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COLE DE TECHNOLOGIE SUPRIEURE

UNNERSIT DU QUBEC

MMOIRE PRSENT
L'COLE DE TECHNOLOGIE SUPRIEURE

COMME EXIGENCE PARTIEl I E L'OBTENTION DE LA


MATRISE EN TCHNOLOGIE DES SYSTMES
M. ING.

PAR
TARIK. OUAHIDI

CONCEPTION ET SIMULATION D'UNE SOURCE


D'ALIMENTATION CONSTITUE D'UN PRRGULATEUR ET D'UN
ONDULEUR MONOPHAS DE PUISSANCE IKVA.

MONTRAL, LE 17 JUILLET 2002

() droits rservs de Tri Ouabidi

Reproduced with permission of the copyright owner. Further reproduction prohibited without permission.

CE MMOIRE A T VALU
PAR UN JURY COMPOS DE:

M Kamal Al-Had~ professeur-tuteur et professeur

au Dpartement de gnie lectrique 1 .:.Cole de Technologie Suprieure

M. Ambrish Chandra, professeur

au Dpartement de gnie lectrique l'cole de Technologie Suprieure

M. Farbat Fnaiec~ chercheur et professeur


l'ESSTI de Tunis.

IT. A FAIT L'OBJET D'UNE PRSENTATION DEVANT UN JURY ET UN PUBUC


LE 14 JUIN 2002

L'COLE DE TECHNOLOGIE SUPRIEURE

Reproduced with permission of the copyright owner. Further reproduction prohibited without permission.

CONCEPTION ET SIMULATION D'UNE SOURCE D'ALIMENTATION


CONSTITIJtE D'UN PRRGULATEUR ET D'UN ONDULEUR
MONOPHAS DE PUISSANCE lKVA.

Tarik Oalaidi

SOMMAIRE
L'volution des semi-conducteurs dans le domaine de l'lectronique de puissance
pousse de plus en plus les concepteurs concevoir des convertisseurs d'nergie trs
compacte fonctionnant haute frquence, tout en ayant un rendement nergtique
trs lev.

Dans ce travail. on propose de concevoir un convertisseur CC/CA tage


intermdiaire de puissance lkVA et fonctionnant 20kHz. Ce travail est ralis en
collaboration avec ASTEC Advanced power Systems.
Le convertisseur utilise des MOSFETs comme interrupteur de puissance. ll contient
deux tages de conversion. Le premier, un convertisseur CC/CC hacheur lvateur
aliment par une banque de batterie 40V/60V. Aussi, pour rduire des pertes de
commutation dans le MOSFET principal, un circuit rsonant auxiliaire assurant une
Transition Zro Tension (ZVI) est ajout. Le convertisseur CC/CC alimente le
deuxime tage, qui est un convertisseur CC/CA. Ce dernier, fournit un signal
sinusoidale (60Hz, 120V) avec une distorsion harmonique totale de tension trs basse
(THD<2%).

Le rendement nergtique vis doit tre suprieur 90 %. L'unit doit galement


permettre le fonctionnement en mode parallle avec d'autre units afin de pouvoir
fournir une puissance maximale pouvant atteindre plusieurs KVA.
Un tel systme est appropri pour un grand choix d'applications incluant la
tlcommunication et d'autres applications industrielles et rsidentielles.

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SIMULATION AND DESIGN OF IKVA TWO STAGES CONVERTER


USING A OC/OC PREREGULATOR AND A SINGLE PHASE INVERTER

Tarik Ouabidi
ABSTRACT

The area of power switching deviees bas expanded rapidly in the last few years.
Severa( designers have recognized the advantages of these semiconductors. which
operate at high frequency and use them to reduce considerably power electronics
converters size and weight.

ln this work. we propose to design a OC/AC converter capable of delivering 1kV A


and operating at 20kHz. This work is achieved in collaboration with ASTEC
Advanced Power Systems.
The power converter under study uses MOSFET deviees. lt contains two conversion
stages. The first one, a OC/OC boost converter fed by a 40V/60V battery bank. Also.
in order to reduce switching losses. an auxiliary resonant circuit assuring a Zero
Voltage Transition (ZVT) in the main MOSFET is added. The OC/OC converter
supplies the second stage. which is a OC/AC converter. This last. provides a pure
output sine wave voltage (60Hz. 120V) with a very low total hannonic distorsion
content (THD<2%).
The OC/AC converter efficiency should exceeds 9()0/o and it must allow parallel
operation to increase the output power up to severa} KV A. Such a system is suitable
for a wide range of applications including telecommunication and other industrial
and residential applications.

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REMERCIEMENTS
Le travail prsent dans ce mmoire a t ralis dans les laboratoires du Groupe de
Recherche en lectronique de Puissance et Commande Industriels (GRPCI) de
l'cole de Technologie Suprieure (.T.S).
Je tiens en premier lieu exprimer ma sincre gratitude mon directeur de projet et
mon professeur M. Kamal Al-Haddad. titulaire de la chaire de recherche du Canada
en conversion de l'nergie lectrique et lectronique de puissance. Il m'a tout le
temps guid dans mes recherches en mettant ses efforts et son temps pour aboutir ce
travail. De mme. faimerais tmoigner ma reconnaissance mon co-directeur
Rachid Chaffa. qui m'a aid et procur un soutien scientifique et technique qui
m'ont permis d'avancer dans mon travail.
Je remercie toute ma famille. surtout mon pre et ma mre ainsi que mes frres. qui
m'ont tous encourag et soutenu durant les annes de mes tudes.
Un remerciement sincre est adress Loubna Yacoubi. Huguo Fortin.

Handy

Fortin et Hadi Kanaan pour leur aide scientifique et technique. Sans oublier mes
chers amis Chaflk Mousaid. Zouhair Elguetioui, Mlanie Ducharme, Noureddine
Hamri. Sadreddine Sarray et Xiaoping Tu, qui taient tous le temps prs de moi
quand j'ai besoin d'eux.
Un grand merci pour tous mes professeurs et toutes personnes qui. d'une faon ou
d'une autre, ont contribu l'aboutissement final de mes tudes.

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TABLE DES MATIRES


Page

SOMMAIRE

.....................................................................................................I

ABSTRACf

REMERCIEMENTS .............................................................................................. ill


TABLE DES MATI RES ...................................................................................... IV
LISTE DES TABLEAUX .................................................................................... VII
LISTE DES FIGURES ........................................................................................ VIII
LISTES DES ABRVIATIONS ET SIGLES ......................................................... XI
INTRODUCfiON .................................................................................................... 1
CHAPITRE 1

1.1
1.1.1
1.1.2
1.1.3
1.1.4
1.2
1.2.1
CHAPITRE2
2.1
2.2
2.2.1
2.2.2
2.2.3
2.2.4
2.3
2.3.1
2.4
2.4.1
2.4.2
2.4.3
2.4.4
2.4.5

LES GRANDES FAMILLES DE L'LECTRONIQUE DE


PUISSANCE ............................................................................... 4
Introduction ................................................................................. 4
Convertisseur CC/CC .................................................................. 6
Convertisseur CC/CA .................................................................. 6
Convertisseur CA/CC .................................................................. 6
Convertisseur CA/CA .................................................................. 7
lments entirement commandables........................................... 8
Le MOS ....................................................................................... 8
TAGE CC-CC : HACHEUR ELEVATEUR ............................ 11
Introduction ............................................................................... 11
Structure hacheur survolteur ...................................................... 15
Configuration de base ................................................................ 15
Hacheur lvateur: structure et formes d'onde .......................... 15
Grandeur d'entre et de sortie .................................................... 17
Identification des interrupteurs................................................... 18
tude bibliographique sur les convertisseurs CC-CC ................. 18
Convertisseur CC-CC ................................................................ 18
Exigences du cahier de charge du convertisseur lvateur .......... 24
Ct alimentation....................................................................... 24
Ct charge................................................................................ 25
Choix des composants passifs du circuit .................................... 26
Choix du condensateur de sortie ................................................ 2 7
Calcul de l'inductance du hacheur lvateur .............................. 27

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2.4.6
2.4.7
2.4.8
2.4.9

2.5
2.5.1
2.5.2
2.53
CHAPITRE3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.4.1
3.4.2
3.4.3
3.4.4
3.4.5
3.4.6
3.5
3.5.1
3.5.2

Calcul du taux d'ondulation du courant ....................................... 28


Calcul du taux d'ondulation de la tension .................................... 28
Schma et principe de fonctionnement du hacheur lvateur en
rgime permanent......................................................................... 28
Fonnes d'onde idale en rgime pennanent ................................ 31
Structure du circuit de puissance (partie hacheur lvateur) ....... 32
Hacheur lvateur avec le circuit d'aide la commutation ......... 32
Mode de fonctionnement ............................................................. 33
Conditions du cin:uit de Commande............................................ 35
TAGE CC-CA : ONDULEUR MONOPHAS ........................ 36
Introduction .................................................................................. 36
Convertisseur CC-CA .................................................................. 37
Convertisseur CC-CC-CA ........................................................... 38
Fonctionnement de l'onduleur ..................................................... 42
Modulation +E , -E ...................................................................... 42
Modulation +E 0 et -E 0............................................................ 42
Modulation +E -E et fonne d'onde thorique ............................. 43
fonne d'onde thorique des modulations +E 0 et -E 0 ............ 44
tats de conduction ...................................................................... 44
Composition de la tension alternative .......................................... 46
Cahier de charge de l'onduleur .................................................... 48
Dimensionnement de la charge .................................................... 48
Dimensionnement du filtre de sortie ............................................ 49

CHAPITRE4

TUDE DU SYSTME DE COMMANDE ............................... 50

4.1
4.1.1
4.1.1.1

Systme de rglage ...................................................................... 50


Hacheur lvateur ........................................................................ 50
Rgulateur de la tension de sortie et rgulateur du courant d'entre
50
Prsentation gnrale du systme de rglage ............................... 51
Modlisation du convertisseur ..................................................... 52
tude de la boucle de courant ...................................................... 53
tude de la boucle de tension ....................................................... 54
Conclusion ................................................................................... 59
Onduleur monophas ................................................................... 60

4.1.1.2
4.1.1.3
4.1.1.4
4.1.1.5
4.1.1.6
4.1.2
CHAPITRES

RSULTATS DE SIMULATION ET RSULTATS PRATIQUE


...................................................................................................... 62

5.1
5.2
5.2.1
5.2.1.1

Introduction .................................................................................. 62
Simulation .................................................................................... 62
Hacheur lvateur ........................................................................ 63
Boucle de contrle du hacheur lvateur et rsultats de simulation
64
Onduleur monophas - schma de principe ................................ 65

5.2.2

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5.2.2.1
5.2.3
5.3
5.3.1
5.3.1.1
5.3.2
5.3.2.1
5.3.2.1
CONCLUSION

Boucle de contrle de l'onduleur monophas et rsultats de


simulation.................................................................................... 66
Conclusion ................................................................................... 70
Exprimentation ........................................................................... 70
Hacheur lvateur ........................................................................ 70
Circuit gnrateur des impulsions pour commander les Mosfets 72
Onduleur monophas ................................................................... 75
Circuit gnrateur des impulsions pour commander les Mosfets 75
Conclusion ................................................................................... 81
...................................................................................................... 82

BffiUOGRAPIIIE ..................................................................................................... 84
ANNEXE l

88

ANNEXE2

...................................................................................................... 97

ANNEXE3

.................................................................................................... 107

ANNEXE4

.................................................................................................... 109

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USTE DES TABLEAUX

Page
Tableau 1
Tableau ll
Tableau rn
Tableau IV
Tableau V

Connections possibles entre diffrents types de sources .................... .4


Classification des convertisseurs statiques ......................................... 5
Transistor MOS de puissance ............................................................ 9
Cahier de charge ct alimentation .................................................. 25
Cahier de charge ct charge ........................................................... 26

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LISTE DES FIGURES


Page
Figure 1
Figure 2
Figure 3
Figure4
Figure 5
Figure 6
Figure 7
Figure 8
Figure 9
Figure 10
Figure Il
Figure 12
Figure 13
Figure 14
Figure 15
Figure 16
Figure 17
Figure 18
Figure 19
Figure 20
Figure 21
Figure 22
Figure 23
Figure 24
Figure 25
Figure 26
Figure 27
Figure 28
Figure 29
Figure 30
Figure 31
Figure 32

Convertisseur CC/CC ........................................................................... 6


Convertisseur CC/CA ........................................................................... 6
Convertisseur CNCC ........................................................................... 7
Convertisseur CNCA. .......................................................................... 7
Diode interne du MOS ......................................................................... 9
Commande du MOS: charge et dcharge de capacits........................ 10
Hacheur.............................................................................................. 13
Les diffrentes possibilits d'intercoMexion des deux sources dans un
hacheur lvateur ............................................................................... 15
Schma fonctionnel du hacheur lvateur.............................................. 16
La fonction de modulation f,. en fonction des temps de conduction de K1 et K 2

........................................................................................................ 16
Les formes d'ondes des grandeurs d'entre et de sortie dans un hacheur
lvateur .............................................................................................. 16
les cycles de fonctionnement it(Vt) des interrupteurs ................................ 17
Hacheur lvateur avec un circuit d'aide la commutation ................. 19
Topologie du circuit d'aide la commutation avec des interrupteurs
Mosfets parallles............................................................................... 20
Extension du circuit d'aide la commutation deux Mosfets ............. 20
Hacheur lvateur avec circuit d'aide la commutation isol ............. 22
Hacheur lvateur avec circuit d'aide la commutation..................... 23
Diagramme simplifi du circuit hacheur lvateur mentionnant les
rfrences de courants et de tensions .................................................. 24
Hacheur lvateur............................................................................... 28
Squence # 1 du Hacheur lvateur ..................................................... 29
Squence # 2 du hacheur lvateur ..................................................... 30
Formes d'onde idale pour un hacheur lvateur en rgime Permanent
........................................................................................................ 31
Structure du hacheur lvateur avec le circuit d'aide la commutation
32
Mode de fonctioMement du hacheur lvateur avec le circuit d'aide la
commutation ...................................................................................... 33
Principe d'un onduleur ....................................................................... 36
Onduleur monophas .......................................................................... 37
Onduleur monophas UPS .................................................................. 38
Onduleur CC-CA avec la topologie du convertisseur CC-CC ............. 39
Le circuit utilis pour gnrer une tension CA plus leve que la tension
d'entre CC ........................................................................................ 39
Forme d'onde thorique de la modulation +E -E ................................ 43
Forme d'onde thorique de la modulation +E 0 et -E 0 .................... 44
Squences de conduction d'un onduleur monophas. Le courant dans la
charge circule en sens positif.............................................................. 45

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Figure 33
Figure 34
Figure 35
Figure 36
Figure37
Figure 38
Figure39
Figure40
Figure41
Figure42
Figure 43
Figure44
Figure45
Figure46
Figure47
Figure48
Figure49
Figure 50
Figure 51
Figure 52
Figure 53
Figure 54
Figure 55
Figure 56
Figure 57
Figure 58
Figure 59
Figure 60
Figure61
Figure62
Figure 63
Figure 64

Squences de conduction d'un onduleur monophas. Le courant dans la


charge circule en sens ngatif ............................................................... 46
Composition de la tension alternative ................................................... 48
Filtre de sortie de l'onduleur ................................................................. 49
Schma fonctionnel de la modlisation du convertisseur .................... 53
Principe de contrle du courant d'entre .............................................. 54
Principe de commande du systme ....................................................... 55
Schma de l'asservissement de la tension ............................................ 51
Diagramme de Bode ............................................................................. 59
Le schma bloc de l'asservissement de l'onduleur ............................... 61
Schma de simulation du circuit de puissance ...................................... 62
Schma de simulation du hacheur lvateur ......................................... 63
Boucle de contrle du circuit hacheur lvateur en simulation ............ 64
Rsultats de simulation. Courant d'entre et sortie du Pl de la boucle de
contrle du hacheur lvateur ............................................................... 64
Rsultats de simulation. Tension et courant de sortie du hacheur
lvateur ................................................................................................ 65
Schma de principe de l'onduleur monophas ..................................... 66
Boucle de contrle de l'onduleur monophas en simulation ................ 66
Rsultats de simulation. Sortie du rgulateur Pl (courbe 1), tension
de rfrence et tension mesure de la boucle de contrle de l'onduleur
(courbe 2) .............................................................................................. 67
Rsultats de simulation. Tension et courant de sortie de l'onduleur aprs
le filtre pour une charge rsistive, R = 14.4 Cl.. .................................... 68
Rsultats de simulation. Courant et tension la sortie de l' onduleur
aprs le filtre pour une charge inductive R = 14.39 Q, L = 1 mH ........ 68
Spectre bannonique de la tension de sortie de l'onduleur avec une
charge inductive .................................................................................... 69
Spectre hannonique du courant de sortie de l'onduleur avec une charge
inductive ................................................................................................ 69
Circuit gnrateur pour commander les Mosfets du hacheur lvateur 72
Rsultats pratiques de la tension CC l'entre du hacheur lvateur .. 73
Rsultats pratique du courant CC l'entre du hacheur lvateur ....... 73
Rsultats pratique de la tension CC la sortie du hacheur lvateur ... 74
Rsultats pratique du courant CC la sortie du hacheur lvateur (cb)
............................................................................................................ 74
Tension et courant dans le Mosfet principal (commutation zro
tension) .................................................................................................. 15
Circuit gnrateur des impulsions pour commander les MOSFETs de
l'onduleur monophas ........................................................................... 77
Rsultats pratiques de la tension l'entre de l'onduleur..................... 78
Rsultats pratiques de la tension et du courant la sortie de l'onduleur
(avant le filtre) avec une charge rsistive R = 15 Ct............................. 78
Rsultats pratique du courant la sortie de l'onduleur (aprs le filtre)
avec une charge rsistive R = 1S 0 ....................................................... 79
Rsultats pratique de la tension la sortie de l'onduleur (aprs le filtre)
avec une charge rsistive R = 15 0 ....................................................... 79

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Figure6S
Figure 66
Figure67
Figure68
Figure69
Figure 70
Figure 71
Figure 72
Figure 73
Figure 74
Figure 15
Figure 76
Figure 77
Figure 78
Figure 79
Figure 80
Figure 81
Figure 82
Figure 83
Figure 84
Figure 85
Figure 86
Figure 87
Figure 88
Figure 89
Figure90
Figure91
Figure 92
Figure 93

Rsultats pratique du counnt et de la tension la sortie de l'onduleur


(aprs le filtre) avec une charge rsistive R = 15 {l.............................. 80
Spectre hannonique de la tension la sortie de l'onduleur pour une
charge rsistive R = 1S n...................................................................... 80
Spectre hannonique du counnt la sortie de l'onduleur pour une charge
rsistive R = lS 0 ................................................................................. 81
Squence# 1 du hacheur lvateur avec le circuit d'aide la
commutation ......................................................................................... 89
Squence# 2 du hacheur lvateur avec le circuit d'aide la
commutation ......................................................................................... 90
Squence # 3 du hacheur lvateur avec le circuit d'aide la
commutation ......................................................................................... 91
Squence# 4 du hacheur lvateur avec le circuit d'aide la
commutation ......................................................................................... 92
Squence# S du hacheur lvateur avec le circuit d'aide la
commutation ......................................................................................... 93
Squence# 6 du hacheur lvateur avec le circuit d'aide la
commutation ......................................................................................... 94
Squence# 7 du hacheur lvateur avec le circuit d'aide la
commutation ......................................................................................... 95
Squence# 8 du hacheur lvateur avec le circuit d'aide la
commutation ......................................................................................... 96
Impulsion pour le Mosfet principal ....................................................... 98
Impulsion pour le mosfet auxiliaire ...................................................... 98
Courant dans la diode principale........................................................... 99
Tension dans la diode principale........................................................... 99
Courant dans le mosfet principal........................................................ 100
Tension dans le mosfet principal........................................................ 100
Tension dans le mosfet auxiliaire........................................................ 101
Courant dans le mosfet auxiliaire....................................................... 10 1
Tension aux bornes du condensateur Cr du circuit d'aide la
commutation ...... .. .... ...... .... .. ...... .... ............ .. ...... .. .. ... ... .. .. .. .. .. ... ... .. ..... 102
Courant dans la bobine Lr du circuit d'aide la commutation ........... 102
Courant l'entre de l'onduleur ......................................................... 103
Courant la sortie de l'onduleur (avant le filtre) ................................ 103
Tension la sortie de l'onduleur (avant le filtre) ................................ 104
Tension dans un mosfet de l' onduleur ................................................ 104
Courant dans un mosfet de l'onduleur ................................................ lOS
Courant la sortie de l'onduleur (aprs le filtre) ................................ 105
Courant et tension la sortie de l'onduleur ............. ...................... ..... 106
Tension la sortie de l'onduleur......................................................... 106

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USTES DES ABRVIATIONS ET SIGLES


A et Ti

Paramtres du correcteur Pl.

Constante de mise l'chelle.


Capacit interne du Mosfet.

C(t)

La commande pour le Mosfet.

Cr

Capacit du snubber.

Css

Capacit grille-source.

Cg~~

Capacit grille-drain.

cc1s

Capacit drain-source.

Doua

Rapport cyclique.

Fe

Frquence de la tension de source Ue.

Fs

Frquence de la tension de charge Us.

fm

Fonction de modulation.

Fe

Frquence de coupure.

FouFd

Frquence de dcoupage ou d'chantillonnage.

Ho

Fonction de transfert du systme en boucle ouverte.

lo

Courant dans la diode.

le

Courant de source.

ls

Courant de charge.
Courant de charge.
Courant dans l'interrupteur.
Ondulation du courant d'entre.
Courant de rfrence.
Courant mesur.
Courant de source l'quilibre.
Variation du courant d'entre.
Interrupteur.
Inductance du snubber.

Puissance active.
Puissance fournie la charge.
Puissance fournie par la source.

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Puissance ractive.

Cbarge rsistive.

Romm

Cbarge minimale.

Puissance apparente.

THD

Taux de distorsion harmonique.

tr

Temps de phase active (Mosfet ouvert).

to

Temps de phase de roue libre (Mosfet fenn).

ton

Temps de fermeture du Mosfet.

loft"

Temps d'ouverture du Mosfet.

Ue

Tension de source.

Us

Tension de charge.

Up

Tension grille-source.

VeoUV

Tension d'entre.

YsouE

Tension de charge.

VK

Courant dans l'interrupteur.

!!Vs

Ondulation de la tension de sortie.

Yt

Tension aux bornes de la bobine.

Vo

Tension aux bornes de la diode.

Vo

Tension de sortie.

Vam

Tension aux bornes du Mosfet principal.

CVs)o

Tension de charge l'quilibre.

8Vs

Variation de la tension de charge.

mc

Pulsation correspondante la frquence de coupure.

Impdance de charge.

zvr

Commutation zro tension.

Tl

Rendement nergtique.

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INTRODUcriON
L'tude des convertisseurs suscite, de nos jo~ un grand intrt pour l'industrie. Le
fait que la consommation en nergie lectrique connaisse une rapide croissance, ces
deux dernires dcennies, a permis de dvelopper des systmes de conversion
d'nergie de plus en plus perfonnants. Il faut dire que ce dveloppement n'est rendu
possible que grce la conception de modules ayant un rendement trs lev.
Un systme infonnatique en rseau par exemple pourrait connatre, quel que soit
l'environnement dans lequel il se trouve, de nombreuses perturbations lectriques par
mois. Il existe plusieurs causes possibles de dommages lis l'alimentation tout au
long du parcours d'une ligne lectrique.

Conscient de ces problmes et des attentes du march, les solutions onduleurs,


nomms aussi les alimentations sans interruption : A.S.I ( en anglais

UPS :

Uninterruptible Power Supply), dont les applications sont pour alimenter des charges
sensibles aux variations de l'alimentation lectrique. L'onduleur, lors d'un dfaut
protge les systmes de manires ordonnes afm d'viter que la charge ne soit pas
alimente.

Un onduleur peut protger un PC, des serveurs. les stations de travail bref, remplacer
le rseau en cas de panne lectrique. Il fournit une protection maximale pour la
charge alimente.

Il prsente une conomie d'nergie obtenue grce d'une part. au rendement lev d

l'utilisation de transistors IGBT et MOSFET dans l'onduleur et d'autre part. une


large plage de tension d'entre pennettant une moindre sollicitation des batteries et
donc une meilleure dure de vie.

Le rle des batteries stationnaires est d'assurer une source continue d'nergie. On les
utilise pour fournir l'nergie dans les tlcommunications, aux ordinateurs et tous
les services dans lesquels il est essentiel que le courant ne soit jamais interrompu,
mme moins d'une seconde. Elles sont employes rarement et seulement peut-tre

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quelques instants avant que le courant ou un groupe lectrogne ne prenne le relais.


Mais leur existence est absolument primordiale dans une situation d'urgence.

Imaginez l'effet dsastreux d'une coupure de courant pour une banque ou pour la
Bourse avec ses nombreux ordinateurs ou pour le contrle arien d'un aroport
important.

Les applications des onduleurs UPS (Uninterruptible Power Supply) sont


nombreuses, On peut citer :

TlcommaaicatioDJ : Incluant les centraux tlphoniques principaux, les stations


relais, les stations de transmissions, les stations satellite au sol, les rseaux de
tlphonie cellulaire, la tlvision par cble et les applications de "boucle fibre
optique".

clairage de secoan : Pour l'quipement indispensable des hpitaux, des btiments


publics tels que stades et espaces de spectacles.

Prodactioa et distribatioa de l'aergie : Utilises largement dans les industries

lies l'nergie aussi bien nuclaire que conventionnelle, dans les systmes de
contrle, l'instrumentation,

le dmarrage des moteurs et les quipements de

connexion.

Ptrole et pz : Aussi bien pour les forages tenestles, les batteries stationnaires
servent pour l'clairage de secours, les systmes de communication et les
quipements d'instrumentation et de scurit.

A.S.I. (AHmeotatioo Saas Ioterruptioo : UPS) : Les batteries pour l'alimentation


sans interruption servent aux ordinateurs centraux, aux systmes en rseau. aux
postes de travail.

Aviatioo: Pour le contrle du trafic arien, l'clairage en vol, les communications,


l'clairage de secours.

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Applicatioas au iaergies reaoavelables :

Produisant l'lectricit partir de

panneaux solaires, de turbines eau ou vent, les batteries sont utilises pour stocker
l'nergie lectrique et fournir une source d'nergie constante.

Ce travail est compos de cinq chapitres distincts qui traitent de la partie anal~
simulation et exprimentation ainsi que des annexes pour complter la partie
teclmique.

Dans un premier lieu,

nous avons expos le principe de diffrents types de

convertisseurs statiques ainsi que le transistor Mosfet. comme lment entirement


commandable et ses caractristiques. Dans un deuxime temps, nous avons prsent
l'tude, l'analyse et le dimensionnement de l'tage CC-CC ainsi que son tude
bibliographique dans le but de prsenter la topologie et la commande les mieux

adaptes notre application. Par la suite, nous avons

fait l'objet de l'tude

bibliographique base sur les convertisseurs CC-CA et le dimensionnement de


l'tage onduleur. Aprs, nous avons dvelopp l'aide de la boite outil Power
System Blockset, oprant dans l'environnement Matlab/Simulink, les rsultats de
simulation du circuit de puissance pour diffrents types de charges.

Finalement, nous affichons les dtails de la ralisation d'un prototype exprimental

et ses rsultats d'exprimentation.

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CHAPITRE1
LES GRANDES FAMILLES DE L''LEcrRONIQUE DE PUISSANCE
1.1

Iatrodaction

L'lectronique de puissance pennet donc. par le biais de convertisseurs statiques


fonctionnant en commutation. de grer la fluence d'nergie entre deux sources.

Dans l'idal, toutes les associations de sources entre elles grce un convertisseur
devraient tre possibles. Compte tenu qu'une source peut tre continue ou alternative.
de tension ou de courant, on peut construire le tableau 1, dont chaque case dfmit une
famille de convertisseur. Les sources en amont du convertisseur sont notes.
respectivement. Ue et le suivant qu'elles sont de tension ou de courant. Les sources en
aval du convertisseur sont notes, respectivement, Us et ls suivant qu'elles sont de
tension ou de courant. De plus, on considre que Ue :f Us et le :f 15 , afin de raisonner
sur des cas gnraux.

Tableau 1
Connectioas possibles entre diffrents types de sources

U,

Ue
le

1,

::::

::::

Non

non

oui

oui

::::

Non

non

oui

oui

Oui

Oui

non

non

::::

Oui

Oui

non

non

Les cases notes oui >) correspondent effectivement des connections possibles
des sources entre elles par des convertisseurs. En revanche, les cases notes non >)
correspondent des interdictions. qui n'ont rien avoir avec une ventuelle police
du convertisseur, mais qui manent de la notion mme de commutation. En effet,

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lorsque les interrupteurs d'un convertisseur commutent, il existe certaines phases


pendant lesquelles les deux sources sont relies directement (condition imprative
pour qu'il y ait transfert d'nergie de l'une vers l'autre). Prenons l'exemple de deux
sources de tension, l'une de 40V de, la seconde de SV de. Si un interrupteur relie
directement ces sources, la seule limitation du courant qui traversera cet interrupteur
est lie son impdance lorsqu'il est l'tat passant. Cette impdance, par dfinition
de valeur extrmement faible, ne suffira pas limiter le courant circulant d'une
source l'autre. II y a deux consquences :

>
>

Risque d'endommager l'une des deux sources (voire les deux),


Risque de destruction du composant de puissance, travers par un courant
pour lequel il sera toujours sous-dimensionn.

La problmatique est exactement la mme pour un convertisseur qui relierait


entre elles deux sources de courant
Nous dgageons de ces considrations le tableau suivant:
Tableau D
Claslificatioa des eoavertluean statiques
Coaraat 1
=

Coavertlueur CC/CC
Hacheur
=

Tensioa V
::::

::::

Coavertluear CC/CA
Oadalear de telllioa

Coavertissear CA/CC

Coavertissear CA/CA

Coavertissear de eoaraat

Cydocoavertissear

A l'issue de cette classification, nous proposons d'illustrer sommairement les


fonctionnalits de chacune des quatre familles dfinies.

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1.1.1 Coavertissear CC/CC

Tel que nous l'avons dfini, ce convertisseur met en relation :


~

une source de tension continue, unidirectionnelle ou bidirectionnelle en


courant,

une source de courant continu, unidirectionnelle ou bidirectionnelle en


tension.

Convertisseur
=

CC/CC

Figure 1 Coavertissear CC/CC


1.1.1 Coovertissear CC/CA

Tel que nous l'avons dfmi, ce convertisseur met en relation :


~

une source de tension continue, unidirectionnelle ou bidirectionnelle en


courant,

une source de courant alternative.

fe

~)

Convertisseu
r

CC/CA

1,

,..,

U,

Flgarel Coavertissear CC/CA


1.1.3 Coavertissear CA/CC

Tel que nous l'avons dfini, ce convertisseur met en relation:


~

une source de tension alternative,

une source de courant continu, unidirectionnelle ou bidirectionnelle en


tension.

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Coovertisseu
r

CA/CC

Fipre 3 Coavertissear CA/CC

La source de tension alternative peut tre monophase. triphase. ou hexaphase. On


est ainsi amen a dfinir l'indice de pulsation p :

)- p = 2 : tension monophase,
)- p = 3 : tension triphase.
)- p = 6 : tension bexapbase.

1.1.4 Coavertissear CA/CA

Tel que nous l'avons dfini. ce convertisseur met en relation :

>
>

une source de tension alternative,


une source de courant alternative.

Les deux sources tant alternatives, cluK:une est dfinie par la frquence de la tension
ou du courant qu'elle gnre : ' pour la source Ue et ' pour Is. Ces deux frquences
peuvent tre identiques (' = ,), mais ceci n'est jamais qu'un cas particulier par
rapport au cas o ces deux frquences sont diffrentes('*,).

Convertisseur
CAJCA

1 U,

Fipre 4 Convertisseur CA/CA

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1.2

lmeats eatireeat comJDUdables

A l'oppos de la diod~ dont toutes les commutations sont spontanes, l'lectronique


de puissance dispose d'une gamme de composants, qui sont commandables
l'amorage ainsi qu'au blocage tels que dcrits le Mosfet (MOS) et I'IGBT.
Nous proposons donc de prsenter ici le MOS.
1.2.1 LeMOS
Le transistor MOSFET, dsign par MOS de faon

abrg~

est un lment semi-

conducteur a effet de champ. Il est compos de trois lectrodes : le drain D, la sour


S et la grille G qui correspondent respectivement au collecteur. l'metteur et la
base d'un transistor bipolaire.
Nous donnons au tableau ill la reprsentation symbolique, ainsi que les
caractristiques idales et relles de ce composant. Il s'agit ici aussi d'un composant
deux segments, dont l'amorage et le blocage sont commands. Une proprit qui

peut s'avrer intressante ou bien pnalisante (c'est selon les cas), est que par sa
structure physiqu~ ce composant possde une diode en antiparallle (figure 5). Cette
diode peut supporter le mme courant nominal que celui support par le transistor.
En revanche, cette diode possde un temps de recouvrement relativement lev.
Les grands atouts du MOS sont les suivants :
~

une grande rapidit de commutation, notamment en ce qui concerne le


blocage par rapport au transistor bipolaire,

simplicit dans la mise en uvre de la commande : Amorcer ou bloquer un


MOS consiste en la simple charge ou dcharge de la capacit grille-source.
C'est une commande en tension.

Le dfaut majeur du MOS est li une rsistance l'tat passant de valeur leve.

Ceci est une source de pertes en conduction leves, qui augmentent avec la tenue de
tension l'tat bloqu. Le MOS est un composant dont l'util. : 1 est limite des
applications de quelques centaine de Volts, et quelques dizaines d'ampres.

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Tableau rn

Trusistor MOS de pllilsuce

Symble

Caractristique

Idale
D

Relle

~\

G~~

.Y

,\
1

.... v

Go--1
s

Figure 5 Diode illterae da MOS


On note le nouveau type de MOS Oe cooiMOS >>), composant qui offre une
rsistance l'tat passant de l'ordre du milli-ohms, ce qui remet en cause le
commentaire prcdent.
Nous ne dtaillerons pas ici la commande du MOS, dans la mesure o cette dernire
se rvle plus simple. Pour s'en persuader, il suffit de considrer le schma figure 6
sur

lequel

nous

avons

fait

figurer

les

capacits existantes

entre

diffrentes pattes >> du MOS.

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les

10

Cds

F'apre 6 Com. . .de d MOS: cllarge et dcllarge de capacits


Ces capacits sont au nombre de trois :
)- capacit grille-soUlCe Cp : c'est priori la plus intressante puisque les
variations de tension ses bornes vont provoquer le blocage ou l'amorage
du composant,
)- capacit grille-drain c..,
)- capacit drain-SOUICC Ccfs.
On doit en outre bien comprendre deux choses :

)- D n'est aucun courant dpenser pour saturer ou dsaturer une ventuelle

jonction PN car l'tat bloqu ou passant du MOS ne dpend pas de la


saturation d'une jonction,
)- le MOS est grille isole : Toute fluctuation de Up (commande du
MOS) n'a pour rsultat que la charge ou la dcharge de Cp. Pour amorcer ou

bloquer le MOS, il suffit que la commande gnre le courant ncessaire


cela.
Ainsi l'amorage ou le blocage du MOS ne consiste qu'en la charge ou en la dcharge
de capacits, de faibles valeurs par ailleurs. Le seul pige que l'on doit viter est de
sous-estimer le courant ncessaire la charge de ces condensateurs : le MOS a beau
tre command en tension, on ne peut charger ou dcharger une capacit en un temps
limite que si le courant ddi cela est de valeur consquente.
Le mosfet est l'interrupteur que nous utiliserons dans la ralisation de notre projet de
recherche.

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CHAPITRE%

tage CC-CC : Hacheur lvateur


lntroductioa

1.1

Les convertisseurs directs de type continu-continu (hacheurs lvateurs) suscitent


actuellement un intrt particulier. Leur utilisation permet le contrle de la puissance
lectrique dans des circuits fonctionnant en courant continu avec une trs grande
souplesse.

Les convertisseurs continu-continu permettent d'obtenir une tension continue fixe ou


variable partir d'une tension continue quelconque. La tension continue de dpart
peut tre une batterie d'accumulateurs. une batterie de cellules solaires ou encore le
rseau alternatif redress et filtr.

Le prsent chapitre traite de la conversion CC/CC. qui a pour but d'assurer la fluence
d'nergie entre une source de tension continue et une source de courant continu.

La mise en oeuvre de tels convertisseurs se justifie dans les cas suivants :

- on doit alimenter une source continue, et l'on dispose d'emble d'une


alimentation continue, de type batterie par exemple. 0 est important dans ce cas de
disposer d'un convertisseur direct qui permette d'assurer la fluence d'nergie entre de
telles sources,
- on doit alimenter une source continue, mais l'on dispose d'une source
d'alimentation alternative. La conversion d'nergie peut se raliser alors en deux
tapes:
~

conversion alternative-continue par un convertisseur de courant.

,._ conversion continue-continue, pour ajuster les valeurs des grandeurs de sortie
continues.

Un convertisseur de courant peut pennettre lui seul d'assurer la fluence d'nergie


entre une source alternative et une source continue. Cependant. par la mise en

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Il

srie d'un convertisseur CC/CC {appel galement convertisseur de courant


continu}, on tire parti de la caractristique de ces derniers de fonctionner frquence

de commutation leve. Ceci reprsente un avantage indniable dans le


dimensionnement de tout filtre de lissage, ainsi que dans le comportement
dynamique d'un tel systme.

Pour ce type de convertisseur statique, la gamme de puissance que l'on peut traiter
s'tend de quelques watts, une trentaine de kilowatts environ. Cependant,
l'apparition de composants de puissance sans cesse plus performants, tout comme la
dfinition de nouvelles structures (multiniveau en particulier}, permettent d'envisager
le traitement de puissances plus leves.

Nous distinguons deux types de convertisseurs continus-continus :


Jil. les convertisseurs appels << hacheurs >>, qu'ils soient abaisseurs, lvateurs ou
bien dvolteurs-survolteurs, qui correspondent aux applications moyCJUle et
forte puissance,
Jil. Les alimentations dcoupage, qui correspondent aux applications petite
puissance de la conversion CC/CC. Elles constituent l'alimentation de tout
matriel lectronique en gnral (Fiy-Back par exemple).

Bien que de structure et de principe de fonctionnement extrmement proche, ces


deux familles de convertisseur CC/CC se distinguent par les deux points suivants :
Jil. les alimentations

dcoupage comportent, au sein des cellules de

commutation, des transfonnateurs qui permettent :


- d'assurer un isolement galvanique,
- d'lever ou d'abaisser des niveaux de tension et de courant.
Alors que l'ordre de grandeur de la frquence de dcoupage d'un hacheur est de
l'ordre de plusieurs dizaines de kilohertz (et en tout cas suprieur 20kHz pour
obtenir un systme silencieux), la frquence de pulsation d'une alimentation
dcoupage peut tre de plusieurs centaine de kilohertz.

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13

Cela tant, indpendamment de la prsence d'un transformateur, le fonctioMement


des alimentations

dcoupage repose sur les mmes principes que le

fonctioMement d'un hacheur, dont elles sont issues. Dans cet expos. nous
centrerons nos propos sur les applications de moyenne et forte puissance que
reprsentent les hacheurs lvateurs.
Nous aborderons les points suivants :
}il>

les structures de base des convertisseurs CC/CC un quadrant )),

}il>

La dfinition de la cellule de commutation,

}il>

L'tude des mcanismes de commutation,

La tension est suppose suffisamment bien filtre pour pouvoir tre considre

comme une tension continue malgr la prsence d'une lgre ondulation rsiduelle
que nous ngligerons dans un premier temps.
-

La tension d'alimentation l'entre sera considre parfaitement continue et

constante.
-

Les interrupteurs (semi-conducteurs) sont supposs idaux.

D'un point de vue circuit, le hacheur apparat comme un quadriple (figure 7), jouant
le rle d'organe de liaison entre deux parties d'un rseau. On peut le considrer
comme un transformateur de grandeurs lectriques continues.
Si Vc et ic sont les grandeurs d'entre du quadriple, Ys et ls les grandeurs de sortie,
le hacheur introduit des relations entre ces grandeurs par l'intenndiaire de
paramtres variables. Ces relations ne sont pas linaires. Toutefois il sera possible
d'tablir des relations linaires entre les valeurs moyennes de ces grandeurs qui
pennettront de caractriser l'change de puissance moyenne contrle

par le

hacheur.

v.....

ls

Figure 7 Hacheur

Les diffrentes structures de hacheurs dpendent du cahier de charge impos au


systme. Dans une premire approche, les caractristiques prendre en compte pour

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14

tablir les structures portent sur la nature des rseaux d'entre et de sortie, identifis
comme des sources de tension ou de courant et sur les rversibilits qui peut tre
demandes ces sources.

Dans un deuxime temps, il

est

possible, une fois la structure tablie, de prendre

comme modle des sources, un rseau lectrique plus proche des proprits relles de
ces sources. Par exemple, tout rseau lectrique prsentant une inductance srie est

identifi une source de courant )), tout rseau lectrique comportant une capacit
en parallle est identifi une source de tension )).
Les applications des hacheurs sont nombreuses :
En forte puissance. ils interviennent comme organe de rglage de puissance
lectrique en continu, gnralement dans les systmes de contrle de vitesse ou de
couple de machines lectriques. Ils peuvent tre associs d'autres convertisseurs
pour contribuer des conversions indirectes de type alternatif-continu, continualternatif ou alternatif-alternatif. On peut gnralement identifier les circuits d'entre
et de sortie comme ayant des natures diffrentes: l'un source de tension et l'autre
source de courant. Les

structures

directes qui font l'objet de ce chapitre rpondent

alors au cahier des charges.

En petite et moyenne puissance les problmes se posent d'une manire diffrente.


Dans les alimentations de courant par exemple, le cahier des charges impose la
sortie du convertisseur une tension parfaitement continue (avec un taux d'ondulation
ngligeable), l'entre tant une source de courant constante. A la structure
lmentaire du hacheur viennent alors s'associer des lments linaires (inductance,
capacit) qui sont des lments d'adaptation (transfonnation d'une source de courant
en source de tension) et de filtrage.

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15

l.l

Structure hache11r sarvobe11r

l~l

Coafigaratioa de bue

Les rles de gnrateur et de rcepteur sont inverss entre la source de tension et la


source de couranL Le gnrateur la nature d'une source de courant continu constant
d'amplitude 1; il est unidirectionnel en tension.

Le rcepteur la nature d'une source de tension unidirectionnelle en courant et sa


structure est telle que la tension ses bornes peut tre considre comme constante et

d'amplitude E (cette condition est gnralement assure par un condensateur en


parallle de valeur leve).

Les diffrentes possibilits d'interconnexion de ces deux sources sont reprsentes


sur la figure 8. On en dduit le schma fonctionnel du hacheur lvateur reprsent
sur la figure 9.

l.l.l Baclaear lvateur : lti'Ktllre et fonDes d'oade

Figure 8 Les diffreates possibWts d'iatereouuioa des deu sources dus ua


haclaeur lvateur

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16

D
ik

Figure 9 Sdlaaa foactiouel da llaelaear lvateur

r.

4~

to

Figure 10 La foaction de

'

_.
p

[modula+- f ea foactioD des temps de conduction de Ka et

11

K,

..

- --Tr+

Kn

'

1
1

Xnl

1
E

1
''

~~ i-1--...t

t ..

Figure 11 Les fol'llleS d'oades des pudeurs d'strie et de sortie dus u lladaeur
lvateur

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17

.
-E

VKI

Figure Il les cydes de foactio~U~e~Bt ~k) des laterruptean

l.l.J Graodear d'eotre et de sortie


Le fonctionnement sur une priode se dcompose en deux squences :

Pendant la phase active (temps tr):

K1 est conducteur : Vi=E et Kz est bloqu

: is = 1 ; on a P = E.l

Pendant la phase de roue libre (temps to):

K1 est bloqu

: Vi = 0 et Kz est conducteur : is =0; on a P = 0

Soit fm la fonction de modulation dfinie en fonction des temps de conduction de K1


et Kz et reprsente sur la figure 1O. Nous pouvons crire :

v,= r..E

is = r..I

r = r..u

Les relations sur les valeurs moyennes de la tension Vi et du courant c sont alors :
Vi(moy) = a.E

Avec

a=-lL
qui
l{+to

is{DIOy) = a.J

P=a.E.I

est la valeur moyenne de la fonction de modulation et que l'on

appelle << rapport cyclique >>.


Si l'on raisonne sur les valeurs moyennes. cette structure de hacheur apparat comme
un transfonnateur de tension de rapport variable. lvateur de tension. d'o son nom
de hacheur lvateur>>. Nous voyons qu'il est abaisseur de courant

La figure Il prsente les fonnes d'ondes des grandeurs d'entre et de sortie.

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18

2.2.4 Ideatlflcatioa des iate1'111)1tean

Lvolution des grandeurs d'entre et de sortie pendant une priode permet de tracer
les cycles de fonctionnement .:(vt) des interrupteurs (figure 12). L'observation de

ces cycles permet de les identifier :


-

K, est un interrupteur unidirectionnel en tension et en courant, amorage et


blocage spontan, c'est donc une diode.

K2 est un interrupteur unidirectionnel en tension et en courant, command


l'amorage et au blocage (par exemple transistor, Mosfet, ... ).

On en dduit le schma fonctionnel du hacheur survolteur reprsent sur la figure 9.


Cette structure est souvent appele hacheur parallle )), compte tenu de la position
de l'interrupteur command. L'existence d'une commutation au blocage impose que
le rcepteur soit effectivement une source de tension. d'o ncessit d'un dcouplage
par condensateur. Si la commutation au blocage ne peut pas tre mise en uvre. on a

recours la commutation force.


La structure non-rversible du hacheur survolteur n'est pas d'une utilisation courante
dans le domaine de forte puissance. Elle prsente un intrt plus grand dans le

domaine des alimentations continu-continu de faible et moyenne puissance.


Toutefois, pour assurer la rversibilit d'un hacheur, les structures correspondantes
(rversible en tension ou en courant) sont telles qu'elles peuvent fonctionner soit en
dvolteur (sens direct de la puissance) soit en survolteur (sens inverse de la
puissance).
1.3

tude bibliograplaiqae sar les coavertissean CC-CC

1.3.1 Coavertissear CC-CC

Pietkiewicz, A., Tollik, 0., 1995, [6]:


L'utilisation du circuit d'aide la commutation et de la mise en parallle appropri
des Mosfets de puissance sont les questions trs importantes pour le facteur de

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19

puissance. Cet article prouve que l'approche pratique au problme d'aide la


commutation est la commande de di de la transition de recouvrement inverse de la
dt
diode. La mise en place d'un tel circuit d'aide la commutation dans des hacheurs
lvateurs avec les commutateurs mis en parallle de transistor MOSFET est alors
discute.
Le convertisseur hacheur lvateur avec un simple interrupteur
!'our minimiser les pertes de commutations relies au recouvrement inverse de la
diode, il est ncessaire d'isoler le drain du Mosfet de l'anode de la diode par une
petite inductance du circuit d'aide la commutation. cause de cette inductance, la
tension drain-source, dans le contraste de cette situation tombe 0 avant l'apparition
d'un courant de drain important. En plus, le dfaut dans la pente du courant de la
diode est limit par l'inductance ainsi elle rduit le peak du courant durant le
recouvrement inverse (lltM). L'nergie rserve dans l'inductance du circuit d'aide
la commutation doit tre transforme travers un chemin non-dissipatif vers la
sortie. Une topologie intressante d'un tel du circuit d'aide la commutation est
prsente la flpre 13.

c
Main

Figure 13 Hacheur lvateur avec u circuit d'aide la commutation

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20

Dans ce qui suit, 2 solutions possibles pennettent l'adaptation du circuit d'aide


la commutation passif. L'approche la plus vidente est la mise en parallle des
MOSFET comme montr sur la flpre 14. Dans cette solution on ne peut pas
viter les variations des valeurs de la tension seuil gachette-sour et la capacit
Cp gachette-source ingalit de pertes de commutations. Car les 1ieres pertes
(Pertes relies au recouvrement inverse de la diode) sont limines par le circuit
d'aide la commutation. seulement la distribution du 2iuc (Pertes de dcharge de
la capacit cds de l'interrupteur principal) et Jiuc (Pertes l'ouverture) doit tre
considre.
L

Csn
Cout

Dsn1

Dsn2

Ql

Figure 14 Topologie da circllit d'aide la commatatioa avec des iaterraptean


Mosfets parallles
0

...

Jo.

TT T

~ 2Lsn

;: Csn

2Lsn

'"

/ "'\

Dsn1

......

Cout

...

1'>.

Dsn3
Ql

1-

o-1~

02

...

J<o,

Dsn2

.1-

o-1~

Figure 15 Exteasioa da circuit d'aide la commutatioa deu Mosfets

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Dans quelques applications du facteur PFC, on a besoin d'augmenter le nombre


d'interrupteur du systme plus qu'un interrupteur.
Une bonne approche, prsent la figure 15, est d'ajouter une inductance et une
diode au circuit d'aide la commutation de la ftpre 14. cause que les drains de
tous les interrupteurs sont isols par l'inductance du circuit d'aide la commutation,
chaque Mosfet doit dcharger sa propre capacit drain-source durant le processus de
fermeture. En outre, si un des interrupteurs (Qt) est ouvert le 1icr plutt que les autres
et sa tension drain monte Vu (est alors agraf par 0 1111 et Dsn2) seulement un
courant supplmentaire peut tre construit dans

<h aprs qu'il devient aussi ferm.

Ce mcanisme rduit remarquablement l'infavorable distribution de pertes de


commutations entre les interrupteurs parallle sans ncessit de prcautions
d'galits de caractristiques etc.
Conclusion
Cet article discute 2 issues pratiques, important pour le conecteur de facteur de
puissance PFC, l'utilisation du circuit de sparateur et la mise en parallle approprie
du commutateur de puissance. L'approche pratique du problme d'aide la
commutation et un sparateur d'ouverture simple avec la commande du di de la
dt

transition du temps de recouvrement inverse de la diode. La mise en parallle d'un


tel sparateur dans les convertisseurs avec les commutateurs mis en parallle de
Mosfet est alors discut.
Milan M. Jovanovic et Yungtaek Jang, 1999, [9]:
Un hacheur lvateur qui emploie un circuit d'aide la commutation actif isol pour
rduire les pertes causes par le recouvrement inverse de la diode D et les pertes de
dcharge de la capacit interne du Mosfet principal avec la technique ZVS. Le circuit
d'aide la commutation actif isol propos consiste en une inductance couple, un
condensateur et un Mosfet de type n. La performance du convertisseur propos est
value sur 1 kW.

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Cf

RI.

Vo

Figure 16 Hacheur lvateur avec circuit d'aide i la commutatioa isol

Milan M. Jovanovic et Yungtaek Jang, 2000, [8]:


Le hacheur lvateur est prsent avec circuit d'aide la commutation actif qui est

mis en oeuvre avec un nombre minimal de composants. Ce circuit d'aide la


commutation consiste en une inductance, un commutateur auxiliaire et une diode. La
technique ZVS amliore la performance du convertisseur, en rduisant le
recouvrement inverse de la diode qui cause les pertes dans le Mosfet principal. Cette
technique contrle le di du courant de la diode avec l'inductance du circuit d'aide
dt
la commutation. Les tensions des composants dans le circuit d'aide la commutation
actif propos sont commutation force (hard switching).
Le circuit du hacheur lvateur utilise une nouvelle technique pour les rductions des
pertes de recouvrement inverse montre la figure 17.

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Os

La

Vin-

RI
Cf

s
Dap

Dap1

Figure 17 Hacheur lvateur avec circuit d'aide la COIDIDatatioa

Le circuit de la figue 17 utilise une inductance d'aide la commutation Ls


connecte en srie avec l'interrupteurS du hacheur lvateur et la diode D pour le
contrle du di du redresseur. Le circuit d'aide la commutation est contrl par un
dt

interrupteur auxiliaires, connect entre l'anode de la diode D et la masse du circuit.

La fonction de la diode Ds est de fixer la tension travers l'interrupteur principal S


vers la tension de sortie aprs que l'interrupteurS s'ouvre.
Pour simplifier l'analyse de l'opration, on suppose que l'inductance du hacheur
lvateur (d'entre) est trs grande au point qu'elle peut tre reprsente par une
source de courant constant Iib et que les ondulations de la tension de sortie sont
ngligeables de telle sorte que la capacit du filtre de sortie peut tre reprsente par
une source de tension constante Vo.

Auss~

on suppose qu' la fermeture les semi-

conducteurs deviennent de court-circuit. Cependant, la capacit de sortie des


interrupteurs et la charge du recouvrement inverse du redresseur sont ngligs dans
cette analyse. Le diagramme du circuit du convertisseur simplifi est montr sur la

Dgure18.

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Os
iDS

1'
-vo

Ls

iLS

iD

lin

..J,iSl

isJ,
+

Vs

Vsl
Dap

Dap1

Figure 18 Diagramme simpUfl du circuit hacheur lvateur meatioauat les


rfreaces de couruts et de teuiou
2.4

EDgeaces du cahier de charge da coavertisseur lvateur

2.4.1

Ct alimeatatioa

La tension d'alimentation varie entre 40 V et 60 V, 40 volts~eS 60 volts.


La sortie est galement considre comme une source de tension continue V,= 180
Volts CC.

Les pertes dans

le hacheur sont supposes ngligeables, de sorte que la puissance

moyenne Pe fournie par la source est pratiquement gale la puissance Ps fournie


la charge; alors: P1 = Pe = 1 kW.

Dans ces conditions.la valeur du courant de la source fs est :

=.-!.
e
V = 2SA.

(2.1)

Considrons une ondulation du courant d'entre de 500 mA

~Me= O.SA.

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Donc. du ct alimentation on a les donnes suivantes :

Tableaa IV
Cier de cbrge ct alillleatatioa.
Teuio d'alialetatioa V,

40 volts ~eS 60 volts

Courut dans la souce fe

fe = 25A

Puissance foU'IIie par la souce Pe

P, = 1 kW

Oadalatioa da coarut d'eatre Me

Me

= 0.5A

2.4.2 Ct charge
La tension moyenne de sortie Vs est gale 180 V. Vs= 180 volts CC.
La puissance maximale fournie par le hacheur est: Ps-1 kW.
La valeur du courant dans la charge est:

(2.2)

Is-?s=S.SSA

Ce qui pennet de calculer la valeur minimale de la rsistance de charge Ro :


D

no-

=(vsP. )2

= 32.40

(2.3)

Considrons une ondulation de la tension aux bornes de la capacit de sortie de 500


mV ~AVs= 0.5volts.

Alors du ct charge on a :

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TableaaV
CHier de c:brge c:6t c:llarge

Telllioa IDOyeae de sortie V5

V5= 180 volts

Coaraat dus la c:llarpls

fs=5.55A

P.-.c:e folll'llie la claarge P5

Ps=l kW

Oadalatioa de la teuioa de sortie AV5

AV5 = 0.5volts

hypothses simplificatrices:
Durant ce travail on suppose que :

+
+
+

Les pertes dans les semi-conducteurs sont ngligeabl~

Les temps de commutation dans les semi-conducteurs sont ngligeables.

Les composants sont idaux.

Pour obtenir effectivement une source de tension aux bornes de la charge, on place
un condensateur C en parallle avec R. et pour respecter les rgles de connexion
entre sourc~ il faut disposer une inductance L. entre l'entre et la sortie. La position
de cette inductance va dterminer la structure du convertisseur. Dans notre cas, la
bobine est place

l'en~

en amant des semi-conducteurs: on transfonne l'entre

en une branche de courant.

1.4.3 Choix des c:omposaats passifs da circait


Dans ces conditions le rapport cyclique Cl varie entre deux valeurs extrmes donnes

par:

allliD = 0.50

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(2.4)

1.7

Y.

a_ = 1--!!!!!!.. =O.78

(2.5)

Ys

La frquen d'cbantillonnage fest choisie gale 20kHz, ce qui correspond une


priode de fonctionnement: T =50 JISCC Avec un rapport cyclique m = 84%, une

frquence d'chantillonnage f = 1.0 kHz et les valeurs d'ondulations du courant et


celle de la tension mentionnes dans les tableaux IV et V, on peut calculer la valeur
de la bobine et celle du condensateur partir des quations suivantes :

L Ys.a

fM,

(2.6)

C= /,a
f.AYs

(2.7)

1..4.4 Cllolx da colldeasatev de sortie


a) Pour m =O.SO
C=277 JlF
b) Pourm = 0.78

c =433 JlF
Alors : 1.77 pF s C

s 433 J&F.

1..4.5 Calcul de l'iadaetaace da llae.ear lvatear

a) a=O.SO, Ve=40 V.

L=2mH.
b) a=0.78, Ve=40 V.

L=3.12mH.
Alors, 1. mB ~ L

~ 3.11.

mD.

On choisit : C = 433 pF et L =lmH.

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En supposant que le courant d'entre

ie est continu. le taux d'ondulation maximal du

courant d'entre, sur une priode d'chantillonnage Tet charge maximale, peut tre
calcul partir de l'expression suivante :

[ ~,]
t,

Ro..
Lf

k-ar .aL= 3.05%

(2.8)

%.4.7 Calcul da tau d'oadalatioa de la teasioa

La valeur du condensateur choisie permet de limiter le taux d'ondulation de la


tension de sortie sur une priode d'chantillonnage T :

AYs]= a_ S
1
=0.35%
[ Ys
R0 , . .C.f R.,,. .C.f

(2.9)

%.4.8 ScbDJa et priacipe de roactioaaemeat da hachear lvatear ea rgae


permaaeat

Le processus, tel prsent la figure 19, n'est autre qu'un hacheur lvateur
classique.
iL

iD

VL-

Ve __

ich

VD-

VK

charge

Vcb

Mosfet

Figure 19 Hacbear lvatear


Ce montage se caractrise par deux squences de fonctionnement :

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19

Fipre 10 Squeace #1 d11 Hacheur lvateur


Pour 0 < t <mT, l'interrupteur K (le MOSFEl) est ferm~ l'nergie est stocke dans
L par l'intenndiaire de la premire maille du circuit alors que la diode D est bloque
empche le condensateur de sortie C de se dcharger dans l'interrupteur, ce qui
permet la source d'entre de charger l'inductance et au condensateur de sortie C

d'alimenter la rsistance de charge.

On a les quations suivantes :

Ye=L JliL
dt

(2.10)

R.is-rt ~s.dt=O

(2.11)

Durant cette squence la tension inverse aux bornes de la diode D est gale Vs tant
dis que le courant dans l'interrupteur est gal celui de l'inductance.

(2.12)
(2.13)

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30

Squence # 2:
L

y y T

Ve

-l-___M_od_~_t..__VK
-rtr - c_I___ .
__

Vcb

Figure %1 Sqaeace # Z da bacbear lvateur


Pour cxT < t < T, l'interrupteur est ouvert, l'inductance de la source elle-mme
dlivre de l'nergie la charge, et dans ce cas Vt <O.
On aura alors :

Vs=Ve- Vt.

(2.14)

Et par suite :

Vs>Ve.

(2.15)

Le blocage de l'interrupteur entrane la dcharge de l'inductance dans la charge R.


La valeur de la tension du ct de la charge et plus lev que la tension du ct de la

source. En revanche le courant ie dlivr par la source est un courant ondul et le


courant dans la charge est discontinu. La tension aux bornes de l'interrupteur est
gale Vs.
On a les quations suivantes :

~=L~71Ys

(2.16)

v,.rs<t-1)+ic(t=n

(2.17)

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31

1.4.9 Fo1111es d'oade idale ea rgae pe1111Deat

v.

~~c::z:~~~L
I

-V~+V1

1.,

iK

1.-x

.... ,_.

.
1

:1
VL

td
1

v. ~------------~

VI

v..

ii

!!i
i

-Vc..

...

...

t
Figure l l Foi'Dies d'oade idale pour ua hacheur lvateur ea rgillle
permaneat

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32

2.5

Stnaeture da circ1lit de piiIIUce (partie bcllear lvateur)

2.5.1 Hacheur lvateur avec le cirellit d'aide la coiUItatiou


La tendance dans le convertisseur de puissance est vers des densits de puissance de
plus en plus leves. Habituellement, la mthode pour raliser ceci est d'augmenter
la frquence de commutation, qui pennet une rduction de la taille du composant de
filtre. Augmentant la frquence de commutation cependant, augmente de manire
significative les pertes de commutation du systme.

Pour faciliter les commutations. on utilise le circuit d'aide la commutation [9].


Donc, le Mosfet utilis comme interrupteur peut fonctionner avec une trs grande
fiabilit, jusqu' des frquences trs leves celles autorises par le Mosfet [2],
puissance commute comparable.

01

....,.,

~02
Il
Il

Cr

~ 03

Lr
~

Ve .!...,:
40Vdc

lblllt"Miin"ll-

~~

;; c

04

...

~ 05

~~

Uo*"M"

-~aFigure 23 Structure da bacbear lvateur avec le cin:ait d'aide la


commatatioa
Afm d'augmenter la frquence de commutation tandis que l'efficacit acceptable de
mise jour, plusieurs techniques de commutation douces ont t dveloppes. La

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33

plupart de ces techniques rsonnantes augmentent l'effort de courant et/ou de tension


de semi-conducteur [6], menant de plus grands dispositifs et des pertes acc:rues

de conduction dus un plus grand courant de circulation [5). Une topologie,


cependant. qui permettent une diminution des pertes de commutation, tout en
sunnontant la plupart des inconvnients des techniques

rsonnantes. Le

convertisseur auxiliaire ZVT fonctionne une frquence fixe tandis que tout en
ralisant la mise en fonction nulle de tension du commutateur principal. Ceci est
accompli en utilisant

la rsonance seulement pendant les transitions de

commutation. Pendant le reste du cycle, le rseau rsonnant est essentiellement


retir du circuit [18).

1.5.2 Mode de foactiouemeat

....................._____

Vr.~~--.-.-~~----------------~~

to

Figure 14 Mode de foactioaaemeat du hacheur lvateur avec le circuit d'aide


la eommutatioa

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0-to

Le mosfet principal est ouvert

et

la diode Da conduit le courant de charge

complet.
to-t 1 Le mosfet auxiliaire ZVT est mis en marche. D assure la circulation du courant

ic travers Lr qui augmente linain:rnent. Le courant dans

la diode Dt diminue

jusqu' tomber zro, donc la diode se bloque. La tension travers le mosfet


principal (Main) est Vo. et donc le temps requis la rampe jusqu' ic est:
t YotL

t1-t2

(2.18)

Le courant de Lr a atteint ic et Lr et Cm commenceront rsonner. Ce cycle

rsonnant dcharge le condensateur Cm jusqu' ce qu' zro de tension. Le ~ de la


tension de drain

est

contrl par Cm (le Cm est la combinaison du Cc1s et du C011

externes du mosfet principal). Le courant par Lr continue augmenter tandis que Cm


se dcharge. Le temps requis pour la tension de drain pour atteindre zro est 114 de la
priode rsonnante. la fin de

cette

priode la diode interne du mosfet principal

conduit pendant :

t:JfJLc.

(2.19)

La tension de drain du mosfet principal atteint OV et la diode anti-parallle est en

tat passant. Le courant par cette diode est pilot par l'inductance Lr.
tz-t3 La tension aux bornes de la diode Da est gale Vo- Le signal de commande
du zvr restera ON jusqu' l'tat zro de tension du mosfet principal (Main) c'est
dire jusqu' le temps de dchargement (le temps de dcharge d'oscillateur est la
largeur d'impulsion du maximum ZVI). Ceci permet au commutateur de zvr d'tre
allum seulement pour aussi longtemps selon les besoins.

t3-4 La tension travers le Main est zro et donc ce moment, le mosfet princi~
peut tre mis en marche pour raliser la commutation zro de tension (Zero Voltage
switching). La priode commence quand l'oscillateur commence se dcharger.
Aprs que le mosfet auxiliaire

zvr

se bloque, l'nergie en Lr est dcharge

linairement par D4 dans la charge, pilotant la diode Da au blocage.

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35

4-ts

Le courant dans le mosfet principal est gale au courant d'entre lm. Tandis

que la diode principale et le mosfet auYiiiaire sont bloqus. la fin de cette priode.
le commutateur principal se bloque.
ts-l6 La capacit C de sortie est charge Vo et la diode principale commence
fournir le courant la charge. Puisque la capacit interne du mosfet principal (Main)
tient au commencement la tension de drain partir de zro, les

pertes

sont

sensiblement rduites. Aprs avoir rduit sensiblement les pertes de commutation, la


frquence de fonctionnement peut tre augmente sans pnalit d'efficacit. La diode
fonctionne galement avec des pertes beaucoup infrieures et donc elle fonctionnera
une plus basse temprature, augmentant la fiabilit.
1.5.3 Coaditioas du circuit de CoiiUIWide

Afm de mettre jour la commutation zro de tension pour !e commutateur principal,


le commutateur auxiliaire (ZV1) doive tre amorc jusqu' ce que la tension sur la
capacit interne rsonne zro. Une fois que la tension Vos du mosfet principal
(Main) tombe zro, son signal d'entranement peut passer 1 et celui du mosfet

auxiliaire (ZV1) 0 [7).


N .B : Les circuits prsentant les squences de fonctionnement du hacheur lvateur
avec le circuit d'aide la commutation sont prsents l'annexe 1.

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CHAPITREJ

TAGE CC-CA: ONDULEUR MONOPHAS

J.l

latrodoctioa

Un onduleur est un convertisseur capable de transformer de l'nergie partir d'une


source de tension ou de courant continu vers un rcepteur.

Dans le rcepteur,

l'nergie est prsente sous forme de tension et de courant alternatif~ c"est dire de
tension et de courant valeur moyenne nulle. La puissance moyenne reue sera par
contre non nulle sauf exception. car elle sera gale la somme.
La puissance active P circule de l'entre vers la sortie, c"est dire du ct continu au
ct alternatif. Cette puissance dpend du type de la charge. En fait. la puissance
active est maximale pour un angle de dphasage a=ao, et s'annule pour a=l800. La
puissance ractive de l'onde fondamentale est nulle pour a=O" et 1800 et devient
maximale pour a=900.

Fagare lS Priacipe d'ua oadoleor


On tudiera ci-dessous le fonctionnement de l'onduleur en montage en pont
monophas.
Le schma de montage est reprsent par la figure 26 o l'on a aussi indiqu la
charge, connecte aux bornes de sortie de l'onduleur. La charge est constitue d'une
rsistance ohmique R et d'une inductance L. On examinera d'abord les diffrents
tats de conduction possibles dans ce montage pour dmontrer ensuite la composition
de l'allure de la tension U et du courant i la sortie de l'onduleur.

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37

Ue

Figure 16 Oadalear moaophas

3.1

Coavertissear CC-CA

Xiao Sun. Dehong Xu, Frank leung, Yousheng Wang et Yim-Shu Lee, 1999, [38):
Ce papier(joumal) propose le contrle du rseau pour les alimentations sans
interruptions (UPS) pour amliorer leur rponse et les adapter aux diffrentes
charges. Deux modles de simulation sont construits pour obtenir des modles. On a
un contrleur boucle de ractions muhiple pour des charges linaires et un autre
contrleur idalis particulirement conu pour des charges non-linaires. Le dernier
contrleur une rfrence incorpore et le courant de charge est forc de suivre la
trace

cette rfrence. Les modles d'exemple dans des conditions de diffrentes

charges sont utiliss dans la formation autonome. qui est fait aussi simple que
possible de rduire le temps de calcul. Quand la formation

est

acheve, le rseau

neural est utilis pour contrler l'UPS en ligne. Le dveloppement de modles


d'exemple et la formation du rseau neural sont fait utilisant MATLAB et
SIMULINK et la vrification de rsultats est faite utilisant Pspice. Il est trouv que le
rseau neural propos peut fournir la bonne tension de production de simulation

basse distorsion Harmonique Totale (TIID) avec diffrents types de charge.

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38

Vele

...

Figure 21 Oad.ter moaopllas UPS


Olorunfemi Ojo, Obasoban Omozusi, Antonio Ginart, Ben Gonob, 1999, [16):

On prsente l'excution quilibre et la dynamique d'un onduleur monophas


autonome. Une batterie alimentant l'inverseur fournit la vraie puissance au gnrateur
quand la demande de chargement est plus grande que l'nergie alimentation par le
moteur. Quand la vraie puissance assure par la turbine excde la demande de
charge, la puissance excessive charge la batterie. L'alimentation lectrique ractive
est pertinemment satisfaite par l'inverseur avec un condensateur de shunt reli

travers le chargement. Les rsultats exprimentaux obtenus partir du gnrateur,


alimentant un chargement d'impdance, prouvent que l'arrangement de gnrateur a
d'excellentes carac:tristiques d'excution.

3.3

Coavertisseu CC-CC-CA

Zaohong Yang et Paresh C. Sen, 2000, [21]:

Le convertisseur CC-CA utilisant un tage CC-CC la configuration de


convertisseur CC beaucoup d'avantages sur l'onduleur. On propose un nouveau
cin:uit bidirectionnel avec le contrle robuste non-linaire dans ce papier(joumal)
pour sunnonter ces inconvnients. Cet inverseur peut dynamiquement stabiliser la
tension de sortie quand elle est soumise de grandes perturbations dans la tension
d'entre ou la charge. L'analyse de stabilit est prsente. Le systme de commande
de la boucle fenne est examin avec les contrleurs P, Pl, PD et PID de la boucle de
tension pour diffrents types de charges. Les rsultats montrent que le contrleur PD
est le meilleur choix.

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39

T1

o-1
c

vo
T3

o-1
Figure %8 Oadaleur CC-CA avee la topologie du convertisseur CC-CC

Caceres, R.; Barbi.l., 1995, [11):

Ce papier propose un convertisseur qui produit une tension CA partir d'une tension
CC l'entre. L'attribut principal de cette topologie est le fait qu'il produise une
tension de production CA plus grande que l'entre CC. L'opration, l'anal~ la
modulation, le contrle, la stratgie et des rsultats exprimentaux sont inclus dans
ce papier (journal). Ce convertisseur est destin pour tre utilis dans la conception
d'UPS, chaque fois qu'une tension CA plus grande que la tension de liaison de CC est
~

sans avoir besoin d'une deuxime tape de conversion de puissance.

S2

S4

o-1

80011 OC-OC---

o-1
vo

c
\lin

S1

o-i

S3

o-1

Figure 19 Le circuit utilis pour garer uae teasioa CA plus leve que la
teasioa d'entre CC

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40

Ram6n O. Cceres,et lvo Barbi. 1999, [S):

Cet article propose un nouvel inverseur de source de tension (VSI) vis comme un
convertisseur CC-CA. L'attnbut principal de la nouvelle topologie est le fait qu'il
produise d'une tension de sortie C.A. plus grande que l'entre de C.C, selon le
coefficient d'utilisation instantan. Cette proprit n'est pas trouve dans le VSI
classique, qui produit une tension instantane sortie par courant alternatif toujours
infrieure l'entre de C.C une. Afm d'optimiser la dynamique du convertisseur, tout
en assurant l'excution correcte avec n'importe quel type de charge, on propose un
contrleur de mode coulissant. L'avantage principal de ce contrleur de mode est sa
robustesse pour des variations de paramtre, qui mne la dynamique invariable et la
rponse quilibre dans le cas idal. L'excution, l'analyse, la stratgie de commande,
et les rsultats exprimentaux sont inclus en cet article. Ce convertisseur est destin
pour tre utilis dans l'alimentation d'nergie sans interruption (UPS) sans le besoin
d'une deuxime tape de conversion de puissance.

Xiaoming Yuan, et Ivo Barbi, 2000, [18]:

Cet article propose un onduleur avec un transfonnateur de commutation de zrotension avec une modulation largeur d'impulsion (PWM). Comme commutateur
auxiliaire-rsonnant. la proposition garantit la commutation de zro-tension du
commutateur principal et la commutation zro-actuelle du commutateur auxiliaire,
avec un circuit auxiliaire de petite puissance et une pleine capacit de PWM. En
particulier, les problmes tel que la complexit de commande, protection auxiliaire de
commutateur, etc., sont rsolus dans la proposition. Le processus de commutation est
discut point par point dans le papier. Une analyse dtaille pour le circuit auxiliaire
en ce qui concerne la limitation de la commutation, courant rsonnant de
commutateur du condensateur RMS, comme la perte de tension de sortie sont
prsentes aprs. Une mthodologie de conception pour le circuit auxiliaire est
recommande. La proposition est exprimentalement vrifie avec un prototype de

4,2SkW.

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41

Zaohong Yang, et Paresh C. S~ 2000, [21]:


Le convertisseur CC-CA utilisant une configuration de convertisseur de CC-CC a

beaucoup d'avantages par rapport l'inverseur bridge-type traditionnel. On propose


un cimrit bidirectionnel avec la commande robuste non linaire en cet article pour

sunnonter ces inconvnients. Cet inverseur peut dynamiquement stabiliser la tension


de sortie une fois soumis de grandes perturbations dans la charge. L'analyse de
stabilit est prsente. Le systme de commande en boucle bloque sous la
commande de P, la commande de Pl, la commande de palladium, et la commande de

PID de la boucle de tension pour diffrents types de charge sont tudis.


Les rsultats prouvent que la commande de palladium est le meilleur choix.
L'excution du circuit est galement tudie. La simulation sur ordinateur et les
rsultats exprimentaux sont fournis.

Li Li et Dariusz Czarkowski, 2000, [29]:


La mthode bannonique slective de la modulation largeur d'impulsion est
systmatiquement applique pour la premire fois aux inverseurs connects en srie
multiniveau de la tension-source. La mthode applique est base sur des techniques
d'optimisation. Le point de dpart d'optimisation est obtenu en utilisant une approche
bannonique de suppression de dphasage. On propose une autre technique
bannonique moins de calcul exigeant de suppression, appele un miroir la mthode
harmonique en surplus, pour les inverseurs (five-level) de double-cellule. Des
rsultats thoriques des deux mthodes sont vrifis par des expriences et des
simulations pour un inverseur de double-cellule. Des rsultats de simulation pour un
inverseur de la cinq-cellule ( 11-level) sont galement prsents pour la mthode
multiniveau.

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41

3.4

Foactioaaeeat de l'oadalear

3.4.1 Modalatioa +E , -E
La figure 31 explique en dtaille ce type de modulation. Si E et Vc dsignent les
tensions dentre et de sortie. quel que soit le signe de fe. la tension de sortie a pour
valeur moyenne :
Vmroy =T[EaT-E(l-a)T]=(2a-l)E

(3.1)

avec a = rapport cyclique.


Le rapport cyclique dtermine donc la valeur moyenne de la tension de sortie.

3.4.1 Modalatioa +E 0 et -E 0
La figure 31 prsente la modulation +E 0 ( +a ) et la modulation -E 0 ( -IX ).
Les relations pour les deux modes de fonctionnement sont :
Vc_,.=+ E a.
Vc801 =- Ea.

Ces relations traduisent bien que le fonctionnement dans les quatre quadrants est
obtenu par le mode de contrle de la grandeur a.

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43

3.4.3 Modulatioa +E -E et foi'Die d'oade tloriqae

+
E

......
cxT

..._..

Coadudioa
de KzK.J

.!

.... t

tc.
+E
t

-E

Coadadioa
de KaK.

tc.

cxT

-E

ON

ON

OFF

Rapport cyclique
positif' ex

Rapport cycUqae
aptifcx

Figue JO Forme d'oade tlaoriqae de la aaodalatioa +E -E

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3.4.4 foiWe d'oade tlaoriqae des modalatiou +E 0 et -E 0

..
+E

'

........
-E

+1

le.....

le.

....___ ......-:--....
T

.,

~. t
........
.-vc~~

...

Coodactioo
de Ka

KzK, KaK

ON

OFF

ON OFF,., de Kz

ON

roodactioo
OFF ON 1.. de Ka

.
ON
i

Coodactioo
deKz

..

KzK, KaK

OFF

~oodactioa

!.
'

OFF

..

Figure 31 FoiWe d'oade thorique de la modalatioa +E 0 et -E 0

3.4.5 itats de coadactioa


Les diffrents tats de conduction possibles pour les contacteurs statiques et les

diodes dans un onduleur en pont monophas sont reprsents la figure 32. Pour
chaque polarit du courant de charge cb (figure 32 (a) (d) et 33 (e) (h)) il e.xiste
quatre possibilits, tension de sortie U positive, ngative, nulle au potentiel ngatif et
nulle au potentiel positif. Si le courant et la tension ont le mme signe, le courant
circule travers deux contacteurs statiques (figure 32 (a) et figure 33 (e)). Si le signe
est oppos,

le courant circule travers deux diodes (figure 32 (c) et figure 33 (g)). Si

la tension U est nulle, le courant passe travers un contacteur statique dans une
branche et travers une diode dans l'autre branche (figure 32 (b) et (d), et figure 32

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45

(t) et (h)). Dans ces cas, la charge est court-c:in:uite et aucun courant ne passe au
travers de la source d'alimentation (tension d'entre Uc). Avec une squence de
commande approprie sur les contacteurs statiques, on peut passer d'un tat de
conduction un autre et influencer ainsi l'allure de la tension aux bornes de la
charge, comme on le dcrira dans les paragraphes suivants.

K~

Dl

Dl

L'c

DJ

Ue

K~

Dl

IN

IN

ftrlO

(a)

(b)

Dl

K~

Dl

l~e

K~

Dl

(c)

K~

Dl

Ut~

u
R

UlO
L

R
(d)

Figure 31 Sqaeaces de coadactioa d'ua oadalear moaoplaas. Le coaraat dus


la charge circule ea seu positif

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~~-~

Dl

D3

D3

lie

Ue

IN

Dl
ll

fuzo
L

IN

(e)

(1)

Ue

Ue

,.,

(Il)

ngure 33 Sqaeaces de colldadioa d'aa oadlllear oaopllu. Le coanat


dus la cllarge circule ea seu aptif
3.4.6 Copositio de la teasioa altenative
Pour dtenniner l'allure de la tension U fournie par l'onduleur

monop~

il est

judicieux de construire d'abord les tensions de branche U 1o et U20 entre la borne de


sonie de chaque branche et la borne ngative de la tension d'entre Uc (figure 34).
La tension U10 est gale Uc si le contacteur statique Kt ou la diode Dt conduit selon

le sens du courant sortant de la branche. La tension Uto est nulle lorsque le


contacteur statique K2 ou la diode

conduit. Les mmes relations existent pour

l'autre branche. cest dire pour la tension Uzo.


Pour obtenir la tension alternative U maximale, on commande les contacteurs
statiques de telle manire que la tension U1o soit gale Uc pendant la premire
demi-priode et gale zro pendant la deuxime demi-priode. La tension Uzo

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47

prsente la mme alllll'ey mais elle est dcale de T/2 par rapport U1o (figure 34). T

est la priode fondamentale de la tension alternative.

La tension U la sortie de l'onduleur monophas est donne par: U

= U10- U20

comme il dcoule de la figure 26.


L'allure de la tension U est rectangulaire; elle est reprsente la figure 34. Dans ce
mode de fonctionnement on dclenche en mme temps deux contacteurs statiques K1
et K. ou Kz et K.3, en passant directement d'une polarit l'autre de la tension U. Les
tats de conduction se rfrent la figure 32 et la figure 33.

La charge ohmique et inductive ne permet pas une variation rapide du courant i. Ce


dernier varie d'une manire exponentielle selon la constante de temps
charge.

n tend toujours asymptotiquement vers ~

ou

de la

Jft de la charge. n existe

un certain laps de temps, pendant lequel le courant de charge doit circuler travers
deux diodes (tat de conduction g ou c). Lorsque le courant de charge passe par zro.
il faut enclencher les contacteurs statiques relatifs. afin de garantir la continuit du

courant (tat de conduction a ou e).


Dans ce but on applique nonnalement un train d'impulsions d'allumage, parce que le
passage par zro du courant i n'est pas connu priori la dure

de ce train

d'impulsion doit tre un peu infrieure une demi-priode de la tension de sortie. Il


faut en tout cas viter d'enclencher en mme temps deux contacteurs statiques situs

dans la mme branche du pont (Par exemple K, et Kz de la figure 26). Cela

provoquerait un court-circuit de la branche. Les impulsions destines enclencher et


dclencher les diffrents contacteurs statiques sont aussi reprsentes la figure 30.

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4~

UIl

t..

t..
tats de
coudaedo

T
Figure 34 Copositiou de la teuioa alteraative

3.5

Cuier de charge de l'odalear

3.5.1 Dialeasioue.eat de la cJaarxe


Ayant une puissance active P = 1kW et une tension efficace de 120 Volts, on peux
dterminer la charge de notre onduleur monophas.
Charge purement rsistive :

Cette charge correspond une impdance

vz

Z=R=-=14.40

(3.2)

Charge inductive :

Cette charge correspond une impdance


(3.3)

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49

Donc, pour L = lmH on aura


(3.4)

Alors: R = 14.3951 0

3.5.2

Dimellliouea~eat

du ftltre de sortie

i oad

...Lr

ich

V_ond

Figure 35 FUtre de sortie de l'oadalear


On choisit la frquence de rsonance fe du filtre de sortie de 1'onduleur de telle sorte
que:
10foSfc~Ofi

(3.5)

Avec fo =60Hz et td =20kHz.

(3.6)

(3.7)

<L C <
1
1
(2Jr*200kllz)2
f f
(2Jr*600)2
On choisit L = 1mH, alors :

6.33pFsc,gopF

On prend C = 20 JLf.

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(3.8)

(3.9)

CHAPITRE4
TUDE DU SYSTME DE COMMANDE

4.1.1

Hacheur lvateur

Le travail qui suit, fait suite une tude thorique du systme de rglage associ un
hacheur lvateur et se propose de prsenter, de tester et de valider, par simulation, le
systme de commande. Notre convertisseur assure une conversion OC-OC raide
d'un hacheur lvateur. Dans cette partie du rapport, on prsentera le systme de
rglage associ au hacheur lvateur en boucle ferme, ceci en faisant une synthse
de la boucle de courant et celle de la tension, qui permet de commander l'interrupteur
principal du convertisseur (Mosfet).
4.1.1.1

Rgalateur de la teasioa de sortie et rgulateur du courant d'entre

Dans cette partie, on se propose d'tablir le systme de rglage qui ajustera les
performances du processus auquel il est associ, selon un cahier de charges bien
dtermin. Le processus nest autre que le hacheur lvateur dcrit auparavant.

La tension de sortie du processus servira comme rfrence de courant. et un rgulateur


sera calcul de faon ce que le courant d'entre rel (qui circule dans l'inductance de
lissage) suit aussi fidlement que possible la consigne qui lui tait impose.
De plus, on s'efforcera maintenir la tension de sortie du hacheur constante. Un

rgulateur sera conu pour cette fm.


Les lignes qui suivent commenceront par une description gnrale du systme de
rglage. La synthse de la boucle de courant et de la boucle de tension fera l'objet des
deux derniers paragraphes qui cltureront cette partie du rapport.

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SI

4.1.1.2

Prseatatioa ganle da systme de rglage

Il s'agit d'imaginer un dispositif d'tude capable de matriser la forme du courant


fourni par la source de courant et la forme de la tension applique la charge.
l'objectif tant de prlever un courant 1~ la batterie foiiJ'Ilit une puissance de
Ve~e, tandis que la charge absorbe (pour une tension Vs continue) une puissance

Y,z
continue gale ...L .

Pour respecter les rgles d'interconnexion des sources, on doit mettre une inductance
l'entre de notre convertisseur.
Le rglage du transfert de puissance, pour satisfaire la forme du courant recherche.
La loi de commande doit permettre le rglage de la puissance fournie par la source de

courant.

Les hacheurs lvateurs se rvlent de bons candidats au respect de ce cahier des


charges. En pratique, on s'interdit les discontinuits de courant la frquence de
dcoupage l'entre du boost et seul le hacheur lvateur voit actuellement un
dveloppement industriel.
En prambule l'tude dtaille du dispositif, quelques remarques de base sur les

spcificits du fonctionnement s'imposent.


Lorsque le Mosfet principal Main est passant [C(t)= 1], la diode D est bloque
(Vo =-Vs) et l'on crit:

L di~ =V
dt
~

(4.1)

Lorsque le Mosfet principal Main )) est bloqu [C(t)=O], la diode D est passante (lo

=le) et l'on crit:

(4.2)

Ces deux relations montrent que tant que Vs<Ve. L

di~ > 0,
dt

quelque soit l'tat du

Main. Pendant cette phase transitoire, le coavertissear ae goaverae pas le


fonctionnement et

le croit strictement jusqu' ce que la charge du condensateur c

atteigne la valeur Vs=Ve- L'tat ON/OFF du Mosfet ne pourra modifier le signe de la


pente du courant qu' la condition Vs> Ve- Ce procd opre donc un contrle
indirect du courant par action sur sa pente selon l'tat 0/1 du signal de commande

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52

C(t). Le rglage du rapport dure l'tat 1/ dure l'tat 0 de la commande, permet


globalement d'augmenter ou de diminuer fe. Le rapport cyclique du signal de
commande variera en consquence.
Au dpart de chaque demi-priode secteur, la croissance du courant le est
commande par la mise l'tat ON du MOS. La vitesse de croissance de le est alors

impose par la tension Ve et la valeur de lrmductance L. Il en rsulte pendant un


certain temps, une loi d'volution du courant le impose et non corrigible par la
commande.

La puissance fournie est gale Ve*le . En admettant le dispositif sans pertes, cette
puissance moyenne correspond celle consomme par la charge. Pour que cette
puissance consomme soit continue, le condensateur de stockage doit cycliquement
absorber puis restituer l'cart avec la puissance fournie par la batterie. La capacit de
stockage ncessaire au maintien de la tension Vs devra tenir compte de ces variations
de charge en we de son dimensionnement.

4.1.1.3

Modlisation du convertisseur

Soit C(t) la commande du Mosfet,


Lorsque C(t) = 1 ; l'interrupteur principal est l'tat ON~
D est l'tat OFF ~

VMain= 0

Io =0

Lorsque C(t) = 1 ; D est l'tat ON ~

Io = le

L'interrupteur principal est l'tat OFF~

VMain= Vs

0 vient les 4 relations du convertisseur :


Ve = [1-C(t)]*Vs

(4.3)

Io =[1-C(t)]*lc

(4.4)

(4.5)

(4.6)

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53

Bien que les multiplications intervenant dans les quations 1 et 2 donnent un


caractre non linaire au modle du convertisseur9 nous utiliserons pour des

commodits de reprsentation l'oprateur S pennettant d'tablir le schma


fonctionnel de la figure 36.
R
1+RCS

Figure 36 SchiDa fonctionnel de la modlisation du convertisseur

4.1.1.4

tude de la boucle de counnt

On distingue 2 types de stratgies de commande :


)- Celle frquence fixe9 connue sous le vocable de commande par IDodulation
de largeur d'impulsioas. Le rapport cyclique du signal de commande C(t)
peut tre dtermin de diffrentes faons.
)- Celle frquence libre et rapport cyclique libre, connue sous le vocable de
eomDIUde par hystrsis ou par fourchette de courant.

Nous retiendrons pour l'tude cette seconde solution car elle a l'avantage de ne pas
ncessiter le calcul d'un correcteur ; tche rendue difficile par le modle non linaire
du convertisseur (2 multiplications).

Nanmo~

il convient d'exprimer la frquence

de dcoupage afin d'tablir un dimensionnement de l'inductance L compatible avec


nos aptitudes techniques dans la commande des Mosfets et selon ses possibilits de
refroidissement.
La figure 37 illustre le principe retenu du contrle du courant fe. La bande

d'hystrsis impose permettra effectivement une poursuite correcte de la consigne.

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C(t)

Figure 37 Priacipe de coatr61e da coanat d'eatre


tant doM que la fonction de transfert de notre systme est :
A l'aide de Matlab, on obtient le diagramme de Bode qui nous permet de prlever la
frquence de coupure Fc :
En considrant Vs constant et Ve constant sur une priode de dcoupage, on peut

(4.7)

crire:

4.1.1.5

tude de la boucle de teuioa

Prindpe : la commande en courant impose la puissance moyenne Ve*le transmise


la charge. Ce comportement en gnrateur de puissance laisse libre la tension Vs
~2

d'voluer selon la charge R dans le rapport ....!....

En gnral, les utilisateurs demandent des gnrateurs de tension. Il s'en suit la


ncessit d'une adaptation automatique de la puissance fournie la charge selon ses
variations pour maintenir Vs- Nous venons de dresser le cahier des charges d'une
boucle de tension Vs dont le signal de commande agira sur l'amplitude du courant fe.
Le schma de principe complet devient celui de la figure 38.

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55

Rplatioa de la teasioa.-+----4

Figure 38 Priacipe de coaamude da systme


Une premire remarque s'impose. La dynamique de rponse du rgulateur de tension
devra tre suffisamment lente pour ne pas dgrader la contrainte de fonne.
Modlisatioa par bilaa de paissaaces : faire l'approximation fe

=lm est tout fait

lgitime. En effet, une inductance L pour rduire la dure de la distorsion du courant

le et une fentre d'hystrsis trs serre font que au prix d'un accroissement de
(F~. lc(t) => I.et(t). Cependant, poser

le = fm prsente un inconvnient important

pour la suite de l'tude car le signal de commande C(t) n'est plus dtermin. L'tat du
Mosfet principal et celui de la diode D ne peuvent plus s'exptimer. Nous perdons le
lien mathmatique entre l'entre et la sortie du convertisseur.
Le raisonnement par les bilans de puissance fournit une expression utilisable pour

modliser le systme et assurer l'asservissement de la tension V5

(4.8)

Honnis la mise sous tension qui est un vnement unique non conttlable par la
commande et donc de peu d'intrt pour la modlisatio~ cette approche l'avantage

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56

de valider un comportement grce une quation portant sur des grandeurs continues

quivalentes mais non linaire.


CaiC111 da correcteu de telllioa : Pour le calculer, on peut chercher simplifier

encore le modle en vue de le linariser. La simulation devra pennettre de conclure


quant la validit de la dmarche. U est certain que l'ondulation de la tension de
sortie n'intresse en rien le calcul du correcteur de tension dont la bande passante
sera trs faible (quelques Hz en pratique), pour satisfaire la contrainte de fonne du
courant fe.
On peut donc sans modifier le rsultat, considrer que l'quation tablie aux

puissances instantanes peut tre rduite celle des puissances moyeMes. La


diffrence essentielle concernera la disparition des ondulations de cette tension,
ondulations dues la puissance fluctuante.
L'action du correcteur sera de maintenir la valeur moyenne de la tension de sortie et
non la valeur instantane. Sous cette hypothse, la relation devient :

Y *1 = Y
~

(c.

dYs + Ys )
dt
R

(4.9)

Le rglage de Ys (sortie) est rendu possible par action sur l'amplitude du courant

(entre). La contrainte de fonne du courant fe

le

suppose respecte. On en conclue

est

que le rglage de Ys par fe ncessite des variations trs lentes de fe.

Malheureusement, le calcul du correcteur de tension

reste

trs dlicat car l'quation

du systme reste non linaire. On peut nanmoins linariser l'quation autour d'un
point de fonctionnement afin de dterminer un correcteur dans le cadre d'une thorie
linaire. L'utilisation de la simulation pennettra de vrifier le bien fond ou non de la
mthode en soumettant le systme diffrentes excitations.
2

= C. dYs

On crit:

y */

+ Yi

(4.10)

Avec

[Vs]2 = [(Vs)o + 6Vs]2

(4.11)

Pour

le = (fe)o+ 61e

(4.12)

et

(Ys2)o =Y *(/ )

dt

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(4.13)

57

Utilisons de nouveau la bonne rgle du 1110. Si (6Ys )2

s (Ys>!
10

alors:
(4.14)

On obtient la fonction de transfert du premier ordre suivante:

6Ys_
Y,

R
61, - 4*(Ys)o 1 + RCS
2

(4.15)

La ncessit de fonctionner (Vs)o >Vc. nous permet une modlisation linaire du

dispositif mme pour de fortes variations de la tension Vs.

~....-t_+~_;_~_s__.1 Jr. H -.-~-"*_s_


Limitatioa

Correcteur

Systme

depaissuce

Capteur
Figure 39 Scllma de l'usenissemellt de la teBSioB

Avec Ho tant la fonction de transfert du systme en boucle ouverte.


Pour simplifier, on considre l'tude du hacheur lvateur sans le circuit d'aide la
commutation. On a les quations suivantes :
On trouve:
H _
0

R.(1-a)
LRS 2 +LS+a.R.(1-a)

(4.16)

Le calcul du correcteur Pl peut alors s'oprer de faon classique par compensation du


ple dominant et l'imposition d'une dynamique en boucle ferme, d'o

A*T; =

R~.

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(4.17)

D'o la fonction de transfert en boucle ferme :


(4.18)

de pulsation de coupure :

T,

(2 1r J: ) - Y, R B

(4.19)

4(Ys)o
On en dduit les deux paramtres du correcteur, soit :

BRY,

(4.20)
(4.21)

et

H =

Donc,

5.184
0.0648S + 0.002S + 4.355
2

(4.22)

En traant le diagramme de Bode (figure 40) on trouve mc = 8 (radis), ce qui


correspond une frquence de coupure de fe = 1.27 Hz.

Nous avons: 8 = S/180; Vc =40 V; (Vs)o = 180 V; R = 32.40; C =336 JJF


Par consquent : T = 0.63 et

Pour ces

dispositi~

A= 9.58

le temps de rponse sera toujours important afm de limiter la

frquence de coupure de la boucle de tension des valeurs infrieures 10 Hz


environ. Leur champ d'utilisation s'orientera plus vers la pr-rgulation de tension.

l'aide de Matlab, on a trac le diagramme de Bode de la fonction de transfert Ho.

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S9

Bode Olagrams
From: U(t)

100

50

-s.

ID

-,

'a

=
Q

::E

-50

0---

ii

s.

-50

Q.

;: -100
0
.....

-150
-200
10,

10'

10"

Frequency (rad/sec)

Figure40 Diagramme de Bode

4.1.1.6

Coadasioa

En conclusion. l'tude de ces convertisseurs de courant doit tre conduite en deux

temps et pour deux domaines frquentiels distincts.


Les performans requises de la boucle de courant dtenninent le choix de

l'inductance de liaison et de la fiquence de dcoupage. Nous avons propos une


technique de commande pour laqueUe le calcul d'un correcteur a disparu. La
dynamique de cette boucle tant l'chelle du dcoupage, sa rponse peut tre
admise instantane et sans erreur vis vis de la boucle de tension.
L'tude de la boucle de tension est thoriquement un problme trs dlicat car
certaines grandeurs sont chantillonnes et les quations non linaires. Nous avons
bti une mthodologie simple de dimensioMement, base sur un ensemble
d'approximations justifies pour aboutir une quation linaire du premier ordre. Le
calcul du correcteur est alors simple et les relevs de simulation sur le systme rel
sont satisfaisants. L'apport de la simulation en tant qu'outil de validation est essentiel.

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60

4.1.2

O.dalear moaoplaas

Les onduleurs de tension sont, par essence, rversibles en puissance. Dans

l'hypothse d'une commande en MU, ils se comportent, de surcrot, comme des


amplificateurs de puissance, ce qui permet de contrler quasiment volont le
courant et la tension du ct alternatif. On peut donc donner un schma de
reprsentation gnral qui serait celui de la figure 41.
Cette figure fait clairement apparatre l'asservissement de la tension alternative de
sortie de frquence Fs = 60Hz videmment trs infrieure la frquence de
dcoupage Fd de l'onduleur. On suppose que l'inductance Lr est telle que l'ondulation
du courant fct, due au dcoupage est ngligeable devant la composante basse
frquence de ce couranL
Avec ces hypothses, il est possible de contrler le courant dans la maille alternative
en agissant sur la tension de sortie de l'onduleur. Dans le principe, l'onduleur
command en modulation de largeur d'impulsion permet d'imposer, dans la limite de
sa "bande passante" (dcoupage), une tension quelconque et par consquent une
tension sinusoTdale de mme frquence que V0 (sans tenir compte des harmoniques
de dcoupage), de dphasage et d'amplitude rglables. On conoit aisment qu'il sera
alors possible, dans des limites d'amplitude dpendant de la tension E de l'onduleur,
d'imposer un courant sinusodal

f lui-mme rglable volont en phase

et

en

amplitude. La sortie du rgulateur PI doit tre gale la valeur efficace du courant fct,
qu'on veut imposer.

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61

-1
pia

v.

Satuatioa 1

1.:1
Rampe

Mn.df!n 1,l +--------1

v_
Figure 41 Le sema bloc de l'uservissemeat de l'oadalear
Dans la mesure o l'on veut contrler le courant dans la maille alternative (30], On
prend la sortie de notre rgulateur Pl (l'image du courant de rfrence qu'on veut
imposer), qui sera multipli avec le sinus unitaire de frquence 60

Hz. pour la

comparer avec une rampe de frquence 20kHz [34]. C'est donc ce qui est reprsent
sur le schma de la figure 41.

Dans toutes ces configurations, la puissance active transite de V0 vers la source


continue (5]. Cette dernire est donc uniquement rceptrice. Elle peut se rsumer
un condensateur qui jouera donc le rle de source de tension. L'ensemble doit alors
absolument tre muni d'une boucle de rgulation de la tension d'entre de l'onduleur.
La valeur de la tension Vc applique l'entre de l'onduleur monophas dpend de

la puissance mises en jeu dans le systme. La rgulation de cette tension, qui est en
fait la tension de sortie du hacheur lvateur, a t discute dans la premire partie de
ce chapitre.

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CHAPITRES
RSULTATS DE SIMULATION ET RtSULTATS PRATIQUE
5.1

latroductioa

Aprs avoir dtaill dans les chapitres prcdents tanatyse de notre convertisseur.
dans cette partie de notre tude. nous prsentons les rsultats de simulation avec les
valeurs calcules auparavant dans les sections prcdentes. Nous donnons au dbut le
schma de simulation. ensuite nous montrons les rsultats obtenus.

5.1

Simulatioa

Le schma de simulation du circuit de puissance en boucle fenne. obtenu l'aide de


la bote outil Power System Bloekset

oprant dans

r environnement

Matlab/Simullak est le suivant :

Figure 41 Sebma de simulation du circuit de puissaace

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63

Dans ce schma, le principe du luK:heur lvateur et de celui de l'onduleur

monophas ainsi que la boucle de contrle pour chacun sont prsents dans des soussystmes, dont le contenu sera dvelopp dans les paragraphes qui suivent.

Durant la simulation. on a impos des conditions initiales nulles. Les paramtres de


simulation taient :
Vm = 40V, L = 2mH, Lr = 5J111, Cr= O.lJ.Lf, C = 2200 J.Lf.
Les paramtres du rgulateur Pl sont : K.,= 82 et~ =O.S.

La saturation = 16.

Le circuit RC d'aide la commutation des MOSFETs est: R = 20 et


C= O.Olf,lf, et celui des Diodes est

: R = 2 n etC= O.OIJ.Lf.

.. -

~~~

lit

100..

Figure 43 Schma de simalatioa da hacheur lvateur

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5~1.1

Boade de coatrle da ucllear lfttear et ........ de saalatio

Figure 44 Boacle de coatrle da cin:llit laachear lvateur ea sialatioa


1
1
1

1
1

.s ort1e .u Pt

..
. .

.
.

.
.
.

1
-----------4-----~------~------------4------------~------~-----

.
1

. .

-------~------~------------------4-------~------~-----

oo~

__.___.___~--~--_.--~----~--._--~--~
0.02
o. o. 0.1 0.12 o.14 o.1s o.18 0.2
Temps(S)

.
..
.
.
. .
.
.

...

-------------- ~Yr-~~-~,~~!},_~9-~tf.~~~r~~!yt ______ ~-----

.. . . . . .
. . .
.
. . . .
.

.
.

-----------------~------~-------------------------------~----

1
1

00~--~~~--._--~--~--~--~--~--_.--~

o.

0.1

0.12

0.14

o.18

0.2

Temps(S)

Figure45 Rsultats de sialalatioa. Coanat d'eatre et sortie da PI de la


boacle de coatrle da hachear lvateur

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65

.s::
u

1!
~

0
(J

-5
-10

. .
.. . . -- --. . . . .. .
;
.
.1 .!"'-..Te~sion
. ~a. sortii.du ha~heur
. l~eur1
. .
---- -t- ----- . . -----:----. . . . --- . .
. .
-------------1

-------------------------~-----------

' -

y-,-~-rw-,-----~---rr

c0
g;
;
1-

5ll

t ------ ~-- -----:------ -~----- -~--- --

~-

--~---

Temps (S)

Figure 46 Rsultats de siiDalatioa. Teasioa et courut de sortie da laacllear


lvateur
5.2.2

Oadalear oaopUs -sell. . de priadpe

Les paramtres de simulation taient :


Lr =

tma Cr = 20J.Lf, R =

14.4 0 (charge rsistive), R = 13.39 0

et L = lmH

(charge inductive) .

Les paramtres du rgulateur Pl sont: Kp = 5.8 et K = 11.

La saturation = 16, la frquence de la rampe est 20 Khz.


Le circuit RC d'aide la commutation des MOSFETs est: R = 100 0 etC= O.OIJ.Lf.

En pratique, il existe plusieurs mthodes de synthse des paramtres du rgulateur


Pl. Par exemple, mthode de Ziegler Nichais.

Dans ce travail, on a valu ces paramtres en se basant sur les rsultats de


simulation.

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Flpre 47 Scllma de priacipe de l'oadulcar aaoaopllu

5.U.l

Boacle de coatrle de l'ollduleur aaoaophu et rsultats de


slmalatioa

Figure 48 Boucle de coatrle de l'oadulear aaoaopbas ea siaaulatioa

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67

100
1

---,-----~----T----,----T----,-----r----,-----~---

~ 60
1:

1!
~

40

:;!)

00

--

1
1
1
1
1
1
1
1
-~-----~----'----~-----'----~-----~----~-----~--1

---

1
1

1
1

1
1

1
1

1
1

1
1

1
1

~~-----1-P1~---

I
1

1
1

1
1

-~1
1

----,---1

1
1

-- --1

Sortie du ..S..uJateurPI

~-

~---

--r--

--~-

1
1

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1
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Temps (S)

Figure 49 Rsultats de simalatioa. Sortie da rplatear PI (coarbe 1), teasioa


de rfreacc et teuioa mesare de la boacle de coatrle de
l'oadlllear (coarbe 1)

Reproduced with permission of the copyright owner. Further reproduction prohibited without permission.

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Temps (S)

Figure 50 Rsultats de simlllatioL Teuioa et counat de sortie de l'oaduleur


apris le filtre pour aae charge rsistive, R = 14.4 0

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Temps (S)

Figure SI Rsaltats de simalatioa. Counat et teasioa la sortie de l'oadaleur


aprs le rdtre pour uae charge iadactive R = 14.39 0, L = 1 mB

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charge illdaetive

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Frquence (Hz)

Figure 53 Spectre barmoaiqae da eoarut de sortie de l'oadalear avec aae


charge iadaetive

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70

5.2.3

Coaellllio

Durant la simulation du circuit de puissance, le courant d'entre et la tension de


sortie du hacheur lvateur taient affect par la deuxime harmonique. Ceci a
influenc sur la tension CA de l' onduleur qui contenait des harmoniques.
On a eu recours d'augmenter la valeur de la capacit de sortie du boost (C = 2200
J.LF) dont le but de maintenir un niveau CC avec un minimum d'ondulation. Par

consquent, on a pu amliorer le THD de la tension CA de l'onduleur.


Nous pouvons remarquer que le courant et la tension CA sont parfaitement
sinusoidale, donc des signaux trs propres, point de vue lectrique et magntique ce
qui permet de concevoir des systmes avec peu de perturbations lectromagntiques.
N.B: Le programme qu'on a utilis pour calculer le THO de la tension et du courant

se trouve dans l'annexe 3.

5.3
5.3.1

EsprimeDtatioD

Hacheur lvateur

Durant la pratique, on a utilis les conditions suivantes :


Vm= IOV, L= lmH,Lr=4.5J.Lli,Cr=O.lJ.IF,C=2200J1F.

MOSFETs Types IRF350 et des Diodes types HFA25PB60.

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71

Dans la figure 54, on prsente le circuit analogique qui permet de gnrer les impulsions
pour les deux Mosfets du hacheur lvateur. Ce circuit tait ralis au Groupe de
Recherche d'lectronique de Puissance et Commande Industriel (GREPCI) de l'cole
de Technologie Suprieure. Utilisant des amplificateur oprationnels, oprant comme
comparateur, rgulateur PI, soustracteur et hystrsis.

Le circuit HCPL-3150 (optocoupleur) envoie un signal de gchette de 0.4 A de 0 i 15 V


pour commander les Mosfets. Le hacheur lvateur muni du circuit d'aide la
commutation est command de telle faon que seulement l'un des trois interrupteurs soit
command. (Mosfet principal, Mosfet auxiliaire et diode principale).

Si le Mosfet principal conduit, alors la diode principale ainsi que le Mosfet auxiliaire
sont ouverts. Le temps d'ouverture du Mosfet auxiliaire doit tre partag entre les deu.x
autres interrupteurs. Une fois la commande de gchette du Mosfet principal est tomb
zro, on fait un retard la commande pour le Mosfet auxiliaire l'aide du NE555 pour
laisser conduire la diode principale au dbut et puis aprs le Mosfet auxilaire. Ce dernier
conduit pendant quelques microsecondes pour avoir la rsonance entre le condensateur
interne du mosfet principal et la bobine Lr ; donc la tension aux bornes de 1' interrupteur
principal tombe zro, ce qui permet de raliser la commutation zro tension (ZVS).

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72

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Temps (S)

Figue 55 Rsaltats pntiq11es de la teasioa CC l'eatre d11 llacbe11r lvate11r

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Reproduced with permission of the copyright owner. Further reproduction prohibited without permission.

74

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Temps (S)

Figure SI Rsultats pntique du courut CC la sortie du laaclaeur lvateur


(lu)

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x 10-4

Figure 59 Teuioa et couraat dus le Mosfet priDclpal (commatatioa zro


teuioa)

Durant la pratique, on a utilis les conditions suivantes :


Lr= lmH, Cr= 20 Jlf.

MOSFETs Types IRF350 avec un circuit RC : R = 25 0 etC = 0.047J!F .


ChargeR= ISO.
5.3.2.1

Circuit garateur des iDipalsiou pour miiUlDder les Mosfets

Le Circuit gnrateur des impulsions pour commander les Mosfets se prsente la


figure 60. Ce dernier tait ralis au Groupe de Recherche d'lectronique de
Puissance et Commande Industriel (GREPCI) de l'cole de Technologie Suprieure.
Il gnre les impulsions pour les deux bras d'un Onduleur monophas. Le circuit
utilise des amplificateur oprationnels, oprant comme comparateur, rgulateur PI.
soustracteur et gnrateur de fonction sinus (Pont de Wien).

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76

Le circuit intgr AD534 est utilis comme multiplicateur de la sortie du rgulateur

PI et du sinus unitaire. Le circuit intgr TLS94 sert gnrer une rampe de 20 kHz
qu'on compare avec le sinus pour raliser la modulation largeur d'impulsion.
Le circuit IR2ll 0 d'International Rectifiers, dvelopp pour commander des

transistors, MOSFETs et lGBTs. Il a deux canaux de sortie indpendants de haute


vitesse qui sont rfrencs par haut et bas niveaux de tension. Les sorties ont une
capacit de 2 ampres de courant maximum pour commander un MOSFET avec une

tension entre l'metteur et le point commun de jusqu' 500 Volts. Ces entrs
logiques Hm et Lm sont compatibles avec les circuits intgrs CMOSILSTIL.

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77

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Temps (S)

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Fipre 6% Rsultats pntiqaes de la teasioa et da coanat la sortie de


l'oadalear (avant le filtre) avec aae charge rsistive R = 15 n

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79

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Temps (S)

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Fipre 63 Rsultats pntiqae da coanat la sortie de l'oadalear (aprs le


mtre) avee aae charge risistive R = 15 0

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0.07

0.1

Figure 64 Rsultats pntique de la teasioa la sortie de l'oaduleur (aprs le


filtre) avee uae charge rsistive R = 15 0

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l'ondnlear {aprs le filtre) avec nne charge rsistive R = 15 n

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Frquence (Hz)

Fipre 66 Spectre hannoniqae de la tension la sortie de l'ondalear poar ane


charge rsistive R = 15 0

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81

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Frquence (Hz)

Figure 67 Spectre laarmoDiqae da coaraat la sortie de l'oadalear poar aae


charge risistive R = 15 0
5.3.1.1

Concllllioa

L'objectif de ce projet est d'avoir une tension alternative avec un contenu


harmonique trs faible. Cependant la commande quand on utilis dans la ralisation
pratique nous a pennis d'obtenir une tension et un courant alternatifs de frquence 60

Hz et un THD assez faible.

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CONCLUSION
Le but de notre projet est de concevoir et de raliser un convertisseur continualternatif rversible apte assurer les changes d'nergie entre le secteur basse
tension et une charge monophas. Cet appareil est compos de deux convertisseurs
(CC/CC et CC/CA) rversibles.

Ce projet est men dans le but de respecter les exigences du cahier de charge en
matire de compatibilit lectromagntique, et de concevoir un systme avec un
faible taux de distorsion harmonique.

Les notions requises pour un tel projet sont

r lectronique

de puissance et

l'lectronique de commande. La reprise d'un projet tel que celui-ci ncessite


beaucoup de temps avant de matriser les principes de fonctioMement et de
comprendre les solutions retenues. C'est pourquoi il nous a fallu faire preuve de
patience avant de voir s'claircir certains points dlicats.

Le fait de raliser le circuit de puissance afm de tester ce que nous avons mis sur le
papier s'est avr intressant car cela nous a permis d'avoir une approche plus
pragmatique de l'lectronique, qui jusqu'ic~ se rsumait la rsolution d'quations.

De plus, nous avons men une campagne de tests relativement enrichissante. Ceci
nous a permis de voir les premiers pas du convertisseur.
Les rsultats de la simulation montrent que la puissance lectrique produite reste
modeste.

n faut cependant souligner que le but principal du projet est d'atteindre un

rendement lectrique maximum. Le rendement total de cette interface


convertisseur/onduleur s'lve 93%.

L'lectricit produite sera injecte dans le rseau par l'intermdiaire d'un


convertisseur de courant continu (lvation de la tension) et d'un onduleur
(transformation

du

courant

continu

en

courant

alternatif).

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83

Cette analyse des structures CC/CA fonctionnant avec des frquences de plusieurs

dizaines de kHz est un complment logique aux tudes dj ralises. Elle montre
que cette structure moderne peut tre adapte des tiquences de plusieurs kilohertz.

n faut alors

prendre en compte l'influence du circuit d'aide la commutation du

convertisseur CC/CC.

La topologie propose ici peut facilement tre adapte plusieurs applications


partir des paramtres d'utilisation souhaits dans les applications relles qui ncessite

des moyens de stockage d'nergie. Cette quantit d'nergie stocke permet de


raliser aussi bien des systmes d'appoint aux rseaux de distribution et d'augmenter
les performances des systmes d'alimentation.

Comme peaspective de ce travail, il est recommand d'appliquer un systme de


commande monobloc pour commander le hacheur lvateur ainsi que l'onduleur
monophas. Une modlisation plus approfondie des deux tages, plus la conception
de nouvelles lois de commande non linaire de type linarisante ou commande avec
retour linarisant. Finalement, L'unit doit galement permettre le fonctionnement en
mode parallle avec d'autre units afin de pouvoir fournir une puissance maximale
pouvant atteindre plusieurs KVA.

Reproduced with permission of the copyright owner. Further reproduction prohibited without permission.

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ANNEXE l

SQUENCE DE FONCfiONNEMENT DU HACHEUR LVATEUR AVEC


LE CIRCUIT D'AIDE LA COMMUTATION

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89

Sqaeace t# 1 : les deux interrupteurs paincipal et auxiliaire sont ouverts. Donc, on

aura le montage hacheur lvateur ordinaire. La bobine L restitue de 1'nergie la


charge travers la diode 0 1
L

D1

...

R_ctwv-

1
-=-o

Flpre 68 Sqaeace t# 1 da baebear lvateur avee le cin:ait d'aide la


commatatioa

On a les quations suivantes:


i, =iL =ic +is
V,= VL +Vs
V = L di, +.!_fi .dt
,
dl c c
di
V, =L-' +Ris
dl

Et

iL =.!_fVL.dt
L
.
Vs
ls=-

R
cdYs

'c = dt

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90

Sqaeace #Il : On amorce le mosfet auxiliaire (ZVI), le mosfet ptincipal (Main) est

encore ouvert. Le courant commence diminuer dans la diode Dt jusqu' qu'il


s'annule; tandis qu'il commence augmenter dans la bobine Lr.
01

l
"'Y""Y'

...""

.!.....:.-

lr
~

R_c:IWgl

04

.....

o-

Ucllflt"M"
ON

1
-=-o

Fipre 69 Sqaeace #Il da llaclaear lvatear avec le circuit d'aide la


commatatioa

i, =iL

=i~.r

+ic +is

1
iv = - JV~.r.dt
l,.
Ona:

Et

iL =.!_JVL.dt
l

v.

i -...1..

s-R

i =C.dYs

dt

Sqaeace # 3: Durant cette squence. la capacit du mosfet principal (Main)

commence rsonner avec la bobine Lr. le courant s'est annul dans la diode Dt.
donc elle se bloque.

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91

Ir

Va ._
41M1c-.-

llosfet llii.D

OFF

llolflt. zvr.

ON

~o

Figure 70 Sqeace # 3 d11 hache11r lvater avec le circ11it d'aide la


CODIDIDtatiOD

v,= YL +Vil= YL +Y,_

1
..~.
di, L di11 L di,
Y -_ L + -= -+l
"'"
'
dt
' dt
dt C
c

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92

Sqaeace tl 4: La diode anti-parallle du mosfet principal (Main) conduit. Le


condensateur de sortie se dcharge dans la rsistance de la charge.
L
'Y""Y""

Soz

Cr
Il
Il

lt

.!..,:

llillftt ll&iJI

OFF

04

.,...

R_cllqe

o-jd -M

A> D

Il-

ON

-~0
Figure 71 Squeace #14 du haclaeur lvateur avec le circuit d'aide la
commutadoa

y~= YL +YL.

y =L di~ +L di,.
~
dt
"dt
Ys

=Rsis =..!_
I ic.dt
c

YL. =O=>iu =iL =ete.

i~ =iL

Et

iL

=.!.L IYL .dt


.

Ys

le =-ln.=--

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93

Sqaeace # 5 : On amorce le mosfet principal (Main), le mosfet auxiliaire (ZVT)

conduit toujoms. Le courant dans la bobine Lr s'annule. Le condensateur Cr se vide


dans la charge travers la diode ~l
~

4~

Cr

D2

Il
Il

Lr

.;.:..

oc

""
..,.._,~~
ON

o-

lt-

Malflt"M"
ON

.. .....
~o

Figare 7l Sqaeace # 5 da hacheur lvateur avec le circait d'aide la


COIDDiatatioa

v~=

i~

vL +V~.r

Vt.r =O~V~ =VL

Et

=iL =i_., +il.r

iL = ~ JvL.dt

Vc =Vs
il.r

=-L, Jv~.r.dt
1

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Sqaece Il 6 : Cette squence est caractrise par la rcupration d'nergie dans la


premire maille du mosfet principal (Main) et de la dcharge du condensateur C de

sortie dans la charge.


L

Lr

Ve ._

MMe-.
C

R_c:ftqt

-=-o
Figure 73 Sqaeace ##6 da hachear lvater avec le circuit d'aide la
coDUDatatioa

Y. =YL +Y" +Vez


Vez+ Y4

=vd...

i =iL =i_., +iLr

Et

i" = iez

. -c

lez -

dYe%
dt

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95

Sqaeace ## 7 : Le mosfet auxiliaire (ZVT) est ouvert, le mosfet principal (Main)

conduit toujours. La diode anti-parallle du mosfet auxiliaire (ZVI) cornmen se


dcharger dans la charge via les diodes Dz et 1>).

Lr

~~a~~~~~-

ON

.... -

"-~

Flgare 74 Sqaeace ## 7 da hachear lvateur avec le circuit d'aide la


commatadoa
V, =VL +Y" +Vez
Vc:

=vC..IJ<r

Et

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96

Sqaeace ## 8 : Le Main est ferm. La diode Ds commence conduire ce qui permet

le passage du courant dans la bobine ~ afin de contrler le reuvrement inverse de


la diode Dt.
L
,..,..,...,...

)v

Ve

}~
. . . . . . . . . . . 1 ...

ON

c-i::

~~

D5
R

=~o

Figure 75 Sqaeace ## 8 da laaeer lvatear avee le eireait d'aide la


eoDUDatatioa

Yw =Y,
Y'*.,w =Yc
YR =-Y"

iw =iL

Et

=lr

ic = ;'*

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ANNEXE%

HSULTATS PRATIQUE

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98

HACHEUR LVATEUR AVEC LE CIRCUIT D'AIDE LA

COMMUTATION
Impulsion pour le MosfM principal

16
14
12
10
~

...

~-~----------- ~---~----------t "'---:.~--------- \i------~------

":::::::~:::::~ - :::::::::::::: :1 :::~~:~~~~:: :: :::~~~:~:~~:~

1 6
ii

t-

. ":::::::::::::: : :::::::::::::: :1 :::::::::::::: :: :::::::::::::::


2

~-------------- - --------------

! -------------- -- ---------------

~-------------- ...

--------------

--------------

~ ---------------~

-20~------------------------~,~------------------------~2

Temps (S)

x 10_.

Flpre 76 falpalsioa pour le Mosfet principal

Impulsion pour le mo.r.t auxiliaire

16r-------------------------~------------.------------;

14 ~---------------12
~

!:

-1

..,_

----------------

----------------

----------------

r---------------- ---------------- ---------------- ----------------

10 ~----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

----------------

0~~~~~~~~~~~~~~----~~,~~~~~

-20~------------------------~1~------------------------~2

Temps (s)

x 10_.

Flpre 77 falpalsioa pour le IDOSfet uiiliaire

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99

Courent dns la diode principl du hcheur 16veteur

10r-------------------------~------------------------~

0
-20~----------------------~~1--------------------------~
Tempa (S)

x10-4

Fipre 78 Courut dus la diode prillcipale

Tension dana 1 diode principale du hcheur 116veteur

20r-------------------------~------------------------~

10 ~----------------------------------:----------------------------------0

~ --------------- ~ --------------- -~ --------------- ~ --------------

-10 - --------------- - --------------- - --------------- -- -------------1 -20 - -------------- - -------------- - -------------- -- -------------!
-3D~ ---------:.:-~.- - t------------- - l------------- -- 1:-----------~ r -----------------'--------------i-- ----------------- r------------~

~ -----------------------------------f-------------------- -------------~o~------------------------~1--------------~~--------~2
Tempa (S)

10-4

Figure 79 Teasion dus la diode prilldpale

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100

Courant dn le mosr.t princip.. du hcheur 61tvateur

12r-----------------------~-------------------------,

----------------------------------!----------------------------------

10

~--~--.J.

J 1--~--~
2
x10-4

1
Temps (S)

Flpre 80 Coaraat dus le mosfet prillclpal

Tension dans le mosfat principal du hacheur lvateur

BOr--------------------~~------------------~

-----------------------------------t-----------------------------------

71J

~
c

61) ---------------------

------------t----------------------------------

50 ---------------------

------------:---- ----------------- ------------

40 --- '--------------- Ml __________ ; ____

i 3D~-......
20

-------------- -- -------------- - --------------- -

---------

-------------- - --------------- - ---------

~--

10 ----

~ --------------- ~ ---------

-------------- --

----------!---- - ---------------

---------

~--- ----=--------r---- 1~-------1------ ----- ----- -- __ l l_ltf:LI I o~-~-~ ~-._..,...

,..._114

-10~--------------------~----------------------~

Temps (S)

10_.

Figure 81 Teuioa dus le mosfet prillcipal

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101

Tension dana le mosfat auxiliaire du hacheur lvateur

80~~------------------~~--------------------~

70

~- --------------------------------t-----------------------------------

60

. --------------------------------t-----------------------------------

50

-------------------------------:------------------ ---------------

~ l ~
c:

-------------- --------------! --------------- .. ------------

..

1
c:
~

30

20

------------

-------------- . -------------

lo.

10 ~ ----------------- --------------0 "

-------------------------

----------------- ---------------

-100L-----------------------~,----------------------~2
Temps (S)

10_.

Figure 82 Teuioa dus le mollet auiUaire


Courant dana le mosfet auxiliaire du hacheur 611Wateur
12~-----------------------,-------------------------,

10

::::::::::::::::::::::::::::::::;:::::::::::::::::::::------------------------~-

--------------

::::::::::::j:: ---------------2
0

1
Temps (S)

x10_.

Figure 83 Coarut dus le mollet ausiliire

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102

Tension ux bomes du condenseteur Cr du circuit d'eide 6 le commutetion

50

. .

. l

..

..

. 1

-r-t----

~-----1--1- --lf---r---- ------1-----~-30 r------t------i--- --::------=------ -----1------!--- --:------:-----40

..

t----1 -
:::r::::::r::: :: 11 ..

. 10

tt -

r----r ~---t-1 ~ t----r-- ~! -----1---i ~ ---r--t ii


~---t--i
i
:

--t--1--- 1-t---i----1 1----- ~-

0.5

1.5

2.5

3.5

~5

Temps (S)

x10_.

Figure 84 Teasioo au bornes da coadeosatear Cr da circuit d'aide la


commatatioa
Courent dens le bobine Lr du circuit d'ide 6 la commutation
10r---------------------------~------------------------~

.............

----

-----------------

~o~------------------------~----------------------~2
Temps (S)

x10_.

Figure 85 Coaraot daos la bobine Lr da drcait d'aide la commatatioa

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103

ONDULEUR MONOPHAS
Coun1nt l"ent,.e de l"onduleur

5r---~-----r----~----?-----r---~-----r----~----?---~

r-----

1----- 1----- -r----

------r------1------1------1-------r-----3

g2

~----

0
-1

Figure 86 Coanat l'eatre de l'oadalear


Courant 6 le sortie de l"onduleur (IWIInt Je filtra)

1r----r----r----r----~---,----,-~~~--~----r----,

0.8

0.9
x10_.

Figure 87 Coaraat la sortie de l'oadalear (avot le filtre)

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lN

Tension 6 .. sortie de ronduleur (-.nt le filtre)


50~--~-----r----~--~----~----r----,-----r----~--~

40

----1 ----- ~-------~ -----

t -----i- ----~ r

1 ----- -----

1 r -: -r

20 ~

10

---~- ~+PL. .... =------~-... -------:~


:
: 1....--..
:
~
:

1 r

3D f-

J r -----r ----~ ----r


:: : ::::1 :::::r ::::: ::::::r ::::::1
-30 f- ; -----~- --! ------~
,A

-40

---!

:---~

::::J :::::

! ------

---~

... :

-------1 ----- ~------------ ----- -

------i
1

of-

0.5

0.6

-:-:-:
0.4

--

-----~:----:--~:

~0~--~----~~--~----~--~~--~-----L----~----~--~

o. 1

0.2

0.3

0.7

0.8

0.9

Temps (S)

x10-4

Figure 88 Teasioa la sortie de l'oadalear (avot le filtre)

Tension dans un mosfet de l'onduleur

. . . ..
f------;------i--ii-----; ----------.. .. .. .. ...
40 f-------t------1-------:-----t------

60~--~---,----~!.----r---~--~----~---r--~~~

..
..

50

-----~

~~~~=~=~

0
;;

...c

------

------~

--

--

j ....1,

~ 30
1-

..

------~--------------

____

20
10
0
-10

----. .. . .
----.. ----.
. ..
----.. . ----...:.

i
0.5

.
i

1.5

.
2

i
2.5

i
3

3.5

4.5

Temps (A)

Figure 89 Teasioa dams IID mosfet de l'oadalear

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105

Courant dans un mosf8t de ronduleur

3r---,---~----~---r----r---,---~----~--~---,

. ..
.
.
.
.
.. .
--~-----------------... . .: ...: -----~----------.. . .:
.:

-:------~------~-.... ..... ...


. i--.
-t--.... ...

--r-.

---:-

--~--

.
.....,. ....
..
.. . .
.. ------.. ----.. ----. .. ---...
. ---. . ----.
..
..

.
..
.
---... - --- .... .

-- ...---

0.5
0

---!---

---~-

..
..
..
.

--~--

--~--

41-

~- 5 0~--0~.~5--~1----~--~~~2~.~5--~~~~--~----~--~5
Temps (S)

10_.

Figure 90 Coaraat dus aa aaosfet de l'oadalear


Courant 6 la sortie de l'onduleur (apr6s le filtre)

..
.

2,-----,---~----~----,-------,-----,---~----r----r---.

1.5

.
.. .. ----------:------
..
-t----

0.5
0

-~-------

---~------

-- ------t
.. .
.
---:--- ---..------.

----:---

. .
----. . -:I---i--

-~---

~-5

.
..

.
..

-~----

..

-:-

..

----r-

-----..
-------
.... ....

-1.5

----:---

.
-i----.:----

----~

--

-1

-:-----

---~-

----P.
.
..
--:- -----r
.
..
..
--------~--- ---~-

__ 1__ _

--~---

~~--~--~~~--~--~--~~~~~--~-------L--~~~~

o.o1

0.02

o.

o.04

o.os

o.

o.07

o.

o.

Temps (S)

Figure 91 Coaraat la sortie de l'oadalear (aprs le mtre)

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0.1

106

Courant et te,..ion la sortie de ronduleur (apr6s le filtre)

3Dr-------,-----~.-----~-----,~----,------,--------,------,~-----,-------,

A~

~ ~ n

20
----

10

----

--

-- -

Y--

-.~:.1

--

1_ -

+::.

:11
::

--

~~

t:::.: : -

-.

~ ~ ~ ~~

---

---

1.- ~ --r. ---r- ---1 ---.

oDctc4pb~b1a~~GT~~~bt~i~~
-

10

--

.2[) - - -

r- -1-

---

. -- -

--~-

v!V!~
.
.

----

lv
i

----

r- -r ---1- --- r --- ---- -

---

v!
i

-~--

--~-

~!v
lv
_l

3Da~--o~.~D2~~o~.04~~o~.os~--o~.~OB~~o~.~1--~0~.~12~-o~.1~4~~o~.~16~~o~.~1B~~o.2
Temps (S)

Flpre 9l Courut et teuioa la sortie de l'oadalear


Tension 6 la sortie de 1onduleur (ap,.s le filtre)

~
c:::

......

.2

c:::

.....

-10

-20

Figure 93 Teasioa la sortie de l'oadalear

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ANNEXE3

PROGRAMME SERVANT CALCULER LE THO

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l=it(:,1);
t=it(:,2);

bsup=length(t); o/opour voir le spectre de la dernire priode


tf=t(bsup);
w=bsup-1;

while (tf-t(w))<(l/60)
w=w-1;
end
binf=w;
I=I(binfbsup);
tx=t(binf:bsup);
plot(txJ)

figure
F=ffi(l);

T=l/60;
L=lengtb(l);
for y=2: 1:U2-l
fty)=(y-1 )*( 111); % la frquence
M(y)=abs{F(y))*(21L);% 2 car le spectre est symtrique

end
%plot (f.M*lOO/(Pni(VPHmax*l.S)))

% 5000 car on veut visualiser jusqu' 5 fois la frquence de dcoupage 1260 Hz


%plot(f.M)
bat(f,M/sqrt(2),0.3)
axis([O 2000 0 200])

% calcul du THD
1Seff=M(2);
y=J;
fd=60; % fondamentale

lhn=O;
% selon les normes du THD en prenant en considration la 333 ime harmonique

while (ftyYfd < 335)


Dm=Ihn+((M(yYfSeft)"2);
y=y+l;

end
THD=(sqrt(Ihn))*1 00

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ANNEXE4
FICHES TECHNIQUES

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..
...
......
.. ..

Agii-Tecllaalagies
lnniMIIing Ille tf1 Way

0.5 Amp Output Current IGBT


Gate Drive Optoeoupler
Technical Data
HCPL-3110 (Single Channel)
HCPL-31SJ (Dual Channel)

Featares

VDE 0884 Approved

Description

0.5 A llba111D Peak Output


Curreat
15 kV/JJSIIIabaua Commoa

VtoRM = 630 Vpnt


(HCPL-3150 Option 060 only)
VtoRM = 891 Vpnt (HCPL315J) pending
CSACertified

The HCPL-315X consists of a


LED optically coupled to an
integrated circuit with a power
output stage. This optocoupler is
ideally suited for driving power
IGBTs and MOSFETs used in
motor control inverter applications. The high operating voltage
range of the output stage provides the drive voltages required
by gate controUed deviees. The
voltage and current supplied by
this optocoupler maltes it ideally
suited for directly driving IGBTs
with ratings up to 1200 V/50 A.
For IGBTs with higher ratings,
the HCPL-3150fJI5J can be used
to drive a discrete power stage
which drives the IGBT gate.

Mode Re,jectioa (ClOt) at


VCII = 1500V
1.0 v llexi111D Low Levet
Output Vottace {V0 r.)
Bllmlnt Need for
Negative Gate Drive
lee 5 mA llxlam Supply
Curreat
Uader Vottace Lock-Out
Protectloa (UVLO) with
llptere
Wlde ()peratlq Vcc Raqe:
15 to 30 Volts
0.5 J.1S llexlmliiD
Prope,.doa DeJar
+1- 0.35 f.ISIIuimua Delay
Betweea Devieee/Ciwmela
ladumtal Temperature
ltuge:
-40"C to 1OO"C
RCPL-315.1: Cllaaael Oae to
Chamael Two Outpat
J:.olatioa = 1500 Vl'lll8/1 min.
Safety aad ltegulatory
Approval:

ApplleaUons
J:.olated IGBT/MOSPET
Gate Drive
AC aad Brubleu OC llotor
Driva
ladutriallaverten
Switdlllode Power
SuppU (SliPS)
Uainterruptable Power
SuppU (UPS)

Funetional Dlqram

UL Recognized (ULI577)
2500 Vrms/1 min. (HCPL3150)
3750 Vrms/1 min. (HCPL-315J)

pending

TRUTH TAilLE

'b:-V.

......... Golng'"
LED

(Le.,Tum-OnJ

OFF

o-av
0-11 v

ON

ON
ON

A 0.1

11-115V
11530V

'b:-V.
"N g.-tw 1 Golntl"
(le.. Tum-Oft)
030V
01.5V
1.5-1ZV
1Z-30V

Yo
LOW

LOW
TRANSITION
HIGH

JJF' bypass capacilor must be cunnected. between the Vcc and VEE pins for each channeL

CAUTION: le is advised thal normal stalic precautions be taken ira handling and assembly qfthis componenl to
may be inducetl by ESD.

prevenl d.atnDge anclibr degrad.alian which

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Seleetlon Guide: Invertor Gate Drive OptoIOiaton

......,.,.
PartN..a.er

~
(4H..o)

1-Pia DIP (300 adJ)

s..n ouu.e S0-11

BCPL-1110

BCPL-alH

BCPL-.1312

BCPL-.1314

BCNW-Iutt

BCPL-11U

BCPL-11U

Nunaberof

ChaDDels
VDE0884
Appronls

UL
Appronl
Output Peak

VIOIDI
630V..Opdoa060

v..,
891V,_

VlODI
1414V,_

vlllllll
891 v.-

2500
Vrmsl1 miD.

3150
Vrm&ll milL

5000
Vrmsllmill.

Vrms/1 mill.

O.SA

2A

2A

0.4A

2A

BCPLUU
2

3750
0.5A

2A

0.4A

Curreat
CMR
(mlnilnum)

15 kVI\IS

UVLO
Faull Stalus

Yes

10 ltV.\&5

151tV,._

No

Yes

10 kV.\&5
No

Yes

No

Orderblg IDformation
Specify Part Number foUowed by Option Number (if desired)
Example
HCPL-315Y#XXX
No Option = Standard DIP package, 50 per tube.
060

= VDE 0884 VroRM = 630 Vpeak Option, 50 per tube.


(HCPL-3150 only)

300 = Gull W"mg Surface Mount Option, 50 per tube.


(HCPL-3150 only)
500

= Tape and Reel Packaging Option.


HCPL-3150; 1000 per reel
HCPL-315J; 850 per reel.

.___ _ J = Dual Channel, 8016.


OpcioD claca sbeeca available. Contact Agilenl sales repraell&l&ift or audlorizecl dilcribucor.

Pdrage Ootline Drawiqs


Standard DIP Package

(~l

NOIE

u (UG) 1MJL _J

l- _J

:S

i- t.la lU1'1JIMIL

NEIIDISIN I&LIIIETEIISAND (IIICIES).


"IIMICIIIG CODE LETTEit FOit CIPTIOIII_....
"Y' OPTION CliO.
OPI10N .-as -MD -IIOTIIAIIID.

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No

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...

Ef.,

[r ~~~ Il lin
r 1iii

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e~L

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Ll_j
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Gj

J
n
1
1

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J
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Co)

-1=

Betlow Temperature Prome


'

P
1 ,.

1'E

'

'\..1 AT MI"C. t"CIIEC

!/
~

ATtt-

'

,,

'

ReplatoryiDformatlon

,.

'

. . . . . . , .

l'\.

.Y
f

'

'

--

Program, File E55361.


1

UL
Recopized under UL 1577,
Component~on

:} - - AT tWC, t..I'CMEC
~

1
li

'\..

The HCPL-3150 and HCPL-315J


bave been approved by the
following organizations:

tl

t1

t2

11IIE- -.na
Ul!M'MIOLDER REFLOWTHERIIAL PROfiLE
(NOTE: U. CIF NOIIOI.OIIIE ACTIVAlED FlUXES IllE ~

liB)

CSA
Approved onder CSA Component
Acceptance Notice #5, File CA
88324.

VDE
Approved onder VDE 0884/06.92
with \'rORII 630 Vpeak
(HCPL-3150#060).
Certification for HCPL-315J is
pending.

VDE 088& Juulation Cbaracteristics


DeKriptioa
s,.bol BCPL-3150ft60
lnstaUation classification per DIN VDE
0110/1.89, Table 1
for rated mains voltageS 150 Vnns
1-IV
for rated mains voltage S 300 Vnns
for rated mains voltage S 600 Vnns
1-m
55/100fl1
Climac Classification
2
Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89)
630
Maximum Working lnsulation Voltage
V10R11
Input to Output Test Voltage, Method b
YioRM x 1.875 = \l>R, 100% Production
1181
Test with tm= 1 sec,
Vn
Partial discharge < 5 pC
Input to Output Test Voltage, Method a
VroRM x 1.5 = VPR, Type and Sample
945
Test, tm = 60 sec,
Vn
Partial discharge < 5 pC
Highest Allowable Overvoltage
6000
V10111
(Transient Overvoltage tw = 10 sec)
Safety-Limiting Values - Maximum Values
Allowed in the Event of a Failure, Also
See Figure 37, Thermal Derating Curve.
175
Case Temperature
Ts
230
Input Current
ls,INPUT
600
Output Power
Ps,OVTPUT
:2!109
lnsulation Resistance at Ts, Vto = 500 V
Rs

BCPL-31U

UDit

1-IV
1-m
1-U
55/10CW1
2
891

Vpeak

1670

Vpeak

1336

Vpeak

6000

Vpeak

175
400
1200
:2!109

"C
mA

mW

Approval PendiDg.
Rerer to tbe front of tbe opeocoupler section of the current Catalog, under Product Safety Regulations section, (VDE 0884) for a
detailed descripcion of Method a and Method b partial cfischarle test profiles.
Note: Isolation c:bancteristics are guaranteed oRly within tbe safety maximum ratlngs wbic:h must be ensured by protec:tive circuits
in application.

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IDaalatlon and Safety Related Spedfleatio


Paraaaeter
Minimum Extemal
Air Gap
(External Clearance)
Minimum Extemal
1'r3cldng
(Extemal Creepage)
Minimum Internai
Plastic Gap
(Intemal Clearance)
1'r3cldng Resistance
(Comparative Tracking
Index)
Isolaon Group

SJDibol
1.(101)

RCPL-31H BCPL-315.J UDIU


7.1
8.3
mm

1.(102)

CTI

7.4

8.3

mm

0.08

~0.5

mm

175

:1!:

ma

175

Volts

ma

Coaditlou
Measured from input tenninals
to output terminais, shortest
distance througb air.
Measured from input tenninals
to output erminals, shortest
distance path along boci3t
Through insulation distance
conductor to conductor.
DIN IEC 112/VDE 0303 Part 1

Material Group (DIN VDE 0110,


1189, Table 1)

Option 300 - surface mount classification is ClassA in accordance wtih CECC 00802.

Abaolute Maximum Ratings


Paraaaeter
Storage Temperature
Operating Temperature
Average Input Current
Peak Transient Input Current
( < 1 JIS pulse width, 300 pps)
Reverse Input Voltage
High Peak Output Current
Low'" Peak Output Current
Supply Voltage
Output Voltage
Output Power Dissipation
Total Power Dissipation
Lead Solder Temperature
Solder Reflow Temperature Profile

Spabol
Ts
TA

.....
-55
-40

lmva>
~
Va

'
T.

lias.
125
100
25
1.0

Uaita

Note

"C
"C
mA

1, 16

5
0.6
0.6

Volts
A
A
Volts
Volts
mW
mW

(VccVa)
0
35
0
Vcc
VOO'IWO
3, 16
250
Po
4, 16
295
PT
260"C for 10 sec., 1.6 mm below seating plane
See Package Outline Drawings Section

Becommended Operating Conditio


Paraaaeter
Power Supply Voltage
Input Current (ON)
Input Voltage (OFF)
Operating Temperature

S)'Dlbol
(Vcc- Vn:)
IF(ON)
VF(OFF)

TA

2, 16
2, 16

.....
15
7
-3.0
-40

lias.
30
16
0.8
100

Uaita
Volts
mA

v
"C

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Eleetrleal Speeific:atiou (DC)

Over recommended operating conditions CfA -40 to IOO"C, IF(ON) = 7 to 16 mA. YF(oFF)
Vcc = 15 to 30 V, VEE = Ground. each channel) unless othenrise specified.
TJp.
llbL
liu. Ualta Te Colldltlo
Pan.IDeter
SJIIIbol
HigbLevel
Output Current

loo

LowLevel

J'oL

Output Current

0.1
0.5

0.4

0.1
0.6
0.5
(Vcc- 4) CVcc -3)

High Levet Output


Voltage

Vou

Low Level Output


Voltage

VoL

0.4

HigbLevel

Icco

2.5

Jo= -100mA

1.0

Jo= 100mA

5.0

mA

Output Open.

lect.

2.7

5.0

mA

Thresbold Input
Current Low to High

[FIJI

2.2
2.6

5.0
6.4

mA

Thresboldlnput
Voltage High to Low
Input Fonranl Voltage

VFBL

0.8

Vy

1.2

LowLeve1
Supply Current

Temperature
Coefficient of
Forwanl Voltage

VplT,.

Input Reverse
Breakdown Voltage

BVR

Input Capacitance

CJN

UVLO 'lbreshold

Vuvto+
Vuvto.

UVLO Hysteresis

UVLOms

*AIIIJpic:al values at TA

lv= 7to 16mA


Output Open.
= -3.0 to +0.8 v
HCPI,3150
= 0 mA,
HCPI,315J 1 Vo > 5 V

v..

llo

Fil2, 3,
17
5,6,
18
1, 3,
19
4,6,
20
7,8

9, 15,
21

v
1.5
1.6
1.6

1.8

1.95

mvrc
v

5
3
11.0
9.5

\b = (Vcc- 4 V)
\b = (Vcc- 15 V)
\b = (Vg + 2.5 V)
\b =(Va+ 15V)

Supply Current

= -3.0 to 0.8 V,

70
12.3
10.7
1.6

pF

13.5
12.0

HCPI,3150 IIv = 10 mA
HCPI,315J 1
lv= lOmA

16

lia

HCP1,3150
= 10 lAA
HCPI,315J Lla= 10 lAA
f= lMIIz,Vy=OV
'b>5V,
lp= lOmA

= 25"C and Vcc- VEE =30 V, unless otberwile noted.

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22,
36

Note
5
2

5
2
6,7

16

SwitcldDg Spedflcatio (AC)


0ver recommended operating conditions CfA = -40 to 100"C,Iptotl) = 1 to 16 mA, VptOFP) = -3.0 to 0.8 V,
Vcc = 15 to 30 V, Vu = Ground, each channel) unless othenrise spec:ified.

Panaeter
Propagation Delay
Timetolligh
Output Level

Spabol
tPIJI

lilL
0.10

Propagation Delay
0.10
tPIIL
T'unetoLow
Output Level
PulseWidth
PWD
Distortion
Propagation Delay
PDD
-0.35
Difference Between tPIIL trw)
Any Two Parts
orChannels
Rise'l'ime
tr
Fall T'une
tc
UVLOTurnOn
ttiVLOON
Delay
UVLO Turn Off
ttJVLOoPF
Delay
Output High Level
15
ICMul
CommonMode

,.,...

liu. UIIIU

ICMLI

15

Pla.

Note

10, 11,
12, 13,
14,23

14

0.30

liS

0.3

0.50

liS

0.3

liS

0.35

liS

34,35

0.1
0.1
0.8

liS
liS
liS

23

0.6

liS

30

kV/J&s

30

kV/J&s

Transient

Immunity
Output Low Level
CommonMode
Transient
Immunity

TatCoadldo. .

0.50

Rg = 470,
Cg= 3nF,
f= 10kHz.
Duty Cycle = 50%

15

V0 >5V,
lv= 10 mA
V0 <5V,
lv= lOmA
~ = 25"C,
lv = 10 to 16 mA,
VCII = 1500 V,
Vcc = 30V
~ = 25"C,
VCII = 1500 V,
Vv= OV,
Vcc = 30V

10

22

24

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11,12

11,13

Package Cbaraeteristies (eadl channel, unless othenrise specified)


Panaeter
Input-Output
Momentary
Wltbstand Voltage
Output-Output
Momentary
Withstand Voltage..
Resistance
(Input - Output)
Capacitance
(Input- Output)

Spabol
Deviee
HCPL-3150
VISO

Ilia.
2500

'l'Jp. liu. Uaita


Vrms

HCPL-315J
HCPL-315J

3750
1500

Vrms

1()12

RH< 5096,
t = 1 min.,
TA= 250C
RH< 5096
t = 1 min.,
TA= 250C
V1-0 = 500 Voc

0.6
1.3
391

pF

f= 1 MHz

8r.c

HCPL-3150
HCPL-315J
HCPL-3150

OC/W

9w

HCPL-3150

439

OC/W

9oc

HCPL-3150

119

OC/W

Vo.o

Rr.o

<4o

LED-to-Case

Thennal Resistance
LED-to-Detector

Thermal Resistance
Detector-to-Case

Tut Coaditiou

Thennocouple
located at center
underside of
package

.....

Note

8,9

17

28

18

Thermal Resistance
.AIICJpical val- at TA= 25"C and Va; Va; = 30 V, unless ocherwi8e noced.

-ne ~ llomenlarJ Witbltand Voltage is a dlelectc vo1tap I'8Ciq ebat sbould not be illlerpreted u

an inpul-

outpul/ou&pu&-ouqlul COII&inuous voilage ra&lng. For the continuous voltqe l'lliD8 refer to JOUr equipmellt leve! safety spec:ificadon or Aillent

Applicldon Noce 1074 emitled "'ptocoupler lnput-Oulpul Endurance Vol&qe."

Naa.:
1. Dente liDeuiJ above 70"C free.air
tempeneure at a rate of0.3 mN"C.

2. lll.lrimmn pulse width = 10 ps.

= o.

ml.lrimum dlq cycle


Tbis
value is iDteaded to allow for
c:ompoaen& lOiennc:es for designs
wi&h fo peak llliaimmn = 0.5 A. See
Applindom sectioll ror edcliricmal
details OD limiCiltg foa peak.
3. Dente liDeuiJ above 70"C free.air
tempeneure Il a rate or 4.8 mW/"C.
4. Dente liDelrly above 70"C free.air
cempera&ure at a rate of 5.4 mW/"C.
'l'be max!mnm LED junction temperature sbould not exed 125"C.
5. llaximnm pulse wldth = 50 IJS,
ml.lrimum duty cycle 0.511&.
6. ln this test 'bs is measured wi&h a de
loed c:um!llt.. Wben driviDg capacitive
loads V08 will approacll Va; u foa
approaches zero amps.
7. lll.lrimum pulse wldth 1 ms,
ml.lrimum duty cycle 20111.

8. ln ac:con1an db UL1577, e8Cb


HCPL-3150 optocoupler is prooC
tested by appqial an ID'11!etion test

voltage ~ 3000 Vrms ~ 5000 Vrms


for tbe HCPL-315J) for 1 secoad
(leakage dNctiOD cum!llt 1imit, 114
s 5 pA). This test is performed
before tbe 11XM procladioo test for
panial discbarle (metbod b) sbowa
in tbe VDE 0884 IIIBallldoo
CbaracterisCics Table, if applicable.
9. Devtc:e consideree~ a two-Cerllli1
deviee: pins on input side sborted
togedler and pins OD ou&pu1 side
sborted togetber.
10. 1be difference between CPHf. and tn.a
between any two pans or cbannels
ll11der tbe same test cmutition
11. Pins 1 and 4 (HCPL-3150) llld pins 3
and 4 (HCPL-315J) need to be
connec:ted to LED common.
12. Common mode transieat lmmunity ln
the high swe is tbe maximum
tolerable ldVCII/ckl of the commun

mode pulse, Ve to UIIUI'e tbll die


remain iD die high sta&e
(i.e., Vo > 15.0 V).
13. Coauaoa mode transient lmmunit:J in
a loir I l * is tbe ml.lrimum tolerable
lcfVat'dll tbe common mode
puille, VCII to ..ure tbll die ou&pu&
will ftiMin iD a law 1111te [Le.,
Vo< 1.0V).
14. 'J'bis loed coadioD approximales die
pre load a 1200 V/25 A IGBT.
15. Pube W"llldl Distortion (PWD) is
ocdpU& will

or

or

defiaed u 1tna.-PUII for aDJ gtven


clevi.
16. Eaclt c:banl.
17. Deviee colllidered a two termillal
derice: Channel o output sicle pins
sbort.ed togedler, and c:bannel two
ocdpU& sicle pins sboned together.
18. See the tbermal model for the
HCPL-315J in tbe applicalion
section tbis data sheeC.

or

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>

Ir-----------------~
ilf71Dth1A

~
~

1--tYuIY..___------

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1Vcct51D31V

1
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l
1

1
1

Vour Vcc-v
VcctSID.V
YaIV

,.,. ,.,.

-~LI"""""~._;_----_-:_-___l_j

.....

>

-t

1 41----1-~

---- ----

1--

1i

1.
1

-3

1-----+--+-~

..

i
21

. . . . . fOl

Plpre 1. V..-. Tempentan.

...

...

f.O

f.l

>

Il:
~

...~
~

1.2

VF(Gff) .UID UV
.VourUV
,
VcctSID.V
Yuv:

...

. . . . fOl

21

TA- ~TURE-"C

Plpre 4. Va..-. Tempentan.

1.2

laH-OUTPUr._. CUIIIIENf -A

Flpre Z.foa YL T.....ataae.

21

...

V~-I.IIDUVI

3
2

- - fii"C.
ZS"C

Vcc siDv
6 VuIV

loL-

... ....... -c
u

1.2

t.o

OUTPUr LOW CUIIIIENf -A

Flpre 5.for.-. T_,_._._

r1:
1

15

1
...z 11
1

lccL
~

Ill

Il:
Il:
~

2.0 f- ~ 10 IliA fDr lccN


" 0 IliA fDr lccL
TAZS"C
VEEOV
1
f.S
fi
25
21

IL
IL

.L---.---.-21.:....__
.
__
.;___
.:..,....-..
.,.--__JfOI

t.5

TA-~TURE-"C

Plpre 7.fcc w. Temperatue.

u
~

Vcc -SUPPL.Y VOLTAGE- V

....-- ~

1
e

YccfST031V
YaOV
1
OPEIII

~OUTPUr

....-

,.,.,- ~

----

0
....

21.01111101

PJpre 1.1n.a w. Temperature.

Reproduced with permission of the copyright owner. Further reproduction prohibited without permission.

10

IF1t.a

111<170

~--CC
Y,YaOY
~... DO.C.SIIF

Ra<I70.C.SIIF

T&2S"C i
i
DUTYCYCUE-.
ftlldlil

~C.SIIF

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DU1Y CYCLE IMI.


fttldlil

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T&2S"C

DUTYC\'CLE . _ .
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1

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2S

20

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30

Ycc-IW'I'LYVOLTAGE-Y

Plpre u. l'np . . . . .,...,. . .

T...,..atue.

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YcclOY,YaIY
T&2S"C
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DUTY CYCLE IMI.


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YcclOY,YaOY
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20

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ctl- UMD CMACITMCE -IIF

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FOR! UIID LED a . a T -lM

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T&2S"C
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Cl.lt\.tt

1.20

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1.50

1.10

YF-FORWARD VOLTAGE- Y

Plpre 11. lapllt Carreat a. Forward


Voltqe.

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11

Plpre 17.foaT. . Clftalt.

Plpre Zl. Ina T. . Clrcu.lt.

Plpre Z2. UVLO Tnt Clrcu.lt.

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12

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VOL

IWITCHAT-= lfl.,.
~-----4 ~--------~
Ve~~15CII V
IL

ftpre U. CIIK Te ClftuJt &Del Wuelorms.

AppUcations IDformation
BHwlnatfag Negative IGBT

Gate Drive
To keep the IGBT firmly off, the
HCPL-3150/315.1 bas a very low
maximum VOL specification of
1.0 V. The HCPL-3150tJ 15.1
realizes this very low VoL by using
a DMOS transistor with 4 a
(typical) on resistance in its pull
down circuit. When the
HCPL-31501315.1 is in the low
state, the IGBT gate is shorted to

the emitter by Rg + 4 a.
Minimizing Rg and the lead
inductance from the HCPL-31501
315J to the IGBT gate and
emitter (possibly by mounting the
HCPL-3150/315J on a small PC
board directly above the IGBT)
can eliminate the need for
negative IGBT gate drive in many
applications as shown in Figure
25. Care should be taken with
such a PC board design to avoid
routing the IGBT collector or

emiUer traces close to the HCPL31501315.1 input as this can result


in unwanted coupling transient
signais into the HCPL-31501315.1
and degrade performance. (If the
IGBT drain must be routed near
the HCPL-3150/315.1 input, then
the LED should be reverse-biased
when in the off state, to prevent

or

the transient signais coupled


from the IGBT drain from tuming
on the HCPL-3150/315.1.)

Plpre 25&. ltec:o--ded LED Drive ud Appllcatloa Cin:alC.

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13

.sv o-.......- - .

Pl&lue JA. Reca===fed LED Drhe uad Appllcatloa Clftldt (BCPL-311.1).

Selectbal the Gate Resistor


(al) to Mlplmlze IGBT
Swltdnl Loue8.
Step 1: Calealate llg Minimam
Prona the Io.. Peak Specification. The IGBT and Rg in Figure
26 can be analyzed as a simple
RC circuit with a voltage supplied
by the HCPL-3150fJ15J.
Rg~

lV- Yu- Yo
l

Or.n:AK

_ lV- Yu- 1.1 ~


-

lor.n:AK

_ (15Y+5V-1.1V)
-

0.6A

so.s a

The VoL value of 2 V in the previous equation is a conservative


value of VoL at the peak current
of 0.6 A (see Figure 6). Al. lower
Rg values the voltage supplied by
the HCPL-3150fJ15J is not an
ideal voltage step. This results in
lower peak currents (more
margin) than predicted by this
analysis. When negative gate
drive is not used Va in the
previous equation is equal to zero
volts.

sum of the emitter power (PE) and


the output power (Po):
Pr=PE +Po
PE lyV,Duty Cycle
Po= PO(BIAS) + Po(SWITCHINGJ

= I(X'(V- Vu)
+ Esw(Ro. QG)-.!
For the circuit in Figure 26 with Iv
(worst case)= 16 mA. Rg =
30.5 Q, Max Duty Cycle 80911,
Qg 500 ne, f = 20 kHz and TA

max= 90"C:
Step 2: Cheek the RCPL-3150/
315J Power Diuipadon and
lnc:rease RI if Neeeuary. The
HCPL-3150fJ15J total power
dissipation (PT) is equal to the

PE

P0

= 16 mAl.S v-o.s = 23 mW
= 4.25 mA20 V
+

4.0 p.l-20 kHz

=85mW+80mW
= 165mW
> 154 mW (PO(IIAX) @ 90"C
= 250 mW-20C4.8 mW/C)

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14

Plpre Zia. BCPL-3110 Typical Applk:adon Cireaic wieb Nepche IGBT Gate Drhe.

r-----~----~~~

.sv o-----.

Plpre Zlb. BCPWII.f Typical Applk:adoa Cin:a1t wieb Nep&lve IGBT Gate Drhe.

PB
Parameter

lp
Vp
DutyCycle

P0 Parameter
Description
LED Current
LED On Voltage
Maximum LED
Duty Cycle

lee
Vcc
VEE
Esw(Rg,Qg)

Deacriptioa
Supply Current
Positive Supply Voltage
Negative Supply Voltage
Energy Dissipated in the HCPL-3150/315J for
each IGBT Switching Cycle (See Figure 27)
Switching Frequency

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15

The value of 4.25 mA for lee in


the previous equation was
obtained by derating the lee max
of 5 mA (which occurs at -40"C}
to lee max at 90"C (see F"lgUl'e 7}.
Since P0 for this case is greater
than PO(J(AX), Rg must be
increased to reduce the HCPL3150 power dissipation.
Po(SWTT'CHING 11AXJ

=69mW
Esw(IIAX) = Porswrtgl1NGIIAXJ

69mW

For example, given PE = 45 mW,


Po 250 mW, TA 70"C and 9cA
= saoc/W:

TJE = PE313"0W + Pol32"CW + T,.


= 45 mW'-313"C/W + 250 mW
132"C/W + 70"C = ll7"C
Tm= PE132"CJW + P0 187"CW + T,.
= 45 mWI32CIW + 250 mW
t87"C/W + 70"C = l23"C

TJE and Tm should be limited to

= PO(JIAX) - PO(BIAS)
= 154 mW-85mW

board design and is, therefore,


detennined by the designer. The
value of Eb. = 83"C/W was
obtained from thermal measurements using a 2.5 x 2.5 inch PC
board, with smaU traces (no
ground plane}, a single HCPL3150 soldered into the center or
the board and still air. The
absolute maximum power
dissipation derating specifications
assume a eCAvalue or 83"C/W.

From the thermal mode in Figure


28a the LED and detector IC
jonction temperatures can be
expressed as:

125"C based on the board layout


and part placement (&c.J specifie
to the application.

3.45pJ

20kHz
For Qg = 500 nC, from Figure
27, a value of Esw = 3.45 J,LJ
gives a Rg = 41 n.

Thermal Model
(HCPL-3150)
The steady state thermal model
ror the HCPL-3150 is shown in
F"agure 28a. The thermal
resistance values given in this
model can be used to calculate
the temperatures at each node ror
a given operating condition. As
shown by the mode!, aU beat
generated Oows through 9cA
which raises the case temperature
Tc accordingly. The value or eCA
depends on the conditions or the

+ Po(&ocll (9w + 9u:) + 9CA) + T.t


lnserting the values ror 9t.e and
&oc shown in Figure 28 gives:

TJE = PE(230"C/W + 9CA)


+ P0 (49"C/W + 9CA) + T.t
Tm= PE(49"C/W + 9CA)
+ P0 ( 104 "C/W + 9CA) + T.t

TJE = LED jonction temperature


Tm = detector IC jonction temperature
Tc = case temperature measured at the center of the package bottom
9t.e = LED-to-case thermal resistance
eLD = LED-to-detector thermal resistance
9oc = detector-to-case thermal resistance
9CA = case-to-ambient thermal resistance
9CA will depend on the board design and the placement or the part.
Flpre 28a. Thermal Model.

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16

Thermal Model DaalCiwmel (SOIC-16)


BCPL-315J Optoiaolator
DefiDitiou

es.

8t' 82. 83, 84, 8s, 8&, 87'


Qg,
81o: Thennal impedances
between nodes as shown in
Figure 28b. Ambient
Temperature: Measured
approximately 1.25 cm above the
optocoupler with no forced air.

Deeeription
This thennal model assumes that
a 16-pin dual-channel (SOIC-16)
optocoupler is soldered into an
8.5 cm x 8.1 cm printed circuit
board (PCB). These optocouplers
are hybrid deviees with four die:
two LEDs and two detectors. The
temperature at the LED and the
detector or the optocoupler can
be calculated by using the
equations below.

..

Flpre Zlb. Tbenaal J.mpedaaee llodelfor RCJ'L.3115.l.

,.,_

-'"IH

Pn-

-I'Dz

TE2A = A2tPEa + A22PE2+A2aPDt+A2-tPD2


TotA = A:uPEa + A32PE2+AaaPoa+A:wPoo

where:

TEIA = Temperature difference between ambient and LED 1


TE2A = Temperature difference between ambient and LED 2
ToaA = Temperature difference between ambient and detector 1
TOOA = Temperature difference between ambient and detector 2
PEa =Power dissipation from LED 1;

PE2 = Power dissipation from LED 2;


P01 = Power dissipation from detector 1;
= Power dissipation from detector 2
Axy thermal coefficient ( units in OCIW) is a fonction of thermal
impedances a. through 8ao.

Poo

Thermal Coefficient Data (units in OCIW)


PartNamber

Au, Au

A12, Azt

At3,Azt

Az.c, A.cz

At4 A.ct

Au,Azz

Au. A.c4

Az.c, A.c3

HCPL-315J

198

64

62

64

83

90

137

69

Note: Maximwnjunction temperature for aboYe pan: 125"C.

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17

l.

LED Drive Circ:ait


CoDSiderations for Ultra

Wgh CMR Performance

Without a detector shield, the


domilwlt cause or optocoupler
CMR failure is capacitive
coupling from the input side or
the optocoupler, through the
package, to the detector IC as
shown in Figure 29. The HCPL31501315J improves CMR
performance by using a detector
IC with an optically transparent
Faraday shield, which diverts the
capacitively coupled current away
from the sensitive IC circuitry.
How ever, this shield does not
eliminate the capacitive coupling
between the LED and optocoupler pins 5-8 as shown in
Figure 30. This capacitive
coupling causes perturbations in
the LED current during common
mode transients and becomes the
nuijor source or CMR failures for
a shielded optocoupler. The main
design objective or a high CMR
LED drive circuit becomes
keeping the LED in the proper
state (on or off) during common
mode transients. For example,
the recommended application
circuit (Figure 25}, can achieve
15 kV/J.Is CMR while minimizing
component complexity.
Techniques to keep the LED in
the proper state are discussed in
the next two sections.

1
z

.
7

i'

1:
!
1

logic gate is less than VF{OFF) the

\i

a.J100nC

LED will remain off and no

- - a.JZSDnC

common mode failure will occur.

-a.ne

' '\

..

"~

r--...

r--

... __

1---

...... 1-

' --1

Vccv_
,_ ... v

20

10

100

Rg -GATE ..sT.MCE - Q

Plpre 27. BaeqJ m.lpa&ed ID the


RCPL-3150 for BKk IGBT Switclllq
c,de.

CMR with the LED On


(CMRs}
A high CMR LED drive circuit
must keep the LED on during
common mode transients. This is
achieved by overdriving the LED
current beyond the input
threshold so that it is not pulled
below the threshold during a
transienL A minimum LED cur
rent or 10 mA provides adequate
margin over the maximum IFLH or
5 mAto achieve 15 kV{Jis CMR.

CMR with the LED Off


(CMRr)
A high CMR LED drive circuit
must keep the LED off
(VF S VF{om) during common
mode transients. For example,
during a -dVcufdt transient in
F"tgUre 31, the current Oowing
through CLEDP also Oows through
the ~T and VSAT of the logic
gate. As long as the low state
voltage developed across the

The open coUector drive circuit,


shown in Figure 32, cannot keep
the LED off during a +dVcufdt
transient, since aU the current
Oowing through CLEDN must be
supplied by the LED, and it is not
recommended for applications
requiring ultra high CMRt.
performance. Figure 33 is an
alternative drive circuit which,
like the recommended application
circuit (Figure 25}, does achieve
ultra high CMR performance by
shunting the LED in the off state.

Under Voltage Lockout


Feature
The HCPL-31501315.1 contains an
under voltage lockout (UVLO}
feature that is designed to protect
the IGBT onder fauJt conditions
which cause the HCPL-31501315.1
supply voltage (equivalent to the
fully-charged IGBT gate voltage)
to drop below a level necessary to
keep the IGBT in a low resistance
state. Wben the HCPL-31501315.1
output is in the high state and the
supply voltage drops below the
HCPL-315013 15J VtJVLO. threshold
(9.5 <VlJVLO. < 12.0), the
optocoupler output will go into
the low state with a typical delay,
UVLO Turn Off Delay, of 0.6 JlS.
When the HCPL-31501315.1
output is in the low state and the
supply voltage rises above the
HCPL-31501315.1 VUVLO+
threshold (11.0 < VUVLO+ < 13.5),
the optocoupler will go into the

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I8

high state (assuming LED is


..ONj with a typical delay, UVLO
TURN On Delay, of0.8 JIS.

IPII Dead 'llme and


Propagation Delay
Spedfieatlo
The HCPL-3I50fJI5J includes a

Propagation Delay Difference


(PDD) specification intended to
help designers minimize ..dead
lime" in their power inverter
designs. Dead lime is the time
period during which both the
high and low side power
transistors (QI and Q2 in Figure
25) are off. Any overlap in QI
and Q2 conduction will result in
large currents Oowing through
the power deviees from the highto the low-voltage motor rails.

To minimize dead time in a given


design, the tum on of LED2
should be delayed (relative to the
tum off of LED I) so thal under
worst-case conditions, transistor
QI has just tumed off when
transistor Q2 tums on, as shown
in Figure 34. The amount of delay
necessary to achieve this conditions is equal to the maximum
value of the propagation delay
difference specification, PDI>aux,
which is specified to be 350 ns
over the operating temperature
range of -40"'C to IOO"'C.
Delaying the LED signal by the
maximum propagation delay
difference ensures that the
minimum dead time is zero, but it
does not teD a designer what the

maximum dead lime will be. The


maximum dead lime is equivalent
to the difference between the
maximum and minimum propagation delay difference specifications as shown in Figure 35. The
maximum dead lime for the
HCPL-3I50fJI5J is 700 ns
(= 350 ns- (-350 ns)) over an
operating temperature range of
-40"C to lOO"C.
Note that the propagation delays
used to calculate PDD and dead
time are taken at equal temperatures and test conditions since
the optocouplers under consideration are typically mounted in
close proximity to each other and
are switching identicallGBTs.

THE AIUlOWS INDICATE THE DaiECTIOII


OF CURRENT FLOW DUIIIIIG -4110/1&

~--------------------~4------------------~
VCil
Flpre 31. Bqaivaleat CUcalt for Fi&an 25

Daria1 Commoa Mode TruWeat.

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19

~---

Plpre 3Z. Not Reco-ded Opea CoDector


Drift Clrealt.

Plpre 33. Recoauneaded LBD DriYe Clftalt


for UltnllfP CID.

UIH----.

Yan1------------~~--~
Q10111
'", ,_ _Q!Io:.JIC?Ff;.;._ _

van1----_J-~~;~;;\(=;-~=-=_~)\=-=====W==OFF=

Voun -----.::Q2::.;0FF:::.;.;::::::=:/
___Q2_0111
__

Voun----~:~Q2~~~~~jC===~~----Q2__

~-----------J
- ....._ux-------.....-----.

.. --

......

0111

~ ---:;;;~-:t

"fiiL :

POO" IIAX IIPML. ftoutiiMx ..... IIAX lpue-

"PDD PROPAGATIQII DELAY lM+


1CE
NOTE: FOR POD CAI.CIA.ATIOIIIS 1HE PROPAGATION DELAYS
ARE TAICBIAT1ME IAIE~n.E MD TEST COINIIITICINS.

Plpre 34. vm.- LED Skew for Zero Dead n.e.

........ IIAX::-:-:---...
:

......

:----..;..;-lft.H ux--'
~.w
POO' liAI:
. _ DEAD TillE
(DUE TO OP1'0COWLER)

lflottL IIAX ..... _ , +lllut IIAX fpuc -.J


lflottL IIAX fioul..- lflottL- fpuc IIAld

POO' IIAX- POO"_.

"PPO PROPAGATION DELAY DIFFERENCE


NOTE: FOR DEAD TillE MD POO CALCULAliONS ALL PROPAGATION
DELAYS ARE TAKEN ATlME SAliE ~TURE AND TEST CONDITIONS.

Plpre 35. Wavefonu for Dead Tbae.

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.....
...........

..

Agil Tecbnalagies
movating Ille Il' Way

> 12
1

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-~---- -- ~~~
-

......... - ~

_._.

oo.7 0.1

o.n_

Flpn 31. Uader Voltqe Lock Oat.

Plpre 3'7L BCPL-3150: TbenDal Deratiq


Cane. Depeadeaee of Safety Llmltlq
Valae witb eue Temperature per
VDBOI84.

-P.OUJPVr

"'"

-- '..ur -

r\

.... r-... ~
... 1'\
..........

25 50 1S 1GO 125 150 115 Ts-CAIE~TURE-"C

P1pre 3'7b. BCPL-31U: 'l'llenul Deratlq Cane.


Dep ! ad 1 e of Sale&)' u.dtiDC Vable widt
Tepentare per VDB 1814.

eue

www.serraiconductor.agilenl.com
Data sufect r.o ebange.
Copyright C 1999 Agilent Technologies
Qt)Soletes 5965-4 780E

5966-2495E (11199)

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Data Sheet No. P060147-Q

nternationa 1
:EOR Rectifier
1

IR2110/IR2113 (S)
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Features

Product Summary

Floaling channel designed for boolstrap operation


Fuly operaliollal to +500V +600V
Tolerant to negative biiiSient voltage
dV/dt. immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
Undervollage lockout for boCh channels
3.3V logic compatible
Separate logic supply range from 3.3V to 20V
Logic and power ground SV oCrset
CMOS Schmitt-triggered inpuls with pulkfown
Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic
Malched propayaliol 1 delay for bolh channels
Outputs in phase with inputs

Description

VoFFSET (IR2110)
(IR2113)

SOOV max.
600V max.

lo+/-

2A/2A

VOUT

10- 20V

ton/off (typ.)

120 & 94 ns

Delay Matching

10 ns

Packages

The IR21100R2113 are high voltage, high speed power


MOSFET and IGBT drivers with indepeuderc high and
low side referend output c:hal"'iels. Propcietaly IMC
and laldl irnrnu1e CMOS lecb iOk)gies enab1e rugge14-l.ead PDIP
1~acl SOIC
dizad rr101101i1hic construclian. Logic inputs are ~
IR211011R2113
IR2110SIIR2113S
palille wilh sta1 idald CMOS LSTil oulpd. dcMn to
3.3V Jogic. The output drivers fealln a high pU5e cu-rent buller stage desigll8d fer miWnum driver cross-canduclio Pl opayatio 1 delays are matdied to simplfy use
in high fraquency 8Pi 6 "ic IS. The llting chamel can be used to drMt an N-d1annel pcMer MOSFET or IGBT
in lhe high side configlnlion which opaalias up m500 or 600 valls.

Typical Connection

up to SOOV or 600V
HO 1-------.

Voo -~.,._--t Voo

v,t--......-...,

HIN

HIN

~t--+-~----------*-+--To

SD

SD

UN---1t----t UN

V58

Va;

V58

.----+---~'LOAD

V a:. t--+--e

COM

t--.._+---,

LOr--~-+--------~~~

(Referto Lead Assiat wa181 liS forc:onact pin coniiguration). TllisiT'- diagram(s) showeledrical
Please rafarto OUI' Applic:atian Nolis and DesignT!pS forproper circuil board IByout.

CDIWICiiui iS rriy.

www.irf.com

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lnternuliona
rRectifier

IR211 O/IR2113 (S)


Absolute Maximum Ratings

Ablalullt maximum rallngs indicala sustained limils beyond which damage ID Ille dllvice may occur. AD voltage parametars . . absDiute volages selraaiC6d ID COlot The ttwnnatr=m IC6 and power l"*lA'~"cn ratings ara rneasured
under board mounl8d ..S 1111 air CDidllui6. Adelliolllll ilbmalian is shawn in F"lgUAIS 281hrough 35.

Min.

Definition
va

....

Units

525

High sida tloaling supply voltage (IR2110)

-0.3

(IR2113)

-0.3

625

High side ftoating supply o1rset voltage

va- 25

va 0.3

VHO

High side tloaling output voltage

Vs- 0.3

va0.3

v cc

Low slde tlxed supply voltage

-0.3

25

VLO

Low sida output volage

-0.3

vcc +0.3

voo

Logic supply voltage

-0.3

vss+25

vss

Logic supply

vcc-25

vcc+0.3

VJN

Logic inpUI voltage (HIN, UN & SD)

Vss-0.3

voo+0.3

vs

INJdt

Po

oset voilage

Allowable olrs&t supply voltage lransient (tlgunt 2)


Padalg&

power dissipalklst 0 TAS +25"C

(14 l&ad DIP)


(16 l&ad SOIC)

RntJA

Thermal resislanc:&, junction ID ambient

(14 lead DIP)


(16 l&ad SOIC)

TJ

Junclion lltmpendure

Ts

Storage lllmp&tatur&

TL

Leed f8l'llp&l'aiUr& (salderlng. 10 sendS)

-55
-

VIns

50
1.6

1.25
75

CJW

100
150

150

300

Recommendecl Operatlng Conditions

The inpuUoutput logic timing diagram is shawn in ligure 1. For proper operation the deviee sttould be usees wilttin the
i&COillitaid&d CDitdilioi6. The VS anciVSS o1rset rallngs are test&d with al supplies biaSed at 15V ditr&rential. Typical
ralings at OCher bias COitditi ~- . . sttown in ligures 36 and 37.

Svmbol

Min.

Definition

va

High slde tloating supply absolut& voltage

vs

High sida tloaling supply olfs&t voltage

vs+ 10

....

(IR2110)

Nole 1

500

(IR2113)

Nole 1

600
Va

VHO

High side tloating output voltage

Vs

v cc

Low slde tlxed supply voltag&

10

20

VLO

Low sida output voilage

v cc

voo

Logic: supply voltage

vss

Logic supply olfset voilage

Unlts

vs+20

vss+3

vss + 20

-5 (Nole 2)

VJN

Logic input voltage (HIN, UN & SO)

vss

voo

TA

Ambient tamperature

125

Note 1: Logic operational for Vs of -41D +500V. Logic: state tteld for Vs of -4V ID -Vas- (Piease refar to the Design Tip
DT97-3 for more deCails).
Nole 2: WtBI Voo <
lhe minimum vss offset is limited tc -Voo.

sv.

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1nfer no liona
Da Rectifier

IR2110/IR2113 (S)

Dynamlc Electrlcal Characterlstics


VBIAS (Vcc. Vas. VDO) "" 15V, CL, = 1000 pF, TA= 25"C and Vss = COM unless olherwise specitled. The dynamic:
eledrlcal c:harac:l8risti . . measurad using lhe test c:ircuit shawn in F"tgUre 3.

Symbol
tan

Definition

IFigan n. TYD- liu. Units ~- Condltionl


7

120

150

vs=av

94

125

vs= 5001/lfiDlN

Sllddown propagati4ln delay

110

140

tr

Tum-an lise lime

10

25

35

If

Turn-alf fal lime

11

17

25

tait
lad

MT

Tum-an plapaga'-on delay


Turn-alf plopaga"oot delay

ns

10

Delay mald1i1g. HS & LS IUm-onlo

vs = 5001/lfiDlN

FtgUnt 5

Stalle Electrlcal Characteristlcs


VBIAS (Vcc. Vas, VDO) = 15V, TA= 25"C and Vss = COM unlesa olherwise spec:iflecl. The YIN. Vnt and liN paramefiaiS
ant tllfeiIC8d Ill Vss and ant ~plk:able ID al tine logic input leads: HIN. UN and SD. The Vo and IO parameCIIrS are
AJfeiICBCI 10 COM and ant applicable 10 lhe respedlve oulput leads: HO or LO.

Symbol

Definition

Fiaan Min. TYD- Mu. Units ~- Condltionl

YIH

Logic "1. input voltage

VL

Laglc

VQH

Higtllevel output voilage, VBIAS Vo

14

VOL.

Law ltMII output voilage. vo

15

lU<

Otrset supply lealcage currant

16

IQBS

Quiesnt vas supp1y c:urrent

17

IQCC

Quiesnt vcc supp1y c:urrent

18

IQDO

Cuiescent voo supp1y c:urrent

19

IN+

Laglc .,. input bias c:urrent

20

lfN.

input bias c:urrent


vas supp1y undervallage positive going
ttv8Shold
vas supp1y ~ negative going
ttv8Shold
vcc supp1y undeMIItage positive going
ttv8Shold
vcc supp1y undeMIIIage negative going

VBSUV+
YBSlN-

VCQN+
VCQN.

IO+

input voilage

12

9.5

13

6.0
1.2

0.1

to=OA
ro=OA

50

Va=Vs =

125

230

YIN =

180

340

15

30

fiA

SIX1iiiiiiV
av or Voo
YIN = av or voo
YIN = av or voo

20

40

YIN=Voo

YIN=av

7.5

8.6

1.0
9.7

23

7.0

8.2

9.4

24

7.4

8.5

9.6

25

7.0

8.2

9.4

ttv8Shold
Output high short c:in:uit pulsed currant

26

2.0

2.5

Output 1ow short c:in:uit pulsed currant

27

2.0

2.5

Lcgic

21
22

Vo=W. YIN =Voo


PWS 10 fiS
Vo = 15V, YIN=

av

PWS 10

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us
3

IR2110/IR2113 (S)
Functlonal Block Dl

lnternoliona
mttR.~fier

ram

~-------------------------------------------------,

1
1

1
1
1

v..,+--

HO

1
1

v,
1

,---------.-.va:
1

1
1
1
1
1

~h
1-..-

LO

L------------------------------------------------~

Lead Definitions
Svmbol DescriDtlon

Voo
HIN

so
UN

Vss
Va
HO

Vs
Vcc
LO
COM

Logic supply
Logic input for high side gate driver output (HO). in phase
Logic input for shutdown
Logic input for law side gate driver output (LO), in phase
Logic gR)U'1d
tflgh side tloaling supply
High side gate drive output
High side ftoaling supply relum
Law side supply
Law side gate drive output
Law side retum

Lead Assl nrnents

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1nfernuliona

IR211 O/IR2113 (S)

:ma Rectifier
Va;

Figure 1. lnputiOulput Timing Diagi'MI

tJ

HVtO-

FiguN Z. FIMIIng Supply Vobge Tr.IISient Test Circuit

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lnternoliona

IR21_1 O/IR2113 (S)

ma Rectifier
2511?-----~------------------,---------~------

J 150

I4

11111

.5

-_ .. - --

--

--~

__ .. -

_.. __ ..

+------4--------~--------4---------~----~

L---

1-~~----~--------~--------~--------~----~

25

50

75

125

11111

10

12

11
VCdiWa SupplyVat.geM

T_..,.I"CJ

Figure 7A. TunHJn lime vs.

250

.s

Ty

150

i~

100

,a

Figln 78. Tum-On Tlme vs. Vc:ciVD Supply Vobge

T~

1~

200

~'

..

'

..

l
1 ~

~11111

50

..-_-

_.. __ ..

--

__ .. --

....

--- ---

s s ro u

~ ~

25

Figure 7C. Tur.On lime

50

75

11111

125

T_..,..I"Cl

V1lo Sulllllr Vcll9 M

vs. YOD Supply Vobge

2511

2111

J 150

I~

. .. . .

'~
~ 150

--- --- ---

~
11111

.t

.5
50

......

! 100
~
~ 50

r-- r-- r- ..... ...

... 1--

ITYP

r-

0
~

Va:IVIs 5ulllllr Vat.ge M

Figure lB. Tum-Off Tlme va. VC%/VD Supply Vobge

10 12

14 16

18 20

VDD SuppyVat.geM

f9n IC. Turn-Oif Tlme va. VDD Supply Vobge


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IGRRectifier

IR2110/IR2113 {S)
ZD~----~----~----~----~----~

---...... ---

_- -----

....

__ .. --

---- ---- ...

.. ___

:11111

1 ISI

-- ---------

!'!

~~
SI

10

12

1.

Il

Il

2D

veav.&Soctlllr~M

FiguN 18. Shuldown lime vs. V/Va Supply Voltage


1

250

'

...
\.

"""'

- ....-

Tyo

Ill

--

-. .

'"-

Ill

40

....---

-- -- --

2D

8 10 12 14 16
6
WD Supply Voilage M

o~--+---4---~--~--~----~~
ICII
1:15
-50

111 20

Figln 1CIA. Tum.Qn R1R lime vs. T............

FiguN IC. Shutdown Tlme vs. VDO Supply Vobge


l;-----r-----~----,-----,-----~

40+---1---~--~--~----~--~--~

Ill

1
1

r lO +--+--4--4---+-----+-~---1
i ------ __ .. --- --

Ill

40 ~-

--- ---

....

---

2D

,....
j t-=t=t:=t==M=-tl2D

IO.f---1---~--~--~----+---1---~

0
10

1.

12
-

Il

Il

Supplll VCII8p M

FigUN108. Tum-On RIA lime VL Voltage

:15

SI

75

ICII

1:15

T__.rcl

Figln 11A. Tum.()lf F.U lime vs. Tempendure

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IR211 O/IR2113 {S)

ma Rectifier

50

15.o..--...---...,.....-.....--.,...-~-~-...,

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__ ,.,.

- ----

10

10

f,..--'"

1.

12

11

-s.-.

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--

~o~-+--~-~-~-~-~-~
~

...

-~

Ju

--

--~--

--

1
:.. e.o+--+--+--+-+--+-+--i

10~-+--~-~-~-~-~-~

0.0 J--+--+---+---+---+--+----4
0
25
50
75 100 125
..
-8

zo

11

*!__ - - - - -

(V)

T-rcJ

F1g1n 118. Tum-Off F.. lime va. Vobge


15.o...--...---...,.....-.....---.--~--.---,

12

1Z.o+--+--~-~-~-~--+-~

~ax.'

J to.f.....--4---+---+---+--+~

1
Jo I.OT
~--~~--~--~-r--r--1

!
o+-~~-4~~~+-~-+~~

w u w

u+--+--+---+---t--~--+--;

o.o+--+---+---1---+-----+---t

..

25

-8

V~S...,..~ (V)

50

75

100

125

T--("C)

F1g1n 128. Logk: "1" Input Tlnsllold va. Vobge

12

.oo+--+--~-+---+---t--~--1

J1oo+--+--~-+---+---+-~-~

1
!2.00~~~~---+---r--;---r-_,

Mi~

1>

0
0

Vao~

F~gUN

10 12 14 16 18

s.-..,...... M

13B. Lagfc cr Input Tlnsllold va.

100

------- -- -- --r---

o.oo+---+---+---+---1---+---+----l
..

-8

25

50

75

100

125

vo~a.ge

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lnternoliona
:RRedi~e1

I.M r---~-,-----,--"""T----,r---r---,

~-~----~----~----~-----r----~

.... +-----+-----+----+-----t-------1
~

o.+---4--4---~--+--~~--t---1
~

11 +-----+-----+----+-----t-------1

fo.+---4--4---~---+--~~--t---1

J!

1.

--- --- --------

~---

Lm+---+---+---+---4---~---r---i

------ -- -- - - -- ~--

o. ~---'--+---4----4-----1----1---f

~-~----4-----~----~----~----~
1<&

IZ

10

Il

0.<&0

Il

25

-lullfllyv.oge(V)

Figln 148. Hlgll

Leve~

Oulput ,..

50

7$

lM

125

T--rcl

voa.g.

Figure 15A. Low Leve~ Oulput

va. T....,.,.....

IMr-----,-----~----~-----r-----,

o.

+-----+----+----+-----+-----;

1~-+-----+----+----+-----t------;

Lm+-----;-----~----~-----r----_,

--- --- --------

!'"--O.M

~-~~~4---+---+~~

1-+----~1-----1~1---+---t-~--1'
..

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i-

~-~~---+--~--~~~~+---1
_,. -~.,

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~----4------1------1------+------1
10

IZ

o~---~---~----~---~---+---~--~

Il

Il

....

125

lM

~~---.----,----.----,----,----,

-+---+---+---+---~---r---t---1

i-

J- +----+--+--r---+--t--;

,-1

1 ~-~~~---+--~----r---~--~
--- ----- -------~---

lM

v.-vai-..M

~
11!2110

IRZIIl

j-~4--+---~~-+---r--;

-- -J -+--.:;a..~-=-~
----~---+---+---+---1

>

~-t~~~==~~==~==~==~===l==~
0

25

50

7$

100

125

T-rcl

filpn 17A. Va Supply Curr.nt va. Tempenlure

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IR211 O/IR2113 (S)

J-

...
..... - ---

...

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>

...

...

---

......

1.

10

v.,_.

~
IZI

Il
~upp~r

-- --

--- -- -- --

...

I
tell

IGR.Redifier

...

Il

tell

IZI

v-. M
Figln 11A. Vcc Supply Curnnt

Figln 178. Va Supply Cumnt vs. Von.ge

VL

T..........

1-~--~--~--,----r---r---r---,

- -....

......
125

,.,l' ...

...
....

....

......

.... ....
.......
...

l.
lr--+.__+-~.__~~~-~-~-~
.J

------ -ZD~~t::t==~=1==4r~--,
... --

...

y.,.-

IZ

+---+---+---~---r---+---+--~

---

~
10

....

Il

~upp~r

Il

ZD

75

v-. M

100

1:15

Figln 1& Vcc Supply Curnnt vs. Vabge

60

50

40

...

30

--

20

10
0
0

10 12 14 16 18 20

---
--..._
f...-- r0

-- --- -- f.---

~~

75

100

1:15

llao"-~v-..M

fitpn 11L VDD Supply Cumnt vs. VDO Vobge

10

Figln 20A. Logic "1 Input Curnnt VL T..............

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IR211 O/IR2113 (S)

:a.Recti~e1

60

50

1
1

~-+---~--~--~--~--~--~--~

i
11+---~--~--~--~--~--~--~

40

30

20

10

........

........

1~+---+---+---+---r---r---r-~

J 1-+-~-;---;~---~---~---~--r-~

10 12 14 16 18 20

Vao.._So!llllf,......M

25

50

100

125

T-("C)

Figure ZG8. Laglc "1 Input Cunwd VL VDO Vobge

Flgln 21A. Logic "0" Input Currwd VL T...........

n.o

,.....--~--,---,---,---,---,---~

10.0 r---+---+---+---+------t::-:-=-=-:i---1

-------i IOO=t=+=f::::Pfi
,f ~..,.
..._____ -- -- -------~

I.D

----+--t---t---+---+---1

70

s a ro u w

1.0 +---+----+----+----+----+----+----4
25
50
15
100
125
..
.a

Vao.._So!llllf,......M

T-("C)

Figln 22. Va

Figln 218. Laglc "0" Input CurNnt VL VDO Vollllge

i
.!

10.0 +---+---+---+--+--+--+---!

-- -- --

------ -1.0 +---+---+---+--+--+--+---!


1.0

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----- -- -- -------

1o.o+---+--+--+--+--+---+:~::t

i . onu=t==t==t=9

f
~

T..........

n or---"T"""---r----r----r----r---,----,

nor---~--,---~--~---r---r--~

U11de1Ual1g1 (+) VL

1.0

+...
---+---;-_-_----_-_-;-_--_+-_-_-lr-~--_-i

...__ --

r.a+---+---+---+--+---+--~---i

1.0

+---+---+----+----+----+----+----1
0

25

50

100

VL

a.o+---+----+----+----+----+----+----4
25

50

100

125

r-rc1

T--("C)

Figure 23. Va Undelwale.ge (-)

125

T..........

Figure 24. Vcc Ulldelllobge (+)

VL

TemperatuN

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11

lnternoliona

IR2110/IR2113 (S)

ma.Recti~er

lt.O r--"T"-"""T--r--T--"T"-"""T---,

5.00

10.0 f---+--+--1--+--+--+---i

. 00

------ -i f---+--+--1--+--+--+---i

1.0

fo ~,..k:!=::::l==t:::::t::::!~
-

--~--

70+-~--.-~-~-~.-~r--+~~~~~---~--;

1.00

-- --

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..

0.00

5.00

5.00

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__

--- -

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....

1.00 ~----

0.00

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...

r-- r--

....

-- --- -- -t--

,_~
10

IZ

....

-----

L----- ... --

,.

-.s......, v..._

(V)

r=teur- Z7B. Output Sink Curnnt vs. Vobge

50

1-

1-1-

1-

1-

1-1-

~~

1--

IH

.,v___

25

75

100

125

T_...,.("C)

...

12

125

0.00

..oo

0.00

50

1.00

5.00

1.00

25

T--("C)

r--

r--

1-

1--

1-

1--

1-

r-

1Il

1lE..

~>

fat

F=

1-

lE ..

'-1Hz!

Figln 21. IR211GIIR2113 TJ vs. Fewquency


(IRFBC2D) RGATE 330, Vcc 15V

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IR211 O/IR2113 (S)

ma Rectifier

--

tSII
125

!!tell

1
B

11111
25t--Hrtt

tE2

tEl

tE>4

lE..

tE5

'-!Hl!
Figure 21. IR21111111'2113 TJ va. F.....-ncy
(IRF8C3G) RGA1E 220. Vcc 15V

tE2

IEl

tEOC

tE5

tE ..

'-!Hl!
Figure 30.1R211GIIR2113 TJ va. F,.....cy

(IRFIICIO) RGA1E 150. Vcc 15V

11111 T"""T""1M'T
t25 +-+11-++

!! 11111 +--++1+

B+-+-1!-++

)1111+--Hrtt

IE2

tE..

tE>S

tEl

'-!Hl!
Figure 31. IR211GIIRZ113 TJ va. F.....-.c:r
(IRFPE50) RelAYE 10C. Vcc 15V
IIIIIT""'"'T"'li"TT

tEZ

tEl

tEOC

tE5

tE..

F-(Hz)

--

Figure 32. IRZ110SIIt2113S TJ va. Fu qu nq


(IFIIC2D) RaA1E 330. Vcc 15V

25

IE2 .

IEl

IE>4
,_(Hz)

tE5

Figure 33. IR2110SIIRZ113S TJ va. Fnquanc:r


(IRFBC30) RciA1E 220. Vcc 15V

lE..

'-CHzl
Figln :M. IR2110SIIR2113S TJ vs. F...,...cy
(IRFIIC40) RciA1E 150. Vcc 15V

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13

lnternoliona

IR211 O/IR2113 (S)

IGRRectifier
a. a

.z.o

1 ~ -..........
t---..._
J
~

-4.0

J -e.a

-.......... ~

,;

-e.o
-tO.O
tG

,_(Hl)
FV- 35.

IR2110SIIR2113S TJ vs. FNqUet~Cy (IRFPE50)


RelAtE 100. Vcc 15V

t2

tc

tl

v.,_. Sollllllr,.... M

FlguN 31. 11a11num Va Nepllwe


Va Supplr Vobge

tl

211

..t vs.

zo.a
~tU

1
1

tU

I.G

---------~

~ 4.0

aa
ta

tl

tl

zo

Vcc-Sollllllrv.._M

AguM 17. llalnun Va Poeiliw OlfMt vs.


Vcc Supplr Vobge

14

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IR2110/IR2113 (S)

lOR Rectifier

Case Outlines
IIIB:
t miiiiEN5ICJCIC-- l 11l.DWICIC PER MS YIUt-19112.
2. Cllt1Ril1ICC IJIDSOt .,..
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