Sumrio

1. RESUMO...............................................................................................................................4
2. INTRODUO TERICA....................................................................................................4
3. OBJETIVOS...........................................................................................................................5
4. MATERIAS E MTODOS UTILIZADOS............................................................................5
4.1. Materiais Utilizados.........................................................................................................5
4.2. Mtodos Utilizados..........................................................................................................5
5. RESULTADOS E DISCURSSES........................................................................................6
6. CONCLUSO........................................................................................................................6
7. BIBLIOGRAFIA....................................................................................................................7

1. RESUMO

Este relatrio apresenta um estudo experimental realizado sobre um TBJ trabalhando

como chave com auxilio de um rel. O experimento foi realizado na Unifei Campus Itabira
na aula prtica de Eletrnica Analgica I.
O objetivo deste relatrio consiste em descrever o funcionamento de um rel quando o
TBJ encontra se em operao de saturao e corte. Demonstrando conceitos do rel, na
introduo, podemos entender as diversas aplicaes desse componente.
Em nico passo experimental, cuja finalidade foi encontrar os valores correspondentes
para correntes e tenses (descritas no Procedimento Experimental) para os casos do TBJ
Chave estiver aberto e fechado, o grupo esteve apto a responder as questes propostas
pelo roteiro da aula prtica.
Ao final deste relatrio encontram-se as discusses dos dados obtidos e calculados, assim
como uma concluso do grupo em relao aos resultados do experimento realizado.

2. INTRODUO TERICA

O Rel um dispositivo que possui um funcionamento bem simples, quando uma

corrente circula pelo seu interior (bobina), cria um campo magntico que atrai um contato(s)
fechando ou abrindo circuitos. Quando interrompido o fluxo de corrente ao Rel, o campo
magntico gerado tambm interrompido, fazendo com que o contato(s) volte posio
original.

Surgiu em torno do sculo XIX, que foi muito utilizado nos sistemas telefnicos no
tempo das centrais analgicas nas localidades mais remotas. [1]

Os rels podem ter diversas configuraes, mas um modelo comum o Rel

eletromecnico tradicional, formado por uma bobina onde aplicado o sinal de controle e um
conjunto de contatos que controla o circuito externo (como por exemplo, acender e apagar um
LED).

Figura 01 Rel Eletromecnico. [2]

Como podemos observar da Figura 01, o Rel divido nos seguintes componentes e
terminais bsicos:

Bobina: constitudo por fio de cobre em torno de um ncleo de ferro macio que
fornece um caminho de baixa relutncia para o fluxo magntico;

Armadura: ferro mvel;

Conjuntos de contatos: NF (normalmente fechado) e NA (normalmente aberto);

Terminais: Terminais da Bobina e Terminal Comum, mas podem variar de acordo com
a aplicao.

3. OBJETIVOS
Comprovar o funcionamento do transistor bipolar como elemento chaveador
acionando um rel.

4. MATERIAS E MTODOS UTILIZADOS

4.1. Materiais Utilizados
Para a realizao desta prtica foram utilizados os seguintes materiais:
01 resistor de 100 ;
01 resistor de 560;
01 resistor de 1 k;
01 diodo 1N4148;
01 transistor BC 547;
01 diodo LED;
01 rel de 12 VCC (8A, 250 VCA);
01 multmetro digital;
01 fonte de tenso C.C. ajustvel.

4.2. Mtodos Utilizados

O desenvolvimento da parte experimental consistiu em montar o seguinte circuito

abaixo:

Figura 02 Circuito I.

Utilizando um rel de 12 V que acionado por TBJ operando como chave, utilizando
V2 como uma fonte fixa de 5 V.
Assim, realizada as medies de corrente (coletor, base e carga) e as quedas de tenses
(coletor-emissor e na carga).

5. RESULTADOS E DISCURSSES

Logo abaixo se encontra os valores medidos de cada componente utilizado na montagem:

RB = 975
RC = 90
RL = 504
VD1 = 0,57 V
= 298

Situao 1 Chave S1 fechada

VCE (V)

IC (mA)

VRL (V)

IRL (m A)

IB (m A)

0,042

22,8

3,03

4,38

11,6

Situao 2 Chave S1 aberta

VCE (V)

IC (mA)

VRL (V)

IRL (m A)

IB (m A)

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Tabela 01 Medies referentes ao Circuito I (Figura 02).

Perguntas propostas para discusses:

Qual a corrente (Ic) de saturao calculada no circuito acima?

Considerando que IB = (VCC - VBE )/ RB

Logo, IB = (12 0,7 )/ 1000 = 0,0113 [A]

Ic = IB x ou seja, Ic = 0,0113 x 298

Ic = 3.3674 [A]

Explique porque o circuito acima, quando polarizada a base, trabalha na regio de

saturao?

Assim como visto na teoria, um transistor trabalha na regio de saturao quando a tenso
na base superior a tenso no emissor, ou seja, polarizao direta base-emissor, e ao mesmo
tempo tem a tenso do coletor superior a tenso na base, configurando polarizao inversa
coletor-base. O circuito montado se comportou desta forma, portanto, quando polarizada a
base com a tenso proposta, o transistor se encontrou na regio de saturao.

Se diminuirmos o valor de RB, o que aconteceria com as correntes e com o valor de .

Para um dado valor de temperatura, o valor de constante. No caso do circuito

estudado, diminuir a resistncia RB implica em um aumento na corrente de base, devido a R B
limitar esta corrente. O aumento de IB resulta, dado um ganho fixo, em um aumento
proporcional de IC e IE, verificado pelas equaes:
IC = I B x e I E = I C + I B

6. CONCLUSO
O experimento possibilitou um melhor entendimento a respeito de um dos modos de
operao de um transistor bipolar NPN, saturao e corte, por meio do acionamento de um
rel. Verificou-se, por exemplo, que um transistor necessita de um VB>VE e um VB<VC para
trabalhar na regio de saturao. O entendimento dos vrios modos de operao, a teoria
envolvida, bem como as equaes matemticas que calam o funcionamento dos transistores
de fundamental importncia em vrias reas de atuao do engenheiro, seja em eletrnica de
potncia, microeletrnica etc. Os resultados obtidos foram satisfatrios e mesmo apresentando
diferenas devido a impercias em medies e componentes com variaes de valores, o
comportamento do transistor estudado compatvel com o estudo terico.

7. BIBLIOGRAFIA
[1] http://www.infoescola.com/eletronica/rele/
[2] http://www.sabereletronica.com.br/educacao/2000-a-evoluo-dos-rels