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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DEL PERU

FACULTAD DE INGENIERA DE SISTEMAS

Ao de la Diversificacin Productiva y del Fortalecimiento de la Educacin


UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DEL PER

INSTITUTO DE INVESTIGACIN DE LA FACULTAD


DE INGENIERA DE SISTEMAS

PREGUNTAS DE CIRCUITOS
ELECTRONICOS

INGENIERO:
Ing. Miguel Camarena Ingaruca
ALUMNOS:
Tayra Angela ESTRELLA BALDEON
Kevin FRANCO RAYMUNDO
Aldo GUILLERMO ROJAS
Jean Carlos MOLINA QUISPE
Deyvi ROJAS DE LA CRUZ
Brahian VERASTEGUI ANGELES
SEMESTRE:
SEXTO

2015
Preguntas sobre Aplicacin del
Diodo

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1. Para hacer un rectificador de media onda necesitamos:


A. Dos diodos.
B. Un diodo.
C. Cuatro diodos.
2. Un rectificador de doble onda es necesario para:
A. Transformar la corriente continua en alterna.
B. Transformar la corriente alterna en continua.
C. Transformar corrientes alternas de muy valor en otras de menor
valor.
3. Un diodo Zener se utiliza en:
A. Electrnica de muy altas frecuencias.
B. Como indicador luminoso.
C. Como estabilizador de tensin.
4. Qu diferencia hay entre rectificador de media onda y onda
completa?
El rectificador de media onda quita el ciclo negativo mientras que el
rectificador de onda completa invierte el ciclo negativo y lo hace
positivo.
5. Diga usted que es un rectificador de media onda y grafique.
Es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de
una seal de corriente alterna cuando se polariza inversamente.

6. Explique la polarizacin directa.


El diodo permite el paso de la corriente sin restriccin, los voltajes de
salida y de entrada son iguales.
7. Explique y grafique la polarizacin inversa.
EL diodo no conduce corriente como tambin no hay cada de tensin
sta estar en los
extremos del diodo.
Vo= 0
Vdiodo= Vi
I=0

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8. Grafique la tensin rectificada de media onda

9. Diga usted si es verdadero (V) o falso (F) segn corresponda.

Es un circuito que convierte una corriente alterna en corriente


continua (V).

La parte positiva se convierte en negativa (F).

La parte negativa de la seal se convierte en positiva de la


seal (V).

10.Si a un diodo Zener se le suministra una corriente inversa, sucede


que:
A. El diodo dejar pasar un voltaje constante.
B. El diodo se quemar.
C. Debe de estar en forma directa para que circule corriente
11.Grafique usted al diodo Zener como regulador de tensin.

12.Una de las funciones del diodo Zener es:


A. Al ser polarizado inversamente deja pasar una cantidad
limitada de voltaje.
B. Al ser polarizado directamente deja pasar una cantidad limitada
de voltaje.
C. Al ser polarizado inversamente aumenta el voltaje.
13.Grafique usted la lnea de carga.

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14.Halle el punto Q cuando Vss= 2v y R=1k


P1 (0v, 2v/1k) = (0, 2mA)
P2 (2v, 0mA)
A.

Q = (0.7v, 1.3 mA)

B.

Q = (1v, 0.9 mA)

C.

Q = (1.3v, 1,7mA)

15.En el circuito mostrado halle ID2, ID1 y V2


ID

= 3V/6k = 0,5mA

ID

= 10v/(4+6)k = 1mA

= 3v-6k*1mA = -3V

A. ID2 = 0,3mA; ID1 = 2mA; V2 = 3V.


B. ID2 = 0,5mA; ID1 = 1mA; V2 = -3V.
C. ID2 = 1,3mA; ID1 = 1.5mA; V2 = 3V.
16.En el siguiente circuito mostrado halle ID2, ID1 y V2

D1

= 0.7V / 5k = 0.14mA.

D2

= 0.7V / 2k = 0.35mA.

V2 = -12V-(-0.7) = -11.3 V.

A. ID2 = 0.35mA; ID1 = 0.14mA; V2 = -11.3V.

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B. ID2 = 0,3mA; ID1 = 2mA; V2 = 13V.


C. ID2 = 2.3mA; ID1 = 3mA; V2 = 12.3V.
17.Debido a que los diodos conducen la corriente elctrica en un solo
sentido, se suelen utilizar como rectificadores de seales. Cuantos
diodos se requieren para construir un rectificador de onda completa
cuando se emplea un transformador con TAP central?
A. Un diodo rectificador.
B. Tres diodos rectificadores.
C. Dos diodos rectificadores.

18.Las seales alternas son aquellas que varan en direccin y en


amplitud y es por eso que la forma de onda generalmente usada para
la corriente alterna es la seal senosoidal. Diga usted que
caracterstica no corresponde a una seal alterna.
A. Fase.
B. Frecuencia
C. Polaridad definida.

19.En un diodo Zener se cumple para un estado de conduccin:


A. V < Vz.
B. V = Vz.
C. V Vz.

20.Para la red de diodo Zener de la figura, determine: VL, VR, IZ y PZ.

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A. VL = 8.73V; VR = 7.27V; IZ = 0a;


PZ = 0W.
B. VL = 9V; VR = 7V; IZ = 5a; PZ =
12W.
C. VL = 10V; VR = 6V; IZ = 3a; PZ =
25W.

21.Determinar Vo e ID para el circuito en serie de la siguiente figura:

a) Vo = 11V; ID = 1.96mA.
b) Vo = 11.6V; ID = 1.90mA.
c) Vo = 13V; ID = 2.06mA.

22.Determinar I1, ID1 e ID2 para la configuracin de diodo en paralelo de la

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figura siguiente:

a) I1 = 27.35mA; ID1 = 16.09mA; ID2 = 14.17mA.


b) I1 = 28.18mA; ID1 = 14.09mA; ID2 = 14.09mA.
c) I1 = 21.42mA; ID1 = 13.19mA; ID2 = 12.37mA.

23.Determine el intervalo de valores de Vi que mantendrn en el estado


de conduccin al diodo Zener en el circuito mostrado.

A.

Vimin = 29.67V, 33.55V.

B.

Vimin = 24.77V, 56.79V.

C.

Vimin = 23.67V, 36.87V.

24.En un circuito donde existe el diodo Zener se cumple que:

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A. PZ = PZM.
B. PZ > PZM.
C. PZ < PZM.
25.En una rectificacin de media onda se cumple que:
A. VPI Vm.
B. VPI = Vm.
C. VPI Vm.
26.Diga usted si los enunciados son verdaderos (V) o falsos (F)

En un diodo serie con entradas de CD est en un estado de


conduccin (V).

Si se invierte la direccin del diodo est en un estado de no


conduccin (V).

El voltaje a travs del resistor es 0 (F).

27.Explique brevemente que quiere decir el punto Q.


Es el punto de operacin del circuito llamado tambin punto
quiesciente.
28.Grafique el diodo Zener en su estado de no conduccin con su
respectiva equivalencia.

29.De qu manera circula la corriente en un diodo Zener?


A. Sentido inverso del diodo.
B. Sentido directo del diodo.
C. No circula corriente.

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30.Qu hace un regulador con Zener? Explique brevemente.


Mantiene un voltaje predeterminado fijo a su salida, sin importar las
variaciones de voltaje en la fuente de alimentacin incluyendo las
corrientes.

Preguntas sobre Diodos


Semiconductores

1. Qu es un diodo?
A. Es un dispositivo de dos terminales formado por una unin
p-n.
B. Es un aparato con una sola terminal.
C. Es un dispositivo que mide la energa.
2. Qu es un diodo ideal?
A. Es un circuito abierto en la regin de conduccin y corto circuito
para la regin en la que no hay conduccin.
B. Es un corto circuito para la regin de conduccin y un
circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin.
C. Es un circuito por donde no circula la corriente.
3. Qu son los diodos rectificadores?
A. Los diodos rectificadores tienen una corriente directa inferior a 0,5
A y solo sirven para una corriente alterna (CA).
B. Los diodos rectificadores tienen una corriente directa de
0,5 A o superior y estn diseados para convertir la
corriente alterna (CA) de una lnea de alimentacin de CA
en corriente continua (CC).
C. Los diodos rectificadores tienen una corriente inversa de 0,5 A o
superior y estn diseados para convertir la corriente alterna (CA)
en una corriente continua (CC).
4. Se pueden conectar varios diodos que tengan la misma referencia
en paralelo?
A. No, porque no circulara la corriente debido a que los diodos estn
en paralelo, deberan estar continuos.
B. Nunca, porque llegara a quemarse el diodo causando un corto
circuito.
C. No es recomendable, porque se deben usar diodos que
tengan una corriente nominal ms alta que la otra.
5. Qu es un material conductor?
A. Es cualquier material que soporte un generoso flujo de
carga cuando se aplica una fuente de voltaje de magnitud
limitada a travs de sus terminales.
B. Es un material en especfico por donde circula la corriente.
C. Es un material que se encarga de transformar la energa que
recibe, liberndola en diferentes tipos de energa.
6. Qu es un material semiconductor?

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A. Es un material impuro donde circula solo cierta cantidad de


corriente para luego amplificarla.
B. Es un material que tiene un nivel de conductividad situado
entre los casos extremos de un aislante y un conductor.
C. Es un material que aprovecha la corriente recibida para distribuir
en partes iguales a todo un circuito.
7. Qu es un material aislante?
A. Es un material que ofrece un nivel muy pobre de
conduccin bajo la tensin de una fuente de voltaje
aplicada.
B. Es un material que libera un nivel alto de conduccin.
C. Es un material que genera un nivel medio de conduccin.
8. Cmo acta la temperatura en los dispositivos semiconductores?
A. Aumenta la conductividad cuando la temperatura es fra al
producirse espontneamente pares electrn hueco.
B. Disminuye la conductividad cuando la temperatura es fra y el
diodo pierde su eficacia.
C. La temperatura no tiene nada que ver en la conductividad de un
dispositivo a otro.
9. Qu es la tensin inversa de pico?
A. Es la mnima tensin de pico permitida que se puede aplicar en los
terminales del ctodo y nodo
B. Es la mxima tensin de pico permitida que se puede
aplicar en los terminales del ctodo y del nodo.
C. Es la mxima resistencia de pico permitida que se puede aplicar
en los terminales del ctodo y del nodo.
10.Cundo es que un electrn llega a obtener un mayor estado de
energa?
A. Cuando est ms cerca al ncleo.
B. Cuando est ms distante del ncleo y si abandona su
tomo padre tiene un estado de energa ms alto que de
cualquier otro electrn.
C. Cuando est dentro del ncleo.
11.Qu es un enlace covalente?
A. Es un enlace de tomos, reforzado por los electrones
compartidos.
B. Es un enlace solo de electrones.
C. Es un enlace de tomos, donde no hay ganancia de electrones.
12.Cul es la valencia de un diodo de silicio y la de germanio?
A. (Si)=0.6, (Ge)=0.4
B. (Si)=0.65, (Ge)=0.35
C. (Si)=0.7, (Ge)=0.3

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13. Grafique el diodo semiconductor de silicio con sus caractersticas.

14.Qu son los semiconductores intrnsecos?


A. Son aquellos semiconductores que se han refinado con
todo cuidado para reducir las impurezas a un nivel muy
bajo.
B. Son aquellos semiconductores que an no se ha refinado pero
reducen las impurezas a un nivel muy bajo.
C. Son aquellos semiconductores que se han refinado para eliminar
las impurezas a un nivel muy bajo.
15.Qu son los semiconductores extrnsecos?
A. Son los semiconductores que no tienen impurezas.
B. Son los semiconductores que tienen impurezas.
C. Son los semiconductores que tienen cierto grado de purezas e
impurezas.
16.Cunto tipos de semiconductores extrnsecos hay? Cules son?
A. Hay solo 1 tipo de semiconductor extrnseco: Semiconductor tipo
p.
B. Hay 3 tipos de semiconductores extrnsecos: Semiconductor tipo
n, semiconductor tipo y semiconductor tipo q.
C. Hay
2
tipos
de
semiconductores
extrnsecos:
Semiconductores tipo n y Semiconductores tipo p.
17.Qu son los semiconductores del tipo n?
A. Son las impurezas difundidas con cinco electrones de
valencia y se denominan tomos donadores.
B. Son las purezas difundidas con seis electrones de valencia y se
denominan tomos aceptadores.

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C. Son las impurezas difundidas con siete electrones de valencia y se


denominan tomos donadores.
18.Qu son los semiconductores del tipo p?
A. Son las impurezas difundidas con cuatro electrones de valencia y
se denominan tomos donadores
B. Son las purezas difundidas con tres electrones de valencia y se
denominan tomos aceptadores.
C. Son las impurezas difundidas con tres electrones de
valencia y se denominan tomos aceptadores.
19.Grafique el material tipo n y mencione cual es el portador mayoritario
y cual el minoritario.

20.Grafique el material tipo p y mencione cual es el portador mayoritario


y cual el minoritario

21.Cmo se forma un diodo semiconductor?


A. El diodo semiconductor se forma uniendo nicamente materiales
del tipo n.
B. El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales
tipo n y tipo p.
C. El diodo semiconductor se forma uniendo dos materiales del tipo n
y uno del tipo p.
22.Cuntas y cules son las posibilidades que implica aplicar un voltaje
a travs de las terminales de un diodo?
Son tres posibilidades que implican y son:
No hay polarizacin (VD = 0V)
Hay polarizacin directa (VD > 0V)
Hay polarizacin inversa (VD < 0V)

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23.Cul es el flujo neto de carga para un diodo semiconductor cuando


hay ausencia de un voltaje de polarizacin?
a) El flujo neto de carga en cualquier direccin para un diodo
semiconductor depender de la corriente.
b) El flujo neto de carga en cualquier direccin para un diodo
semiconductor es cero.
c) El flujo neto de carga en cualquier direccin para un diodo
semiconductor depender de la variacin de carga en el circuito.
24.La zona de deplexin empuja a los electrones hacia la derecha y el
hueco a la izquierda, se crea as una Corriente Inversa de
Saturacin (IS) que depende de____________:
a) La temperatura.
b) La corriente.
c) El material.
25.Qu es un diodo Zener?
a) Es un diodo de silicio que se ha diseado para que trabaje en la zona
de ruptura.
b) Es un diodo de germanio diseado para trabajar en la zona de
ruptura.
c) Es un diodo de silicio y de germanio diseado para que trabaje en la
zona de ruptura.
26.Qu funcin cumple y cmo funciona el diodo Zener en un circuito?
A. Tiene como funcin donar tensin a sus terminales, se polariza en
inverso y trabaja en la zona de ruptura.
B. Tiene como funcin obtener una tensin fija a sus
terminales; se polariza en inverso y trabaja en la regin de
ruptura.
C. Tiene como funcin obtener una tensin variable a sus terminales;
se polariza directamente y trabaja en la regin de ruptura.
27.Es posible usar diodos Zener de la misma manera que los diodos
habituales?
En el estado de polarizacin directa, un diodo Zener muestra
caractersticas similares a las de otros diodos, pero no se proporciona
ninguna garanta con respecto a estas caractersticas. As que debe
usar otros diodos para el modo de funcionamiento de polarizacin
directa.

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28.Se pueden conectar varios diodos Zener en paralelo?


No, los diodos Zener no se deben conectar en paralelo con el fin de
aumentar
la
disipacin
de
potencia
permitida.
Si dos diodos Zener se conectan en paralelo, el que tiene la cada de
tensin de Zener ms baja conducir la mayor parte de la corriente
de Zener, con lo que posiblemente exceda la disipacin de potencia
permitida.

29.Se pueden conectar varios diodos Zener en serie?


S, es posible conectar varios diodos Zener en serie con el fin de
obtener la tensin de Zener deseada
30.Qu es un diodo semiconductor de luz o led?
A. Es un diodo de unin p-n trabajando en polarizacin
directa, el cual en lugar de disipar la energa en forma de
calor, lo hace en forma de luz.
B. Es un diodo de unin n-p trabajando en polarizacin inversa y
libera energa en forma de calor.
C. Es un diodo de 3 uniones p-n-p trabajando en polarizan directa y
libera energa en forma de luz.

Preguntas sobre Transistores


1. Un transistor est constituido por dos uniones P-N, polarizadas:
a) Ambas inversamente
@ Una directamente y otra inversamente
c) Ambas directamente
2. La corriente de electrones que circula por la base de un transistor NPN:
a) Es del orden del 20% de la total
@ Es del orden del 4% de la total
e) Es la total que pasa por el transistor
3. El efecto transistor, consiste en:
a) Hacer pasar una dbil corriente por una unin P-N polarizada inversamente
b) Hacer pasar una dbil corriente por una unin P-N polarizada directamente
@ Hacer pasar una gran corriente por una unin polarizando
directamente la otra unin. P-N polarizada inversamente

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4. La barrera de potencial que se crea en un transistor de Si, tiene un valor


aproximado
a) O, 3V
b) 1V
@0,7V
5. En la operacin normal de un transistor, el diodo colector - base, tiene
a) Polarizacin directa
@) Polarizacin inversa
c) La misma que la del diodo emisor base
6. La ganancia de corriente de un transistor es la razn entre:
a) La corriente de colector y la de emisor
b) La corriente de emisor y la de base
@) La corriente colector y la de base
7. Al aumentar el voltaje de fuente del colector en un transistor, aumentar:
a) La corriente de base
@ La corriente de colector
c) La corriente de emisor
8. Si la ganancia de corriente de un transistor es de 200 y la corriente de
colector es de
100mA, la corriente de la base es de:
@ 0,5mA
b) 2mA
c) 102mA
9. Si la ganancia de corriente de un transistor es de 100 y la corriente 300mA,
la corriente de la base es exactamente de:
a) O, 33mA
@2,97mA
c) 3,3mA
10. En un transistor NPN se mide VBE = 0,7V, VCE = 10V, la VCB es:
a) 10,7V
b) -9,3V
@9,3V
11. La potencia disipada colector multiplicada por un transistor es
aproximadamente igual a la corriente del
a) Vbe
b) Vcb
@) Vce
12. Si en el emisor de un transistor PNP se miden 5V, la tensin que se mide en
la base es:
a) 5,7V

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@) 4,3V
c) 5V
13. Si en la base de un transistor NPN se miden 5V, la tensin que se mide en
el emisor es:
a) 5,7V
@,3V
e) 5V
14. Si en la base de un transistor NPN se miden SV, la tensin que se mide en
el emisor es:
a) 5,7V
@,3V
c) 5V

15. Si entre colector y base de un transistor PNP de Silicio se miden 5,1V se


mide entre colector y emisor es:
a) 5,1V
b) 4,4V
@) 5,8 V
16. Qu es un transistor bipolar BJT?
Es un tipo de transistor semiconductor de tres terminales, colector, emisor y
base; entre sus principales funciones son; un buen amplificador y como
elemento de conmutacin.
17. Cules son los tipos de BJT?
Existen 2 tipos:
NPN, que cuenta con dos regiones tipo n y una p
PNP; que cuenta con dos regiones p y una regin n.
18. Cules son las diferencias entre transistores NPN y PNP?
Es bsicamente en su estructura interna, sea de mayor regin N o P adems en
el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el PNP ingresa la corriente
por esta misma.
Dicho de otro modo los PNP su base es negativa sea solo puedes aplicarle a su
base tensin negativa y los NPN su base es positiva solo le puede aplicar tensin
positiva para que opere
19. Cules son las caractersticas de entrada de los transistores NPN?
La configuracin emisor comn es la que generalmente se utiliza en
aplicaciones de conmutacin, por ende las caractersticas de entrada en un NPN
es la relacin que se tiene entre la corriente base y el comportamiento de la
tensin este ltimo en funcin de
20. Cules son las caractersticas de salida de los transistores NPN?
Viene a ser el comportamiento de la corriente IC, en funcin del voltaje colector
emisor VCE

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21. Qu separa las 3 regiones en un transistor?


Se encuentran las regiones de agotamiento.
22. Cul de las tres corrientes que pasa en un transistor es ms alta?
La ms alta es la corriente que pasa por el emisor.
23. Cul es la funcin ms importante que hace un transistor?
Su funcin principal es la de amplificador.
24.En un circuito en emisor comn la distorsin por saturacin recorta
a) la tensin colector-emisor por la parte inferior
b) la corriente de colector por la parte inferior
@) la tensin colector-emisor por la parte superior
25. En la regin activa, la corriente de colector no est afectada
significativamente por:
a) la ganancia de corriente
@) la resistencia del colector
c) la corriente de base

26. Las corrientes en un transistor pnp son:


a) por lo general menores que las corrientes de los npn
@) opuestas a las corrientes npn
c) usualmente mayores que las corrientes npn
d) negativas
27. Cuando hacemos trabajar al BJT como interruptor (polarizacin de base, con
Vcc
= 5V) y no hay corriente de base, la tensin de salida del transistor es
a) desconocida
b) baja (0 V)
@) alta (5 V)
28. En un circuito electrnico la alimentacin de continua
a) se emplea siempre para polarizar el transistor en la zona activa
b) se obtiene siempre mediante bateras
@) limita los valores de la tensin alterna en la salida
29. Para que un transistor BJT trabaje en la zona de saturacin, la polarizacin
de las uniones deber ser:
a) Unin de emisor en directa y unin de colector en inversa.
b) Depender de si es npn o pnp.
@) Unin de emisor en directa y unin de colector en directa.
30. En la polarizacin por divisor de tensin de un BJT tipo npn, la tensin en el
emisor es 0,7 V menor que
@) La tensin de la base
b) La tensin del colector
c) La tensin de tierra

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Preguntas sobre Transistores


BJT
1. Una de estas afirmaciones sobre los BJTs es falsa:
a) Los transistores BJT se denominan bipolares porque en su funcionamiento
participan ambos tipos de portadores: electrones y huecos.
b) Aunque podran ser dispositivos simtricos, los dopajes de emisor y colector
son diferentes y eso hace que por lo general no sean intercambiables.
c) Se consiguen sin ms que conectar dos diodos en oposicin, aunque
normalmente se realizan sobre el mismo cristal.
2. Cuando un BJT se encuentra polarizado en activa:
a) La unin de emisor se polariza en directa y la unin de colector en inversa
b) Ambas uniones se polarizan en directa
c) Ambas uniones se polarizan en inversa
3. Si la unin base-emisor se polariza en directa y la colector-base en
inversa
a) Los portadores se inyectan / emiten principalmente desde el emisor
b) Y se recolectan en el colector
c) Siempre y cuando el transistor est correctamente diseado
d) Todas son correctas
4. Una de las siguientes afirmaciones sobre la corriente de colector de los
BJTs en activa es falsa:
a) Es aproximadamente proporcional a la corriente de base
b) Aumenta, aproximadamente, de forma exponencial con la tensin aplicada
en la unin emisor-base
c) Aumenta exponencialmente con la tensin colector-base
5. Los parmetros y :
a) Son indicadores de la eficiencia del transistor
b) Disminuyen si disminuye el grosor de la base
c) Aumentan al aumentar el dopaje de base

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6. El factor de transporte de la base, T, nos indica:


a) el porcentaje de los portadores inyectados desde el emisor que son
recogidos en el colector
b) cul es la mxima corriente inyectable en la base desde el emisor
c) cul es la mxima corriente que la base puede transportar

7. En activa, la corriente de base de un BJT:


a) Est relacionada slo con los portadores inyectados desde la base al emisor
b) Est relacionada slo con los portadores que se recombinan en la base
c) Est relacionada, principalmente, con los portadores inyectados desde la
base al emisor y los que se recombinan en base

8. Los dopajes y las dimensiones de un transistor se escogen de forma


que:
a) se maximice la eficiencia de inyeccin, (gamma)
b) se maximice el factor de transporte, T
c) se maximicen y , maximizando y T
9. Las curvas caractersticas (de salida, en emisor comn) de un BJT son,
idealmente, horizontales:
a) en la regin activa s, pues entonces IC = IB + (+1) IC0
b) nunca, pues la recombinacin de base no es despreciable
c) siempre, pues las corrientes de colector y base son siempre proporcionales y
no dependen de la tensin
10. Las curvas caractersticas reales (de salida, en emisor comn) de un
BJT presentan, en realidad, una ligera pendiente:
a) debido a que la tensin base-colector modula la anchura de la base
b) debido a que el dopaje de colector es bajo y se trata de una zona muy
resistiva
c) debido a que IC0 es funcin de la tensin de colector

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11. La beta de un transistor:


a) Es constante (e igual a 100)
b) Depende de la corriente de colector, la temperatura, etc.
c) Depende de la configuracin utilizada
12. Respecto a la estabilidad del punto de polarizacin de un transistor
BJT Q (IC, VCE):
a) La corriente de colector variar siempre de forma lineal (proporcional) con
beta
b) Q debe controlarse para que el transistor trabaje cerca de saturacin
c) Existen circuitos de polarizacin que facilitan la estabilidad, minimizando las
variaciones de IC ante cambios de temperatura, beta, etc.
13. Cules son los tipos de BJT?
a) NPN y PNP
b) NNP y PPN
C) NNN y PPP
14. Cules son las tres regiones de operacin de los BJT?
a) inicio, intermedio y final
b) de corte, activa y de saturacin
c) activo, amplificacin y operativo
15. Qu es el beta (B) de los BJT?
a) Es la relacin de la corriente de colector (IC) y la corriente de base
b) Es la relacin de la corriente de emisor (IE) y la corriente de base
c) Es la relacin de la corriente de base (I B) y la corriente de base
16. En un circuito en emisor comn la distorsin por saturacin recorta
a) la tensin colector-emisor por la parte inferior
b) la corriente de colector por la parte inferior
c) la tensin colector-emisor por la parte superior
17. Qu es un transistor bipolar BJT?

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Es un tipo de transistor de tres terminales, colector, emisor y base; entre sus


principales funciones son; un buen amplificador y como elemento de
conmutacin.
18. Cules son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?
Es bsicamente en su estructura interna, sea de mayor regin n o p adems en
el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el PNP ingresa la
corriente por esta misma.
19. Cules son las caractersticas de entrada de los transistores NPN?
La configuracin emisor comn es la que generalmente se utiliza en
aplicaciones de conmutacin, por ende las caractersticas de entrada en un
NPN es la relacin que se tiene entre la corriente base (I B) y el comportamiento
de la tensin VBE este ltimo en funcin de IB.
20. Cules son las caractersticas de salida de los transistores NPN?
Viene a ser el comportamiento de la corriente I C, en funcin del voltaje colector
emisor VCE.
21. Qu es el beta (B) de los BJT?
Es la relacin de la corriente de colector (I C) y la corriente de base, se llama
ganancia de corriente en sentido directo.
22. La recta de carga dinmica usualmente
a) es ms inclinada que la recta de carga esttica
b) tiene una pendiente menor que la recta de carga esttica
c) es igual a la recta de carga esttica
23. Si la temperatura ambiente aumenta, la especificacin de potencia
mxima del transistor
a) disminuye
b) no cambia
c) aumenta
24. En el dibujo de la figura 4.1 el transistor T1 est en
a) colector comn
b) base comn
c) emisor comn

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25. Cuando hacemos trabajar al BJT como interruptor (polarizacin de


base, con Vcc= 5V) y no hay corriente de base, la tensin de salida del
transistor es
a) desconocida
b) baja (0 V)
c) alta (5 V)
26. La polarizacin de base est asociada a
a) los circuitos digitales
b) los amplificadores
c) un punto Q estable
27. Si el factor de un transistor aumenta, el punto de trabajo Q:
a) Se mueve hacia la zona de corte.
b) Se mueve hacia la zona de saturacin.
c) Los aumentos en no tienen influencia sobre el punto de trabajo Q.
d) Disminuye la corriente de colector
28. En qu configuracin la temperatura influye ms sobre la
polarizacin de un transistor?
a) En la polarizacin fija o de base.
b) En un circuito con resistencia en el emisor.
c) En la polarizacin por divisor de tensin.
d) en todas ellas afecta de la misma forma.
29. La tensin Vce de saturacin
a) depende del transistor empleado
b) siempre vale 0.2 V
c) para los transistores de silicio es 0.2 V
d) ninguna de las otras respuestas

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30. Las corrientes en un transistor pnp son


a) por lo general menores que las corrientes de los npn
b) opuestas a las corrientes npn
c) usualmente mayores que las corrientes npn
d) negativas

Preguntas sobre Polarizacin


de CD: BJT
1. Marque la relacin incorrecta que se encuentra entre las siguientes
alternativas:

a) VBE = 0.7 V
b) IE =(-1)IBIC
c) IC = IB
d) IE =(+1)IBIC

2. Completar:
Para el BJT que se polarizaraLa unin de base a emisor debe estar
polarizada directamente ( voltaje de la regin p ms positivo) con un
voltaje resultante de polarizacin directa entre la base y el emisor de
aproximadamente . a V.
a) 0.3 0.7
b) 0.2 0.3

3.

c)

0.6 0.7

d)

0.5 0.7

Sea b = 50 y Vcc = 12 V, Tomar VBE = 0.7 V.


Hallar VBC

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a)
b)
c)
d)

6.22
6.12
3.22
5.15

V
V
V
V

4. En la figura se muestra el anlisis de carga de una polarizacin fija,


que valores deberan reemplazar a A y B

a) RCC/VC y VCC
b) VCC/RC y VCC
c)

VCC/RC y RCC

d) VCC/RC y VC
B
5. En el circuito de polarizacin estabilizado
en emisor, la resistencia de
entrada es Ri y est dada por:

a) Ri = Rc + (b + 1) RE
b) Ri = RB + (b + 1) Rc
c) Ri = RE + (b + 1) RB
d) Ri = RB + (b + 1) RE

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6. En el Anlisis de recta de carga para la polarizacin de emisor, el


valor de X es:

a) VCC/(RC + RE)

b) VCC/ RC
c) (RC + RE)/ VCC
d) RC/ RE

7. COMPLETAR:
La polarizacin se logra utilizando un divisor de voltaje en el circuito
de ..
a) colector
b) emisor
c) base
d) placa

8. COMPLETAR:
El anlisis del circuito de entrada se realiza sustituyendo el circuito de
entrada por su equivalente de
a)
b)
c)
d)

Norton
Thevenin
Gauss
Newton

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9. A qu tipo de polarizacin de voltaje representa el siguiente grafico?

a) Polarizacin fija
b) Polarizacin por divisor de voltaje
c) Polarizacin por Retroalimentacin de
Voltaje
d) Otras configuraciones

10.Determinar VCC, RB y RC para la siguiente red. Encontrar los valores


estndar.

a) 10 V - 450 kOhms - 3.5 kOhms


b) 20 V - 482.5 Ohms - 25 kOhms
c) 20 V - 48.5 kOhms - 2 kOhms
d) 20 V - 482.5 kOhms - 2.5 kOhms

11.COMPLETAR:
El transistor puede usarse como un .. hacindolo
trabajar entre corte y saturacin.

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a) Resistor
b) Amplificador
c) Interruptor
d) Capacitor

12.COMPLETAR:
Para la mayora de las configuraciones, el anlisis se inicia
determinando la corriente de
a) colector
b) emisor
c) base
d) placa

13.COMPLETAR:
La configuracin de .. es la ms simple de las
configuraciones de polarizacin de transistores, aunque tambin es
bastante inestable debido a la sensibilidad de la beta en el punto de
operacin.
a) Polarizacin fija
b) Polarizacin por divisor de voltaje
c) Polarizacin por Retroalimentacin de Voltaje
d) Otras configuraciones

14.COMPLETAR:
Para el anlisis de una red de transistores, todos los capacitores se
reemplazan por un equivalente de ..
a) Circuito abierto
b) Circuito cerrado
c) Circuito en paralelo
d) Circuito en serie

15.COMPLETAR:
Aun cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y clculos
aplican igualmente bien para una configuracin del transistor pnp tan

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slo con todas las direcciones de la corriente y las


polaridades del voltaje
a) Analizar
b) Reemplazar
c) Cambiar
d) Reprogramar
15.Cuales son las tcnicas de polarizacin? Marque con un circula.
A.
B.
C.
D.
E.

Polarizacin fija o de base


Polarizacin por retroalimentacin del emisor.
Polarizacin por retroalimentacin del colector.
Polarizacin por divisor de tensin.
Polarizacin magntica.
16.Como es considerado el transistor?

A. Una fuente de corriente dependiente de la corriente de base,


podemos deducir que la malla de base es la que polariza al
transistor para obtener ciertas caractersticas de corriente y
voltaje en la malla de salida, que es donde se obtiene la
amplificacin.
B. Una fuente de corriente independiente de la corriente de base,
podemos deducir que la malla de base es la que polariza al transistor
para obtener ciertas caractersticas de corriente y voltaje en la malla
de salida, que es donde se obtiene la amplificacin.
C. Una fuente de corriente dependiente de la corriente de base,
podemos deducir que la malla de base es la que polariza al transistor
para obtener ciertas caractersticas de corriente y voltaje en la malla
de salida, que es donde se obtiene la potencia minima.
17.Analiza la malla base:

VCC vBE
V v
ic CC BE
RB
RB
A.
,
V v
iC CC CE
RC
B.
iB

18.Un transistor tiene una tpica de 100, encontrar los valores


adecuados de resistencias para la siguiente condicin de
polarizacin:

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VCC 12V
I CQ 4mA
A.
B.

RB 282.5 K , RC 1.5 K
RB 252.5 K , RC 1.2 K

19.Si el circuito del ejemplo 4, se pretende fabricar en gran escala y

dado que el transistor utilizado puede tener una mnima de 60


y una mxima de 180 determine la mxima variacin que
experimentara el punto de operacin.

2.4mA I

7.2mA

CQ
A.
B. ICQ = 1,5mA
C. ICQ = 1,5mV

20.Analiza la maya de colector:

C 0
vCE VCC

Corte

vCE 0
Saturacin
VCC
V v
iC
iC CC CE

RC RE
RC RE ,

A.

VCC RB iB vBE RE iE
B.

iB

iE
1

21.Para el circuito de polarizacin mostrado, determinar los valores


adecuados de resistencia para que se establezca la siguiente
condicin de polarizacin:

I CQ 4mA
VCEQ 6V

100

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VCC 12V
vE

A.
B.
C.

1
VCC
10

(Se elige arbitrariamente).

RE 300 , RC 1.2 K , RB 252.5 K .


RE 300 , RC 1.2 K , RB 282.5 K .
RE 300 , RC 1.2 K ,

RB 132.5 K

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22.Si el circuito del ejemplo 7, se pretende fabricar en gran escala y

60

el tipo de transistor utilizado tiene una min


y una
determine la variacin en la corriente de colector.
A.
B.

I CQ max 6.64mA vCEQ min 2.05V

I CQ 4.8mA

max 180 ,

I CQ 4.13mA

23.Que valor mnimo de debe tener un transistor que colocado en


el circuito de polarizacin del ejemplo 7, produzca su saturacin.
A. 227

B. 40 180
C. 40

24.Polarizar el transistor segn circuito de tal modo que:

I CQ 4mA vCEQ 6V
,

A.
B.
C.

V 12V
, 100 , CC

RB 132.5 K
RB 252.5 K
RB 282.5 K
25.Polarizar un transistor mediante la tcnica de polarizacin por
divisin de tensin de acuerdo con los siguientes datos:

VCC 12V , I CQ

1
1
V

V
R

RE
E
CC
B
4mA
10
10
,
,
, 40 180

(Punto de operacin a la mitad de la recta de carga, es decir:

1
VCEQ VCC
2
)
Con que figura lo resuelves el problema.
A.

B
.

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I
26.Determinar la variacin de CQ para el diseo del ejemplo 11 si
cambia en todo su intervalo de variacin.
A.
B.
C.

I CQ 4mA
I CQ max 6.64mA

I CQ 0.3mA

27.Cuales de las tcnicas de polarizacin se le conoce como tcnica de


polarizacin universal.
A.
B.
C.
D.

Polarizacin fija o de base


Polarizacin por retroalimentacin del emisor.
Polarizacin por retroalimentacin del colector.
Polarizacin por divisor de tensin.

28.Que tcnica de polarizacin se usa mas ampliamente?


A. Polarizacin fija o de base
B. Polarizacin por retroalimentacin del emisor.
C. Polarizacin por retroalimentacin del colector.
D. Polarizacin por divisor de tensin.
29.Cules son las aplicaciones de la polarizacin?
El transistor como interruptor, transistor como fuente de corriente,
estabilidad del punto de operacin en un amplificador, etc.

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