Laporan Praktikum Fisika Eksperimental Lanjut

Laboratorium Material

PERCOBAAN M2
EFEK HALL
Bandiyah sri Aprillia* (080913049), Septia Kholimatussadiah* (080913025), Dina Fitrina
Alifa* (080913034), Intan Pamudiarti* (080913044), Rio Dysan Tirtana* (080913046)
*Program Studi S-1 Fisika Universitas Airlangga

Abstrak
Eksperimen Efek Hall bertujuan untuk nenentukan karakteristik suatu bahan semi konduktor
melalui penentuan kuantitas-kuantitas fisis bahan yaitu koefisien Hall RH, resistivitas dan
pembawa muatan p atau n (hole dan elektron).Eksperimen ini dilakukan dengan cara
meletakkan medan magnet B tegak lurus pada suatu plat logam (konduktor atau semikonduktor)
dengan menempatkan plat tersebut diantara muka-muka kutub sebuah elektromagnet. Medan ini
akan mengarahkan gaya pembelok F pada plat sebagaiman dirumuskan dalam il x B Pada
eksperimen ini kami menggunakan dua tipe semikonduktor yaitu tipe NPN dan tipe N. Hasil
5
1
analisis data pada semikonduktor tipe NPN nilai Koefisien Hall RH 4,4.10 .m .T

,Resistivitas

=1,32. 105 . m , Pembawa muatan

n=1,421.1023 T .C1 . 1 . m1 dan

5
1
untuk semikonduktor tipe N nilai Koefisien Hall, R H =3,267.10 . m. T
,Resistivitas

=0,98.105 .m , Pembawa muatan

p=n=1,913.10 23 T . C1 . 1 . m1

Kata Kunci : Efek Hall RH, resistivitas dan pembawa muatan p atau n (hole dan elektron).
menyebabkan beda-beda potensial
1. PENDAHULUAN
Eksperimen
untuk

kecil V di antara sumbu x dan y.

ini

bertujuan

mempelajari

karakteristik

besaran

suatu

bahan

Secara keseluruhan fenomena ini

disebut dengan Efek Hall.
Koefisien Hall

semikonduktor melalui penentuan

kuantitas-kuantitas fisis bahan yaitu
koefisien Hall RH , resistivitas dan
pembawa muatan p atau n (hole dan
elektron).
Jika medan magnet B diletakkan
tegak lurus pada suatu pelat logam
(konduktor
dengan

atau

cara

semikonduktor)

menempatkan

Ey UH t
=
jx B
I B

Resistivitas

Ex
=B R H
jx

Pembawa muatan electron/hole :

plat

tersebut diantara muka-muka kutub

sebuah

RH

p=n=

elektromagnet. Medan ini

akan mengarahkan gaya pembelok F

pada plat sebagaimana dirumuskan
dalam il x B , yang menunjukkan ke
arah kanan.
Oleh karena gaya yang mengarah ke

1
e RH

Dimana e, j, E, dan B besaranbesaran fundamental dan t, w, dan L

adalah dimensi volum dari sampel (t
x l x w).
2. METODE PENELITIAN

samping pada plat tersebut adalah

disebabkan

oleh

gaya

pembawa

Metode

yang

digunakan

dalam

muatan, yaitu qv x B. Pembawa-

percobaan ini adalah melalui penentuan

pembawa muatan positif (hole) atau

kuantitas-kuantitas fisis bahan yaitu

negatif (electrone) akan cenderung

koefisien Hall RH, Resistivitas dan

mengarah ke kanan ketika pembawa

pembawa

muatan ini hanyut (drift) sepanjang

electron).

plat

logam.

Hal

inilah

yang

muatan

atau

n(hole

Alat dan Bahan Percobaan

Modul Hall yang terdiri dari : knop

berputar,

tampilan

digital

untuk

mengambil data yang dihasilkan, soket

penahan modul Hall, LED, soket untuk
pengukuran tegangan Hall UH, tempat
memasukkan

sensor

magnetic,

swit

tekan untuk tampila arus listrik I dan

suhu T pada LED, Knop berputar unut
kesalahan tegangan dari tegangan Hall,
tempat

memasukkan

papan

sampel,

soket input tegangan sumber, Tombol

on/off untuk mengaktifkan modul Hall,
koneksi interface (computer).

Tegangan Hall Sebagai Fungsi Arus

Listrik Bahan
Menyambungkan perangkat
multimeter ke soket (5) dan (10)
untuk mengukur tegangan Hall.
Setelah itu memberi sumber
tegangan (12 v?5 A) dari PLN.
Memutar knop (1) dimulai dari posisi
0 sampai 5 mA lalu menekan
tombol (7) pada posisi arus Ip
sehingga display arus pada (4)
menyala pada penunjukkan arus
listrik. Selanjutnya mengamati
besarnya arus listrik pada LED (2)
dan mengamati tegangan Hall pada
multimeter UH.

3. HASIL DAN ANALISIS DATA

Data Hasil Pengamatan
Gambar 1.1 Bagian depan modul Hall

Semikonduktor NPN
T=280C=301K
Tebal=1mm=0,001m
B=300 mT= 0,3 T

Gambar 1.2 bagian belakan modull Hall

Arus I (mA)

Tegangan V (mV)

-15

-0,11

-10

-0,34

-5

-0,41

-0,34

-0,45

ini kami melakukan pengambilan

10

-0,54

data untuk menentukan tegangan hall

15

-0,58

sebagai fungsi arus listrik dua bahan

Dalam eksperimen efek hall

semikonduktor yaitu tipe NPN dan

tipe N kemudian menentukan nilai
Semikonduktor N

koefisien

hall

(RH)

melalui

persamaan regresi.

T=250C=298K
Tebal=1mm=0,001m

RH=

UH t
I B

B=300 mT= 0,3 T

Arus I (mA)

Tegangan V (mV)

-30

0,14

-25

0,14

(1)

-20

0,12

Y=

-15

0,08

-10

-5

-0,04

-0,09

-0,15

10

-0,2

15

-0,25

20

-0,3

25

-0,36

30

-0,4

RHB
I
UH=

Untuk Semikonduktor jenis NPN

Grafik Koefisien Hall untuk Semikonduktor NPN

0
-20 -10
-0.1 0 10 20
-0.2
f(x) = - 0.01x - 0.4
-0.3
Tegangan V (mV) R = 0.84
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
Arus Listrik I (mA)

RH=

U H t
I B

=B R H =( 300 mT ) (4,4. 10 .m .T )
5

=1,32. 10 . m

( Rt B ) I

U H=

Pembawa muatan
Dari kedua persamaan dan persamaan garis
di atas, maka dapat dilakukan pendekatan

( Rt B ) I y =mx

U H=

dengan

y=U H

p=n=

1
1
=
e R H ( 1,6. 1019 C ) (4,4.105 . m.T 1 )

, m=

R H B
t

p=n=1,421.10 23 T . C1 . 1 . m1
,dan

Untuk Semikonduktor Tipe N

x=I
dan dari persamaan y = -0.0312 x 0,395

Grafik Koefisien Hall untuk Semikonduktor N

dengan demikian nilai

R H B
=0,031 2
t
Sehingga akan didapatkan nilai-nilai dari :

Tegangan V (mV)

0.2
f(x) = - 0.01x - 0.1
0.1
R = 0.99
0
-40 -20
-0.1 0 20 40
-0.2
-0.3
-0.4

Koefisien Hall

-0.5
Arus Listrik I (mA)

RH=

U H t
mV 1 mm
= 0,0132
I B
mA 300 mT

RH=
5

R H =4,4. 10 . m .T

U H t
I B

U H=
Resistivitas :

RH B
I
t

Pembawa muatan
Dari kedua persamaan dan persamaan garis
di atas, maka dapat dilakukan pendekatan

U H=

dengan

RH B
I y =mx
t

y=U H

, m=

R HB
t

p=n=

1
1
=
19
e R H ( 1,6. 10 C ) (3,267. 105 . m. T 1)

p=n=1,913.10 23 T . C1 . 1 . m1
,dan

=I
dan dari persamaan y = -0.009 x 0,100
dengan demikian nilai
R H B
=0,0098
t
Sehingga akan didapatkan nilai-nilai dari :
Koefisien Hall :

4. PEMBAHASAN
Pada eksperimen Efek Hall
Gaya Lorentz adalah prinsip kerja

RH=

U H t
mV 1 mm
= 0,0098
I B
mA 300 mT

R H =3,267.105 . m. T 1
Resistivitas :

utama

penghantar

hall.

Sebuah

semikonduktor

gambar dibawah ini dann diberi

medan magnet yang arhnya tegak
lurus kearah dalam maka muatan
plat

semikonduktor

akan

mengalami gaya Lorentz sebesar F=

qV X B.

=0,98.105 .m

efek

berbentuk plat dialiri arus I seperti

pada
=B R H =( 300 mT ) (3,267. 105 . m. T 1 )

dari

penghantar (meter). Tegangan Hall adalah

tegangan low level signal yaitu 30mV dalam
keadaan ada medan magnet sebesar 1 Gauss.
Dalam
bertujuan

eksperimen
untuk

ini

Menentukan

tegangan Hall UH sebagai fungsi arus

dari plat semikonduktor . Sensor
yang

dapat

digunakan

untuk

gaya

menentukan konsentrasi pembawa

Lorentz kearah atas seperti gambar 2.2 (a)

adalah efek hall. Sensor ini merespon

maka pada bagian atas plat semikonduktor

medan magnet yang menembusnya.

seolah-olah akan berjajar muatan positif

Besar medan magnet disekitar kawat

(kutub positif), sedangkan muatan negative

berarus selalu sebanding dengan arus

akan mengalami gaya lorent arah bawah

yang melewati kawat tersebut. Ini

seperti gambar 2.2(b) maka pada bagian

membuat sensor efek hall baik

bawah plat semikonduktor seolah-olah akan

digunakan sebagai sensor arus.

Muatan

positif

akan

mengalami

berjajar muatan negative (kutub negative).

Semikonduktor adalah bahan

Oleh karena itu akan timbul medan listrik

dengan celah energi Eg antara pita

dan

penghantar.

valensi dan pita konduksi berorde 1

Besarnya beda potensial ini merupakan

eV. Pada T = 0 K, semua keadaan

tegangan Hall (UH)

dalam pita valensi terisi penuh dan

beda

potensial

pada

nilai UH dapat

dinyatakan

semua keadaan dalam pita konduksi

IB
UH= nqw

kosong. Apabila kita mengenakan

medan

elektrik

pada

sebuah

semikonduktor,elektron-elektron
Dengan I adalah arus yang mengalir pada

dalam

plat semikonduktor (Ampere), B adalah

mencoba

besarnya medan magnet (Tesla), n adalah

berlawanan medan, yang dengan

densitas muatan, q adalah besarnya muatan

demikian memberikan arus elektrik.

(Coloumb)

Elektron-elektron dalam pita valensi

dan

adalah

tebal

plat

pita

konduksinya

bergerak

menrut

akan
arah

juga mencoba bergerak menurut arah

akan terlihat bahwa besar tegangan

berlawanan medan., tetapi untuk

hall sebanding dengan arus yang

melakukannya, setiap elektron harus

melewati kawat tersebut.

berpindah dari satu keadaan terisi

kesalah satu keadaan kosong pita
valensi yang sedikit itu. Sewaktu
medan elektrik menarik elektronelektron

ke

salah

satu

ujung

bahan,semua kekosongan akhirnya

akan terpusatkan pada ujung lainnya.
Kekosongan ini disebut lubang
(hole).

Dengan

demikian,

arus

dalam semikonduktor terdiri atas dua

bagian,

yaitu

aliran

bermuatan

negatif

konduksi

dan

elektron

dalam
aliran

pita
lubang

bermuatan positif dalam pita valensi.

Untuk menentukan tegangan hall
sebagai fungsi dari arus sampel Ip,
maka kita mengatur piranti pada
suhu

kamar

301K

untuk

plat

semikonduktor tipe NPN. Pada alat

di tunjukkan dengan skala Celcius,

Pada eksperimen menggunakan

dua macam plat semikonduktor yaitu
Semikonduktor

tipe

NPN

dan

semikonduktor

tipe

N.

Plat

semikonduktor

memeberikan

karakteristik bahan yang berbeda

satu sama lain, karakteristik bahan
didapatkan

melalui

persamaan

regresi tegangan terhadap fungsi

arus. Berdasarkan persamaan regresi
didapatkan kuantitas-kuantitas fisis
bahan

berupa

koefisien

Hall,

Resitivitas bahan, dan pembawa

muatan p atau n ( hole dan electron).
Semikonduktor

jenis

merupakan semikonduktor Silikon

murni memberikan hasil resitivitas
yang lebih rendah dibandingkan
dengan semikonduktor tipe NPN
yang merupakan paduan Silikon-

sehingga kita atur suhu pada 28 C,

Germanium-Silikon

dan medan magnet dibuat tetap 300

semikonduktor jenis NPN lebih baik

mT. Selanjutnya kita dapat melihat

jika diaplikasikan sebagai peghambat

hasil tegangan hall dari tesla meter.

arus.

Untuk plat semikonduktor jenis N

menggunakan suhu kamar 25C.
Dari hasil yang kami peroleh, maka

5. KESIMPULAN

yang

berarti

Efek Hall terjadi mengikuti Hukum Gaya

Lorentz,

sehingga

dari

sini

akan

menimbulkan tegangan Hall yang besarnya

sebanding dengan arus yang mengalir,
namun

untuk

tegangan

Hall

yang mulanya naik kemudian turun.

Dari hasil percobaan didapatkan nilai-nilai
Untuk Semikonduktor tipe NPN
Hall

R H =4,4. 105 . m .T 1

Resistivitas

R H =3,267.105 . m. T 1
Resistivitas:

=0,98.105 .m

Pembawa muatan:
p=n=1,913.10 23 T . C1 . 1 . m1

:
6. DAFTAR PUSTAKA
Tim KBK Fisika Material, 2010,

=1,32. 10 . m

Pembawa muatan :
p=n=1,421.10 23 T . C1 . 1 . m1
Untuk Semikonduktor tipe N

Hall

berdasar

temperatur memenuhi fungsi eksponensial

Koefisien

Koefisien

Buku Petunjuk Fisika Eksperimental Lanjut

(Bagian
Fisika

Fisika
Fakultas

Material),
Sains

Departemen

dan

Teknologi

Universitas Airlangga, Surabaya.

Krane,

kenneth.S.

1992.

Fisika Modern. Jakarta : Penerbit

Universitas Indonesia.