TRANSISTOR

Dispositivo semiconductor de tres terminales que generalmente acta como

amplificador, interruptor y oscilador.

El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de

transferencia"), lo llamaron as por la propiedad que tiene de cambiar la
resistencia al paso de la corriente elctrica entre el emisor y el colector.
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de
uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video,
hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin,
alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3,
telfonos mviles, etc.

TRANSISTOR
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de
1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes
fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la
vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se
encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos
masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados
transistores de efecto de campo (FET).
Los transistores se fabrican en serie, formando simultneamente varios cientos o millares
de unidades sobre una oblea semiconductora de 38 a 50 mm de dimetro y luego
cortndolos uno por uno. Las tcnicas de fabricacin mas utilizadas son la aleacin,
difusin, el proceso planar y el crecimiento epitaxial. Una vez construidos los
transistores se hospedan en capsulas plsticas o metlicas. La capsula protege el
transistor de la humedad y los contaminantes, sirve como disipador de calor,
proporciona los pines de acceso, y facilita su manipulacin e identificacin.

TIPOS DE TRANSISTOR
Tipo

Caractersticas

BJT (Bipolar Junction Transistor)

Bipolar, son de doble unin y tres

terminales, controlado por corriente .

FET (Field Effect Transistor)

De efecto de campo, es unipolar,

controlado por voltaje.

MOSFET

FET de metal oxido-semiconductor,

consumen poca potencia y son
rpidos.

UJT

Monounin, usado esencialmente

como interruptores de enganche. Es
un transistor de potencia.

TRANSISTOR BJT
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio.

El transistor tiene tres partes, Una que emite electrones (emisor), otra que los recibe
o recolecta (colector) y otra con la que se modula el paso de dichos electrones
(base).
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de
transistor.

ESTRUCTURA INTERNA DE UN TRANSISTOR BJT

Estn formados por tres regiones de material semiconductor, que dan origen a dos
uniones. El emisor est fuertemente dopado, el colector medianamente dopado
y la base ligeramente dopada.

MODOS DE OPERACIN
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo
de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden
ser:

MODOS DE OPERACIN
Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor base y a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de
operacin normal del transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor base y a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es
usada raramente.
Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La
operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).
Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La
operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE 0).

MODOS DE OPERACIN
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y
Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El
transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE 0; VCE = Vcc
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento
de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector
y Emisor se comporta como un interruptor cerrado.

Vce < 0,7V

ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente, d3e
acuerdo al valor de IB.
IB > 0 y Vce > 0,7V

CURVAS CARACTERSTICAS
Curvas de Entrada

Curvas de Salida

RELACIONES DE CORRIENTE
= +
=

La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que

relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la
corriente de base. Su rango es < < Los fabricantes suelen especificarlo en
sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE.

=
=

= +

, << ,

=
+

PINES SEGN EL ENCAPSULADO