ENUNCIADOS DE PROBLEMAS
Termodinmica Tcnica y Fundamentos de Transferencia de Calor. Grado en Ingeniera Electrnica y
Automtica.
Dibujar el circuito trmico para la pared del horno indicando las temperaturas, flujos de calor
y resistencias trmicas.
b)
Las paredes de una casa estn compuestas por madera, aislamiento de lana de vidrio y yeso, tal
como se indica en la figura.
En un da de invierno los coeficientes
de transferencia de calor por
conveccin interior y exterior valen
h = 30 W/m2K, h = 60 W/m2K y las
i
(a)
(b)
(c)
(d)
Hallar una expresin simblica para la resistencia total de la pared, incluyendo la conveccin
exterior e interior.
Determinar las prdidas de calor totales (W) a travs de la pared. (sol: 4 214 W)
En un da de viento, en el que valor del coeficiente de conveccin externo puede aumentar
hasta he = 300 W/m2K, determinar el porcentaje de aumento de prdidas respecto del caso
anterior. (sol: 4 233 W)
Estimar las prdidas de calor diarias a travs de la pared si se considera una expresin
variable para la temperatura exterior T,e (condicin ms parecida a la realidad) tal que:
2
0 t 12h
T ,e (K ) = 273 + 5 sen
t
24
2 12 t 24h
t
T ,e (K ) = 273 + 11 sen
24
Propiedades:
Yeso
Lana de vidrio
Madera
cp (J/kgK)
1.2
835
1.2
(kg/m )
800
28
545
k (W/mK)
0.17
0.038
0.12
q perd (kWh / da ) =
24 h
q perd (t ) =
24 h
T ,i T ,e (t )
dt
Rt
4.
Un superconductor del calor es un material ideal que tiene una conductividad trmica infinita y por
tanto conduce el calor sin gradiente de temperaturas. Se dispone imaginariamente de una placa muy
grande de tal material. Para los tres juegos de condiciones de contorno que se muestran en el
esquema, indicar la distribucin de temperaturas en el slido.
5.
Un transistor de potencia encapsulado en una carcasa de aluminio se une por la base a una placa
cuadrada de alumnio de conductividad trmica k=240 W/mK, espesor 6 mm y lado W = 20 mm. La
carcasa se une a la placa de aluminio con unos tornillos que mantienen ejercen una presin de 1 bar
sobre la superficie. El encapsulado del transistor dificulta la transferencia de calor al exterior, de tal
manera que puede suponerse que el calor generado por el dispositivo se transfiere nicamente a
travs de la placa de aluminio hacia el exterior, donde se evaca por conveccin y radiacin, a T =
o
Tsur = 25 C. La superficie de aluminio tiene una emisividad de =0.9 y el coeficiente de conveccin es
2
de h=4 W/m K.
El contacto entre el transistor y la placa es del tipo aluminio- alumnio con una rugosidad de 10 m.
-4
2
Para este tipo de unin la resistencia caracterstica de contacto es de 2.75x10 m K/W. El rea de
-4
2
contacto es de es Ac=2x10 m .
Calcular la potencia mxima del transistor si la temperatura del transistor no puede ser mayor de
o
85C. (sol: temperatura de la superficie de la placa, 84.6 C, calor Pmax=0.268W. En la resolucin al
haber radiacin en // con conveccin no se puede despejar y hay que resolver iterativamente, con la
calculadora o con el EES, o alternativamente probar con la solucin a ver si nos cuadra.)
Determinar qu porcentaje aumenta el calor transferido por una pared plana si se le aaden aletas
de aluminio de perfil rectangular. Las dimensiones de las aletas son 50 mm de largo y 0.5 mm de
espesor y se encuentran a 4 mm de distancia entre s (250 aletas/m). El coeficiente de conveccin
asociado a la pared lisa es 40 W/m2K y a la pared con aletas 30 W/m2K.. Conductividad del aluminio,
k=240 W/mK
Para mejorar la transferencia de calor, se instalan aletas anulares de perfil rectangular una tubera
de 25 mm de dimetro exterior y de temperatura superficial 250C. Las dimensiones de las aletas son
1 mm de espesor y 10 mm de longitud, y se encuentran a 5 mm de distancia entre s. La temperatura
del fluido exterior es de 25C y el coeficiente de conveccin de 25 W/m2K. Cul es la prdida de
calor por aleta?. Si se instalan 200 aletas a lo largo del tubo Cul es la prdida de calor por metro de
tubera?. El material de las aletas es Alloy 2024-T6, k=177 W/mK.
Solucin: calor transferido por aleta qa=12.51 W/aleta, total q=2503 W/m de tubera.
10 mm
50 mm
base
5 mm
k= 177 W/m.K
30 mm
aletas
base
9
Para el slido bidimensional de la figura se
TB= 100 C
T
en la superficie A vale 30 K/m.
y
T T
Calcula
y
en la superficie B
y x
sabe que
aislado
1m
k= 10 W/m.K
aislado
A
2m
TA = 0 C
10
Un delgado componente electrnico disipador de potencia tiene un dimetro D= 10 mm. Una de sus
caras est pegada con resina epoxy a un gran bloque de aluminio (k= 237 W/m.K). La resistencia
4
2
trmica por unidad de rea de la unin de epoxy vale Rt,c= 0,5 x10 m K/W. En puntos alejados
del componente, el bloque se mantiene a una temperatura Tb= 25 C. La superficie exterior est
expuesta a una corriente de aire para la que h= 25 W/m2K y T= 25 C.
Dibujar el circuito trmico equivalente de este
sistema, indicando las resistencias trmicas, la
direccin de los flujos de calor y las
temperaturas Tb y T. Si la temperatura del
componente no puede superar el valor Tc=
100 C, cul es la potencia mxima de
funcionamiento P?
Aire
T ,h
Componente
electrnico,
Tc , P
Epoxy, R"t,c
Bloque de aluminio, Tb
11
12
Se realiza un ensayo en el cual se deposita la oblea, a una temperatura inicial de 100C, sobre el
disco que est a una temperatura constante de 23 C. Se aplica el campo elctrico y se aplica el
helio. Despus de 15 segundos, la temperatura de la oblea es de 33 C. Cul es la resistencia trmica
2
de contacto especfica (m K/W) entre la oblea y el disco?
El valor de esta resistencia trmica de contacto sera mayor o menor si en vez de helio se utilizase
aire?
Propiedades de la oblea de silicio: densidad r = 2700 kg/m3, calor especfico c = 875 J/kgK,
conductividad trmica k = 177 W/mK)
2
Un chip cuadrado de lado L=5 mm y espesor t=1 mm est insertado en un sustrato cermico,
estando su superficie superior refrigerada por conveccin por un lquido dielctrico con un
2
coeficiente de conveccin h=150 W/m K y T= 20 C.
En modo off el chip est en equilibrio trmico
con el refrigerante (Ti= T). Cuando el chip
comienza a funcionar, su temperatura
aumenta hasta un nuevo estacionario. La
potencia disipada al entrar en funcionamiento
6
3
se puede considerar qv=9x10 W/m .
Se supone resistencia de contacto infinita
entre el chip y el sustrato y resistencia de
conduccin despreciable en el chip.
Calcular:
o
La densidad y calor especfico del chip son =2 000 kg/m y c = 700 J/kg K.