Analyse de Circuits A Semi Conducteurs

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ROYAUME DU MAROC
OFPPT
Office de la Formation Professionnelle et de la Promotion du Travail

DIRECTION RECHERCHE ET INGENIERIE DE FORMATION
RESUME THEORIQUE
&
GUIDE DE TRAVAUX PRATIQUES
MODULE N:10 ANALYSE DE CIRCUITS A
SEMI-CONDUCTEURS
SECTEUR :
ELECTROTECHNIQUE
SPECIALITE : LECTROMECANIQUE DES

SYSTEMES AUTOMATISES
NIVEAU : TECHNICIEN SPECIALISE
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1
Rsum Thorique et
Guide de travaux pratiques
MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS
Document labor par :

Nom et prnom
SKLINIARZ BRONISLAV
EFP
CDC Electrotechnique
DR
DRGC
Rvision linguistique
Validation
-
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Rsum Thorique et
SOMMAIRE
1.
NOTIONS SUR SEMICONDUCTEURS ....................................................................... 13

1.1
Introduction.............................................................................................................. 13
1.2
Description: semiconducteur intrinsque................................................................. 13
1.3
Description: semiconducteur extrinsque de type n ................................................ 14
1.4
Description: semiconducteur extrinsque de type p ................................................ 15
1.5
Commentaire............................................................................................................ 16
2. DIODE P-N...................................................................................................................... 16
2.1
Principe de fonctionnement ..................................................................................... 17
2.1.1.
Jonction. ........................................................................................................... 17
2.1.2.
quilibre sans gnrateur................................................................................. 17
2.1.3.
Avec un gnrateur en sens direct. .................................................................. 18
2.1.4.
Avec un gnrateur en sens inverse. ................................................................ 18
2.2
Caractristiques lectriques ..................................................................................... 19
2.2.1.
Caractristique courant/tension........................................................................ 19
2.2.2.
Rsistance diffrentielle (ou dynamique). ....................................................... 22
2.2.3.
Schma quivalent. .......................................................................................... 22
2.3
Utilisation................................................................................................................. 23
2.3.1.
Paramtres essentiels des diodes...................................................................... 23
2.3.2.
Diodes de redressement. .................................................................................. 24
2.3.3.
Redressement simple alternance. ..................................................................... 24
2.3.4.
Redressement double alternance...................................................................... 25
2.3.5.
Redressement avec filtrage. ............................................................................. 28
2.3.6.
Alimentations doubles symtriques. ................................................................ 31
2.3.7.
Doubleur de tension. ........................................................................................ 31
2.3.8.
Diodes de redressement rapides....................................................................... 32
2.3.9.
Diodes de signal............................................................................................... 33
2.3.10. Thermomtres. Compensation thermique........................................................ 34
2.3.11. Diodes ZENER. ............................................................................................... 35
2.3.12. Diodes lectroluminescantes............................................................................ 37
2.3.13. Diodes avalanche controle........................................................................... 38
2.3.14. Mise en srie de diodes. ................................................................................... 38
2.3.15. Autres............................................................................................................... 39
3. TRANSISTOR BIPOLAIRE ........................................................................................... 40
3.1
Principe .................................................................................................................... 41
3.2
Transistor NPN ........................................................................................................ 44
3.3
Transistor PNP ......................................................................................................... 44
3.4
Caractristiques lectriques ..................................................................................... 44
3.4.1.
Configurations de base..................................................................................... 45
3.4.2.
Schma de mesure des caractristiques. .......................................................... 45
3.4.3.
Caractristique d'entre.................................................................................... 45
3.4.4.
Caractristique de transfert. ............................................................................. 46
3.4.5.
Caractristique de sortie................................................................................... 46
3.4.6.
Limites d'utilisation.......................................................................................... 47
En bref.............................................................................................................................. 48
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Rsum Thorique et
3.5
Paramtres essentiels des transistors........................................................................ 48
3.6
Montages de base..................................................................................................... 48
3.6.1.
Mise en uvre du transistor............................................................................. 48
3.6.2.
Montage metteur commun. ............................................................................ 52
3.6.3.
MONTAGE COLLECTEUR COMMUN. ...................................................... 61
3.6.5.
Montage base commune. ................................................................................. 66
4. TRANSISTOR FET JONCTION ................................................................................ 70
4.1
Introduction.............................................................................................................. 70
4.2
Principe de fonctionnement ..................................................................................... 70
4.2.1.
Constitution d'un FET...................................................................................... 70
4.2.2.
Phnomne de pincement. ............................................................................... 71
4.2.3.
Caractristiques................................................................................................ 72
4.3
Schmas quivalents ................................................................................................ 75
4.3.1.
Symboles des FETs.......................................................................................... 75
4.3.2.
Schma quivalent en petits signaux. .............................................................. 75
4.4
Montage source commune ....................................................................................... 76
4.4.1.
Polarisation. ..................................................................................................... 76
4.4.2.
Fonctionnement en petits signaux.................................................................... 77
4.4.3.
Gain en tension. ............................................................................................... 78
4.4.4.
Impdance d'entre. ......................................................................................... 78
4.4.5.
Impdance de sortie. ........................................................................................ 78
4.5
Utilisation en rsistance commande....................................................................... 78
4.6
Source de courant..................................................................................................... 79
4.7
Domaine dutilisation............................................................................................... 80
5. TRANSISTOR MOS FET ............................................................................................... 80
5.1
Le MOSFET canal induit ...................................................................................... 80
5.2
Le MOSFET canal initial (implant) .................................................................... 82
5.2.1.
Description du principe de fonctionnement..................................................... 82
5.2.2.
Caractristiques................................................................................................ 83
5.3
Utilisation des MOSFETs ........................................................................................ 83
5.3.1.
MOSFET de puissance. ................................................................................... 83
5.3.2.
Intgration dans les composants numriques................................................... 83
6. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL .......................................................................... 84
6.1
L'amplificateur oprationnel parfait......................................................................... 84
6.1.1.
Principe ............................................................................................................ 84
6.1.2.
Caractristiques de base................................................................................... 85
6.1.3.
Fonctionnement dun systme boucl.............................................................. 86
6.2
Montages de base amplificateur oprationnel....................................................... 88
6.2.1
Amplificateur inverseur ................................................................................... 89
6.2.2
Amplificateur non inverseur. ........................................................................... 90
6.2.3
Montage suiveur............................................................................................... 91
6.2.3
Additionneur inverseur. ................................................................................... 92
6.2.4
Montage soustracteur (diffrentiel).................................................................. 93
6.2.5
Montage intgrateur. ........................................................................................ 94
6.2.6
Montage drivateur. ......................................................................................... 95
6.2.8
Montage logarithmique.................................................................................... 96
6.2.8
Montage exponentiel........................................................................................ 96
6.2.9
Filtres actifs...................................................................................................... 97
6.2.10
Montages non linaires .................................................................................... 99
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Rsum Thorique et
6.2.11 Amplificateur oprationnel rel ..................................................................... 105

6.2.12 Impact sur les montages de base.................................................................... 115
6.3
Rponse en frquence dun amplificateur oprationnel - stabilit......................... 118
6.3.1
Stabilit dun systme boucl ........................................................................ 118
6.3.1
Oscillateurs .................................................................................................... 121
Oscillateur pont de wien. ............................................................................... 121
7
REGULATION DE TENSION ..................................................................................... 124
7.1
Principe .................................................................................................................. 124
7.2
Rgulateur de tension FIDE................................................................................... 124
7.3
Rgulateur de tension variable............................................................................... 127
7.3.1
Rgulateur monolithique LM317T ............................................................. 127
7.3.2
Rgulateur intgr 723 .................................................................................. 128
8
THYRISTORS (SCRs)................................................................................................. 129
8.1
Principe - Analogie 2 transistors de la structure PNPN .............................. 129
8.2
Amorage du SCR ............................................................................................. 130
8.2.1
Amorage par courant de gchette................................................................. 131
8.2.2
Mthodes damorage.................................................................................... 131
8.2.3
Rle de la rsistance gchette-cathode .......................................................... 132
8.2.4
Amorage par tension davalanche................................................................ 132
8.2.5
Amorage par augmentation de tension du / dt ............................................. 132
8.2.6
Amorage par temprature............................................................................. 132
8.2.7
Amorage par nergie lumineuse................................................................... 133
8.3
Blocage du SCR................................................................................................. 133
8.4
Courbe caractristique IA-UA et symbole du SCR ............................................. 133
8.5
Vrification dun SCR lOhmmtre ................................................................ 135
9
LE TRIAC.................................................................................................................. 136
9.1
Symbole, structure et courbe caractristique I-U................................................... 136
9.2
Les modes damorage .......................................................................................... 136
9.3
Lamorcage des TRIACs avec un DIAC ............................................................... 136
9.4
La famille des thyristors......................................................................................... 137
9.4.1
Les thyristors de puissance ............................................................................ 137
9.4.2
Les thyristors damorage et de faible puissance .......................................... 138
10
OPTO ElECTRONIQUE ........................................................................................... 139
10.1 La Lumire............................................................................................................. 139
10.2 Le Laser ................................................................................................................. 140
10.3 Les Photorsistances .............................................................................................. 140
10.4 Les Cellules Solaires ou Photopiles....................................................................... 140
10.5 La LED (ou DEL en franais)................................................................................ 140
10.6 Les Afficheurs........................................................................................................ 141
10.6.1 AFFICHEUR 7 SEGMENTS ...................................................................... 141
10.6.2 AFFICHEUR A CRISTAUX LIQUIDES (LCD) ................................... 143
10.7 La Photodiode ........................................................................................................ 145
10.8 Le Phototransistor .................................................................................................. 146
10.9 Les Optocoupleurs ................................................................................................. 146
10.10
Les Capteurs Reflexion ................................................................................... 146
10.11
Les Fourches Optiques....................................................................................... 147
10.12
La Fibre Optique ................................................................................................ 147
10.13
Autres composants ............................................................................................. 147
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Rsum Thorique et
1.
TP N1 Introduction aux composants lectroniques et la mesure .............................. 150

1.1. Les Composants ..................................................................................................... 150
1.1.1.
Rsistances......................................................................................................... 150
1.1.2.
Condensateurs .................................................................................................... 151
1.1.3.
Plaquette dexprimentation .............................................................................. 151
1.2. Les instruments de mesure..................................................................................... 152
1.2.1.
Voltmtre ........................................................................................................... 152
1.2.2.
Ampremtre...................................................................................................... 152
1.2.3.
Ohmmtre .......................................................................................................... 152
1.3.
Les mesures............................................................................................................ 153
1.4.
Loscilloscope ........................................................................................................ 153
1.5.
Travail effectuer .................................................................................................. 154
1.5.1. Loscilloscope ................................................................................................. 154
1.5.2. Oscilloscope avec 2 signaux ........................................................................ 155
2. TP N2 Thormes fondamentaux/Circuits RC............................................................ 157
2.1. Thormes fondamentaux...................................................................................... 157
2.2 Gnrateur de Thvenin .................................................................................... 157
2.3 Circuit en rgime transitoire............................................................................. 158
3
TP N3 Diode P-N ........................................................................................................ 159
3.1
Prparation ............................................................................................................. 159
3.2
Manipulation .......................................................................................................... 160
3.2.1
Vrification d'une diode: ............................................................................... 160
3.2.1.1
l'aide d'un multimtre: ........................................................................... 160
3.2.1.2 l'aide d'un oscilloscope (rgime dynamique)................................................ 161
3.2.2
Applications ....................................................................................................... 162
3.2.2.1
Circuit redresseur simple alternance....................................................... 162
3.2.2.2 Circuits redresseurs double alternance............................................................... 163
3.2.2.2.1 Circuit prise mdiane .................................................................................. 163
3.2.2.2.2
Circuit pont de Gretz................................................................................... 163
3.2.2.2.3 Circuit pont de Gretz avec filtrage .............................................................. 164
4
TP N 4 Diode Zner ..................................................................................................... 165
4.1
Mode direct ............................................................................................................ 165
4.2
Mode inverse.......................................................................................................... 165
4.3
Applications ........................................................................................................... 165
4.3.1
Tension constante avec une diode...................................................................... 165
4.3.2
Stabilisation avec deux diodes ........................................................................... 166
4.3.3
Diode lectroluminescente................................................................................. 166
5
TP N5 Transistor bipolaire .......................................................................................... 167
5.1
Paramtres du transistor......................................................................................... 167
5.2
Mesure du gain en courant..................................................................................... 167
5.3
Polarisation, point de fonctionnement ................................................................... 168
5.3.1
Amplificateur de classe B .................................................................................. 168
5.3.2
Amplificateur en classe AB ............................................................................... 169
5.4
Une application du transistor ................................................................................. 169
6 TP N 6 Amplificateur Oprationnel parfait.................................................................. 171
6.1
Introduction............................................................................................................ 171
6.2
Prparation ............................................................................................................. 171
6.3
Manipulation .......................................................................................................... 171
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Rsum Thorique et
6.3.1
6.3.2
Suiveur ............................................................................................................... 171

Amplificateur non inverseur .............................................................................. 172
6.3.3
Amplificateur inverseur ................................................................................ 172
6.3.4
Comparateur hystrsis ................................................................................... 173
7
TP N 7 .......................................................................................................................... 174
Amplificateur Oprationnel rel ............................................................................................ 174
7.1
Prparation ............................................................................................................. 174
7.2
Tension rsiduelle dentre .................................................................................... 174
7.3
Temps de monte ................................................................................................... 175
8
TP N 8 Gnrateurs de signaux.................................................................................... 176
8.1
Prparation ............................................................................................................. 176
8.1.1
Etudier le montage suivant : .............................................................................. 176
8.1.2
Etudier le montage suivant : .............................................................................. 176
8.2
Mise en cascade ..................................................................................................... 176
8.3
Etages en cascade.................................................................................................. 177
9
TP N 9 Horloges NE 555 ............................................................................................. 178
9.1
Prparation ............................................................................................................. 178
9.2
Fonction Monostable ............................................................................................. 178
9.3
Fonction Astable .................................................................................................... 178
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MODULE : 10
ANALYSE DE CIRCUITS SEMI-CONDUCTEURS

Dure :90 H
56% : thorique
38% : pratique
OBJECTIF OPERATIONNEL DE PREMIER NIVEAU
DE COMPORTEMENT
COMPORTEMENT ATTENDU
Pour dmontrer sa comptence le stagiaire doit
analyser des circuits semi-conducteurs
selon les conditions, les critres et les prcisions qui suivent.
CONDITIONS DEVALUATION
Individuellement.
partir :
- de directives ;
- de fiches techniques de composants lectroniques et
optolectroniques ;
- de schmas de circuits.
laide :
- de circuits de base dalimentation, damplification et doscillation ;
- de composants lectroniques et optolectroniques ;
- doutils et dinstruments de mesure.
CRITERES GENERAUX DE PERFORMANCE
Respect des rgles de sant et de scurit au travail.

Pertinence de lutilisation des outils et des instruments.
Pertinence de la terminologie utilise.
Exactitude de linterprtation des caractristiques des paramtres
des circuits.
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Rsum Thorique et
OBJECTIF OPERATIONNEL DE PREMIER NIVEAU

DE COMPORTEMENT
PRECISIONS SUR LE
COMPORTEMENT ATTENDU
CRITERES PARTICULIERS DE
PERFORMANCE
A. Expliquer les fonctions des diodes,

des transistors et des circuits
intgrs.
- Explication prcise des fonctions.

- Utilisation approprie de la
terminologie.
B. Lire et interprter des circuits de

base :
dalimentation ;
damplification ;
doscillation.
- Identification correcte des composants

et des caractristiques de leurs
paramtres.
- Identification exacte des fonctions des
circuits.
C. Slectionner des composants

lectroniques et optolectroniques.
- Choix appropri des composants.

- Respect des caractristiques.
D. Appliquer les rgles de sant et de

scurit au travail.
- Respect des mesures de protection.

- Respect des mthodes cologiques
pour disposer des produits et des
matriaux polluants.
E. Mesurer et calculer les paramtres

des circuits.
- Exactitude des mesures et des calculs.
F. Diagnostiquer des problmes sur

des circuits.
- Justesse du diagnostic.
- Pertinence des correctifs apporter.
G. Remettre les lieux de travail en

ordre.
- Propret du lieu de travail et

rangement appropri des composants.
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Rsum Thorique et
OBJECTIFS OPERATIONNELS DE SECOND NIVEAU

LE STAGIAIRE DOIT MAITRISER LES SAVOIRS, SAVOIR-FAIRE, SAVOIR-PERCEVOIR OU
SAVOIR-ETRE JUGES PREALABLES AUX APPRENTISSAGES DIRECTEMENT REQUIS POUR
LATTEINTE DE LOBJECTIF DE PREMIER NIVEAU, TELS QUE :
Avant dapprendre expliquer les fonctions des diodes, des transistors et

des circuits intgrs (A):
1. Dcrire les caractristiques de base des matriaux semiconducteurs.
2. Dcrire les caractristiques des transistors bipolaires.
3. Dcrire les caractristiques des transistors effet de champ.
4. Dcrire les caractristiques des circuits intgrs linaires.
5. Dcrire les caractristiques des circuits rgulateurs.
6. Dcrire les caractristiques des amplificateurs.
Avant dapprendre lire et interprter des circuits de base :
dalimentation ;
damplification ;
doscillation (B):
7. Dcrire les fonctions des circuits redresseurs.
8. Dcrire les fonctions des circuits de filtrage.
9. Expliquer le fonctionnement des blocs dalimentation.
10. Expliquer le fonctionnement des circuits damplification.
11. Expliquer le fonctionnement des circuits doscillation.
Avant dapprendre slectionner des composants lectroniques et
optolectroniques (C):
12. Identifier les deux groupes de base de composantes
optolectroniques.
13. Reconnatre la terminologie et les units de mesure se rapportant aux
composantes optolectroniques.
14. Reconnatre les composants lectroniques les plus usuels.
15. Identifier et calculer les principales caractristiques de la lumire.
16. Diffrencier les deux principales techniques de mesure de la lumire.
17. Identifier la fonction de base des composants sensibles la lumire.
18. Identifier le principe de fonctionnement de quatre composants
photosensibles.
19. Dcrire le principe de base du fonctionnement dune diode mettrice
de lumire.
20. Dcrire la construction dune diode mettrice de lumire.
21. Nommer les avantages des diodes mettrices de lumire par rapport
dautres sources de lumire.
22. Dcrire le principe de base du fonctionnement dun afficheur cristal
liquide.
23. Dcrire la construction dun afficheur cristal liquide.
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10
Rsum Thorique et
OBJECTIFS OPERATIONNELS DE SECOND NIVEAU

LE STAGIAIRE DOIT MAITRISER LES SAVOIRS, SAVOIR-FAIRE, SAVOIR-PERCEVOIR OU
SAVOIR-ETRE JUGES PREALABLES AUX APPRENTISSAGES DIRECTEMENT REQUIS POUR
LATTEINTE DE LOBJECTIF DE PREMIER NIVEAU, TELS QUE :
Avant dapprendre appliquer les rgles de sant et de scurit au travail

(D) :
24. Expliquer lutilit des principales rgles de sant et de scurit au
travail.
Avant dapprendre mesurer et calculer les paramtres des circuits (E) :
25. Utiliser les instruments de mesure.
Avant dapprendre diagnostiquer des problmes sur des circuits (F) :
26. Interprter les paramtres dentre et de sortie des diffrents circuits.
27. Vrifier ltat de fonctionnement des composants semi-conducteurs.
Avant dapprendre remettre les lieux de travail en ordre (G) :
28. numrer les oprations dun entretien rgulier et prventif des
instruments de mesure et de lquipement.
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11
Rsum Thorique et
Module 10 : ANALYSE DE CIRCUITS

SEMI-CONDUCTEURS
RESUME THEORIQUE
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
12
Rsum Thorique et
1.
NOTIONS SUR SEMICONDUCTEURS
1.1
Introduction
Cette section, essentiellement descriptive, a pour objet de donner au lecteur des
modles simples de semiconducteurs intrinsques et extrinsques de type n ou de
type p. La connaissance de ces modles permet, par la suite, de rendre compte du
comportement des dispositifs semiconducteurs tels que diode, transistor
bipolaire, transistors effet de champ, etc.
1.2
Description: semiconducteur intrinsque

Un cristal de semiconducteur intrinsque est un solide dont les noyaux atomiques
sont disposs aux noeuds d'un rseau gomtrique rgulier. La cohsion de cet
difice est assure par les liens de valence qui rsultent de la mise en commun de
deux lectrons appartenant chacun deux atomes voisins de la maille cristalline.
Les atomes de semiconducteur sont ttravalents et le cristal peut tre reprsent
par le rseau de la Figure 1- 1:
Figure 1- 1. Semiconducteur intrinsque
Dfinitions
L'lectron qui possde une nergie suffisante peut quitter la liaison de valence
pour devenir un lectron libre. Il laisse derrire lui un trou qui peut tre assimil
une charge libre positive; en effet, l'lectron quittant la liaison de valence
laquelle il appartenait dmasque une charge positive du noyau correspondant. Le
trou peut tre occup par un autre lectron de valence qui laisse, son tour, un
trou derrire lui: tout se passe comme si le trou s'tait dplac, ce qui lui vaut la
qualification de charge libre. La cration d'une paire lectron libre - trou est
appele gnration alors qu'on donne le nom de recombinaison au mcanisme
inverse.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
13
Rsum Thorique et
Assertion
La temprature est une mesure de l'nergie cintique moyenne des lectrons dans
le solide. On comprend ds lors que la concentration des lectrons libres et des
trous dpende trs fortement de la temprature.
Exemples
Le silicium a un nombre volumique d'atomes de 5 1022 par cm3. A 300K (27 C),
le nombre volumique des lectrons libres et des trous est de 1,5 1010 cm-3, soit une
paire lectron libre - trou pour 3,3 1012 atomes.
Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4 1022 par cm3. A
300K, le nombre volumique des lectrons libres et des trous est 2,5 1013 cm-3, soit
une paire lectron libre - trou pour 1,8 109 atomes.
1.3
Description: semiconducteur extrinsque de type n

Un semiconducteur dans lequel on aurait substitu quelques atomes ttravalents
des atomes pentavalents est dit extrinsque de type n (Fig. 2)
Figure 1- 2. Semiconducteur de type n

Quatre lectrons de la couche priphrique de l'atome pentavalent prennent part
aux liens de valence alors que le cinquime, sans attache, est libre de se mouvoir
dans le cristal. L'lectron libre ainsi cr neutralise la charge positive, solidaire du
rseau cristallin, qu'est l'atome pentavalent ionis.
Dfinitions
Le dopage est l'action qui consiste rendre un semiconducteur extrinsque. Par
extension, ce terme qualifie galement l'existence d'une concentration d'atomes
trangers: on parle de dopage de type n. On donne le nom d'impurets aux atomes
trangers introduits dans la maille cristalline. Dans le cas d'un semiconducteur
extrinsque de type n, les impurets sont appeles donneurs car chacune d'entre
elles donne un lectron libre.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
14
Rsum Thorique et
Modle
Les dopages courants sont d'environ 1016 1018 atomes par cm3. On peut admettre
que le nombre volumique des lectrons libres est gal au nombre volumique des
impurets et que le nombre volumique des trous (charges libres positives) est
ngligeable. Etant donnes ces considrations, on tablit le modle de
semiconducteur reprsent la Figure 1- 3 dans lequel n'apparaissent que les
charges essentielles, savoir: les lectrons libres et les donneurs ioniss. Les
charges fixes sont entoures d'un cercle.
Figure 1- 3. Semiconducteur de type n (modle)
1.4
Description: semiconducteur extrinsque de type p

Si l'on introduit des atomes trivalents dans le rseau cristallin du semiconducteur,
les trois lectrons de la couche priphrique de l'impuret prennent part aux liens
de valence, laissant une place libre. Ce trou peut tre occup par un lectron d'un
autre lien de valence qui laisse, son tour, un trou derrire lui. L'atome trivalent
est alors ionis et sa charge ngative est neutralise par le trou (voir fig 1- 4). Le
semiconducteur est alors extrinsque de type p.
Figure 1- 4. Semiconducteur de type p
Dfinition
Les impurets, dans un semiconducteur extrinsque de type p. sont appeles
accepteurs au vu de leur proprit d'accepter un lectron situ dans un lien de
valence.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
15
Rsum Thorique et
Modle
On peut faire les mmes considrations qu'au paragraphe 1.8 concernant le
nombre volumique des trous: il est approximativement gale au nombre
volumique des impurets. Le nombre volumique des lectrons libres est alors
considr comme ngligeable. Il s'ensuit un modle, reprsent la Figure 1- 5,
dans lequel n'apparaissent que les charges prpondrantes: les trous et les
accepteurs ioniss.
Figure 1- 5. Semiconducteur de type p (modle)
1.5
Commentaire
Il faut remarquer que le semiconducteur extrinsque, type p ou type n, est
globalement neutre. On peut le comparer un rseau gomtrique dont certains
noeuds sont chargs et dans lequel stagne un gaz de charges mobiles qui neutralise
les charges fixes du rseau. On largit, par la suite, la notion de semiconducteur de
type n un semiconducteur dont le nombre volumique des donneurs l'emporte sur
celui des accepteurs et celle de semiconducteur de type p un semiconducteur
dans lequel le nombre volumique des accepteurs est prpondrant.
2.
DIODE P-N
La diode est le semi-conducteur de base: on ne peut pas combiner du silicium
dop plus simplement.
Son fonctionnement macroscopique est assimilable celui d'un interrupteur
command qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Cette proprit lui ouvre un champ d'applications assez vaste en lectronique.
C'est la diode qui va permettre de redresser le courant alternatif issu du secteur et
autoriser la fabrication d'alimentations stabilises qui sont obligatoires dans la
plupart des montages lectroniques. On conoit donc que si ce composant est
basique, ainsi que son fonctionnement, il n'en n'est pas moins fondamental !
Dans la catgorie des diodes, on trouve aussi des diodes de rgulation, dites
diodes zner, qui ont un comportement de source de tension. Cette proprit va
permettre d'laborer autour de ce composant simple toute une srie de montages
dlivrant une ou plusieurs tensions continues.
La fonction diode a exist bien avant l'arrive du silicium : on utilisait alors des
diodes vide (les lampes ) dont le fonctionnement tait bas sur l'effet
thermolectronique. Le silicium a apport les avantages suivants : cot, fiabilit,
encombrement, simplicit d'utilisation.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
16
Rsum Thorique et
2.1
Principe de fonctionnement
2.1.1.
Jonction.
Figure 2- 1. Modle de la jonction p-n

Si on dope une partie d'un semi conducteur intrinsque avec des atomes 5
lectrons priphriques (le semi conducteur devient extrinsque de type N) et
l'autre avec des atomes 3 lectrons priphriques (extrinsque de type P), on cre
une jonction, qui est la limite de sparation entre les deux parties.
Nous avons fabriqu une diode jonction.
2.1.2.
quilibre sans gnrateur.
Figure 2- 2. Equilibre au niveau de la jonction.

Au voisinage de la jonction , les trous de la zone P vont neutraliser les lectrons
libres de la zone N (il y a diffusion des charges). Ce phnomne va s'arrter quand
le champ lectrique Eint cr par les atomes donneurs ou accepteurs (qui vont
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
17
Rsum Thorique et
devenir respectivement des charges + et -) va tre suffisant pour contrarier le

mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une barrire de potentiel pour les
porteurs majoritaires. Par contre, cette barrire de potentiel va favoriser le passage
des porteurs minoritaires (conduction lectrique).
Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des
minoritaires) s'quilibrent et leur somme est nulle en rgime permanent et en
l'absence de champ lectrique extrieur.
2.1.3.
Avec un gnrateur en sens direct.
Figure 2- 3. Polarisation de la jonction en sens direct

La barrire de potentiel interne empche donc toute circulation de courant. Si on
applique un champ externe l'aide d'un gnrateur en branchant le ple + sur la
zone P et le ple - sur la zone N, on peut annuler les effets du champ interne et
permettre au courant de circuler : le phnomne d'attraction des lectrons libres de
la partie N par les trous de la partie P (diffusion) n'est plus contrari, et le
gnrateur va pouvoir injecter des lectrons dans la zone N et les repomper par la
zone P.
Le courant de conduction constitu par les porteurs minoritaires prend une valeur
If indpendante du champ extrieur.
Le courant total est la somme des deux courants, soit pratiquement le courant
direct d aux porteurs majoritaires ds que la tension atteint la centaine de mV.
La diode est alors polarise dans le sens direct, et un courant relativement intense
peut circuler : de quelques dizaines de milliampres pour des diodes de signal
quelques ampres pour des diodes de redressement standard, voire des centaines
d'ampres pour des diodes industrielles de trs forte puissance.
2.1.4.
Avec un gnrateur en sens inverse.

Si on branche le gnrateur dans le sens inverse du cas prcdent, on renforce le
champ lectrique interne, et on empche le passage des porteurs majoritaires : les
lectrons libres sont repousss dans la zone N et les trous dans la zone P ; on
accentue la sparation des charges (zone de dpltion)
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
18
Rsum Thorique et
Figure 2- 4. Polarisation de la jonction en sens inverse

Par contre, les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et lectrons libres pour
la zone P) peuvent traverser la jonction et reboucler par le gnrateur : ils forment
le courant inverse If qui dpend essentiellement de la temprature.
Le champ extrieur repousse les charges qui vont se trouver une distance
sensiblement proportionnelle |V|, crant ainsi une capacit proportionnelle
cette distance, donc |V|.
Cette capacit est inhrente toute jonction de semi conducteurs, et va constituer
la principale limitation (en rgime linaire tout du moins) au fonctionnement
haute frquence des composants lectroniques (diodes, transistors et circuits
intgrs les employant).
2.2
Caractristiques lectriques
2.2.1.
Caractristique courant/tension.
On a vu prcdemment que le courant tait ngligeable pour une tension Vd = VpVn ngative (ceci est vrai jusqu' une tension Vc dite tension de claquage). Au
dessus d'un certain seuil Vo de tension Vd positive, le courant direct croit trs
rapidement avec Vd.
Le seuil Vo (barrire de potentiel) dpend du semi conducteur intrinsque de base
utilis. Il est d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium.
La caractristique a la forme suivante :
Figure 2- 5. Caractristique complte.
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19
Rsum Thorique et
Figure 2- 6 Caractristique directe d'une diode.

Sur ce type de diode au silicium, le courant croit assez rapidement au del de
0,7V. C'est une diode de redressement supportant 1A en direct et 600V en tension
inverse.
La caractristique passe par l'origine. Pour Vd ngatif, le courant tend rapidement
vers la limite -If (courant de fuite) , car le courant de diffusion d aux porteurs
majoritaires va s'annuler.
Caractristique inverse (Vd < 0).
- phnomne de claquage.Quand la tension applique dpasse la valeur spcifie
par le fabricant, le courant dcrot (attention : il est dj ngatif !) trs rapidement.
S'il n'est pas limit par des lments externes, il y a destruction rapide de la diode.
Deux phnomnes sont l'origine de ce rsultat :
- phnomne d'avalanche : quand le champ lectrique au niveau de la jonction
devient trop intense, les lectrons acclrs peuvent ioniser les atomes par chocs,
ce qui libre d'autres lectrons qui sont leur tour acclrs Il y a divergence du
phnomne, et le courant devient important.
- phnomne Zener : les lectrons sont arrachs aux atomes directement par le
champ lectrique dans la zone de transition et crent un courant qui devient vite
intense quand la tension Vd atteint une valeur Vz dite tension Zner.
Si on construit la diode pour que le phnomne Zner l'emporte sur le phnomne
d'avalanche (en s'arrangeant pour que la zone de transition soit troite), on obtient
une diode Zner.
On utilise alors cette diode en polarisation inverse. L'effet zner n'est pas
destructif dans ce cas. Ces diodes sont trs utilises pour la rgulation de tension.
quation.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
20
Rsum Thorique et
Figure 2- 7. Linarit de Log (I) en fonction de V.

La courbe Fig.2- 7. ( l'exception de la zone de claquage) rpond assez bien la
formule suivante, explique par la thermodynamique statistique :
o :
- If est le courant de fuite
- q la charge de l'lectron = 1,6E-19C
- k constante de Boltzman = 1,38E-23 J/K
- T temprature absolue
La loi logarithmique [1] est bien illustre par les figures 2- 5 et 2- 6. La courbe
exprimentale s'loigne toutefois de la thorie aux forts courants, o le modle n'a
pas tenu compte d'autres phnomnes dont les chutes de tension ohmiques dans le
semi conducteur.
A noter que sur la Figure 2- 7 4, le courant maxi reprsent est gal au 1/10me
admissible par cette diode.
Effet de la temprature.
Pour Vd positif, la diode a un coefficient de temprature ngatif gal -2mV/K.
Cette drive en temprature est suffisament stable pour qu'on puisse utiliser des
diodes comme thermomtres.
Pour Vd ngatif, le courant de fuite If varie trs rapidement avec la temprature. Il
est plus important pour le germanium que pour le silicium, et crot plus vite, ce qui
devient rapidement gnant. Dans le silicium, ce courant double tous les 6C.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
21
Rsum Thorique et
2.2.2.
Rsistance diffrentielle (ou dynamique).
Figure 2- 8. Rsistance dynamique.

La rsistance dynamique tant l'inverse de la pente de la caractristique en un
point donn, on peut la dduire par drivation de la formule [1] :
C'est la rsistance dynamique au point de fonctionnement (Vd , Id). Elle est
fonction du courant de polarisation Id au point tudi.
La Figure 2- 8 donne la valeur de rd en fonction de la tension de la diode : les
variations sont trs importantes.
2.2.3.
Schma quivalent.
La reprsentation de la diode par sa loi logarithmique est un peu complexe pour
l'emploi de tous les jours. Plusieurs schmas quivalents simplifis sont proposs :
Diode idale.
Dans ce cas, on nglige la tension de seuil et la rsistance interne de la diode. La
caractristique est alors celle de la Figure 2- 9.
Ce schma est utile pour des pr calculs, surtout si les diodes sont employes dans
des circuits o les tensions sont leves (plusieurs dizaines de volts) : la tension de
coude est alors ngligeable.
Figure 2- 9. Caractristique idale dune diode .
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
22
Rsum Thorique et
Diode avec seuil.

On peut continuer ngliger la rsistance interne, mais tenir compte du seuil de la
diode. La caractristique devient :
Figure 2- 10. Caractristique dune diode avec seuil.

Ce schma est le plus utilis pour les calculs.
Diode avec seuil et rsistance.
Ici, on prend en compte la rsistance de la diode. Ceci peut tre utile si on utilise la
diode en petits signaux alternatifs et qu'on a besoin de sa rsistance dynamique.
Figure 2- 11. Caractristique dune diode avec seuil et rsistance.

Attention : dans ce cas, on considre que la rsistance dynamique est constante,
ce qui n'est vrai que si la variation du signal alternatif est trs petite autour du
point de polarisation en continu.
2.3
Utilisation
Il existe divers types de diodes correspondant des technologies diffrentes.
Chaque technologie prsente le meilleur compromis pour une utilisation donne.
Nous allons balayer les applications des diodes en les classifiant par groupe
technologique.
2.3.1.
Paramtres essentiels des diodes.

En fonction de l'application considre, on s'intressera certains paramtres des
diodes plutt qu' d'autres. Certains paramtres ne sont pas spcifis pour tous les
types de diodes, sauf les suivants qui sont incontournables :
VF : tension de conduction de la diode spcifie un courant direct donn.
IF : courant direct permanent admissible par la diode la temprature maximale de
fonctionnement.
IFSM : courant temporaire de surcharge (rgime impulsionnel). En gnral, pour un
courant de surcharge donn, le constructeur spcifie l'amplitude des impulsions,
leur dure, le rapport cyclique, et dans certains cas, le nombre maxi d'impulsions
qu'on peut appliquer.
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23
Rsum Thorique et
VR : c'est la tension inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche).

IR : c'est le courant inverse de la diode. Il est spcifi une tension inverse
donne, et pour plusieurs tempratures (gnralement 25C et Tmax). Ce courant
n'est pas seulement celui d aux porteurs minoritaires. Il provient aussi des
courants parasites la surface de la puce (le silicium est passiv par oxydation, et
il peut subsister des impurets qui vont permettre le passage de faibles courants).
Le boitier d'encapsulation de la puce de silicium est aussi source de fuites.
Ces symboles sont ceux gnralement employs par les diffrents constructeurs,
mais il peut y avoir des variantes, et il est toujours sage de se reporter la
documentation du constructeur pour savoir comment sont spcifis les paramtres,
et quoi ils correspondent exactement.
2.3.2.
Diodes de redressement.
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension
alternative du secteur pour faire des gnrateurs de tension continue destins
alimenter les montages lectroniques (entre autres).
Il y a deux types principaux de diodes de redressement : les diodes standard pour
le redressement secteur classique, et les diodes rapides pour les alimentations
dcoupage. Nous tudierons ces dernires ultrieurement.
Caractristiques physiques.
Les diodes de redressement standard sont les moins sophistiques, et ne font
l'objet d'aucun traitement particulier, les conditions d'utilisations tant peu
contraignantes.
Elles ont des tensions VR comprises entre 50 et 1000V environ, et les courants IF
vont de 1A plusieurs centaines d'ampres.
Avant le systme de redressement, on a presque toujours un transformateur qui
sert abaisser la tension secteur (les montages lectroniques fonctionnent souvent
sous des tensions de polarisation allant de quelques volts quelques dizaines de
volts), et qui sert aussi isoler les montages du secteur (220V, a peut faire trs
mal !).
2.3.3.
Redressement simple alternance.

C'est le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du
transformateur Vt dpasse la tension de seuil de la diode, celle-ci conduit, laissant
passer le courant direct dans la charge. La tension aux bornes de la charge Vr est
alors gale la tension aux bornes du transformateur moins la tension directe VF
de la diode.
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24
Rsum Thorique et
Figure 2- 12. Circuit de redressement avec une diode et chronogramme de tensions

Quand la tension aux bornes du transformateur devient infrieure la tension de
seuil, la diode est bloque ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est
ngligeable en comparaison du courant direct.
La tension aux bornes de la diode est alors gale celle aux bornes du
transformateur : il faudra choisir une diode avec une tension VR au minimum
gale la tension crte du secondaire du transformateur.
2.3.4.
Redressement double alternance.

Avec transfo double enroulement.
Figure 2- 13. Circuit de redressement avec transfo double enroulement.

Le montage prcdent prsente l'inconvnient de ne laisser passer que la moiti du
courant que peut dlivrer le transformateur. Pour remdier cel, on utilise un
transformateur avec deux enroulements secondaires que l'on cble de manire ce
qu'ils dlivrent des tensions en opposition de phase sur les diodes.
On notera la chute de tension dans les diodes : elle devient non ngligeable quand
les tensions alternatives sont faibles (4V crte dans l'exemple ci-dessus).
Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques celui de
la Fig.2- 12 qui fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre pour
l'alternance ngative. On vrifie bien (Fig. 2-14 et 2- 15) que le courant dans la
charge est toujours orient dans le mme sens.
Figure 2- 14.. Alternance positive.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
25
Rsum Thorique et
Figure 2- 15. Alternance ngative.

Les diodes sont plus sollicites que pour le montage simple alternance : en effet, la
diode qui ne conduit pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son
secondaire de transformateur, la tension aux bornes de la rsistance. Au total, elle
devra supporter une tension VR double de celle requise dans le montage simple
alternance, soit deux fois la tension crte prsente sur chacun des secondaires.
Avec pont de Grtz.
Figure 2- 16. Redressement avec pont de diodes.

Il existe une autre manire de faire du redressement double alternance, ne
ncessitant pas un transformateur double enroulement : on utilise 4 diodes
montes en pont. Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce,
permettant de rduire le nombre de composants du montage.
Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent,
et quand elle est ngative, D2 et D3 conduisent (Fig.2- 17 et 2- 18).
Figure 2- 17. Alternance positive.
Figure 2- 18. Alternance ngative.

Chaque diode n'a supporter qu'une fois la tension crte du secondaire du
transformateur (contre deux fois pour le montage prcdent), mais en revanche, on
a deux tensions directes de diode en srie. La puissance totale dissipe dans les
diodes est double par rapport la solution prcdente.
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26
Rsum Thorique et
Quelle solution choisir ?

Quand on en aura la possibilit, on prfrera la solution transfo point milieu,
pour plusieurs raisons :
le transfo n'est pas plus cher que celui secondaire simple.
avec un transfo un seul secondaire, on ne peut pas faire d'alimentation double
symtrique en redressement double alternance. Ce type de transfo est moins
universel .
le fait que les diodes aient tenir une tension double n'est pas un problme dans la
plupart des cas, car les tensions redresses sont trs souvent bien infrieures aux
tensions VR minimum des diodes disponibles dans le commerce.
dans le montage en pont, la charge est flottante par rapport au transformateur, ce
qui peut tre gnant dans certains cas.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
27
Rsum Thorique et
2.3.5.
Redressement avec filtrage.

Les montages prcdents dlivrent des tensions redresses mais non continues.
Pour obtenir une tension (quasi) continue, il suffit de mettre un gros condensateur
en parallle avec la charge.
Redressement et filtrage simple alternance.
Ici, la charge est absolument quelconque, et peut tre un montage lectronique
complexe ayant une consommation en courant alatoire.
Figure 2- 19. Redressement simple alternance et filtrage.

Sur le graphique du bas de la Fig. 2- 19, on voit en pointill la tension redresse
telle qu'elle serait sans condensateur. En traits pleins pais, on voit la tension
filtre.
Sur ce graphe, le courant de dcharge du condensateur est linaire : il correspond
l'hypothse de dcharge courant constant.
Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est
suprieure la tension aux bornes du condensateur majore de la tension directe
de la diode, la diode conduit. Le transformateur doit alors fournir le courant qui va
alimenter la charge et le courant de recharge du condensateur.
Quand la tension du transformateur devient infrieure celle du condensateur plus
la tension de seuile de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur /
charge forme alors une boucle isole du transformateur.
Le condensateur se comporte comme un gnrateur de tension, et il restitue
l'nergie accumule dans la phase prcdente.
A noter que la tension aux bornes du condensateur tant en permanence voisine de
la tension crte positive du transformateur, lorsque celui-ci fournit la tension de
crte ngative, la diode doit supporter deux fois la tension crte dlivre par le
transformateur : on perd le seul avantage (hormis la simplicit) du montage
redressement simple alternance.
Calcul du condensateur : dans la littrature, on trouve classiquement le calcul du
condensateur pour une charge rsistive. La dcharge est alors exponentielle et le
calcul inutilement compliqu.
Ce calcul est assez loign des besoins rels : en gnral, on ne fait pas des
alimentations continues pour les faire dbiter dans des rsistances !
Trs souvent, ces alimentations redresses et filtres sont suivies d'un rgulateur
de tension. La charge est frquemment un montage complexe ayant une
consommation variable au cours du temps.
Pour faire le calcul du condensateur, on prendra donc une dcharge courant
constant, le courant servant au calcul tant le maximum (moyenn sur une priode
du secteur) consomm par la charge.
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28
Rsum Thorique et
Le critre de choix ne sera pas un taux d'ondulation qui n'a souvent aucune utilit
pratique, mais une chute de tension maxi autorise sur le condensateur pour que le
montage connect en aval fonctionne correctement.
Avec ces hypothses, le calcul du condensateur devient trs simple : On considre
que le condensateur C se dcharge courant Imax constant pendant un temps T
et que la chute de sa tension est infrieure V.
On a alors la relation :
Le temps T choisi va tre approxim la priode du secteur. En pratique, le
condensateur va se dcharger moins longtemps (Fig.2- 19), on va donc le
surdimensionner lgrement.
L'erreur commise est en fait trs faible compare la dispersion que l'on aura sur
le rsultat de par les tolrances des composants, et notamment des condensateurs
de filtrage : on utilise des condensateurs chimiques qui ont des tolrances trs
larges (-20% / +80% en gnral) et qui n'existent souvent que dans la srie E6 (1 ;
1,5 ; 2,2 ; 3,3 ; 4,7 ; 6,8). Les transformateurs sont eux aussi assez disperss, ce
qui fait qu'au final, mieux vaut prvoir large pour viter les mauvaises surprises !
Pour un redressement simple alternance, on aura un T de 20ms, qui correspond
l'inverse de la frquence secteur 50Hz.
La valeur du condensateur est alors :
Il faudra veiller choisir un condensateur supportant au moins la tension crte du

transformateur vide (la tension sera plus faible en charge du fait des chutes de
tensions diverses (rsistance du transfo, diode ).
Redressement et filtrage double alternance.
Les hypothses seront les mmes que prcdemment. La seule diffrence viendra
du temps T ; vu qu'on a un redressement double alternance, la frquence du
courant redress est double de celle du secteur. La formule de calcul du
condensateur devient donc :
Comme dans la formule [4], F est la frquence secteur (50Hz).

A chute de tension gale, le condensateur sera donc deux fois plus petit que pour
le redressement simple alternance, ce qui est intressant, vu la taille importante de
ces composants.
La diode aura tenir deux fois la tension crte dlivre par chaque enroulement du
transformateur.
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29
Rsum Thorique et
Figure 2- 20. Redressement double alternance et filtrage.

Fonctionnement des diodes et transfos.
On peut remarquer Fig.2- 19 et 2- 20 que les diodes ne conduisent pas pendant
toute l'alternance du secteur, mais seulement pendant un temps trs court vis vis
de cette alternance. L'nergie qui est restitue par le condensateur dans la phase de
roue libre doit tre au pralable stocke pendant ce court temps de conduction des
diodes.
La consquence de ceci, c'est que pour assurer un certain courant moyen dans la
charge, l'ensemble transfo plus diode devra dbiter un courant de crte beaucoup
plus intense que le courant moyen lors des phases de conduction des diodes
(environ 15 fois le courant moyen). Voir chronogramme ci-dessous
Figure 2- 21. Redressement double alternance et filtrage dbit de courant.

La chute de tension dans les diodes sera alors importante (plus prs d'1V que de
0,6V) ainsi que la chute de tension dans les rsistances du transformateur.
Il ne faudra pas perdre ces considrations de vue quand on voudra calculer
l'alimentation au plus juste !
L'autre consquence est le dmarrage de l'alimentation : lorsqu'on branche le
transformateur sur le secteur, on peut se trouver au maximum de tension de
l'alternance secteur. La charge du transformateur, principalement constitue du
condensateur de filtrage, sera l'quivalent d'un court-circuit. Le courant d'appel
sera alors uniquement limit par la rsistance interne du transformateur (quelques
dizimes d'ohms quelques ohms), et il sera trs intense : les diodes devront
supporter ce courant (paramtre IFSM)
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
30
Rsum Thorique et
2.3.6.
Alimentations doubles symtriques.

Si on analyse le fonctionnement du redresseur double alternance transformateur
point milieu, on s'aperoit que chaque secondaire dbite du courant seulement
pendant une alternance. L'autre alternance serait susceptible de fournir un courant
ngatif.
Partant de cette constatation, on peut imaginer facilement une alimentation double
symtrique, avec 4 diodes dispose en pont : deux diodes vont conduire les
alternances positives des secondaires du transformateur, et les deux autres les
alternances ngatives.
Le point milieu du transformateur sera le potentiel commun des deux
alimentations.
Figure 2- 22. Alimentation double positive et ngative.

On peut bien videmment mettre un condensateur aux bornes de chacune des
charges pour filtrer les tensions redresses obtenues.
Ces alimentations sont incontournables dans les montages symtriques o il est
ncessaire d'amplifier des tensions continues, et notamment dans les montages
amplificateurs oprationnels
2.3.7.
Doubleur de tension.
Dans certaines applications, on peut avoir besoin de tensions continues trs
leves (quelques milliers de volts). On pourrait les obtenir avec un transformateur
lvateur et un redressement / filtrage classique.
Il existe une solution moins onreuse faisable avec des diodes et des
condensateurs : c'est le doubleur de tension.
Le montage de la Fig.2- 23. se dcompose en deux : redressement / filtrage par la
cellule D1 / C1, puis dtecteur de crte D2 / C2.
Figure 2- 23. Doubleur de tension de Schenkel.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
31
Rsum Thorique et
Aux bornes du condensateur C1, si la charge est infinie, la tension Vc restera

constante et gale la tension crte du transformateur.
La diode D1 verra ses bornes la tension Vt + Vc, dont la valeur crte est gale
deux fois la tension crte du transformateur. Tout se passe comme si la tension du
transformateur avait t translate d'une fois la valeur de la tension crte.
Il suffit alors de filtrer cette tension sa valeur de crte avec D2 et C2 : on obtient
une tension continue gale deux fois la tension crte du transformateur.
Il est possible de continuer ce raisonnement, et en ajoutant d'autres cellules
semblables celle du doubleur, on peut tripler, quadrupler ou plus les tensions.
Ces montages sont utiliss entre autres pour gnrer les tensions d'acclration des
tubes d'oscilloscopes (2 5 kV). On remarquera qu'ils ne peuvent pas dbiter
beaucoup de courant (les tensions mises en jeu ne permettent pas d'utiliser des
condensateurs de forte valeur), et donc, ils sont plutt destins des applications
quasi statiques.
2.3.8.
Diodes de redressement rapides.

Notions de charge recouvre.
La charge stocke dans la jonction en cours de conduction est d'autant plus
importante que le dopage des couches est important. Sachant que le dopage
detrmine directement la conductivit du cristal, le problme est plus important
pour les diodes de puissance qui ncessitent une conductivit trs leve donc un
dopage importants. A cause de ces charges si on inverse brusquement la polarit
aux bornes de la diode pour la bloquer, la dcharge doit dabord se faire, en
formant un courant intense qui va s'ajouter au courant de fuite Is, jusqu' ce que la
charge stocke disparaisse. La diode ne se donc bloque pas instantanement, ce
courant va dcrotre jusqu' devenir nul pendant un temps tRR appel temps de
recouvrement inverse.
Pour diminer le temps de cette decharge il faut diminuer la charge stocke dans
ces composants. On prevoit les solutions technologiques comme des piges
recombinants, qui sont souvent des atomes d'or. Ils diminuent la dure de vie des
porteurs, ce qui induit une charge stocke plus faible.
Utilisation.
Les diodes de redressemsnt rapides sont utilises en lectronique de puissance
partout o l'on doit commuter trs rapidement des courants importants. Elles sont
le complment indispensable des transistors de puissance rapides.
Des diodes standard sont inutilisables dans ces cas l car elles sont trop lentes.
Lors de la commutation des transistors, elles se comporteraient comme des court
circuits (pendant le temps de recouvrement inverse), ce qui entranerait des
surcourants dans les transistors, et leur destruction plus ou moins rapide.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
32
Rsum Thorique et
2.3.9.
Diodes de signal.
Les diodes prcdemment tudies font intervenir des courants et tensions non
ngligeables. Les diodes de signal sont utilises dans des applications bas
niveaux de courants et tensions.
Carctristiques physiques.
Les diodes de signal n'ont pas besoin de tenir des fortes tensions inverses; par
construction, elles pourront avoir une capacit parasite faible, et donc fonctionner
des frquences leves.
Ces caractristiques sont obtenues grce une surface de jonction rduite et un ble
dopage (diminution des charges stockes).
Dtecteur de crte.
Ce dispositif permet de mmoriser la valeur crte d'un signal. Il est trs utilis en
instrumentation.
C'est en fait un redresseur simple alternance avec filtrage dont la charge est quasi
nulle (aux courants de fuite prs) : la constante de temps de dcharge du
condensateur est thoriquement infinie, (trs grande en pratique).
Il se charge donc la valeur crte (moins la tension de seuil de la diode) et reste
charg cette valeur.
La rsitance R sert limiter le courant de charge du condensateur une valeur
raisonnable pour le gnrateur d'attaque.
Lorsque la tension e est suprieure la tension aux bornes du condensateur U plus
la tension de coude de la diode, celle ci conduit et charge le condensateur travers
la rsistance R.
A noter que tel quel, ce montage est inexploitable pour des petits signaux : la
tension mmorise par la diode et le condensateur est infrieure la valeur crte
du signal d'entre de la tension de seuil de la diode.
Il existe une version amliore avec amplificateur oprationnel qui pallie cet
inconvnient. Il faut aussi adjoindre ce montage un sytme permettant de
dcharger le condensateur pour faire une nouvelle mesure.
Figure 2- 24. Dtecteur de crte.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
33
Rsum Thorique et
Dtection AM.
En radio diffusion, on ne peut pas mettre correctement un signal audible (20Hz20kHz) directement sous forme d'une onde radio-lectrique : il faut passer par un
signal haute frquence (Fig.2- 25.).
Figure 2- 25. Signal HF modul en amplitude.
Figure 2- 26. Dtecteur grandes ondes .

Le signal haute frquence (quelques centaines de kHz), qu'on appelle la porteuse
est modul en amplitude par le signal audio (basse frquence) mettre. A
l'arrive ( le poste transistors !), on doit sparer les deux signaux. On le fait trs
simplement avec une diode et un condensateur (Fig.2-26.).
Figure 2- 27. Signal dmodul.

Sans la rsistance R, on aurait un dtecteur de crte comme prcdemment. On
dtermine cette rsistance de manire ce que la constante de temps RC soit petite
devant la priode de la porteuse, et grande devant la priode du signal mettre :
on arrive ainsi reconstituer le signal basse frquence (BF) : c'est la courbe en
gras de la Fig.2- 27.
2.3.10.
Thermomtres. Compensation thermique.

C'est une utilisation importante des diodes. La tension directe des jonctions PN en
silicium est affecte d'un coefficient de temprature ngatif (environ -2mV/C).
Certains montages transistors ncssitent une drive minimum en temprature.
On peut arriver compenser cette drive l'aide d'une diode couple
thermiquement au transistor et place judicieusement dans son circuit de base
(voir chapitre sur les transistors).
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
34
Rsum Thorique et
Cette drive en temprature peut aussi tre utilise comme thermomtre sur un
montage. Lorsque la diode dtecte des tempratures trop leves, elle peut
commander un circuit qui va (par exemple) couper certaines fonctions du montage
(autoprotection). Cette fonction est trs utilise dans les composants intgrs.
2.3.11.
Diodes ZENER.
Caractristique.
Figure 2- 28. Caractristique d'une diode zner.

Nous avons dj parl de l'effet zner. Il concerne la caractristique inverse de la
diode.
En direct, une diode zner se comporte comme une mauvaise diode normale.
En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zner et / ou d'avalanche se
produise une tension bien dtermine, et ne soit pas destructif. La caractristique
inverse prsente alors l'allure d'un gnrateur de tension faible rsistance interne.
En gnral, les constructeurs spcifient :
- la tension d'avalanche Vzt pour un courant dtermin Izt. (les valeurs de tension
sont normalises).
- ce point de fonctionnement Vzt / Izt, on donne la rsistance dynamique de la
diode rzt.
- le courant Izm pour lequel la puissance dissipe dans le composant sera le
maximum admissible.
- on indique aussi le coefficient de variation en temprature de la tension Vzt.
En dessous de Vzt = 5V, c'est l'effet zner qui prdomine. Au dessus, c'est l'effet
d'avalanche.
L'effet zner est affect d'un coefficient de temprature ngatif (Vzt diminue quand
la temprature augmente), et l'effet d'avalanche d'un coefficient positif. Les diodes
ayant une tension Vzt d'environ 5V ont un coefficient de temprature nul, car les
deux phnomnes se produisent de manire quilibre, et leurs effets se
compensent.
L'effet d'avalanche est plus franc que l'effet zner, ce qui fait que le coude de
tension inverse est plus arrondi pour les diodes zner de faible tension.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
35
Rsum Thorique et
Les diodes optimales en terme d'arrondi de coude et de rsistance dynamique ont

des tensions zner voisines de 6 7V.
Schma quivalent.
Pour simplifier les calculs, et comme pour la diode, on va dfinir un schma
quivalent approchant la ralit.
Si on utilise le composant suffisamment loin du coude, le schma suivant modlise
bien le comportement d'une diode zner :
Figure 2- 29. Schma quivalent de la diode zner

On dfinit une tension de coude Vzo, et une rsistance interne constante Rz.
Ce schma sera utiliser avec beaucoup de prudence sur des zners de faible
tension (< 5V) : leur coude est trs arrondi, et la rsistance dynamique varie
beaucoup avec le courant. Pour des tensions suprieures 5V, il n'y aura en
gnral pas de problmes.
Rgulation de tension.
De par leurs caractristiques de gnrateur de tension, ces diodes sont idales pour
rguler des tension continues ayant une ondulation rsiduelle non ngligeable (cas
des tensions redresses filtres).
Figure 2- 30. Rgulation de tension avec diode zner.

Il est ncessaire d'intercaler une rsistance (ou un gnrateur de courant) entre le
gnrateur de tension filtre et la zner de rgulation : ces deux lments ayant des
caractristiques de gnrateurs de tension faible rsitance interne, on ne peut pas
les brancher directement l'un sur l'autre sans les dtruire.
Pour que la zner fonctionne et assure son rle de rgulateur, il faut qu'un courant
Iz non nul circule en permanence dans ce composant, et ce quelles que soient les
variations de la tension d'entre Vc et de la charge Ru.
La rsistance R assure donc le rle de polarisation de la zner, et elle sera
calcule pour que la condition nonce ci-dessus soit remplie. Il faudra aussi
veiller ce que le courant Iz ne dpasse pas le courant Izm, sous peine de dtruire le
rgulateur.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
36
Rsum Thorique et
En gnral, on rajoute toutefois un condensateur en parallle avec la zner : son

impdance vient diminuer celle du montage aux frquences leves. C'est
avantageux si le montage aliment a une consommation en courant avec des
composantes hautes frquences. Ce condensateur diminue aussi le bruit interne
de la zner qui est assez important.
Ce type d'alimentation est appel rgulateur shunt , car le courant de rgulation Iz
est driv la masse.
En pratique, ces rgulateurs sont utiliss dans des montages simples ncessitant
peu de puissance.
crtage des surtensions.
De par leurs caractristiques, les diodes zner sont idales pour crter des
surtension (commutation de selfs ou autres) et sont donc toutes indiques pour la
protection d'autre semi-conducteurs sensibles a ces surtensions.
Certains composants comme les transils ont des caractristiques similaires aux
zners, mais peuvent supporter des puissances crte considrables pendant de
courts instants. Ils sont utiliss pour protger les installations coteuse contre la
foudre et les parasites d'quipements industriels (gros moteurs, relais de puissance,
commutateurs statiques ).
2.3.12.
Diodes lectroluminescantes.
Caractristique.
Ces diodes spcifiques base d'arseniure de gallium ont la proprit d'mettre de
la lumire dans une bande de frquence dtermine par les caractristiques du
matriau employ quand elles sont traverses par un courant direct.
Il en existe de diverses couleurs (jaune, orang, rose, rouge, vert, infrarouges).
Leur rendement lumineux est assz faible. On les utilise avec un courant direct
d'environ 10 20mA.
La tension de coude de ces composants est plus leve que pour les diodes
standard, et elle dpend de la couleur. Elle va de 1,2 2V environ.
Utilisation.
Les utilisations des Led sont de plus en plus nombreuses, car ces composants sont
plus fiables que des lampes incandescence, et leur rendement est un peu
meilleur.
On les rencontre partout o on a besoin de tmoins lumineux, et de plus en plus,
associes en matrices pour remplacer des grosses lampes (feux tricolores de
circulation par exemple), ou pour faire des panneaux d'affichage lectroniques
(heure, temprature, publicits diverses ).
Les diodes infrarouges servent beaucoup dans les tlcommandes d'appareils TV
/ HIFI. On les utilise alors avec des forts courants pulss.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
37
Rsum Thorique et
2.3.13.
Diodes avalanche controle.

Les diodes de redressement standard ne sont pas garanties pour fonctionner au
del de la tension VR spcifie. Si on utilise des diodes standard dans des milieux
parasits, il se peut qu'on dpasse momentanment la tension inverse maxi et qu'on
dtruise la diode.
Certaines applications ont besoin de diodes qui ne soient pas dtruites par une
entre en avalanche.
Caractristiques physiques.
Les diodes avalanche contrles sont fabriques dans du silicium de meilleure
qualit que les diodes standard : meilleure homognit du cristal, traitement de
surface pouss limitant les courants de fuite
La rsistivit du silicium est ainsi plus homogne, et lorsque le phnomne
d'avalanche se produit, c'est dans tout le volume du cristal qui peut alors supporter
des puissances trs leves pendant quelques dizaines de s.
Ces diodes sont svrement tries en fin de fabrication pour dtecter les dfauts
ventuels.
On spcifie en plus des IR et VR standards une tension inverse maxi pour un
courant inverse donn.
Protection contre les surtensions.
Une des applications est l'utilisation dans des milieux parasits : des surtensions
brves (quelques s) d'une amplitude trs suprieure la tension VR de la diode
peuvent apparatre : la diode va partir en avalanche, et limiter la surtension
parasite. Ce phnomne ne sera pas destructif car la diode est conue pour
fonctionner en avalanche sans casser.
Il y a une double fonction d'autoprotection (la diode n'est pas dtruite), et de
protection de l'environnement de cette diode (crtage de la surtension).
2.3.14.
Mise en srie de diodes.

Lorsqu'on veut bloquer des fortes tensions sans faire appel des diodes spciales
haute tension (chres et difficiles se procurer), on peut mettre en srie plusieurs
diodes dont la somme des VR sera suprieure la tension bloquer.
Si on met en srie des diodes ordinaires, les tensions ne vont pas se rpartir de
faon gale pour toutes les diodes comme le montre la Fig. 2- 31
Figure 2- 31. Caractristiques de deux diodes.

Si on met les deux diodes de cet exemple en srie, sans autres composants en
parallle, le courant de fuite sera le mme pour les deux diodes, et tel que VD1 +
VD2 = U, tension totale bloquer ; VD1 et VD2 sont les tensions aux bornes des
diodes D1 et D2 pour le courant de fuite commun IR.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
38
Rsum Thorique et
La diode D1 qui fuit plus que l'autre tension donne va imposer un courant IR
entranant une tension aux bornes de D2 suprieure la tension de claquage VR :
D2 va tre dtruite par avalanche.
Dans le cas gnral o on met plusieurs diodes en srie, la rupture de la
premire entrane la destruction en chane de toutes les autres diodes.
La solution est dans les diodes avalanche contrle : les courants de fuite (hors
porteurs minoritaires) sont trs rduits par construction, et une ou plusieurs diodes
peuvent rentrer en avalanche sans problmes. Le courant de fuite tant faible, la
puissance dissipe restera dans les limites admissibles par le composant.
2.3.15.
Autres.
Il existe encore beaucoup d'autres varits de diodes. Citons entres autres :
- les diodes Schottky, jonction mtal / semi-conducteur : cette jonction
htrogne est caractrise par l'absence de stockage des charges, elle est donc trs
rapide. Elle est trs utilise dans les circuits logiques rapides (TTL Schottky).
- les diodes varicap : on utilise la variation de la capacit de jonction avec la
polarisation inverse dans des oscillateurs ou des circuits d'accord. On fait alors
facilement varier la tension d'oscillation ou d'accord en modifiant la tension de
polarisation.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
39
Rsum Thorique et
3.
TRANSISTOR BIPOLAIRE
Il existe une catgorie de composants (qu'ils soient lectriques, mcaniques, etc )
trs intressante : c'est celle qui permet d'obtenir en sortie du dispositif une
grandeur de mme nature et proportionnelle au stimuli d'entre. Les exemples
foisonnent :
- le levier, qui permet d'avoir en sortie un effort plus important qu'en entre, ou
bien un dplacement plus important (ou plus faible) que celui appliqu l'entre.
- l'engrenage, qui est la mme chose que le levier pour les mouvements rotatifs : il
permet de multiplier ou diviser la vitesse ou bien le couple d'entre.
- le transformateur, qui permet de multiplier ou diviser la tension d'entre.
Dans chacun de ces cas, la variable de sortie est de mme nature que le stimuli
l'entre, et il existe un coefficient de proportionnalit entre les deux, indpendant
du stimuli d'entre, donc intrinsque au dispositif.
Il faut toutefois noter que dans tous les cas cits, il y a conservation de l'nergie
: l'nergie la sortie du composant est la mme que celle l'entre.
Il existe d'autres dispositifs prsentant les mmes caractristiques que ceux
prcdemment cits, et qui en plus, permettent de multiplier l'nergie : on trouve
en sortie du dispositif une nergie suprieure celle fournie l'entre. Bien
entendu, il n'y a pas de gnration spontane d'nergie, il faudra donc au dispositif
une entre supplmentaire par laquelle une source sera susceptible de fournir de
l'nergie.
Dans ce cas, il n'y a pas seulement transformation de la sortie proportionnellement
l'entre, mais transfert d'nergie d'une source extrieure la sortie du dispositif,
ce transfert tant contrl par l'entre.
Des exemples mcaniques bien connus sont respectivement les freins et la
direction assiste.
Dans le premier cas, l'effort de freinage est proportionnel l'effort exerc sur la
pdale, mais une source d'nergie auxiliaire permet d'avoir la pdale un effort
beaucoup plus faible que ce qu'il faudrait sans l'assistance.
Dans le deuxime cas, on a la mme chose : les roues tournent
proportionnellement l'angle de rotation du volant, mais la plus grosse partie de
l'effort est prise en charge par un dispositif hydraulique.
Dans les deux cas, le dispositif permet d'amplifier l'effort exerc tout en le
conservant proportionnel au stimuli d'entre, ce qui facilite la commande.
Un tel dispositif est en fait un robinet de rgulation d'nergie : il faut disposer d'un
rservoir d'nergie, on pose le robinet dessus , et on peut disposer de l'nergie
proportionnellement une commande d'entre.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
40
Rsum Thorique et
En lectronique, un tel composant est intressant, car il va permettre d'amplifier

un signal, et de commander des actionneurs requrant de la puissance (haut
parleurs moteurs, etc ) avec des signaux de faible niveau issus de capteurs
(microphone, sonde de temprature, de pression, ).
Le transistor jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en
lectronique. Son domaine d'action est donc particulirement vaste
A noter qu'avant le transistor, cette fonction tait remplie par des tubes vide
(triodes entre autres).
L'avnement du transistor n'a donc pas apport la fonction miracle en elle mme,
mais une commodit d'utilisation, l'encombrement rduit (les tubes vide ont
besoin d'un systme d'alimentation complexe avec des tension relativement leve,
et ncessitent une adaptation d'impdance en sortie (transformateur)), et plus tard,
la fiabilit, le faible cot
3.1
Principe
Nous avons dj vu propos de la diode que si celle-ci est polarise en inverse, les
porteurs minoritaires (lectrons de la zone P et trous de la zone N, crs par
l'agitation thermique) traversent sans problmes la jonction et sont acclrs par le
champ extrieur.
On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la
jonction, ils deviennent minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain
temps se recombiner avec les porteurs opposs.
Partant des deux remarques prcdentes, on peut dduire que si on injecte dans la
zone N d'une jonction NP polarise en inverse beaucoup de trous (qui seront dans
cette zone des porteurs minoritaires) en faisant en sorte qu'ils ne se recombinent
pas avec les lectrons de la zone N, ils vont traverser la jonction et crer un
courant dans le circuit extrieur.
Figure 3- 1. Injection de trous dans une zone N.

La Figure 3- 1 illustre ce propos : il y aura des recombinaisons (charges + et encercles), mais limites, et la plupart des trous iront dans la zone P et formeront
le courant I2. A noter que les recombinaisons correspondent au courant I1-I2.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
41
Rsum Thorique et
Ce que nous venons de dcrire n'est ni plus ni moins que l'effet transistor : il ne
manque que le moyen d'injecter des trous dans la zone N et de faire en sorte que
les recombinaisons soient faibles, pour que la majorit des trous passent dans la
zone P.
Transistor rel - principe de fonctionnement.

Dans le transistor rel, on va apporter les trous en crant une jonction PN, que l'on
va polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du
montae Fig. 3- 2 Cette zone P qui injecte les trous est alors l'metteur , et la zone
N, faiblement dope est la base . Comme dans le schma de la Fig. 1., la jonction
NP est polarise en inverse. La deuxime zone P est le collecteur (voir Fig. 38.).
Figure 3- 2. Schma de principe d'un transistor.

Les trous injects dans la base par l'metteur ont une faible probabilit de se
recombiner avec les lectrons de la base pour deux raisons :
- la base est faiblement dope, donc, les porteurs majoritaires (lectrons) seront
peu nombreux.
- la base est troite, et donc les trous mis sont happs par le champ lectrique
collecteur-base avant d'avoir pu se recombiner (la largeur de la base est petite
devant la longueur de diffusion des porteurs minoritaires injects par l'metteur,
qui sont ici les trous).
On peut observer le phnomne d'un point de vue diffrent : quand on injecte un
lectron dans la base, l'metteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour
qu'il y en ait un qui se recombine avec l'lectron mis. Les autres trous vont passer
directement dans le collecteur.
En premire approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est
proportionnel au nombre d'lectrons injects dans la base.
Ce rapport de proportionnalit est un paramtre intrinsque au transistor et
s'appelle le gain en courant .
Il ne dpend que des caractristiques physiques du transistor : il ne dpend ni de la
tension inverse collecteur base, ni du courant circulant dans le collecteur. (ceci
n'est qu'une approximation, mais dans les hypothses de petits signaux, c'est assez
bien vrifi.)
On a les relations suivantes :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
42
Rsum Thorique et
Constitution et caractristiques physiques d'un transistor.

Un transistor bipolaire est donc constitu de trois zones de silicium
alternativement dopes N et P, formant deux jonctions PN.
Le transistor dcrit au paragraphe prcdent comporte deux zones P et une zone N.
C'est une des deux faons d'agencer les jonctions pour fabriquer un transistor :
- soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP.
- soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN.
Dans les deux cas, la zone centrale (base) est trs troite vis vis de la longueur de
diffusion des porteurs minoritaires issus de la zone adjacente (l'metteur).
La base possde en outre la caractristique d'tre trs faiblement dope en
comparaison de l'metteur.
Figure 3- 3: Structures et symboles des transistors bipolaires

Courants de fuite.
La relation [1] n'est qu'imparfaitement vrifie pour une autre raison : si on
reprend le schma Fig. 3- 2. et qu'on coupe la connection de la base (Ib = 0), on
s'aperoit que le courant circulant dans le collecteur n'est pas nul, d des porteurs
minoritaires qui passent de la base dans le collecteur. Ce courant est nomm ICEO.
La relation [1] devient donc :
En pratique, aux tempratures ordinaires, ce courant de fuite sera nglig. On
verra par la suite qu'on s'arrangera pour polariser les montages de telle manire
que le point de polarisation soit quasiment indpendant du courant de fuite.
Symboles, tensions et courants.
Dans le symbole du transistor (Fig. 3- 3), une flche dsigne l'metteur ainsi que le
sens de circulation du courant d'metteur ; c'est le sens de cette flche qui va
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
43
Rsum Thorique et
reprer le type de transistor : NPN pour un courant d'metteur sortant du transistor,

et PNP dans le cas inverse.
La base est reprsente par une barre parallle l'axe collecteur-metteur. D'autres
symboles existent, mais celui-ci est le plus usit.
Les transistors sont des composants polariss : les courants indiqus sont les seuls
possibles pour un fonctionnement correct. En consquence, il faudra choisir le
type de transistor adapt au besoin (NPN ou PNP) et faire attention au sens de
branchement.
3.2
Transistor NPN
Figure 3- 4. Courants et tensions sur un NPN.

Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont rentrants, et le
courant d'metteur est sortant. Les tensions VBE et VCE sont ici positives.
3.3
Transistor PNP
Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont sortants, et le
courant d'metteur est rentrant. Les tensions VBE et VCE sont ici ngatives.
Figure 3- 5. Courants et tensions sur un PNP.
3.4
Caractristiques lectriques
Pour ce paragraphe, nous allons tudier les caractristiques des transistors NPN.
Celles des transistors PNP sont les mmes aux rserves de signes dcrites au
paragraphe prcdent.
Les transistors NPN sont plus rpandus car ils ont de meilleures performances que
les PNP (la conductibilit du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi
que la tenue en tension).
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
44
Rsum Thorique et
3.4.1.
Configurations de base.
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune
l'entre et la sortie du montage, il y a 3 manires fondamentales de procder :
- la patte commune est l'metteur : on parle de montage metteur commun .
L'entre est la base et la sortie le collecteur.
- La patte commune est la base : on parle de montage base commune . L'entre est
l'metteur et la sortie le collecteur.
- La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun .
L'entre est la base et la sortie l'metteur.
Nous reverrons ces trois montages fondamentaux dans un chapitre spcifique.
3.4.2.
Schma de mesure des caractristiques.

Les caractristiques qui suivent sont donnes pour un montage metteur
commun . Le schma le plus simple est le suivant :
Figure 3- 6. . Montage de base metteur commun .

Dans ce schma, la base est polarise en direct par la rsistance de base Rb : le
potentiel de la base est alors de 0,7V environ, car l'metteur est la masse et la
jonction base metteur est l'quivalent d'une diode passante.
Le collecteur est lui polaris par la rsistance de collecteur Rc de telle manire que
la tension du collecteur soit suprieure la tension de la base : la jonction base
collecteur est alors polarise en inverse.
On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et
deux rsistances. Dans ce montage, l'entre est la base et la sortie est le collecteur.
L'entre est caractrise par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les
grandeurs IC et VCE, soit 4 variables.
3.4.3.
Caractristique d'entre.
La caractristique d'entre du transistor est donne par la relation IB = f (VBE) @
VCE = cte.
En fait, le circuit d'entre est la jonction base metteur du transistor, soit une
jonction diode.
Cette caractristique va dpendre trs peu de la tension collecteur metteur : on la
donne en gnral pour une seule valeur de VCE. La courbe est la suivante :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
45
Rsum Thorique et
Figure 3- 7. . Caractristique d'entre du transistor.

La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor
(courant de base infrieur au mA). Cette valeur est donc lgrement suprieure
celle d'une jonction de diode.
3.4.4.
Caractristique de transfert.
La caractristique de transfert est dfinie par la relation IC = f (IB) @ VCE = cte.
Nous avons dj dit que le courant d'metteur est proportionnel au courant de base
(formule [1]).
Figure 3- 8. . Caractristique de transfert du transistor.

La caractristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un gnrateur
de courant command par un courant.
Si on considre le courant de fuite ICEO, la caractristique ne passe pas par
l'origine, car IC = ICEO pour IB = 0.
Le du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 10
pour des transistors de grosse puissance, 30 80 pour des transistors de moyenne
puissance, et de 100 500 pour des transistors de signal.
3.4.5.
Caractristique de sortie.
La caractristique de sortie du transistor est dfinie par la relation IC = f (VCE) @
IB = cte. En pratique, on donne un rseau de caractristiques pour plusieurs valeurs
de IB.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
46
Rsum Thorique et
Figure 3- 9. Caractristiques de sortie du transistor.

Sur ces caractristiques (Fig. 3- 9.), on distingue deux zones :
- une zone importante o le courant IC dpend trs peu de VCE IB donn : cette
caractristique est celle d'un gnrateur de courant rsistance interne utilis en
rcepteur. Dans le cas des transistors petits signaux, cette rsistance est trs
grande : en premire approche, on considrera que la sortie de ce montage
transistor est un gnrateur de courant parfait.
- une zone des faibles tensions VCE (0 quelques volts en fonction du
transistor). C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-metteur
diminue pour devenir trs faible, la jonction collecteur-base cesse d'tre polarise
en inverse, et l'effet transistor dcrot alors trs rapidement. A la limite, la jonction
collecteur-base devient aussi polarise en direct : on n'a plus un transistor, mais
l'quivalent de deux diodes en parallle. On a une caractristique ohmique
dtermine principalement par la rsistivit du silicium du collecteur. Les tensions
de saturation sont toujours dfinies un courant collecteur donn : elles varient de
50mV pour des transistors de signal des courants d'environ 10mA, 500mV
pour les mmes transistors utiliss au maximum de leurs possibilits (100 300
mA), et atteignent 1 3V pour des transistors de puissance des courants de
l'ordre de 10A.
3.4.6.
Limites d'utilisation.
Le transistor pourra fonctionner durablement sans dteriorer l'intrieur d'un
domaine d'utilisation bien dtermin si des limites ne sont pas dpasses.
Ce domaine sera limit par trois paramtres :
- le courant collecteur maxi ICMax. Le dpassement n'est pas immdiatement
destructif, mais le gain en courant va chuter fortement, ce qui rend le transistor
peu intressant dans cette zone.
- la tension de claquage VCEMax : au del de cette tension, le courant de collecteur
crot trs rapidement s'il n'est pas limit l'extrieur du transistor.
- la puissance maximale que peut supporter le transistor, et qui va tre
reprsente par une hyperbole sur le graphique, car on a la relation :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
47
Rsum Thorique et
Figure 3- 10. Limites d'utilisation de transistor.

Toute la zone hachure sur la caractristique de sortie du transistor (Fig.3- 10.) est
donc interdite.
En bref
Le transistor c'est un amplificateur de courant : c'est un gnrateur de (fort)
courant (en sortie) pilot par un (faible) courant (en entre).
3.5
Paramtres essentiels des transistors

Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considrant les paramtre
suivants :
- La tension maximale que peut supporter le transistor VCEMax
- Le courant maximal de collecteur ICMax.
- La puissance maximale que le transistor aura dissiper (ne pas oublier le
radiateur !).
- Le gain en courant .
- Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation VCEsatmax sera
un critre de choix essentiel comme equivalence de la chute de tension sur un
interrupteur ferm.
- La frquence maximale de fonctionnement fT
3.6
Montages de base
3.6.1.
Mise en uvre du transistor.

On a vu que le transistor tait un amplificateur de courant : on va donc l'utiliser
pour amplifier des signaux issus de sources diverses.
Il va falloir pour cela mettre en uvre tout un montage autour du transistor pour
plusieurs raisons :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
48
Rsum Thorique et
Alimentation.
Le transistor, tout en tant classifi dans les composants actifs, ne fournit pas
d'nergie : il faudra donc que cette nergie vienne de quelque part ! C'est le rle de
l'alimentation qui va servir apporter les tensions de polarisation ncessaires pour
le fonctionnement dsire et par consequence de l'nergie que le montage sera par
la suite susceptible de fournir en sortie.
Polarisation.
Le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens : il va donc falloir le
polariser pour pouvoir y faire passer du courant alternatif, c'est dire superposer
au courant alternatif un courant continu suffisamment grand pour que le courant
total (continu + alternatif) circule toujours dans le mme sens.
Il faudra en plus que la composante alternative du courant soit suffisamment petite
devant la composante continue pour que la linarisation faite dans le cadre de
l'hypothse des petits signaux soit justifie.
Conversion courant/tension.
Le transistor est un gnrateur de courant. Comme il est plus commode de
manipuler des tensions, il va falloir convertir ces courants en tensions : on va le
faire simplement en mettant des rsistances dans des endroits judicieusement
choisis du montage.
Liaisons.
Une fois le transistor polaris, il va falloir prvoir le branchement de la source
alternative d'entre sur le montage. En rgle gnrale, ceci se fera par
l'intermdiaire d'un condensateur de liaison plac entre la source et le point
d'entre du montage transistor (base pour montages metteur et collecteur
commun, metteur pour montage base commune).
De la mme manire, pour viter que la charge du montage transistor (le
dispositif situ en aval et qui va utiliser le signal amplifi) ne perturbe sa
polarisation, on va aussi l'isoler par un condensateur de liaison.
Ces condensateurs vont aussi viter qu'un courant continu ne circule dans la
source et dans la charge, ce qui peut leur tre dommageable.
Insensibilit du montage aux paramtres du transistor.
Dans la mesure du possible, la polarisation devra rendre le montage insensible aux
drives thermiques du transistor et elle devra tre indpendante de ses
caractristiques (notamment du gain), ceci pour que le montage soit universel , et
ne fonctionne pas uniquement avec le transistor dont on dispose pour raliser la
maquette. Cela permet aussi de changer le transistor sur le montage sans se poser
de questions en cas de panne.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
49
Rsum Thorique et
Mthodologie de calcul.
Nous appliquons une rgle danalyse de circuits qui prcise qu'il convenait pour
des raisons de simplification des calculs de sparer l'tude de la polarisation de
l'tude en alternatif petits signaux.
La polarisation est calcule dans un premier temps ; on fait alors un schma
quivalent du montage pour le continu. Le calcul se fait simplement avec la loi
d'Ohm et les principaux thormes de l'lectricit.
Pour la partie petits signaux alternatifs amplifier il faut dfinir les paramtres
linariser et en dduire un schma quivalent du transistor.
La solution globale (celle correspondant ce qui est physiquement constat et
mesur sur le montage) est la somme des deux solutions continue et alternative
dfinies ci-dessus conformement au principe de superposition.
Schma quivalent alternatif petits signaux du transistor. Paramtres
hybrides.
En pratique, pour simplifier, on donne d'abord le schma quivalent et les
quations qui s'y rapportent, pour ensuite justifier ces lments l'aide des
caractristiques des transistors.
Le transistor est considr comme un quadriple ; il a deux bornes d'entre et deux
bornes de sortie (une patte sera alors commune l'entre et la sortie) et va tre
dfini par 4 signaux : courant et tension d'entre, courant et tension de sortie. Ces
variables ont dj t dfinies pour le montage metteur commun : il s'agit du
courant IB et de la tension VBE pour l'entre, du courant IC et de la tension VCE
pour la sortie.
En fait, ces signaux se dcomposent en deux parties : les tensions et courants
continus de polarisation nots avec indice o : IBo, VBEo, ICo, et VCEo, et les petites
variations alternatives autour du point de repos qui sont respectivement ib, vbe, ic,
et vce.
Nous avons les quations :
Ce sont les petites variations qui vont nous intresser pour le schma quivalent
alternatif qui est le suivant :
Figure 3- 11. Schma quivalent du transistor NPN.

Il convient de noter que ce schma, bien que driv du montage metteur commun
(l'metteur est bien ici la borne commune entre l'entre et la sortie) est intrinsque
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
50
Rsum Thorique et
au transistor et pourra tre utilis dans tous les cas de figure : il suffira de
l'intgrer tel quel au schma quivalent du reste du montage en faisant bien
attention aux connections des trois pattes du transistor E, B et C.
L'appellation schma quivalent du montage metteur commun provient de la
dfinition des variables d'entre et de sortie qui sont celle de ce type de montage.
Nota : On peut remarquer ici que les sens des courants sont conventionnels, et non
absolus, et ne servent qu' effectuer les calculs comme si les sources taient
continues ; une seule chose est imprative : indiquer convenablement la phase de
ib et ic. On choisit un sens oppos pour ces deux courants ce qui signifie que les
transistors PNP auront strictement le mme schma alternatif petits signaux que
les NPN.
Dans ce schma, nous avons les relations suivantes :
L'indice e sur les paramtres hije (qu'on appelle paramtres de transfert) indique
qu'il s'agit des paramtres metteur commun.
Nous n'utiliserons pas ces caractristiques dans ce cours.
Si on analyse la premire quation du systme [10], on y voit l'expression de vbe
en fonction de ib et vce. On a :
- h11e = vbe/ib @ vce = 0 . Si on se rappelle que vbe et ib sont des petites variations
autour du point de repos (VBEo,IBo) et que la caractristique d'entre du transistor
est la courbe IB = f(VBE) @ VCE = cte (donc vce = 0), alors, on voit que h11e a
lunit Ohm et est la rsistance dynamique de la jonction base-metteur .
- h12e = vbe/vce @ ib = 0 . Ce paramtre est en fait la raction de la sortie sur
l'entre dans la thorie des quadriples. Lors de l'tude du principe du transistor, il
a t dit que cette raction tait ngligeable . Dans toute la suite du cours , il ne
sera plus fait mention de ce paramtre.
La deuxime quation nous donne :
- h21e = ic/ib @ vce = 0 . Ce paramtre ayant lunit mA/mA ou A/mA est le gain
en courant en fonctionnement dynamique du transistor. Il peut tre lgrement
diffrent du gain en fonctionnement statique dj mentionn, car il a t dit que
la linarit de ce paramtre n'est pas rigoureusement vrifie.
- h21e = ic/vce @ ib = 0 . Ce paramtre a la dimension d'une admittance : c'est
l'inverse de la rsistance du gnrateur de courant de sortie du transistor. En
pratique, sa valeur est faible (donc la rsistance est leve), et on le ngligera, car
son influence sera modre vis vis de l'impdance de charge du montage.
On voit qu'en fait, les paramtres de transfert issus de la thorie des quadriples
colle bien aux caractristiques physiques du transistor :
- une entre rsistive (la rsistance diffrentielle de la jonction base-metteur), la
raction de la sortie sur l'entre tant ngligeable.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
51
Rsum Thorique et
- une sortie quivalente un gnrateur de courant proportionnel au courant

d'entre , ce gnrateur tant imparfait, donc avec une rsistance interne non
nulle.
3.6.2.
Montage metteur commun.

On peut maintenant passer au montage fondamental transistor : le montage
metteur commun. Il ralise la fonction damplification de base de l'lectronique.
Polarisation. Point de fonctionnement.
Polarisation par une rsistance.

Le montage le plus lmentaire tout en tant fonctionnel est le suivant :
Figure 3-12. Polarisation par rsistance de base.

Le fonctionnement est simple : le courant de base IBo est fix par Rb, ce qui
entrane un courant de collecteur ICo gal IBo. Le courant collecteur tant fix,
la tension aux bornes de Rc va tre gale Rc ICo. Le montage est entirement
dtermin.
Pour calculer les lment Rb et Rc, on va procder l'envers : on va partir de ce
qu'on dsire (le courant ICo et la tension VCEo), et remonter la chane :
- On se fixe un courant collecteur de repos ICo (c'est le courant de polarisation).
Ce courant sera choisi en fonction de l'application, et variera entre une dizaine de
A (applications trs faible bruit), et une dizaine de mA (meilleures performances
en haute frquence, soit quelques MHz).
- On se fixe une tension de collecteur VCEo, qu'on prend en gnral gale 50 %
de la tension dalimentation (E/2), pour que la tension du collecteur puisse varier
autant vers le haut que vers le bas lorsqu'on appliquera le signal alternatif.
- La rsistance de collecteur Rc , en plus d'assurer une polarisation correcte de la
jonction base-collecteur, convertit le courant collecteur (et ses variations) en
tension. Elle est dtermine par la formule :
- le courant IBo est alors impos par les caractristiques de gain en courant du
transistor ( ). On note ici qu'il est impratif de le connatre (donc de le mesurer) :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
52
Rsum Thorique et
- La rsistance de base Rb est alors calcule l'aide de la formule :
- Pour ce faire, on prendra VBEo = 0,7V, car un calcul plus prcis (il faudrait
connatre la caractristique IB = f (VBE) pour le faire !) ne servirait rien.
On peut rsumer toute cette tape de polarisation sur un seul graphique :
Figure 3- 13. Polarisation du transistor.

On reconnatra ici les trois caractristiques du transistor (entre, transfert, sortie)
jointes sur le mme graphique. Attention : il faut bien remarquer que les axes
sont diffrents de part et d'autre du zro !
Ce montage assure les diverses fonction : il est correctement aliment, polaris
(jonction base-metteur en direct, jonction base collecteur en inverse, courants
dans le bon sens ), et il possde des condensateurs de couplage. Il y a une ombre
au tableau : bien que fonctionnel, ce montage ne garantit pas du tout la fonction de
robustesse vis vis de la drive thermique et des caractristiques du transistor. En
effet, on peut remarquer que :
- si le courant de fuite du collecteur ICEO augmente sous l'effet de la temprature,
rien ne va venir compenser cette variation : VCEo va diminuer et le point de
polarisation va se dplacer.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
53
Rsum Thorique et
- Si on veut changer le transistor par un autre dont le gain soit trs diffrent, vu
que IBo est impos par E et Rb, ICo = IBo n'aura pas la bonne valeur, et VCEo non
plus. Et il ne s'en faut pas de quelques %, car pour une mme rfrence de
transistor, le gain peut varier d'un facteur 1,5 5 ou plus ! On peut donc se
retrouver avec un montage dont le transistor serait satur, donc inutilisable pour
l'amplification de petits signaux.
Comme il est impensable de mesurer chaque transistor avant de l'utiliser, on ne
peut pas en pratique exploiter le montage dcrit Fig. 3- 12. Ce montage n'a qu'un
intrt pdagogique, et pour des montages rels, on va lui prfrer le montage
polarisation par pont de base appel aussi polarisation en H.
Polarisation en H ( par pont de base).
Ce schma est un peu plus complexe que le prcdent. Nous allons d'abord
analyser les diffrences, et ensuite, nous suivrons pas pas la mthode de calcul
de la polarisation.
Figure 3- 14. Polarisation par pont de base.

Par rapport au schma Fig. 3- 12, on note que la base est polarise l'aide d'un
pont de rsistances Rb1 et Rb2. Le rle de ces rsistances sera de fixer le potentiel
de base. Comme la tension VBE est voisine de 0,7V, ceci impose de mettre une
rsistance entre l'metteur et la masse. Cette rsistance est dcouple par le
condensateur CDE, qui va tre l'quivalent d'un court-circuit en alternatif.
A quoi servent ces lments ? Pour raisonner, on va faire abstraction du
condensateur CDE, qui est un circuit ouvert pour le rgime continu.
Les rsistances du pont de base vont tre choisies de telle manire que le courant
circulant dans ce pont soit trs suprieur au courant rentrant dans la base (au moins
10 fois plus grand), ceci afin que des petites variations du courant de base ne
modifient pas le potentiel de la base, qui restera donc fixe.
Le potentiel d'metteur va tre gal au potentiel de base moins environ 0,7V et
sera lui aussi fixe, courant de base donn. Dans ce cas, la tension aux bornes de
RE est dtermin. Le courant d'metteur (donc celui du collecteur, et celui de la
base, via le ) sera alors fix par la valeur de la rsistance RE et la tension du pont
de base.
Le courant collecteur tant dfini, on choisit la rsistance de collecteur pour avoir
VCEo au milieu de la plage de tension utilisable.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
54
Rsum Thorique et
Quel est l'avantage de ce montage ? Supposons que le courant ICEO augmente sous
l'effet de la temprature. La tension aux bornes de RE va alors augmenter. Comme
le potentiel de base est fix par le pont Rb1/Rb2, la tension VBE va diminuer. Cette
diminution va entraner une baisse du courant de base, donc du courant de
collecteur.
Cet effet vient donc s'opposer l'augmentation du courant collecteur d
l'augmentation du courant de fuite ICEO. Le montage s'auto-stabilise.
L'autre avantage, c'est que le courant de collecteur est fix par le pont de base et
par la rsistance d'metteur. Ces lments sont connus 5% prs en gnral, donc,
d'un montage un autre, on aura peu de dispersions, et surtout, le courant
collecteur sera indpendant du gain du transistor. On a dit cet effet que le pont de
base est calcul de manire ce que le potentiel de base soit indpendant du
courant de base : ce potentiel ne dpendra pas du transistor, et le courant de base
s'ajustera automatiquement en fonction du gain du transistor sans perturber le pont
de base.
On fera les calculs dans l'ordre suivant :
- On fixe le courant collecteur de repos ICo . A noter que le courant d'metteur
sera quasiment le mme car IC = IE - IB # IE.
- On fixe le potentiel d'metteur VEo (au maximum E/3, et en pratique, une
valeur plus faible : 1 2V est une valeur assurant une assez bonne compensation
thermique sans trop diminuer la dynamique de sortie).
- On calcule alors la rsistance RE par la formule :
- On se fixe la tension collecteur metteur VCEo : en gnral, on la prendra gale

la moiti de la tension disponible qui est gale non plus E, mais E - VEo. On
en dduit la rsistance Rc :
- On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour le
du transistor, cette valeur n'tant pas critique ici) :
- On calcule Rb2 (en rgle gnrale, on prendra VBEo gal 0,7V) :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
55
Rsum Thorique et
- On en dduit Rb1 :
Le point de repos du montage tant dtermin, on va passer au comportement en

alternatif.
Fonctionnement en petits signaux alternatifs.

Si on applique les rgles, on obtient :
Figure 3- 15 Schma quivalent en alternatif.

On notera que la rsistance d'metteur a disparu, car elle est shunte par le
condensateur de dcouplage CDE.
En quoi va consister l'tude en alternatif ?
Tout d'abord, on va valuer la capacit du montage amplifier le signal
d'entre . La caractristique reprsentative de cette fonction est le gain en tension
Av, qui est le rapport entre les tensions de sortie et d'entre.
Ensuite, il faut regarder en quoi le montage peut s'interfacer avec la source
d'entre sans la perturber ; il doit rester le plus neutre possible vis vis de cette
source, surtout s'il s'agit d'un capteur de mesure ! La grandeur reprsentative est
l'impdance d'entre .
Mme chose vis vis de la charge branche en sortie du montage, qui va utiliser le
signal amplifi : il va falloir regarder dans quelle mesure l'tage transistor n'est
pas perturb par cette charge . La grandeur reprsentative est l'impdance de
sortie .
Nous allons calculer ces trois paramtres. On pourrait y rajouter le gain en courant
Ai qui est le rapport des courants de sortie et d'entre, et aussi le gain en puissance.
En amplification petits signaux, ces paramtres sont peu utiliss, nous n'en
parlerons donc pas.
Fonctionnement intuitif .
Avant de faire des calculs compliqus sur un schma abstrait, il serait bon de voir
comment marche le montage de faon intuitive et qualitative.
On considre que le potentiel d'metteur est fixe grce au condensateur de
dcouplage CDE.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
56
Rsum Thorique et
Si on augmente lgrement la tension de base, le courant de base va augmenter. Le

courant de collecteur va augmenter proportionnellement au courant de base, et
donc, la chute de tension dans la rsistance Rc va augmenter. Le potentiel du
collecteur va alors baisser.
On peut par consquent s'attendre un gain en tension ngatif (entre et sortie en
opposition de phase).
On peut aussi voir ce que donnerait le montage sans le condensateur CDE : si la
tension de base augmente, le courant de base, donc de collecteur augmente. La
tension aux bornes de la rsistance d'metteur va augmenter aussi, et donc, le
potentiel de l'metteur va remonter, ce qui va entraner une diminution de la
tension VBE, donc du courant de base, donc du courant de collecteur : il y a une
contre-raction qui s'oppose l'amplification.
Le gain en tension sera plus faible qu'avec le condensateur CDE. Nous aurons
l'occasion de revoir ce montage (dit charge rpartie) dans un chapitre ultrieur.
Gain en tension.
Le gain en tension peut tre dfini de deux manires :
- le gain vide , c'est dire sans charge connecte en sortie du montage.
- le gain en charge , avec la charge connecte.
Dans ce paragraphe, nous allons calculer le gain de l'tage vide. Nous verrons
ensuite qu'il est simple de calculer le gain en charge postriori.
On va d'abord procder quelques simplifications dans le schma :
- les deux rsistances du pont de base sont en parallle du point de vue alternatif.
Nous allons donc les remplacer par une seule rsistance Rp dont la valeur sera
gale Rb1 // Rb2.
- la rsistance de sortie 1/h22e du transistor est grande (plusieurs dizaines de k ).
Pour une alimentation E de 12V, un courant ICo de 2mA et une tension VCEo de
5V, on aura Rc = 2500 , soit environ le dixime de 1/h22e. On va donc ngliger ce
dernier terme. On notera que lorsque la tension d'alimentation est leve et que le
courant de collecteur est faible, cette simplification est moins justifie.
- on supprime la charge Ru (hypothse de calcul).
Avec ces hypothses, le schma devient :
Figure 3- 16. Schma quivalent simplifi.

OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
57
Rsum Thorique et
On a les quations suivantes :
Si on pose h21e = (le gain dynamique est gal au gain statique), on obtient
l'expression du gain en tension :
Cette expression montre que le gain de l'tage dpend de deux paramtres du

transistor : le gain en courant et la rsistance dynamique d'entre h11e .
Pour augmenter ce gain, on pourrait se dire qu'il suffit d'augmenter Rc (donc de
diminuer le courant ICo pour garder un VCEo constant).
Ce serait une grave erreur : en effet, si on diminue ICo, on diminue aussi forcment
IBo, et en consquence, la rsistance diffrentielle de la jonction base metteur
augmente : le gain risque donc de ne pas trop augmenter.
Les paramtres de cette formule sont donc lis : ils ne sont pas indpendants, et on
ne fait pas ce qu'on veut.
Nous allons essayer de trouver une formulation mettant en uvre des paramtres
indpendants.
Nous avons dj dit que la jonction base-metteur tait l'quivalent d'une diode.
Elle satisfait notamment aux mmes formulations mathmatiques. Dans le chapitre
relatif la diode, l'quation [2] donnait la rsistance diffrentielle en fonction du
courant dans la diode :
Pour le transistor, on a la mme chose en remplaant Id par le courant de base IBo

et rd par h11e.
Le terme kT/q est homogne une tension et vaut environ 26mV temprature
ordinaire.
La relation simplifie entre h11e et IBo (h11e est en et IBo en A) devient alors :
Si on rinjecte cette relation dans la formule [24] en tenant compte du fait que ICo
= IBo, on obtient :
Autrement encore on peut exprimer cette expression en exprimant ICo laide de la
rsistance RE :
Av = OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
58
Rsum Thorique et
Le terme 38,5 ICo reprsente la pente du transistor au point de polarisation ICo.

C'est le rapport IC / VBE en ce point. Il ne dpend pas du transistor : c'est un
paramtre intressant qui permet de calculer le gain d'un tage indpendamment
du composant choisi pour le raliser.
Cette formulation du gain est beaucoup plus satisfaisante que la prcdente, car
elle ne dpend plus des caractristiques du transistor, et notamment de son gain
(attention toutefois au facteur 38,5 qui est le terme q/kT : il dpend de la
temprature !). Elle montre aussi que le gain est relativement fig si on garde pour
rgle une tension de polarisation VCEo gale la moiti de la tension d'alimentation
(moins la tension d'metteur). Le seul moyen de l'augmenter est d'accrotre la
tension d'alimentation ; on pourra alors augmenter le terme RcICo qui est la chute
de tension dans la rsistance de collecteur.
A tire indicatif, pour un montage polaris sous 12V avec une tension VEo de 2V et
VCEo de 5V, on aura Rc ICo gal 5V, et un gain en tension Av gal 190.
Schma quivalent de l'tage amplificateur.

Le schma quivalent du montage amplificateur metteur commun peut tre
reprsent sous la forme donne Figure 3- 17
En entre, on y trouve l'impdance Ze (on nglige la raction de la sortie sur
l'entre, donc, il n'y a pas d'autres composants)
En sortie, on a un gnrateur de tension command (la tension de sortie est gale
la tension d'entre multiplie par le gain Av de l'tage vide) avec sa rsistance
interne qui sera la rsistance de sortie de l'tage.
On notera que la reprsentation de la sortie est celle du gnrateur de Thvenin
quivalent
Figure 3- 17. Schma quivalent de l'tage amplificateur.

On pourra voir ici une contradiction avec notre montage metteur commun qui est
dot en sortie d'un gnrateur de courant. Cette objection est balaye par les deux
points suivants :
- on veut calculer le gain en tension de l'tage ! On considre donc notre
montage comme un gnrateur de tension avec sa rsistance interne, si grande
soit-elle.
- la transformation Norton / Thvenin nous permet de passer d'une reprsentation
l'autre simplement.
Ce schma va nous permettre de dfinir les impdances d'entre et de sortie de
notre tage.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
59
Rsum Thorique et
Impdance d'entre.
Par dfinition, et en se rfrant au schma Fig.3- 17, l'impdance d'entre est gale
:
Ici, le schma est simple, le gnrateur d'entre dbite sur deux rsistances en
parallle. On a donc :
On voit qu'on n'a pas intrt prendre un pont de base avec des valeurs trop
faibles. Il faudra donc faire un compromis avec la condition de polarisation (Ip >>
IBo). En gnral, h11e sera petit (1k pour IBo = 26A), donc cette impdance sera
bien infrieure Rp, et trs souvent, elle sera insuffisante pour qu'on puisse
interfacer des sources de tension (capteurs notamment) directement sur un tage
metteur commun.
Impdance de sortie.
Figure 3- 18. Transformation Norton / Thvenin.

Si on transforme la sortie du montage Fig. 3- 16. en celle du schma Fig. 3- 18.
(transformation Norton / Thvenin), on obtient le schma de la figure 3- 17.
la rsistance Rc qui tait en parallle sur le gnrateur de courant h21e ib devient la
rsistance en srie avec le gnrateur de tension. L'impdance de sortie est donc
ici trs simple identifier :
Cette valeur est assez leve, et souvent, on ne pourra pas connecter le montage tel
quel sur une charge.
Gain de l'tage en charge.

Il y a deux manires de voir la chose :
- On reprend le schma quivalent de la Fig. 15. et on rajoute Rch en parallle avec
Rc. La formule du gain devient alors :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
60
Rsum Thorique et
- On connat l'impdance de sortie et la charge. D'aprs le schma Fig. 16, ces

deux rsistances forment un pont diviseur qui attnue la tension de sortie vide.
Le gain devient :
- On vrifiera que si on dveloppe Rc // Rch dans la formule [31], on tombe bien

sur la formule [32].
Bilan. Utilisation du montage.

Au final, le montage metteur commun est un montage ayant :
- une bonne amplification en tension (de l'ordre de plusieurs centaines).
- une impdance d'entre relativement faible (gale h11e, soit de l'ordre de
plusieurs k ), variable en fonction de la polarisation (plus ICo est faible, plus
l'impdance d'entre est leve).
- une impdance de sortie assez leve Rc qui va aussi dpendre du courant de
polarisation ICo.
Ce montage est l'amplificateur de base transistor et sera donc utilis comme
sous-fonction dans des circuits plus complexes (discrets, ou intgrs comme dans
l'amplificateur oprationnel). Par contre, il sera souvent inexploitable seul, et il
faudra lui adjoindre des tages adaptateurs d'impdance.
3.6.3.
MONTAGE COLLECTEUR COMMUN.

Dans ce montage, l'entre est la base et la sortie l'metteur. C'est le collecteur qui
est le point commun entre l'entre et la sortie. On notera que c'est faux pour la
polarisation, car le collecteur est reli au +E et l'entre se fait entre base et masse,
et la sortie entre metteur et masse. En fait, le collecteur est bien commun en
alternatif, car le gnrateur de polarisation +E est un court circuit pour ce rgime,
et donc, le collecteur va se retrouver la masse alternative : ce sera donc bien la
patte commune entre sortie.

Comme pour le montage metteur commun, il y a moyen de polariser le transistor
avec une seule rsistance de base, ce qui entrane exactement les mmes
inconvnients. Nous passerons donc directement la polarisation par pont de base,
qui est la plus utilise. Le schma complet est donn sur la figure 18.
Par rapport au montage metteur commun, on remarque que la rsistance de
collecteur a disparu. Le condensateur de dcouplage de RE aussi, ce qui est
normal, car ici, la sortie est l'metteur : il n'est donc pas question de mettre la
sortie la masse en alternatif !
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
61
Rsum Thorique et
Figure 3- 19. Montage collecteur commun.

Pour la polarisation, on se reportera au paragraphe quivalent du montage
metteur commun, et on prendra en compte les diffrences suivantes :
- En gnral, on fixera le potentiel de repos de l'metteur E/2 pour avoir la mme
dynamique pour les alternances positives et ngatives.
- On n'a pas se proccuper du potentiel de collecteur ni de sa polarisation car
cette broche est +E.

Nous avons ici fait les mmes simplifications de schma que pour le montage
metteur commun. On voit bien sur le schma rsultant que le collecteur est le
point commun entre / sortie.
Figure 3- 20 Schma quivalent collecteur commun.

On pourra remarquer que (en le rarrangeant) le schma quivalent interne du
transistor est le mme que pour le montage metteur commun.
Par rapport ce dernier montage, on a rajout la rsistance interne du gnrateur
d'attaque. En effet, on voit qu'ici, l'entre et la sortie ne sont pas spars, et donc,
la charge va avoir un impact sur l'impdance d'entre et l'impdance interne du
gnrateur d'attaque influera sur l'impdance de sortie. Il ne faut pas oublier que
cette dernire est l'impdance vue de la charge, donc englobe l'tage transistor et
le dispositif d'attaque.
Le paramtre h21e a t remplac par , les gains statique et dynamique tant
sensiblement les mmes.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
62
Rsum Thorique et
Considrons le schma de la Fig.3- 19. Si on augmente la tension de base, la
tension VBE va augmenter, ainsi que le courant IB, donc IC, ce qui va crer une
chute de tension plus grande dans RE. Le potentiel de l'metteur va alors remonter,
contrariant l'augmentation de VBE, donc du courant IC. Le potentiel de l'metteur
va ainsi suivre sagement (aux variations VBE prs, qui sont trs faibles) le
potentiel qu'on impose la base.
Si on regarde bien le montage, on voit en fait que la tension de sortie est toujours
infrieure la tension d'entre de la valeur VBE. Quand on va appliquer un signal
alternatif sur la base, on va le retrouver sur la rsistance d'metteur diminu de la
variation de VBE qui va tre trs faible.
On voit donc qu'intuitivement, ce montage aura un gain positif mais infrieur 1.
Ce n'est pas un montage amplificateur. On va voir que ses caractristiques
d'impdance d'entre et de sortie le destinent l'adaptation d'impdance.
Gain en tension.
Si on applique la loi des nuds au niveau de l'metteur (Fig.3- 20.), on voit que le
courant circulant dans RE est gal (+1) ib et va de l'metteur vers le collecteur.
On peut alors poser les quations suivantes :
On remarquera au passage en analysant l'quation [33] que vu de la base, tout se

passe comme si la rsistance RE tait multiplie par le gain en courant.
On dduit le gain vide des quations [33] et [34] :
Ce gain est lgrement infrieur 1, et c'est normal, car la tension de sortie est
gale la tension d'entre multiplie par le pont diviseur form par h11e et
(+1)RE. En gnral, RE est du mme ordre de grandeur que h11e, ce qui fait que le
terme (+1) RE est beaucoup plus grand que h11e. A quelques centimes prs, le
gain sera quasiment gal l'unit . Pour cette raison, et aussi pour ce qui a t
dit dans la rubrique fonctionnement intuitif , on appelle ce montage metteur
suiveur , car le potentiel d'metteur suit celui impos la base (aux variations
VBE prs, qui sont trs faibles).
Quand l'tage est charg sur Rch, il convient de remplacer RE par RE // Rch dans
l'quation [35], ce qui change trs peu le rsultat, mme si Rch est gale ou mme
un peu infrieure RE (dans les mmes conditions, le gain de l'tage metteur
commun aurait chut d'un facteur suprieur ou gal 2 !).
Ceci augure d'une bonne impdance de sortie : il ne faut pas oublier que ce
paramtre mesure l'aptitude d'un montage tenir la charge.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
63
Rsum Thorique et
Impdance d'entre.
Le courant ie est gal ib augment du courant circulant dans Rp.
L'impdance d'entre va donc tre gale Rp//(ve/ib). On peut tirer cette dernire
valeur de l'quation [33] :
On en dduit la valeur de l'impdance d'entre :

On remarque que le premier terme est une valeur trs leve (de l'ordre de RE,
h11e tant ngligeable), et que malheureusement, la valeur du pont de base vient
diminuer cette impdance d'un facteur 10 environ. C'est donc la valeur de Rp qui
va dterminer l'impdance d'entre. Cette impdance est quand mme au moins 10
fois suprieure celle de l'metteur commun.
On voit toutefois que l encore, la polarisation ne fait pas bon mnage avec le
rgime alternatif : tout sera une affaire de compromis, comme bien souvent en
lectronique. Il n'y aura jamais la bonne solution, mais une solution intermdiaire
qui sera la mieux adapte au fonctionnement dsir.
Il faut aussi remarquer que vu de la base, les impdances situes dans le circuit
d'metteur sont multiplies par le gain du transistor. C'est une remarque trs
importante qui est toujours vraie.
L'impdance d'entre a t ici calcule pour un montage fonctionnant vide. Si on
le charge par Rch, cette rsistance vient se mettre en parallle sur RE dans la
formule [37]. Dans le cas gnral, l'impdance d'entre dpend donc de la charge.
Cette dpendance sera faible tant qu'on aura une polarisation par pont de base, car
on a vu que Rp est le terme prpondrant. Il existe nanmoins des astuces pour
liminer l'effet du pont de base (montage bootstrap ou couplage direct de deux
tages transistor), et dans ce cas, il faudra tenir compte de la charge.
Impdance de sortie.
Le calcul va tre plus compliqu que pour l'metteur commun. On remarquera
qu'ici la sortie n'est pas spare de l'entre, ce qui fait que tout le circuit d'entre va
influer sur l'impdance de sortie, y compris la rsistance interne du gnrateur
d'attaque Rg. Comme dans le cas gnral cette impdance n'est pas nulle, nous
l'avons faite figurer sur le schma Fig.3- 20.
L aussi, il faut calculer les caractristiques du gnrateur de Thvenin quivalent.
On peut crire les quations suivantes :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
64
Rsum Thorique et
Si on considre le gnrateur de Thvenin quivalent au gnrateur d'entre plus

Rp, on peut crire :
Si on pose :
en injectant [40] et [41] dans [39], on obtient :
En remplaant ib par cette valeur dans [38], on a :
Aprs un dveloppement laborieux, on peut mettre Vs sous la forme A eg + Zsis :

ce sont les caractristiques du gnrateur de Thvenin de sortie de l'tage. Le
terme Zs est le suivant :
RE , Rg et h11e tant du mme ordre de grandeur, le terme divis par (+1) va tre
le plus petit, et RE va avoir un effet ngligeable. On pourra aussi souvent ngliger
Rp par rapport Rg. Zs devient :
Cette impdance de sortie est relativement faible : le montage pourra tenir des
charges plus faibles que le montage metteur commun.
On peut faire une remarque similaire a celle qui a t dite dans le paragraphe sur
l'impdance d'entre : vu de la sortie, l'impdance du montage est gale tout ce
qui est en amont de l'metteur divis par le gain en courant.
Bilan. Utilisation du montage.

Un montage collecteur commun prsente donc les caractristiques suivantes :
- gain en tension quasiment gal l'unit .
- impdance d'entre leve : environ fois plus grande que celle de l'metteur
commun si on ne considre pas le pont de base (on verra qu'on peut l'viter). La
valeur typique est de plusieurs dizaines plusieurs centaines de k en fonction
du montage.
- impdance de sortie faible (divise par environ par rapport l'metteur
commun). Sa valeur est de l'ordre de quelques dizaines d' .
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
65
Rsum Thorique et
Ce montage ne sera donc pas utilis pour amplifier un signal, mais comme
adaptateur d'impdance, situ en amont ou en aval d'un montage metteur
commun, qui, nous l'avons vu, n'a pas de bonnes caractristiques d'entre / sortie.
On pourra donc intercaler un tel montage entre un capteur haute impdance de
sortie et un montage metteur commun sans que celui-ci ne perturbe le capteur.
On pourra aussi le mettre en sortie d'un montage metteur commun que l'on doit
interfacer avec une faible charge, et ceci, sans crouler le gain en tension de
l'tage.
3.6.5.
Montage base commune.
Figure 3-. 21. Montage base commune.

Le montage commence nous tre familier : en effet, mis part l'emplacement du
gnrateur d'attaque et le condensateur de dcouplage qui est ici situ sur la base,
le montage est le mme que celui de l'metteur commun.
La procdure de calculs des lments de polarisation est donc identique, car seuls
les lments lis au rgime alternatif changent.
La raison en est simple : l'amplification est base sur une augmentation de IC due
une augmentation de VBE. Pour augmenter VBE, on a le choix entre deux
solutions :
soit on augmente la tension de base potentiel d'metteur constant : c'est le
montage metteur commun.
soit on abaisse la tension d'metteur potentiel de base constant : c'est le montage
base commune.

On va donc tudier ici le montage base commune. On voit tout de suite le dfaut
que va prsenter ce montage : vu qu'on attaque ct metteur, il faudra faire varier
un courant important, donc, l'impdance d'entre sera srement beaucoup plus
faible que pour l'metteur commun, qui n'tait dj pas brillant sur ce point. En
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
66
Rsum Thorique et
fait, ce montage sera peu utilis, sauf dans des applications hautes frquences o il
trouvera son seul avantage.
Le schma quivalent est le suivant :
Figure 3- 22. Schma quivalent base commune.

Le pont Rb1 / Rb2 disparait car il est shunt en alternatif par le condensateur de
dcouplage CDB. La base est bien le potentiel commun entre / sortie, et le
schma du transistor est le mme que pour l'metteur commun.
Le fonctionnement intuitif a dj t bauch dans le paragraphe relatif la
polarisation : il est rigoureusement le mme que pour l'metteur commun sauf
qu'on attaque l'metteur pour imposer les variation VBE, avec un potentiel de base
fixe.
On aura juste une diffrence de signe provenant du fait que quand on augmente la
tension de base potentiel d'metteur constant, la tension VBE augmente, et quand
on augmente la tension d'metteur potentiel de base constant, elle diminue : une
tension d'entre positive dans les deux cas aura donc des effets contraires.
Gain en tension.
Du schma Fig.3- 22., on tire les quations suivantes :
D'o l'expression du gain en tension vide :
Ce gain (au signe prs) est le mme que pour l'metteur commun, ce qui est
normal, vu que le fonctionnement est identique.
On peut bien entendu faire les mmes remarques que pour l'metteur commun et
mettre le gain sous la forme donne dans l'quation [27], au signe prs.
Pour le gain en charge, rien de diffrent non plus, Rch vient se mettre ne parallle
sur Rc dans la formule du gain vide.
Impdance d'entre.
Du circuit d'entre, on tire l'quation suivante :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
67
Rsum Thorique et
Si on tire ib de l'quation [47] et qu'on le remplace par sa valeur dans [49], on

obtient :
On en tire l'impdance d'entre :
RE tant du mme ordre de grandeur que h11e, le terme prpondrant est h11e /
(+1). Cette impdance d'entre est trs faible, environ fois plus faible que celle
de l'metteur commun : ce montage, sauf cas trs spcial, est inexploitable tel
quel, il faudra un tage adaptateur d'impdance en entre pour l'utiliser.
On peut remarquer que cette impdance d'entre est quasiment la mme que
l'impdance de sortie du montage collecteur commun : si on se rappelle de ce qui a
t dit ce propos, l'impdance vue de l'metteur est gale tout ce qui est en
amont divis par le gain en courant : c'est exactement le cas ici, et on aurait donc
pu prvoir facilement la valeur de l'impdance d'entre sans calculs.
Impdance de sortie.
Pour viter de longs calculs inutiles, on ne tiendra pas compte de la rsistance du
gnrateur d'attaque Rg.
Du circuit de sortie, on peut tirer l'quation suivante :
L'quation [47] nous donne ib en fonction de Ve ; en le remplaant par sa valeur
dans [52], on obtient :
C'est l'quation du gnrateur de Thvenin de sortie : on en dduit que Zs = Rc.

Si on fait le calcul en tenant compte du gnrateur d'entre, on dmontre que le
rsultat reste le mme, seul le terme multiplicatif de eg va changer dans
l'expression de la tension de sortie du gnrateur de Thvenin, et le terme
multiplicatif de is reste Rc.
On a donc :
On aurait pu prvoir ce rsultat, car l'entre est spare de la sortie par un
gnrateur de courant qui prsente une impdance infinie (en pratique gale
1/h22e, qui est trs grand) : du point de vue des impdances, on se retrouve avec
l'entre spare de la sortie.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
68
Rsum Thorique et
Bilan. Utilisation du montage

Les caractristiques sont donc les suivantes :
mme gain en tension que pour l'metteur commun (plusieurs centaines).
impdance d'entre trs faible : quelques dizaines d' .
impdance de sortie moyenne : quelques k , la mme que pour l'metteur
commun.
En pratique, ce montage sera trs peu utilis, sauf en haute frquence o il va
prsenter une bande passante suprieure celle du montage metteur commun.
Remarques fondamentales
Il faudra garder l'esprit ces deux remarques fondamentales , qui permettront
d'valuer grossirement mais sans calculs les impdances des montages
transistors :
- tout ce qui est vu de la base et situ en aval de l'metteur est multipli par le
gain en courant .
- tout ce qui est vu de l'metteur et situ en amont de celui-ci est divis par le
gain en courant .
Ces remarques sont fondamentales par le fait qu'on peut valuer trs rapidement
les potentialits d'un montage sans faire de calculs sur le schma alternatif petits
signaux, qui, on l'a vu, sont particulirement pnibles, et ne donnent pas beaucoup
plus de prcision que ce que l'on peut dterminer trs simplement.
Cette faon d'apprhender les choses permet l'lectronicien de btir un schma
rapidement sans se noyer dans les calculs, et aussi, permettent de mieux
comprendre le fonctionnement d'un tage transistor, autrement que par le biais
d'quations.
Fonctionnement en hautes frquances

Tout ce qui a t dit jusqu' prsent ne concerne que le fonctionnement faible
frquence (infrieure quelques centaines de kHz). Pour des frquences plus
leves, on utilise un schma quivalent du transistor diffrent, rendant mieux
compte de ce qui se passe physiquement.
Ce modle introduit des capacits parasites, et donc, les paramtres du transistor
deviennent complexes (au sens mathmatique du terme !).
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
69
Rsum Thorique et
4.
TRANSISTOR FET JONCTION
4.1
Introduction
Nous avons vu au chapitre prcdent que le transistor jonction tait une source
de courant commande par un courant. Cette caractristique permet ce type de
composants d'amplifier des signaux alternatifs.
Du point de vue thorique, on peut imaginer d'autres dispositifs similaires, mais
caractriss par un mode d'attaque diffrent : par exemple, une source de courant
commande par une tension. Le principe reste le mme (une source commande),
seule la nature du signal de commande change.
Cet objet thorique existe : la famille des transistors effet de champ (Field Effect
Transistor en anglais, FET) rpond la dfinition prcdente : ce sont des sources
de courant commandes en tension.
De ce point de vue, on conoit aisment que l'tude des FET va tre en tous points
similaires celle des transistors jonction, et ce, malgr un fonctionnement
microscopique compltement diffrent.
Il ne faudra donc surtout pas se polariser sur les diffrences de structure et de
fonctionnement prises du point de vue cristallographique, mais voir au contraire
toutes les similitudes existant avec le transistor jonction : polarisation,
conversion courant / tension, amplification en rgime des petits signaux
Ces similitudes sont dues aussi en grande partie au fait qu'on utilise les mmes
outils de modlisation pour les deux composants.
4.2
Principe de fonctionnement
4.2.1.
Constitution d'un FET

De mme qu'il existe deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), le FET
jonction (ou JFET) est dclin en deux versions : le canal N et le canal P .
Le FET jonction canal N est constitu d'une mince plaquette de silicium N qui va
former le canal conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement
d'une couche de silicium P de manire former une jonction PN latrale par
rapport au canal (Fig. 1.).
Figure 4- 1. FET jonction canal N (principe).

Le courant circulera dans le canal, rentrant par une premire lectrode, le drain et
sortant par une deuxime, la source . L'lectrode connecte la couche de silicium
P sert commander la conduction du courant dans le canal ; on l'appelle la grille ,
par analogie avec l'lectrode du mme nom prsente sur les tubes vides.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
70
Rsum Thorique et
Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canal polarise en

inverse.
4.2.2.
Phnomne de pincement.
Tension drain-source nulle.
Pour simplifier le raisonnement, nous allons considrer dans un premier temps un
montage (Fig.4- 2.) o le canal est court-circuit (VDS = 0) et o la grille est un
potentiel ngatif par rapport au canal (jonction polarise en inverse).
Nous avons vu dans le chapitre consacr la diode que le fait de polariser la
jonction en inverse crait une zone vide de porteurs, appele zone de dpltion :
les trous de la zone P se recombinent avec les lectrons de la zone N, crant ainsi
une zone neutre (il n'y a plus de porteurs pour assurer la conduction lectrique)
d'paisseur w = k|VGS |.
Figure 4- 2. Modulation de conductivit VDS = 0.

Il reste dans le canal N une zone conductrice d'paisseur (h-w). La rsistance entre
drain et source sera alors gale :
o b est la largeur du canal et sa rsistivit. La rsistance RDS varie donc avec la

tension (inverse) applique sur la jonction grille-canal. A la limite, pour VGS = VP ,
appele tension de pincement, la zone de dpltion ferme le canal : il n'y a plus
de porteurs, et la rsistance entre source et drain tend vers l'infini (Fig.3.) : c'est le
phnomne de pincement.
Figure 4- 3. Phnomne de pincement.

OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
71
Rsum Thorique et
Tension drain-source non nulle.

Si on reprend le montage prcdent, et qu'en plus on applique une tension positive
entre le drain et la source, le gradient de potentiel prsent tout le long du barreau
de silicium constituant le canal va modifier le profil de la zone de dpltion. Vers
le drain, la tension grille-canal sera suprieure (en valeur absolue) ce qu'elle est
vers la source. En effet, on a la relation (attention, tous les termes sont ngatifs) :
En consquence, la zone isolante prsente une forme similaire celle donne sur
la figure 4- 4.
Figure 4- 4. Modulation de conductivit pour VDS non nul.

Sur cette figure, le canal n'est pas compltement bouch. Si on augmente la
tension VDS , VGS donne, l'paisseur isolante w2 va augmenter ; partir d'une
certaine tension VDS , correspondant une largeur du canal trs faible, le courant
va tendre vers une valeur constante, car deux phnomnes contradictoires vont
s'quilibrer :
- une augmentation de VDS devrait entraner un accroissement du courant dans le
canal (loi d'ohm),
- mais cette augmentation de VDS va accrotre la tension VDG, qui aura pour effet
d'agrandir la zone de dpltion et entraner une diminution de la largeur du canal,
donc, de sa rsistivit.
Un accroissement de la tension VDS ne va donc pas entraner une augmentation du
courant dans le canal (le courant de drain), mais une augmentation de la rsistivit
de ce canal. Le courant de drain va tendre vers une valeur constante.
4.2.3.
Caractristiques
A partir de ce qui a t dit dans le paragraphe prcdent, on peut dj deviner trois
choses :
- Si VGS = VP , dans tous les cas, quelle que soit la tension VDS , le courant dans le
canal sera nul. En effet, une tension VDS non nulle ne fera que renforcer le
phnomne de pincement.
- Le courant de drain deviendra d'autant plus vite constant que la tension |VGS |
sera plus leve.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
72
Rsum Thorique et
- Le courant constant maximum sera obtenu pour une tension grille-source nulle.
Les caractristiques du FET s'en dduisent aisment.
Caractristique d'entre.
Nous avons vu que le FET sera toujours utilis avec une polarisation grille-canal
ngative, soit VGS < 0. La caractristique correspondante est donc celle d'un
interrupteur ouvert : courant nul quelque soit la tension applique. En pratique, on
aura un trs lger courant de fuite caractristique d'une jonction diode polarise en
inverse. Ce courant double tous les 6C pour le silicium. A temprature ambiante,
il sera infrieur au A, et plutt de l'ordre de quelques nA.
Caractristiques de sortie et de transfert.

La figure 5 reprsente les caractristiques de transfert IDS = f (VGS) gauche, et de
sortie IDS = f (VDS , VGS) droite.
Figure 4- 5. Caractristiques du FET jonction.

La caractristique de sortie peut tre dcompose en deux grandes zones :
- la partie correspondant au fonctionnement courant constant (zone de
pincement), et qui servira l'amplification de petits signaux de la mme manire
que pour le transistor bipolaire.
- la zone ohmique (en gris sur la figure 4- 5.) : dans cette zone, le FET est
assimilable une rsistance dont la valeur est fonction de la tension VGS . On ne
reprsente que la partie positive de la caractristique, mais en fait, le canal
conducteur peut laisser passer le courant dans les deux sens (c'est juste un barreau
de silicium conducteur, ce n'est pas une jonction. Le seul dfaut qui limite les
valeurs ngatives de VDS est le fait qu'au del d'une certaine tension ngative de
drain, la tension grille-drain devient positive, la jonction grille-canal tant alors
polarise en direct ; le FET ne fonctionne plus correctement. Nanmoins, et
condition de rester dans le domaine des petits signaux (quelques dizaines
quelques centaines de mV), on peut considrer le FET comme une rsistance dont
la valeur est pilote en tension.
On notera que les caractristiques de sortie ont une allure connue : on retrouve
celles du transistor bipolaire. La principale diffrence provient du mode d'attaque,
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
73
Rsum Thorique et
comme indiqu en introduction : le FET est command en tension, et non en

courant, comme l'est le bipolaire.
Ce rseau de courbes est born en bas (ID = 0, VGS = VP ), et en haut (ID = IDSS ,
VGS = 0). IDSS est la valeur maxi de courant de drain qui pourra circuler dans le
composant. Cette valeur est de l'ordre de quelques mA quelques dizaines de mA
pour les FETs courants. La tension de pincement VP est de l'ordre de quelques
volts (typiquement de -2 -8V).
La zone ohmique est sensiblement diffrente de la zone de saturation du transistor
bipolaire. La fonction rsistance commande est spcifique au FET et ne peut pas
tre ralise de cette faon avec un transistor bipolaire.
Pour une mme rfrence de FET (2N3819 par exemple), la dispersion de IDSS et
VP sera trs importante, plus encore que la dispersion observe pour les
caractristiques des transistors bipolaires. Ceci fait que ces transistors ne pourront
pas tre utiliss sans prcautions dans des montages pointus, ni plus forte raison,
dans des montages de prcision.
La caractristique de transfert IDS = f (VGS) rsume bien les limites du FET :
courant de drain nul pour une tension VGS gale la tension de pincement VP, et
courant maxi IDSS pour une tension VGS nulle. La courbe est assez bien
approxime par une parabole d'quation :
La drive de cette loi va nous renseigner sur l'aptitude du transistor amplifier :

en effet, pour un courant IDS donn, la drive (qu'on appelle judicieusement la
pente du FET) va tre gale :
Cette pente est le rapport de la variation du paramtre de sortie (IDS ) et du

paramtre d'entre (VGS ) ; elle est bien reprsentative de l'amplification d'un
signal d'entre. La valeur maximum, atteinte pour VGS = 0, vaut :
On peut alors exprimer l'quation [4] sous la forme condense suivante :
La pente du FET est en moyenne relativement faible, soit quelques mA/V, au

mieux quelques dizaines de mA/V. Elle dpend de la tension VGS (la tension de
polarisation) : comme pour le transistor bipolaire, l'amplification ne sera pas
linaire ; on fera l aussi des hypothses de fonctionnement en petits signaux.
On peut d'ailleurs faire un parallle avec l'amplification du transistor bipolaire. A
elle seule, la caractristique de transfert du FET correspond la caractristique
globale entre + transfert du bipolaire. En effet, dans ce dernier, la vraie
caractristique de transfert est une transformation courant-courant IC =f (IB), la
caractristique d'entre oprant la conversion tension-courant. De ce point de vue,
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
74
Rsum Thorique et
on peut considrer le bipolaire comme un gnrateur de courant command en

tension (la diffrence avec le FET est qu'il consomme du courant). La pente du
transistor bipolaire (le rapport IC / VBE) vaut alors :
Pour un courant collecteur de 1,3mA et un de 150, le h11e vaut 3k , ce qui fait

une pente d'environ 50mA/V.
La pente du transistor bipolaire est environ 5 10 fois plus leve que celle d'un
FET typique. L'amplification qu'on pourra attendre d'un FET sera plus faible que
celle obtenue dans les mmes conditions avec un bipolaire.
4.3
Schmas quivalents
4.3.1.
Symboles des FETs.

Le FET est reprsent par les symboles suivants :
Figure 4- 6. Symboles lectriques des FETs.

La flche reprsente la jonction grille / canal, et son sens indique quel serait le
sens du courant si la jonction tait passante.
Pour le FET canal N, le courant ID circulera dans le sens reprsent sur la figure 6,
la tension VDS sera positive et la tension VGS ngative.
Pour le FET canal P, la tension VDS sera ngative et la tension VGS positive. Le
courant de drain circulera de la source vers le drain.
4.3.2.
Schma quivalent en petits signaux.

Ce schma, comme pour le transistor bipolaire, concerne un composant
convenablement polaris : le fonctionnement se fera dans la zone de pincement.
On construit le schma quivalent de la mme manire que pour le transistor
bipolaire.
Figure 4- 7. Schma quivalent alternatif petits signaux.

Le schma Fig.4- 7. est celui relatif au FET canal N. L'entre se fait sur la grille.
On note un trou entre grille et source : l'impdance grille-source est trs leve,
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
75
Rsum Thorique et
on la considre en premire approximation comme infinie. En sortie, on retrouve

les mmes lments que pour le transistor bipolaire : une source de courant
(commande par la tension VGS , et non par un courant), et sa rsistance parallle
. Comme pour le transistor bipolaire, cette rsistance est trs leve (plusieurs
centaines de k ), et on la ngligera dans toutes les applications courantes.
4.4
Montage source commune

Ce montage est le pendant du montage metteur commun pour le bipolaire. Le
fonctionnement sera donc totalement similaire. Un montage drain commun existe
aussi, qui est le pendant du montage collecteur commun du bipolaire ; ce montage
n'a toutefois que peu d'intrt, car le FET est un composant trs forte impdance
d'entre, et ce, on va le voir, mme lorsqu'il est utilis en source commune.
Nous allons voir le montage source commune pour le FET de type N. Le montage
canal P s'en dduit aisment.
4.4.1.
Polarisation.
Il faut tout d'abord noter que la zone ohmique est relativement tendue, surtout
vers les fortes valeurs de IDS . On veillera polariser le composant pour que la
tension de repos VDSo ne soit pas trop faible, de manire ce qu'il fonctionne dans
la zone gnrateur de courant .
Figure 4- 8. Montage source commune.

Nous avons vu lors de l'explication du principe de fonctionnement du FET que le
bon fonctionnement ncessitait une alimentation positive pour polariser le canal
drain-source, et une alimentation ngative pour polariser la grille par rapport la
source. Ce raisonnement est valable si on place la source la masse.
En pratique, on va relier la grille la masse par une rsistance de forte valeur ;
comme le courant qui circule dans la grille est trs faible (courant de fuite), le
potentiel de la grille va tre pratiquement nul. Il reste trouver une astuce pour
mettre la source un potentiel positif, ce qui fera VSG positif, donc VGS ngatif.
Pour ce faire, on intercale une rsistance entre la source et la masse. Le courant de
drain va circuler dans cette rsistance et lever le potentiel de la source par rapport
la grille. Deux phnomnes vont alors se contrarier :
- Le courant de drain est maxi pour VGS = 0 ; au dmarrage, on aura donc un fort
courant dans la rsistance de source, donc une forte tension.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
76
Rsum Thorique et
- mais, au fur et mesure que la tension va augmenter, la tension |VGS | va

augmenter aussi, ce qui va avoir pour effet de limiter le courant de drain.
Les deux phnomnes vont s'quilibrer. La valeur du courant de drain va dpendre
des caractristiques du FET (IDSS et VP ), et de la rsistance de source : c'est cette
dernire qui nous permettra d'ajuster le courant de drain.
La tension de polarisation sur RS sera de l'ordre de quelques volts (typiquement 1
3V).
Il ne reste plus qu' alimenter le drain l'aide d'une source de tension, en
intercalant une rsistance RD qui aura pour fonction (comme pour le montage
metteur commun du bipolaire) la conversion courant / tension permettant
d'exploiter le signal de sortie.
On choisira le courant de drain (ou la rsistance RD ) de manire ce que la chute
de tension dans cette rsistance soit gale la tension de polarisation VDSo , ceci
pour assurer un maximum de dynamique au signal alternatif.
On rajoute un condensateur de dcouplage CD sur RS pour que la source soit
effectivement la masse en alternatif. Sans ce condensateur, on aurait un effet de
contre raction qui affaiblirait beaucoup le gain en tension.
Vu que la grille est au mme potentiel que la masse (autant dire zro !), le
gnrateur d'entre, s'il dlivre uniquement un signal alternatif, peut tre coupl
directement la grille, sans condensateur de liaison. La sortie se faisant sur le
drain, en revanche ncessite un condensateur de liaison pour ne pas perturber les
tages avals.
4.4.2.
Fonctionnement en petits signaux.

Nous avons vu que la caractristique de transfert du FET n'est pas linaire : nous
allons donc tre obligs de travailler en petits signaux pour pouvoir linariser le
montage et utiliser les lois fondamentales de l'lectricit.
Schma quivalent.
Le schma quivalent se construit de la mme manire que pour les montages
transistors bipolaires. On utilise le schma quivalent du FET de la figure 7, et on
obtient :
Figure 4- 9. Schma quivalent en alternatif petits signaux.

Ce schma est trs similaire celui de l'metteur commun du transistor bipolaire.
La diffrence essentielle est que le gnrateur de courant est command par la
tension VGS , et non pas par un courant ib .
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
77
Rsum Thorique et
4.4.3.
Gain en tension.
Les quations sont quasiment triviales. En entre, on a :
En sortie, si on nglige , dont la valeur est trs leve vis vis de RD , on a :
On en tire aisment le gain en tension vide :
Ce gain a une valeur relativement faible, due au fait que g ne dpasse gure la
dizaine de mA/V : on aura des valeurs comprises entre 10 et 50 environ.
On peut faire l'analogie avec le montage metteur commun en bipolaire, dont le
gain tait gal -38,5 ICo RC . Le terme 38,5 ICo avait t appel la pente du
transistor. RC a la mme fonction que le RD du montage FET, et pour des valeurs
identiques de tension d'alimentation et de courant de drain / collecteur (par
exemple 1mA), leur valeur sera la mme. La diffrence se fera donc sur la pente,
soit 38,5 mA/V pour le bipolaire contre 5 mA/V en typique pour le FET.
4.4.4.
Impdance d'entre.
La solution est triviale :
On veillera ne pas choisir une valeur trop leve tout de mme pour que la chute
de tension occasionne par le courant de fuite de la grille soit ngligeable. On
choisira typiquement une valeur de l'ordre de quelques M . L'avantage sur les
montages bipolaires est vident.
4.4.5.
Impdance de sortie.
On se retrouve exactement dans le mme cas de figure que pour le montage
metteur commun du bipolaire. En oprant la mme transformation nortonthvenin que pour ce dernier montage, on trouve :
Cette valeur est moyenne, RD valant typiquement quelques k . On ne pourra
gnralement pas utiliser ce montage sans un tage adaptateur d'impdance en
aval.
4.5
Utilisation en rsistance commande

Si on utilise le FET dans la zone ohmique, on peut faire varier la rsistance du
canal en modifiant la tension VGS . Le FET est utilis dans un montage
potentiomtrique (diviseur de tension) mettant en jeu la rsistance RDS du canal et
une rsistance additionnelle R.
Sur le schma figure 10, on remarque un rseau r-r-C reliant le drain la grille et
la commande. On pourrait appliquer directement la tension VC sur la grille, mais
en rajoutant ce rseau, on amliore la linarit, notamment pour des tensions VE ,
donc VS ngatives : en effet, on a dj vu que dans ce cas, la jonction grille-canal
est polarise en direct, et le FET ne travaille pas convenablement. En appliquant
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
78
Rsum Thorique et
sur la grille la moiti de la tension alternative prsente sur le drain, on amliore

sensiblement la linarit et la tension maxi d'utilisation du FET en rsistance
commande. Cette tension maxi demeure faible (quelques dizaines quelques
centaines de mV).
Figure 4- 10. Utilisation en rsistance commande.

Cette fonction est utilise en particulier dans des amplificateurs commande
automatique de gain (CAG), qui permettent de garantir un niveau de sortie
constant avec un niveau d'entre fluctuant (exemple : rglage automatique du
niveau d'enregistrement des magntophones cassette audio bon marchs).
Une autre application dduite de la fonction rsistance commande est le
commutateur analogique : si on applique une tension suprieure ou gale en valeur
absolue la tension de pincement VP sur la commande, la rsistance de drain va
devenir trs grande (quelques M ). Si on choisit pour R une valeur moyenne
(quelques dizaines de k ), la tension VS sera quasiment gale la tension VE :
tout le signal passe.
Si on applique maintenant une tension nulle sur la grille, la rsistance du FET sera
minimum (quelques centaines d'ohms), et la tension VS sera quasiment nulle.
On a ainsi ralis un commutateur analogique. Cette fonction est trs utilise sous
forme de circuits intgrs et permet le multiplexage de signaux analogiques, une
fonction indispensable pour les dispositifs d'acquisition de donnes.
4.6
Source de courant
Figure 4- 11. Source de courant deux bornes.

On a vu lors de la polarisation du montage source commune comment procder
pour obtenir un courant de polarisation de drain constant. L'ajustage de la
rsistance de source dfinit le courant de drain. Si on retire du montage source
commune la rsistance de drain, on se retrouve avec un dispositif deux bornes
susceptible de garantir un courant constant dans le circuit sur lequel il sera
branch.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
79
Rsum Thorique et
Des circuits intgrs existent, qui comprennent le FET et sa rsistance de

polarisation (la rsistance de grille est ici inutile), et qui peuvent servir de sources
de courant prrgles. Des restrictions limitent toutefois leur usage :
- le composant est polaris : le courant ne peut circuler que dans un seul sens.
- ce dispositif ne gnre pas de courant, il le rgule (comme la zner rgule une
tension).
- la tension applique entre les deux bornes du composant doit tre au moins
suprieure la tension VGS de polarisation permettant le fonctionnement du FET
dans sa zone de pincement.
4.7
Domaine dutilisation
De par sa constitution, le FET jonction n'est pas adapt du tout aux forts
courants. Il va rester cantonn aux applications d'amplification et de traitement des
petits signaux.
Il est utilis dans des montages haute impdance d'entre et faible bruit :
pramplificateurs pour signaux de faible niveau par exemple.
La fonction rsistance commande est beaucoup utilise. Il y a bien sr des
restrictions d'utilisation : la portion de caractristique ohmique est linaire pour
des faibles variations de tension (gure plus de 100mV), ce qui ncessite des
prcautions de mise en uvre .
Mais, le JFET, de par la dispersion de ses caractristiques d'un composant l'autre
reste difficile matriser dans des montages composants discrets. On a intrt
les trier si on dsire un rsultat fiable et rptable.
Dans ces conditions, l'utilisation la plus importante qui est faite de ces transistors
est l'intgration dans des composants tels les amplificateurs oprationnels : la trs
forte impdance d'entre des JFET leur donne un avantage dcisif par rapport aux
bipolaires, et aujourd'hui, la plupart des ampli-op de qualit possdent au
minimum un tage d'entre en JFET.
Pour ce qui est du volet puissance, il existe un autre composant trs bien adapt :
le MOSFET.
5.
TRANSISTOR MOS FET

Les transistors MOSFET reprennent plusieurs caractristiques de FETs
jonction : ils se dclinent en deux versions, le canal N et le canal P, et les
lectrodes vont aussi s'appeler drain, source et grille, leur fonction tant la mme
que pour les JFETs.
5.1
Le MOSFET canal induit

Description.
Dans un substrat faiblement dop P, on insre deux zones N fortement dopes. Ces
deux zones seront la source et le drain du MOSFET ; elles sont distantes d'une
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
80
Rsum Thorique et
dizaine de m (spares par le substrat P). La source est gnralement relie au

substrat.
La grille n'est pas directement relie au substrat P ; elle en est isole par
l'intermdiaire d'une trs fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de
silicium). Cette caractristique donne son nom au MOSFET : Metal Oxyde
Semiconductor.
La grille est ainsi isole du substrat : le courant de grille sera nul en continu.
Figure 5- 1. Schma de principe d'un MOSFET canal N.
Principe de fonctionnement.
Si VGS = 0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est
compos de deux jonctions en srie, l'une PN, l'autre NP : il y en aura toujours une
en inverse.
Lorsqu'on applique une tension VGS positive, l'lectrode de grille, l'isolant et le
substrat P forment un condensateur.
Figure 5- 2. Phnomne d'inversion.

Les lectrons (porteurs minoritaires du substrat P) sont alors attirs vers la grille.
Pour une tension VGS suffisamment leve (tension de seuil), la concentration en
lectrons dans le substrat est suprieure la concentration en trous au voisinage de
la grille ; on a alors une couche N dite couche d'inversion entre les zones N de la
source et du drain. Les deux jonctions disparaissent, on n'a plus qu'un canal N, et
le courant peut passer entre drain et source.
Mais, pour une tension VDS suprieure VGS , on annule la tension grille-drain, et
donc l'effet condensateur : on a un phnomne de pincement du canal induit N
comme pour le JFET. Le courant de drain tend alors vers une valeur constante, de
la mme manire que pour le JFET.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
81
Rsum Thorique et
Ce mode de fonctionnement est appel enrichissement , car une tension VGS

positive enrichit le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du
courant.
Caractristiques.
Figure 5- 3. Caractristique de sortie du MOS canal N.

La caractristique de sortie est similaire celle d'un JFET, sauf que le courant de
drain pourra atteindre plusieurs ampres pour des composants de puissance. On
note la zone en fonctionnement ohmique, tout fait similaire celle des JFETs, et
permettant les mmes applications.
La caractristique de transfert a la forme suivante :
Figure 5- 4. Caractristique de transfert du MOS canal N.

Cette caractristique de transfert est appele la transconductance du MOS, et est
exprime en siemens (S). Pour des MOS de puissance, elle vaut plusieurs siemens
(1 10 typiquement), soit des valeurs beaucoup plus importantes que pour les
JFETs (quelques mS).
La tension de seuil atteint plusieurs volts (1 3 typique). Ce seuil varie avec la
temprature.
5.2
Le MOSFET canal initial (implant)
5.2.1.
Description du principe de fonctionnement.

Le MOSFET canal initial a la mme structure que le MOS canal induit, avec
en plus, un canal faiblement dop N entre la source et le drain.
Pour VGS nulle, Ce transistor fonctionne comme un JFET : un courant de drain
pourra circuler ; quand VDS augmente, un phnomne de pincement se produit, qui
obstrue le canal : le courant de drain devient constant.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
82
Rsum Thorique et
Si VGS est infrieure ou gale 0, on acclre le pincement (le condensateur form

par la grille, l'isolant et le canal attire des trous dans le canal initial qui neutralisent
les lectrons de cette zone N) : on fonctionne en rgime d'appauvrissement.
Au contraire, pour VGS suprieure 0, on retrouve le fonctionnement du MOS
canal induit, et le courant de drain va crotre.
Figure 5- 5. MOSFET N canal initial..
5.2.2.
Caractristiques.
La caractristique de transfert est la suivante :
Figure 5- 6. Caractristique de transfert d'un MOS canal initial
5.3
Utilisation des MOSFETs

De par leur constitution, les transistors MOS sont trs fragiles, notamment au
niveau de la grille. Les dcharges lectrostatiques sont proscrire, car elles
peuvent casser le composant, ou pis, l'endommager sans que ses caractristiques
ne changent : c'est la fiabilit qui est compromise.
5.3.1.
MOSFET de puissance.
Les MOS servent beaucoup en commutation de puissance, car ils sont trs rapides
et commandables en tension. On notera toutefois qu' frquence leve, la grille
formant un condensateur avec le substrat, elle ne prsente plus une impdance
infinie, comme en statique !
Quand ils sont passants, ils fonctionnent dans la zone ohmique, et leur
caractristique essentielle est, avec la tension VDS maxi, la rsistance RDS , qui
peut tre aussi basse qu'une dizaine de m .
5.3.2.
Intgration dans les composants numriques.

La technologie MOS se prte trs bien l'intgration grande chelle : elle permet
de raliser des composants logiques consommant trs peu de courant, et permet
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
83
Rsum Thorique et
ainsi un trs grand niveau d'intgration (exemple : mmoires, microprocesseurs,

circuits logiques divers ) Les transistors MOS sont utiliss ici en commutation.
6.
AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
Comme nous avons pu le constater dans les chapitres prcdents, les montages
amplificateurs de base transistors ne sont pas trs commodes d'emploi :
- ils ne transmettent pas le continu ;
- ils sont tributaires des dispersions des transistors, ce qui fait que leurs
caractristiques sont imprcises et non rptables ;
- leurs performances sont moyennes, et moins d'aligner un montage plusieurs
transistors, on ne peut pas avoir simultanment fort gain en tension, haute
impdance d'entre et faible impdance de sortie.
Les amplificateurs oprationnels sont ns au dbut des annes 60, quand on a
commenc intgrer plusieurs transistors et rsistances sur le mme substrat de
silicium ; cette technologie a permis de btir des montages complexes, et de les
faire tenir sur une petite plaquette de silicium encapsule dans un botier
(gnralement 8 broches) commode d'emploi.
Avec ces composants, on a eu accs des amplificateurs simples d'utilisation,
transmettant des signaux continus, et mise en uvre facile l'aide de quelques
composants annexes (rsistances, condensateurs...) ; les caractristiques des
montages obtenus ne dpendent quasiment plus de l'amplificateur oprationnel,
mais uniquement des composants passifs qui l'accompagnent, ce qui garantit une
bonne fiabilit du rsultat et assure sa rptabilit.
Les amplificateurs oprationnels ont beaucoup progress depuis leur cration, et
tendent maintenant devenir trs proches de l'amplificateur idal (l'amplificateur
oprationnel parfait, AOP).
6.1
L'amplificateur oprationnel parfait
6.1.1.
Principe
A la base, l'AOP est un amplificateur diffrentiel, donc muni de deux entres ,
l'une dite non inverseuse (V+) et l'autre inverseuse (V-), et d'une sortie (s) :
Figure 6- 1. Symbole d'un amplificateur diffrentiel.

La fonction de transfert complte en continu (en pratique, Avd et Avmc dpendent
de la frquence) de cet amplificateur est donne par la formule :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
84
Rsum Thorique et
Avd est le gain en tension diffrentiel de l'amplificateur, et Avmc le gain en

tension de mode commun. Dans le cas d'un amplificateur parfait, on fait
l'hypothse que ces gains ne dpendent pas de la frquence.
Les gains, ainsi que les impdances d'entre et de sortie d'un AOP doivent
rpondre des critres prcis. On peut donner un schma quivalent de l'AOP :
Figur 6- 2. Schma quivalent d'un AOP.
6.1.2.
Caractristiques de base
Pour que cet amplificateur soit parfait, les gains en tension doivent rpondre aux
caractristiques suivantes :
- Avd =
- Avmc = 0
On distingue deux types d'impdances d'entre dans un AOP : l'impdance
diffrentielle et celles de mode commun, qui sont dfinies sur le schma de la
figure 6- 2.
Un ampli parfait doit rpondre aux critres suivants du point de vue des
impdances :
- Zed =
- Zemc =
- Zs = 0
En rsum : un amplificateur oprationnel parfait est un amplificateur de
diffrence pur gain diffrentiel infini, rejetant parfaitement le mode
commun, dont les impdances d'entres sont infinies et l'impdance de sortie
est nulle.
En pratique, nous verrons que l'amplificateur oprationnel rel prsente des
dfauts par rapport l'idalisation que constitue l'AOP, mais le modle de ce
dernier est suffisant pour tudier la plupart des montages simples sans faire des
calculs laborieux et inutiles : en effet, du point de vue impdances et gains, et sauf
utiliser les composants leurs limites, les amplis rels sont suffisamment prs
des AOP pour qu'on fasse les approximations avec une erreur minime (trs
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
85
Rsum Thorique et
souvent mieux que le %). Seul le comportement frquentiel pose vraiment

problme par rapport au modle idal.
6.1.3.
Fonctionnement dun systme boucl

Tous les montages fondamentaux vont tre tudis avec les hypothses relatives
au modle d'AOP parfait telles que dcrites prcdemment.
Dans ces hypothses, on a vu que le gain en tension diffrentiel tendait vers
l'infini : cela implique que la tension d'entre diffrentielle (V+ - V-) va devoir
tendre vers 0 pour que la tension de sortie soit finie (voir quation [1]).
Une grande consquence de ceci est qu'on n'utilisera (quasiment) jamais un
amplificateur oprationnel en boucle ouverte pour un fonctionnement linaire ; on
l'utilisera toujours avec une contre raction, soit en boucle ferme : on rinjectera
une fraction de la tension de sortie sur l'entre inverseuse (retour du signal en
opposition de phase). Nous allons maintenant tudier quelques rudiments de la
thorie des systmes boucls pour mieux comprendre le fonctionnement des
montages classiques utilisant des AOP.
Schma-bloc d'un systme boucl.

On peut reprsenter un systme boucl une entre et une sortie de la manire
suivante :
Figure 6- 3. Systme boucl.

Le signal est d'abord attnu en passant dans le bloc de fonction de transfert (qui
dans beaucoup de cas est gale l'unit : on peut alors supprimer ce bloc), et
arrive ensuite dans un mlangeur diffrentiel.
Dans ce mlangeur, une fraction du signal de sortie est soustraite du signal
d'entre attnu. Le tout est multipli par la fonction de transfert du bloc A. On
obtient l'quation suivante :
On peut en tirer le rapport H=s/e, qui est la fonction de transfert du systme
boucl :
Le produit AB est le gain de boucle du systme ; dans un systme boucl, on

cherche ce qu'il soit le plus grand possible de manire ce que H dpende trs
peu de A. En effet, si AB>>1, on peut crire :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
86
Rsum Thorique et
Si et B sont bien matriss (ce sont la plupart du temps des rseaux constitus de
composants passifs de prcision correcte), la fonction de transfert H ne dpendra
quasiment plus de la fonction de transfert A, qui pourra tre assez imprcise,
pourvu que sa valeur soit leve. On ralise un asservissement de la sortie
l'entre au facteur /B prs.
Deux autres avantages (que nous ne dmontrerons pas ici) concernent les
impdances d'entre et de sortie :
- l'impdance diffrentielle d'entre est multiplie par le gain de boucle.
- l'impdance de sortie est divise par le gain de boucle.
Ces deux proprits sont importantes, car elles vont permettre d'amliorer les
performances apparentes des amplificateurs rels, et donc de justifier encore
mieux le fait qu'on utilise le modle de l'AOP pour faire les calculs.
Application l'AOP.
Le fonctionnement en asservissement tel que dcrit prcdemment va convenir
idalement aux amplificateurs oprationnels : ceux-ci prsentent un gain en
tension trs lev, mais dfini un facteur trois ou quatre prs sur un lot de
composants et en fonction des conditions d'utilisation (charge, temprature...). Le
fait de les boucler va permettre de s'affranchir de leurs imperfections.
L'AOP est un amplificateur diffrentiel grand gain. On peut reprendre le schma
de la figure 6- 3 et l'adapter son cas.
Figure 6- 4. L'AOP boucl.

Ce montage appelle quelques commentaires :
- La fonction de transfert A est le gain diffrentiel de l'amplificateur (infini pour
un AOP, trs grand et dpendant de la frquence pour un ampli rel).
- les blocs et B sont des quadriples (donc munis de deux entres et de deux
sorties) ; dans le cas des montages AOP, ces quadriples ont en fait une entre et
une sortie relies la masse : elles ne sont pas reprsentes sur les schmas blocs.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
87
Rsum Thorique et
- si le signal d'entre e rentre (via le bloc ) sur l'entre V-, il faudra rajouter un
signe - pour que les quations prcdentes soient vrifies.
On a vu que dans le cas de l'AOP, le gain A est infini. Le gain de boucle sera donc
lui aussi infini, et la sortie du mlangeur diffrentiel, on va avoir un signal qui
tend vers 0 pour que le signal de sortie s ait une valeur finie.
L'amplificateur ne va pas amplifier le signal proprement dit, mais l'cart entre
l'entre et la sortie qui va donc copier fidlement l'entre au facteur /B prs. On
parle alors d'amplificateur d'erreur.
Calcul des montages AOP.

Il existe deux alternatives pour calculer les montages amplificateurs
oprationnels : utiliser la loi d'ohm, ou les traiter par la mthode des schmasblocs.
Pour la suite du cours, les montages (qui sont des montages de base, donc simples)
seront calculs l'aide de la loi d'ohm ; toutefois, pour illustrer au moins une fois
le calcul par schma-blocs, nous allons traiter l'amplificateur inverseur par cette
mthode.
Pour des montages un peu compliqus, la loi d'Ohm (et ses drivs : thorme de
superposition, Thvenin...) donnent assez vite des mises en quation laborieuses ;
de plus, si on veut prendre en ligne de compte le comportement frquentiel de
l'amplificateur rel, les calculs deviennent trop complexes et peu intelligibles.
On calculera alors les montages par la mthode des blocs. Cette mthode est aussi
trs pratique dans le cas de calcul de fonctions de transferts l'aide d'outils
informatiques : le problme est bien dcompos et donc plus facile simuler.
6.2
Montages de base amplificateur oprationnel

Dans "amplificateur oprationnel", il y a deux mots :
- amplificateur : c'est la fonction de base de ce composant ; on va tudier
plusieurs montages amplificateurs de base.
- oprationnel : les caractristiques de cet ampli nous donnent la possibilit de
crer des fonctions mathmatiques telles que drive, intgrale, Log... Ces
fonctions ont autrefois (il y a 25 ans !) t utilises dans des calculateurs
analogiques, et permettaient notamment de rsoudre des quations diffrentielles,
et ainsi de simuler des rponses de systmes physiques divers (mcaniques,
acoustiques...). D'o le nom "oprationnel". Nous tudierons les fonctions
oprationnelles de base.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
88
Rsum Thorique et
6.2.1
Amplificateur inverseur
C'est le montage de base amplificateur oprationnel. L'entre non inverseuse
est relie la masse ; le signal d'entre est reli l'entre inverseuse par une
rsistance R1, et la sortie est relie cette entre par une rsistance R2.
Figure 6- 5. Amplificateur inverseur.
Calcul par la loi d'ohm.

La mise en quation est trs simple, et s'appuie sur les conditions vues lors de la
dfinition de l'AOP :
- les impdances d'entre tant infinies, il n'y a pas de courant qui rentre dans
l'entre inverseuse (V-) ; par consquent, tout le courant i arrivant dans R1 ira par
R2 vers la sortie de l'AOP.
- Le gain Avd est infini ; dans ces conditions, (V+ - V-) va tendre vers 0.
De cette dernire constatation, on peut tirer une quation simplissime, mais
fondamentale, et toujours vraie en fonctionnement linaire :
Comme V+ est la masse, V- se retrouve au mme potentiel : comme ce point n'est
pas reli physiquement la masse, on parle de masse virtuelle ; pratiquement, et
du point de vue calcul, tout se passe comme si V- tait vraiment reli la masse.
Ces constatations tant faites, le calcul du gain en tension est un jeu d'enfant :
On fera attention l'expression [7] : la tension et le courant sont dans le mme

sens, d'o le signe -.
Le gain en tension est donc ngatif, et sa valeur ne dpend que des deux
rsistances R1 et R2, qui peuvent tre trs prcises : contrairement aux montages
transistors, le rsultat va tre fiable et rptable !
Le calcul de l'impdance d'entre est aussi simple :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
89
Rsum Thorique et
On voit ici les limites de ce montage amplificateur : pour obtenir un fort gain en
tension, il faut augmenter R2 et diminuer R1 ; or, on va de ce fait diminuer
l'impdance d'entre. Comme celle ci devra rester suffisamment grande et que
d'autre part, on ne peut pas augmenter R2 au del de quelques M (problmes de
bruit, les imperfections des amplis rels deviennent sensibles...), le gain sera limit
et ne pourra pas trop dpasser quelques centaines, ce qui est dj trs bon !
L'impdance de sortie sera nulle, comme celle de l'AOP, et comme celle de tous
les autres montages bass sur un AOP :
Gnralisation des diples quelconques.
Figure 6- 6. Amplificateur inverseur gnralis.

On a prcdemment tabli un rsultat pour deux rsistances R1 et R2 ; on peut
appliquer ce rsultat n'importe quels diples d'impdances Z1 et Z2. La
condition que Z1 et Z2 soient des diples est fondamentale. Le gain en tension
est le suivant :
Ceci ouvre la voie tout une panoplie de filtres et correcteurs en frquence divers
et varis ; le gros avantage de l'AOP par rapport des circuits purement passifs,
c'est qu'on va pouvoir amplifier le signal certaines frquences, et non plus
seulement l'attnuer, ce qui offre des dbouchs nouveaux et intressants.
6.2.2
Amplificateur non inverseur.

L'amplificateur non inverseur est le deuxime amplificateur de base. Pour calculer
le gain en tension, on va se servir de l'quation [5] et en dduire :
R2 et R1 forment un pont diviseur entre Vs et V- , soit :
On en tire :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
90
Rsum Thorique et
Figure 6- 7. Amplificateur non inverseur.

Le gain est non seulement positif (ampli non inverseur), mais il est aussi toujours
suprieur 1, alors que l'ampli non inverseur autorisait un gain (en valeur absolue)
infrieur 1, soit une attnuation. Notons que pour un ampli, cette caractristique
n'est pas trop gnante...
Pour ce qui est de l'impdance d'entre, on attaque directement l'entre de l'ampli :
elle sera donc infinie dans le cas d'un AOP, et trs grande dans tous les cas ; de
plus, elle ne dpend pas du gain choisi, ce qui laisse plus de latitude dans le choix
de R1 et R2 pour rgler le gain que dans le cas du montage inverseur. L'impdance
de sortie est nulle :
On a donc ici un ampli qui prsente des caractristiques idales ! En pratique, seul
le comportement en frquence de l'amplificateur oprationnel rel viendra ternir le
tableau.
On notera la simplicit de mise en uvre du montage, compar un tage
transistor : impdances idales, gain ajustable loisir et de faon prcise, voire
rglable par un simple potentiomtre, transmission de signaux continus, tout ceci
avec un seul amplificateur oprationnel (gnralement en botier 8 broches) et
deux rsistances !
Tout comme pour l'amplificateur inverseur, une gnralisation de ce montage est
faisable avec n'importe quels diples d'impdance Z1 et Z2 remplaant
respectivement les rsistances R1 et R2. l'expression du gain devient :
6.2.3
Montage suiveur.
Ce montage est une extrapolation de l'ampli prcdent, avec R1 = et R2 = 0. On
obtient un montage tout simple, de gain unit, dont la seule fonction est
l'adaptation d'impdance. On le placera donc en tampon entre deux portions de
circuit de faon les isoler l'une de l'autre pour prvenir toute interaction parasite.
Ce circuit est aussi idal en entre et en sortie d'un montage pour bnficier
d'impdance d'entre infinie (ou presque) et d'impdance de sortie trs basse.
Figure 6- 8. Amplificateur suiveur.

OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
91
Rsum Thorique et
Aprs les fonctions d'amplification de base, on va voir plusieurs montages

oprationnels, dans le sens o ils vont raliser des oprations arithmtiques sur un
ou plusieurs signaux.
6.2.3
Additionneur inverseur.
Figure 6- 9. Amplificateur sommateur inverseur.

On a souvent besoin de mlanger plusieurs signaux ensemble ; la difficult rside
dans le fait qu'il faut viter toute interaction de rglage des gains affects aux
diffrentes entres, ceci pour deux raisons :
- si on doit recalculer tout l'chafaudage chaque modification du gain d'une
entre, ou en cas de rajout d'une entre, le montage n'est pas vraiment pratique.
- on ne peut pas faire varier le gain de chaque voie indpendamment des autres,
l'aide d'un potentiomtre, par exemple, alors que c'est une fonction souvent
demande ce genre de montage.
Le circuit dcrit ici permet de s'affranchir de ces dfauts.
la base de ce montage, on retrouve l'amplificateur inverseur ; on avait vu que
l'entre inverseuse tait considre comme une masse virtuelle, et qu'aucun
courant n'entrait dans l'AOP. De ce fait, chaque courant ii ne dpend que de la
tension d'entre Vei et de Ri relatif sa branche : il n'y aura donc pas d'interaction
entre les diffrentes entres.
On a :
La loi des nuds en V- nous donne :

En sortie, on a :
Au global, on obtient pour Vs :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
92
Rsum Thorique et
On voit qu'on peut ajuster le gain globalement en jouant sur R, et le gain de

chaque entre en jouant sur les rsistances Ri. Ce montage offre donc toutes les
souplesses.
On peut obtenir un additionneur inverseur pur en fixant toutes les rsistances du
montage la mme valeur.
Aux chapitre des inconvnients, l'impdance d'entre de chaque voie i est gale
la rsistance Ri :
La latitude de rglage cite prcdemment baisse donc un peu du fait de cette
contrainte, car plus le gain sera lev, plus l'impdance d'entre sera faible.
Comme d'habitude, l'impdance de sortie de ce circuit est voisine de 0.
6.2.4
Montage soustracteur (diffrentiel).

Ce montage permet d'amplifier la diffrence de deux signaux. C'est un montage de
base trs important en mesures.
Figure 6- 10. Amplificateur diffrentiel.

Pour calculer le gain en tension de cet tage, on va faire appel la formule du pont
diviseur et au thorme de superposition. Le lien va encore tre l'quation :
La tension sur l'entre non inverseuse est :
La formule du pont diviseur est ici applique sans approximation, car l'impdance
d'entre de l'AOP est infinie.
Le calcul de la tension sur l'entre inverseuse se fait en deux temps, et avec l'aide
du thorme de superposition :
Des quations [29], [30] et [31], on tire :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
93
Rsum Thorique et
La formule gnrale de la tension de sortie de ce montage est donc :
Tel quel, ce montage n'est pas un ampli de diffrence ; il faut imposer des
conditions sur les rsistances. Si on pose :
en remplaant k par sa valeur dans [33] et compte tenu de la proprit suivante :
on obtient :
On a bien en sortie la diffrence des deux signaux d'entre multiplie par le gain k.
Si les rsistances ne sont pas bien apparies deux deux dans le rapport de k
(condition [34]), le gain ne sera plus purement diffrentiel ; il va apparatre un
terme de mode commun. Ce dfaut sera expliqu en dtail dans le cours
d'lectronique 2 (Amplificateur d'instrumentation).
Les impdances d'entre Ze1 et Ze2 sont difficiles cerner, surtout celle de l'entre
inverseuse Ze2 ; on retiendra qu'elles sont diffrentes, ce qui peut poser des
problmes pour certaines applications.
On peut aussi dfinir une impdance d'entre diffrentielle Zed et une de mode
commun Zemc. Une de ces impdances est constante, c'est l'impdance d'entre
diffrentielle Zed :
Cette valeur est quivalente ce qu'on obtient avec l'amplificateur inverseur : elle
est faible quand le gain devient lev.
6.2.5
Montage intgrateur.
Nous attaquons ici les montages oprationnels plus sophistiqus que de simples
additions ou soustractions.
Figure 6-11. Montage intgrateur.

OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
94
Rsum Thorique et
Le calcul de la rponse Vs un signal d'entre Ve se traite comme dans le cas de

l'amplificateur inverseur. On a :
En sortie, le condensateur a aux bornes de ses armatures une charge lectrique q
gale :
Cette charge lectrique est l'intgrale du courant i qui traverse le condensateur ;
compte tenu du sens de i, on a :
Si on remplace dans [40] i et q par leur valeur en fonction de Ve et de Vs

(quations [38] et [39]), on obtient :
On retrouve en sortie l'intgrale du signal d'entre. Ce montage est dlicat

utiliser et devra faire l'objet de prcautions : en effet, la moindre tension continue
prsente l'entre (y compris et surtout une tension parasite) sera intgre et
gnrera une rampe en sortie. Il faudra donc prvoir des dispositifs annexes, soit
un systme de stabilisation, soit un systme de remise zro de la sortie.
6.2.6
Montage drivateur.
Ce montage est similaire au prcdent et se traite de la mme manire.
Figure 6-12. Montage drivateur.

En entre et en sortie, on a :
Le courant i est la drive de la charge lectrique q prsente sur les lectrodes du

condensateur :
Au final, on obtient :
La sortie est proportionnelle la drive de l'entre. Comme pour le montage

prcdent, avec un amplificateur rel, on aura des difficults faire fonctionner ce
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
95
Rsum Thorique et
circuit tel quel (systme instable), et il faudra rajouter des lments pour le rendre
pleinement fonctionnel.
6.2.8
Montage logarithmique.
Dans ce montage, on retrouve la structure traditionnelle de l'ampli inverseur, mais
avec une diode en contre-raction. Cette diode, dont la caractristique
courant/tension est logarithmique va nous donner une fonction de transfert de ce
type. En entre, on a :
Et en sortie :
Lorsque le terme en exponentielle est significativement suprieur 1 (Vd > 50mV

environ), on peut crire :
Soit, en remplaant i par sa valeur :
Figure 6- 13. Montage logarithmique.

En sortie, on trouve bien une fonction logarithmique du signal d'entre. Tel quel,
ce montage aurait peu d'intrt ; mais, si on se rappelle qu'additionner des
logarithmes revient faire une multiplication, on en peroit l'utilit !
En pratique, et une fois de plus, ce montage (bien que fonctionnel) n'est pas utilis
tel quel : d'abord, il ne fonctionne que pour des tensions d'entre positives, et il
ncessite de srieuses compensations thermiques pour permettre des oprations
prcises. De plus, on remplace souvent la diode par une jonction base-metteur de
transistor, linaire sur une plus grande plage de courant.
6.2.8
Montage exponentiel.
Pour multiplier deux signaux, il ne suffit pas de prendre le Log de chacun des
signaux, et d'additionner ; il faut ensuite prendre l'exponentielle du rsultat. Ce
circuit est fait pour a.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
96
Rsum Thorique et
Figure 6- 14. Montage exponentiel.

Par des calculs analogues aux prcdents, on dmontre facilement et de la mme
manire :
En pratique, on trouve des circuits intgrs tout faits comprenant le montage Log,
le montage exponentiel, ainsi que les compensations thermiques et diverses
possibilits de rglage de gain. Ces montages sont des multiplieurs analogiques, et
servent notamment, en mesures, linariser certains capteurs. A noter que ces
composants sont dlicats, coteux, et prsentent des drives importantes. L'utilit
de tels montages est devenue douteuse avec l'introduction massive du traitement
numrique.
6.2.9
Filtres actifs
L'amplificateur oprationnel ouvre les portes d'une kyrielle de fonctions de
filtrage, qu'on dnomme filtres actifs, par opposition aux filtres passifs (fabriqus
avec des composants du mme nom) qui ne peuvent qu'attnuer le signal. Avec un
AOP, on va pouvoir amplifier certaines frquences autant qu'en attnuer d'autres.
Il est hors de question d'aborder ici tous les filtres possibles (exercice qui n'a de
limite que la crativit humaine !) : le lecteur dsireux d'approfondir le sujet
pourra consulter des ouvrages spcialiss dans le filtrage, et aussi les data books
des fabricants d'amplificateurs, qui sont bien souvent une mine d'ides gratuites
(qu'on retrouve d'ailleurs souvent telles quelles dans des livres chers...).
Les filtres classiques d'ordre 1 prsentent peu d'intrt en filtrage actif, l'apport
tant faible (au mieux, adaptation d'impdance) par rapport au filtrage passif.
Nous allons voir deux filtres du deuxime ordre dont la fonction de transfert
prsente des racines imaginaires ; ceci n'est possible en filtrage passif que si on
fait appel des inductances, qui sont des composants encombrants, rares, imprcis
et coteux. Grce l'AOP, on va faire de tels filtres uniquement avec des
rsistances et des condensateurs.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
97
Rsum Thorique et
Passe bas 2e ordre.
Figure 6- 15. Filtre passe bas du deuxime ordre.

On peut remarquer qu' la base, la structure ressemble fort deux filtres passifs RC passe bas concatns. La diffrence vient du fait que le premier condensateur
n'est pas reli la masse, mais la sortie du filtre qui est isole de la deuxime
cellule passe-bas par un montage suiveur.
La rponse en frquence de ce montage est du type :
La fonction de transfert "gnrique" d'un filtre passe bas d'ordre 2 est du type :
On identifie les deux formules pour les valeurs suivantes de o et z :
Le rseau de courbes de rponse en frquence (amplitude et phase) de ce filtre est

donn en annexe 1 en fonction du coefficient de surtension z.
Passe haut 2e ordre.
Figure 6- 16. Filtre passe haut du deuxime ordre.

La topologie de ce filtre est la mme que celle du prcdent, sauf qu'on a permut
les rsistances et les condensateurs. La fonction de transfert est :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
98
Rsum Thorique et
La pulsation de cassure et le coefficient de surtension de ce filtre sont :
Il est possible de concatner les deux filtres prcdents, et de les combiner avec
des filtres du premier ordre pour obtenir un filtre d'ordre plus lev. Des ouvrages
traitant des filtres donnent les valeurs des frquences de cassure et coefficients de
surtension adquats pour obtenir la rponse en frquence dsire.
6.2.10
Montages non linaires

Les montages prcdents sont qualifis de "linaires" car l'amplificateur
fonctionne avec la condition V+ = V- , soit dans sa plage de fonctionnement en
amplificateur linaire. Il convient de noter que certains des montages tudis (ex :
montage logarithmique) ne sont pas linaires ! Mais, l'amplificateur, lui,
fonctionne en mode linaire.
Nous allons voir maintenant plusieurs montages (et il en existe bien d'autres) dans
lesquels cette condition n'est plus vrifie.
Pour ce faire, on va forcer artificiellement les deux entres des valeurs
diffrentes, ce qui impliquera en sortie, du fait du gain infini (trs grand pour les
amplis rels), que l'ampli ne pourra prendre que deux valeurs : Vsat+ et Vsat-, qui
sont respectivement les tensions de saturation positive et ngative de l'ampli. En
effet , ce dernier est aliment par deux sources de tension dont on ne pourra pas
dpasser la valeurs en sortie.
Vu que l'ampli ne peut prendre que les deux valeurs des tension en sortie, ces
montages sont appels montages en commutation, et peuvent tre interfacs avec
des circuits logiques, qui ne connaissent, eux aussi, que deux tats.
Comparateur de tensions.
C'est un montage qui sert de base de nombreux autres schmas plus labors.
Le principe est simple : on compare un signal d'entre une tension de rfrence,
et selon que la valeur du signal est suprieure ou infrieure la rfrence, l'ampli
prendra l'une ou l'autre des valeurs Vsat+ ou Vsat- en sortie.
Il existe deux configurations : le comparateur non inverseur (signal sur l'entre +)
et le comparateur inverseur (signal sur l'entre -). Dans le premier cas, si la
rfrence est gale 0, la sortie vaut Vsat+ quand le signal est positif et Vsat- sinon.
Dans le deuxime cas, on a l'inverse.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
99
Rsum Thorique et
Figure 6-17. Comparateur non inverseur.

Si on met un signal sinusodal l'entre, les chronogrammes d'entre et de sortie
sont :
Figure 6- 18. Comparateur : chronogrammes

Important : ce montage est souvent fait avec des amplificateurs oprationnels,
mais on remplacera avantageusement ce composant par un comparateur
diffrentiel, qui est une sorte d'amplificateur grand gain et deux entres aussi,
mais qui est prvu pour fonctionner en mode non linaire (commutation) de faon
bien plus rapide qu'un ampli op qui n'a pas des caractristiques exceptionnelles
dans ce domaine. De plus, ces composants sont souvent conus pour fonctionner
avec une seule alimentation 0-5V de manire s'interfacer facilement avec des
composants logiques.
Trigger.
Ce montage est trs utilis dans tout systme de mesure o l'on doit dtecter un
seuil : il est donc fondamental.
Il est une volution du comparateur, destine amliorer les performances avec
des signaux bruits.
Il existe plusieurs schmas possibles. Le montage suivant a t choisi comme cas
d'cole :
Figure 6-19. Trigger.

OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
100
Rsum Thorique et
A premire vue, ce montage ressemble un ampli inverseur, mais, il ne faut pas se

tromper : le rseau de rsistances R1, R2 est reli l'entre +, ce qui fait que cette
fois, le signal de sortie revient en phase sur l'entre ; on a non plus une contre
raction, mais une raction positive (effet boule de neige), ce qui entrane la
divergence de la tension de sortie vers une des valeurs Vsat+ ou Vsat- .
Dans ce montage (et les autres montages non linaires), l'amplificateur fonctionne
en comparateur : comme le gain est infini (ou trs grand), on a les relations :
Ici, la valeur de V- est triviale :

Et la valeur de V+ se calcule aisment l'aide du thorme de superposition :
Le basculement de la sortie de l'ampli se fait pour V+ = V- :
Dans cette formule, il faut garder l'esprit que Vs ne peut prendre que les deux
valeurs Vsat+ et Vsat- .
Dans le cas particulier o Vref = 0 et Vsat+ = |Vsat-| = Vsat, on aura :
La figure 6-20 donne les signaux d'entre, de sortie, et de l'entre + de

l'amplificateur, pour R1=10k et R2=33k :
Figure 6-20. Signaux sur le trigger

En fait, tout se passe comme si on avait un comparateur de tension ayant deux
seuils de basculement lis aux tats de la sortie : quand la sortie est l'tat bas, le
seuil a une valeur haute ; pass ce seuil, la sortie bascule l'tat haut, et le seuil
prend une valeur basse. De ce fait, pour faire rebasculer la sortie l'tat bas, il faut
que le signal diminue d'une quantit suprieure la valeur l'ayant faite basculer
prcdemment : c'est l'hystrsis du trigger.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
101
Rsum Thorique et
Un trigger est caractris par son cycle d'hystrsis (la rponse est diffrente
suivant la valeur de l'tat de la sortie).
Le cycle relatif aux signaux de la figure 6- 20 (mmes valeurs de composants) est
le suivant :
Figure 6- 21. Cycle d'hystrsis du trigger

Ce cycle est centr autour de zro, qui est la valeur de la tension de rfrence Vref.
On y voit les deux seuils de basculement de la sortie ; La diffrence de ces deux
seuils est la valeur de l'hystrsis.
Ce cycle est ici symtrique pour deux raisons :
- Vref = 0
- Vsat+ = |Vsat-| = Vsat
Si on modifie ces valeurs, le cycle va devenir asymtrique par rapport la tension
de rfrence.
Quelle est l'utilit d'un tel montage ? Lorsqu'on doit transformer un signal
analogique en signal numrique binaire (deux tats dfinis par une valeur de seuil
sur le signal analogique), si le signal d'entre varie trs lentement et/ou est bruit,
on peut avoir un phnomne oscillatoire en sortie de l'amplificateur d au bruit ou
des ractions parasites de la sortie sur l'entre. Pour prvenir ces oscillations, on
"verrouille" le signal de sortie en en rinjectant une partie sur l'entre +. Pour qu'il
y ait des oscillations parasites, il faut que la tension d'entre varie de l'oppos de la
valeur de l'hystrsis juste aprs le basculement. Cette dernire est ainsi ajuste en
fonction du bruit prsent sur le signal d'entre.
Comme pour le montage comparateur vu prcdemment, un comparateur
diffrentiel remplacera avantageusement l'amplificateur oprationnel.
Multivibrateur astable.
Le but de ce montage est de dlivrer un signal carr en sortie : c'est un gnrateur
de signal autonome.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
102
Rsum Thorique et
Figure 6- 22. Multivibrateur astable.

Sur le schma, on peut distinguer un trigger lgrement diffrent de celui de la
figure 6-19 : L'entre se fait sur l'entre - de l'ampli ; l'hystrsis se fait l aussi par
un rseau de rsistances en raction positive sur l'entre +, une des extrmits de
R1 tant relie la tension de rfrence (ici, la masse).
L'entre est connecte ici un circuit R-C aliment par la sortie de l'amplificateur.
Un oscillogramme est donn en figure 6-23, qui permet de mieux comprendre le
fonctionnement de ce montage.
Figure 6- 23. Signaux sur un multivibrateur

Nous ferons l'hypothse que Vsat+ = |Vsat-| = Vsat.
Supposons qu' la mise sous tension, le condensateur soit dcharg, et que
Vs=+Vsat. La tension aux bornes de V+ est donne par la relation suivante (elle est
positive) :
La sortie alimente un circuit R-C, et C se charge selon la loi exponentielle

suivante :
Lorsque V- = V+, le trigger bascule (voir figure 6- 23), et on applique alors une
tension -Vsat sur le R-C qui devra se dcharger de la valeur de l'hystrsis du
trigger avant que la sortie ne bascule nouveau, et ainsi de suite.
Avec les hypothses prcdentes (Vsat+ = |Vsat-| = Vsat), on aura en sortie du
multivibrateur un signal carr (rapport cyclique gal 0.5), de frquence gale :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
103
Rsum Thorique et
En pratique, le signal aura un rapport cyclique diffrent de 1/2 car les tensions de
saturation de l'ampli ne sont pas gales, et varient avec la temprature, la charge...
Pour obtenir un signal "carr" convenable, on utilisera un ampli fort slew rate, ou
beaucoup mieux, comme pour le trigger, un comparateur diffrentiel.
Ce type de montage est important du point de vue principe, mais en pratique, il
existe des solutions beaucoup plus "propres" pour gnrer un signal carr. On
n'utilisera donc ce montage qu' titre de dpannage !
Redresseur sans seuil (redresseur de prcision)
Figure 6-24. Redresseur sans seuil.

On a vu dans le cours sur les diodes que le gros problme de ce composant, pour
redresser des faibles tensions, provient de son seuil lev (>0.5V pour le silicium),
qui dpend en plus de la temprature. Cette caractristique interdit le redressement
de faibles signaux avec une prcision dcente. L'amplificateur oprationnel va
nous aider !
Le montage est celui de la figure 6-24 : le montage ressemble un suiveur auquel
on a adjoint une diode en srie avec l'amplificateur.
Pour des tensions d'entre ngatives, la sortie de l'ampli va avoir tendance
devenir ngative, mais, elle est bloque par la diode : il n'y a pas de contreraction, car le signal de sortie de l'ampli ne peut pas revenir sur l'entre -. Dans ce
cas, la tension de sortie de l'amplificateur va prendre la valeur Vsat-, et la tension
de sortie du montage va tre nulle.
Lorsque la tension d'entre va devenir positive, la sortie de l'amplificateur va
devenir positive aussi, et elle va augmenter jusqu' la valeur de la tension de seuil
de la diode, et la contre raction sur l'entre - va pouvoir se faire, la tension en
sortie de l'ampli prenant la valeur Vd + Ve, de manire ce que V+ soit gal V(donc Vs).
En bilan, pour des tensions positives, Vs = Ve , et pour des tensions ngatives, Vs =
0 : on a un redresseur idal.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
104
Rsum Thorique et
Dtecteur de crte.
Figure 6- 25. Dtecteur de crte.

Pour conserver la valeur crte d'une tension, on peut commencer par redresser
celle-ci, et en adjoignant un condensateur au montage redresseur prcdent, il est
possible de garder en mmoire la valeur de crte.
Le fonctionnement est le mme que pour le redresseur sans seuil, sauf que le
condensateur va se charger, et quand la tension d'entre va diminuer, le
condensateur va conserver sa charge ( condition que l'entre - de l'ampli soit
trs haute impdance et que la charge de sortie ait aussi une trs haute impdance montage suiveur par exemple), et la diode va se bloquer, car la tension de sortie va
diminuer jusqu' la valeur -Vsat (plus de contre raction cause de la diode).
Il faut prvoir un dispositif annexe pour dcharger le condensateur afin de faire
une nouvelle mesure : sur le schma, on a plac un simple transistor de faon
schmatique, mais celui-ci pourra tre remplac avantageusement par un
commutateur analogique base de FET ou de MOS.
NB : dans ce montage, on peut remplacer la diode par un commutateur analogique
bi-directionnel commandable en tension. On va alors pouvoir bloquer le signal
l'instant dsir et le conserver ; c'est le principe de base de l'chantillonneurbloqueur.
6.2.11
Amplificateur oprationnel rel

Avant d'attaquer tous les dfauts de l'amplificateur rel, et afin de mieux les
comprendre, nous allons tudier un schma de principe de cet amplificateur.
Ce schma n'est videmment pas un schma rel, mais il contient tous les
ingrdients fondamentaux d'un amplificateur ; c'est cette architecture qui est aussi
utilise dans des montages de puissance (amplificateurs HIFI et industriels), et
donc, la comprhension de cette architecture est importante et permettra
d'investiguer des domaines autres que celui de l'amplificateur oprationnel.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
105
Rsum Thorique et
Schema intrne
Sur le schma de la figure 6-26, nous avons reprsent les deux alimentations Val+
(positive) et Val- (ngative), les deux entres V+ et V-, et la sortie Vs de
l'amplificateur.
L'ampli est constitu de trois tages :
- un tage d'entre diffrentiel (T1 et T2), avec sa charge d'metteurs (source de
courant I1) et ses charges de collecteurs (miroir de courant T3 et T4).
- un tage de gain form de T5 et de sa charge active I2.
- un tage de sortie push pull constitu par les transistors T6 et T7 polariss par les
diodes D1 et D2.
Figure 6-26. Schma de principe d'un amplificateur.
tage diffrentiel :
On a reprsent ici un tage diffrentiel classique : deux transistors monts dans
une configuration de type metteur commun (entre sur la base, sortie sur le
collecteur) avec les deux metteurs relis une source de courant. Cette source I1
doit tre la plus proche possible de l'idal, car la valeur de sa rsistance interne
dtermine le taux de rjection du mode commun.
Les charges de collecteur ne sont pas des rsistances, mais des charges actives,
constitues des transistors T3 et T4 monts en miroir de courant : le transistor T3
est utilis en diode (le collecteur est reli la base), et dtermine le potentiel de
base de T4, donc son courant de collecteur. Sur le circuit intgr, on peut
construire T3 et T4 de manire ce qu'ils aient les mmes caractristiques de gain,
Vbe... (idem pour T1 et T2) : le courant dans la branche T1/T3 sera le mme que
celui de la branche T2/T4.
On dmontre que le miroir de courant est une astuce permettant de doubler le gain
de l'tage diffrentiel.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
106
Rsum Thorique et
La sortie de cet tage se fait sur le collecteur de T2, et c'est la rsistance

dynamique de T4 (le 1/h22) qui charge T2. Le gain sera donc plus lev que si on
avait une simple rsistance la place de T4.
Le gain de cet tage est de l'ordre de 100.
L'impdance d'entre diffrentielle de ce montage est gale 2h11 (le h11 de T1 ou
de T2). Pour que cette impdance soit grande (1M pour un A741), il faut que le
courant de polarisation de base soit trs faible (quelque dizaines de nA).
Les amplificateurs plus rcents font en gnral appel des transistors FET en
entre (LF356 de NS, TL081 de Texas...) voire MOS (LMC660). La structure de
l'tage reste similaire.
En pratique, les montages sont un peu plus compliqus, et les transistors T1 et T2
sont souvent remplacs par 4 transistors, deux collecteurs communs qui attaquent
deux bases communes. C'est une astuce technologique permettant d'amliorer la
plage d'entre diffrentielle de l'ampli.
L'tage de gain :
Le deuxime tage est trs simple, c'est un montage metteur commun constitu
de T5, charg par une source de courant (en gnral, c'est encore un montage
miroir de courant) : la charge dynamique de T5 est donc la rsistance parallle de
la source de courant I2 ; le gain est trs lev (environ 1000, ce qui fait un ordre de
grandeur de 105 pour l'ensemble !).
On note la capacit C entre base et collecteur du transistor T5 : c'est une capacit
destine la compensation de l'amplificateur ; la frquence de cassure de ce filtre
est trs basse (quelques dizaines d'hertz) et permet la plupart des amplis d'tre
inconditionnellement stables. Cette capacit utilise l'effet miller : le filtre est
constitu de l'impdance de sortie du premier tage (trs leve) et de la capacit
C, le tout multiplie par le gain en tension du deuxime tage. On peut obtenir une
frquence de cassure trs faible avec une capacit trs petite (quelques dizaines de
pF), qui peut ainsi tre intgre sur la puce.
L'tage de sortie :
C'est un tage push pull constitu de deux transistors complmentaires qui
fonctionnent en collecteur commun, T7 pour les alternances positives, et T8 pour
les alternances ngatives. Ces transistors sont polariss par les deux diodes D1 et
D2 afin de limiter la distorsion de croisement.
Du point de vue petits signaux, cet tage de sortie (et sa charge, qui est dtermine
par l'utilisation que l'on fait de l'ampli, et donc, va varier) vient se mettre en
parallle sur la charge de collecteur de T5 : le gain de l'tage intermdiaire va ainsi
dpendre de la charge qu'on connectera en sortie de l'ampli.
Dans les amplis rels, l'tage de sortie est plus complexe, et comprend notamment
des tages de protection contre les courts-circuits, qui vont limiter le courant de
sortie de l'ampli des valeurs raisonnables.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
107
Rsum Thorique et
Alimentation
Comme pour tout composant dit "actif", notre amplificateur ne va pas sortir du
nant l'nergie qu'il fournit l'extrieur. Il va falloir l'alimenter afin de polariser
tous les transistors qui le composent.
Sur le schma de la figure 6-26, on voit deux entres d'alimentation, Val+ et Val-.
On remarque que nulle part sur ce schma, la masse n'est prsente ! En pratique,
les deux alimentations sont rfrences la masse, et ce sont les tensions d'entre
qui vont fixer tous les potentiels par rapport la masse, du fait de la contre
raction (la tension de sortie est lie aux tensions d'entre qui sont lies la
masse).
Cette caractristique est intressante, et va nous permettre d'alimenter
l'amplificateur oprationnel de deux manires diffrentes :
- symtrique : on alimente l'ampli par deux sources gales et opposes. Tout
l'ampli est ainsi polaris symtriquement par rapport la masse. C'est le mode
d'alimentation le plus courant. Il faut noter que les deux tensions peuvent tre
ingales : le fonctionnement de l'ampli ne sera pas affect, mais la plage de sortie
sera limite par l'alimentation la plus faible (signaux symtriques par rapport la
masse).
- unipolaire : Val+ est reli une alimentation positive et Val- est reli la masse.
Ce systme est pratique pour un fonctionnement sur piles ou batteries, mais il
faudra alors polariser les signaux d'entre une valeur convenable pour que
l'ampli fonctionne correctement (il n'y a pas de miracles, c'est un systme
transistors qui ncessite une polarisation !). Ce mode de fonctionnement interdit
l'amplification de signaux continus.
Les tensions d'alimentation des amplificateurs oprationnels courants peuvent
varier dans une large gamme, typiquement de 2.5V 5V mini jusqu' 18V
22V maxi.
Certains amplis sont spcialiss dans les basses tensions (alimentation par pile) et
d'autres dans des tensions plus leves. Pour des applications particulires, on
consultera l'abondante documentation fournie par les constructeurs.
Certains amplificateurs rapides ncessitent un dcouplage soign des
alimentations : on mettra un condensateur de dcouplage (typiquement 10 100nF
cramique) entre chaque borne d'alimentation et la masse, ceci aux plus prs des
broches d'alimentation. Sans ces prcautions, on pourra avoir des montages
prsentant des fonctionnements erratiques, voire des oscillations parasites
aboutissant la destruction de l'ampli (cas du LM318 !).
Outre la plage de tensions d'alimentation, les amplificateurs sont caractriss par
leur courant de consommation : il faut alimenter tous les composants internes
pour les polariser. Le courant de polarisation va tre plus ou moins important
selon la conception de l'ampli, et le compromis recherch : il existe des amplis
trs faible courant de consommation, destins principalement aux applications
fonctionnant sur piles et batteries ; en corollaire, leurs performances en frquence
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
108
Rsum Thorique et
seront mdiocres (voir cours sur les transistors : plus la polarisation est faible, plus
les impdances mises en jeu sont grandes, et plus les capacits parasites des
transistors prennent de l'importance, dgradant le comportement haute
frquence). A ct de ces amplis, il en existe d'autres courant de consommation
lev, ayant des bonnes performances en haute frquence.
Certains amplificateurs, dits "programmables" ont une possibilit de rglage du
courant de polarisation (et donc du compromis consommation/rapidit), et peuvent
ainsi s'adapter au besoin de l'utilisateur.
Exemples de courants de consommation :
- LM4250 : rglable de 1 250A
- LF441 : 200A
- A741 : 2mA
- LM318 : 5mA
Ces amplis sont donns du plus lent au plus rapide : produit gain-bande passante
de 10 300kHz pour le LM4250, 1MHz pour le 741, et 15MHz pour le LM318.
Caractristiques dentre:
Impdances d'entre.
On a vu que l'amplificateur diffrentiel prsentait deux impdances d'entre
diffrentes : l'impdance diffrentielle, relative la diffrence de tension entre les
deux entres, et l'impdance de mode commun. On va s'aider du schma de la
figure 6-26 pour interprter ces deux impdances.
Impdance diffrentielle.
Sur le schma de la figure 6-26, l'impdance diffrentielle correspond 2h11 et
dpend directement du courant de polarisation choisi.
En pratique, cette valeur sera comprise entre quelque centaines de k et quelques
dizaines de M pour les amplis transistors d'entre bipolaires.
Les amplis transistors d'entre JFET prsenteront des impdances beaucoup plus
leves, couramment de l'ordre de 1012 .
Il existe aussi des amplis en technologie MOSFET qui ont des impdances
suprieurs 1015 : nous ne sommes vraiment pas loin de l'infini de l'AOP !
Il convient de noter que la tension d'entre diffrentielle sera toujours voisine de
zro (en fonctionnement linaire) : le courant diffrentiel consomm sera donc
extrmement faible, mme si les rsistances connectes l'ampli ont des valeurs
voisines de l'impdance d'entre de celui-ci. On pourra donc dans la majorit des
cas ngliger l'impdance d'entre dans les calculs.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
109
Rsum Thorique et
Impdance de mode commun.

On peut voir cette impdance comme celle de deux montages collecteur commun
en parallle dont la charge commune d'metteur est une source de courant de
rsistance dynamique trs leve. Vue de l'entre, cette rsistance est multiplie
par le gain des transistors : elle sera trs leve dans tous les cas, et donc nglige
dans les calculs.
Tension de dcalage d'entre (offset).

C'est un des principaux dfauts de l'amplificateur rel, et pour des forts gains en
tension et/ou des faibles tensions d'entre, on devra en tenir compte.
Cette tension est due au fait que les transistors d'entre ne sont pas rigoureusement
identiques (T1 et T2 sur la figure 6- 26), et que pour obtenir une tension nulle en
sortie, il faudra appliquer une tension diffrentielle non nulle l'entre, cette
tension tant l'cart de Vbe de T1 et T2 courant de collecteur donn.
Quand on modlise un montage amplificateur oprationnel avec une erreur
d'offset, on le reprsente en gnral par le schma suivant :
Figure 6- 27. Erreur d'offset.

Cette reprsentation n'est pas forcment judicieuse, car on peut obtenir des
courants parasites ds cette source dans les composants d'entre, alors qu'en fait,
l'cart de courant ne peut venir que de la sortie qui compense la tension de
dcalage ; en effet, on aura la relation :
Avec une telle relation, quand l'ampli fonctionne en mode linaire, on n'a plus V+
= V-, mais V+ = V-+Vd. A noter que Vd est une valeur algbrique, et peut tre
positive ou ngative.
Pour les montages en commutation (comparateurs et triggers entre autres), le seuil
de basculement sera lui aussi dfini par la relation V+ = V-+Vd.
Ordres de grandeur : Vd va valoir de quelques dizaines de V pour des amplis de
mesure (OP27 : 25V) une dizaine de mV pour des amplis entre JFET
standards (TL081 par exemple).
Courants de polarisation.
Sur le schma de la figure 6- 26, on remarque qu'il n'y a aucun circuit de
polarisation des bases des transistors d'entre T1 et T2. Par consquent, cette
polarisation devra tre assure par les composants externes du montage
amplificateur.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
110
Rsum Thorique et
Si on reprend l'exemple du montage amplificateur inverseur de la figure 6- 6, la

polarisation des bases se fera directement par la masse pour l'entre +, et par la
masse et la sortie de l'ampli via R1 et R2 pour l'entre -. Le courant de polarisation
de la base de T1 va donc circuler dans ces deux rsistances, en y crant au passage
des chutes de tension parasites.
Figure 6-28. Ce qu'il ne faut pas faire !!!

Une remarque importante qui dcoule de ceci est qu'il faut toujours laisser le
passage du courant continu vers les deux entres de l'ampli ; il est hors de question
de couper ce chemin par un ou plusieurs condensateurs : le montage ne serait alors
plus fonctionnel.
Dans l'exemple de la figure 6- 28, on coupe le chemin de la polarisation de l'entre
+ ; T2 (cf figure 6- 26) ne peut pas tre polaris, et l'ampli ne fonctionne plus.
Si on voulait vraiment mettre un condensateur en srie avec le signal d'entre pour
bloquer sa composante continue, il faudrait rajouter une rsistance entre l'entre +
et la masse, de manire laisser passer le courant de polarisation.
Ordre de grandeur des courants de polarisation :
- de 30 500nA pour un A741, les fortes valeurs tant obtenues chaud.
- de 3 20nA pour un LM627 (ampli rapide de prcision)
- de 30pA 50nA pour un LF356 (entres JFET) : le courant devient important
chaud !
Le courant de polarisation peut tre rentrant ou sortant, selon le type de transistors
utiliss en entre (NPN ou PNP).
Courants de dcalage.
Le courant de dcalage est le pendant de la tension d'offset pour les courants de
polarisation : comme les transistors d'entre sont dissymtriques, les courants de
base seront aussi diffrents. Le courant de dcalage est gal :
Ce courant, en circulant dans les rsistances connectes l'ampli va crer une
chute de tension parasite qui va s'ajouter la tension d'offset.
Les ordres de grandeurs de ces courants sont d'environ 1/20e 1/5e de la valeur
des courants de polarisation.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
111
Rsum Thorique et
Plages de tensions d'entre.

On a dj largement abord les problmes de polarisation des amplificateurs, et la
figure 6- 26 montre le principe des montages utiliss.
Sur cette figure, on voit qu'il ne faudra pas dpasser certaines limites pour les
tensions d'entre sous peine de dgrader le fonctionnement, voire de dtruire
l'amplificateur.
En pratique, les constructeurs donnent des plages de tension respecter :
- absolues pour chaque entre : elles dpasseront rarement les valeurs des tensions
d'alimentation. Les entres sont souvent relies aux tensions d'alimentation par des
diodes connectes en inverse pour le fonctionnement normal, et qui deviennent
passantes quand les tensions d'entre dpassent les valeurs des tensions
d'alimentation ; le courant est limit par les rsistances cbles en srie avec les
entres. Si on applique directement un signal trop lev sur une des entres (cas de
l'ampli non inverseur), on dtruit le composant.
- diffrentielles : ces valeurs peuvent tre faibles (0.7V, soit la valeur d'un Vbe ,
dans le cas ou on bride les deux entres avec deux diodes connectes tte bche).
- de mode commun (souvent les tensions d'alimentation moins quelques volts). Au
del des limites de mode commun admises, la polarisation des tages d'entre ne
se fait plus correctement.
En bref, il ne faut pas faire n'importe quoi avec un amplificateur oprationnel, et si
on a des cas de fonctionnement limites, il faudra s'assurer qu'ils sont autoriss par
l'ampli choisi. Tout est ici affaire de compromis, et il existe une grande varit
d'amplis sur le march autorisant certains modes de fonctionnement au dtriment
d'autres : il faut choisir le bon composant en fonction du problme. Une seule
chose est sre : on n'aura jamais tout en mme temps !
La caractristique de transfert est linaire : la sortie est proportionnelle la
diffrence des tensions d'entre ; il ne faut pas non plus oublier le terme de mode
commun (voir quation [1]).
La tension de sortie est bien videmment limite aux deux extrmits

de la plage de fonctionnement Vsat+ et Vsat-.
Caractristiques de sortie:
Impdance de sortie.
En pratique, l'impdance de sortie des amplificateurs rels n'est pas nulle ; elle
reste nanmoins faible, de l'ordre de la centaine d'ohms pour les amplis courants.
Si cette valeur parat encore assez leve, il faut savoir que dans un systme
boucl, sa valeur sera divise par le gain de boucle du systme considr. En
pratique, l'impdance de sortie des montages sera donc couramment infrieure
l'ohm.
Attention toutefois la valeur de l'impdance en boucle ouverte : si on charge
l'amplificateur par un condensateur (par exemple un cble coaxial assez long, ce
qui peut faire plusieurs centaines de pF), la rsistance de sortie couple ce
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
112
Rsum Thorique et
condensateur va former un ple supplmentaire qui peut rendre le montage

oscillatoire.
Vitesse de balayage (slew rate).

En plus des problmes de rponse en frquence, la tension de sortie des
amplificateurs ne peut pas varier instantanment d'une valeur une autre (cas d'un
chelon de tension).
Figure 6 29. Slew rate.

La cause profonde vient de la structure des amplis (voir figure 6- 26) : lors d'un
transitoire violent, la capacit collecteur-base du deuxime tage doit se charger
instantanment, ce qui n'est pas possible, car elle le sera par les sources de courant
de polarisation. Comme ces courants sont trs faibles, la charge sera relativement
lente, et on note qu'elle sera linaire (charge d'un condensateur courant constant).
On obtient le chronogramme donn figure 31.
Cette monte linaire en rponse un chelon est appele vitesse de balayage (ou
plus communment slew rate) ; elle est exprime en V/s.
L'ordre de grandeur du slew rate est de 0,5V/s pour le 741, 10 15V/s pour les
amplis FET du type TL081, LF356..., et peut monter 50V/s (voire 150V/s
avec une compensation particulire) pour le LM318.
En gnral, les amplificateurs ne peuvent pas tre bons partout : les amplis trs
prcis (OP7 : fort gain en statique et trs faible offset) sont souvent mauvais du
point de vue slew rate, et vice versa un LM318 est bruyant et peu prcis).
Le slew rate va limiter les amplifications des forts signaux, et la bande passante
sera plus faible que pour des petits signaux frquence donne (la pente en V/s
des signaux est proportionnelle leur amplitude : plus l'amplitude sera forte, plus
le slew rate sera limitatif.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
113
Rsum Thorique et
Tension de saturation.
On en a dj parl lors des montages fonctionnant en commutation : la tension de
sortie est limite Vsat+ et Vsat-, qui sont respectivement les tensions de saturation
haute et basse de l'ampli.
Ces tension dpendent videmment des tensions d'alimentation : elles sont
infrieures aux tensions d'alimentation (en valeur absolue) d'environ 0.5 1.5V.
Ces tensions de dchet dpendent de la temprature, de la charge de sortie de
l'ampli (plus le courant de sortie est important, plus elles sont leves), et de la
structure de l'ampli : il existe des ampli transistors MOSFET (LM660C de NS)
spcialement conus pour avoir une dynamique de sortie maximale, soit des
tensions de dchet comprises entre 0.1 et 0.3V. On privilgiera ces amplis dans les
application alimentes en monotension de faible valeur (0-5V par exemple).
Les tensions de dchet haute et basse sont souvent diffrentes, ce qui fait qu'avec
une alimentation rigoureusement symtrique, on aura Vsat+ |Vsat-|.
Sortance en courant.
L'impdance de sortie est une chose, la sortance en courant en est une autre : ce
n'est pas parce qu'un ampli a une impdance de sortie trs faible (quand il est
boucl) qu'il va pouvoir dbiter des ampres !
En pratique, les amplificateurs oprationnels sont des composants traitant des
faibles signaux, pas de la puissance : les courants de sortie seront faibles, de
quelques mA quelques dizaines de mA pour les plus vaillants.
L'amplificateur oprationnel a un tage de sortie push pull capable de fournir ou
d'absorber du courant : en gnral, les courants maxi absorbs (sink) et fournis
(source) seront sensiblement diffrents : on se reportera la notice du constructeur
pour plus de prcisions.
On veillera donc ne pas trop charger les amplis en sortie (charge mini de
quelques k pour des signaux de quelques volts) : on n'oubliera pas que les
rseaux de contre-raction se mettent en parallle avec la charge de sortie ! Par
consquent, on vitera de cbler des impdances trop faibles (infrieures une
dizaine de k ).
Certains amplis sont prvus pour dbiter des courants "importants" sur des charges
faibles : aliment en 18V, le NE5534 peut dbiter 26mA dans 600 (16V en
sortie).
Il existe aussi des amplificateurs oprationnels de puissance : la structure est la
mme, mais ils possdent un tage de puissance capable de dlivrer des centaines
de mA voire des ampres (ex : LM12 de NS, capable de dbiter 10A). Ils sont
principalement destins aux applications audio grand public (autoradios, mini
chanes...).
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
114
Rsum Thorique et
Protections de sortie. Puissance dissipe.

On vient de voir que les amplificateurs oprationnels ne supportent pas les forts
courants ; dans ces conditions, le moindre court-circuit pourrait leur tre fatal !
Heureusement, les fabricants ont inclus des protections en sortie de leurs amplis
qui limitent le courant de quelques mA quelques dizaines de mA.
Les amplificateurs oprationnels sont ainsi des composants assez robustes, ne
ncessitant pas trop de prcautions d'emploi (tout est relatif...)
Quand un ampli dbite du courant, les transistors qui le constituent (notamment
ceux du push-pull de sortie) dissipent une puissance non ngligeable. Les amplis
encapsuls en botiers traditionnels (DIL8 ou CMS) peuvent dissiper entre
250mW et 1W ( 25C). Les amplis de puissance pr-cits sont encapsuls en
botiers de puissance (botiers isowatt, voire TO3 pour le LM12), et peuvent
dissiper plusieurs watts, condition bien sr de les munir du radiateur adquat !
Dans tous les cas, on veillera ne pas dpasser les limites admises par les amplis.
Certains sont protgs thermiquement (limitation du courant de sortie au del
d'une certaine temprature), mais pas tous...
6.2.12
Impact sur les montages de base

Tous ces "dfauts" font que dans la pratique, l'amplificateur oprationnel rel
s'loigne sensiblement de l'AOP. Nous allons faire un rapide tour d'horizon de
l'impact de ces dfauts sur les montages de base vus plus haut, ce qui nous
permettra de mieux choisir le modle d'ampli appropri une application donne.
Tension de saturation.
On a vu que les tensions de saturation Vsat+ et Vsat- sont diffrentes : ceci aura un
impact sur tous les montages en commutation o les tensions de saturation rentrent
en jeu dans les formules (trigger, multivibrateur...). De plus, ces tensions vont
varier avec la charge de l'amplificateur, la temprature... Ces dfauts sont en fait
assez peu gnants.
Impdances d'entre.
L'impdance d'entre des amplificateurs rels est dans tous les cas assez grande
(>1M , rarement moins mis part quelques amplis spciaux). De plus, le fait que
dans tous les montages linaires l'ampli soit boucl est bnfique : l'impdance
d'entre est multiplie par le gain de boucle, ce qui donne facilement plusieurs
dizaines ou centaines de M : on est quasiment dans les conditions de l'AOP.
On fera tout de mme attention aux montages intgrateurs, o des amplificateurs
trop faible impdance d'entre seront rejets, la contre raction n'agissant pas
trs basse frquence. On prfrera des amplis entre JFET.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
115
Rsum Thorique et
Offset en tension.
C'est une des grosses tares de l'amplificateur rel. Si on doit amplifier des faibles
tensions continues avec un fort gain, il faudra soit choisir un ampli trs faible
offset, soit compenser un ampli standard.
La plupart des amplificateurs possdent deux broches destines rgler l'offset.
On se reportera la notice du composant utilis, les modes de branchement et les
valeurs des rsistances ncessaires variant d'un ampli l'autre. Souvent, il est fait
appel un potentiomtre branch entre les deux broches d'ajustage de l'ampli et
une des alimentations.
Les amplis doubles en botier 8 pattes (deux amplis dans le mme botier) ne
possdent pas de rglage d'offset. On pourra faire un montage externe, tel que
celui ci-dessous :
Figure 6- 30. Compensation d'offset d'un ampli inverseur.

En plus de la valeur de l'offset en tension, les constructeurs donnent la valeur de sa
drive en temprature et dans le temps. Il est illusoire de compenser un ampli
fort offset pour faire des mesures prcises, car la variation sera importante et le
rglage devra tre revu souvent !
Pour faire des mesures de prcision, on optera pour un "bon" ampli ds le dpart !
Pour les amplifications de tensions uniquement alternatives mais avec un fort gain
(plusieurs centaines), on se mfiera aussi de l'offset : un ampli ayant 10mV
d'offset (les sries TL07x et TL08x de Texas ne sont pas merveilleuse de ce point
de vue !) et utilis avec un gain de 500 dlivrera une tension continue parasite de
5V en sortie ! Cette tension abaissera d'autant la plage de sortie, et on fera une
correction (mme sommaire) de l'offset pour rsoudre ce problme.
Le montage intgrateur sera lui aussi fortement affect par l'offset : cette tension
parasite en entre va tre intgre et gnrer une rampe de tension en sortie : ce
montage devra tre ralis de prfrence avec un ampli faible offset et/ou
compens.
Les montages seuil (comparateurs, triggers), sont bien entendus aussi affects
par l'offset, et on en tiendra compte pour des faibles signaux.
Courants de polarisation.
On a vu que les transistors de l'tage diffrentiel d'entre taient polariss par
l'extrieur ; le courant de polarisation va donc circuler dans les composants
externes l'ampli. La chute de tension ainsi provoque va s'ajouter l'offset en
tension.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
116
Rsum Thorique et
Afin de minimiser les carts entre les deux entres, on veillera ce que celles-ci
"voient" les mmes impdances.
Pour le montage amplificateur inverseur, une compensation frquente des effets
des courants de polarisation est la suivante :
Figure 6-31. Compensation des courants de polarisation.

Cet exemple montre un montage inverseur auquel on a rajout une rsistance entre
l'entre + et la masse. Cette rsistance est gale R1//R2, soit l'impdance vue par
l'entre -. Les deux entres "voient" les mmes impdances, les effets des courants
de polarisation vont donc se compenser.
Les amplis entre JFET sont peu concerns par ce type de compensation, du
moins faible temprature. En effet, on a vu que l'entre d'un JFET tait
quivalente une jonction diode en inverse. Le courant parasite doublant tous les
6C, il peut devenir important haute temprature, suprieur ce qu'on obtient
avec de bons amplis transistors bipolaires. Pour les fortes temprature
d'utilisation, on prfrera ces derniers. Pour des usages temprature ambiante, on
utilisera des amplis entre JFET sans compensation.
Les courants de polarisation perturbent aussi beaucoup les montages intgrateurs :
pour des intgrateurs grande constante de temps, on utilisera imprativement des
amplis entre JFET, ou mieux MOSFET (LMC660 par exemple).
Les montages dtecteurs de seuils et chantillonneurs bloqueurs utiliseront aussi
des amplis trs faibles courants de polarisation, afin de ne pas dcharger le
condensateur de mesure par des fuites parasites.
Courants de dcalage
Les courants de dcalage sont plus problmatiques compenser. Comme ils sont
faibles, on se contentera d'utiliser des rsistances de faible valeur pour que la chute
de tension parasite soit ngligeable.
Plages de tensions.
Dans tous les montages, on fera attention ne pas dpasser les limites absolues
prconises par le fabricant de l'amplificateur utilis. Pour les montages
commutation, o on utilise l'amplificateur avec la condition V+ V-, on veillera
choisir des amplis tolrant une tension diffrentielle suffisante (entres non
brides par des diodes).
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
117
Rsum Thorique et
Slew rate.
Si on doit amplifier des forts signaux frquence leve, on choisira des
amplificateurs slew rate suffisant. Dans la pratique, le A741 est trop juste
(0.5Vs) et sera dlaiss au profit d'amplis FET standards (TL081, LF356 et
autres) prsentant des slew rates de plus de 10V/s.
On choisira ventuellement des amplificateurs plus rapides pour les montages en
commutation, o la sortie va devoir basculer rapidement de Vsat+ Vsat-. On l'a
dj dit, dans ces applications, un comparateur diffrentiel remplacera
avantageusement un amplificateur oprationnel.
Des applications telles que les tages de sortie de convertisseurs
numrique/analogique, dont la sortie varie par bonds, utiliseront aussi des amplis
fort slew rate.
6.3
Rponse en frquence dun amplificateur oprationnel stabilit

L'amplificateur rel n'a pas un gain diffrentiel infini ; de plus, celui-ci varie avec
la frquence. Comme l'amplificateur est utilis en systme boucl, sa rponse en
frquence a un impact fondamental sur la stabilit du montage, qui va aussi
dpendre de la valeur de la fonction de transfert de la boucle de retour B.
Nous allons donc tudier maintenant la fonction de transfert harmonique typique
d'un amplificateur oprationnel, voir quelle est la condition de stabilit d'un ampli
boucl, et tudier l'impact de ces considrations sur quelques montages de base.
6.3.1
Stabilit dun systme boucl

Nous avons vu le principe de fonctionnement d'un systme boucl (voir figure 64) et l'expression de sa fonction de transfert :
Dans le cas gnral, la fonction A est complexe, et comme et B sont btis avec
des composants qui peuvent tre ractifs (condensateurs notamment), ces deux
fonctions vont aussi tre complexes : on va pouvoir dterminer le module du gain
et le dphasage entre/sortie en fonction de la frquence (c'est la reprsentation de
bode : nous n'utiliserons que celle-ci, contrairement l'automatisme dont les
adeptes sont friands d'autres critres beaucoup plus complexes apprhender et
moins intuitifs comprendre !).
Ordre d'un systme

L'ordre d'un systme est dtermin par le nombre de ples de sa fonction de
transfert (les valeurs de la frquence qui annulent le dnominateur).
Ces ples peuvent tre rels ou imaginaires, et ainsi, l'ordre du systme est donn
par le degr du polynme en f (ou , ce qui revient au mme) qui forme le
dnominateur de la fonction de transfert.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
118
Rsum Thorique et
Le trac asymptotique du gain dans le plan de bode va tre fonction de l'ordre du

systme (voir figure 34) : un systme d'ordre 1 aura une pente de -20dB/dcade au
del de la frquence de cassure dtermine par son ple, un systme d'ordre 2 une
pente de -40dB/dcade... Chaque ple supplmentaire augmente la pente de 20dB/dcade.
Paralllement au gain, la phase diminue de -90 chaque ple. Les -180
fatidiques sont atteints asymptotiquement pour l'ordre 2.
La figure 34 illustre un systme deux ples (10Hz et 10kHz), dont la fonction de
transfert est la suivante :
Sur ce graphique, on a fait un trac asymptotique du gain, qui met bien en

vidence les ples (frquences de cassures) et les pentes de dcroissance du gain.
Jusqu' 1kHz environ, la phase varie comme pour un systme du premier ordre
(asymptote -90), et ensuite, cause du deuxime ple, elle tombe -180
(valeur asymptotique qui ne sera thoriquement jamais atteinte).
Figure 6- 32. Systme deux ples.

Un systme du premier ordre sera toujours stable (phase mini de -90), et les
ennuis vont commencer ds le deuxime ordre (dpassements, oscillations
amorties...). Il faut un troisime ple pour arriver aux conditions d'oscillations,
mais dans les amplificateurs oprationnels, on trouve toujours ce ple
supplmentaire, soit en interne, soit dans les composants externes (cbls
volontairement ou parasites).
Ce troisime ple, mme plac assez loin du deuxime, abaissera suffisamment la
phase pour que les conditions d'oscillation soient runies.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
119
Rsum Thorique et
Condition de Barkhausen.
Si on regarde l'expression [70], on voit que le produit AB peut tre ngatif, et
notamment prendre la valeur -1 (le module du gain vaut 1 et le dphasage est de 180).
Dans ce cas particulier, le dnominateur s'annule : il n'y a plus besoin de signal en
entre pour qu'il existe un signal en sortie. Nous avons ralis un oscillateur.
Critres de stabilit.
En pratique, on a vu que l'tude de la stabilit va se rsumer (dans notre cas : ne
gnralisons pas tous les systmes !) l'analyse du produit AB (le gain de
boucle). Deux mthodes simples vont consister regarder la phase ou la pente de
la courbe de gain pour un module du gain gal 1.
Marge de phase.
Le critre gnralement retenu par les automaticiens pour que le systme soit
dclar stable est que la phase ne doit pas tre infrieure -135 pour un
module |AB|=1 . Il reste une marge de 45 pour atteindre les 180 fatidiques
(oscillateur). On dit que la marge de phase est de 45 .
Pente de la courbe de gain.

Un critre trs simple de stabilit sera le suivant : le diagramme asymptotique du
produit AB devra croiser l'axe 0dB avec une pente maximum de -20dB/dcade
. Toute pente suprieure dnotera un systme instable.
Amplificateur boucl. Produit bain - bande
Lorsqu'on boucle un ampli non inverseur avec un rseau de rsistances, tant que le
gain de boucle AB est lev (soit basse frquence), le gain du systme boucl va
tendre vers 1/B (voir [4] ; est gal 1 dans ce cas) ; haute frquence, le gain de
boucle va diminuer, pour devenir gal, puis infrieur la valeur 1/B. Dans ces
conditions, la courbe de rponse en frquence du systme boucl va tendre
asymptotiquement vers celle de l'amplificateur.
Figure 6 -33. Amplificateur boucl.

OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
120
Rsum Thorique et
La figure 6-33 donne le rsultat obtenu avec un ampli du type A741 (premire
cassure 10Hz, deuxime 1MHz, gain statique de 100dB).
Si on observe cette figure, on remarque que le produit du gain par la bande
passante -3dB est constant, et gal ici 1MHz, soit la frquence pour laquelle le
gain en boucle ouverte vaut 1 (0dB).
Ce produit est une caractristique importante de l'amplificateur pour caractriser
ses performances en frquence.
Ex : 1MHz pour le A741, 3MHz pour le TL081, 15MHz pour le LM318...
On note que cette caractristique est juste pour les amplis inconditionnellement
stables. Pour les amplis dcompenss, la frquence thorique gain unit est
obtenue en prolongeant la droite -20dB/dcade situe entre la premire et la
deuxime cassure jusqu' l'axe 0dB.
6.3.1
Oscillateurs
Oscillateur pont de wien.
On a vu que quand le dnominateur de la fonction de transfert s'annule, le systme
devient auto-oscillant.
La condition de Barkhausen s'crit :
Le produit AB doit donc tre gal -1 : cela correspond une phase de 180
pour un module du gain gal 1.
B tant en gnral un rseau passif (c'est la solution la plus simple, mais il existe
aussi des rseaux de retour actifs), il sera attnuateur. La valeur du module de
l'amplification A devra donc tre suprieure 1 pour compenser cet te attnuation
et faire en sorte que |AB|=1.
La phase de 180 peut provenir soit de l'ampli (ampli inverseur : la phase de B doit
dans ce cas tre gale 0), soit du rseau B (ampli non inverseur dans ce cas)
Il existe plusieurs rseaux produisant un dphasage de 0 ou 180 ; un des plus
utiliss est le rseau de Wien :
Figure 6- 34. Pont de Wien.

La rponse en frquence de ce rseau est la suivante :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
121
Rsum Thorique et
Figure 6- 35. Rponse en frquence du pont de Wien.

La phase de ce rseau varie de +90 -90 , et passe par la valeur 0 lorsque le
gain atteint une valeur maxi de -9,54dB, qui correspond une attnuation de 3.
La fonction de transfert de ce rseau s'crit :
Le maximum de B est atteint pour :
Pour satisfaire aux conditions de Barkhausen, il faut donc mettre ce rseau en

contre-raction d'un amplificateur de gain -3 ; une autre solution possible est de
reboucler avec ce rseau non pas sur l'entre - de l'ampli, mais sur l'entre + : avec
un gain de +3, les dphasages sont les mmes. Le schma obtenu est le suivant :
Figure 6- 36. Oscillateur pont de Wien.

La structure est simple comprendre : il s'agit d'un amplificateur non inverseur,
avec le pont de Wien reboucl sur l'entre de ce type d'ampli, donc, l'entre +.
En pratique, on remplacera R1 ou R2 par une rsistance ajustable, et on augmentera
le gain progressivement jusqu' l'apparition d'oscillations en sortie du montage. Au
fur et mesure que le gain se rapproche de +3, la fonction de transfert globale du
montage va tendre vers l'infini, comme illustr sur la figure 47 :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
122
Rsum Thorique et
Figure 6- 37. Fonction de transfert de l'oscillateur.

Cet oscillateur, quand il est bien rgl, donne un signal sinusodal avec trs peu de
distorsion.
En pratique, pour limiter l'amplitude des oscillations, on devra introduire un
lment non linaire dans la chane : soit des diodes zner en sortie, soit une lampe
filament spcialement prvue pour cet usage la place de R1.
Si le gain devient suprieur 3, les oscillations prennent une amplitude telle
qu'elles sont crtes par l'amplificateur. Le signal n'est plus franchement
exploitable, car il prsente une distorsion importante.
Les oscillateurs sont dlicats mettre en uvre, car il faut les rgler de telle
manire que le gain soit suffisant pour que l'oscillateur "accroche", mais pas trop
grand, car on a alors beaucoup de distorsion. La plage de fonctionnement correcte
est trs troite, et relativement instable (variations dues la temprature, la
charge de l'ampli...).
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
123
Rsum Thorique et
REGULATION DE TENSION
7.1
Principe
Regardons les figures suivantes. Ces diagrammes (synoptique et schmatique)
reprsentent une alimentation rgule de laboratoire.
120 V
Bloc d'alimentation
ac
#1
#3
#2
Rfrence
Amplificateur /
Comparateur
#4
lment de
Vers la charge
puissance
#5
Rseau de
contre-raction
Figure 7- 1. Diagramme fonctionnel dun rgulateur de tension

L'lment de puissance (#4) est un transistor. Son rle est d'amplifier le courant. Il
fournit la charge le courant ncessaire selon la commande de l'amplificateur
oprationnel. Ainsi il vhicule l'nergie en provenance du bloc d'alimentation vers
la charge sous l'oeil vigilant du circuit de contrle. compos des blocs #2, #3 et #5.
L'amplificateur oprationnel est celui qui pourvoit le courant de base IB contrlant
IC et IE. La charge est branche la sortie et reoit la tension contrle par la
boucle ferme.
Les rgulateurs de tension permettre d'avoir en sortie la tension que vous dsirez.
Ces petits composants peux onreux sont trs pratiques pour n'avoir qu'un seul
type d'accus dans votre modle.
Je sais que certains modlismes s'y refusent, chacun ses habitudes...
Cette page regroupe les rgulateurs de tension fixe et les rgulateurs de tension
variables
7.2
Rgulateur de tension FIDE
Figure 7- 2. Rgulateur de la srie L78xx

OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
124
Rsum Thorique et
La srie de rgulateur 78xx existe sous deux types de botiers dcrit ci-dessous.
Les deux derniers chiffres dtermines la valeur de rgulation.
Pour ce qui concerne les deux premiers chiffre, 78 rgulation positive et 79
rgulation ngative...
Les tensions de sortie les plus rpandus sont:
5, 6, 8, 9, 12, 15, 18, 24V avec un courant de sortie de 1A.
Valeurs limites
Tension continue d'entre (V0 = 5 18v)
35v
(V0 = 20, 24v)
40v
Courant de sortie
Limite interne
Puissance dissipe
Limite interne
Temprature de jonction ( L7800)
- 55 C +150 C
(L7800C)
0 C +150 C
Brochage:
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
125
Rsum Thorique et
Botier TO92: I max = 100 mA

Lgende:
Type 78L05
S sortie
E entre
masse
Type MC 7805CK
Botier TO3 : I max = 1A
Type MC 7805 CT
SFC 2805 EC
Botier TO 220: I max = 1,5 A
7805 CV
LM 34T05
Attention: Les intensits mentionnes de peuvent tre obtenue qu'avec un

dissipateur thermique adapt mont avec de la patte d'vacuation thermique
(gnralement, les petits radiateurs ne peuvent dissiper que peu de calorie)
Pour avoir une rgulation encore plus stable il suffit de rajouter deux
condensateur.
Le condensateur amont est un cramique de 100 nF et le condensateur aval est un
chimique de 10 F 25V.
Le point faible des rgulateurs prsents ci-dessus est la valeur mini de la tension
d'entre.
En effet, il faut une tension thorique de 3V suprieur la tension rgule dsire.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
126
Rsum Thorique et
LM 3940 CT
Pour palier ce problme, il existe des rgulateurs qui pour obtenir en sortie une
tension de 5V, ne demande qu'une tension d'entre de 5,5V. Cette version de
rgulateur est dite " faible chute de tension" (Low drop voltage). Vous pouvez
bien entendu rajouter les deux condensateurs pour une meilleur tension de sortie.
L'un des plus utilis est le LM 2940 CT. Il est disponible en version 5V, 9V, 12V,
15V pour une intensit de 1A
7.3
Rgulateur de tension variable
7.3.1
Rgulateur monolithique LM317T

Ce rgulateur de tension positive 3 broches peut dbiter 1,5 A sous une tension
de sortie allant de 1,2 V 37V.
Il ne ncessite que deux rsistances externes.
Valeurs limites
Puissance dissipe
Tension diffrentielle entre l'entre et la
sortie
Plage de temprature de jonction en
fonctionnement
Temprature de stockage
Temprature d'une broche (soudage, 10 S)
3
En
LM317
Ajust
Limitation interne
40 V
0 C + 125 C
- 65 C + 150 C
300 C
2
So
1
R1
Uso
R2
Figure 7- 3. Circuit de rgulateur de tension variable LM317.

Quel que soit la tension injecte l'entre, ce sont les valeurs des rsistances
externes qui dtermine la tension de sortie grce la formule:
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
127
Rsum Thorique et
Vs =1,25 (1+ R2/ R1)

Pour faciliter le rglage de la tension de sortie, remplacez la rsistance R2 par un
potentiomtre multi tours.
Une petite astuce pour avoir une tension fixe constante mme avec des accus,
mettez en amont du LM 317T un rgulateur fixe, comme a la tension l'entre du
LM317T sera toujours constante.
7.3.2
Rgulateur intgr 723
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
128
Rsum Thorique et
THYRISTORS (SCRs)
8.1
Principe - Analogie 2 transistors de la structure PNPN

Les structures PN des diodes et NPN ou PNP des transistors bipolaires nous sont
dj familires. Il existe toutefois des lments semiconducteurs structure
PNPN, quon appelle thyristors. Le plus connu de ceux-ci est le SCR, Silicon
Controled Rectifier, dont la configuration apparat la Figure 8- a).
Pour en comprendre le fonctionnement, on brise symboliquement le cristal
semiconducteur tel que le schma quivalent 2 transistors (Figure 8- 1 c)).
P
N
P
N
P
N
P
N
P
a)
b)
c)
Figure 8- 1. Analogie 2 transistors

la Fig. 8- 2, on rappelle les quations du transistor bipolaire en tenant compte du
ICBO. On note aussi la prsence de la capacit de jonction CCBO dont on verra
limportance un peu plus loin.
C
ICBO
CCBO
IC
B
IB
IE
Figure 8- 2.Transistor NPN

IE = ( + 1)( IB + ICBO)
IC = IB + ( + 1) ICBO
IB = IE IC
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
129
Rsum Thorique et
Pour trouver le courant danode du SCR quivalent de la Fig 8- 2, il suffit

deffectuer la somme des courants suivants :
IA = IC 1 + IB1
Daprs la Figure 8- 3, on note que :
IB1 = IC 2
IB 2 = IG + IC1
A
IA
IB1 = IC2
Q1
ICB01
IC1
ICB02
G
IG
Q2
IK
IB2 = IG + IC1
Figure 8- 3 courants dans un SCR

laide des quations (3.2), (3.5) et (3.6), on effectue les substitutions
appropries pour obtenir lexpression du courant danode.
IA =
8.2
2( 1 + 1) IE + ( 1 + 1)( 2 + 1)( ICBo1 + ICBo 2 )

1 1 2
Amorage du SCR
Supposons initialement un courant de gchette IG=0 et appliquons une tension
danode UA positive. Le courant de base des deux transistors est la somme des
courants de fuite ICBO1+ICBO2.
La courbe typique vs IC de la Figure 8- 4 montre que si IC est trs faible, peut
tre plus petit que 1, cest ce qui se produit temprature ambiante lorsque le
courant de base nest constitu que des courants de fuite.
Lquation pour IAdevient donc: I A ICBo1 + ICBo 2
Le SCR est dans un tat non-conducteur, mme en polarisation directe.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
130
Rsum Thorique et
100
10
1
0.1
IC
Figure 8- 5. vs IC pour un transistor bipolaire
8.2.1
Amorage par courant de gchette

Si on fournit un courant de gchette au SCR, cest--dire un courant de base au
transistor Q2, ce dernier lamplifie. IC2 ayant augment, 2 augmente aussi. Ce
courant de collecteur sert de courant de base pour Q1, qui son tour lamplifie tout
en voyant son 1 augmenter. Le courant de collecteur de Q1 est retourn la base
de Q2 pour tre amplifi de nouveau.
Nous sommes donc en prsence dune boucle de contre-raction positive car le
phnomne qui vient dtre dcrit est cumulatif et une fois amorc, il peut
sentretenir de lui-mme.
Le gain de la boucle est 12 et apparat au dnominateur de lquation sur IA. Si
sa valeur approche de 1, le courant danode tendance augmenter
considrablement.
Le SCR devient donc conducteur. On dit quil a t amorc. Si une rsistance de
charge externe ne vient pas limiter son courant danode, il pourra tre dtruit.
Cette faon damorcer le SCR est la bonne car nous avons le contrle de IG.
8.2.2
Mthodes damorage
Dune faon gnrale, la mthode damorage des SCR et TRIAC consiste faire
en sorte que le courant de gchette IG devienne suprieur au IGT, le courant
damorage garanti.
On peut y arriver par:
un courant continu de gchette,
une impulsion de courant de gchette,
un train dimpulsions de courant de gchette.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
131
Rsum Thorique et
8.2.3
Rle de la rsistance gchette-cathode

Les manufacturiers recommandent presque toujours de placer une rsistance RGK,
entre la gchette et la cathode, pour simuler la rsistance RS des SCR Shorted
Emitter.
Le rle de cette rsistance est de dsensibiliser le SCR en drivant une partie du
courant du collecteur du PNP interne autour de la jonction base-metteur du NPN.
RG
UGG
RGK
Figure 8- 6. Rsistance RGK
8.2.4
Amorage par tension davalanche

Une deuxime faon de faire conduire un SCR est daugmenter sa tension danode
UA jusqu ce quun des deux transistors entre en avalanche. Le courant rsultant
sera suffisant pour que 12 tendent vers 1 et que leffet cumulatif damplification
se ralise.
Cette technique est indsirable car il existe des tolrances incontrlables pour les
tensions davalanche des SCR dune mme famille.
8.2.5
Amorage par augmentation de tension du / dt

Si UA augmente rapidement, la capacit totale CCBO1 + CCBO2 peut agir comme un
court-circuit entre les deux bases pour fournir un chemin de conduction facile
travers les jonctions base-emetteur des deux transistors.
Le courant de base lorigine du phnomne rgnratif damorage du SCR est:
IB1 = IB 2 = (CCBo1 + CCBO 2)
dUA
dt
En pratique, ce type damorage, appel amorage par du / dt , se produit au

moment o on commande au SCR de bloquer. cet instant, IA sannule de mme
que la tension de la charge RL et UA augmente rapidement la valeur de la tension
dalimentation.
On verra plus loin une mthode pour rduire le du/dt et empcher cet amorage
indsirable.
8.2.6
Amorage par temprature

Une lvation de la temprature du SCR fait augmenter ICBO1 et ICBO2 Il est
possible que la somme de ces deux courants soit suffisant pour que dbute le
phnomne de contre-raction positive. Le SCR amorce donc sans que nous en
ayons le contrle.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
132
Rsum Thorique et
8.2.7
Amorage par nergie lumineuse

Il existe sur le march un photothyristor appel LASCR (Light Activated SCR)
qui samorce par un flux lumineux dirig vers sa rgion de gchette (base de Q2)
travers une fentre incorpore au botier.
Lnergie des photons est convertie en paires lectron-trou qui servent de courant
de gchette.
8.3
Blocage du SCR
Un SCR cesse de conduire si son courant danode est rduit une valeur infrieure
son courant de maintient IH (Holding Current). Dans cette condition, le gain
de la boucle 12 devient infrieur 1 et le SCR retourne ltat bloqu en
polarisation directe.
On peut aussi polariser momentanment en inverse le SCR pour que IA devienne
plus petit que IH. Lorsquon le repolarise en direct, il bloque le courant.
8.4
Courbe caractristique IA-UA et symbole du SCR

la Fig. 8-7, on trouve le symbole ainsi que la courbe IA-UA dun SCR. De plus,
les caractristiques pertinentes du C106 sont fournies.
Avec un courant de gchette nul, le SCR peut bloquer une tension aussi leve que
le UBo. Pass ce point, lamorage par tension se produit et le SCR passe ltat
de conduction. Son courant devient lev et sa tension devient faible car il sature.
Si IA devient infrieur IH, le SCR retourne ltat bloqu.
En inverse, le SCR peut bloquer une tension aussi leve que le U(BR)R puis entre
en avalanche comme une diode de redressement.
En fait, le synonyme de SCR est redresseur command car, plus le courant de
gchette augmente, plus le UBo diminue jusqu devenir, toutes fins pratique,
nul. Cest de cette faon que se ralise lamorage par la gchette.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
133
Rsum Thorique et
IA
A
IA
ITM
+
VA
-
PREMIER QUADRANT
RGION DE
CONDUCTION
(ON-STATE)
IT
VT
SCR
T= 25OC
IGO = 0
IG2 > IG1 > IG0

IH
KAG
IBO
VBR(R)
VB0
VTM
IBR(R)
RGION DE BLOCAGE
EN INVERSE
(REVERSE BLOCKING)
IR
VR
VA
RGION DE BLOCAGE
EN DIRECT
(OFF-STATE)
ID
VD
TROISIME QUADRANT
Figure 8- 7. Courbe IA-UA du thyristor C106

Caractristiques du SCR C106:
Rgion de conduction:
Rgion de blocage en inverse:
Courant direct max.: ITM=5amp.
Courant davalanche: I(BR)R > 1mA
Tension directe max.: UTM=1.7V
Tension davalanche: U(BR)R
Courant de maintien: IH=5mA max.
> 100V C106 A

> 200V C106 B
> 300V C106 C
> 400V C106 D
Rgion de blocage en direct:
Amorage:
Courant de retournement: IBo > 400A
Courant damorage: IGT=200A max.
Tension de retournement: UBo > 100V C106 A
Tension damorage: UGT=1V max.
> 200V C106 B

> 300V C106 C
> 400V C106 D
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
134
Rsum Thorique et
8.5
Vrification dun SCR lOhmmtre

Il est possible de tester lohmmtre les SCRs de faible puissance. Ceux-ci
ncessitent, pour amorcer, des IGT de lordre de quelques centaines de
microampres au maximum. La Fig. 8- 8 a) montre que la rsistance anodecathode dun SCR bloqu est trs leve. Par contre, la Fig. 8- 8 b), on courtcircuite momentanment la gchette et lanode du SCR. Si lohmmtre est capable
de fournir un IG > IGT et un UG > UGT, alors le SCR amorce et la rsistance anodecathode devient trs faible. En dbranchant la gchette, le SCR restera amorc si le
courant IA fourni par lappareil est suprieur au courant de maintient IH. Sinon, le
SCR reprendra son tat bloqu. On a donc intrt travailler avec les basses
chelles.
Comme on peut le constater, ce test nest pas toujours concluant si le SCR
namorce pas. Il est donc recommand dans ce cas dessayer le SCR dans un
circuit dapplication simple avant de conclure quil nest pas bon.
OHMMTRE
OHMMTRE
SCR
K AG
a)
ON/
OFF
SCR
K AG
b)
Figure 8- 8. Vrification dun SCR lohmmtre
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
135
Rsum Thorique et
LE TRIAC
9.1
Symbole, structure et courbe caractristique I-U

Nous voulons contrler les deux alternances de la source dune faon symtrique
avec un seul composant, il faut utiliser un TRIAC. Il est equivalent de deux
thyristores monts en parallle inverse, chacun pour contrler une alternance.
I
IG
a)
Charge
MT1
220V
CA
MT2
b)
Figure 9- 1. Symbole du TRIAC a) et son circuit equivalent avec les SCRs b).
9.2
Les modes damorage

Le TRIAC peut tre amorc de quatre faons diffrentes:
Quadrant I + : MT2 positif par rapport MT1

IG positif
Quadrant I - : MT2 positif par rapport MT1

IG ngatif
Quadrant III + : MT2 ngatif par rapport MT1

IG positif
Quadrant III - : MT2 ngatif par rapport MT1

IG ngatif
La sensibilit des TRIACs actuellement sur le march est la suivante: excellente
pour I + et III -, moyenne pour I -, pauvre pour III +.
9.3
Lamorcage des TRIACs avec un DIAC

Le circuit ci-dessous prsente lemploie dun composant bidirectionnel symetrique
seuil de dclenchement DIAC, pour produit les impulsion de courant de
dcharge du condensateur destines amorcer le TRIAC. Le moment dapparition
dimpulsions, donc langle de conduction est contrl par la constante de temps
R1C1.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
136
Rsum Thorique et
Es
Charge
Ich
R1
MT1
IG
ST2
C1
0.1
R2
Es
MT2
20R
Figure 9- 2. Circuit damorcage dun TRIAC avec le DIAC ST2.
9.4
La famille des thyristors
9.4.1
Les thyristors de puissance

Les thyristors dont le rle est de contrler lapport de puissance dans une charge
quelconque sont le SCR, le LASCR, le LAS, le amplifying gate SCR, le GCS et le
TRIAC.
Le tableau ci-dessous montre le symbole de ces composants. On constate que le
LASCR peut tre command autant par un signal lumineux que par un signal de
gchette alors que le LAS namorce que par un signal lumineux. Quant au
amplifying gate SCR, il y a dintgr un SCR de faible puissance avec le SCR
principal pour donner une impulsion de gchette si forte et surtout si rapide ce
dernier quil pourra admettre une augmentation trs vive de son courant danode.
On reviendra sur ce sujet lorsquil sera fait mention des possibilits en di / dt des
thyristors.
Le GCS est un SCR qui peut tre dsamorc par un signal de gchette ngatif.
Pour que ce SCR bloque, on na qu appliquer un signal de contrle ngatif pour
faire sortir le courant par la gchette. Le principe est simple mais difficilement
applicable dans les circuits o les puissances mises en jeu sont considrables.
Contrairement aux thyristors prcdents qui sont unidirectionnels parce quils
bloquent toujours la tension en inverse, le TRIAC est un thyristor bidirectionnel
qui peut amorcer autant en direct quen inverse (...alors o est lanode,....et la
cathode....?) par un signal de gchette positif ou ngatif. Il est donc le composant
rv pour contrler de la puissance autant durant lalternance positive que durant
lalternance ngative du secteur. Toutefois, il est limit en frquence 400Hz
alors que certains SCR peuvent oprer jusqu 30kHz environ.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
137
Rsum Thorique et
SYMBOLE
A
NOM
SCR (Silicon Controled Rectifier)
Triode thyristor Reverse blocking
G
K
A
LASCR (Light Activated SCR)

Triode thyristor Reverse blocking
G
K
LAS (Light Activated Switch)
Diode thyristor Reverse blocking

K
A
G
Amplifying Gate SCR

Reverse blocking
K
A
GCS (Gate Controled Switch)

ou GTO (Gate Turn off Switch)
E
K
MT1
Reverse blocking
TRIAC
Bidirectional Triode thyristor
G
MT2
9.4.2
Les thyristors damorage et de faible puissance

Le tableau ci-dessus prsente les autres membres de la famille des thyristors qui
servent principalement lamorage des thyristors de puissance. Les exceptions
sont les TUJ, TUJC et DIAC NPN qui ne sont pas proprement dit des thyristors
car ils ne sont pas fabriqus avec une structure PNPN. Toutefois, leurs
caractristiques I-U sont semblables celles des thyristors.
Voici en bref une description des thyristors damorage:
La diode Shockley: SCR sans gchette qui amorce par tension
seulement.
Le PUT: SCR gchette danode qui, avec deux rsistances
comporte comme un TUJ.
LAPUT: PUT optolectronique.
SCS: SCR de faible puissance deux gchettes.
LASCS: SCS optolectronique.
SUS: SCR gchette danode dont la tension davalanche est
rgularise par une diode zener.
DIAC PNPN: Triac sans gchette qui amorce par une tension
seulement.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
davalanche
externes se
diminue et
davalanche
138
Rsum Thorique et
SYMB
OLE
B2
E
NOM
TUJ
(Transistor Unijonction)
B1
TUJC
Transistor Unijonction Complmentaire
Diode Shockley ou quatre couches.
K
A
PUT
Programmable Unijonction Transistor
K
A
G2
G1
SCS
Silicon Controled Switch
A
G
SUS
Silicon Unilateral Switch
DIAC (NPN type)

ST2
DIAC
Bidirectional Diode Thyristor
10
OPTO ElECTRONIQUE
10.1
La Lumire
On distingue le modle ondulatoire et le modle corpusculaire.
Cependant en opto-electronique on s'attarde plus particulierement sur la longueur
d'onde qui permet de differencier toutes les couleurs par exemple. La longueur
d'onde , de formule
= c.t = c / f
avec t la priode du signal et c sa clrit (300 000 km/s) dfinit tous les
mouvements priodiques : la lumire, mais aussi la HF (tlvision, radio), le four
micro-onde, les appareils medicaux (rayons X, IRM...). La lumire visible mais
aussi les ultraviolets, infrarouges, etc... La longueur d'onde s'exprime en mtres,
mais pour la lumieres on utilise le nm (nano-mtre=milliardime de mtre).
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
139
Rsum Thorique et
10.2
Le Laser
Le Laser appartient au spectre visible par l'oeil humain. Sa longueur d'onde peut
etre par exemple gale 632.8 nm, donc se rapproche du rouge. C'est une lumire
monochromatique (une seule longueur d'onde, et non pas plusieurs comme dans la
lumire solaire), cohrente et trs directive (un faisceau donc un point trs
directif), trs puissante (utilise dans l'industrie pour dcouper le mtal), etc... Il
est de plus en plus utilis en optoelectronique, car de plus en plus simple mettre
en oeuvre : tlmtrie (reflexion), dtection d'obstacle (mme principe), voire
espionnage (en pointant un laser sur une vitre, on peut tudier les vibrations
rflchies par la vitre, elle-mme vibrant par exemple avec une conversation
derriere : ensuite il suffit d'amplifier et de traiter le signal afin de la rendre
audible).
10.3
Les Photorsistances
Il s'agit d'une petite plaque photosensible circulaire, de diamtre variable
(gnralement de 5 12 mm). Comme son nom l'indique, ce composant fait varier
sa rsistance au courant en fonction de la lumire qu'il reoit. Pour les LDR
classiques, la resistance atteint plus de 10 MOhms dans l'obscurit et par exemple
100 KOhms pour un eclairement de 100 lux (l'unit de mesure de l'intensit
lumineuse). Elles sont utilises pour des detecteurs de lumiere (petites alarmes de
tiroirs pour des applic. simples !), mesure et etalonnage reclamant peu de
precision, etc...
10.4
Les Cellules Solaires ou Photopiles

Prsents sous la forme de plaquettes circulaires ou rectangulaires au silicium
amorphe, ou polycristallin, de dimensions tres variables (de quelques cm
quelques m), ces composants sont cependant toujours aussi onreux, ce qui
restreint leur utilisation gnrale. Utilisant la lumiere comme source d'nergie, de
l'electricit est ainsi produite. Le courant de sortie disponible peut varier de
quelques mA sous quelques volts, plusieurs A en 12 ou 24V ! On peut en voir
apparatre dans certaines maisons, sur des bateaux (tres commun), caravanes,
courses automobiles, etc...
10.5
La LED (ou DEL en franais)

Quelle grande famille !
Les LEDs classiques, lumiere visible : leur taille (diamtre) peut tre de 3, 5, 8, 10
mm. Il en existe de couleur rouge, verte, orange, jaune, bleue (tres onreuse : 20
FF la LED environ). Avec plusieurs caracteristiques : haute luminosit, boitier
diffusant, LED auto rgules en tension, LED clignotantes, LED faible
consommation ; rondes, rectangulaires, carres, en triangle, en CMS, avec
supports, etc...
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
140
Rsum Thorique et
Les LEDs infrarouges, de longueur d'onde variant aux alentours de 900-950 nm. :
mme utilisation que les precedentes, mais emettant dans l'infrarouge : servant
pour les tlcommandes, detection (obstacle, avec reflexion, etc.), etc..
Symbole.
forme
frquente
A
Figure 10- 1: Diode lectroluminescente
Le semiconducteur utilis pour la fabrication dune Del est larsniure de gallium

ou le phosphore de gallium. Elle fonctionne basse tension et une faible
consommation. Prs de la jonction, lorsque les lectrons tombent dans les trous,
c'est--dire descendent de niveau d'nergie, ils mettent de l'nergie, une partie en
chaleur, une partie en lumire. Dans le cas de la Del, c'est le deuxime cas qui est
exploit.
Caractristiques.
La Del est utilise en direct:
I Del
U Del
-3V
2V
en inverse
en direct
Figure 10- 2: Courbe typique d'une Del.
10.6
Les Afficheurs
Il y a tout d'abord les bargraphs, echelles LED : un bloc rectangulaire compos
d'une range de LED (10 ou autre) rectangulaires. On peut les commander par
exemple avec un LM3914 ou 3915 en fonction de la tension (indication d'une
temprature, tension). Dans le mme genre, on peut trouver des matrices LED :
blocs rectangulaires compos de LEDs rondes places en lignes et colonnes (genre
matrice 5x7). On peux faire des motifs avec, etc...
Puis les classiques afficheurs 7 segments cathode ou anode commune (1 point
commun pour tous le segments, qui sont en fait de simples diodes),
10.6.1
AFFICHEUR 7 SEGMENTS
Un afficheur 7 segments permet de visualiser des chiffres ou ventuellement
certaines lettres de l'alphabet :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
141
Rsum Thorique et
Figure 10- 3.Schma interne pour afficheur anode commune

De tailles tres variables : d'une hauteur de 13mm 20 cm. Comme son l'indique,
l'afficheur est compos de 7 segments a, b, c, d, e, f et g qui sont des LEDS et
ncessitent, en fonction du type d'afficheur (anode commune ou cathode
commune) une polarisation spcifique.
On distingue 2 types d'afficheurs :
Afficheur anode commune : (Cf schma interne ci-dessus) : toutes les anodes
sont relies entre elles.
Afficheur cathode commune : ce sont les cathodes qui sont relies entre elles.
(afficheur non reprsent ici)
Figure 10- 4. Exemple de commande d'un afficheur anode commune

Pour afficher "3" il faut fermer les interrupteurs a,b,c,d et g
On notera que le commun (anode) est tir + Vcc via une rsistance R (on aurait
pu placer une rsistance R sur chacune des branches a, b, c ... c'est plus cher mais
l'affichage est de meilleure qualit car la luminosit ne variera pas en fonction du
nombre de segments allums, contrairement la solution actuelle. )
Note 1 : la Rsistance R se calcule en fonction du courant maximal admissible par
une Led et de Vcc
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
142
Rsum Thorique et
Note 2 : Il existe des circuits spcialiss pour commander facilement les afficheurs
7 segments : les dcodeurs BCD - 7 segments. Ces circuits permettent, en fonction
du code binaire (0 9) en entre, d'afficher la valeur dcimale sur l'afficheur en
commutant
les
segments
voulus.
Ils peuvent tre commands par des drivers spcifiques, de la famille CMOS ou
TTL (comme le 4511). On peut alors les commander partir d'un code BCD (sur 4
bits). Sachez que pour des economies d'nergie, vous pouvez profiter de la
persistance retinienne, en affichant seulement les informations une certaine
frequence (>> 25 Hz). Ansi, une alimentation par impulsion diminuera la
consommation. Idem si vous voulez commander 4 afficheurs. Vous disposerez de
7 voies de commande relies chaque anode de chaque segment de chaque
afficheur (ouf !) et de 4 (dans le cas de 4 afficheurs) transistors PNP relis aux
cathodes respectives, commands sequentiellement (trs utiliss avec des
controleurs : vous n'avez qu' etudier le montage PIC de la page electronique :
decompteur de temps sur 4 afficheurs 7 seg. avec alarme) ! Il faurdra se baser sur
un signal d'horloge : chaque transition, vous changerez de transistor et changerez
l'etat des 7 voies d'info selon l'afficheur commander ! C'et aussi simple que a !
10.6.2
AFFICHEUR A CRISTAUX LIQUIDES (LCD)

Il existe aussi des afficheurs LCD, cristaux liquide. Le fait de faire passer un
courant electrique pour proprit d'exciter ces cristaux ce qui permet de
visualiser des signes. Ces afficheurs sont soient fournis avec leur driver (install
avec), et se commandent de manire serielle ou parallele. D'autre sont
configurables avec des drivers de type ICLxxxx (circuits intgrs voltmtres,
etc...).
Principe de fonctionnement :
Lumiere polarise:
Les atomes d'une source lumineuse ordinaire emettent des impulsions de radiation
d'une duree extremement courte. Chaque impulsion d'un seul atome est constituee
d'un train d'ondes quasi monochromatique (longueur d'onde unique). Le vecteur
"champ electrique" correspondant a l'onde ne tourne pas autour de la direction de
propagation de cette onde mais conserve le meme angle, ou azimut, avec cette
direction. L'azimut initial peut prendre n'importe quelle valeur. Lorsqu'un grand
nombre d'atomes emettent de la lumiere, ces azimuts sont distribues au hasard ; les
proprietes du faisceau lumineux sont identiques dans toutes les directions et la
lumiere est dite non polarisee. Si les vecteurs champs electriques de chaque onde
ont le meme angle azimutal (c'est-a-dire lorsque les ondes transversales se
trouvent dans le meme plan), la lumiere est dite polarisee dans un plan ou
lineairement.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
143
Rsum Thorique et
Figure 10- 5. Polarisation de la lumire.

En plaant deux filtres polarisant perpendiculaires l'un de l'autre, le premier va
polariser la lumiere dans un sens. Le deuxieme absorbe toute la lumiere car celle
ci arrive dans un plan perpendiculaire.
Dans un afficheur LCD, lorsqu'un segment est percu c'est en fait une absence de
lumiere. Deux filtres sont place l'un face a l'autre et sont perpendiculaire.
Les cristaux liquides utilises ont la propriete de faire tourner le plan de
polarisation de la lumiere en l'absence d'un champ electrique (modification de
l'orientation de ses molecules). Ainsi lorsqu'il sont alimentes, ils sont oriente dans
le plan polarise de la lumiere
Un affichage LCD comporte une paire de plaquette de verre de tres faible
epaisseur montees en sandwich et dont la face interieure a ete dotee de piste
conductrices. Normalement ces deux plaquettes sont transparentes ; ce n'est que
sous un certain angle qu'il est possible de les voir, indistinctement, par reflexion de
la lumiere incidente. L'espace separant les deux plaquettes est rempli par le
liquide.
Lors de l'absence d'un champ electrique les cristaux permettent de faire pivoter le
plan de polarisation de la lumiere a 90, la lumiere issue de la plaque verticale sort
polarise.
Figure 10- 6. Passage du faisceau par un afficheur LCD alum

Lors de la presence d'un champ electrique les cristaux sont orientes tous dans le
meme sens et ne permet pas de faire pivoter le plan de polarisation de la lumiere.
Cette derniere arrive avec un plan perpendiculaire a la plaque, on constate une
absence de lumiere.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
144
Rsum Thorique et
Figure 10- 7 Passage du faisceau par un afficheur LCD teint.

La tension appliquee ne doit etre en aucun cas continue sachant que dans ce cas la
le courant provoque la dissolution de la piste fine et endommage irremediablement
l'afficheur. Le signal applique doit donc etre alternatif et sans composante
continue. L'alternance du courant dans un sens et dans l'autre doit etre identique de
telle sorte qu'une piste est alternativement attaquee dans un sens puis restaure dans
l'autre.
Constitution d'un afficheur
Figure 10- 8 Constitution dun afficheur LCD

La lumiere qui arrive sur l'afficheur est renvoyer par un miroir lorsque les
segments sont eteints et elle est absorbe lorsque un segment est allume
Enfin on trouve aussi des afficheurs LCD 1 ligne, 2 lignes, 4 lignes de 16, 20
caractres, logique intgre, voire retro-eclairs, surtout utiliss pour afficher du
texte.
10.7
La Photodiode
De fonctionnement trs simple, elle agit comme une diode classique en prsence
de lumire. En gnral elle est calibre pour tre plus rceptive une certaine
longueur d'onde. C'est ainsi que les photodiodes infrarouges (tlcommandes) sont
regles pour 900 nm environ. Vous pourrez crer une barriere infrarouge, voire un
detecteur de fume (une photodiode optimale, par exempe la PP506-1, 20FF chez
Radiospares, voir bas de page)
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
145
Rsum Thorique et
10.8
Le Phototransistor
Idem, il se comporte comme un transistor passant en presence de lumiere (avec
une certaine longueur d'onde). Pleisn d'applications peuvent tre envisages,
comme une barriere infrarouge (il et prfrable d'utiliser dans ce cas un signal
cod et envoy de manire intermittente dans le faisceau).
10.9
Les Optocoupleurs
Disponibles sous forme de boitiers DIP4,DIP6,DIP8.
Il se compose d'une LED et d'un composant photo-sensible. En faisant allumer
cette LED, on declenche le composant. Celui-ci peut etre un transistor, un
darlington, un thyristor, un triac...
1
U1
6
5
4
2
CNW11
Figure 10- 9 Brochage dun optotransistor.

En fait cet ensemble est assimilable une LED mise face un photo transistor (ou
triac, etc.) dans un milieu totalement isol. Cela procure une isolation galvanique
et electrique tres performante (notamment avec le triac pour du 220V). On peut
aussi l'utiliser dans la tlphonie, etc...
10.10
Les Capteurs Reflexion

En voici un exemple :
Figure 10- 10 Bloc metteur rcepteur reflection.

Ce composant est constitu d'une LED, gnralement infrarouge et soit d'un
photo-transistor, diode ou dralington. Les deux sont monts presque face face, de
manire ce que le faisceau de la LED puisse arriver sur le phototransistor que s'il
est rflchi par une surface adquate place une distance convenable. Le modle
prsent ci-dessus est le HOA0708-001 de HoneyWell (voir bas de page). Il
possde un filtre de lumire ambiante, le point de reflexion optimum est situ
3.81mm. Ce genre de composant (comme celui que je vais vous presenter cidessous) est utilis par exemple dans le comptage d'objets, de detection (proche !),
etc...
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
146
Rsum Thorique et
10.11
Les Fourches Optiques

En voici un exemple :
Figure 10- 11 Bloc metteur rcepteur en forme de fourche.

Ici le composant est constitu d'une LED et d'un photo transistor plac face face
en haut du composant. Ainsi l'etat naturel le faisceau est intact et le
phototransistor est passant. Si un objet (feuille, plaque fine) le coupe, le transistor
ne passe plus. On peut donc se servir de se genre d'objet pour le comptage
d'objets, etc... Ce modle est le HOA0825-001 de HoneyWell.
10.12
La Fibre Optique
On distingue fibre plastique et fibre de silice (ce dernier correspond surtout aux
exigences industrielles en matiere de fiabilit). C'est en fait un guide de lumire. Il
suffit d'insrer la fibre dans un emetteur adquat. Cet emetteur lumineux enverra
un signal lumineux qui parcoura la fibre jusqu'au recepteur optique. Voila
pourquoi la fibre optique est un grand concurrent du fil electrique pour transporter
des informations : la vitesse de la lumire, et surtout, pas d'echauffement, pas de
parasites, pas de pertes, d'attnuation. La fibre optique est deja utilise pour le
cable, Internet, etc...
Bien sr vous pouvez l'utiliser pour vos propres ralisations (mme si a ne sert
pas : on a tous deja vu dans des catalogues une lampe avec des fibres partant du
centre et s'parpillant dans toutes les directions, diffusant ainsi la lumire : tres bel
effet).
Il existe en effet pour pas tres cher des emetteurs infrarouges et le recepteur photo
transistor associ. On peut aussi utiliser le spectre lumineux visible. Il existe des
LEDs de couleur classique, qui, exactement comme les composants pr-cits, sont
en fait un cylindre classique mais trous de maniere ce que la fibre puisse se
glisser juste en face de la source lumineuse. Attention : avant de rentrer la fibre
dans le composant, il faut penser en polir l'extremite ! Ces petits emetteursrecepteurs peuvent suffire assurer des liaisons faible dbit. Si les hauts dbits
vous interessent plus, il existe des transmetteurs beaucoup plus performants, mais
aussi beaucoup plus cher : l'emetteur, et idem pour le recepteur. Ces transmetteurs
peuvent assurer des transmissions jusqu' 150 MBd, sur plusieurs kilomtres.
Fibre optique classique plastique : le mtre env. ; attnuation : 120dB/km
Fibre optique silice : le mtre env. ; attnuation 3.5dB/km max.
Laquelle est la meilleure votre avis pour les liaisons ?
10.13
Autres composants
Module de reception infrarouge spcialis pour tlcommande (par Sony par
exemple), comprenant un recepteur IR et un ampli intgr
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
147
Rsum Thorique et
Composants IrDA, spcialiss dans la transmission de donnes en half duplex

dans l'air, utiliss par exemple dans l'informatique, tlcoms... (fabriqu par
Hewlett-Packard)
Senseurs optiques comprenant un emetteur et un recepteur, bas sur la
reflexion, spcialiss dans la reconnaissance d'objets, de formes, codes barres,
bords, etc...
Diodes lase collimates ou non, de 3 40 mW optiques (P=N.h.f, avec N le
nombre de photons transports par seconde, f la frquence du signal et h une
constante = 6.6.10^-34)
Photodiodes large surface (5 100 mm en classique, et jusqu' 600 mm en
silicium, avec ou sans filtre)
Ecran phosphore = detecteur d'electrons : le passage d'electrons sur le
composant (phosphore sur un substrat de verre) gnre une lumire verte
Dtecteurs de position : photodiodes 2 elements, cadrans (pour connaitre
un sens de deplacement par exemple), 4, 12 lments conscutifs (placs ctes
ctes), multi-lments linaires, reseau de photodiodes, PSD 2 axes (detecteur de
position)
Convertisseur lumire-frquence programmable
Recepteurs infrarouges avec ampli intgr
Photodtecteurs ultra violets, rayons X, etc...
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148
Rsum Thorique et
Module 10 : ANALYSE DE CIRCUITS

SEMI-CONDUCTEURS
GUIDE DE TRAVAUX PRATIQUES
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
149
Rsum Thorique et
1. TP N1
Introduction aux composants lectroniques et la
mesure
Le but de ce TP est de se familiariser avec les principaux composants utiliss en lectronique,
et les diffrents appareils permettant de faire des mesures.
Tous les composants utiliss en lectronique sont dune taille standardise. En effet, lorsque
lon dsire raliser le montage lectronique, on cre un circuit imprim sur une plaque
dpoxy, avec le dessin des pistes de cuivre et des pastilles servant des points de soudure des
composants . Pour des raisons dharmonisation, une unit de mesure linaire t choisie, il
sagit du dixime de inch anglais, ce qui correspond 2,54 mm. De cette manire, les broches
de connexion des composants souder sont toutes loignes dun nombre entier de pas de
longueur 2,54 mm.
1.1.
Les Composants
1.1.1. Rsistances
Il existe diffrentes sortes de rsistances. Le type le plus couramment utilis est celui dont la
partie rsistive est fait sous forme dune couche au carbone dpos sur un support cramique
dune forme cylindrique . Ces rsistances sont ralises selon des sries de valeurs. Chaque
srie contient des valeurs diffrentes.. La srie la plus rpandue est la srie dite E24. Cela
signifie que la premire valeur de cette srie de rsistance est
, la deuxime valeur est
, ainsi de suite.
Les rsistances ne peuvent dissiper quun puissance infrieure ou gale la valeur de sa
puissance nominale. Cette dernire est videment dtermine par la taille de la rsistance. Des
valeurs allant de 1/4 de Watt de Watt sont les plus utilises dans des montages
lectroniques usuels de faible puissance. Dautres rsistances plus grosses peuvent dissiper
un Watt ou plus. On connat aussi des rsistances de dissipation qui peuvent consommer
plusieurs milliers de Watts (radiateur lectriques...), plus souvent utilises dans
llectrotechnique quen lectronique. .
La valeur de la rsistance de petite puissance est crite sur le composant, de manire code.
On utilise le codage de valeurs sur 4 et parfois sur 5 traits de couleur. Le dernier trait
symbolise la prcision, aussi appele tolrance ; la plus rpandue est la prcision 5%
reprsente par un trait de couleur or (un trait argent reprsente 10%). Une rsistance de
100 avec une tolrance de 5% indique que
95 <R<105
Les traits situs gauche du trait de tolrance reprsentent la valeur exprime au format :
M x 10 E
ou
M la valeur sur deux ou trois positions dcimales (deux ou trois premiers traits de
couleur commentant de gauche)
E puissance de 10 formant le multiplicateur, unit de base tant le (troisime
ou quatrime trait de gauche)
Chaque trait peut prendre 10 couleurs diffrentes comme montre le tableau ci-dessous.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
150
Rsum Thorique et
Exemple :
Marron Orange Jaune Or
1 3 4 =13.104 = 13.10 000 =130 k , tolerance 5%
1.1.2. Condensateurs
De part les procds de fabrication, il existe diffrents types de condensateurs.
Llment important qui rgie la dure de vie dun condensateur, cest la tension maximale
quil peut supporter, appele tension de claquage. Elle est crite en toutes lettres sur certains
condensateurs.
Pour des valeurs faibles et de prcision, on utilise des condensateurs de type cramique. Leur
tension de claquage est de lordre dune centaine de Volts. La valeur de la capacit est crite
sur le composant en pico Farad, de la manire suivante:
52E4 => 52.104 pF = 520.103 pF = 520 nF
On trouve aussi lcriture
5n3=5,3 nF
Pour des capacits plus importantes, on utilise des condensateurs de type lectrolytique
aluminium, la tension de claquage et la capacit sont affiches clairement sur le composant.
Attention ces composants sont polariss, ne pas les brancher lenvers.
Pour des condensateurs marqus par le code des couleurs, le fonctionnement est le mme que
pour les rsistances, lunit de base tant le pico Farad.
1.1.3. Plaquette dexprimentation

Raliser un circuit imprim est long et coteux, ce nest donc pas possible en travaux
pratiques. Cependant, on peut tout de mme concevoir un montage et vrifier son
fonctionnement. On utilise alors une plaque dexprimentation (couramment appele plaque
lab-deck) sur laquelle on ralise le circuit. Cette plaque est compose de plots de connexion,
spars de 2,54 mm (1/10 de pousse) et relis entre eux de diffrentes manires. On peut ainsi
insrer les composants et les fils de liaison.
Exemple de ralisation :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
151
Rsum Thorique et
1.2.
Les instruments de mesure
Lorsque lon effectue une mesure dans un circuit, on perturbe son fonctionnement par les
appareils quon introduit. On cherche donc avoir des appareils qui perturbent le moins
possible, mais aussi la disposition de ces appareils qui occasionne la perturbation la plus
faible.
1.2.1. Voltmtre
Cest un instrument qui mesure une diffrence de potentiel entre deux points. Il doit donc tre
branch en parallle entre ces deux points pour tre soumis la mme tension.
Ce faisant, le voltmtre prlve une partie du courant circulant dans llment mesur, on
comprend donc que ce courant prlev doit tre le plus faible possible, donc la rsistance
interne du voltmtre grande.
Un voltmtre est dautant plus performant que sa rsistance interne est grande.
1.2.2. Ampremtre
Cet appareil mesure le courant traversant un composant, il doit donc tre mont en srie avec
celui-ci. Mais on rajoute ainsi une rsistance dans le circuit, elle doit donc tre la plus faible
possible.
Un ampremtre est dautant plus performant que sa rsistance est faible.
1.2.3. Ohmmtre
Cet appareil de mesure constitue une faible source de courant qui traversant un composant,
produit une chute de tension ses bornes. Les deux valeurs courant et chute de tension lies
par la loi dOhm dterminent la rsistance mesure.
Lohmmtre se connecte aux composants mesurer de sorte crer le circuit ferm. Il faut
donc dconnecter le composant de toute autre source dalimentation.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
152
Rsum Thorique et
Avec lohmmtre on peut aussi dtecter la prsence dune jonction semi-conductrice P-N.
Dans ce cas-l il faut raliser la mesure de la rsistance du composant dans deux cas du
branchement possible ( sans et avec la permutation des bornes). Une extrmit dohmmtre
est toujours marque positive et lautre ngative. La rsistance plus faible indique, que la
jonction est parcourue par le courant gnre par lappareil en sens DIRECT.
1.3.
Les mesures
Le principe de fonctionnement de ces appareils est le suivant, le courant (ou la tension) cre
une force de Laplace qui dvie une aiguille. Ce type dappareil a t utilis historiquement en
premier, mais on utilise lheure actuelle des appareils dits numriques, dont les
performances sont largement plus grandes. De plus, ils peuvent combiner plusieurs fonctions,
voltmtre, ampremtre, ohmmtre...
Il existe deux sortes dappareils, ceux qui donnent la valeur moyenne de ce quils mesure
(I,V...), et ceux qui en donne la valeur efficace.
La valeur moyenne est significative pour toute grandeur de tension et de courant continu.
La valeur efficace sert exprimer les grandeurs des tensions et des courants alternatifs.
Sur les appareils numrique:
- le mode de mesure en valeur moyenne est appel DC reprsent par
- le mode de mesure en valeur efficace est appel AC reprsent par
1.4.
Loscilloscope
Un oscilloscope est un appareil qui permet de visualiser un signal dans le temps, de faire des
mesures en temps et aussi en amplitude.
Loscilloscope ne peut mesurer que des tensions, il doit donc

toujours tre plac en parallle de la tension observer.
Si une tension est de forme u(t) = Um.cos( t), lappareil nous permet de voir sur son cran:
Lcran devient alors un repre cartsien :
sur laxe des abscisses se trouve le temps,
sur celui des ordonnes se trouve lamplitude.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
153
Rsum Thorique et
Cet appareil est constitu dun tube cathodique, dun systme de dflexion horizontal, dun
systme de dflexion vertical, et dun systme de dclenchement (non reprsent).
Y=Signal
X=Temps
En abscisse X, cest la base de temps qui dfinit les units (secondes/division)

En ordonne Y, cest un signal proportionnel la tension mesure qui est affich, on choisit
lchelle avec un bouton qui dfinit les graduations en Volts/division.
Pour que lappareil puisse afficher un signal, il faut lui dfinir un niveau de tension pour la
tension dentre partir duquel il va commencer laffichage, cest le TRIGGER LEVEL
(niveau de dclanchement).
Lappareil peut afficher le signal de deux manires diffrentes.
- une manire dite DC (Direct Current), le signal est affich tel quil est
- une manire dite AC (Alternative Current), le signal est affich amput de sa valeur
moyenne. (la visualisation nest donc plus la vraie ! !)
Sauf cas particulier, on utilise toujours un oscilloscope en mode DC
Un oscilloscope peut afficher deux signaux en mme temps.
Pour tre exploit correctement, un signal doit toujours occuper la plus grande place
possible sur lcran, aussi bien horizontalement que verticalement.
1.5.
Travail effectuer
1.5.1. Loscilloscope
Rglez un signal continu de valeur 3 Volts avec le gnrateur, visualisez le loscilloscope.
Que se passe-t-il si vous changez la base de temps? Et le calibre vertical ? Reprsenter lcran
de loscilloscope avec le papier pr-imprim.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
154
Rsum Thorique et
Rglez un signal sinusodal de valeur efficace 1 V laide du voltmtre. Visualisez le

loscilloscope, quel est la valeur de la tension maximale? Est ce un rsultat normal, si oui
pourquoi?
Reprsenter laffichage de loscilloscope lorsque vous changez la base de temps.
A laide de loscilloscope, rglez une sinusode damplitude maximale 1 V. Mesurez la valeur
efficace, est ce une valeur normale?
Ralisez un signal sinusodal avec une composante continue. Que se passe-t-il lorsque vous
passez en mode DC. Et en mode AC? Faites de mme avec une tension carre.
Avec un signal sinusodal de frquence 1 kHz, quelle base de temps faut-il utiliser pour voir 2
priodes du signal? Et pour 5 priodes?
Avec un signal sinusodal de frquence 1,5 kHz, quelle base de temps faut-il utiliser pour voir
3 priodes du signal?
1.5.2. Oscilloscope avec 2 signaux

a) Avec un circuit
Ralisez le circuit de dphaseur passif suivant, avec R=1 k , C=330 nF et le gnrateur de
signal de basse frquence (GBF) rgl comme suit :F=1kHz, Um=5 V.
Voie 1
Voie 2
R
GBF
Masse
Quobservez vous lcran de loscilloscope lorsque vous affichez deux voies? Que se passet-il si vous modifiez la source de dclenchement du TRIGGER LEVEL.
Mesurez aussi le dphasage entre les deux signaux. Comment faites vous? quelle valeur
trouvez vous?
b) Avec un GBF
1) Avec un GBF, branchez le signal sur loscilloscope voie 1. Dans le menu source
slectionnez la voie 2, que se passe-t-il et pourquoi ?
2) Remettez la voie 1 en source et jouez avec le bouton trigger level. Que se passe-t-il ?
3) Mme question en modifiant dans Mode auto et auto level
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
155
Rsum Thorique et
4) Branchez le signal sur la voie 1 et sans synchroniser sur la voie 1, trouvez un moyen de
rendre laffichage correct.
5) Avec le GBF envoyez un signal carr et changez la pente de dclenchement slope
coupling que se passe-t-il ?
6) Prenez une sonde doscilloscope et vrifier son rapport, comment peut on en tenir compte
avec loscilloscope ? Vrifier le calibration de la sonde et observer un signal sur la platine
labdeck.
Nota, pour chacune des questions suivantes, comment connaissez vous loption choisie en
regardant laffichage de loscilloscope ?
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
156
Rsum Thorique et
2. TP N2
Thormes fondamentaux/Circuits RC
2.1.
Thormes fondamentaux
Pour le montage suivant, donner lexpression thorique de la tension U, et calculer sa valeur

sachant que R1 =2 M , R2 =1 M , et E=15V.
R1
E
U
R2
Raliser le montage ci-dessus et lalimenter par lalimentation stabilise. A laide du

voltmtre, mesurer E et U. Que constatez vous par rapport aux tensions calcules? Do peut
provenir la diffrence?
En utilisant le GBF et loscilloscope, rgler un signal sinusodal de 10 Volts maximal, 1
kHz. Remplacer lalimentation stabilise par le GBF. Utiliser les deux voies de loscilloscope
pour visualiser E et U. Expliquer comment vous branchez loscilloscope. On mettra E sur la
voie 1 et U sur la voie 2. Que doit on observer? Est-ce le cas? Relever le diagramme de
loscilloscope.
Recommencez les mmes questions avec R1 =20 k et R2 =10 k .
2.2
Gnrateur de Thvenin
Calculer le gnrateur de Thvenin quivalent au circuit suivant vu des points A et B.

A
R1
E
R2
R3
B
E=15 V, R1=R2=R3=10 k E est lalimentation stabilise.

Comment procdez vous pour mesurer la tension et la rsistance de Thvenin de ce montage?
Les valeurs mesures sont elles correctes par rapport aux valeurs calcules?
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
157
Rsum Thorique et
2.3
Circuit en rgime transitoire
Dans cette partie du TP, on tudie les rgimes transitoires des circuits. Ces rgimes tant par
dfinition trs courts, le circuit atteint son rgime permanent en trs peu de temps. On soumet
alors ce circuit un chelon de tension de manire rptitive, dune valeur alternativement
positive puis ngative. On utilise donc un signal de type carr. On peut alors observer le
phnomne loscilloscope.
Soit le circuit suivant
A
R
E
GBF
Uc
Le gnrateur basses frquences est rgler en signaux carrs 5 V, une frquence de 1

kHz.
Quelle base de temps faut-il utiliser pour visualiser le signal de la manire la plus exploitable?
Relever le diagramme dvolution de la tension uc(t) aux bornes du condensateur.
Sachant que R= 10 k et C =22 nF, calculer la constante de temps du circuit suivant. Mesurer
cette constante laide du trac. Comparer les deux valeurs, do peut venir la diffrence.
Mesurer le t5% sur loscilloscope. Sachant que t5%=3 , calculer le temps t5%.
Relever le diagramme, et dterminer la constante de temps ainsi que le temps de rponse
5%.
Visualiser le courant circulant dans le circuit (rflchir au montage de mesure raliser).
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158
Rsum Thorique et
3 TP N3
Diode P-N
Le but de ce TP est de valider la loi ID=f(VD) pour une diode jonction P-N et de voir une
application possible des diodes.
3.1
Prparation
On rappelle lquation du courant dans une diode jonction
Is est le courant inverse de saturation de la diode (dtermin thoriquement)

e charge de llectron
k constante de Boltzmann k=1,38.10-23 J/K
T temprature en Kelvin 0K=-273,15 C
On prendra IS=100 nA. Tracer alors la courbe pour ID<100 mA. Quelles sont les chelles les
mieux adaptes?
Montrer que la rsistance dynamique directe de la diode :
est inversement proportionnelle au courant qui traverse la diode.

Prvoir un montage permettant de mesurer la caractristique directe de la diode, et un autre
permettant de relever la caractristique inverse.
On donne le montage suivant:
R
Id
VR
E
D1
Vd
E est un gnrateur de tension continue.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
159
Rsum Thorique et
Calculer la valeur de la rsistance R pour que le courant dans la diode soit de 10 mA lorsque
E=+5V.
3.2
Manipulation
3.2.1
Vrification d'une diode:
3.2.1.1 l'aide d'un multimtre:

La fonction "test de diode", que l'on trouve reprsente par le symbole d'une diode autour du
slecteur, permet de faire une lecture prcise de la tension chute en direct par les diodes et
les jonctions de transistor. Une source de courant constant force un faible courant passer au
travers du semi-conducteur sous test. Ceci produit comme rsultat l'affichage la valeur de la
tension chute par celui-ci.
Voici la procdure utiliser pour examiner le fonctionnement d'une diode.
Brancher les sondes entre V- (rouge) et COM (noire).
Placer le slecteur sur le symbole de teste de diode.
Brancher les sondes au composant (ici une diode).
Faire la lecture de la tension chute en direct par la diode. Si l'affichage
indique le dpassement de capacit, inverser les connections. La disposition
des sondes, lorsque l'affichage indique une tension entre 500mV et 900mV
indique l'orientation de la diode. La sonde rouge indique l'anode et la noire la
cathode. Si l'affichage indique le dpassement de capacit, peu importe le sens
des connections, la jonction est un circuit ouvert.
Faites la vrification des diodes indiques dans le tableau suivant en indiquant la
tension chute par la jonction.
1234-
Type de diode
Lecture en direct en V
Lecture en inverse
1N4004
1N4733
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
160
Rsum Thorique et
3.2.1.2 l'aide d'un oscilloscope (rgime dynamique).

Il est possible, l'oscilloscope, de visualiser la courbe caractristique d'une diode. Pour ce
faire, nous allons l'utiliser en mode X-Y. Examinez la
Figure 1-1.
Canal 1, X
diode
sous test
1k
mesure du courant
12V
Rfrence de
l'oscilloscope
Canal 2, Y
en mode invers
Figure 1-1: Traage de la courbe d'une diode l'cran de l'oscilloscope1

Le signal aux bornes de la diode fait dplacer la trace sur l'cran de l'oscilloscope dans le
sens horizontal, proportionnellement la tension ses bornes. Le signal aux bornes de
la rsistance est proportionnel au courant traversant la diode et fait dplacer la trace
sur l'cran de l'oscilloscope dans le sens vertical proportionnellement la tension aux
bornes de la rsistance.
Voici la procdure utiliser:
Mettre le slecteur de couplage des deux canaux en position GND.
Placer l'oscilloscope en mode XY.
Placer le point du faisceau au centre de l'cran.
Placer les slecteurs d'chelle des deux canaux 5V/div.
Mettre le slecteur de couplage des deux canaux en position DC.
Brancher les sondes au circuit comme indiqu
Figure 1-1.
Tracez sur les graphiques suivants la courbe des diodes mentionnes en ayant soin
d'indiquer les tensions des "coudes" en direct et en inverse (si cela s'applique).
1N4004
1N4733A
ATTENTION, il se peut que le branchement de la rfrence de votre oscilloscope vous empche de raliser
cette tape. Le cas chant, vous devrez utiliser des transformateurs disolation.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
161
Rsum Thorique et
Effectuer le relev de la caractristique directe de la diode ID=f(VD).

Tracer la courbe ln(ID)=f(VD). Quelle est la pente de cette courbe. Mesurer la et comparer
avec la valeur donne.
Tracer ID=f(VD), le trac est il correct?
En utilisant le gnrateur quivalent de Thvenin, dterminer graphiquement la valeur de la
rsistance permettant davoir ID=1 mA pour E=1V
3.2.2
Applications
3.2.2.1 Circuit redresseur simple alternance

Raliser le montage suivant:
e(t)
VR
e(t)=E.sin t
On prendra R=1 k .
Relever lallure de la tension aux bornes de la rsistance et celle dlivre par le gnrateur.
Comment fonctionne le montage, quelle est alors la fonction ralise?
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
162
Rsum Thorique et
3.2.2.2 Circuits redresseurs double alternance

3.2.2.2.1
Circuit prise mdiane

D1
ep
e s1
e s2
Rc
D2
Raliser le montage et dessiner les formes d'ondes prsentes aux bornes de la rsistance de
charge Rc, es1, es2 et des diodes alignes avec es1.
En utilisant les nstruments adquats et en prenant les mesures appropries, remplir le tableau
es crte:
URc crte:
URc moyen:
frquence du signal aux bornes de Rc:
PIV de la diode:
3.2.2.2.2
Circuit pont de Gretz

ep
es
D3
D1
D2
D4
Rc
Raliser le montage et dessiner la forme d'onde prsente aux bornes de la rsistance de

charge Rc aligne avec es.
En utilisant les instruments adquats et en prenant les mesures appropries, remplir le
tableau.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
163
Rsum Thorique et
es crte:
URc crte:
URc moyen:
frquence du signal aux bornes de Rc:
PIV de la diode:
3.2.2.2.3
Circuit pont de Gretz avec filtrage
ep
es
D3
D1
D2
D4
Rc
Ralisez le circuit et prenez les mesures ncessaires de sorte complter le tableau
Mesures
Rsultats
Appareil utilis
es crte
PIV de D1
U max aux bornes de Rc
er aux bornes de Rc
URc moyen
% de ronflement
-------------------------------
frquence du ronflement
Est-ce que ce circuit donne des rsultats meilleurs que ceux du circuit prcdent?
Expliquez.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
164
Rsum Thorique et
TP N 4
Diode Zner
Le but de ce TP est de valider la loi ID=f(VD) pour une diode Zner.
4.1
Mode direct
Dterminer un montage de mesure permettant de mesurer la caractristique directe dune

diode Zner. On utilisera un gnrateur de tension continue variable. Sachant que la tension
de seuil de la diode est de 0,7 V calculer la valeur de la rsistance pour que le courant soit de
10 mA lorsque la tension est de +15 V.
Relever alors la caractristique directe de la diode pour VD variant de 0 5V.
4.2
Mode inverse
Dterminer un montage de mesure permettant de mesurer la caractristique inverse dune

diode Zner. On utilisera un gnrateur de tension continue variable. Sachant que la tension
de seuil de la diode est de 5,1 V calculer la valeur de la rsistance pour que le courant soit de
10 mA lorsque la tension est de +15 V.
Relever alors la caractristique inverse de la diode pour VD variant de 0 15V.
4.3
4.3.1
Applications
Tension constante avec une diode
On tudie le montage suivant:
Dz
e(t)
Vz
R = 10 k
e(t) est un gnrateur de tension sinusodale.
Prciser le fonctionnement de ce montage selon la valeur maximale de e(t).
Comment voluent e(t) et VZ si Emax<5 V ?
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
165
Rsum Thorique et
Quelle est lallure des courbes de E et VZ pour Emax=5V? Emax vaut maintenant +10 V.
Quelle est lallure des courbes de E et VZ ?
Quelle est la valeur de E pour laquelle il y a crtage?
On prendra une rsistance R=10 k
4.3.2
Stabilisation avec deux diodes
On tudie le montage suivant:
R
Dz1
e(t)
Vs
Dz2
e(t) est un gnrateur de tension sinusodale.

Expliquer le fonctionnement du montage.
Quelle est lallure des courbes de E et VS ?
Comment voluent e(t) et VS si Emax<5 V ? Emax vaut maintenant +10 V.
Quelle est lallure des courbes de E et VS ?
Quelle est la valeur de E pour laquelle il y a crtage?
4.3.3
Diode lectroluminescente
La source e(t) est un gnrateur de tension sinusodale, de valeur maximale 5V. Dterminer la
valeur de la rsistance R pour que le courant Id de diode soit limit 10 mA.
Raliser le montage et choisir une frquence de e(t) quelques dizaines de Hertz.
R
e(t)
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
Id
LED1
Vd
166
Rsum Thorique et
TP N5
Transistor bipolaire
Le but de ce TP est de vous familiariser avec le transistor.
5.1
Paramtres du transistor
Relever dans la documentation fournie, les principales caractristiques du transistor utilis, le

2N2222 :
le type de transistor
Icmax le courant collecteur maximum
Vcemax la tension collecteur metteur max que peut supporter le transistor
P max, la puissance maximale
le gain en courant (sous quelles conditions)
le brochage (on donnera en particulier le nom de la broche qui est relie au botier)
A laide dun ohmmtre, expliquez comment vous pouvez vrifiez le type du transistor (NPN
ou PNP).
5.2
Mesure du gain en courant

Vcc=+15V
V
Rc
100
Rb
33k
mA
T1
Re
1k
E est un gnrateur de tension continue de valeur variable, E maximale est fixe 10 V

Rb=33 k , Re= 1 k , Rc=100 Vcc=15 V
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
167
Rsum Thorique et
On mesurera Ib avec un milliampremtre, et on aura limage de Ic grce un voltmtre car

Ic = VRc/100 Expliquer le montage utiliser. Quelle est la valeur de Icmax ?
Effectuer le relev de la courbe Ic=f(Ib). Quelle est la pente de cette droite ? Comparer avec le
rsultat des autres binmes, que remarquez vous ?
5.3
Polarisation, point de fonctionnement
Dterminez le point de polarisation du montage comme ci-dessous dans les deux cas
suivants :
- Rc = 2 k, - Rc = 1 k
Vcc=5 V transistor 2N1711
Vcc=+5V
Rc
R1
3,3k
T1
Re
R2
1,6k
1k
Proposez une mthode permettant de mesurer le gain en courant de votre transistor.

Calculez alors la valeur de la tension Vc et Ve. Faites la mesure, que constatez vous ?.
5.3.1
Amplificateur de classe B
Soit le montage suivant :
+5V
T1
Ve
T2 Rch
Vs
-5V
On utilisera Vcc= 5V, Rch = 47 - 1 W, T1 : 2N1711, T2 : 2N2905
Ve est un signal sinusodal de frquence 1kHz.
Lorsque vous neffectuez pas de mesures, coupez lalimentation de votre montage

-
1) Ve est damplitude infrieure 5V
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
168
Rsum Thorique et
Relevez, sur un mme graphe, lallure de la tension aux bornes de la charge et de la tension
Ve(t). Que voit-on ? Reprsentez aussi la tension Vce du transistor T1.
-
2) Ve est damplitude lgrement suprieure 5 V.
Mmes questions que prcdemment. Quel phnomne supplmentaire apparat alors dans ce
cas de figure ?
5.3.2
Amplificateur en classe AB
+5V
R
T1
D1
Ve
D2
T2
Vs
Rr
-5V
R est une rsistance de 5,6 k , Rr un potentiomtre de 10 k , les diodes sont des 1N4148
1) Ve=0 V quelle est la valeur de Rr qui donne une sortie gale 0V ? Est-ce normal ?
2) Ve est damplitude infrieure 5 V. Visualisez Vs et Ve, que constatez vous par rapport
au cas prcdent. Quel est alors le rle des diodes et des rsistances R et Rr ?
3) Ve est damplitude lgrement suprieure 5V. Visualisez Vs, que se passe-t-il ?
4) Laissez votre montage sous tension un certain temps, que se passe-t-il ? A quoi cela est-il
d ?
5.4
Une application du transistor
On dispose dune source de commande ayant le schma de Thvenin suivant :
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
169
Rsum Thorique et
Rs
e(t)
LED
source de tension carre e(t) de 0-10 V

rsistance quivalente Rs de 33 k .
On dsire allumer une diode lectroluminescente avec un courant de 30 mA.

Est-ce possible sans utiliser un transistor ? (on prendra une tension de seuil de 1 V pour la
diode).
Proposer une solution simple utilisant un transistor et une ou plusieurs rsistances.
Raliser les deux montages.
Quelles sont vos conclusions sur une utilisation possible du transistor ?
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
170
Rsum Thorique et
TP N 6
Amplificateur Oprationnel parfait
6.1
Introduction
Le circuit utilis est le TL 081, son schma est le suivant :

n.u.
+Vcc
So
n.u.
TL081
1
n.u.
En
-Vcc
En
inverseuse non
inverseuse
Les sorties marques N.U. sont non utilises dans ce TP.

La patte N=1 est repre par un ergot dans le botier.
Pour toutes les manipulations on utilisera Vcc = +15 V fournit par lalimentation stabilise.
La tension dentre Ve est un signal sinusodal de valeur maximale 10 V et de frquence 1
kHz.
6.2
Prparation
Elle consiste raliser ltude des diffrents montages proposs et raliser les applications
numriques.
6.3
Manipulation
6.3.1
Suiveur
Soit le schma suivant :

3
6
TL081
Ve
2
Vs
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
171
Rsum Thorique et
Quelle est la valeur de la tension de sortie en fonction de la tension dentre.

Pourquoi appelle-t-on ce montage suiveur ?
Quelle peut tre son application ?
En utilisant la fonction XY de loscilloscope, visualiser la caractristique Vs=f(Ve) de ce
montage. On reprsentera sur un mme schma, la tension dentre et la tension de sortie. On
reprsentera aussi la caractristique Ys = f(Ve) dans le compte rendu.
6.3.2
Amplificateur non inverseur

3
6
TL081
Ve
2
R2
Vs
R1
R1 = 1 k R2 = 1 k
Ve est un signal sinusodal damplitude maximale 5 V.
Relever sur un mme graphe Ve et Vs.
Ve est maintenant le signal sinusodal damplitude 10 V. Quel phnomne voit on apparatre ?
Relever alors Vs et Ve ainsi que la caractristique de ce montage avec le phnomne observ.
6.3.3
Amplificateur inverseur
R1
R2
2
Ve
TL081
3
Vs
R1 = 1 k R2 = 2 k
Mmes questions que pour 6.3.2
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
172
Rsum Thorique et
6.3.4 Comparateur hystrsis

R1
R2
3
Ve
TL081
2
Vs
R1 = 1 k R2 = 2 k
Relever la caractristique Vs=f(Ve). A quoi peut servir un tel montage ?
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
173
Rsum Thorique et
TP N 7
Amplificateur Oprationnel rel
7.1
Prparation
Le TL 081 est un amplificateur oprationnel. Lors de la sance prcdente, nous avons

considr que ce composant tait parfait, savoir :
la rsistance dentre est infinie (i+ =i- =0 A)
lamplificateur fonctionne de la mme manire quelle que soit la frquence
si lentre est nulle, la sortie est nulle.
En pratique ces spcifications ne peuvent bien sr pas tre ralises. Il est donc ncessaire
davoir un ordre de grandeur des valeurs que prsente cet amplificateur.
En utilisant la documentation fournie, prciser le brochage et le rle de chaque broche.
De mme, donner la valeur des diffrents paramtres suivants, ainsi que les conditions qui ont
permis de les mesurer :
la puissance maximale
les courants dentre
la rsistance dentre
le courant dalimentation
la tension de dcalage en entre
la plage de temprature dutilisation
la valeur du slew rate
7.2
Tension rsiduelle dentre
On souhaite que lorsque le signal dentre de lamplificateur est nul, la sortie soit aussi nulle.
On ralise alors le montage suivant :
3
6
TL081
2
Vs
Si lamplificateur tait parfait, quelle devrait tre la valeur de Vs ?. Faites la mesure, quelle
valeur trouvez vous ? Cette valeur est appele la tension rsiduelle dentre, ou tension de
dcalage (en anglais offset voltage).
En utilisant le schma propos par le fabricant, compensez alors cette tension. Expliquez la
manire de procder.
OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
174
Rsum Thorique et
7.3
Temps de monte
Ce temps est appel slew rate en anglais.

Pour le mesurer on ralise le montage suivant dans lequel R vaut 1 k .
R
2
TL081
GBF
3
Vs
A quoi sert la rsistance R. ?

Effectuez la mesure et prcisez comment vous procdez ?
On considre que le comparateur ne fonctionne plus correctement lorsque le signal de sortie
nest plus carr. Pour quelle frquence ce phnomne se produit-il ?
De tous les paramtres mesurs, lequel vous parat le plus limiter le fonctionnement de
lamplificateur ?
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OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
175
Rsum Thorique et
TP N 8
Gnrateurs de signaux
8.1
Prparation
8.1.1
Etudier le montage suivant :

R1
R2
3
6
TL081
Ve1(t)
2
Vs1(t)
Nomez la fonction qui ralise le montage.
8.1.2
Etudier le montage suivant :

Vc(t)
C
i(t)
2
Ve2(t)
TL081
3
Vs2(t)
Nomez la fonction qui ralise le montage.
8.2
Mise en cascade
On ralise lassociation des deux schmas prcdentsd de la manire ce que la sortie de lun
se connecte lentre de lautre et vice versa.
Expliquez qualitativement quel va tre le fonctionnement de lensemble du dispositif.
De quel type sont les signaux en Vs2, et en Vs1 ?
Relevezr la priode des oscillations.
On prendra R1= 1k R2= 2,2 k , C=0,1 F. R est compose dune rsistance de 10 k en
srie avec un potentiomtre de 100 k
Entre quelle valeur maximale et minimale peut varier la frquence ? Raliser le montage,
relever Vs1 et Vs2 pour fmin et fmax. Qua-t-on ralis comme montage ?
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176
Rsum Thorique et
8.3
Etages en cascade
Soient les deux montages suivants avec R=100 k , R1= 1 k R2=2 k quelle est la fonction
de transfert ralise dans chaque cas ?
R2
R1
R
Ve
TL081
Vs1
Ve2
Vs
On associe les deux montages, Ve est un signal sinusodal. Quelle doit tre la fonction de
transfert thorique ralise ?
Faites la manipulation. Quobservez vous ? Que sest il pass, et comment peut on y
remdier?
R2
R1
R
Ve
TL081
3
Vs
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OFPPT/DRIF/ISIC/CDC
177
Rsum Thorique et
TP N 9
Horloges NE 555
9.1
Prparation
A laide de la documentation fournie par le formateur expliquez quel type de composant est le
NE 555. Quels types de signaux peut-il fournir, et dans quels modes peut il fonctionner ?
Donnez, de plus, les valeurs des tensions dalimentation, des tensions de commande, ainsi que
le courant de sortie. Quelle est la puissance maximale que le circuit peut dissiper et sous
quelle conditions ? Vous prciserez quoi sert la broche 4 (Reset) et quelle doit tre la valeur
appliquer pour que le circuit soit fonctionnel.
9.2
Fonction Monostable
En vous aidant des schmas fournis par le formateurteur, proposez un schma de cblage
command par un signal externe, permettant de raliser un signal de mme priode que le
signal de commande, mais de dure fixe 10-4 s. On utilisera une rsistance RA = 1k .
Relevez, pour f=1 kHz et pour f=9 kHz lallure du signal de commande et du signal gnr
par le NE 555.
9.3
Fonction Astable
En utilisant la documentation, proposez un schma permettant de raliser un signal carr de

rapport cyclique 1/2, de frquence 44 kHz. On prendra une capacit C = 4,7 nF. Relevez
lallure du signal obtenu.
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Analyse de Circuits A Semi Conducteurs

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Office de la Formation Professionnelle et de la Promotion du Travail

SPECIALITE : LECTROMECANIQUE DES

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

Document labor par :

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

NOTIONS SUR SEMICONDUCTEURS ....................................................................... 13

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

6.2.11 Amplificateur oprationnel rel ..................................................................... 105

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

TP N1 Introduction aux composants lectroniques et la mesure .............................. 150

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

Suiveur ............................................................................................................... 171

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

ANALYSE DE CIRCUITS SEMI-CONDUCTEURS

CRITERES GENERAUX DE PERFORMANCE

Respect des rgles de sant et de scurit au travail.

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

OBJECTIF OPERATIONNEL DE PREMIER NIVEAU

A. Expliquer les fonctions des diodes,

- Explication prcise des fonctions.

B. Lire et interprter des circuits de

- Identification correcte des composants

C. Slectionner des composants

- Choix appropri des composants.

D. Appliquer les rgles de sant et de

- Respect des mesures de protection.

E. Mesurer et calculer les paramtres

- Exactitude des mesures et des calculs.

F. Diagnostiquer des problmes sur

G. Remettre les lieux de travail en

- Propret du lieu de travail et

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

OBJECTIFS OPERATIONNELS DE SECOND NIVEAU

Avant dapprendre expliquer les fonctions des diodes, des transistors et

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

OBJECTIFS OPERATIONNELS DE SECOND NIVEAU

Avant dapprendre appliquer les rgles de sant et de scurit au travail

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

Module 10 : ANALYSE DE CIRCUITS

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

NOTIONS SUR SEMICONDUCTEURS

Description: semiconducteur intrinsque

Figure 1- 1. Semiconducteur intrinsque

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

Description: semiconducteur extrinsque de type n

Figure 1- 2. Semiconducteur de type n

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

Figure 1- 3. Semiconducteur de type n (modle)

Description: semiconducteur extrinsque de type p

Figure 1- 4. Semiconducteur de type p

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

Figure 1- 5. Semiconducteur de type p (modle)

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

Figure 2- 1. Modle de la jonction p-n

quilibre sans gnrateur.

Figure 2- 2. Equilibre au niveau de la jonction.

MODULE 10: ANALYSE DE CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS

devenir respectivement des charges + et -) va tre suffisant pour contrarier le

Avec un gnrateur en sens direct.

Figure 2- 3. Polarisation de la jonction en sens direct

Avec un gnrateur en sens inverse.