complessivo dellordine delle
decine di m. Questo trasduttore ha la struttura di un diodo10, per cui la conduttivit lungo lasse y di
figura 3.9 piccola, se il diodo, formato dai due semiconduttori polarizzato inversamente, cio, la tensione elettrica della base superiore a quella dello strato, mentre sulla direzione x la resistivit funzione
delle deformazioni lungo questo asse e la sua variazione viene misurata tra i due contatti metallizzati.
MISURA DI TENSIONI CON IL PONTE DI WHEATSTONE

Come accennato precedentemente, la misura della variazione di resistenza dellestensimetro, in seguito

ad una variazione delle sue dimensioni, eseguita con il ponte di Wheatstone (vedi fig. 3.10), nel quale
lestensimetro di resistenza R costituisce uno dei rami del ponte. Il ponte alimentato con una tensione,
V, che pu essere continua o alternata.. Prima di portare il pezzo, su cui montato lestensimetro, in
tensione o in compressione si equilibra il ponte, cio si varia la resistenza R in modo da realizzare una
tensione nulla fra i punti A e B:
e A eB = 0
9
10

Gli elementi donatori mettono in gioco delle cariche negative (elettroni), mentre quelli accettori delle cariche positive.
Vedi il paragrafo I diodi nel Capitolo Note su alcuni componenti elettronici.

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Capitolo 3 Misure di spostamento

21

In tale condizione, trascurando la corrente che attraversa il voltmetro ad alta impedenza di ingresso,
usato per la misura di eo, si ha:
R1
eA eC = eA = i R1 = V
R1 + R2
dato che eC uguale a zero, essendo stato meso a terra. Analogamente
R+r
eB = i ( R + r ) = V
R + r + R
essendo R = 0. Uguagliando queste due espressioni si ha la condizione del ponte allequilibrio:
R2 R
=
R1
R
Da questo momento le tre resistenze, R1, R2 ed R, saranno considerate uguali ad R.

R2
D

R1

+
eo
R' -

i'
i''

C
R+ R
estensimetro

Figura 3.10. Il ponte di Wheatstone.

Se lestensimetro subisce una deformazione, L, il cambiamento della sua resistenza squilibra il ponte e
il valore della tensione di squilibrio dato da11:
1
r + R + R
R + r
eo = eA eB = V
V
2 2 R + r + R
4 R
avendo trascurato nel denominatore R rispetto a 2 R. Utilizzando la (3.6b), si ottiene:
eo V

R
K
=V
4 R
4

La dilatazione si pu determinare, anche, riportando il ponte allequilibrio, agendo sulla resistenza R' e
misurando la variazione della resistenza R' = R + R' ; per la condizione del ponte allequilibrio si ha
R' = R .
I cambiamenti di temperatura modificano, sia le dimensioni del pezzo e, quindi, dellestensimetro ivi
montato, sia la resistivit, , dellestensimetro stesso. Tutti questi cambiamenti si riflettono in una variazione di resistenza, RT e di un conseguente squilibrio, eo, del ponte, anche se il pezzo non sottoposto
ad alcuna deformazione meccanica. Per annullare gli effetti di variazioni di temperatura, occorre, quindi,
prevedere un opportuno meccanismo di compensazione. Ci sono due modi per compensare questi effetti, il primo dei quali consiste nellincollare un identico estensimetro su un pezzo di materiale dello stesso
tipo di quello soggetto a tensioni, ma scollegato da questultimo, in modo da essere assoggettato solo
alle stesse variazioni di temperatura. Nella figura 3.11 riportato il ponte di Wheatstone con i due
estensimetri collegati al ponte tramite due coppie di fili, ciascuna di resistenza r; la struttura sottoposta
a deformazione e ad un salto di temperatura, per cui R1 = R + R + ( RT + r ) = R + R + r' e
R2 = R + ( RT + r ) = R + r' .

11

Si assegnato a priori il segno positivo al morsetto A e quello negativo al morsetto B.

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Capitolo 3 Misure di spostamento

22

+ -A
i

s truttura in tensione
r

R1

R1 = R + R + ( R + r)
T

eo

C
r

RT + r)
R2 = R + (

R2

2
pezzo scaric o

Figura 3.11. Configurazione per la compensazione degli effetti di temperatura;

RT la variazione di resistenza imputabile alla variazione di temperatura.
In caso di variazioni di temperatura, gli estensimetri, 1 e 2, subiscono la stessa variazione di resistenza,
RT, e la tensione di squilibrio del ponte :
1
R + R + RT + r
V R
eo = eA eB = V
(3.8)
2 2 R + R + 2 RT + 2 r
4 R
in cui sono stati trascurati nel denominatore gli addendi, in cui compaiono la resistenza r e le variazioni
di resistenza R, dato il loro valore trascurabile. Con laccorgimento di mettere il disturbo anomalo, r,
su due lati contigui, attraversati dalle due correnti del ponte, si eliminata la loro influenza sul risultato
finale. Questa architettura ha linconveniente di raddoppiare il numero degli estensimetri, aumentando,
cos, il costo della installazione di misura e complicandone lapparecchiatura. Dallesame della (3.8) si
pu notare che con la presenza della seconda coppia di fili di resistenza r, che collega lestensimetro 2 al
ponte, si annullata anche linfluenza della resistenza r dei fili di collegamento del primo estensimetro.
Laltro modo per neutralizzare linfluenza della temperatura lutilizzo di estensimetri autocompensati,
composti da particolari leghe, che hanno la caratteristica di variare la loro resistivit in modo inverso
alleffetto prodotto dalla dilatazione del pezzo su cui sono montati. Dalla (3.6a) si ha:
L

=0
(1 + 2 ) +

L
in cui L = L S T lallungamento dovuto alla variazione di temperatura; S il coefficiente di
dilatazione lineare del pezzo su cui montato lestensimetro e T la variazione di temperatura. Per
annullare linfluenza della temperatura, occorre che la variazione di resistivit segua la legge:

= S T (1 + 2 )

La lega dellestensimetro deve, quindi, essere scelta in funzione delle caratteristiche del pezzo su cui lestensimetro va incollato; esistono perci estensimetri autocompensati per acciaio, per bronzo, ecc. Inoltre, gli estensimetri autocompensati funzionano solo entro gli intervalli di temperatura per cui sono stati
progettati; nonostante il loro alto costo, sono di largo impiego.
Anche i cavi di collegamento, usualmente di rame, se sono sottoposti a variazioni di temperatura, possono influenzare lesito della misura. La loro resistenza, r, piccola ma hanno una resistivit fortemente
variabile con la temperatura, che pu influenzare il risultato della misura.
Con la configurazione a quattro fili di figura 3.12, le variazioni di resistenza nei quattro cavi di
collegamento, in seguito a variazioni di temperatura, non influenzano il risultato della misura. Infatti, i
cavi sono connessi insieme, in modo da sottostare alle stesse variazioni e sono posti su due rami contigui,
attraversati dalle due correnti del ponte.

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Capitolo 3 Misure di spostamento

23
V

-A

estens imetro

i
R

R + R

+
eo

R
B

Figura 3.12. Configurazione a quattro fili.

Adottando la configurazione a tre fili di figura 3.13a, in cui i tre cavi sono strettamente uniti fra loro, si
pu raggiungere lo stesso risultato, illustrato in precedenza. Nella figura 3.13b schematizzato in modo
pi chiaro il ponte di Wheatstone.
V

estensimetro

A
R
eo

+
-

C'
R

B
a

C
c
C'

eo

b
R

R
c

estensimetro

b
R

B
b

Figura 3.13. Configurazione a tre fili (a) e sua presentazione schematica (b).
Le variazioni di resistenza sui rami adiacenti a e b, dovute a variazioni termiche, non influenzano, per
quanto gi esposto, il valore della tensione eo. La variazione di resistenza, R, sul ramo c non in grado
di alterare in modo sensibile il risultato della misura. Infatti, essendo V la caduta di tensione su questo
ramo generata dalla variazione di resistenza, si ha:
R
R
R
R
eo = (V + V )
=V
+ V
V
4 R
4 R
4 R
4 R
essendo R la variazione di resistenza dellestensimetro soggetto a deformazione. Poich, sia con la disposizione a quattro che a tre fili, si usa un solo estensimetro, se il pezzo su cui montato soggetto a
variazioni termiche, questo estensimetro deve essere autocompensato.
La tensione di alimentazione del ponte, come gi esposto, pu essere continua o alternata. La prima
soluzione la meno costosa, ma pi difficile lamplificazione della tensione continua di squilibrio, eo.
La seconda, invece, richiede la presenza di un apparato elettronico per generare una tensione sinusoidale,
generalmente ad alta frequenza, ma la tensione di squilibrio pi facile da amplificare, operazione che
di grande utilit per il trattamento del segnale.
La sensibilit del ponte data dalla espressione:
1
eo
=V
4

R
ed direttamente proporzionale alla tensione. Per aumentarne il valore, occorre innalzare la tensione di
alimentazione, V e il conseguente incremento del calore, prodotto per effetto Joule, innalza la temperatura dellestensimetro. Occorre, quindi, raggiungere un compromesso fra laumento di sensibilit ed
il calore massimo sopportabile dallestensimetro. Valori tipici delle grandezze elettriche di un ponte di
Wheatstone sono:

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1V = 5 10 V
eo = 20 50 mV
i = 4 30 mA

Per aumentare la sensibilit del ponte, potendo disporre di pi estensimetri soggetti a deformazioni, si
pu ricorrere alle seguenti configurazioni.
CONFIGURAZIONE CON DUE ESTENSIMETRI

I due estensimetri, soggetti alla stessa deformazione sia in modulo, sia in segno, sono posizionati su due
rami contigui del ponte, come mostrato nella figura 3.14a. In questo caso la tensione di squilibrio, eo,
data dallespressione:
R + R
1
eo = V
=0
2 2 ( R + R)
poich gli estensimetri sono posti su due rami contigui del ponte attraversati dalla stessa corrente. Con
questa configurazione il ponte non in grado di diagnosticare la presenza di eventuali tensioni.
La disposizione di figura 3.14b consente, invece, questa diagnosi, poich nella tensione di squilibrio
compare la variazione di resistenza dellestensimetro:
R + R
R
V R
eo = V

2 R + R 2 ( R + R) 2 R
In questa espressione si trascurato nel denominatore il termine R in rapporto a 2R. Con questa disposizione la sensibilit del ponte aumentata di un fattore due, rispetto a quella, in cui stato utilizzato un
solo estensimetro.

R + R

R + R

i
R

+
eo

+
C

R + R

eo

R + R

Figura 3.14. Configurazioni per accrescere la sensibilit del ponte, utilizzando due estensimetri soggetti
alla stessa deformazione: configurazione non corretta (a) e configurazione corretta (b).
Se i due estensimetri sono soggetti a deformazioni uguali in modulo, ma di segno opposto, la disposizione che consente il raddoppio della sensibilit quella presentata nella figura 3.15b. Infatti la tensione
di squilibrio espressa dalla relazione:
1 R R V R
eo = V
=
2
2R 2 R

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V

R + R

R + R
R

eo

eo

D
C

R - R

R - R

Figura 3.15. Configurazioni per accrescere la sensibilit del ponte: configurazione non corretta (a) e
configurazione corretta (b).
da scartare la soluzione di figura 3.15a, poich la tensione del ponte data dalla espressione seguente:
2
R R
R
V R 0
eo = V

2 R R 2 ( R + R) 4 R 2
CONFIGURAZIONE CON QUATTRO ESTENSIMETRI

Potendo disporre di quattro estensimetri sottoposti a deformazioni uguali in modulo e, a coppie, di segno contrario, come mostrato nella figura 3.16, la sensibilit del ponte pu essere accresciuta di un fattore quattro:
V

R + R

R - R

+
D

eo

R + R

R - R
B

Figura 3.16. Configurazione a quattro estensimetri per aumentare la sensibilit del ponte.
Infatti, la tensione di squilibrio data dalla espressione:
R + R R R
R
eo = V

=V
2R
2R
R
Un esempio di utilizzo di questo tipo di configurazione la misura di deformazioni in una trave
incastrata soggetta a pesi (vedi fig. 3.17a) o in una membrana incastrata ai bordi, sollecitata da una
pressione (vedi fig. 3.17b); due estensimetri vengono posizionati sulla superficie in cui le fibre sono
compresse e gli altri due dove le fibre sono tese.

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3
2

5
fibre comp resse

fibre tese

incastro

4
pressione

Figura 3.17. Barra incastrata (a) e membrana incastrata ai bordi (b), equipaggiate con
quattro estensimetri, due in trazione (2, 3) e due in compressione (4, 5).

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