Semicondutores
Elementos da coluna IV da Tabela Peridica.
Condutividade: maior que a dos isolantes, menor que a dos
condutores
Germnio Ge :
inicialmente
Semicondutores
Intrnseco:
sem impurezas.
Si
+4
cristal:
4 electres
perifricos
partilhados por
tomos vizinhos.
+4
+4
Ligao covalente
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Semicondutores
Si
+4
Carga do electro:
+4
+4
Lacuna
Electro livre
q = 1.60 1019 C
lacuna: ausncia de
electro. Comporta-se
como carga +q
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Semicondutores
n electres por unidade de volume
p lacunas por unidade de volume
n = p = ni no semicondutor intrnseco
ni2 = BT 3e EG / kT
em que:
T - temperatura absoluta em kelvin (K)
k - Constante de Boltzman, k = 1.38 1023 J/K
EG = 1.12eV (para o Si) "bandgap energy"
representa a energia mnima para formar par electro-lacuna
B = 5.4 1031 (para o Si) depende do material
Tpico: T = 300K ni =1.5 1010 portadores/cm3 em 5 1022 tomos/cm3
Circuitos Electrnicos Bsicos
Semicondutores
Elementos dadores:
coluna V
5 electres perifricos
Si
+4
+4
+4
Electro livre
+4
+5
+4
+4
+4
+4
electres livres
predominam n ND
Em equilbrio trmico
np = ni2
Circuitos Electrnicos Bsicos
Semicondutores
Elementos aceitadores:
coluna III
3 electres perifricos
Si
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+4
+4
Lacuna
lacunas predominam p NA
Em equilbrio trmico
np = ni2
Semicondutores
Conduo:
movimento dos portadores de carga (electres ou lacunas)
2 mecanismos: difuso e deriva
Difuso:
gradiente de densidade de portadores (n, p )
densidade de corrente (A/m2 )
dn
dp
J n = Dn q
J p = Dp q ;
dx
dx
Dn , D p so constantes de difuso
Si intrnseco: Dn = 34cm2 /s; D p = 12cm 2 /s
Circuitos Electrnicos Bsicos
Semicondutores
Deriva:
aco do campo elctrico
velocidade vn = n E e v p = p E
n , p mobilidades
E campo elctrico
kT
q
relao de Einstein
n = 2.5 a 3 p
densidade de corrente: J drift = q(n n + p p ) E
14
4244
3
= 1 condutividade
10
Juno pn
ies dadores
ies aceitadores
+
electres livres
lacunas
N A ND
ni2
difuso+recombinao
equilbrio, I = 0, (circuito aberto)
campo elctrico deriva
Circuitos Electrnicos Bsicos
11
12
13
14
15
Dodo ideal
17
18
dodos de Silcio
vD =0.6 0.8V
na figura considera-se VD = 0.7V
para i =constante
v
2mV/C
T
Especificaes:
corrente directa mxima
tenso inversa mxima
Circuitos Electrnicos Bsicos
19
r=
v
i
dodos de Silcio
vD =0.6 0.8V
VD0 0.5V-0.65V
para i =constante
v
2mV/C
T
20
iD = f (vD )
V = Ri + v
D
D
DD
Mtodo grfico
Mtodo iterativo
iD 0
vD 0 = 0.7V
iD1 =
VDD 0.7
R
vD1 = vD 0 + nVT ln
iD1 =
iD1
i
vD1 vD 0 = nVT ln D1
iD 0
iD 0
VDD vD1
K
R
21
Modelo incremental
22
10
Resumo
23
Rectificador
Rectificador de meia onda
Rectificador de onda
completa
Ponte de Graetz
Filtro (passa-baixo)
Reguladores de tenso
Com dodo de Zener
srie
24
11
Rectificador de meia-onda
Transformador
Isolamento galvnico
Abaixamento da tenso
vs alternada, v unidirecional
25
Rectificador de meia-onda
n2
V1m
n1
( vo )av
1
1
=
VOm sin d = VOm
2 0
26
12
vS > 0 D1 conduz vO = vS
vO = vS
D2 cortado
2
vS < 0 D1 cortado vO = vS ( vO ) av = VOm
D2 conduz
(desprezando a queda de tenso no dodo quando conduz)
sentido dos dodos trocados vO = vS
Circuitos Electrnicos Bsicos
27
vvs<0;
=-v
=vss
s>0;vv
OO
Vantagens :
Secundrio do transformador sem tomada central com
metade da tenso
Circuitos Electrnicos Bsicos
28
13
Filtro (passa-baixo)
RC T vO VIm
desprezando a queda de tenso no dodo
carga perdida = carga reposta
C V =
VIm
V
T V = Im amplitude do tremor
R
fCR
29
Dodo Zener
31
14
exemplo
32
Dodo Zener
Ef. Zener (Vz <5V)
Avalanche (Vz >7V)
Especificaes:
corrente mxima (ou potncia)
tenso de Zener
33
15
Circuitos Limitadores
Exemplos de
circuitos
limitadores
34
vI > Vz vO = VZ
i2
vI
vO
R2
independente de vI e de R2
V
v VZ
i2 = Z ; i1 = I
; iZ = i1 i2
R2
R1
i 1 R1
vI
i2
rz
vO
VZ
R2
35
16
Receptor
de Satlite
1Teste (3/11/2004)
i1
vI
R1
i2
D1
D2
vO
R2
2.
3.
37
17
i1
1Teste (3/11/2004)
i2
R1
D1
D2
vI
vO
R2
R2
vI = 4V > VZ + VD _ on = 3.7V
R1 + R2
(vI VZ VD _ on )
R1
iD = i1 i2 = 0.375mA
5 3.7
= 1.3mA
1 103
i2 =
( VZ + VD _ on )
R1
3.7
= 0.925mA
4 103
vO = 3.7V
(0.7 VD _ on )
iD 0
0.7 0.5
= 533
0.375 103
38
1Teste (3/11/2004)
i1
vI
3) vO =
R1
i2
D1
D2
vO
R2
R2
4
vI =
[5 + 1sin(2 1103 t )] = 4 + 0.8sin(2 1103 t )
R1 + R2
1+ 4
vO (sem regulao)
4.8
6
5
vI
3.7
3.2
vO (com regulao)
39
18
1Exame (19/1/2005)
vO
R
D1
D2
40
1Exame (19/1/2005)
vO
2)
vD = nVT ln
I
1 103
= 25 103 ln
= 0.63V ;
IS
1 1014
vD = nVT ln
I
IS
v = 2mV / C
Circuitos Electrnicos Bsicos
D1
D2
I
T S
a I S dominante!
VT
vO diminui com a temperatura.
41
19