1.

- Defectos puntuales que se forman en un cristal expuesto a la radiactividad

se llaman:
a) defectos intrnsecos
b) defectos inducidos
c) defectos nativos

2.- Defectos intrnsecos en los cristales:

(a) estn siempre presentes
(b) Slo se forman si se producen dos o ms especies diferentes de tomos
(c) Slo se forman en presencia de impurezas

3.- impurezas de tomos son:

(a) los defectos intrnsecos
(b) los defectos extrnsecos
(c) defectos nativos

4.- Un tomo de impureza P en un sitio de Si en un cristal de silicio es un:

(a) Intersticio
(b) defecto Anti sitio
(c) defectos de sustitucin

5.- El nmero de defectos de Schottky en un cristal de frmula MX es igual a:

(a) el nmero medio total de las vacancias actuales
(b) El nmero total de las vacancias actuales
(c) El doble de la cantidad total de las vacancias actuales

6.- Un nico anin Frenkel defecto en un cristal inico de frmula MX debe

estar equilibrado por:
(a) Un catin defecto Frenkel
(b) dos cationes defectos Frenkel
(c) Nada

7.- Un tomo de metal de N en un sitio de M en un MX cristal se escribira:

8.- Una vacancia de anin en un xido inico tiene el smbolo:

9.- Un in Ca2+ en un sitio Na+ en un cristal est escrito:

10.- La ecuacin que representa el dopaje de La2O en CaO es:

El defecto ms simple localizada en un cristal es un error en un solo sitio tomo

en un cristal monoatmico puro, tal como el silicio o hierro. Tal defecto se llama

un defecto punto. Dos tipos diferentes de defecto simple punto puede ocurrir
en un cristal puro de un elemento, M. Un tomo puede ser imaginado estar
ausente de una posicin normalmente ocupada, para dejar una vacante, dado
el smbolo V (Fig. 1.2). Esto puede ocurrir, por ejemplo, durante el crecimiento
de cristal. Un segundo defecto tambin se puede prever; a saber, un tomo
adicional incorporado en la estructura, de nuevo, por ejemplo, durante la
cristalizacin. Este tomo adicional se ve obligado a tomar una posicin en el
cristal que no es un sitio normalmente ocupado: se llama un sitio intersticial, y
el tomo se llama un tomo intersticial (o ms a menudo simplemente una
intersticial), dado el smbolo MM, (Fig. 1.2).
Los diversos defectos presentes en un cristal de punto en bruto, por ejemplo,
las vacantes, intersticiales, exceso de electrones, agujeros, y otras
disposiciones, se denominan defectos nativos. Estos defectos nativos pueden
surgir de varias maneras. Ellos se pueden introducir durante el crecimiento de
cristales, como se mencion anteriormente, especialmente si este es rpida y
cristalizacin se retira lejos del equilibrio. Los defectos tambin se pueden
formar despus de que se desarroll el cristal si el cristal se somete a
irradiacin por las partculas de alta energa u otras formas de radiacin. Los
defectos que resultan de tales procesos se denominan defectos inducidos.
Cuando un cristal puro se calienta a una temperatura moderada durante un
largo perodo, un proceso llamado recocido, el nmero de defectos nativos
cambiar gradualmente. Sin embargo, no importa cunto tiempo se templa la
muestra, una poblacin de defectos puntuales seguir siendo siempre, incluso
en el ms puro cristal. Estos defectos puntuales estn en equilibrio
termodinmico y no pueden ser eliminados del slido. Se denominan defectos
puntuales intrnsecos. Esta poblacin residual es tambin dependiente de la
temperatura, y, como se trata ms adelante, el calentamiento a una
temperatura ms alta aumenta progresivamente el nmero de defectos
presentes.
Adems de estas poblaciones de defectos estructurales intrnsecos, defectos
electrnicos (exceso de electrones y huecos) siempre va a ser encontrado.
Estos son tambin los defectos intrnsecos y estn presentes incluso en el
material ms puro. Cuando el equilibrio entre los defectos se consideran, es
necesario incluir ambas defectos estructurales y electrnicas.
Volviendo a compuestos puros, tales como CaO, MgCl2, o FeS, los mismos
defectos intrnsecos como se describi anteriormente puede ocurrir, pero en
estos casos hay ms de un conjunto de tomos que pueden ser afectados. Por
ejemplo, en un cristal de frmula MX, las vacantes pueden ocurrir en
posiciones de los tomos de metal, VM4 por escrito, o en posiciones de los
tomos no metlicos, dado que los tomos smbolo V metlicos, escrita MX 1.2
PUNTO Y DEFECTOS electrnico en slidos cristalinos 5, o ambos. Del mismo
modo, es posible imaginar que i intersticial o tomos no metlicos, Xi escrita,
podra producirse (Fig. 1.3).
Los diferentes conjuntos de tipos de tomos se llaman con frecuencia una
subred, por lo que se podra hablar de vacantes en la subred de los metales o
en la subred no metal.

Por ejemplo, si el cristal tiene una frmula MX, a continuacin, el nmero de

vacantes de cationes ser igual al nmero de vacantes aninicas, a fin de
mantener la composicin y neutralidad elctrica (de electroneutralidad).
Es necesario recordar que el nmero de defectos de Schottky en un cristal de
frmula MX es igual a la mitad del total del nmero de vacantes. defectos de
Schottky
Como ya se ha ilustrado, tambin es posible imaginar un defecto relacionado
con iones en los intersticios, es decir, intersticiales. Estos defectos fueron
primero sugiri como de importancia por Frenkel y son conocidos como
defectos de Frenkel.
En este caso, un tomo o ion de una subred se traslada a un sitio normalmente
vaca (un sitio intersticial) en el cristal, dejando una vacante detrs (Fig. 1.15b).
Un defecto Frenkel puede implicar el catin o la subred de aniones.
Por lo tanto, en cualquier cristal de frmula MX, un defecto Frenkel consiste en
un intersticial uno ms uno sitio vacante en la subred donde normalmente se
encontr que de iones. Debido a que los iones se mueven internamente, no
hay problema de balance de carga electrnica se produce.
Un defecto contra sitio es un tomo en un sitio normalmente ocupado por una
especie qumica diferentes que existen en el compuesto. Defectos Antisite son
una caracterstica de una serie de materiales importantes, especialmente los
ms dbilmente inicos o con enlaces covalentes. En un compuesto de frmula
AB antisite los defectos que pueden ocurrir son un tomo de A en un sitio
normalmente ocupado por un tomo de B (Fig. 1.16a), o un tomo de B en un
sitio normalmente ocupado por un tomo de A
b) Una muestra de un xido de circonio cbico cermica xido de calcio
estabilizado tiene una densidad de 5 Kg y un parmetro de red de 0.5130 nm.
Suponiendo V son los defectos puntuales dominantes, sugieren una
composicin para el slido. Hay cuatro unidades de MO en la celda unitaria.
Masa molar: Zr, 91,22 g mol; Ca, 40,08 g mol 21; O, 16,00 g mol
3.-El coeficiente Seebeck para LaCoO3 puro es 600 a) Cules son los
portadores de carga mviles? (b) Supongamos que esto ocurre debido a que el
cristal contiene una traza de una impureza, Co4, calcular la concentracin de
defectos y la frmula del material (datos de Robert et al., 2006).
7.- Escriba ecuaciones de defectos para las siguientes reacciones:
8.- El xido de nquel, NiO, est dopado con xido de litio, Lio, para formar LiO
con la estructura de cloruro de sodio. (a) Deducir la forma de la ecuacin
Heikes para la variacin de Seebeck coefi ciente, una, con el grado de dopaje,
x. La siguiente tabla muestra los valores de una funcin de log [(1-x) / x] para
este material. (b) Son los huecos o electrones portadores actuales? (c) Estime
el valor del trmino k / e constante.
9.- Los xidos con frmulas generales A, y A se dopan en MgO de modo que los
sustitutos de cationes de Mg. Escriba ecuaciones de defectos generales para

las reacciones, asumiendo las vacancias catinicas y no se produce la

compensacin electrnica.