2a Lista de Materiais Eltricos prof. Barbieri 6o Sem.

1) Responda:
a) O que um material isolante ou dieltrico?
materiais isolantes so substncias em que os eltrons e ons no podem se
mover em distncias macroscpicas como os condutores devido a presena de
poucos eltrons livres e que resistem ao fluxo dos mesmos (alta resistncia
eltrica).
Dieltrico: o meio no qual possvel produzir e manter (armazenar) um
campo eltrico com pequeno ou nenhum suprimento de energia de fontes
externas.
b) Explique o processo de polarizao em materiais dieltricos e mostre quais so
os dois tipos de polarizao
Uma propriedade fundamental dos materiais dieltricos a polarizao de suas
partculas elementares, quando sujeitas ao de um campo eltrico.
Devido a essa polarizao, os materiais dieltricos so capazes de armazenar
energia eltrica.
Define-se por polarizao um deslocamento reversvel dos centros das cargas
positivas e negativas na direo do campo eltrico externo aplicado.
Se o isolante constitudo de tomos, que no apresentam momento dipolar,
quando aplicado um campo eltrico externo, ocorre separao entre o ncleo
atmico positivo (fixado na matriz do dieltrico) e a nuvem eletrnica, a qual
deslocada na direo oposta ao campo eltrico aplicado, produzindo dipolos
sem dissipar energia. Uma vez eliminado o campo externo, os tomos voltam
sua posio inicial, a polarizao desaparece, pois os centros de cada grupo de
cargas voltam situao inicial (equilbrio).
Se o dieltrico for constitudo de partculas elementares (eltrons, prtons, etc.)
que por si s j so dipolos (por exemplo, molculas) que, devido sua
constituio qumica j so dotados de cargas positivas e negativas, a ao do
campo eltrico externo tender a orientar as partculas de acordo com a
prpria orientao do campo externo. Quanto mais intenso o campo, tanto
mais elevado o trabalho de orientao das partculas elementares,
observando-se de modo mais acentuado a elevao de temperatura, devido
transformao do trabalho de orientao em calor.
c) O que capacitncia?
Capacitncia (C): a razo entre os mdulos de sua carga Q e a diferena de
potencial V entre elas. A unidade e Faraday.

d) O que Constante dieltrica?

Constante dieltrica (ou permissividade) ( ou k): uma propriedade do
material isolante utilizado em capacitores que influi na capacitncia total do
dispositivo.
Atravs da constante dieltrica, pode relacionar a densidade de fluxo eltrico e
o campo eltrico do material, quanto maior a constante dieltrica, maior a
densidade de fluxo eltrico no material para um mesmo campo eltrico, maior
a capacitncia
e) O que Rigidez dieltrica?
Rigidez Dieltrica: Corresponde ao valor limite de tenso aplicada sobre a
espessura do material (kV/mm), sendo que, a partir deste valor, os tomos que
compem o material se ionizam e o material dieltrico deixa de funcionar como
um isolante.
2) Um capacitor cermico convencional consegue armazenar 2,1.10-10C de carga
eltrica, possui uma constante dieltrica relativa de 6,0 e est posicionado dentro
da regio entre placas a uma tenso de 30V. Calcule a capacitncia e a
permissibilidade (constante dieltrica) do meio dieltrico.
: 0 = 8,85.10-12 F/m.
C = Q = 2,1.10-10 = 7,0 .10-12 F
V
30
= R . 0 = 6,0 . 8,85.10-12 = 5,31. 10-11F/m
3) Considere um capacitor de placas paralelas que possui uma rea de 6,45.10 -4m2 e
que apresenta uma separao entre placas de 2.10-3 m, atravs da qual um
potencial de 10V aplicado. Se o material que possui uma constante dieltrica
relativa de 6,0 for posicionado dentro da regio entre placas, calcule a
capacitncia e magnetude da carga armazenada em cada placa
: 0 = 8,85.10-12 F/m.

R =

= = R . 0 = 6,0 . 8,85.10-12 = 5,31. 10-11F/m

C=.A
L

= 5,31. 10-11 . 6,45.10-4 m2 = 1,71. 10-11 F

2.10-3 m

C = Q => Q = C.V = 1,71. 10-11 F x 10 V = = 1,71. 10-10 C

V
4) Pretende-se construir um capacitor simples de placas paralelas para armazenar
5,0.10-6 C a um potencial de 8kV. A distncia de separao entre as placas de
0,30mm. Calcule a rea em m2 que as placas devem ter, se o dieltrico entre elas
for a) vcuo ( k = 1)
b) alumina ( k = 9)

C = Q = 5,0.10-6 = 6,25 .10-10 F

V
8000
a) C = k . A = > A = C. L = 6,25 .10-10 x 0,30.10-3
L
k
1x 8,85.10-12

= 0,0212 m2

b)
C = k. . A = > A = C. L = 6,25 .10-10 F x 0,30.10-3 m
L
k.
9x 8,85.10-12

= 0,0024 m2

5) Qual a definio de um semicondutor, e seu emprego muito utilizada em qual

ramo da indstria eletrnica.
So slidos cristalinos
entre condutores e isolantes.

de condutividade eltrica

intermediria

Seu emprego importante na fabricao de componentes eletrnicos tais

como diodos, transistores e outros de diversos graus de complexidade
tecnolgica, microprocessadores, e nano circuitos usados em nanotecnologia.
6)

Que tipos de perturbaes um semicondutor pode receber para ter uma

influencia na condutividade eltrica?
O valor numrico da condutividade uma caracterstica definida e
intermediaria entre condutores e isolantes, e tambm define o comportamento
funcional dos materiais.
A condutividade eltrica de um semicondutor sensivelmente influenciada
tambm por eventuais perturbaes da estrutura cristalina, o que, por sua vez,
tem fundamental importncia nos prprios processos de fabricao dos
semicondutores.

Tais perturbaes podem ser provocadas tanto por irregularidades na

estrutura cristalina, pela presena proposital ou acidental de impurezas
(intrnseco e extrnsecos).
7) Demonstre atravs da distribuio eletrnica de Linnus Pauling os 4 nmeros
qunticos (nvel, subnvel, orbital e rotao dos eltrons) e mostre tambm a
representao da banda de Valencia em termo de orbitais dos seguintes
elementos semicondutores:
a) Si (Z = 14)
b) Ge ( Z= 32):
a) n= 3 l = 1 m = 0

s = -1/2

b) n= 4 l = 1 m = 0

s = -1/2

8) Como que funciona a teoria de bandas de energia de um condutor, isolante e um

semicondutor?
Os metais so bons condutores da corrente eltrica no s porque a banda de
valncia e a banda de conduo se encontram semi-preenchidas, mas tambm
porque a banda de conduo se sobrepe banda de valncia.
No caso dos isolantes, as bandas de conduo e de valncia encontram-se
separadas por uma larga zona energtica proibida e, deste modo, os eltrons
no possuem energia suficiente para transitar de uma para outra.
No caso dos semicondutores, o nvel de energia que separa a banda de energia
superior completamente ocupada possui uma largura muito pequena
relativamente banda imediatamente superior desocupada, bastando um
pequeno acrscimo de energia para fazer passar os eltrons para a banda
desocupada, possibilitando assim a conduo de correntes eltricas.
9) Explique o que um semicondutor intrnseco, extrnseco tipo P e extrnseco tipo
N?
Um semicondutor intrnseco um semicondutor no estado puro. temperatura de
zero graus absolutos (-273C) comporta-se como um isolante, mas temperatura
ambiente (20C) j se torna um condutor porque o calor fornece a energia trmica
necessria para que alguns dos eltrons de valncia deixem a ligao covalente
(deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns eltrons livres no
semicondutor.

SEMICONDUTORES TIPO N: A introduo de tomos penta valentes (como o

Arsnio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com que apaream eltrons livres
no seu interior. Como esses tomos fornecem (doam) eltrons ao cristal
semicondutor eles recebem o nome de impurezas doadoras ou tomos doadores.
Todo o cristal de Silcio ou Germnio, dopado com impurezas doadoras
designado por semicondutor do tipo N (N de negativo, referindo-se carga do
eltrons).
SEMICONDUTORES TIPO P: A introduo de tomos trivalentes (como o ndio)
num semicondutor puro (intrnseco) faz com que apaream lacunas livres no seu
interior.
Como esses tomos recebem (ou aceitam) eltrons eles so denominados impurezas
aceitadoras ou tomos aceitadores.
Todo o cristal puro de Silcio ou Germnio, dopado com impurezas aceitadoras
designado por semicondutor do tipo P (P de positivo, referindo-se falta da carga
negativa do eletros).
10) Para o silcio intrnseco, a condutividade eltrica temperatura ambiente de
4.10-4 (.m)-1 ; as mobilidades de eltrons e buracos so respectivamente, de
0,14 e 0,048 m2/V.s. Calcule as concentraes de eltrons livres temperatura
ambiente.
: e = carga do eltron = 1,6 .10 -19C

n=

11) Qual so os tipos de tcnicas de dopagem de um semicondutor:

a) Durante o crescimento boreal, Por fuso, Por implantao inica, Eletrolise
b) Eletrodeposio, Blindagem inica, Por liga, nitretao inica.
c) Durante o crescimento do cristal, Por liga, Por implantao inica, Por difuso
d) Eletrodeposio eletrlise Valncia, liga silcio-Germnio
e) Durante o crescimento do cristal, eletrodeposio, Por implantao inica, fuso
zonal
resposta C
12) D um exemplo de um semicondutor que voc utiliza em seu trabalho?
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