SCRs

Dispositivos de cuatro capas
Grupo de Arquitecturas Digitales y Microelectrnica
Universidad del Valle

E.I.E.E.
Universidad del Valle - lvaro Bernal N.
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DEFINICIN
Son dispositivos que bloquean el paso de la corriente
a travs de dos terminales hasta que una seal
externa aplicada a un tercer terminal lo activa.
Los dispositivos bloquean o permiten el paso de la
corriente a determinados niveles.
Los dispositivos pueden o no tener tercer terminal.
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CONCEPTOS
Dispositivos de conmutacin conformados por
tres uniones p-n en serie.
Diferentes dimensiones.
Diferentes tipos de concentracin.
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APLICACIONES
Tareas de conmutacin. (uso mas frecuente)
Alta impedancia baja corriente (OFF) (100 M)*
Baja impedancia alta corriente (ON) (10 )*
* Con la misma polarizacin directa
Seal de conmutacin (puede ser externa)

Familias:
Dispositivos con terminal de control.
Dispositivos sin terminal de control.
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FAMILIAS
Con terminal de control
Tiristores
SCR (tiristores)
SCS ( Interruptor controlado de Si)
GTO (Interruptor controlado por compuerta)
LASCR (SCR activado por luz)
TRIACS (Tiristores A.C.)
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FAMILIAS
Dispositivos sin terminal de control
Diodo p-n-p-n
DIAC
Principal aplicacin.
Control de grandes corrientes.
Motores,
Calefactores,
Sistemas de iluminacin
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ESTRUCTURA BSICA
Dispositivo que tiene tres uniones p-n en serie.
Modo de bloqueo directo.
Modo de conduccin directa.
Estructura bsica
Smbolo
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ESTRUCTURA BSICA
La estructura obedece a parmetros que dependen tanto de
la geometra como de los procesos de fabricacin.
Geometra: la anchura de las regiones neutras de las

uniones no es la misma
Fabricacin: cada una de las regiones se dopa con niveles
diferentes de impurezas, de tal forma que ciertas regiones
quedan mas dopadas que otras.
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ESTRUCTURA BSICA
Densidad de impurezas
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PRINCIPIO DE OPERACIN
Fenmenos que se estudian separadamente.
Flujo de corriente entre dos terminales.
La estructura p-n-p-n puede ser considerada como
una combinacin de transistores p-n-p y n-p-n.
Aplicamos los conceptos de de los transistores
bipolares
Seal de disparo del tercer terminal.
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Dispositivo polarizado directamente.
(Anodo positivo respecto al ctodo).
Estado de bloqueo directo: uniones J1 y J3 se hallan
polarizadas directamente en tanto que
J2 lo es
inversamente.
Cuando alcance un valor de voltaje pico directo denominado
voltaje crtico, el cual se denota como VBF.
Estado de conduccion directa: uniones J1, J2 y J3 se

hallan polarizadas directamente.
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Estado de bloqueo directo
Estado de bloqueo directo: uniones J1 y J3 se hallan

polarizadas directamente y J2 inversamente.
No hay paso de corriente. Slo la correinte inversa
de saturacin a travs de J2
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Las uniones J1 y J3 se polarizan directamente, en tanto

que la unin J2 queda polarizada inversamente.
Cuanto mas positivo el voltaje externo, casi todo el efecto
del incremento de ese voltaje directo se consume a travs
de la unin J2 polarizada inversamente.
Origina incrementos en el campo de la zona de transicin
y por tanto en el ancho de la misma.
Durante ese periodo el dispositivo no conduce, estando la
corriente total limitada por la corriente inversa de
saturacin de la unin J2.
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De esta forma el voltaje aplicado V se divide apropiadamente

entre las tres uniones para garantizar esta pequea corriente a
travs del dispositivo.
La corriente es pequea debido al pobre abastecimiento de

electrones a la regin n1 y huecos a la regin p2 a travs de
la unin J2.
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Los nicos portadores que pueden cruzar la unin J2, son

aquellos generados trmicamente dentro de una longitud de
difusin a lado y lado de la unin J2.
Como resultado la corriente que atraviesa la unin J1 es
aproximadamente igual a la corriente inversa de saturacin
que cruza J2.
De igual forma acontece para la unin J3, los huecos que se
inyectan a n2 y los necesarios para mantener la
recombinacin en p2 deben originar la corriente de
saturacin de la unin central J2.
15/82
De esta forma el voltaje aplicado V se divide apropiadamente
entre las tres uniones para garantizar esta pequea corriente a
travs del dispositivo. En el estado de bloqueo directo, el
voltaje VAK se expresa mediante:
VAK V1 V2 V3
Para entender el bloqueo directo, podemos usar la analoga de

los dos transistores bipolares o circuito candado.
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MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.
La estructura p-n-p-n,
puede ser considerada como una
combinacin de un par de transistores p-n-p y n-p-n. En este
modelo, la unin J2 sirve como una unin de colector para ambos
transistores.
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La corriente de colector IC1

determina la corriente de base IB2,
y la corriente de base IB1 determina
la corriente de colector IC2.
Los parmetros 1 y 2 representan

las ganancias de corriente en base
comn para los transistores p-n-p y
n-p-n respectivamente.
ICO es la corriente inversa de

saturacin entre colector y base en
cada transistor.
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La realimentacin existente
origina que el colector del
transistor Q1 altera la corriente de
base del transistor Q2 y de igual
forma la corriente de base del
transistor Q2 afecta la corriente
de colector del transistor Q1 en
un proceso acumulativo. La
unin central J2 acta como
unin de colector a ambos
transistores, colectando huecos
de la unin J1 y colectando
electrones de la unin J3.
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El lazo de realimentacin causa que entre ambos transistores se

cree un proceso reiterativo en la operacin del dispositivo. De la
ley de corrientes tenemos que:
I I B2 I C 2
Para el transistor p-n-p, la corriente inversa de saturacin ICO1 es

negativa, en tanto que para el dispositivo n-p-n la corriente inversa
saturacin ICO2 es positiva. De las ecuaciones obtenidas para el
transistor bipolar podemos escribir:
I C 2 2 I E 2 I CO2 I B1
I C1 1 I E1 I CO1 I B 2
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I I E 2
Pero:
Entonces:
I I E1
I C 2 2 I I CO2
I C1 1 I I CO1
La corriente total es:
I I C 2 I B 2 I C 2 I C1
I I 2 1 I CO2 I CO1
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Dado que ICO1 es negativa, entonces:
I CO1 I CO2
I
1 2 1
De la expresin se deduce que s 1 2 es pequeo
comparado con la unidad, la corriente es pequea,
aproximadamente igual a la suma de las corrientes de
inversas de colector y el dispositivo se halla en estado de
corte.
22/82

Se encuentra que la corriente que cruza la unin J2 es
estrictamente la de saturacin generada trmicamente, si
despreciamos tanto la corriente de difusin de los electrones
inyectados desde la regin n2 a p2 a travs de la unin J3, como
la corriente de desplazamiento hacia n1 a travs de la unin J2
por accin del transistor.
Lo anterior indica que el parmetro

correspondiente al transistor npn es pequeo.
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De igual forma, el suministro de huecos desde p1 e inyectados
en n1 hacia p2 es pobre dado que son pocos los que pueden
cruzar la zona de transicin de J2 sin recombinarse.
Lo cual implica que tambin 1 es pequeo. La pequea
corriente que se presenta es debida entonces a la generacin
trmica de portadores y no a la accin del transistor.
Por el contrario, si
es prximo a la unidad, la corriente
1 2
I se incrementa rpidamente.
Este incremento es limitado dado que
no se aproxima
1 2
a la unidad.
24/82
De esta forma huecos son inyectados desde la regin p1 y

electrones desde la regin n2 originando una fuerte
coleccin de electrones en n1 y huecos en p2.
Esta coleccin produce a su vez una reduccin en la zona

de deplecin de la unin J2, la cual en la medida que
aumente la coleccin de portadores origina una reduccin
de su polarizacin inversa dando paso a la polarizacin
directa activa, pasando los transistores a operar en la
regin de saturacin.
25/82
Esto se debe a que en un instante dado J2 pasa a estar

polarizada directamente, entrando ambos transistores en
saturacin despus de la conmutacin, mantenindose el
dispositivo tambin en saturacin.
Cuando el tiristor pasa del estado de bloqueo directo, al
estado de conduccin alcanzando un valor de voltaje pico
directo denominado voltaje crtico (VBF), el dispositivo
conmuta permitiendo el paso de corriente.
Esta condicin se denomina conduccin en modo directo.
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CONDUCCIN EN MODO DIRECTO

La unin J2 invierte su polarizacin.
Debido a la polarizacin directa de las uniones J1 y J3, los dispositivos

n1p2n2 y p1n1p2 actan como transistores bipolares polarizados en la
regin directa activa.
Despus de conmutar al estado de conduccin, el voltaje medido entre

nodo y ctodo es menor que 1V, lo cual evidencia que las tres uniones
se encuentran polarizadas directamente.
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Inversin de la polarizacin de la unin J2

La conmutacin se debe a una ruptura o fuga significativa en
la unin J2 polarizada negativamente. El aumento de la
corriente inyecta portadores a las uniones J1 y J3, siendo esto,
causa de la conmutacin, la cual se presenta como respuesta a
la accin combinada de la reduccin de la zona de transicin
de la unin J2 y al fenmeno de multiplicacin por avalancha.
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La conmutacin del estado de bloqueo al estado de conduccin
requiere que la corriente sea elevada a un nivel suficiente para
satisfacer la condicin. Para que esto ocurra se requiere
aumentar gradualmente el voltaje directo aplicado entre nodo y
ctodo hasta alcanzar el valor de voltaje crtico VBF.
En el momento de la conmutacin, el voltaje VAK se convierte
en:
V AK V1 V2 V3
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Este potencial es aproximadamente igual al potencial de
contacto de la unin. La conmutacin ocurre cuando
dV AK
0
dI A
A medida que el voltaje externo aumenta, los huecos inyectados

en la unin J1 alcanzan a ser colectados a travs de la unin J2
hacia la regin p2, condicin que contribuye a alimentar la
recombinacin en la regin p2 y mantener la inyeccin de
huecos hacia n2. De igual manera, los electrones inyectados a
travs de la unin J3 y colectados por el campo en J2,
contribuyen a suministrar electrones a la regin n1.
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Cuando esta situacin comienza, se presenta un incremento en el
valor de la corriente. La transferencia de portadores a travs de
J2 es regenerativa, esto significa que mayor cantidad de
electrones hacia n1 permite mas inyeccin de huecos hacia J1
para mantener la neutralidad de carga espacial. Esta inyeccin
mayor de huecos alimentar a p2 por la accin del transistor y el
proceso continua repitindose.
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VOLTAJE VS. CORRIENTE

Se presentan varias
regiones de operacin.
El comportamiento
de la corriente en
funcin del voltaje
aplicado
entre
nodo y ctodo VAK
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ZONAS DE OPERACIN
Puntos 0 y 1, zona bloqueo directo, (condiciones de
dV
0 y se identifican el
alta impedancia). Condicin
dI
voltaje de ruptura directo VBF y la corriente de
activacin IS la cual corresponde al valor del voltaje de
ruptura.
Puntos 1 y 2, tenemos la zona de resistencia negativa,
en esta zona tenemos de nuevo la condicin dV 0
y
dI
los valores definidos como voltaje de mantenimiento Vh
y la corriente de mantenimiento Ih.
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ZONAS DE OPERACIN
Puntos 2 y 3, zona de conduccin directa, si la tensin
VAK que se aplica al dispositivo aumenta por encima del
valor VBF el diodo conmuta de su estado de bloqueo al
de conduccin, pasando a funcionar en saturacin.
Si se reduce la tensin, el dispositivo permanece en
conduccin hasta que la corriente disminuya por debajo
del valor de corriente Ih. El tiristor usado en la regin
directa funciona como un dispositivo biestable que
puede se activado o desactivado.
34/82
ZONAS DE OPERACIN
Puntos 0 y 4, tenemos la zona de bloqueo inverso, con
una corriente equivalente a las corrientes inversas de
saturacin de las uniones J1 y J3.
Puntos 4 y 5 se o presenta la regin de ruptura inversa,
que permite identificar el valor de voltaje VB, llamado
voltaje de avalancha inversa, sin embargo usar el
dispositivo en este modo de polarizacin no es atractivo.
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MECANISMOS DE DISPARO
Aumento de temperatura: aumenta la tasa de
generacin de portadores y la vida media de los mismos.
En consecuencia la corriente IA aumenta y de igual manera
que los parmetros .
Excitacin luminosa: de acuerdo a las caractersticas
de fabricacin del dispositivo, este puede activarse por
excitacin luminosa aumentando el nmero de pares
electrn-huecos aumentando la corriente.
36/82
MECANISMOS DE DISPARO
Elevacin de voltaje: el mtodo mas directo y mas

usado consiste en aumentar el voltaje de polarizacin
por encima del valor VBF.
Voltaje directo rpido:
dV AK
0
dI A
Seal externa: Mediante la aplicacin de una seal

externa de disparo.
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SEAL DE DISPARO EXTERNA
El efecto de una seal externa de disparo aplicada a un tercer

terminal, origina la conmutacin del dispositivo.
Este mecanismo de disparo identifica a los dispositivos de

cuatro capas conocidos ampliamente como tiristores.
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VARIACIN DE CON LA INYECCIN
Razn de transferencia
de corriente
F T
T
I nE I rB
I nE
I nE
I nE I pE
Cualquier incremento de F
debido a la inyeccin se da por
el incremento bien sea de T o
de o de ambos.
En condiciones de baja
inyeccin, T
y son
dominados
por
la
recombinacin en la regin de
transicin de la unin de
emisor.
39/82
A muy bajas corrientes es dominada por la

recombinacin en la zona de transicin.
Para altas corrientes entre tanto la inyeccin domina
sobre la recombinacin dentro de la regin de
transicin, haciendo que T y aumenten.
T aumenta con la inyeccin debido a que se presenta
una saturacin de los centros de recombinacin.
Cuando la corriente aumenta, la inyeccin a travs de la
unin domina sobre la recombinacin y aumenta.
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El aumento de con la inyeccin puede darse por el

incremento de uno de esos factores o por ambos. En
conclusin cualquiera que sea el fenmeno que domine, el
incremento de 1 2 siempre se obtiene para conmutar
el dispositivo.
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MODO DE BLOQUEO INVERSO

El nodo es negativo respecto al ctodo.
Las uniones J1 y J2 se encuentran polarizadas de forma

inversa
La unin J2 se encuentra polarizada de forma directa.
Dados los perfiles de dopado, la mayor cada de voltaje se

presentar en la zona de deplecin de la unin J1.
42/82

Sin embargo, en el modo de bloqueo inverso el
dispositivo puede llegar a condiciones de ruptura si los
voltajes de polarizacin en inversa son muy elevados, de
similar forma a la que se presenta en la zona zener del
diodo.
Es posible entonces hablar de dos voltajes de ruptura,
uno en polarizacin directa y otro en polarizacin
inversa.
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Puesto que el flujo de electrones de J2 est restringido por

la polarizacin inversa de las uniones J1 y J3, la corriente
del dispositivo se limita a una pequea corriente de
saturacin proveniente de la generacin trmica de pares
electrn-huecos cerca de J1 y J3.
Esta corriente permanece pequea en la conduccin de

polarizacin inversa hasta que la ruptura por avalancha
ocurre a un gran voltaje inverso que puede ser de miles de
voltios.
La ruptura se presenta, dependiendo de las dimensiones

de la regin n1 la cual se denota como Wn1, por dos
condiciones.
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Dos factores bsicos limitan los voltajes de ruptura inverso
(VBR) y de ruptura directa (VBF)
-
Punch-through de la regin de deplecin.

Ruptura por avalancha
Dependiendo de la dimensiones de la anchura Wn1,

ruptura puede presentarse bien sea, debido
multiplicacin por avalancha , si el ancho de la regin
deplecin es menor que Wn1, o debido al fenmeno
punch-through, en el caso que se unan las regiones
deplecin de las regiones de transicin.
la
a
de
de
de
45/82
FACTORES DE RUPTURA
Avalancha: si la regin de deplecin al momento de la ruptura es
menor que Wn1.
Punch-through: si la totalidad de la anchura de la unin Wn1 es

totalmente afectada por la zona de deplecin. Es decir si se
presenta una unin de las zonas de deplecin de las uniones
46/82
VOLTAJE DE AVALANCHA
(VBF, VBR)
Dos factores determinan el voltaje inverso de ruptura y el
voltaje directo de ruptura.
Ruptura por avalancha: si la regin de deplecin al
momento de la ruptura es menor que Wn1.
Punch-through: consiste en el traslape de las zonas de
deplecin de las uniones. La totalidad de la anchura de la
unin Wn1 es totalmente afectada por la zona de
deplecin. Es decir si se presenta una unin de las zonas de
deplecin de las uniones.
47/82
VOLTAJE DE AVALANCHA
Para una unin abrupta de silicio de un solo lado, con una
regin p fuertemente dopada, el voltaje de avalancha vendra
dado por:
0.75
13
VB 5.34 x10 N n1 [V]
Siendo Nn1 la concentracin de impurezas en la regin n1
Para una unin gradual el voltaje de avalancha es:

VPT
qN n1Wn21
2 s
con
2 s 0
qN B
NB es NA ND dependiendo de cual sea el menos dopado.
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VOLTAJE DE PUNCH-THROUGH
Punch-through el cual consiste en el traslape de las

zonas de deplecin de las uniones.
Si la totalidad de la anchura de la unin Wn1 es
totalmente afectada por la zona de deplecin. Es
decir si se presenta una unin de las zonas de
deplecin de las uniones.
49/82
DIAC (DIODE A.C.)

Dispositivo conformado por dos diodos Schockley en anti
paralelo
Smbolo
50/82
CARACTERSTICAS
51/82
El efecto de una seal externa de disparo aplicada a un

tercer terminal, origina la conmutacin del dispositivo.
Este mecanismo de disparo identifica a los dispositivos de
cuatro capas conocidos ampliamente como tiristores.
El trmino tiristor fue tomado como una derivacin del gas
tiratrn, el cual presenta caractersticas elctricas similares.
Los tiristores son dispositivos de conmutacin, usados
principalmente en las reas de control.
En los tiristores, la corriente principal puede ser conmutada,
pero no puede ser controlada internamente.
52/82
Estructura interna
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TIRISTORES
Los tiristores son dispositivos de conmutacin, usados
principalmente en las reas de control.
En los tiristores, la corriente principal puede ser
conmutada, pero no puede ser controlada internamente.
El trmino tiristor fue tomado como una derivacin del
gas tiratrn, el cual presenta caractersticas elctricas
similares.
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CARACTERSTICAS
Capacidad de conducir grandes corrientes con una
densidad de corriente uniforme sobre grandes reas del
dispositivo.
Mientras el dispositivo se encuentra en estado de
conduccin, la resistencia o cada de voltaje es tan baja
como sea posible a fin de reducir la disipacin de calor.
La velocidad de conmutacin es alta, esto significa que se
tienen bajas capacitancias y un efecto mnimo de
almacenamiento de minoritarios.
55/82
SCR
(Silicon Controlled Rectifier)

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MODELO
I C 2 2 I K I CO2
I B1 1 1 I A I CO1
2 I g I CO1 I CO2
IA
1 1 2
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MODELO
Para el transistor pnpn
I C I E I CO
- ganancia de corriente en base comn I B 1 I E I CO

Aplicando al SCR tenemos
I B1 1 1 I A I CO1
Corriente de base del

transistor pnp suministrada
por el colector del transistor
npn
I C 2 I K I CO2
Corriente de colector del

transistor npn relacionada
con 2, igualando
1 1 I A I CO1 2 I K I CO2
58/82
TIRISTOR
Ya que IK = IA + IG obtenemos
IA
2 I G I CO1 I CO2
1 1 2
Ecuacin que rige la regin de corte.

1 y 2 son funciones de IA y se incrementan con
incrementos de IA.
IA es pequea para valores de (1 + 2) menores que la
unidad.
Cuando (1 + 2) se aproxima a la unidad, IA crece y
acontece la conmutacin.
Dado el crecimiento de la corriente, esta debe limitarse con
un resistor externo.
59/82
CURVA CARACTERSTICA
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MULTIPLICACIN POR AVALANCHA

(Ionizacin de impacto )
Mecanismo mas importante en la ruptura de la unin. El
voltaje de ruptura de avalancha impone un limite
superior a la polarizacin inversa de la unin.
Colisiones de portadores generados trmicamente con
los iones presentes en la zona de transicin generan
nuevos pares electrn-huecos que al chocar con los
tomos que constituyen el cristal rompen enlaces
covalentes y generan nuevos pares electrn-hueco. As
cada portador puede reiterativamente producir nuevos
portadores adicionales, crendose un proceso
acumulativo que se domina multiplicacin por
avalancha. El resultado es una gran corriente inversa.
61/82

Si n y p las ratas de ionizacin de electrones y huecos.
Ipo, la corriente entrando a la zona de transicin se incrementa
con x, a travs de la regin de deplecin alcanzando un valor
MpIpo
El incremento de
I p (W )
Mp
corriente en x es
I p (0)
igual al nmero de
pares
electrn Ip
Ip
In
px nx
huecos generados
q
q
q
por segundo en la
I p
distancia x.
p n I p n I
I I p In
x
62/82
La solucin de la ecuacin anterior, considerando las

condiciones de frontera
I I p (w) M p I p 0
x
p n x
1
0
I
ne
x
Mp 0
Ip( x)
x
x
e
p n x
0
63/82

p n x
1
1
p e 0
x
Mp 0
x
Voltaje de ruptura de avalancha

M p
x
p n x
0
x 1
ne
p n x
0
x 1
x 1
0
qE
e
EI
T
E
EmW s Em2
N B 1
VB
2
2q
T es la ionizacin por colisin.

EI
la energa umbral de
ionizacin efectiva.
E el campo elctrico.
64/82
FENMENO DE PUNCH-THROUGH
Cuando se tiene una base muy estrecha y la regin de deplecin de
la unin J1 se superpone con la unin J2, quedando las dos regiones
p en contacto presentndose una corriente elevada. El voltaje de
punch-through para la unin abrupta de un solo lado es
:
VPT
qN BW 2
Para el SCR el voltaje inverso de ruptura es:
VBR VB 1 1
M
1
n
es el factor de multiplicacin de avalancha.
VB es el voltaje de ruptura de avalancha de la unin p1 - n1.
n Depende del tipo de unin. 6 (p+-n)

4 ( n+-p).
65/82
Ya que 1 1 es menor que la unidad entonces VBR < VB
Las corrientes para un transistor bipolar pnp son
- Ganancia de corriente.
I I I
1
n
CO
I B 1 I E I CO
Aplicando al SCR tenemos que
I B1 1 1 I A I CO1
I C 2 I K I CO2
Corriente de base del transistor pnp

suministrada por el colector del
transistor npn
Corriente de colector del transistor
npn relacionada con 2
66/82
Igualando:
1 1 I A I CO1 2 I K I CO2
Ya que IK = IA + IG obtenemos:
2 I G I CO1 I CO2
IA
1 1 2
Ecuacin que rige la regin de corte, 1 y 2 son

funciones de IA y se incrementan con incrementos de IA.
IA es pequea para valores de (1 + 2) menores que la
unidad.
Cuando (1 + 2) se aproxima a la unidad, IA crece y
acontece la conmutacin.
67/82
Dado el crecimiento de la corriente, esta debe limitarse

con un resistor externo. En el momento de la
conmutacin, el voltaje VAK se convierte en:
V AK V1 V2 V3
Este potencial es aproximadamente igual al potencial de
contacto de la unin.
La conmutacin ocurre cuando
dV AK
0
dI A
68/82
VARIACIN CON IG ( IG)

Consideremos una variacin IG(IG).
I K I A I G
Los alfa de pequea seal seran:

dI C
1
dI A
lim
I A 0
I C
I A
dI C
2
dI K
lim
I K 0
I C
I K
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VARIACIN CON IG ( IG)

Las corrientes de huecos colectados por I2 ser 1IA. la
corriente de electrones ser 2IK.
Igualando el cambio de la corriente de nodo con el cambio
de corriente a travs de I2
I A 1I A 2 I K
Sustituyendo
I A
2
I G 1 1 2
Cuando estn prximos a la unidad, cualquier incremento

pequeo en IG causa un gran incremento en IA.
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EFECTO DE LA VELOCIDAD
La corriente de disparo no conmuta inmediatamente el
dispositivo, se asocia un tiempo de activacin.
Este tiempo viene dado por el valor medio geomtrico
de los tiempos de difusin en las regiones n1 y p2
t n t1 t 2
wn21
t1
2D p
wn22
t2
2 Dn
Si asumimos que las cargas en los

transistores son Q1 (pnp) y Q2
(npn). Las corrientes de colector
estn dadas por:
Q2
I c1
t2
I c2
Q1
t1
71/82
EFECTO DE LA VELOCIDAD
Para las condiciones ideales:
Obtenemos:
dQ2
I G I c1
dt
dQ1
Ic2
dt
d 2 Q2 Q1 I G
2
t1t 2 t 2
dt
La solucin es de la forma:
Ae
t
tn
tn t1 t 2
Tiempos de activacin reducidos requieren regiones Wn1 estrechas

y Wp2 anchas
72/82
CTODO CORTOCIRCUITADO Y EFECTO dv/dt
Bajo estas condiciones VB. VBF. La reduccin del voltaje

de disparo directo depende de la magnitud del voltaje de
nodo y su razn de cambio. Este efecto es llamado efecto
dv/dt.
La variacin rpida del voltaje de nodo causa el aumento
de la corriente de desplazamiento d(cv)/dt, donde c es la
capacitancia de la unin J2.
La corriente causa una variacin en 1 2 1
originando la conmutacin.
73/82
CTODO CORTOCIRCUITADO Y EFECTO dv/dt
Considerando el caso de tener el ctodo cortocircuitado, o

sea que se presentan las condiciones I GA 0 e I I A ,
tenemos:
IA
MI 0
IK
1 M 1 M 2
IA
Para el caso de ctodo no cortocircuitado, tenemos que,

I K I A luego
MI 0
IA
1 M 1
74/82
SEAL DE CONMUTACIN
La seal de conmutacin controlada externamente lograr

comandar los estados de conduccin o bloqueo del dispositivo.
Es un dispositivo de cuatro capas el bloqueo inverso, puede ser

activado con un voltaje de puerta positivo o desactivado con un
voltaje de puerta negativo. Este dispositivo puede ser usado
entre otras aplicaciones como, inversor, generador de pulsos o
usado en circuitos de conmutacin.
75/82
BLOQUEO INVERSO
Con IG < 0 el tiristor se encuentra bloqueado. Despreciando todas las
corrientes de fuga, la corriente de base requerida para mantener el
transistor npn en su estado de conduccin es 1 2 I K
La corriente de base en su estado de bloqueo es 1 I A I G
La condicin de bloqueo es entonces: I I 1 I
1 A
G
2
K
Puesto que: I A I K I G
1 2 1
I
I A
La corriente requerida IG sera G
2
Definimos la ganancia de bloqueo eff como el cociente:

Esta ganancia satisface le relacin: eff
1 2 1
IA
eff
IG
76/82
TRIAC ( TRIODE A.C.)

Dispositivo conformado por dos diodos Schockley en anti
paralelo
El TRIAC a su vez se considera tambin como un trodo

de corriente alterna (AC), y es usado de igual forma en
procesos de conmutacin de seal.
77/82
Estructura bsica
Estructura de seis capas y tres terminales
Smbolo
78/82
CURVA CARACTERSTICA
79/82
APLICACIONES
Se trata entonces de tiristores bidireccionales los

cuales presentan estados activos o inactivos para
voltajes de nodo positivos o negativos. Son tiles
para aplicaciones de A.C.
El TRIAC puede conmutar la corriente en cualquier

direccin mediante la aplicacin de pequeos voltajes
o aplicando pulios de corriente bajas para cualquier
polaridad entre la puerta y uno de los terminales
principales.
80/82

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Dispositivos de cuatro capas

Grupo de Arquitecturas Digitales y Microelectrnica

Universidad del Valle

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

Seal de conmutacin (puede ser externa)

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

TRIACS (Tiristores A.C.)

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

Geometra: la anchura de las regiones neutras de las

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

Seal de disparo del tercer terminal.

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

Estado de conduccion directa: uniones J1, J2 y J3 se

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

Estado de bloqueo directo: uniones J1 y J3 se hallan

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

Las uniones J1 y J3 se polarizan directamente, en tanto

De esta forma el voltaje aplicado V se divide apropiadamente

La corriente es pequea debido al pobre abastecimiento de

Los nicos portadores que pueden cruzar la unin J2, son

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

voltaje VAK se expresa mediante:

Para entender el bloqueo directo, podemos usar la analoga de

MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.

MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.

La corriente de colector IC1

Los parmetros 1 y 2 representan

ICO es la corriente inversa de

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MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.

El lazo de realimentacin causa que entre ambos transistores se

Para el transistor p-n-p, la corriente inversa de saturacin ICO1 es

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.

La corriente total es:

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MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.

Dado que ICO1 es negativa, entonces:

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.

Lo anterior indica que el parmetro

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.

Universidad del Valle - lvaro Bernal N.

MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.

De esta forma huecos son inyectados desde la regin p1 y

Esta coleccin produce a su vez una reduccin en la zona

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MODELO DE TRANSISTORES REALIMENTADOS.

Esto se debe a que en un instante dado J2 pasa a estar

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CONDUCCIN EN MODO DIRECTO

Debido a la polarizacin directa de las uniones J1 y J3, los dispositivos

Despus de conmutar al estado de conduccin, el voltaje medido entre

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CONDUCCIN EN MODO DIRECTO

Inversin de la polarizacin de la unin J2

CONDUCCIN EN MODO DIRECTO

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CONDUCCIN EN MODO DIRECTO