Apellidos y Nombres: Edincion CLAVERIANO FLORES

Carrera: Ing. Sistemas e Informtica

ODE: HUARAZ

UNION P-N

En una unin entre un semiconductor p y uno n, a temperatura ambiente, los

huecos de la zona p pasan por difusin hacia la zona n y los electrones de la
zona n pasan a la zona p.
En la zona de la unin, huecos y electrones se recombinan, quedando una
estrecha zona de transicin con una distribucin de carga debida a la presencia
de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones.
Una de las claves cruciales en la electrnica de estado slido es la naturaleza
de la unin P-N. Cuando los materiales de tipo p y tipo n se colocan en
contacto uno con otro, la unin se comporta de manera muy diferente a como
lo hacen cada uno de los materiales por si solos. Especficamente, la corriente
fluir fcilmente en una direccin (polarizacin directa) pero no en la otra
(polarizacin inversa), creando un diodo bsico. Este comportamiento no
reversible, surge de la naturaleza del proceso de transporte de carga en los dos
tipos de materiales.

Los crculos vacos en el lado izquierdo de la unin de arriba a la derecha,

representan "huecos" o deficiencias de electrones en la red, que pueden actuar
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como portadores de carga positiva. Los crculos slidos a la derecha de la

unin representan los electrones disponibles desde el dopante de tipo n. Cerca
de la unin, los electrones se difunden a su travs y se combinan con los
agujeros, creando una "regin de deplecin". El croquis de nivel de energa de
arriba a la derecha, es una forma de visualizar la condicin de equilibrio de la
unin P-N. La direccin ascendente en el diagrama representa la energa
creciente de electrones.
En e applet, se puede observar como
el polo positivo de la batera en el
nodo del diodo (parte positiva) y el
polo

negativo

al

ctodo

(parte

negativa).
Notamos los siguientes aspectos:
Las cargas positivas (huecos) de
la zona P y los electrones de la
zona

N,

son

empujados

en

direccin de la unin del campo

elctrico

que

origina

la

polarizacin. En consecuencia,
se puede afirmar que el ancho

de la zona de transmisin se reduce.

El campo elctrico de la polarizacin se opone al de la unin. De esta
manera se reduce el campo elctrico de la unin y en consecuencia la
barrera del potencial. Por otro lado debemos considerar que la barrera de
potencial son polarizacin es VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada
a dicha unin.

FSICA ELECTRNICA

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados

estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja
impedancia. Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P,
dispuestas alternadamente. La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se
muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia y la III, la
regin de baja impedancia. Para pasar del estado apagado al de conduccin,
se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin de conmutacin,

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denominada

Vs.

La

impedancia del diodo

desciende
bruscamente,
haciendo

que

la

corriente

que

lo

atraviesa

se

incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la

regin III (Punto B). Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente
hasta la corriente de mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo
aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras

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aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza
el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

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