Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-xidoSemiconductor

El nombre hace mencin a la estructura interna: Metal Oxide

Universidad de Oviedo

Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo

de portador

Leccin 5

Los usados en Electrnica de potencia son de tipo acumulacin

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA
Sistemas Electrnicos de Alimentacin
5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

Canal P
Conduccin
debida a huecos

Conduccin debida
a electrones

Los ms usados son los MOSFET de canal N

La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
movilidad menores resistencias de canal en conduccin

ID

- Curvas de salida

2,5KW

ID [mA]

VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V

Referencias normalizadas

Zonas de trabajo

- Curvas de entrada:
No tienen inters (puerta aislada del canal)

VDS [V]

6
VGS < VTH =
2V

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

D
+
G
VDS
+ S VGS
-

G
Canal N

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

Curvas caractersticas del MOSFET

ID

+
-

VGS

+
VDS
-

ID [mA]
VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V

10V

VGS = 3V
VGS = 2,5V

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V

12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V

Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente
(sin inters en electrnica de potencia)
Comportamiento como circuito abierto

Ideas generales sobre los MOSFETs

Estructura de los MOSFETs de Potencia

Precauciones en el uso de transistores MOSFET

Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son

posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos

Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fcilmente

- Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET

de enriquecimiento

N+

D
N+

P-

D
G
S

Substrato

Algunas celdas posibles

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

- El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de

los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin

Encapsulados de MOSFETs de Potencia

Fuente

n+

Fuente

Puerta

n+

n-

n+

nn
+

n
+

Drenador
Estructura planar
(D MOS)

Puerta

Drenador
Estructura en
trinchera
(V MOS)

S
G
D

Encapsulados de MOSFETs de Potencia

En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los

encapsulados axiales)

Otros ejemplos de MOSFET de 60V

Existe gran variedad

RDS(on)=9,4mW, ID=12A

RDS(on)=5,5mW, ID=86A

RDS(on)=9mW, ID=93A

RDS(on)=12mW, ID=57A

RDS(on)=1.5mW, ID=240A

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

Ejemplos: MOSFET de 60V

RDS(on)=3.4mW, ID=90A

Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia

1 Mxima tensin drenador-fuente

1 -Mxima tensin drenador-fuente

La mxima tensin drenador-fuente de representa como V DSS

o como V(BR)DSS

2 -Mxima corriente de drenador

3 -Resistencia en conduccin

Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

4 -Tensiones umbral y mximas de puerta

5 -Velocidad de conmutacin

Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea

circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)

Baja tensin

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

1 Mxima tensin drenador-fuente

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el substrato (unido a
la fuente) y el drenador.

2 Mxima corriente de drenador

Ejemplo de
clasificacin

Media tensin

15 V
30 V
45 V
55 V
60 V
80 V

Alta tensin

100 V
150 V
200 V
400 V

500 V
600 V
800 V
1000 V

3 Resistencia en conduccin

El fabricante suministra dos valores (al menos):

- Corriente continua mxima I D

Es uno de los parmetro ms importante en un MOSFET.

Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo

- Corriente mxima pulsada IDM

Se representa por las letras RDS(on)

Para un dispositivo particular, crece con la temperatura

La corriente continua mxima ID depende de la

temperatura de la cpsula (mounting base aqu)

A 100C, ID=230,7=16,1A

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

Para un dispositivo particular, decrece con la tensin de

puerta. Este decrecimiento tiene un lmite.

Drain-source On Resistance, R DS(on) (Ohms)

3 Resistencia en conduccin

3 Resistencia en conduccin

Comparando distintos dispositivos de valores de I D semejantes,

RDS(on) crece con el valor de V DSS

En los ltimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores

de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V)

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

MOSFET de

1984

MOSFET de los aos 2000

4 Tensiones umbral y mximas de puerta

4 Tensiones umbral y mximas de puerta

La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que

comience a haber conduccin entre drenador y fuente

La tensin umbral cambia con la temperatura

Los fabricantes definen la tensin umbral V GS(TO) como la tensin

puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V

4 Tensiones umbral y mximas de puerta

5 Velocidad de conmutacin
Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos
usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)

La mxima tensin soportable entre puerta y fuente es

tpicamente de 20V

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En

ellos, los niveles de corriente conducida no estn asociados al aumento
de la concentracin de portadores minoritarios, que luego son difciles de
eliminar para que el dispositivo deje de conducir

5 Velocidad de conmutacin

La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidades

parsitas del dispositivo
Hay, esencialmente tres:

- Cgs, capacidad de lineal

- Cds, capacidad de transicin Cds k/(VDS)1/2
- Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante

Cdg
Cds

Cgs

5 Velocidad de conmutacin
Ejemplo de informacin de los fabricantes

Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de

tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:

- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 ( capacidad de entrada)

- Crss = Cdg (capacidad Miller)

Cdg
G
Ciss

Cgs

Cdg
Cds
S

Coss

G
Cgs

Cds
S

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

- Coss = Cds + Cdg ( capacidad de salida)

Ciss = Cgs + Cgd

Crss = Cdg
Coss = Cds + Cdg

5 Velocidad de conmutacin

5 Velocidad de conmutacin

La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan

prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin
de los MOSFET de potencia

Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa:

- Con carga inductiva
- Con diodo de enclavamiento

V1

En la carga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
- Energa almacenada en C = 0,5CV12

En la descarga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
Energa total perdida: CV12 = V1QCV1

Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las

variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia
entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en el proceso de
conmutacin

- Suponiendo diodo ideal

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

Carga y descarga de un condensador desde una resistencia

5 Velocidad de conmutacin

Cdg

iDT

Cds -

+
vGS

Cgs

vDS

V2

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

iD

iDT = 0 hasta que vGS = VGS(TO)

vDS = V2 hasta que iDT = IL

Pendiente determinada
por R, Cgs y por Cdg(V2)

vDS
IL

vDG

Cgs

VGS(TO)

iDT = 0 y iD = IL

BA

vDG = V2, vDS = V2 y vGS = 0

- En esa situacin, el
interruptor pasa de B a A

V2

Cds

V1

vGS

- Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin

V1

Cdg

5 Velocidad de conmutacin

Situacin de partida:

- Por tanto:

IL

IL

iDT

IL

iD

vDG
-

+
Cdg +
-

A
V1

+
vGS

vDS V2

Cds -

+
-

iDT

Cgs

5 Velocidad de conmutacin

vGS
BA

VGS(TO)

5 Velocidad de conmutacin

La corriente que da V1 a travs de R se

emplea fundamentalmente en descargar
Cdg prcticamente no circula
corriente porCgs vGS = Cte

vGS

V1

BA

Constante de tiempo determinada

por R, Cgs y por Cdg(V1)

VGS(TO)

IL

vDG
-

+
Cdg +

A
V1

iDT

+
vGS

vDS V2

Cds -

+
-

Cgs

5 Velocidad de conmutacin

IL

iDT

IL

vDG
-

Cdg

A
V1

iDT

IL

iDT

EL MOSFET DE POTENCIA

vDS

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

Cgs y Cdg se continan

+
vGS

vDS V2
Cds -

+
-

Cgs

5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de prdidas entre t2 y t3:

VGS(TO)

VM

iDT

IL

PVI
+
vGS

iDT
+

Cdg

t0 t1 t2 t3

+
-

Cgs Cds -

vDS V2

VM

iDT

- Hay que descargar Cds hasta 0 e

invertir la carga de Cdg desde V2-VM
hasta -VM
- Hay convivencia tensin corriente
entre t2 y t3

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

- Hay convivencia tensin corriente

entre t1 y t2

iDT

VGS(TO)

- Hay que cargar Cgs (grande) y

descargar Cdg (pequea) VM voltios

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

BA
Valoracin de prdidas entre t0 y t2:

V1

IL

t0 t1 t2 t3

iCdg+iCds+IL
iDT = IL
iCdg
Cdg

PVI
+
vGS

iCds
+

BA

vGS

V1

vGS

vDS

IL

Cgs Cds -

5 Velocidad de conmutacin

vGS
BA

VGS(TO)

V1
VM

- Hay que acabar de cargar Cgs y Cdg

hasta V1

Cdg

t0 t1 t2 t3

iDT = IL

iL

PVI
+
vGS
-

vDS

IL

Cgs Cds -

vGS

- La corriente que da la fuente V 1 es aproximadamente

constante entre t0 y t3 (comienzo de una exponencial,
con IV1 V1/R)
- De t0 a t2, la corriente IV1 se ha encargado
esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado una
carga elctrica Qgs

EL MOSFET DE POTENCIA

iCdg

IL

EL MOSFET DE POTENCIA

Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga

de puerta:

- No hay convivencia tensin

corriente salvo la propia de las
prdidas de conduccin

vDS

iDT

5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de prdidas a partir de t3:

5 Velocidad de conmutacin

iV1

Qdg

Qgs

- De t2 a t3, la corriente Iv1 se ha encargado en invertir la

carga de Cdg. Se ha suministrado una carga elctrica Qdg
- Hasta que VGS = V1 se sigue suministrando carga. Qg
es el valor total (incluyendo Qgs y Qdg)

t0

t2 t3
Q

- Para un determinado sistema de gobierno (V 1 y R),

cuanto menores sean Qgs, Qdg y Qg ms rpido ser el
transistor

iV1

- Obviamente t2-t0 QgsR/V1, t3-t2 QdgR/V1 y PV1 =

V1QgfS, siendo fS la frecuencia de conmutacin

V1

5 Velocidad de conmutacin

Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta:

Informacin de los fabricantes

Otro tipo de informacin suministrada por los

fabricantes: conmutacin con carga resistiva

VGS

VDS

IRF 540

BUZ80

MOSFET de 1984

MOSFET de los aos 2000

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

90%

10%

td on

td off

tr

iDT

tf

RD
td on : retraso de encendido

tr : tiempo de subida
td off : retraso de apagado

RG
+

tf : tiempo de bajada

+
vDS
-

vGS

5 Velocidad de conmutacin

Prdidas en un MOSFET de potencia

Prdidas por convivencia tensin corriente entre drenador y fuente

Otro tipo de informacin suministrada por los

fabricantes: conmutacin con carga resistiva

vGS

IRF 540

Pcond = RDS(on)iDT(rms)2

iDT
RD
td on : retraso de encendido

tr : tiempo de subida
td off : retraso de apagado

RG
+

G
S

tf : tiempo de bajada

+
vDS
-

vGS

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

vDS

Prdidas en un MOSFET de potencia

EL MOSFET DE POTENCIA

vGS

iV1

Circuito terico

iV1
t2 t3

V1

Q
g

Won
Prdidas en
conduccin

Prdidas en conmutacin

Woff

IRF 540

Qgs
t0

PVI

El diodo parsito suele tener malas caractersticas, sobre

todo en MOSFETs de alta tensin

iV1
V1

Qdg

iDT

El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

RB

PV1 = V1QgfS
Circuito real

EL MOSFET DE POTENCIA

Prdidas en la fuente de gobierno

Pconm = fS(won + woff)

D
G
S

El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

Caractersticas trmicas de los MOSFETs de potencia

Es vlido todo lo comentado para los diodos de potencia

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA

El diodo parsito en un MOSFET de alta tensin

Este fabricante denomina mounting base a la cpsula

y suministra informacin de la RTHja = RTHjc + RTHca

10