REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA
DE LA FUERZA ARMADA NACIONAL
NCLEO ARAGUA
SEDE MARACAY

LABORATORIO
ELECTRONICA II
Prctica No. 1
AMPLIFICADOR MULTIETAPA
Acoplamiento Capacitivo

Profesor:
Ing. Cesar Gonzlez

Alumnos:
Camacho Dayana C.I. 21.3667
Esteves Carla C.I.
Seccin: ITD-601

Maracay, 23 Septiembre de 2014

INTRODUCCION
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se encuentran
prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas
fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc. Existen diferentes tipos de
transistores, uno de ellos es el BJT, que es un amplificador de corriente, esto
quiere decir que si se le introduce una cantidad de corriente por una de sus patillas
(base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que
se llama amplificacin.

Este tipo de transistor es el que se estar utilizando como parte de la

prctica en el presente informe en donde se dar a conocer de una manera
concisa el manejo de los transistores de una manera de amplificacin; Esta
prctica utiliza el transistor bipolar como amplificador y a su vez como inversor.
Brevemente se conocer con detalles lo realizado en la prctica de laboratorio, as
como las mediciones realizadas y las grficas de cada una de ellas, que ameritan
de anlisis de resultados los cuales tambin estn descritos en este informe.
El objetivo de esta prctica es disear un amplificador multietapa BJT con
acoplamiento capacitivo para bajas frecuencias y pequeas seales, dadas sus
especificaciones generales en AC.

MARCO TEORICO

Transistor de unin bipolar (BJT)

Es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN

muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su
funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

Estructura
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras
dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas
regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y
tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un
terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.
Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde
se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la baseemisor. La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est
compuesta de material semiconductor ligeramente dopado de alta resistividad. El
colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones
inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el
valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al
transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es
usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector
y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a
funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est
usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con
el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms
pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor
de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente
debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente
dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda
ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que
esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la
operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para
aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de
portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la
base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores
inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces
utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo
que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y
modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales baseemisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie
significativamente.

Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de

entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por
tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente
controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja
impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora
de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea
parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de
arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Configuracin de los transistores BJT
Todos los transistores BJT, NPN y PNP pueden polarizarse demanera que
quede una terminal comn en su circuito depolarizacin; es decir, un elemento que
forma parte tanto de lazo deentrada como del lazo de salida. Este puede ser
cualquiera de lastres terminales del dispositivo (Emisor, Base, Colector).
Asentonces, se tienen tres configuraciones:
Configuracin de Base Comn: La base es comn a la entrada (emisor-base) y a
la salida (colector-base).

Simulacin Inversor

Anlisis DC

Seguidor de Voltaje

Anlisis DC

Seguidor de Voltaje

Anlisis DC

Anlisis AC

Seal vista del seguidor de voltaje en el Osciloscopio

Etapas Conectadas

Procedimiento Experimental

1ra Etapa.

Se mont en el protoboard la primera etapa que es un inversor del amplificador

con el transistor 2N2222 obteniendo los siguientes resultados:

Resultados DC

Vce=4.31V
Ic=5.59mA

Resultados AC

Para Zi se conect una resistencia aproximado a lo obtenido en la teora y se

obtuvo:
Vi= 882mV
Zi=

Vs=3.70V

Rs=1k

Vi
Rs=312.98
VsVi

Se conect una carga de 1k y se midio tensin de salida con carga(Vl) y sin carga
(Vo):
Vl=427mV

Z o=

Vo=935mV

Rl=1k

VoVl
Rl=1189.69
Vl

La ganancia se obtuvo con las tensiones de salida y entrada de esta etapa:

Vo= 8.2V
A v 1=

Vo
=
Vi

Vi=0.447V
18.09

2da Etapa

Ahora procedimos a montar la 2da etapa que es un circuito seguidor de voltaje y

se obtuvo:

Resultados DC

Vce= 4.6V
Ic=5.33mA

Resultados AC

Se conect un resistencia de aproximadamente el resultado obtenido en el prelab para obtener la impedancia de entrada Zi.
Vi=520mV
Zi=

Vs=217mV

Rs=10k

Vi
Rs=13.96 k
VsVi

Para medir la impedancia de salida se conect una carga de 220 y se midio la

tensin de salida con carga conectada (Vl) y sin carga (Vo).
Vo=2.2V
Zo=

Vl=2.05

Rl=220

VoVl
Rl=16.1
Vl

Y la ganacia se obtuvo con la tensin de entrada y salida en esta etapa.

A v 2=

Vo
=4.23
Vi

Ganancia total.
vT = Vo =0.97V
Vi
A

PROCEDIMIENTO DE LA PRCTICA
La prctica consto de dos partes, que consistieron en el montaje de los dos
diseos representados anteriormente:
Inversor:
Montaje del circuito diseado y comprobar los parmetros en DC de
polarizacin antes de introducir la seal AC.
Ajustar la frecuencia y la amplitud de Vs hasta obtener la mxima tensin
pico de salida sin distorsin. Luego se pudo medir con el osciloscopio las
ganancias de voltaje y la ganancia del amplificador con y sin carga.
Se midi las impedancias de entrada y de salida.
Las mediciones con el osciloscopio arrojaron las siguientes lecturas:
Vppi=316 mV

Voltaje de entrada

Vppo=6,44 V

Voltaje de salida

Con esto se puede obtener la ganancia mediante la relacin:

V=

Vppo
6,44 V
=
=20,379
Vppi 316103 V

A continuacin se presenta la grfica donde se puede ver la comparacin

de la seal de entrada y la seal de salida:

Luego se procedi a realizar las mediciones de impedancia de entrada y

salida de la siguiente manera:
- Impedancia de entrada:
a) Primero se coloc en serie con el generador una resistencia RS del mismo
valor que tiene la impedancia de entrada que se calcul anteriormente que
es de 520.
b) Luego se procedi a medir Vs y Vi en ambos lados de RS.
c) Seguidamente se despeja Zi, de la ecuacin:
Vi=

VsZi
Zi+ RS

Zi=

Vi
RS
VsVi

Ahora bien, las lecturas arrojadas de Vs y Vi, al realizar la medicin de

tensin RS antes y despus de la misma son las siguientes:
VS=Vpp=324,0 mV

Vi=Vpp=154,0 mV

Seguidamente se proceder al clculo de la impedancia de entrada gracias

a los valores obtenidos de Vo y VS, utilizando la ecuacin antes mencionada:
Zi=

Vi
RS
VsVi

Zi=

324 mV
520 =507,24
324 m154 mV

Impedancia de salida:
a) Primero se dispuso de una resistencia de carga RL, del mismo valor que

tiene la impedancia de salida que se calcul anteriormente que es de

1K.
b) Luego se procedi a medir Vo en vaco (sin RL) y VL en la carga (con
RL).
c) Seguidamente se despeja Zo, de la ecuacin:
VL=

VoRL
Zo+ RL

Zo=

VoVL
RL
VL

Ahora bien, las lecturas arrojadas de Vo y VL, al realizar la medicin de

tensin Vo en vaco y VL son las siguientes:
VL=Vpp=3,4 V
Vo=Vpp=6,8 V

Seguidamente se proceder al clculo de la impedancia de entrada gracias

a los valores obtenidos de Vo y VL, utilizando la ecuacin antes mencionada:
Zo=

Zi=

VoVL
RL
VL

6,8 V 3,4 V
1 K=1 K
3,4 V

Anlisis de Resultados
Segn los resultados obtenidos y lo calculado en el prelaboratorio el diseo
difiere un poco de lo que se quera lo cual puede ser por diversas razones, puede
ser que los materiales utilizados disipaban ms potencia de la que queramos y
por esta razn no obtuvimos la ganancia que se quera para el amplificador.
Se puede decir que primeramente el transistor hace el papel de amplificador
ya que se puede notar que la seal de entrada es amplificada en 20V, lo que lo
hace un componente efectivo en diferentes circuitos donde se quiera aumentar la
tensin pico a pico de una seal, adems se pudo observar en el osciloscopio el
uso de este transistor como inversor ya que la seal de salida se pudo ver en
desfase respecto a la seal de entrada, representando ese desfasaje 180,
tambin se pudo verificar que las impedancias de entrada y salida calculadas
tericamente son aproximadamente iguales a las calculadas mediante las
mediciones realizadas lo que hace este tipo de diseo una etapa eficaz que tiene
pocos cambios en impedancias de entrada calculadas tanto tericamente como en
la prctica.
En cuanto a anlisis individuales de las etapas estuvieron dentro de los
parmetros obtenidos tericamente, y se pudo comprobar relativamente la
amplificacin en acoplamiento capacitivo con etapa inversora y seguidor de
voltaje.

Seguidor de Voltaje
Montaje del circuito diseado y comprobar los parmetros en DC de
polarizacin antes de introducir la seal AC.
Ajustar la frecuencia y la amplitud de Vs hasta obtener la mxima tensin
pico de salida sin distorsin. Luego se pudo medir con el osciloscopio las
ganancias de voltaje y la ganancia del amplificador con y sin carga.
Se midi las impedancias de entrada y de salida.
Las mediciones con el osciloscopio arrojaron las siguientes lecturas:
Vppi=292mV

Vppo=284 mV

Voltaje de entrada
Voltaje de salida

Con esto se puede obtener la ganancia mediante la relacin:

V=

Vppo 284103 V
=
=0,97
Vppi 292103 V

A continuacin se presenta la grafica donde se puede ver la comparacin

de la seal de entrada y la seal de salida:

Luego se procedi a realizar las mediciones de impedancia de entrada y

salida de la siguiente manera:
- Impedancia de entrada:
a) Primero se coloc en serie con el generador una resistencia RS del mismo
valor que tiene la impedancia de entrada que se calcul anteriormente que
es de 13,6K.
b) Luego se procedi a medir Vs y Vi en ambos lados de RS.
c) Seguidamente se despeja Zi, de la ecuacin:
Vi=

VsZi
Zi+ RS

Zi=

Vi
RS
VsVi

Ahora bien, las lecturas arrojadas de Vs y Vi, al realizar la medicin de

tensin RS antes y despus de la misma son las siguientes:
VS=Vpp=251,0 mV
Vi=Vpp=130,0 mV

Seguidamente se proceder al clculo de la impedancia de entrada gracias

a los valores obtenidos de Vo y VS, utilizando la ecuacin antes mencionada:

Zi=

Vi
RS
VsVi

Zi=

130 mV
13,6 K=14,61 K
251 mV 130 mV

Impedancia de salida:
a) Primero se dispuso de una resistencia de carga RL, del mismo valor que
tiene la impedancia de salida que se calcul anteriormente que es de
5,14.
b) Luego se procedi a medir Vo en vaco (sin RL) y VL en la carga (con
RL).
c) Seguidamente se despeja Zo, de la ecuacin:

VL=

VoRL
Zo+ RL

Zo=

VoVL
RL
VL

Ahora bien, las lecturas arrojadas de Vo y VL, al realizar la medicin de

tensin Vo en vaco y VL son las siguientes:
VL=Vpp=212 mV
Vo=Vpp=284 mV

Seguidamente se proceder al clculo de la impedancia de entrada gracias

a los valores obtenidos de Vo y VL, utilizando la ecuacin antes mencionada:

Zo=

Zi=

VoVL
RL
VL

384 mV 212 mV
5,14 =4,17
212 mV

Anlisis de Resultados:
De los resultados obtenidos se puede decir que primeramente el transistor
hace el papel de amplificador ya que se puede notar que la seal de entrada es
amplificada en casi 1V (0,97V), lo que lo hace un componente efectivo en
diferentes circuitos donde se quiera aumentar la tensin pico a pico de una seal
claro est si se quisiera aumentar ms esa amplificacin solo hay que hacer
cambios de valores hmicos en algunas de las resistencias usadas, adems se

pudo observar en el osciloscopio el uso de este transistor como seguidor de

voltaje ya que la seal de salida se pudo ver en fase respecto a la seal de
entrada, no habiendo mucha diferencia entre las amplitudes de ambas seales,
tambin se pudo verificar que las impedancias de entrada y salida calculadas
tericamente son aproximadamente iguales a las calculadas mediante las
mediciones realizadas lo que hace este tipo de diseo una etapa eficaz que tiene
pocos cambios en impedancias de entrada calculadas tanto tericamente como en
la prctica.

Conclusin

Al analizar cada etapa de este amplificador con acoplamiento capacitivo,

pudimos observar que los resultados en DC son coherentescon lo obtenido en la
teora al igual que en AC. En la primera etapa cumpli con los parmetros de
impedancia de entrada y salida al igual que en la segunda etapa, pero al analizar
el circuito conectando las 2 etapas existe un pequeo paradigma ya que cada

etapa tiene el comportamiento esperado y por lo tanto al acoplar estas etapas

deberamos tener la ganancia esperada.
Como ya mencionamos antes, esto se puede deber a alguna perdida de
potencia con el circuito conectado completamente, o con errores de equipo o
humanos.
En lneas generales si se cumpli con el objetivo de la prctica que fue
disear el amplificador multietapa con el transistor 2n2222 y cumpli con los
parmetros obtenidos en nuestro pre-laboratorio.

Dayana Camacho

Conclusin

Los transistores BJT son dispositivos semiconductores formado por tres

regiones, dopadas alternativamente, permite controlar el paso de la corriente a

travs de sus terminales. Puede ser configurado de diferentes maneras, en cuanto

al laboratorio realizado como se pudo ver se configur como inversor y como
seguidor de voltaje, la practica consisti en la realizacin de dos montajes donde
se pudo observar el funcionamiento de los BJT, de los experimentos realizados, se
puede concluir lo siguiente:

El funcionamiento de un transistor BJT, sea de NPN o PNP, depende de la

polarizacin que se le aplica en sus terminales, ya que una mala polarizacin
podra funcionar mal todo el circuito en el que se le aplique. Durante el
experimento se pudo comprobar la teora y clculos realizados antes de la
prctica, adems se pudo obtener dos configuraciones de BJT, como el inversor el
cual desfasa la seal de salida en 180, generando una amplificacin bastante
considerable; la otra configuracin aplicada fue el BJT como seguidor de voltaje,
cuya seal de salida est en fase con la seal de entrada adems que esta
amplificada.

Jos Madera