TEMA

1: ESTRUCTURA CRISTALINA
1.1 SISTEMAS CRISTALINOS Y REDES DE BRAVAIS
Se define un cristal como la agrupacin de tomos e iones que se encuentran en las posiciones de
equilibrio (fuerza nula y energa mnima) constituyendo una estructura ordenada, peridica y repetitiva
que se extiende en las tres direcciones del espacio generando orden de largo alcance.
Se define la red espacial o retculo cristalino, para representar de forma sencilla la estructura interna de
los cristales, segn la cual la posicin de cada tomo, molcula... se describe mediante la posicin de un
punto, denominado punto reticular.
El cristal se puede obtener por apilamiento tridimensional de paraleleppedos
idnticos en forma y tamao, denominando a cada uno celda unidad. El
tamao de esta viene determinado por las longitudes de sus tres aristas a, b, y
c, y la forma de la celdilla queda fijada por los ngulos entre las aristas , y .
A todos estos parmetros se les denomina constantes o parmetros de red.
Cuando se considera la celda unidad ms pequea que puede reproducir la estructura cristalina, se
habla de celda unidad primitiva.
Existen nicamente siete tipos de paraleleppedos capaces de reproducir por
completo el espacio tridimensional, sin dejar vacos ni superponerse.
La estructura cristalina se forma cuando se une un grupo de tomos,
molculas o iones (lo que se conoce como la base de la red) de forma idntica
a todos los puntos de la red. Al tener en cuenta que la base de la red debe situarse en determinadas
posiciones de la celda unidad apareceran, de forma general, para cada sistema, cuatro tipos bsicos de
celda unidad: simple, centrada en el cuerpo, centrada en las caras y centrada en las bases.
En el sistema cbico hay tres tipos de celda unidad:

Cbica simple
Cbica centrada en las caras (FCC).
Cbica centrada en el cuerpo (BCC).

La estructura cristalina est constituida por la combinacin de una red cristalina ms la base de la red, y
es la unin de ambas la que determina el tipo de operaciones de simetra que admite el cristal. Por
tanto, al concepto de red cristalina y orden en el espacio le acompaa el concepto de anisotropa, en
contraste con la isotropa presente en los slidos amorfos. La anisotropa inherente al orden cristalino se
manifiesta en que los valores medidos de algunas propiedades son diferentes dependiendo de la
direccin de observacin de la propiedad, por lo que en el diseo estas propiedades se deben tratar
tensorialmente.
La mayora de los materiales cristalinos no se presentan como monocristales, sino que se trata de
policristales, formados por un gran nmero de pequeos cristalinos. Para terminar, hay que sealar que
un elemento puede presentar en funcin de la presin y la temperatura distintas estructuras cristalinas,
esta propiedad se llama alotropa y de forma general, cuando se refiere a sustancias, se habla de
polimorfismo.

1.2 NOTACIN DE MILLER DE DIRECCIONES Y PLANOS CRISTALINOS

Esta notacin emplea un sistema de coordenadas de tres ejes, x, y, z, con origen en un vrtice de la
celda unidad y siendo los ejes de referencia coincidentes con las tres aristas de la celda unidad que
confluyen en ese vrtice.
Notacin de Miller para Puntos Reticulares
La posicin de cualquier punto en la red cristalina se
describe en funcin de los parmetros de red a, b y c.
Las coordenadas de posicin de cualquier punto se
escriben como una terna de nmeros relacionados con
los parmetros de red de la forma x/a, y/b y z/c.
Cuando la notacin de un punto difiere de otro solo en
la parte entera de sus coordenadas de posicin, ambos
indican posiciones equivalentes en el retculo cristalino.
Notacin de Miller para Direcciones Cristalinas
Una direccin cristalogrfica de la red viene definida por un vector director que une dos puntos de la red
cristalina. Como el cristal es el resultado de la traslacin, paralelamente a s misma, de la celda unidad,
todas las direcciones paralelas entre s son iguales desde el punto de vista cristalogrfico, y de hecho se
considera que son la misma direccin, tratndose como vectores deslizantes. Procedimiento:

Se traslada el vector director de forma que pase por el

origen de coordenadas, ya que todas las direcciones
cristalogrficas paralelas tendrn la misma notacin.
Se determina la proyeccin del vector en cada uno de los
tres ejes coordenados y se expresan las coordenadas del
extremo del vector en funcin de los parmetros de red a,
b y c.
A partir de dichas coordenadas, se han de multiplicar o
dividir los tres nmeros obtenidos por un factor comn,
de manera que se obtengan tres nmeros enteros que
sean los menores posibles.
La notacin de esa direccin de la red se escribe con los tres valores obtenidos, entre corchetes
y sin separarlos por comas. [u v w]

Se denominan direcciones equivalentes aquellas en las que las distancias entre los puntos reticulares
son iguales a lo largo de dichas direcciones. Son direcciones geomtricamente distintas, pero
cristalogrficamente equivalentes.

Al conjunto de todas las direcciones equivalentes a una dada se le denomina familia de direcciones. En
una red cbica es posible determinar el nmero de direcciones de una familia <u v w>, de la siguiente
manera:
Donde n es el nmero de ndices iguales, y
m el nmero de ndices nulos.
Notacin de Miller para Planos Cristalinos
Se define un sistema de planos como el conjunto de planos paralelos y equidistantes, tales que la
separacin entre dos adyacentes es la misma que la distancia del primero de ellos respecto del origen.
Todos los planos paralelos y equidistantes tienen ndices de Miller idnticos. Procedimiento:

Se elige el plano ms cercano al origen de coordenadas que no pase por l.

Se determinan los puntos en los que el plano intercepta a los ejes, expresando esos puntos de
interseccin del plano con cada uno de los ejes, en trminos de los parmetros de red.
Se hallan los inversos de cada uno de estos nmeros y se obtienen los valores mnimos enteros,
multiplicando, si es necesario, los tres ndices por el mismo valor.

Dado un sistema de planos <h k l> la distancia que separa esos planos
equidistantes se llama distancia interplanar y se define:
En este punto hay que indicar que no se puede considerar que
cualquier sistema de planos, geomtricamente viable, pueda
considerarse plano de la red. Para que un sistema de planos
sea de la red (es decir, para que el conjunto de planos de ese
sistema reproduzca el cristal en su totalidad) el sistema debe
contener a todos los puntos reticulares y no debe haber
planos vacos. Cuando un sistema de planos es de la red,
cualquier mltiplo de ste no ser de la red.
El espaciado interplanar se hace ms pequeo a medida que
los ndices de los planos son mayores, y que la ocupacin en
los planos es menos cuando los ndices de Miller son ms
altos.

[[[ Los sistemas de planos en los que hay ms de un ndice de Miller distintos de cero no son paralelos a
las caras ]]]
En los distintos sistemas cristalinos existen planos reticulares equivalentes, caracterizados porque en
ellos la distribucin de puntos reticulares es la misma. Son planos idnticos, salvo por la orientacin y la
posicin dentro de la celdilla unidad. El conjunto de los planos equivalentes a uno dado forman una
familia de planos. El nmero de sistemas de planos pertenecientes a una familia {h k l} viene dado por:
= 24 ! 2!
Notacin de Miller-Bravais para el sistema hexagonal
Las direcciones y planos en el sistema hexagonal vienen dados por cuatro
ndices. La notacin de Miller-Bravais para planos de la red es de la forma
(h k i l). La conversin de un sistema de planos (h k l) expresado en la
notacin de Miller a la notacin de Miller-Bravais se basa en que el nuevo
ndice es iguala a la suma de los ndices h y k con signo contrario. De modo
anlogo, la conversin contraria se produce eliminando el ltimo ndice.
Los planos de una familia en el caso del sistema hexagonal, se obtienen sin
mover el cuarto ndice, y permutando los otros tres, pero sin variar el
signo (pues dejara de cumplirse la relacin h+k+i=0). La distancia
interplanar quedar de la siguiente manera:

! ! !(

La direccin [u v w] en notacin de tres ndices pasa a la notacin

Miller-Bravais con cuatro ndices [u v t w]
Siendo n el factor necesario para reducir u, v, t y w a los enteros
ms pequeos.

1.3 EMPAQUETAMIENTO EN REDES CRISTALINAS

ndice o nmero de Coordinacin
El ndice o nmero de coordinacin es el nmero de tomos o iones (de distinto signo) que rodean a
uno dado, y que estn a la misma y mnima distancia. Da una idea del empaquetamiento de la red.
Cuando la red cristalina tiene el mximo empaquetamiento posible se dice que es compacta, y el n de
coordinacin ser doce.
Factor de Empaquetamiento
El factor de empaquetamiento se define como la fraccin del espacio de la celda unitaria ocupada por
los tomos o iones, suponiendo que stos son esferas slidas. En metales se define como:

En cristales inicos se define el factor de empaquetamiento inico (FEI):
=

+ +

Dado que no todo el volumen de la celda unidad est ocupado por tomos, quedan espacios vacos, que
se denominan huecos de la red. Cuanto mayor sea el nmero y el tamao de los huecos, mayores sern
las posibilidades de albergar en ellos otros elementos o de que se produzcan fenmenos como la
difusin.
Se denomina hueco tetradrico al espacio que queda libre cuando un tomo se apoya en tres tangentes
entre s. Se denomina hueco octadrico al que queda en el interior de un octaedro regular. Se denomina
hueco cbico al que queda en el interior del cubo formado por ocho tomos situados en los vrtices.

Tetrdrico

Octadrico

Densidad Atmica Lineal y Densidad Atmica Superficial

Se define una direccin compacta como aqulla en la que los tomos se hallan en contacto directo
entre s. Se define un plano compacto como aqul en el que un tomo contacta con seis igual a l.
La densidad atmica lineal se define como el n de puntos reticulares por unidad de longitud a lo largo
de una direccin. Solo deben considerarse los tomos cuyo centro cae directamente sobre la direccin,
sin tener en cuenta los que son intersectados fuera de
su centro.
Las direcciones compactas son las de mxima densidad
atmica lineal: la mxima compacidad en una direccin se obtiene cuando los tomos estn en contacto
directo a lo largo de la direccin considerada.
La densidad atmica superficial se define como el nmero de tomos cuyo centro cae directamente
sobre el plano, por unidad de superficie. nicamente se consideran los tomos cuyos centros caen
directamente sobre el plano considerado.
Los planos ms compactos son los de mxima densidad
superficial. La mxima compacidad se obtiene cuando
todos los tomos estn en contacto entre s.
Las densidades lineales y superficiales son de gran importancia en la explicacin del comportamiento
durante la deformacin plstica de los metales, pues el deslizamiento que se produce en los cristales
metlicos tiene lugar en los planos cristalogrficos y a lo largo de las direcciones con mayor densidad
atmica.
Densidad Volumtrica
La densidad volumtrica de un material se refiere a la relacion de la masa por
unidad de volumen. Por ello, conocidos los parmetros de la celdilla unidad y la masa de los tomos que
hay en ella se puede calcular la densidad segn:
Donde nc es el nmero de tomos en la celdilla unidad, M es la masa atmica del elemento presente, Vc
el volumen de la celdilla unidad y Na el n de Avogadro.
En el caso de no conocer el valor de los parmetros de la celda unidad, las dimensiones de la celdilla se
pueden deducir a partir de las relaciones entre el parmetro de red y las dimensiones atmicas.

1.4 REDES CRISTALINAS METLICAS

El enlace metlico es no direccional y sin restricciones en cuanto al nmero de vecinos ms prximos
que puede tener un tomo, por lo que el nmero de tomos que rodean a uno dado en las estructuras
metlicas es elevado y los empaquetamientos son bastante densos.
Red Cbica Centrada en las Caras (FCC)
La estructura cbica en las caras puede generarse mediante el apilamiento de
planos compactos idnticos con una secuencia de apilamiento del tipo
ABCABCABC Puede comprobarse que en esta red los tomos estn en contacto
directo a lo largo de las diagonales de las caras. Por convenio, se define el dimetro atmico como la
mitad de la distancia ocupada por dos tomos que se consideran tangentes entre s, por lo que la
relacin entre el parmetro de red, a, y el radio atmico, r, es: [ a = 4r / 2 ]
El nmero de tomos por celdilla puede calcularse teniendo en cuenta que cada tomo en los vrtices
est compartido por ocho celdillas y que cada tomo en el centro de las caras est compartido por dos
celdas unidad. Nmero de tomos por celda unidad: 8*(1/8) + 6(1/2) = 4 tomos.
Por tanto, el FEA 0,74 , es el mximo empaquetamiento posible que se puede conseguir apilando planos
compactos idnticos formados por esferas del mismo tamao. Por celdilla hay ocho huecos tetradricos
y cuatro huecos octadricos. Nmero de huecos octadricos = 1 + 12*(1/4) = 4 huecos.
Los planos de la red en el caso de las estructuras cbicas centradas en las caras son los que cumplen que
sus ndices de Miller {h k l} son, o todos pares o todos impares.
Red Hexagonal Compacta (HCP)
El apilamiento de planos compactos con la secuencia ABABAB da lugar a la
estructura o empaquetamiento hexagonal compacto. El volumen de la celda
unidad hexagonal es tres veces el volumen de la celda unidad. Los tomos de
los planos que forman el empaquetamiento son tangentes entre s. El parmetro
c es igual a dos veces la separacin entre planos compactos. a=2r
Para el clculo del nmero de tomos por celdilla se ha de tener en cuenta que
en la celda unidad hay cuatro tomos compartidos por seis celdillas y otros
cuatro compartidos por 12 celdillas, adems de un tomo completo en el
interior. Nmero de tomos por celda unidad: 4*(1/12) + (1/16) = 2 tomos.

Si se toma como referencia la celda unidad mltiple, se comprueba que hay tres tomos en el interior de
la celdilla, dos ms en el centro de las bases y doce en los vrtices.
Nmero de tomos en la celda hexagonal: 12*(1/6) + 2(1/2) + 3 = 6 tomos.
El factor de empaquetamiento atmico, en el caso de la red hexagonal, es tambin 0,74 tal como
corresponde a una estructura compacta, y el nmero de coordinacin es doce.
La fraccin en volumen de huecos es igual a 0,26. Hay doce huecos tetradricos y seis huecos
octadricos.
Los sistemas de planos que son planos de la red en la red hexagonal compacta son todos los que poseen
ndices de Miller-Bravais {h k i l} tales que no verifican (h+2k)=3n, con l impar. En cuanto a los planos y
direcciones compactas, los tomos estn en contacto directo a lo largo de las aristas del hexgono de la
base.

Red Cbica Centrada en el Cuerpo (BCC)

El nmero de coordinacin de cualquiera de los tomos presentes en la
estructura cbica centrada en el cuerpo es 8. Puede comprobarse que los
tomos estn en contacto a lo largo de las diagonales del cubo. [ a = 4r / 3 ]
El nmero de tomos por celdilla se calcula teniendo en cuenta que hay ocho tomos en los vrtices,
que son compartidos por ocho celdillas y un tomo en el interior de la celdilla. Nmero de tomos por
celda unidad: 8*(1/8) + 1 = 2 tomos.
El factor de empaquetamiento atmico en el caso de la red cbica centrada en el cuerpo es menor que
en los casos anteriores, ya que se trata de una estructura no compacta.
La fraccin en volumen de huecos en la red cbica centrada en el cuerpo es igual a 0,32. Hay doce
huecos tetradricos y seis huecos octadricos.
Nmero de huecos tetradricos = 4*6*0.5 = 12 huecos ; Nmero de huecos octadricos = 6*0.5 +
12*(1/4) = 6 huecos
Los sistemas de planos que son planos de la red en la red cbica centrada en el cuerpo son aquellos para
los cuales la suma de los ndices de Miller del plano es par, es decir, un plano { h k l } es de la red si
h + k + l = nmero par. Finalmente, la red cbica centrada en el cuerpo posee direcciones compactas,
pero no planos compactos.

1.5 REDES CRISTALINAS EN MATERIALES CERMICOS

En los materiales cermicos los enlaces entre los tomos que los forman
pueden ser de tipo predominante covalente, o pueden ser de tipo claramente inico. Estas
clasificaciones indican qu tipo de enlace prevalece. Por tanto, existen compuestos cermicos cuyo
enlace no es totalmente inico o covalente. La mayor o menor participacin del enlace covalente en el
inico y a la inversa, depende fundamentalmente de la relacin existente entre los valores de
electronegatividad de los tomos enlazados. As, si Xa y Xb son las electronegatividades de los dos
elementos involucrados en el enlace.
Slidos Covalentes
El enlace es direccional, y esta direccionalidad es la que determina la coordinacin y la posicin de los
tomos en la red cristalina.
Slidos Inicos
Los compuestos inicos estn formados por cationes y aniones que se unen para formar un slido
cristalino. Las interacciones entre los iones son, fundamentalmente, de tipo culmbico, y la intensidad
del enlace inico depende de varios factores tales como la carga y tamao de los iones y el tipo de red
cristalina. En los compuestos inicos hay al menos dos especies qumicas formando la estructura
cristalina.

Inestable

Estable

Estable

El enlace inico es un enlace fuerte y no direccional. El modelo considera los iones como esferas rgidas
cargadas cuyo radio es el radio inico, y supone que las esferas estn en contacto, de forma que se
satisfagan dos condiciones:

Que iones de una carga dada se rodeen de tantos iones de carga opuesta como sea posible, es
decir que se consiga el mximo empaquetamiento posible de iones.
Neutralidad elctrica: el nmero total de cargas positivas y negativas en el material debe ser
igual.

Los aniones tienen mayor tamao que los cationes y el grado de empaquetamiento en la estructura
viene determinado por el mayor n de aniones que pueden rodear a un catin de forma estable tocando
al ion de signo contrario. Es una estructura cristalina inica real, alrededor de cada catin se forma un
poliedro de coordinacin de aniones y viceversa. Ese poliedro solo ser estable si el catin est en
contacto con cada uno de sus aniones vecinos. Las reglas de empaquetamiento tienen a maximizar las
atracciones catin-anin y minimizar las repulsiones anin-anin y catin-catin.
En la estructura cristalina tridimensional, el poliedro de coordinacin est determinado por la relacin
de radios de los iones presentes.
Slidos inicos tipo MX
Los compuestos inicos formados por dos iones de igual carga responden a una frmula del tipo MX en
la que M correspondera al smbolo del elemento metlico y X al del no metlico.

1.6 DIFRACCIN DE RAYOS X

La difraccin de rayos X es una potente herramienta en la elucidacin
de las estructuras cristalinas.
Se produce difraccin cuando una onda encuentra una serie de
obstculos igualmente espaciados que son capaces de dispersar la
onda, de modo que la interferencia de las ondas difractadas da como
resultado un patrn de difraccin que informa sobre el orden de esos
obstculos que difractaron la onda.
En los equipos de difraccin de rayos X convencionales, para producir radiacin se utiliza un generador
de alta tensin. Como ctodo se utiliza un filamento de wolframio por que el circula una corriente.
Cuando se calienta, este filamento libera electrones que se aceleran con un campo elctrico e inciden en
el nodo a gran velocidad. El nodo es de un metal puro de modo que cuando uno de estos electrones
de alta energa choca con el nodo puede producir la salida de un electrn interno de un tomo del
metal de forma que el tomo queda en estado excitado. Con el fin de evolucionar a una situacin ms
estable, otro electrn de ese mismo tomo, con mayor energa pasa a ocupar el nivel del electrn que se
ha perdido por lo que se produce emisin de energa en forma de radiacin electromagntica.
Ley de Bragg
Cuando se produce la difraccin de rayos X en una estructura cristalina, y por tanto
ordenada, los obstculos o centros dispersores son los tomos que forman los planos cristalinos, de
forma que, como las distancias entre los planos son del orden de la longitud de onda de los rayos X, al
hacer incidir un haz monocromtico de rayos X sobre un material cristalino se producir dispersin
desde cada tomo del material y como resultado interferencia constructivas o destructivas entre los
haces emergente. El registro de estas interferencias es lo que se llama difractograma de rayos X.
N es un numero entero positivo llamado orden de difraccin. La difraccin del primer orden es mucho
ms intensa que las de orden superior.

Solo en aquellas distancias interplanares para las que se verifica esta ley para un ngulo formado entre
los rayos incidentes y los planos cristalogrficos, se originan interferencias constructivas entre los haces
de radiacin emergentes y se observa difraccin. En todos los otros casos la interferencia es destructiva.
A la vista de esta ley se hace necesario conocer la distancia interplanar dhkl, de los sistemas de planos
de una estructura cristalina para su estudio mediante difraccin.

= ( ) + ( ) + ( )

Los planos de mayor de mayor densidad atmica (los ms compactos) son los que presentan distancia
interplanares mayores.