Anda di halaman 1dari 124

UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA

INSTITUTO DE FSICA

ProgramadePsGraduaoemFsica

DISSERTAODEMESTRADO

MEDIDADECONDUTIVIDADEDE
SEMICONDUTORESBAIXA
TEMPERATURA
ErickSantanadosSantos

Salvador2009

UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA


INSTITUTO DE FSICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA

MEDIDADECONDUTIVIDADEDESEMICONDUTORES
BAIXATEMPERATURA
Erick Santana dos Santos

Dissertao de mestrado apresentada ao Instituto de Fsica


da Universidade Federal da Bahia como requisito parcial
para a obteno do ttulo de Mestre em Fsica.

Orientador: Prof. Dr. Denis Gilbert Francis David


Co-Orientador: Prof. Dr. Thierry Jacques Lemaire

Salvador - 2009

S237 Santos, Erick Santana dos


Medida de condutividade de semicondutores baixa temperatura / Erick Santana dos Santos .
2009.
123 f. : il.
Orientador: Prof. Dr. Denis Gilbert Francis David.
Co-orientador: Prof. Dr. Thierry Jacques Lemaire.
Dissertao (mestrado) - Universidade Federal da Bahia, Instituto de Fsica, 2009.

1. Fsica do estado slido. 2. Semicondutores 3. Propriedades eltricas I. David, Denis Gilbert


Francis. II. Lemaire, Thierry Jacques III. Universidade Federal da Bahia.Instituto de Fsica.
IV.Ttulo.

CDD 530.41
CDU 538.9

Em memria de meu pai

ii

Agradecimentos
minha famlia pela compreenso nos momentos de solido e a minha
querida esposa Rejane.
Ao Prof. Denis pela confiana depositada para realizao desde projeto e
na ajuda constante.
Ao Prof. Thierry pelos anos de acompanhamento e orientao nesta
caminhada.
Ao Prof. Ferreira pela disponibilizao e interesse no ensino e
entendimento terico necessrio.
Marcus pela ajuda na interpretao, discusso e na eliminao das
dvidas surgidas durante a realizao desde trabalho.
Aos integrantes da Quarta de Amaralina por proporcionar momentos de
descontrao e estudos.
CAPES pelo indispensvel apoio financeiro e ao CNPQ e a FAPESB
pela aquisio dos equipamentos.

iii
Resumo

Neste

trabalho

realizamos

montagem

experimental

dos

equipamentos necessrios para medida da condutividade em baixa


temperatura iniciando com a descrio terica envolvida, seguido da
apresentao dos equipamentos utilizados e mtodos de medidas.
Mostramos que o mtodo para medir a condutividade usada geralmente, o
mtodo de van der Pauw, apresenta dificuldades quando se trata de efetuar
a soldas dos contatos nas amostras, mas que se obtm resultados
satisfatrios com a sua utilizao. Com a caracterizao do xido de
estanho dopado pelo flor (SnO2:F) obtemos resultados, a partir de uma
descrio terica desenvolvida, que no eram verificadas em medidas de
condutividade em baixa temperatura. Verificamos tambm que a teoria
existente se torna inadequada, quando se trata de semicondutores com alta
concentrao de impurezas.

iv
Abstract

In this work, we performed the mounting of experimental equipment


for measuring the conductivity at low temperature starting with the
theoretical description involved, followed by the presentation of the
equipment used and methods of measured. We show that the method used
to measure the conductivity generally, the method of van der Pauw,
presents difficulties when it comes to make the solder contacts on the
samples, but satisfactory results are obtained with their use. With the
characterization of tin oxide doped by fluorine (SnO2: F) we get results
from a theoretical description developed, which were no found in measures
of conductivity at low temperature. We also noticed that the existing theory
is inadequate when it comes to semiconductors with high concentration of
impurities.

LISTADEFIGURAS
Figura 1.1: Partcula em uma caixa ............................................................. 16
Figura 1.2: Nveis de energia permitidos .................................................... 18
Figura 1.3: Potencial peridico em um cristal unidimensional................... 19
Figura 1.4: Potencial peridico no modelo Krnig-Penney........................ 19
Figura 1.5: Soluo do modelo de Kroning Penney. ............................... 22
Figura 1.6: Relao unidimensional de E-k na representao da zona
reduzida para o modelo de Krnig-Penney. ................................................ 23
Figura 1.7: Bandas de Valencia e de Conduo.......................................... 24
Figura 1.8: Distribuio de Fermi-Dirac para algumas temperaturas ......... 25
Figura 1.9: Densidade de estados eletrnicos. ............................................ 27
Figura 2.1: Trajetria hipottica de um eltron no cristal ........................... 35
Figura 2.2: Variao da mobilidade do silcio com a concentrao de
impurezas e a temperatura. .......................................................................... 42
Figura 3.1: Placa condutora de espessura uniforme e circunferncia
arbitraria no plano t ..................................................................................... 45
Figura 3.2: Desenho esquemtico da posio dos terminais de uma amostra
semicondutora. ............................................................................................ 47
Figura 3.3: Arranjo para medidas de resistividade pelo mtodo quatro
pontas........................................................................................................... 49
Figura 3.4: Mtodo do eletrmetro. ............................................................ 51
Figura 3.5: Partes principais do criostato. ................................................... 52
Figura 3.6: Ciclo Gifford-MacMahon ......................................................... 53
Figura 3.7: Curva de resposta para o sensor de temperatura ...................... 55
Figura 3.8: Controlador de temperatura da Lakeshore ............................... 56
Figura 3.9: Diagrama de blocos do controlador de temperatura................. 56
Figura 3.10: Vista frontal da fonte de corrente da Keithley. ...................... 59
Figura 3.11: Vista da porta digital da fonte de corrente da Keithley. ......... 60
Figura 3.12: Vista frontal do multmetro da Keithley................................. 61
Figura 3.13: Ligao dos contatos dos rels para a configurao dos
contatos ........................................................................................................ 62
Figura 3.14: Conexo bsica da porta digital .............................................. 62

Figura 3.15: Tela principal do programa de aquisio................................ 65


Figura 4.1: Valores de tenso versus corrente aplicada lidas em cada
configurao pelo mtodo de van der Pauw nas amostras de GaAs:C a
temperatura ambiente. ................................................................................. 70
Figura 4.2: Valores de tenso versus corrente aplicada lidas em cada
configurao pelo mtodo de van der Pauw nas amostras de GaAs:C a
temperatura ambiente. ................................................................................. 71
Figura 4.3: Valores de tenso versus corrente aplicada lidas em cada
configurao pelo mtodo de van der Pauw nas amostras de GaAs:C a
temperatura ambiente. ................................................................................. 71
Figura 4.4: Valores de tenso versus corrente aplicada lidas em cada
configurao pelo mtodo de van der Pauw nas amostras de GaAs:C a
temperatura ambiente. ................................................................................. 72
Figura 4.5: Valores de tenso versus corrente aplicada lidas em cada
configurao pelo mtodo de van der Pauw nas amostras de GaAs:C a
temperatura ambiente. ................................................................................. 72
Figura 4.6: Valores de tenso versus corrente aplicada lidas em cada
configurao pelo mtodo de van der Pauw nas amostras de GaAs:C a
temperatura ambiente. ................................................................................. 73
Figura 4.7: Variao da condutividade em funo do inverso da
temperatura para uma amostra de SnO2:F com resistncia de folha de 15 a
20/sq. ........................................................................................................ 76
Figura 4.8: Variao da condutividade em funo do inverso da
temperatura para uma amostra de SnO2:F com resistncia de folha de
25/sq. ........................................................................................................ 77
Figura 4.9: Variao da condutividade em funo do inverso da
temperatura para uma amostra de SnO2:F com resistncia de folha de
53/sq. ........................................................................................................ 77
Figura 4.10: Variao da resistividade em funo do inverso da temperatura
para as amostra de SnO2:F. ......................................................................... 78
Figura 4.11: Variao da concentrao em funo do inverso da
temperatura para uma amostra de SnO2:F com resistncia de folha de 15 a
20/sq. ........................................................................................................ 79
Figura 4.12: Variao da concentrao em funo do inverso da
temperatura para uma amostra de SnO2:F com resistncia de folha de
25/sq ......................................................................................................... 80

Figura 4.13: Variao da concentrao em funo do inverso da


temperatura para uma amostra de SnO2:F com resistncia de folha de
53/sq. ........................................................................................................ 80
Figura 4.14: Medida da resistividade em funo da temperatura para o 4HSiC:N em diferentes concentraes de impurezas ...................................... 81
Figura 4.15: Ajuste linear de ln() versus 1/T para a amostra com Rs de 15
a 20/sq. ..................................................................................................... 82
Figura 4.16: Ajuste linear de ln() versus 1/T para a amostra com Rs de
25/sq. ........................................................................................................ 82
Figura 4.17: Ajuste linear de ln() versus 1/T para a amostra com Rs de
53/sq. ........................................................................................................ 83
Figura 4.18: Estrutura de bandas e densidade de estados para o SnO 2 .
..................................................................................................................... 85
Figura 4.19: Estrutura de bandas e densidades de estados total e
projetado para o SnO2 :F ........................................................................... 86
Figura 4.20: Variao da nova funo densidade de estados. ............ 87
Figura 4.21: Ajuste do modelo terico para uma gap de 2.2 eV para a
amostra de SnO 2 :F com R S de 15 a 20/sq. ......................................... 88
Figura 4.22: Ajuste do modelo terico para uma gap de 2.2 eV para a
amostra de SnO 2 :F com R S de 25/sq. .................................................. 89
Figura 4.23: Ajuste do modelo terico para uma gap de 2.2 eV para a
amostra de SnO 2 :F com R S de 53/sq. .................................................. 89
Figura 4.24: Diagrama de bandas de energia proposta por Rakhshani ET
AL para explicar as propriedades de transies ticas no SnO2 ................. 90
Figura 4.25: Ajuste do modelo terico para uma gap de 3.8 eV para a
amostra de SnO 2 :F com R S de 15 a 20/sq. ......................................... 91
Figura 4.26: Ajuste do modelo terico para uma gap de 3.8 eV para a
amostra de SnO 2 :F com R S de 25/sq. .................................................. 92
Figura 4.27: Ajuste do modelo terico para uma gap de 3.8 eV para a
amostra de SnO 2 :F com R S de 53/sq. .................................................. 92
Figura 4.28: Variao da concentrao de eltrons com a temperatura
calculada a partir do modelo terico para a amostra de SnO2:F com RS de
15 a 20/sq. ................................................................................................ 93
Figura 4.29: Variao da concentrao de eltrons com a temperatura
calculada a partir do modelo terico para a amostra de SnO2:F com RS de
25/sq. ........................................................................................................ 94

Figura 4.30: Variao da concentrao de eltrons com a temperatura


calculada a partir do modelo terico para a amostra de SnO2:F com RS de
53/sq. ........................................................................................................ 94

10

ix

LISTADETABELAS
Tabela 3.1: Tabela contendo a configurao de acionamento dos rels
comutadores e as indicaes dos contatos de entrada de corrente e leitura
da tenso na amostra ................................................................................... 63
Tabela 4.1: Tabela comparativa entre a resistividade medida e a tabelada
em amostras de AsGa:C com diferentes dopagens. .................................... 74
Tabela 4.2: Energia de ativao da banda de conduo E1 e energia de
ativao da impureza de conduo E2 para SnO2:F. ................................... 81
Tabela 4.3: Parmetros ajustados para o modelo terico. ........................... 90
Tabela 4.4: Novos parmetros ajustados para o modelo terico ................ 93

11

CONTEDO
Lista de figuras

Lista de tabelas

ix

PARTE 1: INTRODUO TERICA

14

1.0 TEORIA DE BANDAS DE ENERGIA


1.1 E LTRONS EM UM C RISTAL
1.1.1 Eltron Livre
1.1.2 Partcula numa Caixa
1.2 B ANDAS DE E NERGIA EM UM C RISTAL
1.3 M ODELO DE K RNIG P ENNEY
1.4 B ANDA DE V ALNCIA E B ANDA DE C ONDUO
1.5 F UNO D ISTRIBUIO DE F ERMI -D IRAC
1.6 D ENSIDADE DE E STADOS
1.7 D INMICA DOS ELTRONS NOS C RISTAIS
1.8 C ONCENTRAO DE P ORTADORES
2.0 TEORIA DA CONDUO ELTRICA
2.1 M ODELO DE D RUDE DA C ONDUTIVIDADE E LTRICA
2.2 M OBILIDADE
2.3 Condutividade Nos Semicondutores

14
14
14
15
17
18
23
25
26
28
30
33
33
35
43

PARTE 2: TCNICAS EXPERIMENTAIS

44

44
3.0 MATERIAIS E MTODOS EXPERIMENTAIS
3.1 T EOREMA DE V AN DER P AUW
44
3.1.1 Procedimento Experimental
46
3.2 M TODO DE QUATRO PONTAS
48
3.3 M TODO DO E LETRMETRO
50
3.4 E QUIPAMENTOS B SICOS PARA M EDIDA DA C ONDUTIVIDADE EM
B AIXA T EMPERATURA
52
3.4.1 Criostato
52
3.4.1.1 Princpio de funcionamento
52

12

3.4.2 Fonte de Corrente


3.4.3 Voltmetro
3.4.4 Caixa Comutadora
3.4.5 Programa de Aquisio
3.5 TCNICAS DE SOLDAGEM
3.5.1 P ROCESSOS DE L IMPEZA

58
61
62
64
66
66

PARTE 3: RESULTADOS EXPERIMENTAIS

68

68
4.0 RESULTADOS EXPERIMENTAIS
4.1 RESULTADOS DA APLICAO DO MTODO DE VAN DER PAUW PARA A
MEDIDA DA CONDUTIVIDADE DO GAAS:C EM TEMPERATURA AMBIENTE 69
4.1.1 Concluso sobre a aplicao do mtodo de van der Pauw
74
4.2 R ESULTADOS DA M EDIDA DE C ONDUTIVIDADE DO S N O 2 :F EM
B AIXA T EMPERATURA
75
4.2.1 Concluso para medidas em baixa temperatura
84
4.3 M ODELO T ERICO PARA S EMICONDUTORES D EGENERADOS
84
4.3.1 Aplicao do Modelo Terico
88
5.0 CONCLUSO
96
6.0 ANEXOS
99
7.0 REFERNCIAS
121

13

PARTE1:INTRODUOTERICA
1.0 TeoriadeBandasdeEnergia
1.1 Eltrons em um Cristal
O eltron em um tomo isolado tem estados qunticos estacionrios
caracterizados

por

nveis

de

energia

discretos

quantizados

correspondentes aos orbitais atmicos 1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 3d, etc. Em um
tomo com muitos eltrons, o estado fundamental obtido distribuindo os
vrios eltrons nos nveis de menor energia possvel, obedecendo ao
princpio de excluso de Pauli. Para iniciarmos nossa discusso vamos
entender o que ocorre num modelo aproximado estudando o caso do eltron
no vcuo (eltron livre) e o eltron confinado numa caixa, pois nos metais
alcalinos, como o sdio, o eltron da ltima camada percebe um potencial
do ncleo muito blindado pelos eltrons das camadas interiores, de modo
que ele fica quase livre. Para este eltron, podemos supor em primeira
aproximao, que o potencial um poo com paredes infinitas na
superfcie do cristal e constante no seu interior.
1.1.1 Eltron Livre
O modelo de eltrons livres pode ser aplicado quando os eltrons no
interagem com o meio, em outras palavras, quando o eltron no
submetido atrao dos tomos no cristal; ou seja, ele viaja num meio
onde o potencial constante. Escrevendo a equao de Schrdinger
independente do tempo para o caso de um cristal unidimensional, podemos
adotar o potencial constante igual a zero, sem perda de generalidade, pois a
referncia para o potencial arbitrria, assim:

14

(1.1)

onde E a energia do eltron e m sua massa. A soluo desta equao

Onde

ou

(1.2)

. A principal anlise para fazermos que a

energia uma funo parablica de . Este resultado idntico ao esperado


nas consideraes clssicas: o eltron livre pode ter qualquer valor de
energia de maneira contnua. O nmero

chamado de vetor de onda e

tem dimenses de m-1 ou cm-1 e equivalente ao momento do eltron


divido pela constante de Planck.
1.1.2 Partcula numa Caixa
Podemos idealizar a condio de uma partcula numa caixa quando
um eltron confinado em uma pequena regio do espao. Este
confinamento pode ser realizado colocando o eltron num poo de
potencial infinito de onde no possa escapar. Este poo representa,
aproximadamente, a situao de um eltron livre confinado no interior de
um slido. O fenmeno que impede sua sada pelas superfcies do slido
a atrao eletrosttica exercida pelos tomos ou ons do slido, mas
fisicamente, este poo no infinito, pois conhecido de que o eltron
pode ser arrancado do slido, como no efeito fotoeltrico [Ref. 1].
No caso ideal, o potencial descrito da seguinte maneira: V(x) = 0
para 0 < x < a e V(x) = para x 0 e x a. No primeiro intervalo a
equao do Schroedinger idntica a do eltron livre, e portanto tem a
mesma soluo (1.2). No segundo intervalo a diferena ser nas condies
de contorno impostas, pois o potencial infinitamente grande no permite

15

que o eltron esteja nesta regio, e isto exige que a funo de onda seja
nula neste intervalo, levando a uma autofuno da forma:

As condies
0e

(1.3)

0 e

, restringe os valores de

0 imposta pela condio em


a
1,2,3,

(1.4)

Ao contrrio do eltron livre, o eltron no poo de potencial infinito no


pode ter um valor qualquer de energia. As energias possveis so dadas por
valores discretos,

1,2,3,

(1.5)

Onde n chamado um nmero quntico, pois corresponde a valores


quantizados de energia. A figura a seguir mostra a forma da funo de onda
para alguns valores de n.

Figura1.1:Partculaemumacaixa:a)Geometriadopoodepotencial;b)Nveisdeenergia;c)

Funesdeonda;d)densidadedeprobabilidadeparan=1,2e3.

16

1.2 Bandas de Energia em um Cristal


Em um tomo isolado, o eltron ir ocupar nveis discretos de
energia como se estivesse no poo de potencial infinito. Mas o que
devemos esperar quando um nmero grande de tomos so unidos para
formar um cristal? Vamos tomar como exemplo um elemento simples com
baixo nmero atmico como o Ltio (Z=3). No tomo de Ltio, dois
eltrons de spins opostos ocupam o mais baixo nvel de energia (nvel 1s) e
o terceiro eltron ocupa o segundo nvel (nvel 2s), a configurao
eletrnica 1s2 2s1. Todo tomo de Ltio isolado tem exatamente a mesma
configurao eletrnica com nveis de energia idnticos.
Vamos considerar agora um cristal, onde o nmero de tomos por
centmetro cbico da ordem de 10 . Como resultado, cada nvel
energtico dividido em 10

nveis de energia distintos que se estende

pelo cristal. Cada um destes nveis pode ser ocupado por dois eltrons em
virtude do Princpio de excluso de Pauli. Na prtica, a diferena de
energia entre o mais alto e o mais baixo valor de energia resultante deste
processo de diviso dos nveis de energia da ordem de alguns eltrons
volts; entretanto, a diferena entre dois nveis vizinhos da ordem de
10

. Este valor to pequeno que podemos considerar que os nveis

de energia no so discretos, mas uma forma contnua de valores de energia


permitidas para o eltron. Isto introduz o conceito de bandas de energia em
um cristal [Ref. 2]. Entre as bandas de energia (entre a banda de energia 1s
e 2s na figura 1.2) podero existir valores de energia que no so
permitidos. Neste caso, um gap de energia proibida produzido entre
bandas de energia permitidas.

17

Figura1.2:Nveisdeenergiapermitidanumtomo,emumamolculahipottica,em
umcristaldeLtio

Em resumo, nos cristais, a interao entre os eltrons, que esto


muito prximos, desdobra os nveis de energia em bandas. Estas esto
separadas por zonas ou bandas de ocupao proibida. Uma primeira
formulao matemtica para esta situao feita a partir do Modelo de
Krnig - Penney descrito a seguir.
1.3 Modelo de Krnig Penney
O modelo de Krnig Penney considera apenas um cristal
monodimensional formado por uma distribuio peridica de ons gerando,
para os eltrons, poos de potenciais atrativos. Da eletrosttica sabemos
que a energia potencial resultante da interao de um eltron carregado
com carga q e o ncleo com carga +qZ , segundo o eixo

passando pelo

cristal
| |

(1.6)

Onde x a posio do eltron relativo ao ncleo e a permissividade do


material. Observe que este tipo de potencial diverge para o infinito quando
x tende a zero. Em um cristal, cada tomo est separado a uma distncia
fixa, desta forma teremos vrios poos de potencial ao qual o eltron estar
sujeito. Em termos matemticos, a natureza peridica da distribuio

18

espacial dos tomos pode ser descrito com V d

V x , onde d a

distncia entre dois tomos consecutivos na direo x (Veja figura 1.3)

Figura1.3:Potencialperidicoemumcristalunidimensional

A aproximao feita por Krnig e Penney em 1931 foi a de


considerar V(x) como uma seqncia peridica de poos de potenciais
retangulares. O potencial resultante mostrado na figura 1.4 e a seguinte
notao usada: a distncia interatmica d, a energia potencial prxima a
um tomo V1, e a energia potencial entre tomos V0. Mas V1 e V0 so
negativos em relao a uma referencia arbitrria de energia: V=0 tomado
fora do cristal. Ns iremos estudar as caractersticas de um eltron com
energia E entre V1 e V0 (V0 > E > V1).

Figura1.4:PotencialperidiconomodeloKrnigPenney

Na regio I, de 0 a a, o potencial V(x) = V1, e a equao de Schrdinger


independente do tempo :
I x

I x

19

(1.7)

Na regio II, de b a 0, a energia potencial V(x) =V0, e a equao de


Schrdinger
II x

II x

(1.8)

As solues destas equaes diferenciais homognea de segunda


ordem so:

(1.9a)

(1.9b)

A natureza peridica do cristal sugere que a funo de onda satisfaa


o Teorema de Bloch [Ref. 3] e pode ser escrita da seguinte forma:
(1.10)

uma funo peridica com perodo

Onde

1e

, com

condio

sendo

, com a
0, 1, 2, ,

o nmero de pontos idnticos na rede. Esta condio implica que:

ento, pela condio de contorno em

(1.11)

teremos,

(1.12)

As condies de contorno precisam ser usadas para encontrar as quatro


constantes de integrao A, B, C e D. Isto poder ser feito se impomos a
condio de que a funo de onda e sua primeira derivada sejam contnuas
em

0e

. Fazendo isto, obtemos um sistema matricial que ter

20

soluo somente se os coeficientes A, B, C e D forem nulos ou se o


determinante satisfazer a relao:
sin

cosh

cos

cos

Observa-se que o lado esquerdo desta equao depende de


. Chamando este termo de

(1.13)

atravs de e

, a equao acima pode ser reescrita da

seguinte forma:
cos
A soluo desta equao impe que

(1.14)

1. A soluo de

pode ser visualizada graficamente, para isto, faremos a substituio


(1.15)

Tornando
1

(1.16a)
(1.16b)

Com
vamos reescrever

como sendo:

1
2

0. Assim

, onde adotamos tambm, para simplificar,

21

(1.17)

Banda 3

1,0

Banda 1

1,5

Banda 2

2,0

cos(kd)

P()

0,5
0,0
-0,5
-1,0
-1,5
-2,0
0,0

0,5

1,0

Figura1.5:SoluodomodelodeKrningPenney.Aszonassombreadasindicam
ondehsoluoparaaequao1.17.

Por causa do cosseno do lado direito da equao 1.14, apenas os valores


de

que esto entre

1 e 1 representam os valores reais para . As

reas onde isto ocorre esto indicadas na figura 1.5. Nestas reas existem
valores contnuos para

que correspondem ao surgimento de bandas de

energia permitidas. Alguns valores de

no pertencem a este intervalo, isto

significa que no possvel ter estados que correspondem a estes nveis de


energia, formando assim regies de energia proibida, ou gaps de energia.
A partir do lado direito da equao 1.14, vemos que para um valor de
entre

alguns valores de

a curva de versus

(logo ) so possveis. A figura 1.6 mostra

no qual denominada espectro de energia, diagrama

de banda ou estrutura de banda. Este tipo de diagrama muito importante


na descrio das propriedades dos eltrons em cristais. O diagrama no qual
os valores de

so restritos a este intervalo denominada como

representao da zona reduzida

22

Figura1.6:RelaounidimensionaldeEknarepresentaodazonareduzidaparao
modelodeKrnigPenney.

1.4 Banda de Valncia e Banda de Conduo


Num cristal com n eltrons, as duas bandas permitidas de mais alta
energia so, por ordem decrescente de energia, a banda de conduo e a
banda de valncia (Fig.1.7). O nvel de energia mais baixo da banda de
conduo designado por EC. O nvel de energia mais alto da banda de
valncia designado por EV. O nvel de Fermi EF definido como sendo o
nvel de energia acima do qual no h estados ocupados a temperatura .
Os parmetros EC e EV tm caractersticas de energia potencial. As bandas
esto separadas por uma banda proibida com uma largura em energia EG,
dada por EC - EV, que, para os semicondutores, tem valores tpicos de
aproximadamente 1

1,6

10

. Para

0 a banda de

valncia est completamente preenchida e a banda de conduo vazia.

23

Figura1.7:BandasdeValenciaedeConduo

Uma banda completamente cheia no contribui para a corrente


porque no existem estados livres para onde as partculas (que verificam o
princpio de excluso de Pauli) possam ir quando solicitadas pelo campo.
S podem trocar de posies o que, por conta da indiscernibilidade dos
eltrons, no haver alterao para a corrente. Por outro lado, a banda de
conduo est vazia. Logo, o semicondutor comporta-se como um isolante
a 0 K. Para temperaturas prximas da temperatura ambiente, os eltrons de
valncia j possuem energias para saltar a barreira EG e passar para a banda
de conduo onde se tornam eltrons livres. A existem muitos estados para
ocupar. Sob a ao do campo eltrico, eles vo formar a corrente de
eltrons. Alm disso, a banda de valncia ficar com estados vazios que
tambm podem ser ocupados, estes podem mover-se, por troca de posio
com os eltrons de valncia. a colaborao conjunta dos locais vagos e
dos eltrons de valncia que determina a existncia de entidades de carga
positiva, designadas por buracos, que sob a ao do campo eltrico, iro
formar a corrente de buracos. A probabilidade de ocupao dos estados nas
bandas de valncia e conduo so determinadas pela funo distribuio
de Fermi Dirac.
Na prtica, os cristais que tem a banda de conduo vazia e a banda
de valncia parcialmente preenchida so bons condutores, metais, e aqueles
que tm a banda de valncia totalmente preenchida e banda de conduo

24

vazia, separados por uma diferena de energia alta, so maus condutores de


eletricidade e so denominados isolantes.
1.5 Funo Distribuio de Fermi-Dirac
A distribuio de Fermi-Dirac obtida da fsica estatstica a partir do
ensemble grande cannico para um gs ideal quntico, onde consideramos
que as partculas so indistinguveis e obedecem ao princpio de excluso
de Pauli. Ela expressa a distribuio de probabilidade de um eltron estar
com energia

a uma temperatura :
(1.18)

Onde

a energia de Fermi e

a constante de Boltzmann. A

formulao mais geral da estatstica de Fermi-Dirac envolve o potencial


qumico ao invs da energia de Fermi, mas para as temperaturas
usualmente consideradas nos semicondutores, a diferena entre e
pequena. A forma de

est mostrada a seguir para algumas

temperaturas.

f(E)
1,0

T=0

0,5

T1
T2>T1
0,0

EF

Figura1.8:DistribuiodeFermiDiracparaalgumastemperaturas

25

A posio do nvel de Fermi importante na determinao das


propriedades eltricas dos slidos, pois nos metais que tem a banda de
conduo parcialmente preenchida o nvel de Fermi est dentro desta
banda, isto faz com que ele se torne um bom condutor de corrente, pois
com o campo eltrico aplicado, o eltron passa para um nvel superior
vazio acima de

, podendo mover-se pelo cristal contribuindo assim para

a conduo eltrica. Para determinar o nvel de Fermi precisaremos


introduzir o conceito de densidade de estados.
1.6 Densidade de Estados
Como os estado de energia
onda

so caracterizados por seu vetor de

(ver modelo de Krnig - Penney), o nmero de estados entre


dado tambm pelo nmero de estados entre

.
(1.19)

E por definio, a densidade de estados eletronicos por unidade de


volume no espao

(1.20)

2
com

o volume do cristal. Quando usamos coordenadas ortogonais

o elemento de volume no espao

definido como

que em coordenadas esfricas podemos escrever [Ref. 4]


4
3

Como os eltrons podem ter spin

(1.21)

, este nmero tem que ser

multiplicado por dois, logo


8

26

(1.22)

Lembrando que, no caso de eltrons na banda de conduo

(1.23)

Temos que:
(1.24)

Substituindo 1.24 em 1.22 e em seguida em 1.19 obtemos


2

(1.25)

2
O grfico da figura a seguir representa a densidade de estados

D(E)

dos eltrons em uma banda parablica.

E=EC=0

Figura1.9:Densidadedeestadoseletrnicos

27

paravaloresarbitrriosdeenergia.

Com esta definio, havendo eltrons na banda, por unidade de


volume, a condio que determina a energia de Fermi :
(1.26)

Resolvendo a integral, obtemos ento o nvel de Fermi para uma banda


parablica com eltrons em
0 (onde adotamos
1):

(1.27)

1.7 Dinmica dos eltrons nos Cristais


A dinmica dos eltrons nos cristais pode ser analisada se
considerarmos o eltron como um pacote de ondas. Assumindo que o
pacote de onda tenha uma freqncia e vetor de onda

, podemos

considerar que o eltron esteja se movendo a uma velocidade

, chamada

velocidade de grupo, que caracteriza a velocidade de propagao da energia


que o transporta. Esta velocidade definida pela teoria de ondas

(1.28)

Da dualidade onda partcula, a freqncia da onda relacionada a


energia da partcula por
, ento podemos escrever a equao acima
para [Ref. 5]
1

(1.29)

Quando uma fora externa atua sobre o pacote de ondas, um trabalho


mecnico induzido. Isto altera o valor de energia para
(1.30)

28

Onde
tempo

a distncia sobre a qual a fora exercida durante o intervalo de


. A fora pode ser expressa por:
1

(1.31)

Por outro lado, diferenciando a equao (1.29) com respeito ao tempo


encontramos
(1.32)

1
Substituindo

na equao (1.31) encontramos


1
1

(1.33)

Esta expresso lembra a lei de Newton do movimento quando escrita como

(1.34)

Onde definimos a massa efetiva

como sendo:

(1.35)

Diferente da definio clssica de massa, a massa efetiva no uma


constante, mas depende da estrutura de banda de energia do eltron. Por
exemplo, no caso do eltron livre o espectro de energia definido pela
equao (1.23), ento usando a expresso (1.35) encontraremos
,
que significa que a massa efetiva do eltron livre igual a massa clssica.
Na presena de um potencial peridico, como no modelo de KrnigPenney, a massa efetiva difere da massa clssica, ela ir refletir com o
inverso da curvatura da banda de energia no espao . Devido a esta
condio, os clculos na fsica do estado slido so realizados com a
ao
invs de , pois com a utilizao da massa efetiva podemos aproximar o

29

movimento do eltron no cristal como o de um eltron livre situado em um


campo externo, ou seja, esta uma aproximao para descrever o topo da
banda de valncia e o fundo da banda de conduo.
1.8 Concentrao de Portadores
Vrias propriedades dos semicondutores (como, por exemplo, a
condutividade)

dependem

fundamentalmente

da

concentrao

dos

portadores de carga eltrica e esta ocupao depende do nmero de estados


disponveis para serem ocupados e da probabilidade de ocupao de cada
um [Ref. 1]. A probabilidade de ocupao determinada pela funo de
distribuio de Fermi-Dirac multiplicada pela densidade de estados. Assim
a concentrao de portadores na banda de conduo ser:

(1.36)

Sabendo que os eltrons que participam da corrente eltrica esto


exclusivamente na banda de conduo, iremos reescrever a densidade de
estados para valores de energia acima da energia do fundo da banda de
conduo, ento a densidade de estados ser:
, onde

a massa efetiva dos eltrons na banda de conduo.

Logo, a concentrao de portadores ser escrita como:

Adotando

(1.37)

teremos:

30

As magnitudes de

(1.38)

so, respectivamente, a energia do eltron na

banda de conduo e o nvel de Fermi, reduzidos a unidades de

tomados a partir do fundo da banda de conduo. Uma maneira


conveniente de escrever a expresso (1.38) com a utilizao da integral de
Fermi-Dirac definida como:

(1.39)

Logo a concentrao de eltrons pode ser escrito com:

1 2
4

(1.40)

Ento pra determinarmos a concentrao de eltrons na banda de conduo


necessrio calcular a integral de Fermi-Dirac. Estas integrais no so
calculadas diretamente, para elas temos expresses aproximadas, que so
corretas para determinadas regies de variao do argumento [Ref. 6]:

1
0.27
4
3

31

Quando

(1.41a)

Quando 1

(1.41b)

Quando 5

(1.41c)

A aproximao (1.41a) corresponde a estatstica de Boltzmann e


1, ou seja, quando

correta quando

. Desta forma se o

nvel de Fermi encontra-se abaixo do fundo da banda de conduo a mais


o semicondutor dito degenerado e descrito pela estatstica clssica.
Logo a concentrao de eltrons ser:

1 2
4
Se
totalmente

a mais de 5

est acima de
degenerado

(aproximao

(1.42)

o semicondutor dito

1.41c).

Nesta

situao

as

propriedades eltricas dos semicondutores so similares aos metais e a


concentrao de eltrons ser:

(1.43)

Que independente da temperatura. A aproximao (1.41b) correta


5

para o caso em que

, vlido para descrever

os semicondutores com propriedades intermedirias (desde os degenerados


aos totalmente degenerados). Uma expresso similar pode ser encontrada
para a concentrao de buracos, mas devemos nos atentar no intervalo de
integrao, na massa efetiva correspondente e como o nmero de buracos
dado

pela

falta
1

de

eltrons

na

32

banda

de

valncia,

teremos

2.0 TeoriadaConduoEltrica
2.1 Modelo de Drude da Condutividade Eltrica
onde

A densidade de corrente j dada pela lei de Ohm


a condutividade do cristal e

o campo eltrico. A equao do movimento

de um eltron tendo a velocidade

segundo a direo do campo :

(2.1)

onde

uma fora de atrito que d origem a resistncia eltrica do cristal.

Se o atrito for considerado viscoso ele pode ser escrito:

(2.2)

Nessa expresso tem evidentemente a dimenso de um tempo. Ele


se chama tempo de relaxao dos eltrons. Ele ligado ao livre caminho
mdio e velocidade mdia de um eltron entre duas colises:
1

(2.3)

Essa hiptese do tempo de relaxao uma maneira cmoda de levar


em conta as colises. Aqui supe-se
somente em primeira aproximao.

independente de

: isso vlido

da ordem de 10-14 s para os metais

temperatura ordinria. Nessas condies a equao do movimento se


escreve:
0

33

(2.4)

Essa equao diferencial tem como soluo geral a soma de uma soluo
particular da equao completa e a soluo geral da equao homognea

0
que tem a forma

(2.5)

. Ela se amortece com a constante de tempo

(regime transitrio). Pode-se dizer ainda que

o tempo que o sistema de

eltrons precisa para voltar ao regime estacionrio. Quando o campo


eltrico existe com um tempo grande em comparao a

, o regime

permanente alcanado e tem-se:

(2.6)

tendo n eltrons por unidade de volume, a densidade de corrente :

(2.7)

A condutividade ento:

(2.8)

onde

a mobilidade dos eltrons.

Em um semicondutor, tem dois tipos de portadores: os eltrons com


, tempo de relaxao

, e de carga

, e os buracos com concentrao , com massa efetiva

, tempo de

concentrao , com massa efetiva

relaxao

e de carga

34

As condutividades neste caso se adicionam [Ref. 7]:

(2.9)

onde

so as mobilidades respectivas dos portadores. A introduo

de uma massa efetiva necessria porque quando um material perturbado


por um campo eltrico externo, a existncia de uma rede cristalina no
afeta a forma da equao da variao do momento. O que ela altera ento
a dependncia da energia com o momento, que corresponde em alterar a
massa do eltron.
Em um metal, como vimos na seo 1.8, a concentrao de eltrons
independente da temperatura. Ento na expresso (2.8) a nica dependncia
com a temperatura do tempo de relaxao. Por esta razo importante
conhecer esta caracterstica que ser apresentada a seguir.
2.2 Mobilidade
Quando um semicondutor submetido a um campo eltrico externo,
os eltrons da banda de conduo e os buracos na banda de valncia so
acelerados. Se a rede cristalina for perfeita, estes no sofreriam oposio ao
seu deslocamento e a condutividade do cristal seria infinita. A presena das
imperfeies no cristal e as vibraes da rede limitam o movimento dos
eltrons. Nestas condies o movimento dos eltrons pode ser visualizado,
classicamente, como uma sucesso de trajetrias interrompidas por colises
com obstculos diversos.

Figura2.1:Trajetriahipotticadeumeltronnocristal

35

Cada trajetria aps uma coliso tem uma direo que depende da
seco de choque, mas devido ao do campo eltrico surgir uma
velocidade mdia na direo do campo. Este efeito pode ser visualizado
como o de um enxame de abelhas sendo empurrado numa direo devido
ao do vento. Esta velocidade mdia ser proporcional intensidade do
campo eltrico. Assim, a campos fracos:

(2.10)

onde a constante de proporcionalidade , chamada mobilidade eletrnica,


depende da temperatura e das propriedades intrnsecas do material, sendo
independente do campo eltrico, ao menos na regio de baixo campo. Neste
sentido, a mobilidade indica uma medida das imperfeies do potencial
cristalino sobre os portadores de carga.
Visto que esta nuvem de eltrons propaga-se no material, podemos
idealiz-la matematicamente como o escoamento de um fluido governado
pela equao de Boltzmann.
.

com

, ,

(2.11)

a densidade do fluido,

a velocidade do fluido e

taxa de criao do fluido no tempo t. Se no houver a criao de fluido


0, ento encontra-se a equao da continuidade. Esta idia pode
ser generalizada para um espao de seis dimenses. Para isto vamos definir
uma funo de distribuio
, dos portadores de carga como sendo a
probabilidade de que um estado com energia
seja ocupado por estes
portadores a temperatura . Na presena do campo eltrico, ocorrer uma
variao do momento das partculas que promover uma alterao na
funo distribuio. Assim a funo distribuio desenvolver no tempo da
seguinte forma:
, ,
(2.12a)

36

, ,
(2.12b)

E observe que:
anterior):

,
,

, e igualmente (ver captulo

. Assim obtemos:

, ,

Onde

a velocidade mdia das partculas,


,

variao do momento e a notao

a fora que provoca a


,

indica o gradiente da funo em relao a


estacionrio

0 e se

unidade de volume no espao


, ,

, ,

(2.12c)

. Para um estado

a taxa de criao de partculas por

teremos:
1

(2.13)

Podemos considerar [Ref. 8] que as colises devido s imperfeies


da rede e presena dos ons agem como um campo de foras interno que
perturba o movimento dos eltrons. A existncia deste campo interno e a
diferena na sua ao comparada do campo externo permite que se
desmembrem estas duas foras podendo ento escrever:
.

(2.14)

Onde os ndices e representa a ao externa e interna respectivamente.


Levando em conta que a distncia entre os ons da ordem de alguns
Angstrm e que, em temperatura ambiente, a velocidade trmica dos

37

eltrons em torno de 10 / , as colises entre eles devem ser


consideradas como eventos sucessivos e aleatrios. Por este motivo a ao
das imperfeies tratada pela teoria do espalhamento e da seco de
choque.
Com estas consideraes a equao de Boltzmann para os eltrons
, ,

(2.15)

No caso em que a funo de distribuio no varie no tempo

, ,

implicaria em

(2.16)

ou seja, a variao da funo distribuio devido a ao do campo externo


e da velocidade das partculas compensada pela ao dos centros
espalhadores, levando assim a um ponto de equilbrio no momento em que
o campo externo retirado. Por esta razo o termo
pela introduo do tempo de relaxao
, ,

, ,

pode ser tratado

definida pela equao [Ref. 3]:

(2.17)

Com
a funo de distribuio no equilbrio trmico. Integrando esta
expresso teremos:

(2.18)

, qualquer
Que simplesmente diz que na ausncia de perturbaes
sistema retorna a posio de equilbrio quando o tempo vai para o infinito.

38

Com isto podemos escrever a equao de transporte de Boltzmann na


aproximao do tempo de relaxao.

(2.19)

Ou em funo do tempo de relaxao:

(2.20)

A equao de Boltzmann vlida destes que os campos de foras


exteriores no modifiquem o espectro energtico do cristal e os processos
estudados no sejam de curta durao, pois esta uma equao semiclssica e processos muito rpidos levariam a uma grande incerteza nos
valores de energia envolvidos.
Considerando uma banda de energia parablica com as seguintes
relaes:
1

(2.21)

(2.22)

2
E a funo de distribuio

a funo de Fermi-Dirac, onde usualmente

assumimos que eladepende de somente atravs da temperatura T e de


atravs da energia, assim podemos escrever [Ref. 9],

39

(2.23)

(2.24)

Combinando temos,

(2.25)

Sem foras externas o tempo de relaxao depender apenas do


gradiente de temperatura e das caractersticas intrnsecas do material. Pelo
modelo clssico a mobilidade ser ento:
(2.26)

Em suma, para calcularmos o tempo de relaxao teramos que


considerar os efeitos de espalhamento na funo de distribuio.
Geralmente a forma analtica para interao dos campos internos
realizada por mtodos estatsticos, pois supe-se que sobre o efeito de uma
coliso, as partculas passem de um estado ,

para outro estado , com

, ) a probabilidade desta transio. Para os semicondutores, os


portadores so espalhados devido s seguintes interaes:

Fnons acsticos e ticos;


Impurezas ionizadas;
Defeitos neutros;
Desordem;
Deslocaes.

Estes mecanismos de espalhamento tm dependncias diferentes da


energia do eltron e da temperatura, isto resulta em diferentes dependncias
da mobilidade com a temperatura. A variao da mobilidade com a
temperatura por vibraes da rede, por exemplo, tem resultados diferentes
para fnons acsticos e ticos.

40

Para uma variao que resulte apenas da interao entre portadores de


carga e fnons acsticos em cristais no inicos com bandas de energia
parablicas ter uma mobilidade proporcional a [Ref. 10]:
(2.27)

Para o espalhamento por fnons ticos,


1

(2.28)

Onde
a temperatura de Debye do fnon tico envolvido no
espalhamento. Quando estes dois processos existem a mobilidade ser:
1

(2.29)

Isto causa um desvio na dependncia final da mobilidade com a


temperatura, por exemplo, para o Ge a mobilidade dos eltrons
.
.
enquanto que a dos buracos proporcional a
.
proporcional a
De acordo com a mecnica quntica, os fnons so energias que
correspondem a vibraes na rede cristalina e que esta depende diretamente
com a temperatura, estes tipos de espalhamento so encontrados em
diversos materiais. Em baixa temperatura, este deixa de ser relevante e
passa a predominar o espalhamento por impurezas ionizadas.
O on de impureza gera um potencial coulombiano diferente do que
existe nas outras partes do cristal, agindo como uma perturbao do
potencial peridico. A existncia de portadores livres no cristal faz com
que este potencial coulombiano seja blindado por este excesso de cargas
mveis que tender a se concentrar nas suas proximidades. Este efeito
causar uma variao na mobilidade dos eltrons que ser proporcional a
(2.30)

Quando existe um grande nmero de impurezas ionizadas o


espalhamento por este processo predominar mais facilmente em relao ao
espalhamento por fnons, a medida que se diminui a temperatura (fig. 2.2).
O espalhamento por defeitos neutros pode ser representado por um
tomo de hidrognio contendo a constante dieltrica do cristal. Nesta

41

situao a mobilidade inversamente proporcional a densidade de


impurezas sem a dependncia com a temperatura. Neste caso a fonte de
espalhamento um potencial atrativo causado por um estado de energia
negativo associado com a impureza neutra.

Figura2.2:Variaodamobilidadedosilciocomaconcentraodeimpurezasea
temperatura.Figuraextradadareferncia(11).

O espalhamento por desordem se deve ao fato de que nos


semicondutores com impurezas impossvel determinar com exatido
quais so os vizinhos de determinados tomos, deste modo o potencial no
ter simetria translacional e que possuir uma componente aleatria.
A rigor a funo de onda de Bloch dos eltrons no poderia ser definida
em tal arranjo, porm, a aproximao para o caso ideal introduz este novo
tipo de espalhamento que promover uma variao da mobilidade
proporcional a:
(2.31)

Para o espalhamento por deslocaes de carga, onde temos um arranjo


paralelo de deslocaes e o eltron move-se paralelo a ele, o efeito na
mobilidade ser pequeno. Mas no caso em que o movimento do eltron
perpendicular, ambos sero espalhados porque o eltron est sujeito ao

42

campo eltrico aplicado e a deslocao devido ao espao de carga. Neste


caso, a mobilidade tem uma dependncia com
.
2.3 Condutividade nos semicondutores
Ao contrrio dos metais onde a concentrao constante e a
temperatura

influencia

unicamente

mobilidade,

no

caso

dos

semicondutores a concentrao de cargas livres afetada pela temperatura


alm da mobilidade. Utilizando a equao 1.42 da concentrao de eltrons
e substituindo na equao 2.8 da condutividade teremos:

(2.32)

. Para o caso em que a mobilidade tenha uma variao

Com
proporcional a

, a condutividade ser [Ref. 12]:

(2.33)

Nesta ltima expresso podemos considerar o termo multiplicado


pela exponencial como independente da temperatura. Esta dependncia
com a temperatura no nica, pois a mobilidade uma grandeza que
envolve parmetros intrnsecos do material, ento, o fator 3/2 na
temperatura ir variar de acordo com a concentrao de impurezas, uma
vez que este um fator determinante para o tempo de coliso, ou com os
outros processos de espalhamentos como vimos anteriormente.

43

PARTE2:TCNICASEXPERIMENTAIS
3.0 MATERIAISEMTODOSEXPERIMENTAIS

Existem vrios mtodos descritos na literatura que podem ser

usados para a determinao da resistividade eltrica em slidos, mas iremos


abordar queles que so empregados na medida de resistividade de
semicondutores: mtodo de van der Pauw, mtodo de quatro pontas e o
mtodo do eletrmetro.

Cada mtodo tem suas limitaes e deve ser

empregado de acordo com as caractersticas dos semicondutores, tais como


espessura, resistncia, uniformidade da superfcie, etc. Aqui, daremos um
tratamento mais detalhado ao mtodo de van der Pauw, que o foco
principal deste trabalho.
3.1 Teorema de Van der Pauw
A medida da condutividade eltrica de um condutor normalmente e
realizada utilizando-se a lei de Ohm. Por exemplo, para um condutor
retilneo de seo transversal circular uniforme a condutividade eltrica
dada por

, onde

RS

a resistncia eltrica,

a seo transversal e o

comprimento. O principal obstculo nesta medida est nas resistncias de


contato nas faces terminais que no so sempre bem definidas e
controlveis. Em 1958, L. J. Van der Pauw [Ref. 13] deduziu uma
expresso que permite medir a condutividade de um filme condutor de
espessura uniforme

(ou a condutividade de um eletrlito espalhado sobre

a superfcie de um vaso de fundo plano horizontal com espessura uniforme


h), utilizando 4 pontos 1, 2, 3 e 4 de contato com o filme, como descrito
mais adiante (ver figura 3.1).

44

Esta expresso recebeu o nome de teorema de van der Pauw, o qual


dado por

onde R

U
I

e R

U
I

(3.1)

so chamadas resistncias de

transferncia definidas, por exemplo, como a relao entre a diferena de


potencial entre os ns 4 e 3 e a corrente entre os ns 1 e 2 da Fig. 3.1. Neste
caso, corrente entra na amostra pelo contato 1 e deixa a amostra pelo
contato 2. A condutividade pode ser medida desde que o contorno da
amostra onde esto localizados os pontos 1, 2, 3 e 4 tenha forma arbitrria e
satisfaa as seguintes condies [Ref. 14]:
a) Os contatos esto localizados na circunferncia da amostra.
b) Os contatos so suficientemente pequenos.
c) A amostra homognea em espessura.
d) A superfcie da amostra simplesmente conexa, isto , a amostra
no tem furos isolados.

Figura3.1:Placacondutoradeespessurauniformeecircunfernciaarbitrarianoplanot.Os

pontos1,2,3,e4sooscontatoseltricos.

45

Van der Pauw, na deduo do seu mtodo, supe que os contatos


sejam pontuais e que esto localizados na borda da amostra e calcula o erro
cometido com a rea finita dos contatos reais, na prtica o erro total igual
a soma dos erros por contatos. Van Daal [Ref. 15] calculou os efeitos da
posio e da rea dos contatos e mostrou que o erro cometido diretamente
proporcional a espessura da amostra, devido a penetrao das linhas do
campo eltrico para o interior da amostra provocando uma alterao na
medida da resistncia. Na condio mais desfavorvel (contatos ocupando
5% da amostra e longe da borda) encontrou erros em torno de 20%.
Trabalhos posteriores [Ref. 14] mostraram que as impurezas do material, a
no uniformidade da espessura da amostra e a solda dos contatos so
causadores de erros no clculo da resistividade, sendo que esta ltima
modifica a resistncia de maneira acentuada.
3.1.1 Procedimento Experimental
No caso geral no possvel determinar a condutividade eltrica da
Eq (3.1) a partir de uma soluo analtica, contudo, esta soluo pode ser
obtida se introduzirmos a resistncia de folha (ou resistncia de superfcie),

1/

, a partir da medida de duas resistncias caractersticas


,

. Ento, utilizando um processo iterativo

obtemos uma soluo numrica para o Teorema fundamental de Van der


Pauw, que com estas substituies fica:

1.

O processo iterativo de acordo com a ASTM F76 [Ref. 16] dever


ocorrer da seguinte forma:
Ajuste o limite de erro =0.0005, que corresponde a 0.05%;
Calcule o valor inicial de Z0=2ln(2)/[(Ra+Rb)];
Calcule Yi=1/exp(Zi-1 Ra) + 1/ exp(Zi-1 Rb);
Calcule Zi=Zi-1-[(1-Yi)/]/[Ra / exp(Zi-1Ra)+Rb/ exp(Zi-1 Rb)];
Quando (Zi - Zi-1)/Zi for to pequeno quanto , pare e calcule a
resistncia de folha Rs=1/Zi.

46

Com isso a resistividade dada por

, onde

a espessura

da amostra. Para reduzirmos os erros no mtodo de van der Pauw, os


contatos foram dispostos a uma distncia simtrica entre eles (Fig. 3.2)
onde realizamos as medidas em configuraes diferentes.

Figura3.2:Desenhoesquemticodaposiodosterminaisdeumaamostra
semicondutora.

Cada configurao indica por quais terminais a corrente circular na


amostra e em quais terminais ser lida a tenso, tendo ento oito
possibilidades:
Configurao 1: corrente entre o terminal 1 e 2, Tenso lida entre 3 e 4;
I(1,2)V(3,4)
Configurao 2: corrente entre o terminal 2 e 1, Tenso lida entre 4 e 3;
I(2,1)V(4,3)
Configurao 3: corrente entre o terminal 2 e 4, Tenso lida entre 1 e 3;
I(2,4)V(1,3)
Configurao 4: corrente entre o terminal 4 e 2, Tenso lida entre 3 e 1;
I(4,2)V(3,1)
Configurao 5: corrente entre o terminal 4 e 3, Tenso lida entre 2 e 1;
I(4,3)V(2,1)
Configurao 6: corrente entre o terminal 3 e 4, Tenso lida entre 1 e 2;
I(3,4)V(1,2)

47

Configurao 7: corrente entre o terminal 3 e 1, Tenso lida entre 4 e 2;


I(3,1)V(4,2)
Configurao 8: corrente entre o terminal 1 e 3, Tenso lida entre 2 e 4;
I(1,3)V(2,4)
Neste caso, as resistncias caractersticas so obtidas tomando a
mdia das resistncias em configuraes semelhantes, ou seja,

soma

dos valores das resistncias encontradas nas configuraes 1, 2, 5 e 6


divididos por quatro, e

a soma dos valores das resistncias nas

configuraes 3, 4, 7, 8 divididos por 4:

(3.2)

(3.3)

Ento, calculamos a resistncia de folha com a iterao descrita


anteriormente. Neste processo, podemos acompanhar a ocorrncia de
discrepncias nos valores de resistncia em cada configurao o que
indica que a solda dos contatos no foi perfeita, podendo ento
corrigi-las e efetuar novas medidas.
3.2 Mtodo de quatro pontas
O mtodo de quatro pontas foi originalmente proposto por F.
Wenner [Ref. 17] em 1915 para medir a resistividade eltrica da terra
(globo terrestre) e conhecida em geofsica como mtodo de Wenner. Em
1954, L. B. Valdes adotou a tcnica para realizar medidas de resistividade
eltrica em wafers de materiais semicondutores e, por esse motivo,

48

conhecida at hoje como um mtodo analtico para medidas de


resistividade eltrica em slidos, principalmente em semicondutores.

Figura3.3:Arranjoparamedidasderesistividadepelomtodoquatropontas(oude
quatroterminais).

Recentemente, o mtodo da sonda quatro pontas tem


encontrado muita utilizao na caracterizao de filmes ultrafinos (10 a
40

),

monocamadas

),

na

caracterizao

de

filmes

supercondutores do tipo YBaCuO. Sem dvida, o mtodo quatro pontas o


mais amplamente utilizado para a determinao da resistividade eltrica de
condutores metlicos e semicondutores, nas suas mais diversas formas
(amostras cilndricas, circulares, quadradas, etc.) ou arranjos substrato/
amostra (e.g. filmes finos depositados sobre substrato condutor ou sobre
substrato isolante) [Ref. 18]. O mtodo da sonda quatro pontas til para
medidas de rotina que requerem rapidez e preciso nos resultados.
tambm um mtodo recomendado pela norma padro ASTM (F43-99) para
a medida de resistividade em materiais semicondutores.
Neste mtodo, as sondas que monitoram a corrente e a tenso so
contatos pontuais, usualmente montados em um suporte especial com as
pontas da sonda dispostas em linha, a uma distncia equivalente umas das
outras (existe tambm a disposio quadrada).

49

Para a utilizao deste mtodo, faz-se necessrio a utilizao de


fatores de correo que esto relacionados ao formato e arranjo das
amostras (devido s condies de contorno para os campos e para o
potencial). Tais fatores de correo so obtidos atravs de sries
geomtricas e da aplicao de tcnicas matemticas como o mtodo das
imagens, teoria de variveis complexas, mtodo das fontes de Corbino,
funes de Green ou mapeamento conformacional [Ref. 19]. O objetivo
deste trabalho no discutir os mtodos empregados na obteno dos
fatores de correo mencionados. O fato mais importante neste ponto
lembrar que o arranjo das pontas, assim como o formato das amostras e sua
disposio, exerce grande influncia na determinao da condutividade
eltrica de materiais como no mtodo de van der Pauw.
3.3 Mtodo do Eletrmetro
Esse procedimento baseado em medidas de resistividade eltrica
pelo mtodo duas pontas. um mtodo padro, recomendado pela ASTM
(D257-99) quando o material a ser analisado possui uma altssima
resistncia eltrica (geralmente acima de 109M), o que conseqentemente
requer a deteco de valores de corrente eltrica muito baixos.
Muitos problemas esto associados com medies de materiais de
alta resistncia, tais como: blindagem e interferncia, rudo e efeitos de
superfcie (como dependncia com umidade), no homogeneidade, etc.
Assim, em alguns casos, recomendado que as medidas sejam feitas em
ambiente seco e, se possvel, dentro de gaiolas de Faraday.

50

Figura3.4:Mtododoeletrmetro.

A Figura 3.4 ilustra o esquema experimental para este tipo de


medida, com o suporte de amostra e os terminais de conexo do
eletrmetro e da fonte dc. O suporte de amostra mostrado na Figura 3.4,
pode ser construdo com ao inox ou adquirido comercialmente. O anel de
segurana possui a funo de diminuir as perdas de corrente devido
resistncia do contato amostra/equipamento. possvel medir a
resistividade de superfcie ( s) fechando o contato b e o contato a na
posio 1, ou a resistividade ( ) com o contato b aberto, c fechado e o
contato a na posio 2. Para o clculo, basta medir a corrente e usar os
valores da tenso aplicada, das dimenses da amostra e utilizar as equaes
abaixo (sendo w a espessura da amostra):

(3.4)

51

(3.5)

3.4 Equipamentos Bsicos para Medida da Condutividade em Baixa


Temperatura
Para realizao das medidas em baixa temperatura o equipamento
principal o criostato de hlio a ciclo fechado, que pode atingir
temperaturas de at 10 K. Existem tambm outros equipamentos, como o
controlador de temperatura, fonte de corrente e voltmetro digital ambos
com interface GPIB, juntamente com uma placa nessa interface para
comunicao com um microcomputador. Nos itens a seguir iremos dar uma
descrio bsica destes equipamentos.
3.4.1 Criostato
3.4.1.1 Princpio de funcionamento
O criostato de ciclo fechado DE-202 da Advanced Research System
(ARS) utiliza o gs hlio a alta presso para resfriar at 10

[Ref. 20]. Um

compressor de hlio fornece um gs a alta presso (250 psi) ao criostato


atravs de uma mangueira flexvel. A expanso do gs nos diferentes
estgios do criostato produz a refrigerao.

Figura3.5:PartesprincipaisdocriostatoARSDE202.

52

O gs de baixa presso retorna por uma segunda mangueira flexvel,


e fica reciclado pelo compressor. Esse ciclo fechado pode ser repetido
continuamente e mantido o tempo necessrio para produzir a refrigerao
desejada.
As principais partes do criostato so mostradas na figura 3.5 e podem
ser divididas em: compressor, bomba de vcuo, expansor, porta amostra,
dedo frio e controlador de temperatura.

Figura3.6:CicloGiffordMacMahon

O expansor a parte do refrigerador criognico de ciclo fechado que


resfria, contendo dois estgios de refrigerao em srie. Ele opera atravs
do princpio do ciclo de refrigerao de Gifford-McMahon criado em 1960.
Deste ento muitas diferentes formas deste ciclo foram desenvolvidas e a

53

refrigerao

Gifford-McMahon

tornou-se

popular

devido

sua

simplicidade e alto rendimento [Ref. 21]. A operao bsica do processo


explicada na Figura 3.6.
Primeiro, a vlvula de entrada

aberta e o expansor preenchido

com gs hlio em alta presso. O volume V de expanso o espao


mnimo de V1 (etapa a). Em seguida, o mbolo movimenta-se e fora um
fluxo do gs de alta presso para o espao de expanso. Ao passar atravs
do regenerador, o gs esfria e reduz a presso. Como resultado, mais gs
entra atravs da vlvula de entrada, de modo que a presso mxima do
ciclo mantida. O volume do espao de expanso agora mxima V2
(etapa b). O resfriamento obtido pelo fechamento da vlvula de alta
presso e a abertura da vlvula de escape de baixa presso PL. O gs se
expande causando uma reduo na temperatura. O volume de espao de
expanso ainda mximo, mas a presso reduz para o valor mnimo (etapa
c). O prximo passo mais uma etapa de regenerao em que o mbolo
movimenta o gs do espao de expanso para o inicio do cilindro. O gs
troca de calor com o regenerador e aquece. O espao est novamente no
volume mnimo de expanso (etapa d).
A fim de alcanar a temperatura mnima de 10 , o expansor
fechado por um cilindro hermtico com ligaes com a bomba de vcuo. O
vcuo obtido com essa bomba da ordem de 0,1 torr. Quando o criostato
comea a resfriar (compressor ligado), o prprio dedo frio fica capaz de
adsorver as molculas de gs ainda presente no recinto. A partir deste
momento, a bomba de vcuo isolada e o criostato funciona como uma
bomba criognica. As perdas por conduo no gs tornam-se desprezveis.
Para melhorar esse resfriamento, o segundo estgio recebe um cilindro
refletor que reduz as trocas por infravermelho. Com este segundo recurso
alcana-se 10 .

54

3.4.1.2 Controlador de Temperatura


Enquanto o criostato est sempre resfriando a potncia mxima, um
resistor bobinado no dedo frio permite aquecer o suporte da amostra e
controlar assim sua temperatura. A medida da temperatura feito por dois
sensores do tipo diodo de silcio (modelo DT-670-SD), um instalado no
dedo frio para o controle de aquecimento e outro no porta-amostra para
medir a temperatura da amostra. Eles apresentam uma resposta linear de
1.4

a 500 , um tempo de resposta de 10

a 305 , com preciso de

12

a 4.2

chegando a 200

na temperatura mnima e

50

na

temperatura mxima.
Estes sensores tm uma sensibilidade constante em duas faixas de
temperaturas, a primeira faixa variando de 4.2
de

22,6

de 2,1

e a segunda faixa de 25

a 25

a 500

com uma resposta

com uma sensibilidade

/ . A curva de resposta est mostrada na figura 3.7.

1,6

DT - 670 - SD
1,4

Tenso (V)

1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

Temperatura (K)

Figura3.7:CurvaderespostaparaosensordetemperaturadotipodiododesilcioDT
670SD.

55

O controle da temperatura pode ser feito a partir de um destes


sensores, que definido diretamente no controlador de temperatura da
LakeShore modelo 331S (fig. 3.8).

Figura3.8:ControladordetemperaturadaLakeshore,modelo331S,utilizadona
operaodocriostato.

Na figura 3.9 apresentamos um diagrama de bloco da operao do


controlador. Neste sistema, o ajuste de controle de temperatura desejado
inicialmente comparado com o sinal do sensor, ento a diferena
amplificada pelo controlador. Quando o sinal do sensor atinge a
temperatura ajustada o sinal ser igual, mas com polaridade oposta ao do
sinal de ajuste, resultando numa sada de potncia estabilizada.

Figura3.9:Diagramadeblocosdocontroladordetemperatura

O controlador fornece duas potncias de aquecimento (loops de


corrente) para uma resistncia de fio (50 ) instalada no 2 estgio do dedo
frio para o aquecimento. Para este valor de resistncia, o loop 1 fornece
uma potencia mxima de 50W enquanto o loop 2 de 10W. Cada loop de

56

corrente pode ser ajustado em trs escalas de potncia: baixo, mdio e alto
(para o loop 1: 500mW, 5W e 50 W e para o loop 2: 100mW, 1W e 10W)
[Ref. 22]. Estas escalas servem para um controle mais fino da temperatura
na amostra, uma vez que o aquecimento depende da potencia fornecida
pela resistncia. Com a utilizao do loop 1 podemos variar a temperatura
de 10 K at a temperatura ambiente e com o loop 2 de 10K a 100K.
O display do controlador de temperatura dispe de quatro locais de
leitura. O primeiro denominado A indica a temperatura da amostra e o B a
temperatura do dedo frio (ver figura 3.8), estes valores de temperatura
podem ser mostrados em Kelvin ou em graus Celsius. O terceiro local
denominado S o valor do setpoint de temperatura. O usurio determina o
valor do setpoint e o controlador, estando no modo auto tune, fornece
automaticamente a potncia necessria resistncia de aquecimento para
que a temperatura atinja o valor de setpoint e a mantm. O quarto local
indica o percentual da potncia total que est sendo fornecido e a escala de
potncia.
3.4.1.3 Procedimento
O principal cuidado na operao do criostato verificar a
temperatura do sistema de refrigerao do compressor. Os passos para por
em funcionamento sero apresentado a seguir:
1. Instalar a amostra;
2. Efetuar uma limpeza das partes internas com acetona para remoo
de gorduras e pequenas partculas;
3. Fechar a vlvula de vcuo. Em seguida ligar a bomba de vcuo e
abrir lentamente a vlvula de vcuo;
4. Ligar a bomba dgua de refrigerao;

57

5. O compressor pode ser acionado quando o vcuo atingir uma presso


de isolamento de 0,1 torr. Contudo uma presso menor prefervel.
Com o compressor em funcionamento o expansor comear a esfriar;
6. Verificar a presso do compressor que deve estar em torno de 300
psi.
7. Fechar a vlvula de vcuo quando a presso permanecer menor que
0,001 torr ou o expansor atingir uma temperatura entre 150 e 200 K;
8. Aguardar at que a temperatura esteja perto de 10 K para incio das
medidas, que leva em torno de duas horas. Este tempo de
resfriamento e o alcance da temperatura mnima depender de cada
aplicao (material da amostra, dimenso, massa). Durante este
perodo verificar constantemente a temperatura da gua de
refrigerao e a presso do compressor.
9. Para parar a operao, desligue o compressor e minutos depois, a
bomba dgua de refrigerao. Abrir a vlvula de vcuo e logo em
seguida desligar a bomba de vcuo.
10. Para retirar a amostra deve-se esperar que a temperatura e a presso
atinjam os valores do ambiente, que leva em torno de seis horas. No
recomendado tentar uma acelerao durante este perodo, isto pode
acarretar em um congelamento do dedo frio podendo danificar o
isolamento eltrico da fiao interna do criostato e da amostra.
3.4.2 Fonte de Corrente
A fonte de corrente utilizada o da Keithley modelo 2420 e tem a
capacidade de poder funcionar como fonte de tenso e realizar medidas de
tenso, corrente e resistncia. Esta fonte capaz de fornece correntes de
500pA at 3.15A e medir correntes de 100pA at 3.165 A [Ref. 23].
Operando como fonte de tenso, capaz de fornecer tenses de 5V at
63V e ler tenses de 1V at 63.3V, ou medir resistncias de 10 at

58

21.1M. Na figura 3.10 temos a vista frontal deste instrumento. O


procedimento operacional se d da seguinte forma:
1. Selecionar a funo da fonte pressionar SOURCE V ou SOURCE
I;
2. Selecionar o nvel da fonte Usar o boto DISPLEY EDIT para
posicionar o cursor no campo de fonte (Vsrc ou Isrc), usar os botes
RANGE para selecionar a escala, depois utilizar as setas na rea
SOURCE para determinar o valor da fonte, ento pressionar
ENTER;
3. Selecionar o modo de medida Pressionar MEAS V ou MEAS I;
4. Selecionar a escala Usar os botes RANGE para determinar a
escala automaticamente, ou pressionar AUTO para ativar a escala
automtica;
5. Ligar a sada e ler os valores no display Pressionar o boto
ON/OFF OUTPUT;
6. Desligar a sada quando finalizar Pressionar o boto ON/OFF
OUTPUT.

Figura3.10:VistafrontaldafontedecorrentedaKeithley,modelo2420.

Uma caracterstica importante uma porta digital de entrada e sada


que pode ser usada para controlar circuitos digitais externos. Esta porta

59

digital est localizada na parte traseira do equipamento e mostrada na


figura 3.11.

Figura3.11:VistadaportadigitaldafontedecorrentedaKeithley,modelo2420.

O conector do tipo DB9 e a porta contm quatro linhas de sada.


Cada sada contm uma configurao de transistor a coletor aberto e pode
ser ajustada para alto (+5V) ou baixo (0V), sendo capaz de fornecer
correntes de 2mA cada ou picos de at 500mA. Esta porta contm ainda
uma sada de +5V capaz de fornecer uma corrente de at 300mA, alm de
poder ser ativada remotamente (pino 8). Esta porta digital foi utilizada para
comandar os rels de comutao dos contatos indicados no subitem 3.1.1.
Basicamente, para operar esta equipamento o usurio define se ir
funcionar como fonte de corrente ou fonte de tenso e se ir ler tenso ou
corrente, apenas pressionando os botes na parte frontal do instrumento.
Vale a pena ressaltar, que ela pode funcionar como fonte de corrente e
medidor de corrente simultaneamente, o mesmo ocorre para fonte de tenso
e voltmetro, pois as sadas so comuns para estes modos de operao. Para
nossa aplicao, iremos operar como fonte de corrente apenas e utilizar os
terminais input/output.

60

3.4.3 Voltmetro
O voltmetro utilizado o multmetro digital de alto desempenho
com 6 dgitos da Keithley Instruments modelo 2000. Este multmetro
pode ler tenses contnuas de 1V at 1000V com uma preciso de
0.002%. Ele tambm capaz de ler tenses AC numa escala de 0.1V at
750V, correntes DC a partir de 10nA at 3A, correntes AC de 1A at 3A,
freqncia numa escala de 3Hz at 500 kHz, resistncias com dois ou
quatro fios variando de 100 a 120M entre outros.
Como ele j vem pr-ajustado de fabrica o usurio deve apenas
determinar o modo de operao (no nosso caso voltmetro) e a escala, que
pode ser automtica. Devido ao local de instalao dos equipamentos
(vizinho subestao do prdio) o multmetro estava lendo rudos de
alguns 1mV com os contatos abertos e de 50V com estes curtocircuitados. Como a primeira amostra utilizada tinha a resistncia de alguns
ohms, foi adotada uma margem de erro na leitura do voltmetro de 50V,
mas para amostras com resistncias maiores, ser necessrio a utilizao de
sistemas de isolamento do tipo gaiola de Faraday.

Figura3.12:VistafrontaldomultmetrodaKeithley,modelo2000.

61

3.4.4 Caixa Comutadora


Para efetuar a comutao dos contatos foi confeccionada uma
placa de circuito impresso contendo oito rels de 5V com a ligao dos
seus contatos de acordo com o esquema a seguir.

Figura3.13:Ligaodoscontatosdosrelsparaaconfiguraodoscontatos

Na figura acima cada rel numerado de 1 a 8. Do lado direito temos


a indicao dos terminais de entrada de corrente e leitura da tenso e do
lado esquerdo temos a numerao dos terminais da amostra.

Figura3.14:Conexobsicadaportadigitaldafontedecorrenteeosrelsde
comutao.

O controle dos rels feito a partir da sada digital da fonte de


corrente (figura 3.11), mas utilizamos o buffer 74LS541 para proteo da

62

porta. Para realizar as configuraes descritas no subitem 3.1.1, os rels so


acionados as pares da seguinte forma:
Configurao 1: Todos os rels esto desligados;
Configurao 2: ligar rels 5,6,7,8;
Configurao 3: Mantm 5,6,7,8, ligados e liga 1 e 4;
Configurao 4: Desliga 5,6,7,8,1 e 4 e liga 2 e 3;
Configurao 5: Mantm 2 e 3 ligados e liga 1 e 4;
Configurao 6: liga todos os rels;
Configurao 7: desliga 1 e 4;
Configurao 8: Liga 1 e 4 e desliga os outros.

Configurao

Contatos
Corrente Tenso 1

Rels
2 3 4 5 6 7 8

1-2

3-4

D D D D D D D D

2-1

4-3

D D D D L L L L

24

1-3

L D D L L L L L

4-2

3-1

D L L D D D D D

4-3

2-1

L L L L D D D D

3-4

1-2

L L L L L L L L

3-1

4-2

D L L D L L L L

1-3

2-4

L D D L D D D D

Tabela3.1:Tabelacontendoaconfiguraodeacionamentodosrelscomutadoreseasindicaesdos
contatosdeentradadecorrenteeleituradatensonaamostra.AsletrasDeLindicamDesligadoe
Ligadorespectivamente.

63

Estes comandos so enviados a fonte de corrente pela interface GPIB


numa linguagem de programao escrita em Visual Basic. O tipo de
conexo dos contatos realizada servir tambm para medida de efeito Hall,
necessitando apenas enviar o comando de configurao adequado. A tabela
3.1 apresenta um resumo deste procedimento.
3.4.5 Programa de Aquisio
Todos os instrumentos de medio e controle so conectados ao
computador atravs da placa de interface GPIB modelo 778032-51 da
National Instruments. Os comandos utilizados esto disponveis nos
manuais de instrues destes, restando-nos a apresentar como foi escrito o
programa.
Inicialmente devemos entrar o valor da espessura da amostra e
definir o valor de corrente, aps isso, ajustamos os parmetros de
inicializao da fonte de corrente e do multmetro onde definimos os
modos de operao de cada um. Cada comando enviado a um endereo
de memria correspondente ao instrumento.

A seguir configuramos o

controlador de temperatura para a escala de aquecimento alto e controle da


temperatura efetuado pelo sensor localizado no porta-amostra do criostato.
Nesta etapa tambm definimos os passos para o aquecimento de
temperatura e o valor de temperatura final. A figura 3.15 mostra a tela
principal do programa de aquisio.
Devemos operar o programa da seguinte forma: inicialmente
clicamos em abrir porta e s ento entramos com o valor de corrente.
Podemos verificar os nveis de tenso em cada configurao clicando no
boto Iniciar. Neste boto podemos verificar se existe uma simetria nos
valores de tenso, observando o grfico formado no lado direito da tela do
programa e havendo alguma irregularidade, podemos refazer os contatos

64

antes de iniciar a medio em si. Veja que este procedimento deve ser feito
com o criostato fora de operao. No programa ainda temos a opo de
medir a resistncia dos contatos automaticamente.

Figura3.15:Telaprincipaldoprogramadeaquisio

Passando esta etapa, podemos ligar o criostato e aguardar at que a


temperatura atinja seu valor mnimo verificando regularmente os contatos,
medindo tenses e correntes entre pares, s ento entramos com o valor de
setpoint, que ser a temperatura final, e o incremento que ser os passos
para a leitura da condutividade. Em seguida clicamos no boto aquisio
automtica que o programa realizar aquisio de acordo com a
temperatura de incremento definida at atingir o setpoint finalizando assim
o processo, pedindo o local e o nome para os dados a serem salvos.
Caso ocorra algum problema durante a aquisio temos a opo de
desligar o aquecimento que encerrar as medidas e retorna aos parmetros
de configurao iniciais dos instrumentos.

65

3.5TcnicasdeSoldagem
3.5.1 Processos de Limpeza
Para efetuarmos as soldas em semicondutores devemos seguir um
processo de limpeza padro denominado RCA. O processo de limpeza
RCA consiste nas seguintes etapas:
Limpeza 1: remoo de compostos orgnicos.
Becker I: H2SO4 + H2O2 (4:1) (adicione primeiro o H2O2), T = 120C, 10
minutos.
Becker de gua corrente: 5 minutos de lavagem em gua deionizada (DI).
Aps o uso, a mistura H2SO4 + H2O2 deve ser resfriada e colocada no
frasco cido Sulfrico Usado ou Soluo 1 Usada.
Limpeza 2: remoo de metais e materiais orgnicos.
Becker II: H2O (DI) + NH4OH + H2O2 (4:1:1), T = 80C, 10 minutos.
Becker de gua corrente: 5 minutos de lavagem em gua deionizada (H2ODI).
Aps o uso, a mistura H2O + NH4OH + H2O2 deve ser resfriada e colocada
no frasco Soluo 2 Usada.
Limpeza 3: remoo de compostos alcalinos e ons metlicos.
Becker III ou MOS: H2O (DI) + HCl + H2O2 (4:1:1), T = 80C, 10
minutos.
Becker de gua corrente: 5 minutos de lavagem em gua deionizada (H2ODI).

66

Limpeza HF: remoo de xido.


Becker plstico e pina de teflon: H2O + HF (10:1), temperatura ambiente,
alguns segundos.
Becker de gua corrente: 5 minutos de lavagem em gua deionizada.
Secagem:
Secar a pina com jato de N2 seco, em seguida, a amostra.
As solues usadas so enviadas ao departamento de qumica para o
descarte. A limpeza da solda de ndio [Ref. 24] feita utilizando cido
clordrico diludo em gua (1:1) durante 3 minutos para que se elimine a
oxidao superficial que este elemento apresenta quando exposto ao ar.
Aps isto deve-se enxaguar o ndio em gua abundante a fim de eliminar os
traos de HCl que possam ter ficado no material, pois estes resduos podem
gerar falhas ou falta de aderncia com a superfcie da amostra. Deve-se ter
cautela de deix-lo bem seco, podendo utilizar para isto um soprador
trmico.
Devemos ficar atento em no seguir todos os passos do padro RCA,
pois o mesmo no para qualquer tipo de amostra. O nosso principal
objetivo eliminar resduos de gordura da superfcie da amostra, o que
pode ser feito com outros produtos menos corrosivos. Este mtodo de
limpeza utilizado na fabricao de dispositivos semicondutores o que
exige um grau de pureza elevado do silcio utilizado.

67

PARTE3:RESULTADOS
EXPERIMENTAIS
4.0 RESULTADOSEXPERIMENTAIS

Nesta parte do trabalho utilizaremos o mtodo de van der Pauw,


inicialmente a temperatura ambiente, onde verificaremos a viabilidade
deste mtodo na medida de condutividade em semicondutores. O
equipamento utilizado para fonte de corrente foi confeccionado no LAPO
[Ref. 25], onde adaptamos uma placa de rels para realizar a comutao
dos contatos de acordo com as configuraes descritas no subitem 3.1.1.
Estas medidas foram realizadas com o arseneto de glio dopado com
carbono, onde identificamos a interferncia das soldas dos contatos durante
as medidas.
Em seguida, realizamos testes em baixa temperatura com o dixido
de estanho dopado com flor, pois no foi possvel realizar os testes com o
arseneto de glio devido ao alto ndice de rudo na sala onde est instalado
o criostato. Estas medidas apresentaram-se de forma bastante satisfatria
para aplicao deste mtodo, visto que as amostras so de filmes finos, e
como vimos no item 3.1, o erro cometido na aplicao deste mtodo tornase bastante reduzido. Os resultados obtidos indicam materiais com
caractersticas semelhantes ao de semicondutores com alta concentrao de
impurezas.
Estes resultados sero apresentados em dois subttulos para uma
melhor anlise e compreenso deste trabalho.

68

4.1 Resultados da Aplicao do Mtodo de van der Pauw para a


Medida da Condutividade do GaAs:C em Temperatura Ambiente
O arseneto de glio tem uma estrutura cbica de face centrada e
produzido basicamente mediante ao processo denominado de BEM
Molecular Beam Eptaxy ou feixe molecular epitaxial, no qual consistem
em duas pilhas que possuem os materiais As, Ga e um terceiro com outro
material para a promoo da dopagem. Na frente destas pilhas h um
obturador rotativo e no fundo substratos simples que esperam as partculas
de As e Ga. Todo este sistema se encontra dentro de uma cmara de
altssimo vcuo onde as partculas so bombardeadas mediante a um
potencial muito alto (da ordem de centenas de kV). A aplicao mais
comum deste material na fabricao de fotodiodos e lasers, mas associado
a outros metais, podem adquirir diversas configuraes de componentes
eletrnicos para o ramo industrial. As amostras utilizadas nos testes so
dopadas com carbono e tem uma concentrao de impurezas que variam
entre 10

a 10

, espessura em torno de 60

e resistncia eltrica

variando de 0.1 a 5 .
Para realizarmos a medida foi utilizado o circuito da Bancada Hall
construdo para o estudo de filmes finos de SnO2 [Ref. 25], onde instalamos
um circuito externo com os rels comutadores para aplicao do mtodo de
Van der Pauw. O sinal de corrente e tenso vindo da bancada Hall passa
pela placa externa antes de ir amostra, dessa forma no precisaremos
alterar ou montar outro circuito para a fonte de corrente e leitura da tenso.
Tambm aproveitamos o programa em QBasic da bancada Hall onde
introduzimos apenas o comando de configurao que so enviados ao End1
da porta paralela possibilitando ligar ou desligar os rels.

69

Devido ao valor da resistncia das amostras (alguns K), fez-se


necessria a instalao de um divisor de tenso na sada da placa externa,
pois o circuito da bancada Hall fornece uma corrente mnima de alguns
mA, o que gerava uma tenso de alguns volts que saturava o ADC. Assim o
valor mostrado na tela do computador teria que ser multiplicado por
aproximadamente 17850 para obtermos o valor na amostra. Para melhorar a
leitura modificamos o programa para apresentar o valor da corrente em A
e tenso em V o que apresentou uma margem de erro de 40A e 5V que
a preciso deste equipamento. O processo de leitura do sinal e comutao
dos rels feito automaticamente pelo programa em QBasic.
Foram realizadas medidas a temperatura ambiente com alguns valores
de corrente em algumas amostras para verificar o efeito da solda dos
contatos no sinal lido, para isto, fixamos um valor de corrente e guardamos
os valores de tenso em cada configurao, e assim sucessivamente. Os
resultados so apresentados a seguir.

Amostra 7-1
2500
Configurao
1
2
3
4
5
6
7
8

Tenso (V)

2000

1500

1000

500

200

400

600

800

1000

1200

Corrente (A)

Figura4.1:Valoresdetensoversuscorrenteaplicadalidasemcadaconfiguraopelo
mtododevanderPauwnasamostrasdeGaAs:Catemperaturaambiente.

70

Amostra 8-4
2400

Configurao
1
2
3
4
5
6
7
8

2200
2000
1800

Tenso (V)

1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
200

400

600

800

1000

1200

Corrente (A)

Figura4.2:Valoresdetensoversuscorrenteaplicadalidasemcadaconfiguraopelo
mtododevanderPauwnasamostrasdeGaAs:Catemperaturaambiente.

Amostra 1-6
2600

configurao
1
2
3
4
5
6
7
8

2400
2200
2000

Tenso (v)

1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

Corrente (A)

Figura4.3:Valoresdetensoversuscorrenteaplicadalidasemcadaconfiguraopelo
mtododevanderPauwnasamostrasdeGaAs:Catemperaturaambiente.

71

Amostra 3-5

2600
2400
2200
2000
1800

Tenso (V)

1600
1400
1200
1000

Configurao
1
2
3
4
5
6
7
8

800
600
400
200
0
1000

2000

3000

4000

5000

6000

7000

8000

9000

Corrente (A)

Figura4.4:Valoresdetensoversuscorrenteaplicadalidasemcadaconfiguraopelomtodo
devanderPauwnasamostrasdeGaAs:Catemperaturaambiente.

Amostra 3-2
2500

Tenso (V)

2000

1500

Configurao
1
2
3
4
5
6
7
8

1000

500

2000

4000

6000

8000

10000

12000

14000

16000

Corrente (A)

Figura4.5:Valoresdetensoversuscorrenteaplicadalidasemcadaconfiguraopelo
mtododevanderPauwnasamostrasdeGaAs:Catemperaturaambiente.

72

Amostra 5-1

2600
2400
2200
2000
1800

Tenso (V)

1600
1400
1200
1000

Configurao
1
2
3
4
5
6
7
8

800
600
400
200
0

2000

4000

6000

8000 10000 12000 14000 16000 18000 20000 22000

Corrente (A)

Figura4.6:Valoresdetensoversuscorrenteaplicadalidasemcadaconfiguraopelo
mtododevanderPauwnasamostrasdeGaAs:Catemperaturaambiente.

Os grficos que apresentam os pares de curvas muito afastadas mostram


valores bastante diferentes para resistncia em cada configurao, o que indica
uma influencia muito grande na solda dos contatos, onde podemos prever que os
valores de resistividade estaro fora do valor real, sendo necessrio efetuar uma
nova conexo ou substituir o tipo de solda utilizada. O melhor resultado obtido
o da amostra 3-2, pois o grfico indica certa simetria na resistncia em cada
configurao o que torna esta amostra a mais confivel. A seguir apresentamos
uma tabela contendo os valores de

medidos com seus respectivos erros

instrumentais e o valor da resistncia de folha encontrado na tabela fornecida


com as amostras.

73

Amostra

Espessura
(cm)

Resistncia de Folha
(Tabelada) (/sq)

Resistncia de Folha
(Medida) (/sq)

Resistividade
(Medida)
(.cm)

7.5

0,06

4300

2188 61

0,109 0,005

7.1

0,0506

4310

3144 132

0,157 0,009

8.2

0,065

1890

2827 202

0,140 0,01

8.4

0,055

1880

2451 105

0,122 0,008

2.6

0,06

468

238 2

0,0119 0,0005

3.5

0,055

304

458 3

0,0229 0,0006

3.2

0,06

307

308 1

0,0154 0,0004

6.3

0,055

159

173 1

0,0087 0,0002

Tabela4.1:Tabelacomparativaentrearesistividademedidaeatabeladaemamostras
deGaAs:Ccomdiferentesdopagens.

4.1.1 Concluso sobre a aplicao do mtodo de van der Pauw


Comparando os dados na tabela 4.1 podemos observar discrepncias
nos valores medidos da resistncia de folha, ocasionados principalmente
pela solda dos contatos. O processo de medio em vrias configuraes
permite-nos verificar esta variao durante o processo de medio, o que
possibilita uma correo na soldagem antes de confirmar os valores da
resistividade. Para efetuar estes clculos, escrevemos um programa onde se
armazena diretamente os valores de corrente e tenso em cada
configurao, realiza os clculos de propagao de erros e mostra na tela os
valores de

com uma preciso de 0,05% na interao.

Apesar da teoria envolvida na medida de condutividade ser de fcil


entendimento, a aplicao prtica desta necessita de equipamentos de
qualidade e alta resoluo bem como tcnicas de soldagem com soldas
especiais para cada tipo de amostra para obtermos resultados confiveis no
mbito de um projeto de pesquisa.

74

4.2 Resultados da Medida de Condutividade do SnO 2 :F em Baixa


Temperatura
As primeiras medidas em baixas temperaturas foram realizadas para
as amostras de SnO2 dopado com flor da empresa Flexitec. Estas amostras
foram fabricadas pelo mtodo de pyrlise de spray, que se baseia na
decomposio de um composto metlico dissolvido em um mistura lquida.
Normalmente utilizado uma soluo de SnCl4 dissolvido em metanol (ou
em uma mistura de gua e lcool) com NH4F como dopante.
O dixido de estanho, conhecido como cassiterita, um
semicondutor tipo n com alta transmitncia no visvel, com gap de energia
em torno de 3.5 a 4.2

, alta refletividade no infravermelho e boa

condutividade eltrica causada pela formao de vacncias na sub-rede de


oxignio, que contribui com dois eltrons livres [Ref. 26]. As amostras da
Flexitec so depositadas em substrato de vidro com 1

de espessura e

ndice de refrao 1.5, para serem utilizadas na fabricao de janelas


seletivas em painis solares. O SnO2 pode tambm ser empregado como
dieltricos, resistores, dispositivos opto - eletrnicos, sensores de gs, etc.
Como as amostras so depositadas em substratos de vidro, isto
impossibilitou a solda dos contatos. Desta forma foi confeccionada uma
base de contatos da forma de um quadrado com 3

de lado.

Inicialmente mantivemos os contatos fixos, mas no obtivemos muito


xito, pois uma pequena diferena na altura dos contatos ocasionava uma
variao na resistncia destes. Na segunda tentativa construmos uma base
de contatos presos por molas independentes. Esta configurao apresentou
bom resultados em temperatura ambiente, pois as molas exerciam presses
de contatos independentes, o que mantinha sempre uma ligao com
superfcie da amostra, mas medida em que reduzia-se a temperatura, a

75

mola apresentava variaes na sua constante elstica e alterava a presso de


contato, chegando a isolar um terminal.
A melhor base obtida foi construda com fios de cobre rgidos
dobrados a 45 graus, onde uma das extremidades entra em contato com a
amostra e a outra presa na base. Dessa forma fazemos com que os
contatos pressionam a amostra contra o porta-amostra do criostato,
realizando assim um contato direto, alm da fixao da amostra. Foi com
este sistema de contatos que realizamos as medidas a seguir:
SnO2:F com Rs de 15 a 20/sq
122000
120000

116000

-1

-1

( m )

118000

114000
112000
110000
108000
0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

-1

1/T (K )

Figura4.7:Variaodacondutividadeemfunodoinversodatemperaturaparauma
amostradeSnO2:Fcomresistnciadefolhade15a20/sq.

76

SnO2:F com Rs de 25/sq


59400
59200
59000

58600

-1

-1

( m )

58800

58400
58200
58000
57800
0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

0,035

0,040

-1

1/T (K )

Figura4.8:Variaodacondutividadeemfunodoinversodatemperaturaparauma
amostradeSnO2:Fcomresistnciadefolhade25/sq.

SnO2:F com Rs de 53/sq


40000

39800

39400

-1

-1

( m )

39600

39200

39000

38800

38600
0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

0,035

0,040

-1

1/T (K )

Figura4.9:Variaodacondutividadeemfunodoinversodatemperaturaparauma
amostradeSnO2:Fcomresistnciadefolhade53/sq.

77

Resistividade (m)

-5

4x10-5
3,8x10-5
3,6x10-5
3,4x10-5
3,2x10-5
3x10-5
2,8x10
-5
2,6x10
-5
2,4x10
-5
2,2x10
-5
2x10

SnO2:F de 15 a 20 /sq
SnO2:F de 25 /sq
SnO2:F de 53 /sq

-5

1,8x10

-5

1,6x10

-5

1,4x10

-5

1,2x10

-5

10

-6

8x10

10

15

20

25

30

-1

1000/T (K )

Figura4.10:Variaodaresistividadeemfunodoinversodatemperaturaparaas
amostradeSnO2:F.

A margem de erro estimada, levando em conta a espessura da


amostra e a uniformidade dos contatos, est em torno de 5%. O erro dos
instrumentos de medio no foram superiores que 1% durante a medida.
Assim, estamos considerando que a variao da condutividade para as
leituras efetuadas no sejam superiores que 5%. Para as amostras de
53/sq e 25/sq, a massa efetiva da ordem de 0.3m0 [Ref. 27] (com m0 a
massa de repouso do eltron), tempo de coliso
concentrao de

1 6. 10

entre 10

e espessura de 0.5

e 10

s,

. Para a

amostra de 15 a 20/sq o fabricante no forneceu esses valores por ser


considerada uma amostra comercial. Com essa alta dopagem de impurezas
doadoras, a condutividade exclusivamente devida concentrao de
eltrons, ento utilizando a equao 2.8 podemos fazer uma estimativa da
concentrao nestas amostras semicondutoras. Assim para cada valor de
temperatura temos um valor de condutividade e conseqentemente uma
concentrao. Para isto vamos reescrever a equao para:

78

(4.1)

com

4.7. 10
(4.2)

O expoente na temperatura em 4.2 foi determinado para que a


concentrao estivesse prxima do valor fornecido pelo fabricante. As
figuras a seguir mostram a variao da concentrao em funo do inverso
da temperatura a partir desta expresso.
SnO2:F de 15 a 20 /sq
2,50E+019

-3

n(T) (cm )

2,00E+019

1,50E+019

1,00E+019

5,00E+018

0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

-1

1/T (K )

Figura4.11:Variaodaconcentraonemfunodoinversodatemperaturapara
umaamostradeSnO2:Fcomresistnciadefolhade15a20/sq.

79

Sn02:F de 25 /sq
1,20E+021
1,10E+021
1,00E+021
9,00E+020

-3

n(T) (cm )

8,00E+020
7,00E+020
6,00E+020
5,00E+020
4,00E+020
3,00E+020
2,00E+020
1,00E+020
0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

0,035

0,040

-1

1/T (K )

Figura4.12:Variaodaconcentraonemfunodoinversodatemperaturapara
umaamostradeSnO2:Fcomresistnciadefolhade25/sq
Sn02:F de 53 /sq

9,00E+020
8,00E+020
7,00E+020

-3

n(T) (cm )

6,00E+020
5,00E+020
4,00E+020
3,00E+020
2,00E+020
1,00E+020
0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

0,035

0,040

-1

1/T (K )

Figura4.13:Variaodaconcentraonemfunodoinversodatemperaturapara
umaamostradeSnO2:Fcomresistnciadefolhade53/sq.

80

Para utilizar a equao 2.33, o mtodo prtico fazer o grfico de


ln

contra 1/ , assim a inclinao de curva ser:


ln
1

(4.3)

Esta relao me d diretamente o valor da banda proibida do


semicondutor. A figura a seguir mostra uma medida da resistividade em
funo da temperatura, onde este mtodo foi aplicado.

Figura4.14:Medidadaresistividadeemfunodatemperaturaparao4HSiC:Nemdiferentes
concentraesdeimpurezas.Figuraextradadareferncia(28).

Desta forma, refizemos os grficos da condutividade mudando para


ln() versus 1/T e realizamos um ajuste linear das curvas, onde
encontramos os valores de energia mostradas na tabela 4.2.
Amostra
Rs de 15 a 20/sq

1.91

0.028

Rs de 25/sq

0.37

0.0017

Rs de 53/sq

0.64

0.0016

Tabela4.2:EnergiadeativaodabandadeconduoE1eenergiadeativaoda
impurezadeconduoE2paraSnO2:F.

81

SnO2:F com Rs de 15 a 20 ohm/sq


Linear Fit of Ln(Condutividade) (1)
Linear Fit of Ln(Condutividade) (2)
7,12

7,1

7,08

-1

Condutividade - ln( m )

7,06

Equation
Adj. R-Square

7,04

Ln(Condutividade) (1)

7,02

y = a + b*x
0,93037
Intercept

0,87439
Value
6,94012

Ln(Condutividade) (1)

Slope

22,17526

1,07116

Ln(Condutividade) (2)

Intercept

7,09483

6,84447E-4

Ln(Condutividade) (2)

Slope

0,33

0,03927

Standard Error
0,00529

7
0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

-1

1/T (K )

Figura4.15:Ajustelineardeln()versus1/TparaaamostracomRsde15a20/sq.
SnO 2:F com Rs de 25 /sq
Linear Fit of B (1)
Linear Fit of B (2)
10,990

10,985

-1

Condutividade - ln( m )

Equation

10,980

y = a + b*x

Adj. R-Square

10,975

0,88993

B (1)

Intercept

B (1)
B (2)
B (2)

Slope
Intercept
Slope

-0,01479
Value
Standard Error
10,95307
0,00161
4,33996
10,98813
0,02001

0,2781
4,67112E-4
0,0233

10,970

10,965
0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

0,035

0,040

-1

1/T (K )

Figura4.16:Ajustelineardeln()versus1/TparaaamostracomRsde25/sq.

82

SnO2:F com Rs de 53 /sq


Linear Fit of B (1)
Linear Fit of B (2)
10,595

-1

Condutividade - ln( m )

10,59
10,585

Equation

y = a + b*x

Adj. R-Square

0,93021

0,19784

B (1)

Intercept

10,54337

0,00177

B (1)

Slope

7,36992

0,36809

B (2)

Intercept

10,59253

1,65024E-4

B (2)

Slope

0,01886

0,00848

10,58

Value

10,575

Standard Error

10,57
10,565
10,56
0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

0,035

0,040

-1

1/T (K )

Figura4.17:Ajustelineardeln()versus1/TparaaamostracomRsde53/sq.

A energia E1 considerada como a energia de ionizao dos


doadores de flor no dixido de estanho e E2 a energia de ativao da
impureza de conduo. Este clculo da energia de ionizao dos doadores
somente vlido para amostras mais diludas [Ref. 29] (valores abaixo da
concentrao crtica). Para o SnO2:F, alguns resultados mostram que a
energia de ionizao dever estar em torno de 0.12

[Ref. 30].

As curvas na figura 4.10 apresentam uma forma semelhante de


semicondutores com alta concentrao de dopantes, se comparadas com as
duas ultimas curvas da figura 4.14 (curvas #6 e #7 em torno de 1019cm-3).

83

4.2.1 Concluso para medidas em baixa temperatura


A montagem realizada para medidas em baixa temperatura ocorreu
de forma satisfatria, onde obtemos medidas da variao da condutividade
no SnO2:F com o mesmo comportamento para semicondutores com forte
dopagem. O mtodo para determinao da concentrao de doadores nestas
amostras, apesar da simplicidade, foi capaz de realizar uma boa estimativa
do valor da concentrao, mas o comportamento no corresponde com o
que acontece no SnO2:F. Em outras palavras, de acordo com as figuras 4.11
a 4.13, com o aumento da temperatura a concentrao de portadores
aumenta, isto resultaria num aumento da condutividade, e os nossos
resultados indicam que a condutividade do SnO2 diminui. Esta falha na
descrio terica repetiu-se na tentativa de mensurar a energia de ionizao
da impureza, pois a aproximao utilizada para a soluo da integral (1.40)
para o caso em que a diferena entre o fundo da banda de conduo e a
energia de Fermi for maior que 4
degenerados a diferena da ordem de

, o que para semicondutores


. Em suma podemos afirmar

que os modelos tericos existentes no se aplicam ao caso de


semicondutores com alta concentrao de impurezas. Na tentativa de
ajustar nossos dados experimentais, desenvolvemos um modelo terico que
apresentaremos a seguir.
4.3 Modelo Terico para SnO 2 :F
As propriedades eletrnicas do dixido de estanho foram
calculadas por Jian Xu et al.(2009) usando o mtodo dos primeiros
princpios [Ref. 31]. O calculo da estrutura de bandas e da densidade
de estados mostraram que ocorre um estreitamento do gap do SnO 2
devido a presena dos nveis de energia da impureza de flor
prximo ao fundo banda de conduo. A energia de gap calculada
para o dixido de estanho dopado com flor foi de .

84

, que difere

do valor real destes materiais em torno de 40%. Esta diferena foi


provocada devido ao mtodo utilizado, pois como se trata de um
mtodo aproximativo, obtemos valores precisos para pequenas
diferenas de energia, o que no ocorre quando tentamos determinar
a distncia entre as bandas.
Para o SnO 2 sem impurezas a estrutura de bandas apresenta um
gap direto em torno de
localizada a

, duas bandas de valncia, uma alta

e a outra baixa a

abaixo do nvel de

Fermi. A estrutura de bandas e a densidade de estados total e


projetada esto mostradas na figura a seguir.

Figura 4.18: Estrutura de bandas e densidade de estados para o SnO 2 . (Figura extrada
da referncia 30).

A condutividade para o SnO2 intrnseco, em torno de


.

[Ref. 30], exclusivamente devido aos buracos na

85

banda de valncia, ocasionado pelas vacncias de oxignio formadas


naturalmente no cristal.
Com uma concentrao de impurezas em torno de
energia de gap

menor que o do SnO 2 puro. A introduo

das impurezas de flor faz com que o nvel de Fermi entre na banda
de conduo e ocorre uma degenerescncia dos nveis de energia. Por
outro lado no ocorre uma mudana significativa na distribuio da
densidade de cargas. Mas neste caso, a forte dopagem faz com que ocorra
um deslocamento no envelope da densidade de estados na direo de menor
energia (Figura 4.19), em torno de 5

, o que indica uma reduo na

energia dos eltrons de valncia.

Figura 4.19: Estrutura de bandas e densidades de estados total e projetado para o


SnO 2 :F. Figura extrada da referncia 30.

86

Com base nessas informaes, a proposta utilizar um valor do


nvel de Fermi que esteja dentro da banda de conduo e alterar a
expresso (1.25) da densidade de estados para uma nova funo que
apresente um pico simtrico em um ponto prximo da energia de
Fermi. Por simplicidade, a funo escolhida a prpria expresso da
densidade de estados adicionada a uma funo degrau restrita a um
intervalo que varia entre a energia da banda de conduo e a um
valor prximo da energia do nvel de Fermi.

(4.4)

Onde o primeiro termo do lado direito a densidade de estados


para uma banda parablica e o segundo termo a funo degrau
responsvel pelo pico na densidade de estados e

indica o ponto

em que a densidade de estados toma a sua forma usual. A largura do


pico determinada pela diferena entre
fundo da banda de conduo. A

, com

a energia do

figura a seguir mostra a forma

desta nova densidade de estados junto com a distribuio de FermiDirac.


2.49

D( E )
f( E , T )

1.66

0.83

3.4

3.8

4.2

4.6

Figura 4.20: Variao da nova funo densidade de estados.

87

4.3.1 Aplicao do Modelo Terico


Para a utilizao deste modelo fixamos o valor da energia do gap e
e o parmetro . Estes

variamos a energia de Fermi, a energia

valores so ajustados at encontrarmos a variao da condutividade


como nos resultados experimentais. Para isto, utilizamos o programa
MathCad 6.0 para calcular a integral da concentrao de portadores e
realizar os clculos restantes para a determinao da condutividade.
As primeiras tentativas foram realizadas com uma energia de gap em
.

que sero apresentados a seguir.


SnO2:F com Rs de 15 a 20/sq
122000
120000

Medida
Calculada

116000
114000

1 -1

118000

112000
110000
108000
0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

0,035

0,040

Temperatura (1/K)

Figura 4.21: Ajuste do modelo terico para uma gap de 2.2 eV para a amostra de
SnO 2 :F com R S de 15 a 20/sq.

88

SnO2:F com Rs de 25/sq


59400
59200
59000

Calculada
Medida

58600
58400

1 -1

58800

58200
58000
57800
0,00

0,01

0,02

0,03

0,04

Temperatura (1/K)

Figura 4.22: Ajuste do modelo terico para uma gap de 2.2 eV para a amostra de
SnO 2 :F com R S de 25/sq.
SnO2:F com Rs de 53/sq
40000
39800
39600

Calculada
Medida

39200

1 -1

39400

39000
38800
38600
0,00

0,01

0,02

0,03

0,04

Temperatura (1/K)

Figura 4.23: Ajuste do modelo terico para uma gap de 2.2 eV para a amostra de
SnO 2 :F com R S de 53/sq.

89

A tabela a seguir contm os valores utilizados nos ajustes:


Resultados
15 a 20/sq
25/sq
53/sq
2.2
2.2
2.2
EG (eV)
2.27
2.298
2.306
E1 (eV)
2.2815
2.2787
2.2788
EF (eV)
0.8
0.8
0.8
E (eV)
0.3
0.3
0.3
Massa efetiva
-14
-15
1.45.10
6.68.10
4.49.10-15
Tempo de coliso (s)
Mobilidade (cm2/Vs)
86
40
27
Concentrao a
8.897.1019
8.974.1019
8.070.1019
300K (cm-3)
Tabela4.3:Parmetrosajustadosparaomodeloterico.

Para as trs amostras o ajuste s foi possvel quando consideramos


que a mobilidade seria independente da temperatura.
Um modelo simplificado para a estrutura de bandas nessas amostras
foi proposto por Rakhshani et al. (1997) [Ref. 32] para explicar as
transies ticas em amostras de SnO2:F, com massa efetiva em torno de
0.1 a 0.3m0 e concentrao de doadores em torno de 0.5.1020 e 8.1020 cm-3
(figura 4.24).

Figura4.24:DiagramadebandasdeenergiapropostaporRakhshanietal.paraexplicar
aspropriedadesdetransiesticasnoSnO2.Figuraretiradadareferncia(32).

90

A energia m definida como sendo aquela no qual todos os estados


de energia esto ocupados a temperatura ambiente e est a em torno de
4

abaixo de f, o nvel de Fermi a 0 . Se utilizarmos este diagrama de


4.11

bandas e adotarmos os valores da energia de gap


0.45

da banda de defeito

e da energia

medidos por Rakhshani, a energia de


3.68 3.88

transio indireta estar em torno de

. O valor

energia de transio direta e `m o nvel correspondente a m na banda de


valncia. Considerando estes resultados refizemos o ajuste para uma
energia de gap de 3.8

.
SnO2:F com Rs de 15 a 20/sq

122000
120000

Medida
Calculada

116000
114000

1 -1

118000

112000
110000
108000
0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

0,035

0,040

Temperatura (1/K)

Figura4.25:Ajuste do modelo terico para uma gap de 3.8 eV para a amostra de


SnO 2 :F com R S de 15 a 20/sq.

91

SnO2:F com Rs de 25/sq


59400
59200
59000

Calculada
Medida

58600
58400

1 -1

58800

58200
58000
57800
0,00

0,01

0,02

0,03

0,04

Temperatura (1/K)

Figura4.26:Ajuste do modelo terico para uma gap de 3.8 eV para a amostra de


SnO 2 :F com R S de 25/sq.
SnO2:F com Rs de 53/sq
40000
39800
39600

Calculada
Medida

39200

1 -1

39400

39000
38800
38600
0,00

0,01

0,02

0,03

0,04

Temperatura (1/K)

Figura4.27:Ajuste do modelo terico para uma gap de 3.8 eV para a amostra de


SnO 2 :F com R S de 53/sq.

92

A tabela a seguir contm os novos valores utilizados nos ajustes:


Resultados
15 a 20/sq
25/sq
53/sq
3.8
3.8
3.8
EG (eV)
3.89
3.9070
3.9060
E1 (eV)
3.9
3.8787
3.8788
EF (eV)
1
0.8
0.8
E (eV)
0.3
0.3
0.3
Massa efetiva
-14
-15
1.16.10
6.68.10
4.49.10-15
Tempo de coliso (s)
Mobilidade (cm2/Vs)
69
40
27
Concentrao a
9.11.1019
9.03.1019
1.1020
300K (cm-3)
Tabela4.4:Novosparmetrosajustadosparaomodeloterico

Mais uma vez, para efetuar os ajustes a mobilidade tornou-se um


parmetro constante. A seguir apresentaremos a variao da concentrao
com a temperatura com a energia de gap em 3.8

SnO2:F com Rs de 15 a 20/sq


1,12E+020

-3

Concentrao (cm )

1,10E+020

1,08E+020

1,06E+020

1,04E+020

1,02E+020
0,00

0,01

0,02

0,03

0,04

-1

Temperatura (K )

Figura4.28:Variaodaconcentraodeeltronscomatemperaturacalculadaa
partirdomodelotericoparaaamostradeSnO2:FcomRSde15a20/sq.

93

SnO2:F com Rs de 25/sq

9,30E+019

-1

Condutividade (cm )

9,35E+019

9,25E+019

9,20E+019

9,15E+019
0,00

0,01

0,02

0,03

0,04

-1

Temperatura (K )

Figura4.29:Variaodaconcentraodeeltronscomatemperaturacalculadaa
partirdomodelotericoparaaamostradeSnO2:FcomRSde25/sq.
SnO2:F com Rs de 53/sq
9,40E+019

9,35E+019

-1

Condutividade (cm )

9,30E+019

9,25E+019

9,20E+019

9,15E+019

9,10E+019

9,05E+019
0,00

0,01

0,02

0,03

0,04

-1

Temperatura (K )

Figura4.30:Variaodaconcentraodeeltronscomatemperaturacalculadaa
partirdomodelotericoparaaamostradeSnO2:FcomRSde53/sq.

94

O comportamento da concentrao de eltrons apresentados nas


figuras 4.28 e 4.30 tm o comportamento que corresponde situao fsica
encontrada na realizao das medidas, ou seja, com o aumento da
temperatura ocorre uma diminuio da concentrao de eltrons
ocasionando assim uma reduo na condutividade.
4.3.2 Concluso para Aplicao do Modelo Terico

A utilizao do modelo terico apresentou resultados satisfatrios

quando ajustamos o valor do gap de energia para 3.8

, onde encontramos

os valores do tempo de coliso e da concentrao bastante prximos dos


valores fornecidos pelo fabricante. O deslocamento das curvas calculadas
por este modelo pode ter sido ocasionado quando utilizamos uma funo
degrau para formar o pico na densidade de estados, talvez com o uso de
uma variao mais suave faa uma melhor aproximao com os resultados
experimentais. A dvida surgida est na independncia da mobilidade com
a temperatura, pois com o aumento da temperatura deveramos ter um
aumento do espalhamento dos eltrons pelas impurezas ionizadas.

95

5.0 CONCLUSO
O avano atual nas pesquisas com materiais semicondutores torna-se
cada vez mais competitiva, sendo ento, de suma importncia, uma
instituio oferecer recursos tericos e prticos para o desenvolvimento de
novos materiais e de novos conhecimentos. As medidas em baixa
temperatura adquirem um valor relevante, quando se trata de mensurar
grandezas qunticas.
Para realizao das medidas de condutividade em baixa temperatura,
foi necessrio alm de conhecimentos tericos clssicos e qunticos, um
entendimento dos mtodos experimentais envolvidos neste processo. Na
utilizao do mtodo de van der Pauw, pudemos verificar que uma variao
nas soldas dos contatos causa um erro na determinao da condutividade
dos materiais. Esta a principal dificuldade na aplicao deste mtodo. Os
testes com GaAs:C serviram como um processo educativo no entendimento
desta tcnica.
Para a realizao das soldas, foram efetuados os processos de limpeza
com algumas variaes na diluio dos produtos, j que o padro RCA
mais adequado para limpeza de amostras de silcio puro. Para o GaAs:C,
no foi encontrado um mtodo de limpeza adequado, pois com algumas
amostras conseguimos bons contatos, em outras no. Como o SnO2:F
depositado em substratos de vidro, no foi realizada tentativa de solda e
nem de limpeza, que poderia acarretar numa danificao da amostra. Para
elas, foi confeccionada uma base, com um sistema de contatos
independentes, que realiza um contato de presso, servindo tambm como
suporte de fixao no porta-amostra do criostato. As outras condies
necessrias para utilizao do mtodo de van der Pauw so de soluo mais
simples, que no gerou problemas para a realizao das medidas.

96

A montagem dos equipamentos que so utilizados com o criostato


apresentou-se de forma satisfatria nos resultados obtidos com as amostras
de SnO2:F, mas no foi possvel realizar medidas com o GaAs:C devido ao
elevado rudo existente no laboratrio, provocados provavelmente pela
subestao ao lado. Na tentativa de eliminao deste problema, realizamos
um pedido de compra de um nanovoltmetro, pois sua construo
adaptada para a eliminao dos rudos externos. A nica dificuldade
encontrada foi com relao ao controle de temperatura, pois como o
controle era feito com o sensor de temperatura instalado no porta-amostra,
o suporte de vidro no conduzia o calor fornecido pelo loop de corrente do
controlador na mesma proporo de aquecimento no dedo-frio (constantes
de tempo diferentes). Isto acarretava uma variao na temperatura durante a
comutao dos contatos para a medida da resistividade. A soluo
encontrada foi a utilizao de um suporte metlico, ao invs do vidro.
Os resultados alcanados com o SnO2:F deram-se de forma satisfatria,
apesar da teoria utilizada normalmente no pudesse descrever estes
materiais. Mas com o modelo terico desenvolvido, fomos capazes de
determinar caractersticas que usualmente no realizado em medidas de
condutividade e no terem sido verificadas experimentalmente, apenas por
mtodos tericos. Para as amostras estudadas podemos afirmar que tem
concentrao de impurezas acima do valor da concentrao crtica, a
mobilidade na faixa fornecida pelo fabricante, e um nvel de Fermi acima
da banda de conduo com uma energia de transio direta em torno de
3,8

.
A utilizao do modelo terico foi a chave para interpretao dos dados

coletados, e as discrepncias nos valores podem ter ocorrido quando


consideramos a mobilidade independente da temperatura. Se esta
dependncia fosse levada em considerao aumentaramos o nmero de

97

constantes a serem determinadas pelo programa de tratamento de dados,


dificultando o processo de ajuste das curvas experimentais.
Na perspectiva de um trabalho de doutorado, iremos aperfeioar este
equipamento para realizar medidas de condutividade por outros mtodos,
ou medidas de condutividade AC, como tambm verificar a validade do
modelo terico desenvolvido para amostras com diferentes dopagens.
Dando continuidade a anlise do dixido de estanho dopado com flor,
iremos verificar o comportamento da mobilidade com a variao da
temperatura com a montagem para medidas de efeito Hall e verificar a
existncia de alguma variao em funo do campo eltrico aplicado. Com
estes resultados poderemos obter caractersticas eltricas que sero
importantes na interpretao dos resultados coletados durante este trabalho.

98

6.0 ANEXOS

Anexo A Valores da concentrao de impurezas fornecidas com as


amostras de GaAs:C.

Amostra Concentrao 10
7-1
0.130
7-5
0.130
7-4
0.200
8-2
0.310
8-4
0.320
8-5
0.320
1-5
0.760
1-3
0.780
1-6
0.790
2-6
1.00
2-5
1.92
2-1
2.10
3-5
3.86
3-2
3.90
3-6
3.98
4-5
6.28
4-6
6.82
5-8
7.60
5-7
7.70
5-1
8.30
6-6
12.9
6-2
13.1
6-3
13.1

99

Anexo B Cdigo fonte em Visual Basic do Programa de Aquisio

Option Explicit

Const BDINDEX = 0

' Board Index

Const PRIMARY_ADDR_OF_DMM = 1
Const NO_SECONDARY_ADDR = 0

' Primary address of device


' Secondary address of device

Const TIMEOUT = T10s

' Timeout value = 10 seconds

Const EOTMODE = 1

' Enable the END message

Const EOSMODE = 0

' Disable the EOS mode

Const ARRAYSIZE = 1024

' Size of read buffer

Dim ErrorMnemonic
Dim ErrMsg As String * 100
Dim Dev As Integer
Dim ValueStr As String * ARRAYSIZE
Private Sub GPIBCleanup(msg$)

' After each GPIB call, the application checks whether the call
' succeeded. If an NI-488.2 call fails, the GPIB driver sets the
' corresponding bit in the global status variable. If the call
' failed, this procedure prints an error message, takes the device
' offline and exits.

ErrorMnemonic = Array("EDVR", "ECIC", "ENOL", "EADR", "EARG", _


"ESAC", "EABO", "ENEB", "EDMA", "", _
"EOIP", "ECAP", "EFSO", "", "EBUS", _
"ESTB", "ESRQ", "", "", "", "ETAB")

100

ErrMsg$ = msg$ & Chr(13) & "ibsta = &H" & Hex(ibsta) & Chr(13) _
& "iberr = " & iberr & " <" & ErrorMnemonic(iberr) & ">"
MsgBox ErrMsg$, vbCritical, "Error"
ilonl Dev%, 0
End
End Sub
Private Sub Form_Load()

'
============================================================
============
'
' INITIALIZATION SECTION
'
'
============================================================
============

' The application brings the multimeter online using ildev. A


' device handle, Dev, is returned and is used in all subsequent
' calls to the device.
Dev% = ildev(BDINDEX, PRIMARY_ADDR_OF_DMM,
NO_SECONDARY_ADDR, _
TIMEOUT, EOTMODE, EOSMODE)
If (ibsta And EERR) Then
ErrMsg = "Unable to open device" & Chr(13) & "ibsta = &H" & _
Chr(13) & Hex(ibsta) & "iberr = " & iberr
MsgBox ErrMsg, vbCritical, "Error"
End
End If

101

' The application resets the GPIB portion of the device by calling
' ilclr.
ilclr Dev%
If (ibsta And EERR) Then
Call GPIBCleanup("Unable to clear device")
End If

HScroll1.Min = 0

' Inicializa scroll bar

HScroll1.Max = 2000
HScroll1.LargeChange = 10
HScroll1.SmallChange = 1

End Sub

Private Sub Command6_Click()

'************* MEDIR A RESISTNCIA DOS CONTATOS***********************

Call Send(0, 24, ":rout:term rear;", NLend) 'Seleciona sda traseira


Call Send(0, 24, ":sens:func:all ;", NLend) ' seleciona fonte de corrente
Call Send(0, 24, ":sens:res:mode auto;", NLend) ' seleciona escala mxima da
fonte
Call Send(0, 24, ":sens:res:ocom off;", NLend) ' seleciona escala mxima da
fonte
Call Send(0, 24, ":sens:res:rang:auto on;", NLend) ' seleciona medida de tenso
Call Send(0, 24, ":outp on;", NLend) ' seleciona medida de tenso
DoEvents
Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 0;", NLend)
trao1
List3.Clear

102

List3.AddItem (A)
Sleep (1000)
Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 12;", NLend)
trao1
List3.Clear
List3.AddItem (A)
Sleep (1000)
Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 13;", NLend)
trao1
List3.Clear
List3.AddItem (A)
Sleep (1000)
Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 2;", NLend)
trao1
List3.Clear
List3.AddItem (A)
Sleep (1000)
Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 3;", NLend)
trao1
List3.Clear
List3.AddItem (A)
Sleep (1000)
Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 15;", NLend)
trao1
List3.Clear
List3.AddItem (A)
Sleep (1000)
Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 14;", NLend)
trao1

103

List3.Clear
List3.AddItem (A)
Sleep (1000)
Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 1;", NLend)
trao1
List3.Clear
List3.AddItem (A)
Sleep (1000)
Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 0;", NLend)
Command2_Click 'desligar fonte
Call Send(0, 24, ":*rst;", NLend) ' seleciona medida de tenso
End Sub
Private Sub trao1()

'**************LER VALOR DA FONTE DE CORRENTE******************

Dim value As String


DoEvents
Call Send(0, 24, ":read?;", NLend) ' escala automtica
value = Space$(24)
Call Receive(0, 24, value, STOPend)
A = Val(value)
Call DevClear(0, 24)

End Sub

104

Private Sub Command1_Click()

'************ABRIR DISPOSITIVOS********************

Call Send(0, 16, ":*cls;", NLend) ' ligar instrumento


Call Send(0, 24, ":*cls;", NLend) ' ligar instrumento

Call DevClear(0, 24)


Call DevClear(0, 16)
ajuste
ajustTemp
leitura
Call Send(0, 24, ":outp:stat off;", NLend) ' ligar instrumento

End Sub

Private Sub Command2_Click()

'*******************DESLIGAR FONTE DE CORRENTE***************


Call Send(0, 24, ":outp:stat off;", NLend)
Call DevClear(0, 24)
Call DevClear(0, 16)

End Sub

Private Sub Command3_Click()


Dim value As String

105

'**************LER TENSO NO MULTMETRO****************


ajuste
Call Send(0, 16, ":read?;", NLend)
value = Space$(20)
Call Receive(0, 16, value, STOPend)
A = Val(value)
List1.Clear
List1.AddItem (A)
Call DevClear(0, 16)

End Sub

Private Sub ajuste()


Dim x As Integer
Dim Cs As String
Dim Css As String

*******AJUSTE DE INICIALIZAO DA FONTE DE CORRENTE****************


Graph1.Cls

'Traar Grafico
x=0
For i = 1 To 9
Graph1.Line (0, Graph1.ScaleHeight * i / 10)-(Graph1.ScaleWidth,
Graph1.ScaleHeight * i / 10), RGB(0, 0, 0)
Graph1.Line (Graph1.ScaleWidth * i / 10, 0)-(Graph1.ScaleWidth * i /
10, Graph1.ScaleHeight), RGB(0, 0, 0)
Next i
C = 0.001 * HScroll1.value
Css = Str(0.001 * HScroll1.value)

106

Cs = ":sour:curr:lev" + Css
Call Send(0, 24, ":rout:term rear;", NLend) 'Seleciona sda traseira
Call Send(0, 24, ":sour:func curr;", NLend) ' seleciona fonte de corrente
Call Send(0, 24, ":sour:curr:rang:auto on;", NLend) ' seleciona escala mxima
da fonte
Call Send(0, 24, Cs, NLend) 'ajusta o valor da corrente
Call Send(0, 24, ":outp:stat on;", NLend) ' ligar instrumento
Call Send(0, 16, ":init:cont off;", NLend) ' seleciona medida de tenso
Call Send(0, 16, ":sens:func 'volt:dc';", NLend) ' seleciona medida de tenso
Call Send(0, 16, ":sens:volt:dc:rang:auto on;", NLend) ' escala automtica
d = Val(Text1.Text) * 0.000001 'Espessura da amostra
End Sub

Private Sub HScroll1_Change()


Text2.Text = Format(HScroll1.value)
End Sub
Private Sub trao()
Dim value As String
'"*******************LER VALOR DO MULTMETRO*************
For k = 1 To 20
DoEvents
Call Send(0, 16, ":read?;", NLend) ' enviar comando para ler
value = Space$(20)
Call Receive(0, 16, value, STOPend) 'Receber leitura
A = Val(value)
Call DevClear(0, 16) 'Limpar Buffer
x = x + 38
Graph1.Line (x - 38, 3225 - A * 500)-(x, 3225 - A * 500), RGB(255, 0, 0)
Next k
End Sub

107

Private Sub Iniciar_Click()

'*******ENVIAR CONFIGURAO PARA OS RELES E L O SINAL************


x=0
ajuste

Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 0;", NLend)


trao
v(1) = Abs(A)
List1.Clear
List1.AddItem (A)

Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 12;", NLend)


trao
v(2) = Abs(A)
List1.Clear
List1.AddItem (A)

Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 13;", NLend)


trao
v(3) = Abs(A)
List1.Clear
List1.AddItem (A)

Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 2;", NLend)


trao
v(4) = Abs(A)
List1.Clear
List1.AddItem (A)

108

Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 3;", NLend)


trao
v(5) = Abs(A)
List1.Clear
List1.AddItem (A)

Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 15;", NLend)


trao
v(6) = Abs(A)
List1.Clear
List1.AddItem (A)

Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 14;", NLend)


trao
v(7) = Abs(A)
List1.Clear
List1.AddItem (A)

Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 1;", NLend)


trao
v(8) = Abs(A)
List1.Clear
List1.AddItem (A)

Call Send(0, 24, ":sour2:ttl 0;", NLend)


Command2_Click 'desligar fonte

resultados1

109

End Sub
Private Sub resultados1()

'***********************************************************
'* Programa para Calcular a Resistencia de folha e
'* resistividade das amostras semicondutoras
'* Autor: Erick Santana

*
*

'* Data: 25/03/2009

'***********************************************************

Dim z(1000) As Double


Dim y(1000) As Double
Dim Vres, rest2 As Double

dV = 0.00001
dC = 0.00001

' Erro no valor da Tensao em V


' Erro no Valor da Corrente em A

dd = 0.0000001 'Erro no valor da espessura da amostra

'******* Calculo Da Resistencia de Folha **********

Ra = (v(1) + v(2) + v(5) + v(6)) / (2 * C)


Rb = (v(3) + v(4) + v(7) + v(8)) / (2 * C)

z(0) = 2 * 0.6931 / (3.1416 * (Ra + Rb))


delta = 0.0005

110

For i = 1 To 10000

y(i) = 1 / Exp(3.1416 * z(i - 1) * Ra) + 1 / Exp(3.1416 * z(i - 1) * Rb)


z(i) = z(i - 1) - ((1 - y(i)) / 3.1416) / (Ra / Exp(3.1416 * z(i - 1) * Ra) + Rb /
Exp(3.1416 * z(i - 1) * Rb))
delta2 = (z(i) - z(i - 1)) / z(i)

If delta2 <= delta Then

Rs = 1 / z(i)
Exit For

Else

End If

Next i

' ******************* Calculo da Propagacao de Erro *******************

For k = 1 To 8
dR(k) = v(k) * dC / (C * C) + dV / C
Next k
dRa = (dR(1) + dR(2) + dR(5) + dR(6)) / 4
dRb = (dR(3) + dR(4) + dR(7) + dR(8)) / 4

z(0) = 2 * 0.6931 / (3.1416 * (dRa + dRb))


delta = 0.0000005

111

For i = 1 To 1000

y(i) = 1 / Exp(3.1416 * z(i - 1) * dRa) + 1 / Exp(3.1416 * z(i - 1) * dRb)


z(i) = z(i - 1) - ((1 - y(i)) / 3.1416) / (dRa / Exp(3.1416 * z(i - 1) * dRa) + dRb /
Exp(3.1416 * z(i - 1) * dRb))
delta2 = (z(i) - z(i - 1)) / z(i)

If delta2 <= delta Then

dRs = 1 / z(i)

Exit For

Else

End If

Next i

'************ Calculos Finais ******************


rest = Rs * d
drest = dRs * d
Sigma = 1 / rest
dSigma = 1 / drest
List4.Clear
List4.AddItem (Sigma)
List5.Clear
List5.AddItem (Rs)

End Sub

112

Private Sub impresso()

Open CommonDialog1.filename For Output As #1

Write #1,
Write #1,
Write #1, "

********** APRESENTAO DOS RESULTADOS ************** "

Write #1,
Write #1, " Ra = "; Ra
Write #1,
Write #1, " Rb = "; Rb
Write #1,
Write #1, " Resistncia de folha (ohm) = "; Rs
Write #1, " Erro da Resistncia de folha (ohm) = "; dRs
Write #1,
Write #1, " Resistividade (ohm.m) = ", rest
Write #1, " Erro da Resistividade (ohm.m) = "; drest
Write #1,

Close #1
End Sub
Private Sub ajustTemp()

*********CONFIGURAR CONTROLADOR DE TEMPERATURA******************

term = Chr(13) & Chr(10)

'Terminators are <CR><LF>

strReturn = ""

'Clear return string

113

Call ibdev(0, 12, 0, T10s, 1, &H140A, intDevice)


device

'Initialize the IEEE

strCommand = "CMODE 1,4"


Call ibwrt(intDevice, strCommand & term)
If (ibsta And EERR) Then

'Check for IEEE errors

' Label1.Caption = "do error handling if needed2"


errors here"

'Handle

End If

End Sub
Private Sub Command4_Click()

'****************************INICIAR AQUISIO AUTOMTICA*****************

Dim valor(4) As String


Dim i As Integer
m=0
leitura
setpoint2 = Text3.Text

For i = 1 To 4
valor(i) = (Mid(setpoint2, i, 1))
If valor(i) <> "" Then
If Asc(valor(i)) = 44 Then
setpoint1 = Mid(setpoint2, 1, i - 1)
Incremento = Mid(setpoint2, i + 1, 3)
End If
End If
Next i

114

strCommand = "RANGE 0"


Call ibwrt(intDevice, strCommand & term)
If (ibsta And EERR) Then

'Check for IEEE errors

'Label1.Caption = "do error handling if needed3"

'Handle errors here

End If
setpoint = Str(Val(tempamostra) + Val(Incremento))
If Val(setpoint) < Val(setpoint1) Then
setpoint = setpoint1

strCommand = "setp 1," + setpoint


Call ibwrt(intDevice, strCommand & term)
If (ibsta And EERR) Then

'Check for IEEE errors

'Label1.Caption = "do error handling if needed3"

'Handle errors here

End If
Else
setpoint = setpoint1
strCommand = "setp 1," + setpoint
Call ibwrt(intDevice, strCommand & term)
If (ibsta And EERR) Then

'Check for IEEE errors

'Label1.Caption = "do error handling if needed3"

'Handle errors here

End If
End If
j=0
m = Abs(Val(setpoint1) - Val(tempamostra)) \ Val(Incremento)
Timer1.Enabled = True

End Sub

115

Private Sub Command5_Click()

' ***************************DESLIGAR AQUECIMENTO************

gSend = True
strCommand = "RANGE 0"
Call ibwrt(intDevice, strCommand & term)
If (ibsta And EERR) Then

'Check for IEEE errors

'Label1.Caption = "do error handling if needed3"

'Handle errors

here
End If
End Sub

Private Sub leitura()

'********************REALIZAR LEITURA DA TEMPERATURA*******************

strCommand = "KRDG? A"


Call ibwrt(intDevice, strCommand & term)
If InStr(strCommand, "?") <> 0 Then

'Check to see if query

strReturn = Space(100)

'Build empty return buffer

Call ibrd(intDevice, strReturn)

'Read back response

If (ibsta And EERR) Then

'Check for IEEE errors

'do error handling if needed

'Handle errors here

End If

If strReturn <> "" Then

'Check if empty string

strReturn = RTrim(strReturn)
Terminators

116

'Remove extra spaces and

Do While Right(strReturn, 1) = Chr(10) Or Right(strReturn, 1) =


Chr(13)
strReturn = Left(strReturn, Len(strReturn) - 1)
Loop
Else
strReturn = "No Response"

'Send No Response

End If

tempamostra = strReturn

'Put response in text on main form

End If
List2.Clear
List2.AddItem (tempamostra)

End Sub

Private Sub Text3_Click()


Text3.ForeColor = &H80000008
If Text3.Text = "setpoint,incremento" Then
Text3.Text = ""
End If

End Sub

Private Sub Text3_KeyPress(KeyAscii As Integer)


If KeyAscii = vbKeyReturn Then
SendKeys ("{TAB}")
KeyAscii = 0
Command4.value = True
setpoint2 = Text3.Text
End If

117

End Sub

Private Sub Timer1_Timer()

Timer1.Enabled = False
leitura
List2.Clear
List2.AddItem (tempamostra)

If Val(tempamostra) >= Val(setpoint) Then


Else
setpoint = Str(Val(tempamostra) + Val(Incremento))
setpoint = Str(Val(setpoint) \ 1)

If Val(setpoint) > Val(setpoint1) Then


setpoint = setpoint1
End If
strCommand = "setp 1," + setpoint

Call ibwrt(intDevice, strCommand & term)


If (ibsta And EERR) Then

'Check for IEEE errors

Label1.Caption = "do error handling if needed3"


End If
Command7_Click
Sleep (500)
Do
DoEvents
leitura

118

'Handle errors here

Sleep (500)
Loop While (Val(tempamostra) \ Val(setpoint)) <> 1
Iniciar_Click
j=j+1
T(j) = 1 / Val(tempamostra)
S(j) = Sigma
dS(j) = dSigma

End If
If Val(setpoint) >= Val(setpoint1) Then
Timer1.Enabled = False
Command5_Click
dados
Else
Timer1.Enabled = True
End If

End Sub
Private Sub Command7_Click()
' ***************************LIGAR AQUECIMENTO************
strCommand = "setp 1," + setpoint
Call ibwrt(intDevice, strCommand & term)
If (ibsta And EERR) Then

'Check for IEEE errors

'Label1.Caption = "do error handling if needed3"


End If

gSend = True
strCommand = "RANGE 3"
Call ibwrt(intDevice, strCommand & term)

119

'Handle errors here

If (ibsta And EERR) Then

'Check for IEEE errors

'Label1.Caption = "do error handling if needed3"

'Handle errors

here
End If

End Sub
Private Sub dados()
' Define filtros.
'CommonDialog1.CancelError = True
CommonDialog1.Filter = "All Files (*.*)|*.*|Text Files" & _
"(*.txt)|*.txt|Dados (*.dat)|*.dat"
' Especifica o filtro padro.
CommonDialog1.FilterIndex = 2

If Option1(0).value Then ' Se boto de opo Open estiver selecionado,


CommonDialog1.ShowSave ' exibir a caixa de dilogo comum Salve.
Open CommonDialog1.filename For Output As #1
For j = 1 To m
Write #1, T(j), Log(S(j)), S(j), dS(j)
Next j
Close #1

Else
MsgBox ("Final de Aquisio")
End If

End Sub

120

7.0 REFERNCIAS
1. Rezende, S. M. Materiais e Dispositivos Eletrnicos. Livraria da Fsica,
2004.
2. Colinge, J. P. e Colinge, C. A. Physics of Semionductor Devices.
Kluwer Academic Publishers, 2000.
3. Kittell, C. Introduo Fsica do Estado Slido. 7 Edio. John Wiley
& Sons, Inc.
4. Razeghi, M. Fundamental of Solid State Engineering. 2 edio.
Springer, 2006.
5. Mihly, M. e Martin, M. C. Solid State Physics. John Wiley & Sons,
Inc., 1996.
6. Pavplov, P. V. Fisica del Estado Solido. [trad.] Antnio Molina Garca.
11. Moscou : Mir Mosc, 1987.
7. David, D. G. F. Tcnicas Experimentais e Aplicaes de
Semicondutores e Materiais Novos. Salvador : Universidade Federal da
Bahia, 2007.
8. Ceolin, M. F. Estudo da Mobilidade Eletrnica nos Compostos
InGaAsP. s.l. : Dissertao de Mestrado - UNICAMP, 1983.
9. Patterson, J. D. Introduction to Theory of Solid State Physics. AddisonWesley Publishing Company, 1971.
10. Bube, R. H. Photoconductivity of Solids. John Wiley & Sons, Inc.,
1960.
11. Cardona, M. e Peter, Y. Y. Fundamentals of Semiconductors.
Springer, 1996. p. 212.
12. Debye, P. P. e Conwell, E. M. Eletrical Properties of N-Type
Germanium. Physical Review. 4, 1954, Vol. 93, pp. 696-700.
13. van der Pauw, L. J. A method of Measure the Resistivity and Hall
Coefficient on Lamellae of Arbitrary Shape. Phillips Technical Review,
1958. Vol. 26.

121

14. Robert, R. e Berleze, S. M. Teorema de van der Pauw. Revista


Brasileira de Fsica, 2007. pp. 15-18. Vol. 29.
15. Van Daal, H. J. s.l. : Physical Review, 1965. Vol. 3.
16.
Technology,
National
Institute
www.eeel.nist.gov/812/hall.html. [Online]

of

Standards

and.

17. Wenner, F. Bulletin of the Bureau of Standards. 1915. Vol. 12.


18. Girotto, E.M. e Santos, I.A. Medidas de Resistividade Eltrica DC em
Slidos: Como Efetu-las Corretamente. Quimica Nova, 2002. pp. 639647. Vol. 25.
19. Schroder, D. K. Semiconductor Material and Device Characterization.
New York : John Wiley & Sons, 1990.
20. Systems, Laboratory Cryogenic. Displex Closed Cycle Cryostats.
Advanced Researh System.
21. Enss, C. e Hunklinger, S. Low-Temperature Physics. 1980.
22. LakeShore. Users Manual. 2005.
23. SourceMeter, Series 2400. User's Manual. Keithley Instruments,
2007.
24. Campoy, J.C.P. Efeito Hall no composto supercondutor A-15:Nb-Pt.
Dissertao de Mestrado - Unicamp, 1995.
25. David, D. G. F. Efeito Hall nas Amostras de SnO2:F. 2007, Vol. 1.
26. Magalhes, E. C. S. Propriedades pticas de Filmes Finos de Dixido
de Estanho. Dissertao de Mestrado - Universidade Federal da Bahia,
2006.
27. da Silva, Marcus V. S. Estudo de Filmes Finos de SnOe por
espectroscopia Infravermelha. Salvador : Dissertao de Mestrado Universidade Federal da Bahia, 2007.
28. da Silva, A. F., et al. Electrical resistivity and metal-nonmetal
transition in n-type doped 4H-SiC. Physical Review, 2006. Vol. 74.

122

29. Abramof, E., et al. Transport Proprieties os Silicon Implanted with


Bismuth. Physical Review, 1997. Vol. 55, 15, p. 9588.
30. Canestraro, C. D., et al. Strong inter-conduction-band absorption in
heavily fluorine doped tin oxide. Applied Surface Science. 2008, Vol. 255,
pp. 1874-1879.
31. Xu, J., Huang, S. e Wang, Z. First principle study on the electronic
structure of fluorine-doped SnO2. Solid State Communications. 149, 2009,
pp. 527-531.
32. Rakhshani, A. E., Makdise, Y. e Ramazaniyan, H. A. Eletronic and
Optics Properties of Fluorine-doped tin oxide films. J. Appl. Physics, 1998.
pp. 1049-1057. Vol. 83.

123