Resumo Avionica ( Eletronica )

CAPITULO 1
CIRCUITOS REATIVOS
Resistor = um componente eletrnico que consome energia eltrica e
dissipa em forma de calor.
Resistor se ope a corrente eltrica. Sua relao entre a corrente e
a tenso est em FASE.
Capacitor = componente que armazena energia atravs de campo
eletrosttico. Unidade Farad
Capacitancia = unidade da capacitncia tambm o farad e quanto maior
a capacitncia , maior a oposio variao de tenso.
Reatancia capacitiva (XC) a oposio que o capacitor eferece na
corrente eltrica ALTERNADA . medida em ohms.
Comportamento do capacitor em C.A = funciona como curtocircuito.
Comportamento do capacitor em C.C = funciona como chave aberta.
Relacao entre tenso e corrente = em um capacitor a TENSAO esta
atrasada 90 graus em relao a corrente.
Indutor (L)= componente eletrnico que armazena energia atravs de
campo magntico unidade de medida o Henry. Ele tambm se ope a
variao da corrente.
Reatancia Indutiva (XL) = a oposio que o indutor apresenta
corrente eltrica ALTERNADA . A Reatancia medida em OHMS .
Comportamento do Indutor em C.C = curto-circuito.
Comportamento do Indutor em C.A = chave aberta.
Relacao entre tenso e corrente = em um indutor a TENSAO esta adiantada
90 graus em relao a corrente.

CIRCUITOS RESISTIVOS E REATIVOS.

Circuitos resistivos = constitudos apenas por resistores.
Circuitos Reativos = constitudos por resistores, capacitores e/ou
indutores.

Circuito RC = circuito reativo resistor /capacitor.

Circuito RL = circuito reativo resistor /indutor.
Circuito RLC = circuito reativo resistor /capacitor/ indutor.
Impedancia (Z) = Em um circuito reativo a oposio total passagem de
corrente eltrica chamada de impedncia.
POTENCIA ELETRICA
RESISTIVOS.

EM

CIRCUITOS

REATIVOS

Potencia em circuitos resistivos = no circuito resistivo a energia

fornecida pela fonte de tenso inteiramente dissipada em forma de calor
pelas resistncias.
Potencia em circuitos reativos = no circuito reativo parte da energia
entregue pela fonte de req dissipada em forma de calor pelos resistores
e parte dessa energia armazenada pelos capacitores e indutores.
Potencia Aparente (PA) = unidade de medida o Volt Ampere (VA) . Em
circuito Reativo o calculo da (PA) utiliza a impedncia do circuito tanto a
energia dissipada pelo resistor quanto as energias armazenadas pelos
indutores e/ou capacitores.
Potencia Real (PR) = unidade de medida o WATT (W). Em circuito
tambm REATIVO a potencia real aquela que dissipada em forma de
calor pelos resistores, ou seja , considera-se apenas os resistores.
Fator de Potencia (FP) = a RELACAO entre a potencia real e a potencia
aparente, quanto Maior o fator de potencia , melhor a qualidade do circuito.
Frequencia de Corte = em qualquer circuito reativo as freqncias das
reatncias indutivas e capacitivas so diferentes , ou seja, freqncia de
corte provoca uma diviso por igual da tenso da fonte ,ou seja, metade da
tenso vai para a parcela reativa e a outra metade para a parcela resistiva
do circuito. Quando isso acontece a (PR) potencia real CAI para a metade
de seu valor Maximo. Essa situao denomina se PONTO DE MEIA
POTENCIA OU PONTO 0,707.
CIRCUITO REATIVO SERIE
Em um circuito serie a CORRENTE a MESMA em todos os PONTOS
do circuito , com isso , a corrente ser REFERENCIA quando o assunto for
ngulo de fase entre tenso e corrente.

Circuito RL serie = Quando ligamos um indutor em serie com um resistor,

a queda de tenso no resistor estar em fase com a corrente, e a queda de
tenso no indutor estar adiantada em 90 graus.
Circuito RC serie = Quando ligamos um capacitor em serie com um
resistor, a queda de tenso no resistor estar em fase com a corrente, e a
queda de tenso no capacitor estar atrasada (defasada) em 90 graus
Circuito RLC ou RCL serie = Quando ligamos capacitores, resistores e
indutores em serie, a queda de tenso no capacitor estar atrasada 90 graus
em relao a corrente, a queda de tenso no indutor estar adiantada 90
graus em relao a corrente e a queda de tenso no resistor estar em fase
com a corrente.
CLASSIFICAO DOS CIRCUITOS RCL EM SERIE:
*Quando XL for maior que XC ou EL maior que EC temos : ngulo(0)
positivo,circuito RL
*Quando XC for maior que XL ou EC maior que EL temos : ngulo(0)
negativo,circuito RC
*Quando XL for igual XC ou EL igual EC temos : ngulo(0) igual a
zero,circuito resistivo.
RESSONANCIA EM SERIE = Quando as reatncias indutivas e
capacitivas so iguais elas se anulam, dessa forma o circuito RLC fica
ressonante ou FREQUENCIA RESSONANTE. A impedncia total passa a
ser apenas a resistncia no circuito.
SELETIVIDADE = A seletividade caracterstica de um receptor de
selecionar um sinal de freqncia e determinada pelos circuitos
ressonantes. Quanto MENOR a resistncia hmica de um circuito RCL
MAIOR sua SELETIVIDADE, ou seja , dessa forma o INDUTOR o Q
Fator de qualidade no circuito ressonante, quando ele for maior a
seletividade de freqncia melhor, denominando se a LARGURA DA
FAIXA OU FAIXA DE PASSAGEM DO CIRCUITO (BAND WIDTH).
CIRCUITOS REATIVOS EM PARALELO.
Em um circuito paralelo a TENSAO a MESMA em todos os PONTOS
do circuito , com isso , a TENSAO ser REFERENCIA quando o assunto
for ngulo de fase entre tenso e corrente.
Circuito RL paralelo = Quando ligamos um indutor em paralelo com um
resistor, a corrente no resistor estar em fase com a queda de tensao, e a

corrente no indutor estar atrasada (defasada) em 90 graus em relao a

tensao.
Circuito RC paralelo = Quando ligamos um capacitor em paralelo com
um resistor, a corrente no resistor estar em fase com a tensao, e a corrente
no capacitor estar adiantada em 90 graus em relao a queda de tenso
Circuito RLC ou RCL paralelo = Quando ligamos capacitores, resistores
e indutores em serie, a corrente no capacitor estar adiantada 90 graus em
relao a queda de tenso ,a corrente no indutor estar atrasada 90 graus em
relao a tensao e a corrente no resistor estar em fase com a queda de
tensao.
CLASSIFICAO DOS CIRCUITOS RCL EM PARALELO:
*Quando XL for menor que XC ou IL maior que IC temos : ngulo(0)
negativo,circuito RL
*Quando XC for menor que XL ou IC maior que IL temos : ngulo(0)
positivo,circuito RC
*Quando XL for igual XC ou IL igual IC temos : ngulo(0) igual a
zero,circuito resistivo.
RESSONANCIA EM PARALELO = Quando as reatncias indutivas e
capacitivas so iguais elas se anulam, dessa forma o circuito RLC fica
ressonante ou FREQUENCIA RESSONANTE. Situacao em que as
correntes no capacitor e no indutor so iguais IC=IL.
CIRCUITO TANQUE IDEAL
(LC PARALELO)
Chama-se circuito tanque qualquer associao LC em PARALELO. A
designao tanque resulta da capacidade que tem os circuitos LC de
armazenar energia. Um circuito tanque ideal possui resistncia hmica
igual a zero (R=0), e no existe na prtica.
Quando um circuito tanque alimentado por uma fonte de tenso alternada,
existem dois caminhos para a corrente eltrica circular, pelo capacitor e
pelo indutor.
Se a fonte de CA operar em baixa freqncia, a maior parte da corrente
circular pelo indutor do que pelo capacitor, porque XL menor do que
XC. Se, porm, a fonte de CA operar em alta freqncia, a maior parte da
corrente circular pelo capacitor porque XC menor do que XL.

Para uma determinada freqncia a reatncia indutiva ser igual

reatncia capacitiva (XL = XC), logo, o circuito entra em ressonncia.
Uma vez estando o circuito em ressonncia, a corrente atravs do indutor e
do capacitor igual (IL = IC), porm defasadas de 180.
Assim sendo, a corrente total de IL e IC igual a zero.
Assim, nesse circuito ressonante em paralelo hipottico, a impedncia do
circuito ser infinita e no haver corrente de linha. Entretanto, haver uma
corrente circulatria no tanque apesar de nenhuma corrente ser fornecida
pela fonte (ciclo vicioso). Depois da carga inicial do capacitor, ele se
descarrega sobre o indutor. A energia que percorre o indutor armazenada
em seu campo magntico. O campo magntico resultante em torno do
indutor age como fonte de energia para recarregar o capacitor. Essa
transferncia de energia entre os dois elementos continua na freqncia de
ressonncia sem qualquer perda. O sistema est em estado oscilatrio. Um
circuito tanque ideal no existe, pois sempre existe alguma resistncia
hmica no circuito tanque, tornando a impedncia menor que infinito e
provocando perdas. A ressonncia nos circuitos paralelos chamada de
anti-ressonante, por serem seus efeitos exatamente opostos aos observados
nos circuitos em srie.
IMPEDANCIA NO CIRCUITO TANQUE.
LC PARALELO.
A impedncia de um circuito paralelo difere de um circuito serie.Em serie
quando se tem uma grande quantidade de reatncia indutiva faz com que o
circuito haja indutivamente, j em paralelo nas mesmas condies ou seja ,
grande quantidade de reatncia indutiva quem predomina a reatncia
capacitiva pois a corrente maior no ramo capacitivo.A largura da faixa ou
faixa ressonante so iguais em serie e paralelo e o fator de qualidade ``Q``
tanto no circuito ressonante serie como no paralelo funciona da mesma
forma , quanto maior ``Q`` maior seletividade.
FILTROS DE FREQUENCIA
A funo de um filtro de freqncia efetuar a separao de determinadas
freqncias de componentes de C.C dos de C.A.
Filtro Passa-Baixa = esse filtro destina se a conduzir freqncia abaixo da
freqncia de corte.
Filtro Passa-Alta = esse filtro destina se a conduzir freqncia acima da
freqncia de corte.
FILTROS DE CIRCUITOS SINTONIZADOS OU RESSONANTES

No circuito ressonante a caracterstica a tima seletividade e se tornam

ideais para filtros de reqncia, em serie se tem uma baixa impedncia
corrente em que esta SINTONIZADA e uma Grande impedncia no
RESTO das correntes do circuito. J no PARALELO o contrario.
Filtro Passa- faixa = ou passa banda deixa passar correntes dentro dos
limites de uma faixa continua.
Filtro Corta-Faixa = so destinados a suprir as correntes de todas as
freqncias dentro de uma faixa continua limitada.

CAPITULO 2
OSCILOSCOPIO
O osciloscpio um instrumento de medio bsico, permite observar
valores e formas de sinais em qualquer ponto do circuito.Consiste de um
TRC (tubo de raios catdicos) e ampliadores auxiliares.
TRC = o TRC a parte mais importante do osciloscpio , um tubo de
vidro com tela de fsforo , no seu interior contem um alto vacuo que
direciona o feixe de eltrons.
Canhao eletrnico = fica dentro do TRC, ele que direciona o feixe de
eltrons pra tela do TRC , o canhao possue um filamento , um catodo (-),
uma grade e 2 anodos (+) , o primeiro anodo focalizador e o segundo anodo
acelerador altamente positivo. A finalidade da tela do TRC transformar
energia cintica do eltron em energia luminosa.Para ter a cor verde na tela
usado silicato de zinco , e na parte interior do tubo com exceo da tela
existe uma cobertura de AQUADAC que tem a funo de devolver o
excesso de eltrons para o catodo.
DEFLEXAO VERTICAL E HORIZONTAL
Se o TRC no tivesse a deflexo vertical e horizontal , o feixe de eltrons
emitido pelo canhao do TRC produziria um ponto luminoso no centro da
tela. Existem 2 tipos de deflexo :
Eletrostatico e Eletromagnetico
Circuito gerador de Base de Tempo ou gerador dente de serra = tem a
finalidade de mover o feixe da esquerda para a direita em uma velocidade
uniforme, esse movimento chama-se Varredura Linear.

CAPITULO 3
REQUISITOS PARA ANLISE DE CIRCUITOS
Fontes ou Geradores de TENSAO CONSTANTE = o equipamento
destinado a fornecer tenso constante chamado de EQUIVALENTE DE
THEVENIN. Fonte de tenso ideal no existe , fonte de tenso real possui
resistncia interna maior que zero.
Fontes ou Geradores de CORRENTE CONSTANTE = o equipamento
destinado a fornecer corrente constante chamado de EQUIVALENTE DE
NORTON. Fonte de corrente ideal no existe , fonte de corrente real possui
resistncia interna menor que infinito.

TEOREMAS
LEI DE KIRCHOFF
Primeira lei de Kirchoff lei dos Ns = a soma das correntes que entra em
um N IGUAL a soma das correntes que saem do N.
Segunda lei de Kirchoff lei das Malhas = em qualquer circuito fechado ,
a soma lgebra de das quedas de potencial deve ser igual a das elevaes de
potencial.
TEOREMA DA SUPERPOSICAO
Em qualquer REDE contendo uma ou mais fonte de TENSAO ou
CORRENTE , a corrente em qualquer elemento do circuito a soma
lgebra das correntes que seriam causadas por cada fonte individual.
TEOREMA DE THEVENIN
Qualquer circuito por mais COMPLEXO que seja, poder ser representado
por um circuito equivalente simples , constitudo por um GERADOR DE
TENSAO (ETH) em serie com uma resistncia interna (RTH)
TEOREMA DE NORTON
Qualquer circuito por mais COMPLEXO que seja, poder ser representado
por um circuito equivalente simples , constitudo por um GERADOR DE
CORRENTE (IN) em paralelo com uma resistncia interna (RN)
OBS: O circuito THEVENIN pode ser convertido no circuito
NORTON,para isso necessrio igualar as resistncias internas e aplicar a
lei de OHMS.

TEOREMA DA MAXIMA TRANSFERENCIA DE ENERGIA

A mxima POTENCIA transferida por uma fonte para uma carga ocorre
quando a IMPEDANCIA da carga for IGUAL a IMPEDANCIA da
FONTE.

CAPITULO 4
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
Os semicondutores so a base da eletrnica moderna, pois diodos,
transistores, circuitos integrados e muitos outros dispositivos so
construdos tendo por base o silcio e o Germanio, o cristal semicondutor
mais utilizado.
Ligaes covalentes
O silcio e o germnio so tetravalentes, ou seja, possuem quatro eltrons
nas suas camadas de valncia. Para que os tomos de silcio e germnio se
tornem estveis, necessrio que ambos completem as suas camadas de
valncia com oito eltrons. Os tomos de silcio e germnio conseguem
esse objetivo formando uma estrutura chamada de rede cristalina, onde um
tomo central compartilha um eltron com cada um de seus quatro
vizinhos.O silcio e o germnio nascem isolantes, e passam a serem
condutores quando so adicionados impurezas.
O efeito da temperatura sobre os semicondutores
A rede cristalina ou o compartilhamento do eltron que torna o tomo
estvel s acontece na temperatura de zero absoluto. Se aplicarmos uma
d.d.p (TENSAO) em um cristal semi condutor PURO, obteremos uma
corrente eltrica proporcional temperatura que o cristal suporta.Para uma
mesma temperatura , a corrente que circula no Germanio muito Maior do
que a corrente que circula no Silicio, o que indica que as ligaes
covalentes do silcio so muito mais estveis do que o germnio.
DOPAGEM DO CRISTAL SEMI-CONDUTOR.
um processo qumico com a finalidade de adicionar ``impurezas`` no
interior da estrutura cristalina do semicondutor a fim de se obter tipos de
cristais com caractersticas positivas e negativas que juntas iro formar os
diversos tipos de componentes semicondutores.
DOPAGEM COM ELEMENTO PENTAVALENTE TIPO (N)

Quando um cristal semicondutor dopado com impurezas pentavalentes ou

DOADORAS ( Fosforo ou Arsenio), obtemos um cristal tipo N , pois
possue grande nmeros de eltrons livres 5 eletrons na camada de
valencia. Importante : Dessa forma os Portadores tipo N (Eletrons) so
MAJORITARIOS , e o tipo P MINORITARIOS.
DOPAGEM COM ELEMENTO TRIVALENTE TIPO (P)
Quando um cristal semicondutor dopado com impurezas Trivalentes ou
ACEITADORAS ( INDIO ou GALIO), obtemos um cristal tipo P , pois
possui grande nmeros de Lacunas ou falta de eletrons livres ou seja 3
eletrons na camada de Valencia, dessa forma o conjunto do tomo
permanece eletricamente neutro.Importante : Dessa forma os Portadores
tipo P (Lacunas) so MAJORITARIOS , e o tipo N MINORITARIOS.
OBS:
Depois de dopados os semicondutores tipo N ou tipo P podem ser usados
como diodos, transistores etc.
Junes PN
Quando um cristal tipo N unido a um cristal tipo P, alguns eltrons livres
do cristal N invadem o cristal P. Ao sarem do cristal N, estes eltrons
formam ons positivos neste cristal e ao entrarem no cristal P, completam
uma lacuna e formam um on negativo neste cristal. Essa combinao de
portadores acaba formando uma barreira de ons (Camada De Deplexao) na
fronteira entre os dois cristais e continua at que a quantidade de ons
negativos no cristal P acaba por repelir e impedir a passagem dos eltrons
livres do cristal N.
Camada de depleo: A regio da fronteira entre os dois cristais onde
ficaram depositados os ons chamada de camada de depleo.
Barreira de potencial: Podemos dizer que barreira de potencial fora com
que os ons negativos do cristal P repelem os eltrons livres do cristal N e
os impedem de atravessar a juno. Para vencer esta fora, necessria a
aplicao de uma diferena de potencial de 0,7V para os diodos de silcio e
de 0,2V para os diodos de germnio.
OBS: Em polarizao reversa a camada de deplexao tende se a expandir
,aumentando ainda mais a barreira de potencial, impedindo a passagem de
eltrons.
Polarizao direta de uma juno PN

Quando ligamos o terminal negativo da fonte de tenso no cristal N e o

terminal positivo no cristal P e aplicamos uma diferena de potencial maior
do que o valor da barreira da potencial (0,7V para diodos de silcio e 0,2V
para diodos de germnio), estamos polarizando diretamente a juno PN.
Todo diodo (juno PN) polarizado diretamente apresenta uma resistncia
muito baixa e conduz a corrente eltrica intensamente.
Polarizao inversa da juno PN
Quando o terminal positivo da fonte aplicado ao cristal N e o terminal
negativo ao cristal P, a juno (diodo) est reversamente polarizada e seu
comportamento anlogo ao de uma chave aberta, no apresentando
conduo de corrente eltrica.
Diodo retificador
Existem muitos tipos de diodos, tais como o diodo zener, o SCR, o
fotodiodo entre outros, porm um dos mais utilizados o diodo retificador.
O anodo (positivo) um cristal do tipo P e o catodo (negativo) um cristal
do tipo N.
Ruptura da juno PN
Os diodos possuem limitaes que no podem ser ultrapassadas, sob pena
de destruio da juno PN. A ruptura da juno de um diodo pode ser
causada por vrios fatores como corrente direta alm da suportada, tenso
reversa acima da tenso de ruptura e ruptura por efeito trmico.
Aumento da corrente direta alm da mxima suportada: Um dos efeitos da
corrente eltrica o efeito joule, que o aumento da temperatura com o
aumento da corrente.
Aumento da tenso reversa acima da tenso de ruptura:. Dois eltrons
libertam quatro, quatro libertam oito e este ciclo provoca um efeito de
avalanche ou break down que provoca a destruio da juno.
Ruptura por efeito trmico: Na ruptura por efeito trmico, o aumento da
temperatura provoca um aumento dos portadores minoritrios e da corrente
reversa. O aumento da corrente provoca um novo aumento da temperatura
e este ciclo acaba por destruir a juno PN por dissipao excessiva de
potncia.

CAPITULO 5

FONTES DE FORA ELETRICA

Tipos de fonte de fora:
Existem basicamente trs tipos de fonte de fora CC:
Pilhas e baterias: Convertem energia qumica em energia eltrica CC.
Geradores CC: Convertem energia mecnica em energia eltrica CC.
Fontes de fora eletrnica: Convertem tenso CA em CC, CC em CA ou
CC em CC.
CA em CC: Representa a maioria das fontes de fora eletrnica. A energia
CA geralmente provm da rede de 110/220V 60Hz.
CC em CA: mais conhecido como inversor. Este dispositivo necessrio
quando se necessita de energia CA e s se dispe de baterias e pilhas como
fonte de energia, ou seja, s de energia CC.
CC em CC: mais conhecido como conversor CC-CC. utilizada quando
est disponvel apenas tenso contnua de pilhas ou baterias e se faz
necessria uma tenso contnua de valor mais alto que a fornecida.
Tenso alternada senoidal
Ciclo: Ciclo um conjunto de valores que se repetem periodicamente.
Semiciclos: A parte do ciclo acima do eixo dos tempos chamada de
semiciclo positivo e a parte do ciclo abaixo do eixo dos tempos chamada
de semiciclo negativo.
Perodo (T): o tempo necessrio para completar um ciclo. A unidade do
perodo o segundo (s).
Freqncia: o nmero de ciclos que ocorrem por segundo. A unidade da
freqncia o Hertz (Hz).
Valor eficaz: Se considerarmos uma tenso alternada e uma tenso
contnua de mesmo valor alimentando um mesmo resistor, perceberemos
que a dissipao de potncia diferente e expressa pela relao: Vef =
0,707 . VP
Etapas de uma fonte de fora CA-CC

1)

Ajuste da amplitude da tenso CA: Esta etapa abaixa ou eleva

amplitude da tenso alternada por meio de um transformador.

2)

Retificao: Na etapa de retificao, a tenso alternada transformada

em tenso contnua pulsante por meio de diodos retificadores.

3)

Filtragem: Na etapa de filtragem, a tenso contnua pulsante filtrada e

transformada em contnua pura por meio de um capacitor, uma combinao
de capacitores e indutores ou uma combinao de capacitores e resistores.

4)

Regulagem: A etapa de regulagem garante uma tenso constante para a

carga, independente de variaes de tenso na entrada CA ou das variaes
de resistncia da prpria carga.
Ajuste da amplitude da tenso alternada
O ajuste da amplitude da tenso alternada em uma fonte de fora eletrnica
feito por um transformador. Em um transformador, a potncia do primrio
igual a potncia do secundrio e a elevao ou abaixamento da tenso
conseguido atravs do nmero diferente de espiras para o primrio e para o
secundrio.
Retificao
Retificador de meia onda
O diodo retificador (TRANSFORMA DE AC PARA DC PULSANTE NA
SAIDA E SUA FINALIDADE FUNCIONAR COMO CHAVE NO
CIRCUITO) possui a caracterstica de conduzir a corrente eltrica quando
est polarizado diretamente (Positivo no anodo e negativo no catodo), e de
impedir a circulao da corrente eltrica quando est polarizado
inversamente (Negativo no anodo e positivo no catodo). Para um
determinado semiciclo da tenso alternada de entrada o diodo est
polarizado diretamente, conduzindo a corrente eltrica atravs da carga
(RL). Para o semiciclo oposto, o diodo est polarizado reversamente,
bloqueando a circulao da corrente eltrica. O retificador de meia onda
possui baixa eficincia, pois apenas um semiciclo do sinal de entrada
transmitido para a carga. A tenso de sada de um retificador de meia onda
chamada de tenso contnua pulsante de meia onda, e possui freqncia
igual a da tenso de entrada. A tenso mdia de sada de um retificador de
meia onda igual a 0,318 vezes a tenso de pico (Vp). O diodo dever
suportar uma tenso reversa superior tenso de pico do secundrio do
transformador (VP). A vantagem do retificador de meia onda a
simplicidade, pois utiliza apenas um diodo.

Retificador de onda completa

Um retificador de onda completa utiliza um transformador que possui no
enrolamento de secundrio uma tomada central (center-tape), e dois diodos
retificadores. A tenso total fornecida pelo secundrio de um transformador
com center-tape o dobro da tenso fornecida para a carga. Em um
retificador de onda completa, cada diodo retificador conduz
alternadamente, e a carga recebe os dois semiciclos da tenso da rede. A
tenso de sada de um retificador de onda completa chamada de tenso
contnua pulsante, e possui freqncia igual ao dobro da freqncia da
tenso de entrada. A tenso mdia de sada de um retificador de onda
completa igual a 0,636 vezes a tenso de pico (Vp). Os diodos
retificadores devero suportar uma tenso reversa superior tenso de pico
(VP). A vantagem do retificador de onda que todos os semiciclos da
tenso de entrada so transmitidos para a carga.
Retificador em ponte (NO USA CENTER TAP)
Um retificador em ponte utiliza quatro diodos retificadores em uma
configurao chamada de ponte, NO USA transformador com centertape. A tenso mdia de sada de um retificador em ponte igual a 0,636
vezes a tenso de pico (Vp). Os diodos retificadores devero suportar uma
tenso reversa superior tenso de pico (VP). A vantagem do retificador
em ponte que todos os semiciclos da tenso de entrada so transmitidos
para a carga.
Filtragem
A funo do circuito de filtro transformar a tenso contnua pulsante
proveniente do retificador em uma tenso contnua pura.
Fator de ripple: Podemos considerar o ripple ou tenso de ondulao
como sendo uma forma de onda no senoidal sobreposta ao nvel mdio
CC.
Geralmente, usa-se como regra um ripple mximo de 6% da tenso da
fonte.
Filtro a capacitor
O filtro mais simples e mais empregado o filtro a capacitor. O capacitor
um componente eletrnico que possui a caracterstica de se opor variao
da tenso.

C = Valor do capacitor de filtro em Farads. I = Corrente CC na carga em

ampres.
t = Perodo da tenso de ondulao CA, em segundos.
Er = Mxima tenso de ondulao (ripple) pico-a-pico permitida, em volts.
Podemos perceber que quanto maior o perodo, maior o valor do capacitor
necessrio para a filtragem. Quanto maior o capacitor empregado na
filtragem, menor o ripple ou tenso de ondulao na tenso contnua de
sada. O capacitor dever suportar uma tenso reversa superior tenso de
pico (Vp).
Filtros LC e RC
Embora o filtro a capacitor seja o mais simples, pode-se melhorar a
filtragem usando-se indutores (choques) e resistores em combinao com
ele. Um choque reduz a amplitude do ripple, pois o indutor possui a
caracterstica de ser opor a variao de corrente. A vantagem dos filtros LC
e RC a diminuio do ripple. A desvantagem do filtro LC o tamanho e o
peso dos indutores necessrios e a desvantagem do filtro RC a perda de
energia na resistncia do conjunto.
Regulagem
Os circuitos de regulagem impedem que qualquer variao da tenso de
entrada CA seja transferida para a sada CC e tambm que variaes da
corrente de carga afetem a qualidade e a amplitude da tenso de sada. Os
circuitos reguladores utilizam diodos zener ou circuitos integrados como
referncia de tenso e transistores de passagem para aumentar a capacidade
de fornecimento de corrente da fonte de fora eletrnica.
Tipos de proteo contra sobrecarga
As protees mais utilizadas so os fusveis e os disjuntores (circuit
breakers). Quanto a velocidade de rompimento, os fusveis podem ser
classificados em trs faixas: ao retardada, retardo mdio e alta
velocidade. A diferena entre os disjuntores e os fusveis que os
disjuntores podem ser rearmados mecanicamente, isto , o disjuntor no se
queima, ele se desarma.

Captulo 6
Transistor de juno

Transistor de juno bipolar ( TJB )

Os transistores so componentes eletrnicos construdos a partir de cristais
semicondutores, principalmente o silcio e o germnio. Sua funo
amplificar a corrente eltrica, sendo empregado principalmente em
amplificadores, osciladores e no interior de circuitos digitais.
Existem dois tipos de transistores de juno bipolar, o NPN e o PNP.
NPN seta pra fora

PNP seta pra dentro

Os transistores possuem trs terminais: coletor, base e emissor.

Caractersticas gerais dos transistores de juno bipolar ( TJB )
Para funcionar corretamente, os TJBs necessitam da polarizao adequada:
Juno base-emissor: Dever ser polarizada diretamente. Possui uma
queda de tenso de 0,7V nos transistores de silcio e de 0,2V nos
transistores de germnio..
Juno base-coletor: Dever ser polarizada reversamente.
IE= IB+IC
A corrente que circula pelo terminal emissor igual soma das correntes
da base e do coletor.
VCE= VBE+VBC
A queda de tenso entre os terminais de emissor e coletor igual soma
das quedas de tenso entre base e emissor e base e coletor.
Tipos de configurao
Os transistor pode ser ligado ao circuito de trs maneiras diferentes:
BASE COMUM EMISSOR COMUM COLETOR COMUM
OBS O BETA O GANHO DO TRANSISTOR , o ganho se da sempre na
relao de TENSAO DE ENTRADA E TENSAO DE SAIDA.
Cada configurao apresenta vantagens e desvantagens.
Base comum: (VBC) O sinal aplicado entre emissor e base e retirado
entre coletor e base. Apresenta ganho de corrente menor do que a unidade e
ganho de tenso elevado. IMPORTANTE : baixa impedncia de entrada

(Z) e Alta (Z) de saida. Amplificao DE CORRENTE igual a UM sem

defasagem de sinal.
Coletor comum:(VCC) O sinal aplicado entre base e coletor e retirado
entre emissor e coletor. Apresenta ganho de corrente elevado e ganho de
tenso menor do que a unidade. ALTA impendancia de Entrada e Baixa
impedncia de sada. Amplificao DE TENSAO igual a UM sem
defasagem de sinal
Emissor comum: (VCE) O sinal aplicado entre base e emissor e
retirado entre coletor e emissor. Apresenta ganho de corrente e tenso
intermedirios, podendo ser usado como amplificador de corrente ou
tenso.. IMPORTANTE : Media impedncia de entrada (Z) e Alta (Z) de
sada , Esta configurao apresenta uma defasagem de 180 entre a tenso
de entrada e sada , pode amplificar o sinal de sada ate CENTENAS DE
VEZES O MAIS USADO.
OBS IMPORTANTE: A CORRENTE DE FUGA (ICO) COMUM NOS
TRANSISTORES DEVIDO AOS PORTADORES MINORITARIOS. A
PRINCIPAL CORRENTE DE FUGA A DE COLETOR PARA BASE
(ICBO). VARIOS SISTEMAS SO USADOS PARA MANTER A IC
CONSTANTE OU MESMO COM O AUMENTO DA ICO,UTILIZANDO
SISTEMAS DE REALIMENTACAO CONTINUA CC.
Curvas caracterstica do transistor de juno bipolar
A configurao emissor comum a mais utilizada das trs configuraes,
portanto, exemplificaremos as curvas caractersticas dos transistores de
juno bipolar nesta configurao.
Curva caracterstica de entrada
A curva de entrada relaciona a tenso de entrada, a corrente de entrada e a
tenso de sada.
Na configurao emissor comum, a tenso de entrada VBE (tenso entre
base e emissor), a corrente de entrada IB (corrente de base) e a tenso de
sada VCE (tenso entre coletor e emissor).
Curva caracterstica de sada
A curva de sada relaciona a tenso de sada, a corrente de sada e a
corrente de entrada.

Na configurao emissor comum, a tenso de sada VCE (tenso entre

coletor e emissor), a corrente de sada IC (corrente de coletor) e a
corrente de entrada IB (corrente de base).
Curva de mxima dissipao de potncia
A potncia dissipada por uma transistor definida pela multiplicao da
corrente de coletor pela tenso entre coletor e emissor:
Pmx =
IC . VCE
Reta de carga: A reta de carga traada sobre a curva de sada e determina
os limites mximos (saturao) e mnimos (corte) de trabalho do transistor.
Saturao: Na saturao, a tenso VCE prxima de zero.
Corte: No corte a VCE igual a tenso da fonte de alimentao.
Ponto Quiescente (Q) ou ponto de trabalho: determinado sobre a reta de
carga.

Captulo 7
Estabilizao da polarizao de transistores
Limitaes dos transistores bipolares (TJB)
Como qualquer componente eletrnico, o transistor em funcionamento
normal, no deve ultrapassar os valores limites de tenso, corrente,
potncia, temperatura e freqncia que so fornecidos pelo fabricante, sob
pena de desempenho no satisfatrio, diminuio do tempo de vida ou
mesmo destruio do componente.
Limitaes de correntes
A principal limitao de corrente a corrente de coletor (IC).
Eventualmente, o fabricante pode fornecer, tambm, os valores mximos
das correntes de base (IB) e de emissor (IE).
Limitaes de tenses
Como limitao de tenso, geralmente o fabricante fornece os valores
mximos das tenses entre os trs terminais, ou seja, os valores mximos
de VBE (tenso entre base e emissor), VBC (tenso entre base e coletor) e
VCE (tenso entre coletor e emissor).

VBE: Para VBE, a informao mais importante a tenso mxima reversa,

pois a juno base emissor polarizada reversamente quando o transistor
utilizado como chave.
VBC e VCE: A juno base coletor normalmente polarizada
reversamente, portanto o fabricante fornece os valores mximos reversos
para VCE e VBC.
Avalanche ou breakdown: Quando um componente construdo com base
em cristais semicondutores polarizado reversamente, os portadores
minoritrios (existem em proporo temperatura) so acelerados em
direo camada de depleo. Se a diferena de potencial reversa aumentar
drasticamente, a velocidade dos portadores minoritrios tambm aumenta,
provocando choques entre os portadores minoritrios e os eltrons da
estrutura cristalina. Os choques fornecem energia e liberam mais portadores
que provocam novos choques, levando a destruio do componente
eletrnico. A tenso em que a avalanche comea chamada de tenso de
ruptura.
Os fabricantes especificam as tenses de ruptura entre coletor e base e entre
coletor e emissor.
BVBCO : Tenso de ruptura entre coletor e base. A letra o B significa
breakdown, e a letra O que o emissor est aberto (open).
BVCEO : Tenso de ruptura entre coletor e emissor com a base aberta.
Limitaes de potncia
Esta limitao considerada a mais importante para os transistores. Em um
transistor, a potncia dissipada pelo coletor .A dissipao de potncia em
qualquer componente eletrnico provoca aquecimento. Caso o aumento de
temperatura no transistor no seja controlado, o componente corre um serio
risco de ser danificado. Para limitar a temperatura de trabalho so
utilizados dissipadores de calor, ventoinhas e componentes sensveis
temperatura nos circuitos de polarizao.
Instabilidade trmica dos transistores
Os semicondutores so muito sensveis a temperatura, pois a estabilidade
da rede cristalina s perfeita no zero absoluto. Conforme a temperatura
aumenta, a rede cristalina se torna instvel, liberando eltrons e formando
lacunas. Esses eltrons ou lacunas so diretamente responsveis pela
corrente de fuga nos semicondutores.

Os transistores apresentam uma corrente de fuga indesejvel chamada de

ICBO. Esta corrente flui entre coletor e base estando o terminal de emissor
aberto. Quando o transistor polarizado, esta corrente de fuga
amplificada conforme o ganho do transistor.
Variao do ganho dos transistores
O ganho de um transistor pode sofrer enormes variaes.
Temperatura: Quando a temperatura aumenta, o ganho de um transistor
aumenta.
Corrente de coletor (IC): Quando a corrente de coletor aumenta, o ganho
inicialmente aumenta, porm para valores muito elevados da corrente de
coletor, o ganho passa a diminuir.
Diferenas de fabricao: Para dois transistores iguais, fabricados no
mesmo lote, o ganho pode varias consideravelmente (em torno de 300%).
Podemos concluir que qualquer projeto baseado no ganho de um transistor
ser certamente fracassado, pois o ganho depende da variao da corrente
de coletor e da temperatura.
Polarizao
Em uma primeira anlise, polarizar aplicar as tenses corretas entre as
junes do transistor, ou seja, polarizar diretamente a juno base-emissor e
reversamente a juno base-coletor.
Estabilizao
Estabilizar a polarizao de um transistor construir circuitos de
polarizao auto-ajustveis, para que as variaes da corrente de coletor
(em funo do aumento da temperatura ou variao do ganho) sejam
corrigidas e o ponto Q no mude de lugar ao longo da reta de carga,esse
ponto ``Q`` tem que ficar entre o ponto Maximo (saturao) e o mnimo
(corte) para um bom funcionamento do transistor (TJB).
A corrente de base diretamente proporcional tenso entre base e
emissor. Os mtodos podem variar, mas todos os circuitos de estabilizao
buscam diminuir a VBE, diminuindo assim a corrente de base,
consequentemente ,diminui a corrente de coletor.
Polarizao automtica com RB (Resistor de Base) ligado ao coletor
Esta forma de estabilizao bastante eficiente, possuindo apenas o
inconveniente da realimentao de CA do coletor para a base
Estabilizao por realimentao de CC com RE

Esta polarizao pouco utilizada porque limita a corrente de coletor e a

potncia do circuito.
Polarizao por divisor de tenso
A polarizao por divisor de tenso a mais utilizada porque
praticamente imune s variaes da corrente de coletor. A base do transistor
alimentada por um divisor de tenso estabilizado e a corrente de coletor
determinada fixando-se a corrente de emissor. Esta configurao bastante
utilizada em pr-amplificadores e possui tima qualidade de estabilizao.
Estabilizao da polarizao de estgios de potncia
Dois dispositivos so usados na estabilizao da polarizao de estgios de
potncia: o diodo retificador e os termistores ou resistores NTC.
A corrente de coletor do transistor depende da temperatura. A estabilizao
de estgios de potncia utiliza elementos sensveis temperatura que
alteram a polarizao.
A utilizao dos termistores e dos diodos no circuito visa sempre
diminuio da tenso entre base e emissor (VBE), o que provoca a
diminuio da corrente de base e da corrente de coletor.
Transistores especiais
Transistores de efeito de campo (FET) transistores unipolares
O transistor de efeito de campo, conhecido como FET (Field Effect
Transistor) ou TEC so . As diferenas fundamentais entre os transistores
de efeito de campo (FETs) e os de juno bipolar (TJBs), que nos FETs a
corrente dada pelo fluxo de portadores de um s tipo, e por este motivo,
os transistores de efeito de campo so conhecidos como transistores
unipolares (UJT OU TJU) em contraposio aos demais que so bipolares.
A outra grande diferena que os FETs so transistores controlados pela
tenso, enquanto os TJBs so controlados pela corrente. A principal
vantagem dos transistores de efeito de campo a elevada impedncia de
entrada. Os principais transistores de efeito de campo so: o JFET (Junction
Field Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor).
JFET

O JFET ou TECJ o mais comum dos transistores de efeito de campo. Ele

de silcio, que pode ser do tipo N ou P, possui dreno (drain) e fonte
(source) e a porta (gate) ou gatilho.
MOSFET
O MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ou
IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) o transistor de efeito de
campo mais utilizado em aplicaes que requerem uma altssima
impedncia de entrada. Em um MOSFET, o gatilho est isolado do canal
por uma camada de dixido de silcio (vidro), material altamente isolante, o
que torna a corrente de porta extremamente pequena seja a porta positiva
ou negativa Os transistores MOSFET so amplamente utilizados na
fabricao de circuitos integrados.
Construo
UJT

fsica

do Smbolo do UJT

Oscilador de relaxao

O transistor de juno nica (UJT ou TJU) um dispositivo semicondutor

de trs terminais que tem sua principal aplicao em circuitos osciladores
no senoidais e de comutao. Utilizando o UJT possvel construir um
excelente oscilador de relaxao para controlar o disparo de tiristores.

Captulo 8
Amplificadores transistorizados
Os amplificadores transistorizados ou seja, possuem transistores podem ser
classificados de acordo com a freqncia de operao, a classe de operao,
o sistema de acoplamento e o uso.
Freqncia de operao
Amplificadores de audiofreqncia. Estes amplificadores atuam em
uma faixa de freqncia que vai de 20Hz a 20KHz, usados em receptores
de rdio e intercomunicadores.
Amplificadores de videofreqncia. Estes amplificadores abrangem uma
ampla faixa de freqncia que vai de 30KHz a 6MHz usados em vdeo de
radares e televisores

Amplificadores de radiofreqncia vai de 30KHz at vrios GHz.Estes

amplificadores so usados, em circuitos de sintonia de rdios.
Classe de operao
A classe de operao est relacionada com a posio do ponto Q ao longo
da reta de carga.
Amplificador classe A O amplificador classe A opera durante os
dois semiciclos do sinal de entrada (360).
Amplificador classe B O amplificador classe B opera durante um
semiciclo do sinal de entrada (180).
Amplificador classe C A operao em classe C polarizao inversa
da juno de entrada do transistor (120).
Sistemas de acoplamento
Um simples estgio amplificador, normalmente no suficiente nas
aplicaes em aparelhos receptores, em transmissores e outros
equipamentos eletrnicos. Um ganho mais elevado obtido pelo
acoplamento de vrios estgios amplificadores. A finalidade dos sistemas
de acoplamento o casamento de impedncias entre os estgios e o
isolamento da corrente contnua de uma etapa para outra, permitindo
apenas a passagem do sinal.
Casamento de impedncias
O estgio de entrada deve ter a impedncia igual fonte de sinal e o estgio
final deve ter impedncia igual carga.
Acoplamento RC
Oferecem (Baixa Eficincia), (Resposta de freqncia limitada pelo efeito
shunt ,ou seja , boa qualidade na faixa de audio), (Aplicao
Amplificadores de udio (20 a 20KHz)
Acoplamento por impedncias
igual o acoplamento RC porem sua Aplicao em Amplificadores de
rdio-frequncia (30KHz a vrios GHz).
Acoplamento a transformador

Oferecem (Eficincia Maxima), (Resposta de freqncia considerada

Pobre), (Aplicao tem sido evitada pois caro e pesado)
Acoplamento direto
A eficincia deste tipo de acoplamento depende das resistncias de coletor
e base dos transistores utilizados nos estgios.
Aplicao: Amplificadores de tenso contnua. (abaixo de 10Hz).

Captulo 9
Osciladores transistorizados
Os osciladores so dispositivos cuja funo principal transformar a
energia CC aplicada em energia AC. Entre as infinitas aplicaes dos
osciladores, esto: o osciloscpio, o gerador de freqncia varivel, o
injetor de sinais, a televiso, o rdio-transmissor, o receptor, o radar e o
sonar.
Tanques ressonantes
A oscilao eletrnica feita por um circuito que consiste de uma bobina e
um capacitor ligados em paralelo. Esta ligao chamada de circuito
tanque. aquele ciclo vicioso entre o capacitor e o indutor.
Circuitos osciladores bsicos
Oscilador Armstrong ( SIMPLES )
O oscilador Armstrong o mais simples dos osciladores a transistor. A
freqncia de oscilao a freqncia de ressonncia do circuito tanque.
Oscilador Hartley ( SERIE OU PARALELO )
Neste circuito, a realimentao obtida atravs de uma indutncia dividida
e temos osciladores desse tipo alimentados em srie e em paralelo. A
freqncia de oscilao a freqncia de ressonncia do circuito tanque.
Oscilador Colpitts (PARALELO )
O oscilador Colpitts assemelha-se ao oscilador Hartley alimentado em
paralelo, porm, ao invs de ter o conjunto de indutncia dividida para
realimentao, usa um conjunto de capacitncia dividida. A freqncia de
oscilao a freqncia de ressonncia do circuito tanque.

Cristais osciladores (PIEZOELETRICO)

o efeito piezoeltrico (VIBRACAO) que conseguido quando aplicada
uma diferena de potencial em um cristal oscilador, geralmente o quartzo.
A freqncia de oscilao fundamental de um cristal depende da largura, da
espessura e do tipo de corte do cristal. Prova Anac.
Circuito Multivibrador astvel
O multivibrador um circuito eletrnico capaz de produzir uma tenso de
sada em forma de onda quadrada ou retangular. Os circuitos
multivibradores so, atualmente, muito usados em receptores de TV,
osciloscpios, computadores e sistemas digitais em geral.

Captulo 11
Circuitos integrados
Os CIs sao divididos em circuitos eletronicos Discretos e circuitos
eletrnicos Integrado
Circuitos eletrnicos discretos: So os circuitos formados por
componentes eletrnicos individuais (resistores, capacitores, diodos,
transistores, etc.), soldados em placas de circuito impresso.
Circuitos eletrnicos integrados (CIs): So os circuitos formados por um
conjunto inseparvel de componentes eletrnicos, em uma nica estrutura
chamada de pastilha. Com o uso de CIs, foi possvel a miniaturizao de
diversos equipamentos. Os circuitos integrados podem ser divididos em
dois grupos: os circuitos monolticos e os circuitos hbridos.
Circuitos monolticos: Nos circuitos monolticos, todos os componentes
dos circuitos so fabricados dentro de uma mesma pastilha de silcio
envolta em um invlucro de epxi ou Plastico.
Circuitos hbridos: Nos circuitos hbridos, vrias pastilhas de silcio,
conectadas entre si, so colocadas em um mesmo invlucro de epxi.
Tipos de encapsulamento e contagem de pinos

O invlucro de um circuito integrado desempenha quatro funes

importantes:
Protege a pastilha de silcio contra a ao do meio ambiente;

Protege mecanicamente a pastilha do circuito integrado;

Simplifica a interligao do CI com os outros componentes do circuito;
Dissipa o calor dentro da pastilha, durante o funcionamento do CI.
Contagem de pinos para o encapsulamento dual em linha
A contagem de pinos de CIs do tipo dual feita contando-se a partir do
guia de referncia no sentido anti-horrio.
Encapsulamento dual em linha

Contagem de pinos

Contagem de pinos para o encapsulamento TO

Encapsulamento TO Metalico
Contagem de pinos
A contagem de pinos de CIs do tipo TO feita a partir do pino guia
para a direita no sentido horrio.

Captulo 12
Sensores
Sensor de umidade
Existem certos materiais semicondutores cuja resistncia varia com a
umidade relativa do ar. UMIDADE INVERSAMENTE
PROPORCIONAL A RESISTENCIA
Termistores = Resistores que variam com a temperatura PTC e NTC
Os termistores so componentes eletrnicos que tm a capacidade de
alterar a sua resistncia hmica com a variao da temperatura.
Dois tipos de Termistores: temperatura positivo (PTC) e negativo (NTC).
PTC (positivo): aumento da temperatura = aumenta resistncia hmica
NTC (negativo): aumento da temperatura = diminuio de sua resistncia
hmica
Dispositivos fotossensveis

Variam com a luz. Os componentes fotossensveis podem ser a gs ou a

vcuo, as clulas fotocondutivas que podem ser do tipo fotorresistor,
fotodiodo e fototransistor e as clulas fotovoltaicas.
Clulas fotocondutivas (CRIACAO DE PARES ETRICOS/LACUNAS)=
Quando um fluxo luminoso incide sobre um material semicondutor, os
ftons (partculas que compem a luz) fornecem aos eltrons energia
suficiente para produzir a ruptura das ligaes covalentes, criando pares
eltron-lacuna e aumentando a condutividade no semicondutor. Este
fenmeno conhecido como fotocondutividade e existem 3 tipos:
fotorresistores, fotodiodos e os fototransistores.
FOTORRESISTORES = o LDR + LUZ - RESISTENCIA
FOTODIODO ( CORRENTE DE FUGA) O fotodiodo polarizado no
sentido inverso, circulando apenas a corrente de fuga.
+ LUZ
+
CORRENTE DE FUGA
FOTOTRANSISTORES = FORNECE 10 VEZES MAIS CORRENTE
QUE O FOTODIODO So de 2 Juncoes PN em um invlucro. +LUZ
sobre a juno base-emissor MAIOR sua condutividade resultando em um
aumento na corrente de coletor.
CELULAS FOTOVOLTAICAS
Poduzem TENSAO com o fluxo LUMINOSO so feitas de selnio sua
tenso aplicada um milivoltimetro. EXEMPLO:
BATERIA SOLAR Um aplicao importante das clulas fotovoltaicas nas
baterias solares. Pode fornecer energia suficiente para o funcionamento dos
instrumentos de um farol, de uma estao meteorolgica e, principalmente,
de um satlite artificial.

Captulo 13
Reguladores de tenso
DIODO ZENER REGULADOR DE TENSAO
(Trabalha com Tensao e foi feito para ser polarizado INVERSAMENTE
ELE REGULA A TENSAO INDEPENDENTEMENTE DA SAIDA DA
FONTE)

O Diodo Zener um semicondutor feito de silcio (mais estvel ) que o

germnio. A grande diferena entre o Zener e um Diodo comum , o ponto
de Tensao de trabalho, pois o Zener foi Feito para trabalhar no PONTO DE
RUPTURA, caractersticas IMPOSSIVEIS em diodos comuns, pois
queimariam.
Finalidade Limitar a TENSAO (VR) em valor predeterminado pelo
fabricante essa zona de trabalho determinada ZONA ZENER.
O Zener possui uma juno maior que a do diodo comum, o que possibilita
uma maior dissipao de potncia. O diodo Zener projetado para operar
na regio inversa da curva caracterstica, sendo normalmente polarizado
inversamente.
O Diodo Zener atuando no ponto de ruptura possui uma pequena
resistncia chamada de IMPEDANCIA ZENER
O Diodo Zener polarizado diretamente trabalha como um diodo retificador
comum.
Ruptura do Diodo Zener:
Vimos que o Diodo Retificador se comporta como um ISOLADOR quando
polarizado INVERSAMENTE,ou seja, a sua camada deplexao aumenta ,
o MESMO acontece com o diodo Zener at um determinado valor da tenso
de fabricacao a partir do qual elel comea a conduzir Fortemente. O fato
dessa transformacao de de ISOLADOR CONDUTOR dado pela teoria
do EFEITO ZENER E O EFEITO AVALANCHE.
EFEITO ZENER :
Polarizado inversamente ( - P e + N ),ou seja , ele foi feito para ser
utilizado inversamente diferente de um diodo retificador comum que
queimaria se fosse polarizado dessa forma , ao aplicar uma determinada
TENSAO no ZENER ( - P e + N ) a pastilha de silcio (0,7v consumo de
zener) tem sua barreira de Potencial Superada, gerando corrente eltrica
INVERSA, esse efeito ocorre em diodos com TENSAO de trabalho
INFERIOR A 5 VOLTS. Seu coeficiente de temperatura = quanto MAIS
esquenta o Diodo , Menor sua TENSAO EQUIVALE COMO
COEFICIENTE DE TEMPERATURA NEGATIVO
EFEITO AVALANCHE:
PARA TENSOES INVERSAS ( VR MAIOR QUE 7 VOLTS) Com o
aumento da TENSAO polarizado inversamente claro, existe um aumento

na velocidade da cargas eltricas, esse aumento de velocidade ocasiona um

choque de eltrons , que desprendem eltrons de sua estrutura atmica ,
assim se chocam de novo ocasionando um ciclo vicioso formando assim o
EFEITO AVALANCHE, esse efeito ocorre com diodos com tenso
SUPERIOR ao COEFICIENTE DE TEMPERATURA ou seja MAIOR
TEMPERATURA , MAIOR TENSAO. EQUIVALE COMO
COEFICIENTE DE TEMPERATURA POSITIVO.
Limitaes do diodo Zener
As limitaes do diodo Zener so: a corrente mxima direta (caso venha a
trabalhar nessa regio), a corrente mxima inversa e a mxima dissipao
de potncia, que depende da temperatura de operao do diodo.
Aplicaes do diodo Zener
A principal aplicao do diodo Zener a estabilizao da tenso em fontes
reguladas. Outras possveis aplicaes so: emprego como chave, em
circuitos limitadores, em circuitos de estabilizao da polaridade de
transistores, na proteo de circuitos e de medidores, na supresso de
fascas e na regulao da tenso alternada.

Captulo 14
Diodos especiais
Thyristores (chaves)
O Thyristor um semicondutor de multicamada, comutador quase
ideal 4 camadas PNP, retificador e amplificador ao mesmo tempo, sendo
utilizado na eletrnica de potncia como chaveamento de estado de
bloqueio para conduo e de conduo para bloqueio.. Pertencem famlia
dos thyristores: o SCR, o DIAC , o TRIAC, os fotothyristores e o diodo
Shockley. TODOS PARAM DE CONDUZIR ABAIXO DA CORRENTE
DE MANUTENCAO
SCR
aproveita 1 SEMI-CICLO
O SCR (Silicon Controlled Rectifier) um semicondutor de silcio de
quatro camadas e trs terminais: o anodo, o ctodo e o gatilho.
A polarizao de anodo e catodo igual de um diodo comum, porm,
mesmo polarizado diretamente o SCR permanece impedindo a circulao
da corrente eltrica. Quando o SCR est polarizado diretamente e um pulso

positivo aplicado ao seu gatilho, a corrente eltrica circular do ctodo

para o anodo, sendo por esse motivo, chamado de retificador controlado. O
SCR pode conduzir apenas em 1 semi-ciclo. (primeiro quadrante)
TRIAC 2 semi-ciclos
Atua como o SCR porem aproveita 2 semi-ciclos da senoide ou seja
BIDIRECIONAL. Este dispositivo pode passar de um estado bloqueado a
um regime de conduo nos dois sentidos de polarizao e voltar ao estado
bloqueado, por inverso da tenso ou pela diminuio da corrente, abaixo
do valor da corrente de manuteno (IH). O TRIAC pode conduzir nos
(quatro quadrantes).
DIAC
SERVE PARA DISPARAR O TRIAC , NO TEM GATE E NEM
POLARIDADE
O DIAC (Diode Alternative Current) um elemento simtrico, no
possuindo polaridade. Quando se aplica uma tenso positiva ou negativa
sobre os terminais de um DIAC, a corrente de fuga entre seus terminais
mnima. Ao atingir a tenso de ruptura, a juno do DIAC sofre ruptura por
avalanche e a corrente aumenta consideravelmente, diminuindo a sua queda
de tenso. Entre as aplicaes do DIAC, esto: dispositivos de disparo para
controle de fase de TRIACs, controle de velocidade de motores universais e
controle de calefao.
Fotothyristores
IGUAL O SCR E O TRIAC POREM ATUA COM FLUXO LUMINOSO
(APROVEITA 2 SEMI-CICLO)
Em um fotothyristor, a incidncia de luz sobre o cristal semicondutor
provoca a criao de pares eltrons-lacuna e, consequentemente, o aumento
da corrente de fuga seu no transistor interno de gatilho. Quanto maior o
nmero de pares eltrons-lacuna, maior ser a corrente de fuga, tendo como
conseqncia o disparo do fotothiristor.

Thyristor bloquevel
O thiristor bloquevel pode ser disparado quando for aplicada uma tenso
positiva ao seu gatilho, e rebloqueado quando for aplicada uma tenso
negativa ao mesmo gatilho.

QUADRAC
A COMBINACAO DO DIAC LIGADO AO GATILHO DO TRIAC
Normalmente, um DIAC acrescentado ao gatilho de um TRIAC em
aplicaes de CONTROLE DE NGULO DE FASE.

Diodo Shockley
UNIDIRECIONAL BIPOLAR PNPN
O diodo Shockley, tambm conhecido como diodo thyristor ou diodo de
quatro camadas, um dispositivo bipolar PNPN comparvel em todos os
sentidos um thyristor, porm, estando disponveis somente os seus
terminais de anodo e ctodo.

Diodo Tnel
Um diodo tnel um pequeno dispositivo formado por uma juno PN,
com elevada concentrao de impurezas nos cristais P e N mediante um
efeito mecnico-quntico denominado efeito tnel. Usado em ``RF``.

Diodo emissor de luz LED

LED um diodo com polarizao direta .Nos diodos comuns a energia
dissipada na forma de calor, mas no LED essa energia irradiada na forma
de luz.
Os LEDs substituram as lmpadas de incandescncia em vrias aplicaes
devido a sua baixa tenso, vida longa e rpido chaveamento liga desliga.
Utilizando glio, o arsnio, e o fsforo, um fabricante pode produzir LEDs
que irradiam no vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou infravermelho.
Os LEDs que produzem luz visvel so teis para indicao em
instrumentos, enquanto que os infravermelhos so teis em sistemas de
alarme contra roubo e controles remotos.
Indicador de sete-segmentos
Um indicador de sete-segmentos possui sete LEDs dispostos de
forma a poder representar nmeros de 0 a 9 e letras maisculas A, C, E e F,
e minsculas b e d.

Captulo 15
Decibis
O decibel a dcima parte de um Bel. O Bel uma unidade usada para se
fazer a comparao entre quantidades de energia. Para a eletrnica, o
decibel (dB) compreendido como sendo dez vezes o logaritmo decimal da
relao entre dois nveis de potncia expressos em potencia( Watt).
Aplicacao do BEL = em ANTENAS, AMPLIFICADORES, LINHAS DE
TRANSMISSAO ETC.

Captulo 16
Amplificadores operacionais
O nome Amplificador Operacional (A.O.) Com esse dispositivo podem ser
conseguidos amplificadores capazes de operar com sinais que vo desde
corrente contnua at vrios megahertz.
Para alimentar um amplificador operacional deve ser usada uma fonte
simtrica .A alimentao simtrica pode ser obtida atravs de duas fontes
iguais, um divisor de tenso resistivo ou uma fonte simtrica.

O amplificador operacional ideal apresenta as seguintes caractersticas:

Impedncia de entrada infinita;
Impedncia de sada nula;
Ganho de tenso infinito;
Tempo de atraso nulo;
Tenso de sada nula para a situao em que a tenso na entrada V2 seja
igual da entrada V1;
Curva de resposta em freqncia infinita.
Amplificador COM inverso
O ganho do amplificador inversor depende dos resistores da linha de
realimentao, R1 e R2.
Este amplificador apresenta uma defasagem de 180 do sinal de sada com
relao ao sinal de entrada.
Amplificador SEM inverso

Neste amplificador, o sinal de sada est em fase com o sinal de entrada.

Amplificador com ganho unitrio
O amplificador operacional nessa configurao empregado como isolador
ou buffer,circuitos de alta impedncia
Circuito somador
Objetivo fornecer na sada uma tenso cujo valor igual soma das
tenses aplicadas s entradas.
Circuito subtrator
O circuito subtrator projetado para fornecer na sada um valor de tenso
igual a diferena entre as tenses das entradas.
Aplicaes no lineares
Circuitos no lineares so aqueles que, ao contrrio dos analgicos, sempre
fornecem sada totalmente diferente da forma de onda de entrada.
Circuitos comparadores
So circuitos cuja funo principal comparar o sinal de entrada V1 com
um sinal de referncia VR.
Comparador com tenso de referncia nula
No comparador com tenso de referncia nula, se a tenso V2 for positiva a
tenso de sada ser negativa. E quando a tenso V2 for negativa, a tenso
de sada ser positiva.

Captulo 17
Tcnicas digitais
Sistema binrio de numerao
O sistema binrio de numerao um sistema de base 2, no qual existem
apenas dois algarismos para a representao de uma quantidade: 0 e 1.
Sistema octal de numerao

O sistema octal de numerao um sistema de base 8, no qual existem oito

algarismos para a representao de uma quantidade: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7.
Sistema hexadecimal de numerao
O sistema hexadecimal de numerao um sistema de base 16, no qual
existem dezesseis algarismos para a representao de uma quantidade: 0, 1,
2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F.
Complemento de um nmero
Complemento falso: O complemento falso obtido com a inverso de
todos os algarismos do nmero binrio.
Complemento verdadeiro: O complemento verdadeiro obtido com a soma
de um ao complemento falso.
Cdigo ASCII
O cdigo ASCII um tipo de codificao BCD, largamente utilizado em
computadores digitais e em equipamentos de comunicao de dados.
A sigla ASCII formada pelas iniciais de American Standard Code for
Information Imterchange (Cdigo Padro Americano para Intercmbio de
Informaes).
O cdigo ASCII consiste de um cdigo binrio de sete bits para transferir
informaes entre computadores e seus perifricos e em comunicaes de
dados a distncia.
O cdigo ASCII formado por dois grupos de bits, sendo um de quatro bits
e outro de trs bits.
lgebra de Boole
Funo E ou AND
A funo E ou AND equivale a multiplicao de duas ou mais variveis.
S = A . B (onde se l A e B) Costuma-se relacionar a funo E com
um circuito em SERIE.
Funo OU ou OR
A funo OU ou OR equivale a soma de duas ou mais variveis. S = A + B
(onde se l A ou B) .Costuma-se relacionar a funo OR com um circuito
em paralelo.
.

Funo NOT ou NO
A funo NO, complemento ou
inverso aquela que inverte o estado da
varivel, isto , 0 inverte para 1 e 1
inverte para 0.
Funo NO E OU NAND
A funo NO E ou NAND equivale inverso da funo AND.__
S = A . B (S igual a A e B barrados ou A e B not)
Funo NO OU ou NOR
A funo NO OU ou NOR equivale inverso da funo OR. _
S = A + B (S igual a A ou B barrados ou A ou B not)

Funo XOR
Com a funo XOR ou OR EXCLUSIVO, teremos 1 na sada quando
as entradas forem desiguais.
Funo XNOR
Com a funo XNOR ou NOR EXCLUSIVO, teremos 1 na sada
quando as entradas forem iguais.
Somadores
Um meio somador (Half Adder) possui duas entradas .Quando
necessitamos do bit de transporte (T), necessrio o uso de um somador
completo (Full Adder). O Full Adder formado por dois Half Adders e uma
porta OR.
Subtratores
Um meio subtrator (Half Subtractor) possui duas entradas.Quando
necessitamos do bit de emprstimo (E), necessrio o uso de um subtrator
completo (Full Subtractor). O Full Subtractor formado por dois Half
Subtractors e uma porta OR.
Multiplexadores

Os multiplexadores so componentes que permitem selecionar um dado,

dentre diversas fontes, como uma chave seletora de diversas posies.
Demultiplexadores
Os demultiplexadores so componentes que distribuem o nvel de uma
nica entrada para uma, dentre as vrias sadas, de acordo com o valor
binrio das entradas seletoras.
Circuitos seqenciais
Circuitos seqenciais so normalmente sistemas pulsados, isto , operam
sob o comando de pulsos denominados clock. Dentre os componentes
utilizados em circuitos seqenciais, o flip-flop um dispositivo
fundamental, permitindo por suas caractersticas, o armazenamento de
estados lgicos anteriores.
Flip-Flop
Flip-flop um dispositivo que possui dois estados estveis. Um pulso em
suas entradas poder ser armazenado e transformado em nvel lgico
estvel.
O flip-flop RS tambm conhecidos como latch. Em um flip-flop RS, um
pulso na entrada S (Set) ser armazenado.
Flip-Flop JK
O flip-flop RS possui um estado no permitido.
Flip-Flop JK Mestre-Escravo
Consiste basicamente de dois flip-flops JK, permitindo a comutao do
flip-flop, apenas na transio positiva ou negativa do clock.
Flip-Flop tipo T
Um flip-flop tipo T consiste de um flip-flop JK com as entradas J e K
interligadas.

Flip-Flop tipo D

Um flip-flop tipo D consiste de um flip-flop JK com as entradas

interligadas atravs de um inversor, permitindo que seja setado .
Contadores
O que determinra a capacidade de um contador, ser o nmero de
flip-flops utilizados.
Contador de pulsos
Um contador de pulsos consiste de um grupo de flip-flops JK
Mster-Slave de comutao na transio negativa do clock, configurados
em srie.
Contador decrescente
O circuito que efetua a contagem decrescente o mesmo que efetua
a contagem crescente de pulsos, com a diferena de utilizar as sadas Q
dos flip-flops.
Registradores (Shift Registers)
O flip-flop tem a caracterstica de armazenar o valor de um bit,
mesmo que sua entrada no esteja mais presente.
Memrias
Memrias so dispositivos que armazenam informaes. Essas
informaes podem ser nmeros, letras ou caracteres. As memrias podem
ser classificadas quanto ao acesso, a volatilidade, a possibilidade de
regravao e a reteno da informao.
As palavras de memria podem ser acessadas de duas maneiras: Acesso
seqencial e acesso aleatrio.
Volatilidade: As memrias podem ser volteis e no volteis.
Possibilidade de regravao: As memrias que possibilitam a constante
alterao das informaes so normalmente identificadas como RAM
(Random Acces Memory).
As memrias que possibilitam apenas a leitura das informaes so
chamadas de ROM (Read Only Memory). As memrias ROM podem ser:
PROM: So memrias apenas para leitura. Aps a gravao inicial no
pode ser apagada.
EPROM: So utilizadas apenas para leitura, podendo ser feito o seu
apagamento por ultravioleta.

EEPROM: So utilizadas apenas para leitura, podendo ser feito o seu

apagamento por meios eltricos.

Converso de sinais
Existem basicamente dois tipos de sinais: analgicos e digitais.
Sistemas analgicos e digitais no so compatveis entre si, necessitando de
conversores.
Analgico: Entende-se por analgica, toda a variao linear ou contnua de
um sinal.
Digital: Entende-se por digital, toda a variao discreta, isto , em degraus
definidos ou steps.
Conversor digital- analgico (DA)
utilizado quando necessria a converso de uma varivel digital
em varivel analgica.
Conversor analgico-digital (AD)
utilizado quando necessria a converso de uma varivel
analgica em varivel digital.
Famlias de circuitos lgicos
Entende-se por famlias de circuitos lgicos, os tipos de estruturas
internas que permitem a confeco dos blocos lgicos em circuitos
integrados.
Dentre as famlias podemos destacar:
RTL (Resistor Transistor Logic)
DTL (Diode Transistor Logic)
HTL (High Threshold Logic)
TTL (Transistor Transistor Logic)
ECL (Emitter Coupled Logic)
C-MOS (Complementary MOS)

Classificao dos circuitos integrados digitais

Os circuitos integrados digitais podem ser classificados em trs
grupos:

SSI Small Scale Integration (integrao em pequena escala)

MSI Mdium Scale Integration (integrao em mdia escala)
LSI Large Scale Integration (integrao em grande escala)

Captulo 20
Introduo aos computadores
Um microprocessador um circuito eletrnico muito complexo.
Consiste em milhares de transistores microscpicos compactados em uma
minscula pastilha de silcio (chip).
Um microprocessador uma parte de um computador, apenas a
poro responsvel pelo controle e processamento dentro de um sistema.
Para termos um computador completo, necessrio acrescentar memria
para o programa de controle e circuitos de I/O para a comunicao com os
equipamentos perifricos.
O computador possui dois barramentos principais: o ADDRESS
BUS (unidirecional) e o DATA BUS (bidirecional).
O cdigo de mquina a linguagem entendida pelo
microprocessador.
Unidade central de processamento (CPU)
A unidade central de processamento est localizada dentro do
microprocessador e composta pela ALU (unidade aritmtica e lgica), o
PC (contador de programa), o ACC (acumulador) e outros registradores.

Fluxograma
O fluxograma uma representao grfica das tarefas de um
programa, por meio de smbolos que fornecem uma visualizao imediata
do significado da tarefa.