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PRCTICA N2
DIODOS DE POTENCIA CON CARGA RL, RC
Y RLC
Jaime Fernando Usia Llivisaca
jusina@est.ups.edu.ec
Jonathan Rodrigo Macas Sandoval
jmacas@est.ups.edu.ec
Jhonny Snchez
jsanchez@est.ups.edu.ec

AbstractOne of the most important devices in power electronics is the diode due to its characteristic unidirectional.
The purpose of this practice is to know the functioning of
power diodes, and check the behavior of current and voltage
in the transitional regime with resistive load, inductive load and
capacitive load.
Index Termsdiodo de potencia, carga, resistiva, inductiva,
capacitiva.

Falta el obejtivo general y los obejtivos especficos

I. INTRODUCCIN
Los diodos de potencia son uno de los dispositivos que
tienen un papel muy importante en la electrnica; stos tienen
la caracterstica de ser unidireccionales, es decir la corriente
circula solo en el sentido positivo de la conduccin. Tienen la
caracterstica de soportar una alta corriente con una pequea
cada de tensin cuando estn en estado de conduccin. Tienen
la capacidad de soportar una fuerte tensin negativa con una
mnima corriente de fuga cuando estn en estado inverso. En
la Figura 1 se puede observar la curva caracterstica del diodo:

55%

sin que haya el efecto avalancha.

Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM ).- Mxima
tensin inversa que puede soportar el diodo por tiempo
indefinido si la duracin del pico es inferior a 10ms.
Tensin inversa de pico nico (VRSM ).- Mxima tensin
inversa que puede soportar el diodo por una sola vez cada
10 o ms minutos si la duracin del pico es inferior a
10ms.
Tensin de ruptura (VBD ).- Valor de tensin inversa que
provoca el efecto avalancha aunque se aplique una vez
por un tiempo superior a 10ms.
II-B. Parmetros en conduccin
Corriente media nominal (IF W (AV ) ).- Valor medio de
la mxima corriente de impulsos sinusoidales que puede
soportar el diodo de forma continua.
Corriente de pico repetitivo (I F RM ).- Mxima corriente
que puede soportar el diodo cada 20ms, con una duracin
de pico de 1ms, a una determinada temperatura de
cpsula.
Corriente directa de pico no repetitivo (I F SM ).- Mximo
pico de corriente que puede soportar el diodo, una vez
cada 10 minutos, con una duracin de 10ms.
III. CARACTERSTICAS DINMICAS
III-A. Parmetros de encendido

Figura 1. Curva caracterstica del diodo.

II. CARACTERSTICAS ESTTICAS

II-A. Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de trabajo (VRW M ).- Mxima tensin
inversa que puede soportar el diodo de forma continua

Tensin directa (V ON ).- Cada de tensin en el diodo en

rgimen permanente para la corriente nominal.
Tensin de recuperacin directa (V F ).- Mxima tensin
en el diodo durante el encendido.
Tiempo de recuperacin directa (tON ).- Tiempo para que
el diodo alcance el 110 % de V ON .
Tiempo de subida (tr ).- Tiempo para que la corriente
de el diodo pase del 10 % al 90 % de su valor directo
nominal.
III-B. Parmetros de apagado
Tiempo de almacenamiento (ta ).- Tiempo transcurrido
desde el paso por cero de la corriente hasta llegar al pico
negativo.

Tiempo de cada (tb ).- Tiempo transcurrido desde el pico

negativo de la corriente hasta que se anula.
Tiempo de recuperacin inversa (trr ).- Tiempo que durante el apagado, tarda la corriente en alcanzar su valor
mximo negativo y retornar hasta un 25 % de este valor,
es la suma de ta mas tb .
Carga elctrica desplazada (Qrr ).- rea negativa de la
caracterstica de recuperacin inversa.
Intensidad desplazada (I rr ).- Pico negativo de la corriente, tambin se representa como I rrm .
III-C. Influencia del trr en la conmutacin
Debido a que el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es
despreciable, la frecuencia de funcionamiento se limita y existe
una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin
inversa. Los principales factores de los que depende el tiempo
de recuperacin inversa son:
I F .- Cuanto mayor sea, mayor ser el tiempo de recuperacin inversa, debido a que la carga almacenada ser
mayor.
V R .- Cuanto mayor sea, menor ser el tiempo de recuperacin inversa, debido a que si la tensin inversa es mayor
se necesita menos tiempo para evacuar los portadores
almacenados.
diD /dt.- Cuanto mayor sea, menor ser el tiempo de
recuperacin inversa, el aumento de esta pendiente aumentar el valor de la carga almacenada, lo que producir
mayores prdidas.

di
Vs
/(t=0) =
dt
L
El voltaje VL a travs del inductor es:
VL (t) = L

di
= V s etR/L
dt

(3)

(4)

cuando L/R = es la constante de tiempo de una carga

RL.
Si t >> RL, el voltaje a travs del inductor tiende a cero
y su corriente alcanza un valor de rgimen permanente de
IS = VS /R. Si en ese momento se intenta abrir el interruptor
S1 , la energa almacenada en el inductor (E = 0.5 L i2 ) se
transformar en un alto voltaje inverso a travs del interruptor
y del diodo. Esta energa se disipar en forma de chispas a
travs del interruptor y es probable que el diodo se dae en
este proceso. Para resolver esta situacin se conecta un diodo
comnmente conocido como diodo de marcha libre a travs
de la carga inductiva.
IV-B. Carga RC
En la Figura 3 se puede observar el esquema del circuito:

IV. FUNCIONAMIENTO
IV-A. Carga RL

Figura 3. Circuito del diodo con carga RC

En la Figura 2 se puede observar el esquema del circuito:

Cuando se cierra el interruptor S1 en t = 0, la corriente de

carga i, que fluye a travs del capacitor se puede determinar
a partir de:
VS = VR + VC = VR +

1
C

(i dt) + VC /(t=0 )

VR = R i

(6)

Con la condicin inicial de VC (t = 0) = 0, la solucin de

la ecuacin (5) se obtiene:

Figura 2. Circuito del diodo con carga RL

Cuando el interruptor S1 se cierra en t = 0, la corriente i

a travs del inductor aumenta y se expresa como:
VS = VL + VR = L

(5)

di
+ VR
dt

VS
et/RC
R
El voltaje del capacitor VC es:
i(t) =

(1)

Con la condicin inicial i(t = 0) = 0, la solucin de la

ecuacin (1) se obtiene:
Vs
i(t) =
etR/L
(2)
L
La velocidad inicial de elevacin de la corriente, en t = 0
se obtiene:

VC (t) =

1
C

(7)

idt = V s(1et/RC ) = V s(1et/T ) (8)

donde R C = es la constante de tiempo de una carga

RC.
La velocidad de cambio en el voltaje del capacitor es:
dvC
Vs
=
et/RC
dt
RC

(9)

VI. DESARROLLO

y la velocidad de cambio inicial del voltaje del capacitor

cuando t = 0, se obtiene a partir de la ecuacin (9):
Vs
dvC
/(t = 0) =
dt
RC

VI-A. Diodo con carga RL

(10)

IV-C. Carga RLC

En la Figura 4 se puede observar el esquema del circuito:

di
V s = VL + VR = L dt
+ R1
0,8H
T = 600
T = 1, 3e3




600t
0,8H
i(t) = VRs 1 etR /L = 120
1

e
600


600t
0,8H
0, 2 1 e
di
dt

= VLs = 120
0,8 = 150
di
VL (t) = L dt = VS etR /L = 120e600t/0,8H

IAk
VAk

Figura 4. Circuito del diodo con carga RLC

Scope

a
k

Diode

Si el interruptor S1 se cierra en t = 0 podemos utilizar la

ley de las tensiones de Kirchoff para describir la ecuacin de
la corriente de carga i como:

di
1
VS = L + R i +
i dt + V c/(t=0)
(11)
dt
C
con condiciones iniciales i(t = 0) = 0 y VC (t = 0) = V0 .
Al diferenciar la ecuacin (11) y diferenciar ambos miembros
entre L, obtenemos

XY Graph

+ i
-

Icarga

DC Voltage

Carga RL
+
- v

Vcarga

Continuous
powergui

Figura 5. Esquema del circuito.

i
d2 i R di
+
+
=0
(12)
d2 t
L dt LC
Bajo condiciones de rgimen permanente, el capacitor est
cargado al voltaje de fuente VS , siendo corriente de rgimen
permanente cero. Tambin en la ecuacin (12) es cero la componente forzada de la ecuacin de la corriente. La corriente
se debe a la componente natural.
El factor de amortiguamiento es:
R
2L
La frecuencia de resonancia es:
=

IAk
0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

(13)

VAk
0.8002

0.8002

0.8001

1
w0 =
(14)
LC
La solucin en funcin de la corriente tiene tres casos
posibles:
Circuito crticamente amortiguado: Se da para = w0
Circuito sobreamortiguado: Se da para > w0 .
Circuito subamortiguado: Se da para < w0 .

0.8001

0.8
Icarga
0.2

0.15

0.1

0.05

V. EQUIPOS UTILIZADOS
Sonda de diferencial voltaje
Sonda de corriente
Osciloscopio
Computadora personal
Cables
Banco de resistencias, inductancias y capacitancias
Banco de diodos
Fuente de corriente alterna

Vcarga
119.2

119.1999

119.1999

119.1999

119.1998

119.1997

0.001

0.002

0.003

0.004

Time offset: 0

Figura 6. Simulaciones del circuito

0.005

0.006

0.007

0.008

0.009

0.01

V c(t) = V s(1 et/T ) = 120(1 et/5280 )

dV c
V s t/Rc dV c
Vs
120
dt = Rc e
dtt=0 = Rc = 5280 = 0, 022V

IAk
VAk

VAk

Scope
Icarga
m
a

XY Graph

Vcarga

+ i
-

Diode

Icarga
DC Voltage

+
- v

Carga RC

Vcarga

Continuous
powergui

Figura 9. Esquema del circuito.

Figura 7. Medicin corriente y voltaje en la carga

IAk
0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
VAk
1.0005

1.0004

1.0003

1.0002

1.0001

1
Icarga
0.2

0.15

0.1

0.05

Figura 8. Curva caracterstica del diodo

Vcarga
119
118.9999

VI-B. Diodo con carga RC

V s = VR + Vc = VR + c idt + Vc (t=0)
VR = Ri
i(t) = VRs et/Rc
T = Rc = 600(8, 8) = 5280
Voltaje del capacitor
V c(t) = 1c idt = V s(1 et/Rc)

118.9998
118.9997
118.9996
118.9995
118.9994

0.001

0.002

0.003

0.004

Time offset: 0

Figura 10. Simulaciones del circuito

0.005

0.006

0.007

0.008

0.009

0.01

i(t) = et (A2Senr t)
di
t
(A2Senr t + A2Cosr t)
dt = e
di

t
=
0

r A2
dt
di
VL = L dt
V sV c(0)
VL
di
dt = L =
L
V sV c(0)
di
dt t = 0 r A2 =
L
120
A2 = VrsL = 37,590,8
= 3, 99A
i(t) = A2 Sen (r t) e A
i(t) = 3, 99 Sen (37, 59t) e375t A
V sV c(0)
di
dtt=0 =
L
di
120
dtt=0 = 0,8 = 125A/Seg. = 0, 00125A/useg .
Sen(37, 59t)
37, 59t =
t = 0, 083mseg .
di
dt = 0
r tet A2
Senr t
Cosr t = et A2
arctan( r )
arctan( 37,59
375 )
t=
=
= 0, 15mseg.
r
37,59
i(t)0, 15m
=
0,
075
seg.

V c = 1c i(t)dt + V c(0)
0,075
dv
1
dtmax = c i(t) = 600(106 )
dv
dtmax = 0, 125V /useg.

Figura 11. Medicin corriente y voltaje en la carga

IAk
VAk

VAk

Scope
Icarga
m
a

XY Graph

k
+ i
-

Diode

Figura 12. Curva caracterstica del diodo

Icarga
DC Voltage
Carga RLC

+
- v

Vcarga

VI-C. Diodo con carga RLC

600
R
= 2L
= 20,8
= 375, 88rad/seg
1
0 = LC = 1
= 376, 88rad/seg.

Continuous
powergui

0,8(8,8uf )

> p
0 Sobreamortiguado
p
r = 02 2 = 376, 882 3752 = 37, 59rad/seg.
i(t) = et (A1Cosr t + A2Senr t)
i(t) t = 0 0 = A1

Figura 13. Esquema del circuito.

Vcarga

IAk
0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
VAk
1.0002

1.0002

1.0001

1.0001

1
Icarga
0.2

0.15

0.1

0.05

0
Vcarga
119

118.9999

118.9999

118.9999

118.9998

118.9997

0.001

0.002

0.003

0.004

0.005

0.006

0.007

0.008

0.009

0.01

Time offset: 0

Figura 14. Simulaciones del circuito

Figura 15. Medicin corriente y voltaje en la carga

Figura 16. Curva caracterstica del diodo

VII. CONCLUSIONES
El diodo es un semiconductor muy utilizado dentro de la
industria debido a sus caractersticas unidireccionales, con
la culminacin de la presente prctica se puedo observar
las caractersticas de este, y tambin se observo el rgimen
transitorio dependiendo de la carga que se le coloque en este
caso colocamos carga RL, RC, RLC, en cada una se tiene un

comportamiento diferente. La corriente en los circuitos que

tienen condensador la corriente tiene un valor de cero porque
el condensador se carga y llega a este estado y permanece en
el mismo.
REFERENCIAS
[1] Muhammad H.Rashid,Electronica de Potencia, Tercera
Edicion

informe incompleto, falta simulaciones, clculos y

simulaciones
B IOGRAFAS

JAIME FERNANDO USIA LLIVISACA

Naci en Cuenca - Ecuador, en 1991. Recibi el Ttulo de Bachiller
Tcnico Industrial en la especializacin de Mecatrnica en el Colegio
Tcnico Salesiano en el 2009. Actualmente realiza sus estudios de Ingeniera
Electrnica en la Universidad Politcnica Salesiana.

JONATHAN RODRIGO MACAS SANDOVAL

Naci en Machala - El Oro - Ecuador, el 4de enero de 1989, recibi el
Ttulo de Bachiller en el Instituto Tecnolgico ElOro, de la ciudad de Machala
, actualmente Estudiante de Ingeniera Elctrica en la Universidad Politcnica
Salesiana de la ciudad de Cuenca.