Transistor de induccin esttica

Transistor SIT

Transistor de ltima generacin.

Transistor de Induccin Esttica (SIT). Componente
electrnico de recin creacin el cual es usado en
diferentes aplicaciones, es de alta potencia y frecuencia. El
mismo es muy similar a losJFET, excepto por su
construccin vertical y su compuerta enterrada. Se los
utiliza enamplificadores de potencia lineal
en audio, DHF, UHF y microondas. No se los utiliza como
conmutador por la alta cada de tensin en sus terminales.
Contenido
1 Descripcin
2 Fabricacin
3 Caractersticas
4 Vase tambin

Descripcin

Figura I.
El Dispositivo ms importante bajo desarrollo es el
transistor de induccin esttica (SIT), en la figura I. se
muestra una seccin transversal. El SIT es un dispositivo
portador mayoritario (unipolar) en el que el flujo
de electrones de la fuente al drenaje es controlado por un
potencial de barrera en el semiconductor de dos
dimensiones con forma de silla de montar entre las
compuertas metlicas. S el dopado y las dimensiones
laterales son escogidas adecuadamente, la altura del
potencial de barrera ser modulado por la compuerta y el
drenaje. Debido a que lacorriente se incrementa
exponencialmente conforme el potencial de barrera es
disminuido, las caractersticas de la salida del SIT son
usualmente no saturadas o de manera de trodo,
parecindose a un trodo de tubo al vaco. Los electrones
fluyen de la fuente al drenaje a travs de un punto ensillado
de potencial electrosttico entre los electrodos de
compuerta. El mismo cuenta con tres terminales la Puerta
(G), Drenador (D) Surtidor(S).
Fabricacin
La fabricacin del SIT requiere un grabado anisotrpico de
pared recta de zanjas de 23 m de profundidad usando una
grabado reactivo de ion (RIE, por sus siglas en ingls)
seguida por una deposicin de Metalizacin de Shottky en
la zanja del fondo sin cubrir la zanja lateral. Las

dimensiones laterales entre las zanjas de compuerta oscilan

en el orden de 0.5 a 1.5 m. Los contactos de baja
resistencia hmica son establecidos a las regiones de la
fuente en el techo de las uniones. El voltaje de compuerta
cambia desde cero(arriba de la curva) a 18 V (debajo de la
curva) en cambios de 2V.La escala Horizontal es de 20V /
div. El mximo voltaje de drenaje es de 200 V.Para alcanzar
operacin a altas frecuencias, es necesario escalar
agresivamente la escala de la unin, anchar las zanjas,
incrementar el dopado de la regin del canal y minimizar
capacitancias parsitas. El ancho de unin y los anchos de
las zanjas son 0.5m cada uno. Los contactos de la fuente
son formados por una interconexin de puente de aire para
minimizar capacitancias parsitas. Este dispositivo exhibi
una frecuencia de 7 GHz, el valor ms alto hasta ahora
reportado para un SIT.

Caractersticas
Bajo nivel de ruido
Baja distorsin
Alta capacidad de potencia en audio frecuencia.
Los tiempos de activacin y desactivacin son muy
pequeos, tpicamente 0,25us.
La cada de tensin en estado activo es
alta,tipicamente de 90volt para un dispositivo de 180A
y de 18Volt para uno de 18A.
Estos pueden llegar hasta 300A y 1200V.
Velocidad de conmutacin tan alta como 100kHz
Baja resistencia en serie de compuerta
Baja capacitancia compuerta fuente
Resistencia trmica pequea

GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la
dcada de los aos 60, ha sido
poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el
avance de la tecnologa en el
desarrollo de dispositivos semiconductores, se han
encontrado nuevas soluciones para mejorar tales
componentes que hacen que hoy ocupen una franja
significa dentro de la electrnica de potencia,
especialmente en aquellas aplicaciones de elevada
potencia, con dispositivos que alcanzan los 5000 V y los
4000 A.
Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los
inconvenientes de los
tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control
externo por parte del usuario del paso de conduccin a
bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos interese
poder bloquear un interruptor de potencia en cualquier
instante es necesario utilizar otro tipo de
semiconductores diferentes a los SCRs o TRIACs

El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La

puerta permite controlar
las dos transiciones: paso de bloqueo a conduccin y
viceversa. El smbolo utilizado para el

GTO se muestra en la siguiente figura (Fig. 2.12), as como

su estructura interna en dos
dimensiones.

Principio de funcionamiento
El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los
componentes de la familia de los
tiristores. Su caracterstica principal es su capacidad de
entrar en conduccin y bloquearse a travs de seales
adecuadas en el terminal de puerta G.
El mecanismo de disparo es parecido al del SCR:
suponiendo que est directamente
polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta,
circula corriente entre puerta y ctodo. Como la capa de la
puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores
se mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la
barrera de potencial y siendo atrados por el potencial del
nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente
se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento,
el dispositivo no necesita de la seal de puerta
para mantenerse en conduccin

El funcionamiento como
GTO depende, por ejemplo, de factores como:
Facilidad de extraccin de portadores por el terminal de
puerta esto es posible
debido al uso de impurezas con alta movilidad.
Rpida desaparicin de portadores en las capas centrales
uso de impurezas con bajo
tiempo de recombinacin. Esto indica que un GTO tiene una
mayor cada de tensin
en conduccin, comparado a un SCR de dimensiones
iguales.
Soportar tensin inversa en la unin puerta-ctodo, sin
entrar en avalancha menor
dopado en la regin del ctodo.
Absorcin de portadores de toda la superficie conductora
regin de puerta-ctodo
con gran rea de contacto.
Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad
de bloquear tensiones
inversas.