TEMA 4

DIODOS Y APLICACIONES

UNIN P-N EN CIRCUITO ABIERTO

_
_
_
_
_

_
_
_
_
_

pp0

_
_
_
_
_

Zona de transicin
o de carga espacial
_ _ _ + +
_ _ _ + + ++
_ _ _ + + +
_ _ _ + + +
_ _ _ + + +

Tipo p

+
+
+
+
+

Tipo n

np0
Concentracin
Carga espacial

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

nn0
pn0

Campo elctrico E

Potencial electrosttico V

V0

UNIN P-N POLARIZADA EN INVERSA

_
_
_
_
_
_

I0

_
_
_
_
_

_
_
_
_
_

_
_
_
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_

_
_
_
_
_

_
_
_
_
_

VI
+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

Tipo p

pp0

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

Tipo n

nn0

np0
Concentracin

pn0

Carga espacial

Campo elctrico E

VI

V0 + VI

V0

Potencial electrosttico V

UNIN P-N POLARIZADA EN DIRECTA

_
_
_
_
_

_
_
_
_
_

pp0

_
_
_
_
_

_
_
_
_
_

+
_ _
_ _
_ _
_ _
_ _

V
_ D
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

Tipo p

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

Tipo n

np0
Concentracin
Carga espacial

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

nn0
pn0

Campo elctrico E

Potencial electrosttico V

V0

VD
V0 - VD

En cortocircuito el potencial de la unin se compensa con los potenciales

en los contactos hmicos de los terminales => I = 0

+
V0 _

_
P

N
V
- V0 + + 0

V0 - V0 - V0 = 0
I=0

Grandes tensiones directa => necesidad de limitar la corriente

DIODO

NODO

CTODO

K
P

4UNIN EN CIRCUITO ABIERTO

* Aparece un potencial en la unin (V0)
* Existe un equilibrio dinmico en la unin
4POLARIZACIN INVERSA
* Aumenta la anchura de la zona de transicin o carga espacial
* El potencial de la unin aumenta (V0 + VI)
* Corriente inversa I0 debido a portadores minoritarios
4POLARIZACIN DIRECTA
* Disminuye la anchura de la zona de transicin o carga espacial
* El potencial de la unin disminuye (V0 - VD)
* Corriente directa debida tanto a huecos como a electrones

CARACTERSTICA
TENSIN-CORRIENTE

I0: Corriente inversa de saturacin

(constante a temperatura constante)

VV
T
I = I0 e
1

: Constante

Ge: =1
Si: =1 -> I grandes
=2 -> I pequeas

VT : Tensin equivalente de temperatura

VT = T (K)/11.600
T=300 K => VT = 26 mV

 VV

T
I = I0 e
1

I (mA)
Tensin de ruptura

V => Tensin umbral

0,2 V (Ge)
0,6 V (Si)

VZ
I0

0,4 (Ge)
0,8 (Si)

V (volt)

(A) -> Ge
(nA) -> Si

La corriente inversa I0 aumenta con la temperatura aproximadamente

un 7 % por C.
La corriente inversa I0 se duplica aproximadamente por cada 10 C
de aumento de temperatura.
T T1
T1 I 01
I 0 (T ) = I 01 2 10
T I0

La tensin equivalente de temperatura VT tambin aumenta con

la temperatura.

VV
I = I 0 e T 1

Para mantener constante I frente a aumentos de temperatura:

dV
2,5 mV C
dT

RESISTENCIA ESTTICA Y
DINMICA DE UN DIODO
4RESISTENCIA ESTTICA (R)

V
I

R=

=> Parmetro muy variable y poco til

I
pendiente = 1/R

4RESISTENCIA DINMICA (r)

r=

dV
dI

I
pendiente = 1/r

V
V

I = I0 e

V
VT

VT
I

K
I

g=

VT

1 dI
I e
=
= 0
r dV
VT

I0 + I
I

VT VT

K es constante a temperatura constante

Para modelos de pequea seal se puede suponer r constante

R

Vp << V => VD pequeo

VP sen wt

VD

Rf R Forward
Rr R Reverse

I
p = 1/r = 1/Rf

p = 1/Rr

MODELOS DEL DIODO

4DIODO IDEAL
V = 0
V V => Rf = 0
V <V => Rr =

I
I

+
_V
K

K
Directa

K
Inversa

MODELOS DEL DIODO

4DIODO REAL
I
1/Rf

1/Rr

D1 y D2 son ideales
V V => V = V + IRf
V < V => V = V + IRr

D1

D2

V
Rf

Rr
V

_
K

Modelos intermedios: Rf = 0 Rr = V = 0 combinaciones

CAPACIDAD DE LA ZONA DE CARGA

ESPACIAL O TRANSICIN

La anchura de la zona de carga espacial y por lo tanto la carga aumenta

con la tensin inversa, lo cual equivale a un efecto de capacidad:

CT =

dQ
dVI

donde CT es la capacidad de transicin

q N A W p A = q N D Wn A

VI

N A W p = N D Wn
p

dE q N D
= =
dx

n
ND

Densidad de carga

-Wp

Wn

NA >> ND
-NA

Intensidad de campo
E

q ND

Wp << Wn W

Potencial
V

q ND

Wn

E=

Vj
0

x+K

E (x = W ) = 0
K =

W
-Wp

E=

q ND

(x W ) =

CT =

dQ
A
=
dVI
W

dV
dx

4DIODOS DE CAPACIDAD VARIABLE

(Varicaps: Variable Capacitors) (Varactores)

CT =

A
=
W

A
2
q ND

Vj

Cte
Vj

Si Vj aumenta entonces CT disminuye (rango de pF)

Aplicaciones varicaps: Filtros variables
sintonizadores LC radiofrecuencia (VHF, UHF)

CAPACIDAD DE DIFUSIN
En polarizacin directa, si VD aumenta implica que aumenta la
concentracin de minoritarios en ambos lados de la unin.
Esto implica que aumenta la carga almacenada Q producindose
tambin en este caso un efecto capacitivo exceso de carga de

I=

Concentracin

portadores minoritarios
tiempo de vida medio
de los portadores

pno
npo
x=0

resistencia
dinmica
de la unin

dQ dI
=
=
CD =
dV
dV
r

CD = CDp + CDn =

p
r

n
r

CD (orden de F) es mucho mayor que CT (puede llegar a nF)

TIEMPOS DE CONMUTACIN DEL

DIODO

CD >> CT
Es mucho ms importante el tiempo de recuperacin al
pasar de conduccin directa a inversa que al revs

10

+
+
Vi
_

Vi
VF

VD _

RL

t1

t3 t

t2

-VR
pn - pno
en la unin

trr tiempo de recuperacin

en inversa (ns o s)
Tiempo
almacenamiento

trr = ts + tt

t
IF

VF
RL

ts

I0

VR
IR
RL

tt

VD

Tiempo
transicin

t
-VR

DIODOS DE AVALANCHA O ZENERS

Son diodos con suficiente capacidad de disipacin para trabajar en la
zona de conduccin inversa.
Se utilizan como estabilizadores de tensin
IL

ID

+
I

IZ
R L VZ

V
-VZ

_
IZmin

VD

IZ

Si

IZmax

Si

RL => IZ
RL => IZ
V => IZ
V => IZ

=> VZ constante

=> VZ constante

11

MODELOS DEL ZENER

4ZENER IDEAL
V = 0
V V => Rf = 0
-VZ < V <V => Rr =
V -VZ => Rz = 0

I
I

A
IZ

+
V

-VZ

_
V
K

K
K
Directa Inversa

A
_

VZ
+
K
Regulacin

4ZENER REAL
I
1/Rf
-VZ
1/Rz

1/Rr

D1

D2

D3

D1, D2 y D3 son ideales

V V => V = V + IRf
-VZ < V < V => V = V + IRr
V -VZ => V = -VZ + IRz

VZ

Rf

Rr

Rz

_
K

12

MECANISMOS PARA QUE SE PRODUZCA

LA AVALANCHA DEL DIODO
4MULTIPLICACIN POR AVALANCHA (creacin por choque)
* Diodos poco impurificados
* VZ > 6V
* Zona de carga espacial ancha
* Coeficiente de temperatura positivo
4RUPTURA ZENER (campo elctrico elevado, E 2107 V/m)
* Diodos muy impurificados
* VZ < 6V
* Zona de carga espacial estrecha
* Coeficiente de temperatura negativo

CIRCUITOS DE REFERENCIA DE TENSIN

4Tensiones de referencia inferiores a 2 V.

IL
+

RL

VREF < 2V.

13

4Pequeo coeficiente de temperatura

IL
+

RL

VREF .

- Zener de multiplicacin por avalancha => Coeficiente de temperatura positivo

(T. aumenta -> VZ aumenta)
- Diodo en directa => Coeficiente de temperatura negativo
(T. aumenta -> VD disminuye)

4Tensiones de referencia altas

IL
+

RL

VREF .

- Menor disipacin que con un nico zener de VZ elevada

- Menor coeficiente de temperatura combinando los dos tipos de zener
(Multiplicacin por avalancha y ruptura Zener)
- Menor resistencia que con diodos en directa

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FOTODIODOS SEMICONDUCTORES
I = I0 + IS

VD = VA I D RL

I D = 0 VD = VA

VD = 0 I D =

ID
VA

-> recta de carga

RL

VA
RL

VA
RL

ID (Inversa)

Iluminacin
constante
Iluminacin

+
VD
_

Sombra
VA

VD
(Inversa)

La respuesta es la misma que las clulas fotoconductoras:

% de pares e--h+ creados

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DIODOS EMISORES DE LUZ

(LED)
* Se denominan diodos LED (Light Emitting Diode)

* Uniones P-N polarizadas en sentido directo con elevada

impurificacin (V 1 V.)
* Materiales especiales para producir luz en la recombinacin,
como por ejemplo el AsGa (Arseniuro de Galio)
* Tensiones inversas bajas -> destruccin por sobretensin
* Corrientes reducidas (tpicas de 10, 20 mA) -> destruccin
por sobrecorriente

MONTAJES PRCTICOS CON LEDs

EQUIPO
ELECTRNICO

EQUIPO
ELECTRNICO

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