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Exerccio 1.1 Problema (1.57 do livro).

Processamento trmico de pastilhas de silcio.


Um forno para o processamento de materiais semicondutores formado por uma
cmara de carbeto de silcio que tem uma zona quente na seo superior e uma zona
fria na seo inferior. Com o elevador na posio mais baixa, um brao rob insere a
pastilha de silcio nos pinos de montagem. Em uma operao de produo, a pastilha
rapidamente deslocada para a zona quente para cumprir o histrico temperaturatempo especificado para o processo. Nesta posio, as superfcies superior e inferior
da pastilha trocam radiao com as zonas quente e fria da cmara, respectivamente.
As temperaturas das zonas so Tq=1500K e Tf= 330K, e a emissividade e espessura
da pastilha so =0,65 e d=0,78mm. Com o gs no ambiente a T=700K, os
coeficientes de transferncia de calor por conveco nas superfcies superior e inferior
da pastilha so 8 e 4 W/(m2.K), respectivamente. A pastilha de silcio tem uma massa
especfica de 2700 kg/m3 e calor especfico de 975 J/(kg.K).
(a) Para uma condio inicial que corresponde a uma temperatura da pastilha de
Tp,i=300K e a posio da pastilha como mostrado no esquema, determine a taxa de
variao temporal da temperatura da pastilha, (dTp/dt)i
.
(b) Determine a temperatura do estado estacionrio atingida pela pastilha se ela for
mantida nessa posio. O quanto a transferncia de calor por conveco significativa
nessa situao? Esboce como voc espera que a temperatura da pastilha varie como
funo da posio vertical do elevador.

Exerccio 1.2 Problema (1.64 do livro).


Meio reacional inserido em um reator esfrico.
Um reator esfrico de ao inoxidvel (AISI 302) usado para armazenar um meio
reacional que fornece um fluxo de calor uniforme para a sua superfcie interna. O
reator subitamente submerso em um banho lquido a uma temperatura T>Tini, sendo
Tini a temperatura inicial da parede do reator.
(a) Considerando que o gradiente de temperatura na parede do reator seja desprezvel
e um fluxo de calor constante e igual a qi, desenvolva uma equao para a variao
da temperatura da parede em funo do tempo, durante o processo transiente. Qual
a taxa inicial de variao da temperatura da parede, se qi =10^5 W/m?
(b) Qual a temperatura da parede em condies de regime estacionrio?

Exerccio 1.3 Problema (1.85 do livro).


Processo de trocas de calor em coletor solar.
Um fluxo solar de 700 W/m incide sobre um coletor solar plano usado para aquecer
gua. A rea do coletor solar de 3 m e 90% da radiao solar atravessa a cobertura
de vidro e absorvida pela placa coletora. Os 10% restantes so refletidos para fora
do coletor. A gua escoa nos tubos presos no lado inferior da placa absorvedora e
aquecida da temperatura de entrada Tent at uma temperatura de saida Tsai. A
cobertura de vidro, operando a uma temperatura de 30C, tem uma emissividade de
0,94 e troca calor por radiao com o cu a -10C. O coeficiente convectivo entre a
cobertura de vidro e o ar ambiente, a 25C de 10W/(m.K).
(a) Faa um balano global de energia no coletor pra obter uma expresso para a taxa
na qual calor til coletado por unidade de rea do coletor, qu. Determine o valor de
qu.
(b) Calcule o aumento de temperatura da gua, (Tsai Tent), se a vazo for Q=0,01kg/s.
Admita que o calor especfico da gua seja 4179 J/(kg.K).
(c) Determine a eficincia do coletor, definida como: = q u /qs.