Pre informe I
ODF
Se conoce como factor de sobreexcitacin (ODF) y se relaciona con la cantidad de carga adicional
que se almacena en la base. Normalmente la corriente de base es mayor a la requerida para entrar
a la zona de saturacin del dispositivo, como resultado la carga excedente queda almacenada en la
base.
Es recomendable disear el circuito para una corriente mayor que IBS para garantizar que el TBJ
est trabajando en la regin de saturacin. A partir de este planteamiento se puede decir que el
ODF es siempre mayor que la unidad cuando el dispositivo conduce. A medida que aumenta el
ODF aumenta (directamente proporcional), ya que el
es constante.
Actividad 2
De acuerdo a las especificaciones de cada elemento configure el circuito en el terminal de control
(alimentado en CC) de forma que se pueda llevar los componentes a estado ON y OFF para cada
caso indicado en los esquemas del desarrollo experimental (cada transistor con las cargas A y B),
considerando al menos dos valores de corriente de base en cada caso. En todos los casos las
resistencias del diseo deben corresponder a alguna de las siguientes:
Valor []
Potencia [W]
120
2
220
2
470
0.5
1k
0.5
4k7
0.5
5k6
0.5
VCC = 5 [V]
RB
IB
VBB
+
VCE
E
+
VBE
-
,
.
Para eso es necesario tener una corriente mnima en la base. En el datasheet del transistor la
ganancia mnima de corriente es
. Luego calculamos la corriente mnima base
para que el transistor opere en estado ON:
. Si aplicamos un voltaje de
VCC = 12 [V]
RB
IB
VBB
C
B
+
VBE
IC
+
VCE
-
Si
, entonces.
RB
IB
VBB
+ E
VBE1
-
C
B
+
VBE2
-
+
VCE
-
Para obtener la corriente mxima del circuito, debemos tener el interruptor abierto:
Con
Con
, calculamos el voltaje
de la siguiente forma:
VCC = 12 [V]
IC
C
RB
E
+
VBE1
-
IB
VBB
+
VBE2 -
+
VCE
-
; entonces:
y el voltaje de base