Universidad Nacional de Ingeniera

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Informe Final Experiencia N 1
CURVAS CARACTERISTICAS DEL OSCILADOR
GUNN
Curso:

Laboratorio de Microondas

Integrantes:
MIRANDA QUEZADA CARLOS ENRIQUE

20020005B

Profesor : CAJAHUARINGA CAMACO ARMANDO ALBERTO

Seccin: M

Horario: MARTES 12:00-14:00

Fecha de Presentacin: 01-10-13

2013

L1-CURVAS CARACTERISTICAS DEL OSCILADOR GUNN

INFORME FINAL
1. Dimensiones de la gua de onda:
a= 2,3cm
s=2,2cm
Sabemos por los criterios de diseo estudiados en clases que la frecuencia de
operacin ideal se encuentra en el siguiente rango (para el modo dominante
TE101):
1.25* fo101

1.95* fo101

fo101=15*(a-2+s-2)1/2= 9.435GHz
Por lo tanto:
11.7938GHz

18.3984GHz

2. a) Notamos segn los datos tomados que al incrementar la tensin de entrada

varia proporcionalmente la frecuencia, por lo que podemos considerarlo un VCO.
b) Todos sus componentes:

fo vs VG
12.00
10.00

f(x) = 1.35x - 1.78

8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 12.00

Sin diafragma:

fo vs VG
Linear (fo vs VG)

fo vs VG
12.00

f(x) = 1.43x - 1.96

10.00
8.00

fo vs VG
Linear (fo vs VG)

6.00
4.00
2.00
0.00
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 12.00

Sin cortocircuito:

fo vs VG
12.00
10.00

f(x) = 1.36x - 1.81

8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 12.00

fo vs VG
Linear (fo vs VG)

3. Recomienda 9.4GHz debido a que esta es la frecuencia de resonancia de la

gua de onda en el modo TE101
fo101=15*(a-2+s-2)1/2= 9.435GHz
Se impide la oscilacin superior a la frecuencia deseada debido a que la cavidad
es muy pequea para conducirlas, y de frecuencias inferiores debido a que el
diodo es muy lento para generarlas.
4. De acuerdo a las graficas vemos que la configuracin sin diafragma es la que
brinda mayor potencia.

TODOS SUS COMPONENTES

VG(V
)

IG(m
A)

0.00

3.00

0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
6.00
6.50
7.00
7.50
8.00
8.50
9.00
9.50
10.0
0

5.

P(mW)

0.00

0.70

0.00

46.00

44.00

0.70

82.00

80.00

9.60
9.70
9.50
9.50
9.60
9.60
9.40
9.30
9.20
9.60

148.0
0
165.0
0
167.0
0
171.0
0
174.0
0
166.0
0
199.0
0
231.0
0
270.0
0
270.0
0
276.0
0

IG(mA
)

fo(GHz
)

SIN CORTOCICUITO
IG(mA
)

9.50

VD(m
P(mW)
V)

SIN DIAFRAGMA
VD(m
V)

114.0
0
140.0
0
156.0
0
170.0
0
175.0
0
176.0
0
153.0
0
148.0
0
144.0
0
140.0
0
140.0
0
140.0
0
140.0
0
136.0
0
132.0
0
128.0
0
126.0
0
124.0
0

fo(G
Hz)

fo(G
Hz)

VD(m
V)

P(mW)

0.00

0.60

0.00

0.31

40.00

0.60

0.24

0.70

0.56

80.00

0.60

0.48

130.00

0.70

0.91

112.00

0.60

0.67

136.00

0.70

0.95

139.00

0.60

0.83

155.00

0.70

1.09

156.00

0.70

1.09

148.00

0.70

1.04

168.00

0.60

1.01

176.00

0.70

1.23

172.00

0.70

1.20

176.00

0.70

1.23

176.00

0.60

1.06

83.50

132.77

162.00

11.00

23.50

38.07

159.00

219.04

156.00

9.00

327.00

510.12

150.00

10.00

143.00

214.50

237.60

152.00

10.00

415.00

630.80

142.00

9.50

181.00

257.02

233.80

148.00

9.30

480.00

710.40

140.00

9.40

216.00

302.40

239.40

145.00

9.50

535.00

775.75

139.00

9.40

242.00

336.38

243.60

142.00

9.80

584.00

829.28

136.00

9.50

264.00

359.04

232.40

140.00

10.20

627.00

877.80

132.00

9.30

279.00

368.28

270.64

140.00

11.00

672.00

940.80

130.00

9.20

288.00

374.40

304.92

140.00

11.10

60.20

84.28

128.00

9.40

303.00

387.84

345.60

139.00

9.70

36.20

50.32

124.00

9.50

308.00

381.92

340.20

138.00

9.60

17.50

24.15

124.00

9.70

314.00

389.36

342.24

139.00

9.40

1.27

1.77

122.00

9.80

319.00

389.18

TODOS SUS COMPONENTES

IG vs VG
200.00
150.00
IG vs VG
100.00
50.00
0.00
0.00

2.00

4.00

6.00

8.00

10.00 12.00

fo vs VG
12.00
10.00

f(x) = 1.35x - 1.78

8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 12.00

fo vs VG
Linear (fo vs VG)

P vs VG
400.00
350.00
300.00
250.00

P vs VG

200.00
150.00
100.00
50.00
0.00
4.00 5.00 6.00 7.00 8.00 9.00 10.00 11.00

SIN DIAFRAGMA

IG vs VG
200.00
150.00
IG vs VG
100.00
50.00
0.00
0.00

2.00

4.00

6.00

8.00

10.00 12.00

fo vs VG
12.00

f(x) = 1.43x - 1.96

10.00
8.00

fo vs VG
Linear (fo vs VG)

6.00
4.00
2.00
0.00
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 12.00

P vs VG
1000.00
800.00
600.00

P vs VG

400.00
200.00
0.00
0.00

2.00

4.00

6.00

8.00

10.00 12.00

SIN CORTOCIRCUITO

IG vs VG
200.00
150.00
IG vs VG
100.00
50.00
0.00
0.00

2.00

4.00

6.00

8.00

10.00 12.00

fo vs VG
12.00
10.00

f(x) = 1.36x - 1.81

8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 12.00

fo vs VG
Linear (fo vs VG)

P vs VG
450.00
400.00
350.00
300.00

P vs VG

250.00
200.00
150.00
100.00
50.00
0.00
0.00

2.00

4.00

6.00

8.00

10.00 12.00

PREGUNTAS DE LA GUIA DE LABORATORIO:

1. fo101=15*(a-2+s-2)1/2= 9.435GHz
2. VTH=ETH*d
d=10E-6m
ETH=3.2E3V/cm
VTH=3.2V
3. f=Vd/d
Vd=10E7cm/s
d=10E-6m
f=10E10Hz
El resto de preguntas ya fueron resueltas en las preguntas planteadas por el
profesor.
Observaciones

Las tensiones que detecta el osciloscopio son muy bajas del orden de los
mV y cuando ya no hay oscilaciones del orden de los uV.
Existen valores de Voltaje Gunn para los cuales no hay frecuencia de
oscilacin, esto sucede para valores de voltaje menores al voltaje umbral.

Conclusiones

El descubrimiento del efecto Gunn, en materiales como el GaAs, permite la

generacin de microondas, mediante el concepto de resistencia diferencial
negativa para un rango de frecuencias comprendidos entre 5 y 140GHz.
No existe el concepto de resistencia negativa, debido a que la resistencia
esttica es siempre positiva, lo que existe es la resistencia diferencial
negativa.
La configuracin empleada se puede usar como un oscilador controlado por
voltaje, debido a las caractersticas visualizadas en las graficas obtenidas.
Se comprob el funcionamiento del diodo Gunn, el cual establece una
tensin umbral que para nuestro caso es de 4 V con todos los componentes
y para el caso sin diafragma es de 4.5V.
El diodo Gunn como parte de una fuente de generacin de microondas,
genera resultados ptimos ya que la variacin de frecuencia es
prcticamente mnima, tambin la tendencia que manejan el resto de
parmetros analizados para esta experiencia.

Bibliografa

The Gunn Diode : Fundamentals and Fabrication, Robert van Zyl, Willem
Perold, Reinhardt Botha
Capitulo III Dispositivos de estado solido en microondas
http://www.qsl.net/ea4eoz/gunn.html
www.st-andrews.ac.uk/~www_pa/ Scots_Guide/RadCom/part5/page2.html
www.iop.org/EJ/abstract/0022-3735/14/2/003
www.insight-product.com/products/solid2.htm