Resistncia Eltrica
Lei de Ohm
Material
Resistividade
(-m) a 20 C
Prata
1.59108
Cobre
1.72108
Ouro
2.44108
Alumnio
2.82108
Mercrio
9.8107
Carbono
3.5105
Silcio
6.40102
Vidro
1010 a 1014
Enxofre
1015
Quartzo (fundido)
7.51017
Teflon
1022 a 1024
Lei de Ohm
Material
Resistividade
(-m) a 20 C
Prata
1.59108
Cobre
1.72108
Ouro
2.44108
Alumnio
2.82108
Mercrio
9.8107
Carbono
3.5105
Silcio
6.40102
Vidro
1010 a 1014
Enxofre
1015
Quartzo (fundido)
7.51017
Teflon
1022 a 1024
Lei de Ohm
Material
Resistividade
(-m) a 20 C
Prata
1.59108
Cobre
1.72108
Ouro
2.44108
Alumnio
2.82108
Mercrio
9.8107
Carbono
3.5105
Silcio
6.40102
Vidro
1010 a 1014
Enxofre
1015
Quartzo (fundido)
7.51017
Teflon
1022 a 1024
Lei de Ohm
Material
Resistividade
(-m) a 20 C
Prata
1.59108
Cobre
1.72108
Ouro
2.44108
Alumnio
2.82108
Mercrio
9.8107
Carbono
3.5105
Silcio
6.40102
Vidro
1010 a 1014
Enxofre
1015
Quartzo (fundido)
7.51017
Teflon
1022 a 1024
Como:
e
temos
Se
: livre caminho mdio
: velocidade mdia
Se e no depender
de E, temos a Lei de Ohm
v ~ 10-2 cm/s
velocidade de arrasto
v ~ 108 cm/s
velocidade mdia
Tipos de Resistores
Resistores de Fios
T1
T2 > T1
Quando T aumenta diminui, portanto
Em primeira aproximao:
T1
T2 > T1
Quando T aumenta diminui, portanto
Em primeira aproximao:
Resistividade
(-m) a 20 C
(oC)-1
1.59108
0,0040
Cobre
1.72108
Alumnio
2.82108
0,0040
0,0036
T2 > T1
Quando T aumenta diminui, portanto
Em primeira aproximao:
T1
20
Prata
Resistividade
(-m) a 20 C
(oC)-1
1.59108
0,0040
Cobre
1.72108
Alumnio
2.82108
0,0040
0,0036
Corrente (mA)
Material
16
12
8
4
0
6
Voltagem (V)
10
T2 > T1
Quando T aumenta diminui, portanto
Em primeira aproximao:
T1
20
Prata
(oC)-1
1.59108
0,0040
Cobre
1.72108
Alumnio
2.82108
0,0040
0,0036
Corrente (mA)
Material
Resistividade
(-m) a 20 C
16
T2
12
8
4
0
6
Voltagem (V)
10
T2 > T1
Quando T aumenta diminui, portanto
Em primeira aproximao:
T1
20
Prata
Resistividade
(-m) a 20 C
(oC)-1
1.59108
0,0040
Cobre
1.72108
Alumnio
2.82108
0,0040
0,0036
Corrente (mA)
Material
T2
16
12
T3
T4
4
0
6
Voltagem (V)
10
T2 > T1
Quando T aumenta diminui, portanto
Em primeira aproximao:
T1
20
Prata
Resistividade
(-m) a 20 C
(oC)-1
1.59108
0,0040
Cobre
1.72108
Alumnio
2.82108
0,0040
0,0036
Corrente (mA)
Material
T2
16
12
T3
T4
4
0
6
Voltagem (V)
10
T2 > T1
Quando T aumenta diminui, portanto
Em primeira aproximao:
T1
20
Prata
Resistividade
(-m) a 20 C
(oC)-1
1.59108
0,0040
Cobre
1.72108
Alumnio
2.82108
0,0040
0,0036
Corrente (mA)
Material
T2
16
12
T3
T4
4
0
6
Voltagem (V)
10
Potncia Eltrica
watt [W]
V2
V
Potncia Eltrica
watt [W]
V2
V
V
Semicondutores
Sebastio William da Silva
Construindo um semicondutor
Construindo um semicondutor
Bandas de Energia
Isolante
metal
semimetal
Semicondutores
Condutividade
Si dopado
+4
+4
+4
+4
Si intrnsico
Si
EC
+4
+4
+4
+4
Ef
EV
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Si tipo p
Si
EC
+4
+3
+4
+4
Al
Ef
EV
+4
+4
+4
+4
Si dopado
+4
+4
+4
+4
Si
Si intrnsico
EC
+4
+4
+4
+4
Ef
EV
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Si tipo n
Si
+4
+5
+4
EC
Ef
+4
P
EV
+4
+4
+4
+4
Regio de depleo
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
p
_
+++++++ +
++ + + +
+ + + +
+
_
_
Regio de
Depleo
_
_
_
_
_
_
_
+
+
+
_
_
_
_
_
_
+
-
n
_
_
_
_ _ _ _ _
_________
Ef
+
Diodo
n
V=0
Diodo
Jng
e(+V)
Jnr
V<0
+++++++ +
++ + + +
_
+
+
+
_- _- _ - _ - _ - _ _
_ -_- _ - _ -_ -_ - _
n
_
V 0
cargas espaciais
Jpr
Jpg
Jng
Jnr
_ _ _ _ _
_ _ _ _ _
__ - _ - _ - _ _ - _ - _ - _ - _ - _ - _ - _ - _
-- - - - - - - e(-V)
p
n
+
V 0
+++++++ +
++++++ ++++ +
+ e(+V)
+ +
+ +
Jpr
+ + ++++++
+ + +
+
Jpg
Diodo
I(mA)
Regio de
quebra
V(volts)
s
I (mA)
Diodo
Tnel
V (volts)
200mA
Resistncia de Proteo
Corrente (mA)
10
-5
-10
-10
-5
Voltagem (V)
10