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Eletrnica

Bsica
Prof. Eng. Romeu Corradi Jnior

Eletrnica Dispositivo de estado slido

Eletrnica Bsica
Prof. Eng. Romeu Corradi Jr.

1. Introduo
Esta apostila tem o objetivo de proporcionar ao aluno um primeiro contato com os dispositivos
semicondutores, como diodos e transistores. As informaes aqui apresentadas sero
utilizadas como introduo aos componentes semicondutores, cabendo ao aluno uma
complementao em literaturas tcnicas especificas. Os assuntos aqui abordados tem um
carter didtico; na inteno de facilitar a compreenso de literaturas tcnicas mais
abrangentes, ajudando o aluno a se familiarizar com os termos tcnicos e demais situaes
que envolve a eletrnica bsica. Assim esta apostila ir ajuda-lo em seus estudos, mas voc
dever reservar em casa um tempo para estudar os pontos aqui abordados e sempre
complementando as informaes apresentadas com livros de maior profundidade no assunto, e
tambm resolver os exerccios propostos varias vezes de forma a garantir um bom
aprendizado; lembre-se os assuntos a serem abordados requer estudo sistemtico e
dedicao na resoluo de problemas, para que voc obtenha boa compreenso dos circuitos
estudados. Abaixo temos uma lista de possveis literaturas tcnicas que voc poder usar para
se aprofundar mais nos assuntos, importante que voc tenha pelo menos um dos livros
indicados.

Malvino, Albert Paul Eletrnica Vol. 1


Editora MAKRON Books
Boylestad Nashelsky Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos
Editora PHB Prentice/Hall do Brasil
Cipelli, Antonio Marco Vicari e Sandrini, Waldir Joo - Teoria e Desenvolvimento de Projeto
de Circuitos Eletrnicos
Editora rica
Marques, Angelo Eduardo B. / Choueri Jr., Salomo / Cruz, Eduardo Cesar Alves Dispositivos
Semicondutores: Diodos e Transistores
Editora rica
Outros livros sobre eletrnica bsica podero ser utilizados como livro texto para apoio, o
importante que voc tenha pelo menos uma literatura tcnica para aprofundar os seus
conhecimentos.

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2.

Diodo ideal

Diodos so dispositivos eletrnicos de dois terminais com a propriedade de permitir a


passagem de corrente eltrica mais facilmente num sentido que em outro. Esta propriedade
torna os diodos extremamente teis em aplicaes eletrnicas, como veremos adiante. Para
facilitar a compreenso dos diodos, discutiremos primeiramente o conceito de diodo ideal.
2-2. O diodo ideal
O conceito de diodo ideal pode ser mais claramente entendido se, primeiro, compararmos suas
caractersticas com as de um resistor linear como mostrado na fig. 1. Tanto o resistor quanto o
diodo so elementos de dois terminais. A caracterstica V-I do resistor linear indica que ele
obedece lei de Ohm, qualquer que seja a polaridade da tenso aplicada. Da podemos
concluir que ele conduz igualmente nos dois sentidos.

Um resistor ento chamado um elemento de circuito bilateral. Um diodo ideal, como veremos,
um dispositivo unilateral. Isto , ele conduz perfeitamente em um sentido mas no no outro,
dependendo da polaridade da tenso aplicada. A representao esquemtica de um diodo
ideal est mostrada na fig. 2. Esta tambm a representao de um diodo a estado slido real,
sendo portanto necessrio indicar se est sendo considerado um diodo ideal ou real. Na
maioria dos casos, entretanto, o diodo a estado slido se aproxima tanto do diodo ideal que
podemos consider-los compatveis.

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Relacionando a curva V-I da fig. 1 com a da fig. 2 conclumos que o diodo ideal tem a seguintes
caractersticas. Se tentarmos polarizar positivamente o nodo com relao ao ctodo, uma
condio chamada polarizao direta, o diodo apresenta resistncia zero pis vemos que na
curva V-I, V = 0 para qualquer que seja I. A corrente I ento limitada somente pelo circuito
externo ao diodo. Este chamado estado ON ou estado de polarizao direta ou ainda estado
de conduo direta do diodo. Qualquer tenso no primeiro quadrante que tenda a tornar ON o
diodo ento chamada tenso direta ( VF ) e a corrente correspondente a corrente direta (

I F ).
Inversamente, para um diodo ideal, VF = 0, sempre que uma corrente I F forada a
atravess-lo como a proveniente de uma fonte de corrente. Vemos que um diodo ideal
polarizado diretamente simula uma chave fechada. Se V uma quantidade negativa ( nodo
negativo com relao ao ctodo ), V chamada tenso reversa ( VR ) e I
correspondentemente negativa e chamada corrente reversa ( I R ). Quando polarizado
reversamente o diodo ideal tornado OFF e ele simula uma chave aberta, desde que nenhuma
corrente pode fluir no sentido inverso. Assim, I R = 0 para todos os valores de VR ou -V. O
ponto no qual o diodo passa do estado ON para OFF e vice-versa chamado ponto de quebra
ou de corte. No ponto de quebra V = 0 e I = 0. O conceito do ponto de quebra muito til na
anlise de circuitos contendo vrios diodos.
Resumindo: 1 Se a corrente ou a tenso aplicada ao diodo ideal tende a polarizar
positivamente o nodo com relao ao ctodo, o diodo torna-se polarizado diretamente ( ON ) e
simula uma chave fechada com resistncia zero e com queda de tenso zero. 2 Se a tenso
aplicada ao diodo ideal tende a polarizar negativamente o nodo com relao ao ctodo, o
diodo torna-se polarizado reversamente ( OFF ) e simula uma chave aberta com resistncia
infinita e com corrente nula atravs dela. 3 No ponto de quebra, V = 0, I = 0
Primeira srie de exerccios:
Problemas Bsicos
1. Determine E e I no circuito abaixo. Admita como ideal o diodo.

2. Determine E e I na figura abaixo. Admita o diodo ideal.

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Problemas com respostas ( admita diodos ideais )
3. Determine I e E na fig. abaixo.

RESPOSTA I = 0, E = 0
4. Esboce a forma de onda de eO .

5. Determine E AB no circuito abaixo.


RESPOSTA E AB = 12 Volts

6. Esboce a caracterstica Volt-Ampre vista pelos terminais do circuito mostrado na fig.


abaixo. Cuide para que sejam observados os sentidos de referncia apropriados.

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7. Como voc conectaria um diodo entre os terminais mostrados na fig. abaixo de modo que a
corrente flua atravs da carga RL ?

8. Determine I na fig. abaixo.

3. O diodo de juno a estado slido


Estudamos no item anterior o diodo ideal. Na prtica no existe diodo ideal, mas felizmente
suas caracterstica so bem aproximadas por um diodo de juno a estado slido, na maioria
dos casos.
3-1. O diodo de juno
A maioria dos diodos a juno so compostos primariamente do elemento silcio, e em menor
extenso, de germnio. Tanto o silcio quanto o germnio so chamados semicondutores
devido resistncia desses elementos estar situada entre a baixa resistividade dos condutores
metlicos e a alta resistividade dos isoladores. Uma caracterstica significante da estrutura
atmica desses materiais o fato deles possurem quatro eltrons de valncia.

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Voc deve se lembrar que so os eltrons de valncia que determinam basicamente as
propriedades qumicas e eltricas de um elemento. Agora, se esses elementos estiverem
arranjados numa forma cristalina, os eltrons de valncia nas camadas mais externas de um
tomo qualquer, alinham-se com os eltrons de valncia de tomos adjacentes para formar
pares de eltrons, chamando-se a isso ligaes covalentes. Essas ligaes covalentes levam
os tomos de silcio e germnio a constiturem uma estrutura geomtrica ordenada dentro do
cristal. Para nossos objetivos o tomo isolado de silcio ou germnio pode ser representado
pela forma esquemtica mostrada na fig. 3. Cada linha deixando o ncleo, representa um
eltron de valncia.

Fig.3
Consideraremos somente os quatros prtons necessrios para balancear os quatro eltrons de
valncia, a fim de manter a neutralidade eltrica do tomo normal. A fig. 4 ilustra como cada
tomo de silcio ou germnio est ligado a cada tomo adjacente atravs de ligaes
covalentes.

3-2. Conduo intrnseca


Em uma amostra de semicondutor puro poucos eltrons esto disponveis para a conduo nas
baixas e medias temperaturas, porque a maior parte dos eltrons est firmemente ligada
atravs de ligaes covalentes. A amostra de semicondutor apresentar portanto uma
resistncia relativamente alta. Se, entretanto a temperatura do cristal fosse aumentada,
veramos que a resistncia hmica da amostra decresceria. Este coeficiente de temperatura
negativo da resistncia se deve ao fato de o aumento de temperatura implicar num acrscimo
da energia cintica dos eltrons de valncia. O acrscimo de energia permite que alguns dos
eltrons de valncia se libertem de suas ligaes covalentes. Estes eltrons livres so ento
capazes de agir como portadores de corrente sob ao de um campo eltrico aplicado.
O vo deixado pelos eltrons livres na ligao covalente chamado buraco ou lacuna . Admitese que os buracos ou lacunas comportam-se como portadores de corrente adicionais
carregados positivamente. Embora existam algumas diferenas significantes, podemos
considerar o buraco ou a lacuna como sendo equivalente a um eltron com carga positiva, para
a maior parte dos propsitos. Para melhor entender o conceito de buraco ou lacuna considere

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a fig. 5 que ilustra um eltron e que foi arrancado de uma ligao covalente. Este eltron est
agora livre para caminhar atravs do cristal se um campo eltrico aplicado.
O campo poderia ser estabelecido conectando-se uma fonte de voltagem aos terminais do
cristal. Agora, o eltron constitui um portador de corrente considerado isoladamente.
Note que onde a ligao covalente foi rompida surge um vo de eltron ou buraco. Se
considerssemos que o eltron removido estava balanceado por uma carga igual e oposta
devido aos ncleos circundantes, poderamos admitir que este buraco tem uma carga igual e
oposta do eltron. Isto parece razovel desde que a regio estava eletricamente neutra antes
da remoo do eltron.

Este buraco atrair ento um eltron de uma das ligaes covalentes dos tomos vizinhos e
esse eltron deixar tambm um buraco na sua posio inicial. Um terceiro eltron ir
completar o buraco deixado pelo segundo eltron e assim por diante. Se um campo eltrico
aplicado, os buracos, que se comportam como cargas positivas mveis, caminham para a
extremidade positiva. O buraco tambm um portador de corrente, e ao alcanar a
extremidade negativa do cristal neutralizado por um eltron vindo do fio que est ligado ao
terminal negativo da fonte de voltagem. Assim, vemos que a ruptura de uma ligao covalente
produz no somente um mas dois portadores de corrente.
Deve ser notado que os buracos no fluem para o circuito externo mas somente no interior do
semicondutor. Este tipo de conduo, envolvendo a gerao de pares eltron-buraco ou
eltron-lacuna, chamada conduo intrnseca. Mais tarde veremos que a presena de pares
eltron-lacuna usualmente indesejvel, e que desejamos somente eltrons ou somente
buracos ou lacunas. Devemos tambm notar que temos tomado muita liberdade a fim de
simplificar a fsica dos semicondutores envolvida. Entretanto, a apresentao de suficiente
profundidade para dar uma boa idia intuitiva para a compreenso dos diodos e transistores. A
condutividade do silcio ou germnio aumentar medida que o nmero de portadores de
corrente crescer. Inversamente ela decrescer medida que o nmero de portadores
decresce. Podemos, portanto, controlar a condutividade pela disrupo de ligaes covalentes,
mas isto indesejvel por duas razes. Primeiro, nossa fonte de controle deve fornecer uma
grande quantidade de energia para quebrar uma ligao covalente. Segundo, portadores de
corrente de ambos os tipos ( buracos e eltrons ) so gerados em iguais quantidades. Outros
meios foram pesquisados para controlar a condutividade em semicondutores; descobriu-se que
a adio de certas impurezas reduziam esses efeitos indesejveis.
3-3. Semicondutores dopados
Para ver como a adio de certos tomos de impurezas afeta a condutividade de um
semicondutor, considere a adio de uma pequena quantidade de arsnio a uma fornada de
silcio puro em fuso. A fig. 6 a representao de um tomo de arsnio, que possui cinco
eltrons de valncia. Quando esse silcio em fuso se solidifica num cristal, os tomos de
arsnio estaro uniformemente dispersos atravs de estrutura cristalina. Como existem muitos
tomos de silcio comparados aos de arsnio, virtualmente cada tomo de arsnio estar
circundando por tomos de silcio. Isto est ilustrado na fig. 7. Mas o arsnio tem cinco eltrons
de valncia enquanto o silcio ou germnio tem quatro.

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Assim, no cristal, quatro dos cinco eltrons de valncia participaro das ligaes covalentes
com os tomos circundantes de silcio ( ou germnio ). Isto, entretanto, deixa um quinto eltron
de valncia do arsnio, fracamente ligado e sem lugar particular para ir. Se este eltron
abandonar o tomo de arsnio original devido a agitao trmica ou outras causas quaisquer,
permanece no local um on arsnio positivamente carregado, que est rigidamente ligado
estrutura cristalina. Isto deve acontecer devido regio estar eletricamente neutra antes da
perda do eltron.

Desde que esse quinto eltron de valncia do arsnio est fracamente ligado ao tomo
correspondente, ele requer uma quantidade de energia bastante pequena para tornar-se livre e
disponvel para a conduo sob ao de um campo eltrico. Muito importante notar que esse
eltron no veio do rompimento de uma ligao covalente. Isto significa que nenhum buraco foi
deixado para trs. Um buraco, voc deve estar lembrando, uma falta de um eltron numa
ligao covalente. Portanto, pela adio de impureza pentavalente ( cinco eltrons de valncia
) superamos as duas objees associadas variao da condutividade obtida pelo controle de
produo de pares eltrons-lacunas. Outras impurezas pentavalentes, tais como fsforo ou
antimnio, podem tambm ser usadas para formar peas de silcio ou germnio com
abundncia de eltrons fracamente ligados. Esses semicondutores enriquecidos de eltrons
so conhecidos como tipo N, e as impurezas pentavalentes so chamadas tomos doadores
ou impurezas doadoras. O processo de adio de tomos de impurezas ao semicondutor puro
chamado dopagem. tambm possvel produzir semicondutores tipo P, os quais so ricos
em lacunas, pela adio de pequenas quantidades de impureza trivalentes ( trs eltrons de
valncia ) ao semicondutor em fuso. Impurezas trivalentes ( tomos aceitadores ) so ndio,
alumnio e glio. A fig. 8 ilustra uma representao esquemtica de um tomo de impureza
trivalente.

A fig. 9 ilustra o efeito de uma impureza trivalente dentro da estrutura cristalina. Note que agora
temos uma ligao covalente incompleta na qual falta um eltron. Isto est de acordo com
nossa definio anterior de buraco ou lacuna. Neste caso o buraco o nico portador de
corrente, pois no h presena de eltrons fracamente ligados.

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Aqui encontramos uma abundncia de cargas livres positivas e o material ento chamado
silcio ou germnio tipo P. Note que, nesta figura, o tomo de impureza torna-se um on
negativo to logo um eltron de uma das ligaes covalentes alcance o buraco. Esse buraco
original ento neutralizado mas um outro buraco aparece, exatamente no lugar de onde o
eltron neutralizante veio. Se pequenas, mas iguais, quantidades de impurezas tipos P e N
fossem misturadas ao semicondutor em fuso, teramos um cristal de comportamento muito
prximo ao do semicondutor puro. A razo disto que os eltrons da impureza tipo N
preenchem os buracos da impureza tipo P. Na realidade nenhum espcime prtico somente
tipo P ou tipo N, mas a adio controlada de impurezas ( dopagem ) causa a predominncia de
um ou outro tipo. Mais energia necessria para romper uma ligao covalente no silcio que
no germnio. Isto significa que, numa dada temperatura, O Si puro tem menos portadores de
corrente disponveis que o Ge. Embora a resistividade do Si puro seja mais elevada, o que
pode representar desvantagem em alguns casos, o efeito total da temperatura sobre os
transistores de Si ser menor que sobre o Ge. Por esta razo os transistores de Si so
usualmente preferidos.

Eltrons numa regio N ou buracos numa regio P so, por razes bvias, chamados
portadores majoritrios, enquanto que eltrons na regio P ou buracos na regio N so
chamados portadores minoritrios. Devido ruptura das ligaes covalentes nenhum material
semicondutor puramente N ou P. Ao invs disso, contm ambos os portadores: majoritrios e
minoritrios. Os portadores majoritrios esto continuamente se recombinando com os
portadores minoritrios, neutralizando-os. Os portadores minoritrios no se acabam,
entretanto, pois esto sempre sendo recriados pela energia trmica. Nem os portadores
majoritrios se esgotam, pois a gerao trmica de um portador minoritrio sempre
acompanhada pela gerao simultnea de um portador majoritrio. Infelizmente a gerao
trmica dos portadores minoritrios varia com a temperatura de uma forma exponencial. Isto
torna os materiais semicondutores altamente sensveis temperatura, com o efeito sendo mais
severo no germnio que no silcio.
3-4. A juno PN
As vrias tcnicas de fabricao de diodos e transistores tm pelo menos um objetivo comum,
e este produzir um cristal no qual exista uma ou mais junes PN. As propriedades da juno
PN tornam possveis a retificao e a ao do transistor. Se um cristal de semicondutor
preparado de modo que exista uma fatia de material tipo P adjacente a uma fatia tipo N, a
interface entre os dois conhecida como juno PN. Esta situao est ilustrada na fig. 10.

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Se dois terminais forem ligados a esta estrutura temos um diodo a juno que est ilustrado
esquematicamente sobre o cristal. Note que o nodo ( base da flecha ) corresponde ao material
P enquanto o ctodo corresponde ao material N. Memorize esta figura pois ser til mais tarde.
Para entender as propriedades da juno PN considere a fig. 11. Para fins de ilustrao,
admita que, no instante zero, ns, de alguma forma, formemos um cristal no qual h uma
interface entre uma regio tipo P e uma regio tipo N. Esta interface uma juno PN. Os
crculos com sinais ( - ) na regio P representam os ons fixos negativos da impureza. Estes
ons so negativamente carregados porque eles capturaram eltrons para preencher os
buracos introduzidos pelos tomos aceitadores ( tipo P ). Os sinais ( + ) representam os
buracos livres caminhando atravs da regio P. Analogamente, os crculos com sinais ( + ) na
regio N representam os ons fixos positivos das impurezas doadoras que perderam seus
eltrons fracamente ligados. Tanto a regio P quanto a

regio N so eletricamente neutras, pois existem tantos buracos livres quantos ons negativos
na regio P e tantos eltrons livres quantos ons positivos na regio N.
Admita que a juno PN j foi formada, que a temperatura seja constante, e que nenhuma
voltagem foi aplicada ao cristal. O lado P est carregado com buracos livres e ons fixos
negativos, enquanto que no lado N existem eltrons livres e ons fixos positivos abundantes.
Como a concentrao de buracos no lado P muito maior que no lado N, os buracos difundiro
na regio N. O mecanismo da difuso semelhante distribuio de molculas de tinta num
copo de gua, aps uma gota de tinta Ter sido introduzida. As molculas de tinta tentam
distribuir-se uniformemente. Em termos tcnicos dizemos que existe um gradiente de
concentrao de buracos da regio P para N. Analogamente existe um gradiente de
concentrao de eltrons da regio N para P e resulta na difuso de eltrons atravs da
juno. primeira vista, pareceria que eltrons e buracos manteriam a difuso atravs da
juno e recombinariam uns com os outros at que nenhum portador permanecesse ou at que
uma ou outra espcie de carga permanecesse. No , entretanto, este o caso. Para cada
buraco que cruza a juno de P para N, fica um on fixo negativo no neutralizado de cada lado
da juno so chamados cargas espaciais, e o campo eltrico entre eles pode ser
convenientemente representado por uma bateria colocada atravs da juno como mostrada
na fig. 12.

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Esta barreira de potencial interna tende a restringir a difuso de buracos do lado P para o lado
N e os eltrons do lado N para o lado P. A barreira de potencial interna fora tambm os
portadores minoritrios, isto eltrons do lado P e buracos do lado N, a cruzar a juno. A
regio adjacente e de cada lado da juno , portanto, relativamente livre de buracos e
eltrons.
Esta regio essencialmente livre de cargas chamada regio de depleo. A largura da regio
de depleo depende da maneira pela qual o cristal preparado. A largura da regio de
depleo do lado P no , necessariamente, a mesma que do lado N. O lado feito de material
de resistividade mais elevada ( menos tomos de impureza ) ter uma regio de depleo mais
larga. Os buracos que cruzam da regio P para a regio N recombinam com os eltrons no
lado N. Analogamente, eltrons da regio N recombinam com buracos do lado P. Este fluxo de
eltrons de N para P e de buracos de P para N constitui uma corrente de recombinao atravs
da juno. Esta corrente de recombinao no permanece, no entanto, em um valor constante.
Ela cai a valores extremamente baixos devido ao processo de recombinao manter cargas
descobertas nas proximidades de juno. Os ons negativos descobertos no lado P comeam a
repelir os eltrons do lado N enquanto a parede de ons descobertos positivos no lado N repele
os buracos do lado P. A bateria na fig. 12 representa, portanto, a barreira de potencial formada
pelas cargas descobertas, as quais inibem a corrente de recombinao. Assim, parece que
uma condio de equilbrio estabelecida entre o potencial de difuso do gradiente de
concentrao e a barreira de cargas descobertas.
Se a agitao trmica fornecesse s cargas mveis a mesma energia cintica, esta simples
explicao para as condies de equilbrio seria suficiente. No entanto, a energia trmica
fornecida aos portadores mveis de carga est distribuda aleatoriamente. Estatisticamente
falando, alguns buracos e eltrons possuem uma pequena quantidade de energia cintica
enquanto outros possuem uma grande quantidade. Alguns dos portadores de alta energia
sero capazes de vez por outra, vencer a barreira de potencial. Se esta fosse a nica ao,
pareceria que a altura da barreira de potencial continuaria crescendo, num esforo de
compensar os portadores de alta energia que conseguiriam venc-la. Finalmente, poderamos
esperar que o ltimo dos portadores de carga a cruzar a barreira deixaria uma barreira de
potencial bastante alta. Embora incompleto, este um quadro melhorado das condies da
juno. Algo que desprezamos que nenhum material perfeitamente P ou N. O material P
ter alguns eltrons livres, surgidos pela ruptura de ligaes covalentes por agitao trmica. O
buraco que produzido no diferente de qualquer outro buraco do lado P, onde os buracos
so os portadores majoritrios. O eltron no material P constitui um portador minoritrio e ter
um tempo mdio ( chamado tempo de vida ) antes de recombinar com um dos numerosos
buracos disponveis. O tempo de vida de um portador minoritrio depende, claramente, do
nmero de portadores majoritrios circundantes, os quais, por vez, so determinados pelo
nmero de tomos de impurezas introduzido no cristal. Se este eltron na regio P tem vida
suficientemente longa para caminhar at as vizinhanas da juno, ele ficar sob influencia do
campo eltrico l existente. O sentido do campo tal que o eltron ser forado a cruzar a
regio de depleo ( regio contendo as cargas descobertas ) pois ele atrado pelos ons
descobertos no lado N. Outra forma de visualizar, isto , de imaginar a bateria de barreira na
fig. 12, forando eltrons do lado P para o lado N.

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Por razes anlogas vemos que um buraco gerado termicamente no material N constitui um
portador minoritrio que ser forado a cruzar a regio de depleo do lado N para o lado P.
O fluxo de portadores minoritrios atravs da juno ajudado pela barreira de potencial.
Temos agora um quadro completo como mostrado na fig. 13, abaixo.

Sem voltagem externa aplicada, as condies reais de equilbrio so, como segue. Existe uma
corrente global de recombinao I r atravs da juno a qual consiste de buracos I rp
ultrapassando a barreira do lado P para N e eltrons

I rn que atravessam a barreira no sentido

oposto. Como um buraco indo da esquerda para a direita equivalente a um eltron indo da
direita para a esquerda, as duas componentes da corrente de recombinao so aditivas, e
podemos escrever:

I r = I rp + I rn
Ao mesmo tempo a ruptura de ligaes covalentes causa a formao de uma corrente global
gerada termicamente I g devido aos portadores minoritrios que so forados a cruzar a
barreira. Esta corrente gerada termicamente ter tambm duas componentes, uma
componente de buracos I gp , que flui da regio N para P, e uma componente de eltrons I gn ,
que flui da regio P para N. Portanto:

I g = I gp + I gn
A corrente I g gerada termicamente depende somente da temperatura e , muita vezes
chamada I s , corrente de saturao. Sob as condies de equilbrio os portadores que cruzam
a juno devido a I g compensam aqueles devido a I r , a qual tem componentes fluindo nos
sentidos opostos aos de I g . O resultado final que a corrente total na juno zero, o que
deve ser verdade pois se curto-circuitarmos a juno PN com um pedao de fio, nenhuma
corrente circula pelo fio. A altura da barreira ter um potencial de valor tal que permita a
corrente de recombinao igualar-se exatamente corrente gerada termicamente. A
representao esquemtica de um diodo a juno est novamente mostrado na fig. 14. Como
mostrado, o nodo consiste de um material P e o ctodo consiste de um material N.

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A fig. 14 tambm indica alguns sentidos de referncia para voltagem e corrente. Note que V
representa a voltagem no nodo em relao ao ctodo, e I representa a corrente ( fluxo de
eltrons ) entrando pelo ctodo e saindo pelo nodo. Deve ser entendido que, embora eltrons
e buracos fluam no interior do semicondutor, a corrente externa I representa o sentido de
referncia admitido como positivo do fluxo de corrente.

3-5. Polarizao direta


Se uma fonte de voltagem aplicada ao diodo como mostrado na fig. 15, diz-se que o diodo
est polarizado diretamente. Note que quando polarizado diretamente, V uma quantidade
positiva, o que significa que o material P mantido num potencial positivo em relao ao
material N.
A voltagem externa V forma um campo eltrico atravs da juno o qual ope barreira de
potencial, portanto, reduz seu efeito.
Consequentemente, a corrente de recombinao ( majoritria ) aumenta. Intuitivamente
podemos ver que a voltagem V tender a empurrar os buracos do lado P para o lado N e
eltrons do lado N para o lado P, o que aumenta grandemente a corrente atravs da juno.
De fato, necessrio ou manter V bastante pequeno ou inserir um resistor limitador de corrente
em srie com a fonte de voltagem para manter a corrente no diodo num valor razovel.

Entretanto a corrente gerada termicamente virtualmente no afetada pois esta corrente


depende, pelo menos em teoria, somente da temperatura e no da voltagem aplicada. Uma
relao terica entre a corrente no diodo e a voltagem aplicada externamente :

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.VV
1) - I = I S T 1

Nesta equao I S a corrente de fuga gerada termicamente, s vezes chamada corrente de


saturao. A voltagem V representa a voltagem do material P em relao ao material N e pode
ser uma quantidade positiva ou negativa, dependendo da polaridade da voltagem aplicada. Se
V uma quantidade positiva, ele normalmente chamada voltagem direta, VF . Se V uma
reversa,
VR .
quantidade
negativa,
ela

normalmente
chamada
voltagem
Correspondentemente, a corrente I, no sentido referncia mostrado, pode ser uma quantidade
positiva ou negativa, dependendo da polaridade da voltagem aplicada. Se acorrente uma
quantidade positiva, ela normalmente chamada corrente direta I F , correspondendo
condio de aplicao de uma voltagem direta VF . De outro lado se I uma quantidade
negativa ela chamada normalmente corrente reversa I R , correspondendo condio na qual
V uma quantidade negativa ou uma voltagem reversa. A quantidade VT tem dimenso de
Volts e dada por:

2) - VT =

T
volts
11000

T a temperatura em graus Kelvin e est relacionada com a temperatura em graus Celsius por:
3) - TKelvin = TCelsius + 273
4) -

= nmero entre 1 e 2

A quantidade uma constante relativa geralmente tomada como 1 para o germnio. Para
silcio, pode variar de aproximadamente 2 nas baixas correntes, digamos menos de 0,2 mA,
at aproximadamente 1 para correntes diretas maiores que 0,2 mA. Na temperatura ambiente,
27C, VT = 26 mV. Vemos ento que a equao 1) com admitido = 1 e para V 100 mV,

VV
I I S T

. Por razo anloga, I I se V uma quantidade negativa ( polarizao


S

reversa ) alm de 100 mV.


A inclinao da caracterstica corrente-direta versus coltagem-direta representa a condutncia (
ac ) do diodo quando ele est diretamente polarizado. O valor terico desta condutncia g f
pode ser determinada por:

5) -

gf

I
.VT

O reciproco da condutncia direta a resistncia direta. Portanto a resistncia dinmica direta


:

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6) -

rf =

.VT
I

A corrente I a corrente esttica ( dc ) atravs do diodo. A equao 6) - indica que, para um


valor admitido de = 1, um diodo polarizado diretamente apresentar uma resistncia dinmica
de 26 Ohms para uma corrente direta de 1 mA e 2,6 Ohms par I = 10 mA. O valor real da
resistncia dinmica direta ser sempre algo mais elevado que o valor terico devido ao efeito
da resistncia dos terminais e do volume do material que aparecem em srie com rf . A fig. 16
ilustra uma caracterstica direta de um diodo de silcio de baixa potncia.

A corrente direta est plotada para trs valores diferentes de temperatura. Evidentemente,
medida que a temperatura aumenta, a voltagem direta decresce. Especificamente, se a
corrente do diodo for mantida constante, a voltagem direta cair tipicamente a uma razo de 2
a 3 mV para cada C de aumento da temperatura. Matematicamente isto expresso por:

7) -

dVT
2,5mV / C
dT

Note que este coeficiente de temperatura negativo, o que implica num decrscimo da
voltagem direta com um aumento da temperatura. Na prtica este coeficiente de temperatura
tende a se tornar menos negativo medida que a corrente direta aumenta e para nveis de
corrente elevados pode atingir valores levemente positivos.

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15

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3-6. Polarizao reversa
Se, como mostrado na fig. 17, V uma quantidade negativa, de modo que o material P
mantido negativo com relao ao material N, o diodo dito estar reversamente polarizado.
Quando reversamente polarizado, o campo eltrico estabelecido por V de polaridade tal que
se soma barreira de potencial interna. Consequentemente, a corrente de recombinao, que
consiste de buracos indo de P para N e eltrons indo de N para P, drasticamente reduzida. A
corrente externa I uma quantidade negativa devido ao fluxo de portadores gerados
termicamente atravs da juno. Idealmente, o diodo no exibiria corrente reversa alguma e
assim esta pequena corrente reversa gerada termicamente comumente referida como
corrente de fuga. Na prtica, a corrente de fuga consiste realmente de duas componentes; I S ,
a componente gerada termicamente, que independe da magnitude da polarizao reversa
( depende somente da temperatura ), e uma componente devido aos efeitos de perdas na
superfcie, que se manifestam onde a juno termina, nas extremidades do cristal.

A componente de corrente de fuga devido aos efeitos de superfcie sensvel voltagem, de


modo que a corrente de fuga aumenta na prtica com o aumento da polarizao reversa. Isto
est ilustrado na fig. 18. Note que I S mostrada em linha tracejada um valor pequeno e
constante que variaria com a temperatura, mas no com a polarizao reversa.

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16

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A corrente reversa real, devido aos efeitos de perdas na superfcie, exibe uma componente
hmica de resistncia atravs da juno, desde que um aumento na polarizao reversa causa
um aumento na corrente reversa. Como regra pode-se admitir que a componente gerada
termicamente, aproximadamente dobra a cada aumento de 10C na temperatura.
Quando uma juno PN est reversamente polarizada, a maior parte da tenso reversa
aplicada externamente aparece sobre a regio de depleo, pois a regio de cargas livres
que apresenta a mais alta resistncia do circuito. Em outras palavras, a queda de tenso
atravs da regio de depleo ser, em geral, quase igual voltagem total aplicada. A regio
de depleo bastante estreita, sendo tipicamente da ordem de 0,0001 in ( polegadas ), ou
menor. Ento uma pequena voltagem reversa, digamos 6 Volts, desenvolveria um campo
eltrico de intensidade 60.000 Volts/in. Esta alta intensidade de campo pode causar a ruptura
da juno. Quando a juno rompe, sua impedncia cai consideravelmente devido gerao
de muitos portadores adicionais de corrente por uma ionizao e/ou fenmeno de emisso
secundria. ( ver mais detalhes no anexo 1 ).
Diodos convenientemente projetados para serem usados na regio de ruptura so comumente
denominados diodos zener ou de avalancha. Outro termo s vezes usado para estes diodos
diodo regulador. Este termo provm do fato de, na ruptura ( note fig. 17 ), a voltagem reversa
ser mantida neste exemplo, num valor substancialmente constante de 20 Volts. Se a dissipao
de potncia do diodo limitada em um valor seguro, ento a operao na regio de ruptura
no destrutiva. A voltagem de ruptura, que pode ser de 3 Volts at varias centenas de Volts
determinada pelo processo de fabricao. Estes diodos sero estudas mais adiante em um
item exclusivo a ele. A voltagem reversa de ruptura VBD ( BD = Breakdown ) algo dependente
da temperatura. Para diodos cuja ruptura cerca de 5Volts ou menos VBD apresenta um
coeficiente de temperatura negativo. Isto , VBD decresce com o aumento da temperatura. De
outro lado, diodos que exibem um VBD de cerca de 6 Volts ou mais, tendem a apresentar um
coeficiente positivo de temperatura. Isto , VBD aumenta com o aumento da temperatura.

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17

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Na faixa entre 5 e 6 Volts, possvel encontrar diodos que apresentam um coeficiente de
temperatura quase nulo, o que os torna altamente vantajosos como fontes de referncia de
voltagem, veremos estas aplicaes no estudo especifico do diodos zener num prximo item.
Segunda srie de exerccios
Questionrio
Porque o semicondutor na sua forma pura no tem utilidade na eletrnica?
O que buraco e/ou lacuna?
Que influncia o semicondutor sofre com a intensidade de dopagem?
Qual a influncia da temperatura nos semicondutores?
Que caractersticas apresenta um diodo a juno?
O que barreira de potencial?
Defina:
a) Polarizao direta;
b) Polarizao reversa.
8. O que corrente direta e tenso reversa?
9. Como devemos testar um diodo a juno utilizando um Ohmimetro?
10. Como sabemos que um diodo est em curto e/ou aberto?
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Responda:
1. Quais so os portadores majoritrios na regio N?
2. Como controlada a corrente de recombinao num diodo?
3. O que acontece com a largura da regio de depleo quando a voltagem reversa
variada?
4. Como est a resistncia direta de um diodo, relacionada com a corrente direta? Assuma T
= 27C.
5. A uma corrente direta de 12 mA e a 25C, a queda de voltagem esttica (dc) atravs de um
diodo 0,31 V. Se a corrente direta fosse mantida constante, mas a temperatura
aumentasse para 50C, qual seria a nova voltagem direta?
6. Determine E na fig. abaixo.

7. Determine o coeficiente mdio de temperatura para uma faixa de 50C a 100C para um
diodo polarizado, tendo as caracterstica mostradas na fig. abaixo. Assuma que a corrente
direta mantida constante em 20 mA.

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18

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8. Determine o ponto Q para um diodo tendo as caracterstica diretas da fig. abaixo, quando
usado no circuito dado abaixo.

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19

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9. Como voc mediria a componente da corrente reversa de um diodo, gerada termicamente?
10. Se o diodo no circuito da fig. abaixo tem a caracterstica mostrada na mesma figura,
determine I e V a 25C.

4. Circuitos equivalentes do diodo


Como os diodos e dispositivos derivados do diodo so comumente encontrados em circuitos
eletrnicos, torna-se bastante til desenvolver um circuito equivalente ao diodo prtico. Como
veremos, o diodo prtico pode ser representado em termos do diodo ideal.
4-1. Modelos discretos de diodos
Uma forma de desenvolver um circuito equivalente para o diodo usar a tcnica de modelao
por partes ou modelaes discretas. Essencialmente ela consiste na partio de qualquer
trecho no linear da curva caracterstica, em um nmero de segmentos retos, que aproximaro
a curva para qualquer grau desejado. Um circuito equivalente, baseado nos diodos ideais, pode
ento ser desenvolvido. Quanto maior o nmero de segmentos retos, mais complicado se torna
o circuito equivalente.
Para ilustrar o desenvolvimento de um modelo discreto de um diodo, considere a curva V-I de
um diodo mostrado na fig. 19 a qual est baseada nos sentidos de referncia para voltagem e
corrente mostrado na fig. 20. A voltagem V referida como a voltagem do ctodo ( terminal K )
para o nodo ( terminal A ) e a corrente I tem o sentido positivo de nodo para ctodo, atravs
do diodo. Para diodos de silcio ( que so os mais comumente usados ) a curva V-I da fig. 19
pode ser aproximada pelos segmentos de reta ( trechos lineares ) da fig. 21.
Um circuito equivalente ( modelo discreto ) que levaria a esta caracterstica V-I est mostrada
na fig. 22. Os diodos na fig. 22 so diodos ideais e este modelo a dois diodos ideais tem
caracterstica aproximada do diodo real da fig. 19.
Para checar a validade deste modelo discreto devemos notar que para V grande e negativo (
suponha uma fonte de voltagem conectada entre os terminais de entrada ) D1 est,
seguramente reversamente polarizado (OFF) e D2 est diretamente polarizado (ON). Como
estes diodos so ideais, eles simulam, respectivamente, chaves aberta e fechada.

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20

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Portanto, para V < VBD o ponto de operao est na regio 1 e I uma quantidade negativa. A
inclinao do segmento na regio 1 determinada pela resistncia incremental vista quando se
olha pelos terminais do modelo na fig. 22, com D1 OFF e D2 ON. Claramente esta rZ .
Portanto, na regio 1 a inclinao I / V = 1 / rZ .

Faamos V = VBD . Neste ponto a caracterstica V-I da fig. 21 mostra uma descontinuidade
abrupta chamada ponto de quebra e, neste ponto de quebra, D2 passa de ON para OFF e I
cessa de fluir. O ponto de operao entra agora na regio 2. Com ambos os diodos OFF a
impedncia vista, quando se olha pelos terminais de entrada do modelo, infinita. A
condutncia , portanto, zero e a inclinao da caracterstica V-I na regio 2 zero, desde que
nenhuma variao de corrente pode ocorrer devido a uma variao de voltagem.
Quando a voltagem V aplicada tornar-se positiva a V, o diodo D1 torna-se ON e o ponto de
operao entra na regio 3.

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21

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A corrente agora uma quantidade positiva dada por I = (V V ') / rF e a impedncia de
entrada na regio 3 rF . A inclinao da curva V-I portanto 1/ rF . Note que rF como usado
no modelo no o mesmo que rF = VT / I = 26mV / I ( a 27C ). Na aproximao linear, rF
algum valor mdio, para o qual se aproxima a curva do diodo para uma larga faixa de
voltagem, enquanto rF , derivada da equao do diodo, a resistncia dinmica num ponto de
operao particular. As quantidades com ndices maisculos sero geralmente associadas com
o modelo discreto.
Embora o modelo de diodo a semicondutor da fig. 22 seja geralmente adequado para a maioria
dos casos e problemas, existem situaes em que a curva V-I de um diodo requer melhor
aproximao principalmente na caracterstica reversa; porem estes modelos so mais
complexos e fogem do escopo desta apostila. ( em livros para o terceiro grau o aluno poder
encontrar tais modelos ).
Exemplo Desenvolver um modelo discreto para a caracterstica do diodo da fig. abaixo.

Soluo:
A fig. abaixo ilustra o modelo discreto. Ele conter no mnimo dois diodos ideais j que existem
dois pontos de quebra na caracterstica V-I. Para V menor ( mais negativa ) que 400 V, o ponto
de operao est na regio zener e D1 est ON. O diodo D2 est OFF. Portanto,
VBD = 400V e rZ , como determinado pela inclinao da curva

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V
I

410
100

400
x 10

= 100

22

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Para V maior que 400 Volts mas, menor que 0,8 Volts ( -400 V < V < 0,8 V ) D1 e D2 esto OFF
de modo que a resistncia reversa nesta regio infinita. Para V mais positiva que 0,8 Volts,
D2 torna-se ON. Da inclinao da curva nesta regio ns obtemos:

rZ

1, 6 0 ,8
V
=
=
= 4
3
I
200 x 10

Assim nosso circuito equivalente fica:

5. Aplicao dos diodos de juno PN


Os circuitos eletrnicos de forma geral necessitam de uma alimentao dc para poder trabalhar
corretamente. Como a tenso que recebemos em nossas residncias e industrias alternada,
a primeira coisa a ser feita em qualquer equipamento eletrnico converter a tenso ac em
tenso dc. Neste item iremos discutir a retificao, trata-se de circuitos que realizam a
converso de uma tenso ac para uma tenso dc. Veremos tambm filtros com capacitores de
entrada.
5-1. Tenso de corrente alternada ( onda senoidal )
A onda senoidal o mais bsico dos sinais eltricos; ela usada muitas vezes para testar
circuitos eletrnicos. Alm disso, sinais complicados podem ser reduzidos a uma superposio
de varias ondas senoidais. Neste item iremos verificar rapidamente as caractersticas bsicas
de uma onda senoidal, de forma que possamos compreender melhor o funcionamento dos
circuitos retificadores ( conversores estticos ). Em outra disciplina voc ter maiores detalhes
da tenso de corrente alternada.
5-2 Corrente Alternada ( valores e formas de representao )
Observe a figura abaixo:

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Eletrnica Dispositivos de estado slido

Observao:
O segmento OA denominado de vetor girante ( fasor ), a velocidade ou freqncia
angular, o angulo por unidade de tempo; assim temos:

= .t

Onde: em radianos ( rad. ) e t = tempo em segundos ( s )


Perodo ( T ) = tempo que o vetor OA ( fasor ) leva para completar um volta.
Logo:

= 2 . rad. , t = T
= .t 2. = .t ou =

2 .
T

Freqncia ( f ) = nmero de voltas completados em um segundo, podemos afirmar ento:

T 1
1

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Assim

2 .

1
f

f =

1
ento :
T

= 2 . . f

24

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Da trigonometria podemos tirar :

sen =

b
v (t)

b = v ( t ) . sen

b = trata-se de um valor em um determinado instante de tempo, portanto podemos expressar a


onda senoidal em forma de uma funo dada pela equao:

v t = V max . sen ( .t +

onde um angulo de fase inicial. Observe a expresso abaixo

vt = 179,61. sen (377.t )[V ]


Ento voc capaz de dizer que sinal este, onde podemos encontra-lo?

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25

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5-3. Representao Fasorial

Observe:

vt = 10 sen (t + 30 )

Da trigonometria podemos escrever:

V x = V max cos 30
V y = V max sen 30
V x = 8,66
Vy = 5

Representaes:
.

Forma trigonomtrica: V = Vmax cos 0 + jVmax sen 0


.

Forma polar: V = Vmax 0


.

Forma algbrica ou retangular: V = Vx jV y


Assim podemos escrever a equao

vt = 10 sen (t + 30 ) , de duas formas, observe:

Polar : 10 30 [V] ;
Retangular : 8,66 + j 5 [V]
5-4. Outros valores importantes
Valor de pico a pico
O valor de pico a pico de qualquer sinal a diferena entre o seu mximo e o mnimo algbrico:

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V pp = Vmax Vmin .
Assim para uma senoide, o valor de pico a pico 2Vp. Em outras palavras, o valor de pico a
pico de uma onda senoidal o dobro do valor de pico. Dada uma senide com um valor de
pico de 15 V, o valor de pico a pico ser de 36 V.
Valor eficaz ( RMS )
Se uma tenso senoidal aparecer atravs de um resistor, ela produzir uma corrente senoidal
em fase atravs do resistor. O produto da tenso instantnea pela corrente d a potncia
instantnea, cuja mdia durante um ciclo resulta numa dissipao mdia de potncia.
Em outras palavras, o resistor dissipa uma quantidade constante de calor, como se houvesse
uma tenso dc atravs dele.
O valor rms ( raiz media quadrtica, do ingls root mean square ) de uma onda senoidal,
tambm chamado valor eficaz ou valor de aquecimento, definido como a tenso dc que
produz a mesma quantidade de calor que a onda senoidal. Os cursos bsicos mostram que

Vrms = 0,707V p
Podemos provar estas relao experimentalmente construindo dois circuitos: um com uma
fonte dc seguida de um resistor e um outro com uma fonte senoidal ligada a um resistor de
mesmo valor. Se a fonte dc for ajustada para produzir a mesma quantidade de calor que a
onda senoidal, mediremos uma tenso dc igual a 0,707 vezes o valor de pico da onda senoidal.
( uma outra forma de se provar que Vrms = 0,707V p atravs de matemtica avanada ).

Valor mdio
O valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero. Isto porque a onda senoidal
simtrica: cada valor positivo da primeira metade do ciclo compensado por um valor igual
negativo da Segunda metade do ciclo. Portanto, se voc somar todos os valores da onda seno
entre 0 e 360, ter zero como resultado, o que implica um valor mdio zero.
Em outras palavras, um voltmetro dc indicar zero se usado para medir uma onda senoidal.
Por que? Porque o ponteiro de um voltmetro dc tenta flutuar positiva e negativamente com
amplitudes iguais, porm a inrcia das partes mveis o impede de faz-lo, ento ele indica um
valor mdio igual a zero. ( isto supe uma freqncia maior do que aproximadamente 10 Hz, de
modo que o ponteiro no possa acompanhar variaes rpidas. )
5. O transformador
A alimentao dos equipamentos eletrnicos residenciais ou industriais vem da linha de
energia fornecidas pelas companhias concessionrias e estas linhas so perigosas devido a
sua resistncia Thevenin aproximar-se de zero. Isto que dizer que ela pode fornecer centenas
de ampres. Mesmo com um disjuntor no circuito, ela ainda pode liberar dezenas de ampres,
dependendo das dimenses do circuito disjuntor.
Abaixador de tenso
Alguns equipamentos eletrnicos ( a grande maioria ), incluem um transformador como o da
fig., abaixo para abaixar ou elevar a tenso da linha, conforme exigir a aplicao. As tenso de
um transformador esto relacionados da seguinte forma:

NS VS IP
= =
NP VP IS

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Onde:

N S = nmero de espiras do secundrio ;


N P = nmero de espiras do primrio;
VS = tenso do secundrio ;
VP = tenso do primrio;
I S = corrente do secundrio ;
I P = corrente do primrio

Um exemplo:
Suponha que para o circuito acima a relao de espiras seja de 9:1, ento

VS 1
127
= VS =
= 14,11Vrms
127 9
9
Esta tenso mais baixa um pouco mais segura para se trabalhar do que os 127 V rms, e um
valor tpico exigido por alguns circuitos de semicondutores. Alm disso, o transformador isola a
carga ( todos os circuitos que voc est medindo ) da rede. Isto quer dizer que a nica ligao
com a rede de alimentao atravs do campo magntico que pe em comunicao os
enrolamentos do primrio e do secundrio. Isto reduz ainda mais os perigos de um choque
eltrico porque no existe mais um contato eltrico direto com os dois lados da rede.
Fusvel
Para um transformador ideal, temos as seguintes relaes:

NS
I
= P
NP
IS

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Voc pode usar esta equao para calcular os valores do fusvel. Por exemplo, se a
corrente de carga for de 1,5 A rms e a razo de espiras de 9:1, ento

1 IP
1,5
=
IP =
= 0,166 A rms
9 1,5
9
Isto que dizer que o fusvel deve Ter um valor maior que 0,166 A, mais 10% no caso da tenso
de linha ser alta, mais aproximadamente outros 10 % para perdas no transformador ( essas
perdas produzem corrente adicional no primrio ). O valor de fusvel padro imediatamente
superior, 0,25 A ( de fuso lenta no caso de oscilaes da rede ), provavelmente seria
satisfatrio. A finalidade do fusvel de evitar dano excessivo no caso da resistncia da carga
ser posta em curto acidentalmente.
Obs.: Voc ir ter mais informaes sobre transformadores em outra disciplina; para
compreendermos o funcionamento bsico dos retificadores a informao aqui oferecida
suficiente.

6. Aplicao dos diodos em circuitos retificadores


6-1. Retificadores estticos
No item 5 comentamos que vrios circuitos eletrnicos necessitam de uma alimentao dc e
estes equipamentos so ligados as linhas de alimentao. Como os sinais transmitidos por
estas linhas so ac necessrio convertermos este tipo de tenso em uma tenso dc.
Portanto, o processo de converso de um sinal ac em uma tenso dc conhecido como
retificao. Os retificadores so ento circuitos eletrnicos que fazem esta converso, os
retificadores bsicos so:
A) Retificador de meia onda;
B) Retificador de onda completa com transformador com derivao central;
C) Retificador de onda completa em ponte.
Veremos agora cada um deles analisando o seu funcionamento, caractersticas eltricas,
mtodos de projeto e topologia.

6-2. Retificador de Meia Onda


Observe o circuito abaixo:

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Devemos observar que o circuito acima converteu a tenso ac de entrada em uma tenso dc
pulsante. Podemos concluir que a tenso na carga sempre positiva ou zero.
Tenso mdia na carga
Denominado de tenso dc pois o valor medido por um voltmetro e dado por:

Vdc = 0,318.VP ou Vdc =

VP

Como obtido este valor?


Soluo matemtica:

1 T2
1
(VP sen)d
vdt
=

0
T
1
2
T

V
V
V
Vmdio = P [ cos cos0 ] = P ( (1 1)) = P .2
0
2
2
2
V
Vmdio = P
Vmdio =

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Especificaes de corrente e tenso para o diodo:

I F I RL max
VRRM VS ( pico)

Onde: I F a corrente direta do diodo e VRRM a tenso

reversa mxima repetitiva que o diodo pode suportar.


Exerccio de aplicao:
1- O transformador da fig. abaixo tem uma tenso do secundrio de 30 Vac. Qual a tenso de
pico atravs da resistncia de carga? A tenso mdia? A corrente mdia atravs da
resistncia de carga?

2- Abaixo temos as especificaes de alguns diodos em termos de corrente direta:


a)
b)
c)
d)

1N 914 - = 50 mA;
1N 3070 - = 100 mA;
1N 4002 - = 1 A;
1N 1183 - = 35 A.

Se a tenso do secundrio for de 120 Vac no circuito anterior, qual o tipo de diodo dado acima
que pode ser usado?
3- Abaixo temos as especificaes de alguns diodos em termos de tenso reversa:
a)
b)
c)
d)

1N 914 - = 20 V;
1N 3070 - = 50 V;
1N 4002 - = 100 V;
1N 1183 - = 175 V.

Dada uma tenso do secundrio de 60 Vac no circuito do exerccio 1, qual a Vrrm atravs do
diodo? Qual dos diodos anteriores pode ser usado?

6-3. Retificador de onda completa com transformador com tomada central


Observe o circuito abaixo:

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Onde:
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)

Retificador de onda completa;


Sada retificada;
Semiciclo positivo;
Semiciclo negativo;
Tenso de pico inversa e/ou tenso reversa repetitiva mxima.

Tenso mdia de sada


Podemos observar um efeito de duas vezes a sada do retificador de meia onda portanto,
podemos verificar que este retificador mais eficiente do que o primeiro, ou seja:

V dc = 2 x 0 ,318 V P 0 ,636 V P ou

2 .V P

Freqncia
O perodo T de uma onda repetitiva o tempo entre pontos equivalentes ou correspondentes
da onda. A freqncia f o inverso do perodo T. Num retificador de meia onda, o perodo da
sada igual ao perodo da entrada, o que quer dizer que a freqncia da sada a mesma
que a freqncia da entrada. Em outras palavras, para cada ciclo na sada voc tem um ciclo
na entrada. Por esta razo, a freqncia que sai de um retificador de meia onda de 60 Hz, o
mesmo valor da freqncia da rede.
Um retificador de onda completa j diferente. Observe atentamente a figura anterior item (b),
veja que o perodo a metade do perodo da entrada. Colocando de outra forma, ocorrem dois

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Eletrnica Dispositivos de estado slido


semiciclos na sada para cada ciclo na entrada. Isto acontece porque o retificador de onda
completa inverteu a metade negativa do ciclo da tenso de entrada. Disto resulta que o
retificador de onda completa tem uma freqncia de 120 Hz, exatamente o dobro da freqncia
da rede.
Especificao dos Diodos:

IF
V RRM

I RL
2
V S ( pico ) (" secundrio todo" )

Exemplo de aplicao:
No circuito abaixo a tenso do secundrio de 30 V ac. Utilizando diodos ideais, calcule a
tenso de carga dc. Deduza tambm as especificaes I F e VRRM para os diodos.

Resoluo :

6-4. O Retificador em ponte


Veremos agora o retificador em ponte, a forma mais fcil de se retificar, porque ele alcana a
tenso de pico completa de um retificador de meia onda e o valor mdio mais alto de um
retificador de onda completa. Observe o circuito abaixo:

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Tenso mdia de sada:


Desprezando as quedas no diodo, o pico da tenso de carga

V Sada ( pco ) = V S ( pico ) .

Observe que toda a tenso do secundrio aparece atravs do resistor de carga; este um dos
motivos que tornam o retificador em ponte melhor do que o retificador de onda completa visto
no item anterior, onde somente metade da tenso do secundrio chegava at a sada. Alm
disso, um transformador com derivao central que produza tenses iguais em cada metade do
enrolamento secundrio difcil e caro de ser fabricado. Pelo fato da sada da ponte ser um
sinal de onda completa, o valor mdio ou dc

Vdc = 0,636VS ( pico )


Especificao dos diodos:

I
V

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RRM

2
V

( pico )

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6-5. Quadro resumo Retificadores Mdios Ideais
Nmero de diodos
Tenso de pico de
sada
Tenso dc de sada
Corrente dc do diodo
Tenso de pico
inversa
Freqncia de
ondulao
Tenso dc de sada

Meia Onda
1

Onda Completa
2

Ponte
4

Vs (pico)
0,318 Vs (pico)
Idc

0,5 Vs (pico)
0,636 Vs (pico)
0,5 Idc

Vs (pico)
0,636 Vs (pico)
0,5 Idc

Vs (pico)

Vs (pico)

Vs (pico)

f (ent.)
0,45 Vs (rms)

f (ent.)
0,45 Vs (rms)

f (ent.)
0,9 Vs (rms)

PROBLEMAS
1- A tenso de entrada Es de forma triangular com um valor pico a pico de 60 V. Determinar
para cada um dos circuitos abaixo a forma de onda da tenso de sada.

2- Na fig. K, a tenso do secundrio de 40 V ac. Qual a tenso de pico da carga? Qual a


tenso dc da carga? Qual a corrente de carga dc?
3- Dada uma tenso de secundrio de 40 V ac na fig. K, calcule a corrente de carga dc e a
Vrrm atravs de cada diodo. Qual a corrente mdia retificada que passa atravs de cada
diodo?
4- A tenso do secundrio na fig. L de 60 V ac. Qual a corrente de carga dc? Qual a
corrente dc atravs de cada diodo? Qual a Vrrm atravs de cada diodo?

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5- Os diodos da fig. L tm uma especificao de corrente direta de 150 mA e uma
especificao de tenso reversa de 75 V. Estes diodos so adequados para a tenso do
secundrio de 40 V ac?

7- O Filtro com Capacitor de entrada


Sabemos que a sada de um retificador mdio uma tenso dc pulsante. O que
necessitamos nos circuitos eletrnicos de uma tenso dc constante, assim para
convertermos um sinal de meia onda e de onda completa em tenso dc constante,
precisamos usar um filtro. Observe o circuito abaixo e as formas de onda:

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Conclumos que a tenso de carga agora uma tenso dc quase perfeita. O nico desvio
so as pequenas ondulaes causadas pelas cargas e descargas do capacitor. Quanto
menor a ondulao, melhor a retificao.

7-1. Determinao da tenso de ondulao


Podemos dizer que a ondulao a variao da tenso do intervalo t1 e t2.
D eletricidade elementar tiramos que :

E1 =

C=

q
, ento:
E

q1
q
e E 2 = 2 Obs. : a tenso de ondulao
C
C
a diferena entre t1 e t2.

ento : E1 E 2 =

q1 q 2
q
Vond . =
na funo do tempo
C
C

Vond . q Vond . .C q
=
=
=
t
C .t
t
t

D eletricidade elementar vimos que q = i.t ; assim:

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Vond . .C q
V .C
=
i = ond .
t
t
t
As condies criticas de descarga para o capacitor so para

1
um tempo t igual ao perodo T T =
f

Vond . .C
= i Vond . .C . f = i assim a tenso de ondulao fica :
1
f

Vond . =

iC
onde (i C ) a corrente de carga max.
C. f

C = capacitnc ia do capacitor de filtro;


f = freqncia de sada do retificado r
Obs. : retificado r meia onda f = 60 Hz
retificado r de onda completa f = 120 Hz

7-2. Orientao para um projeto


Podemos estabelecer um compromisso entre uma ondulao pequena e uma capacitncia
grande. Vamos admitir uma regra para a escolha do capacitor de filtro. Assim iremos escolher
uma ondulao no superior 10% da tenso de pico.
Tenso dc na carga
Observando a forma de onda aproximada da tenso de sada na carga de um circuito retificado
com filtro capacitor podemos estabelecer que:

V dc = V

pico

V ond
2

e a resistncia efetiva de sada ser : RO = 0,5. f .C .

Especificaes dos diodos


Meia onda :

I F I RL max
VRRM 2.Vsec( pco )

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Onda completa :

IF
VRRM

I RL (max)
2
Vsec .( pico )

Exerccios de aplicao
1- Um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada tem uma tenso de pico na
sada de 25 V. Se a resistncia de carga for de 120 Ohms e a capacitncia de 560 F, qual
a ondulao de pico a pico?
2- A tenso do secundrio de 25 V ac na figura abaixo. Qual a tenso de carga dc se C =
330 F? Qual a ondulao de pico a pico? Quais as especificaes mnimas de I F e VRRM
dos diodos?

3- O circuito abaixo mostra uma fonte de alimentao dividida. Devido derivao central
aterrada ( fonte simtrica ), as tenses de sada so iguais e com polaridade oposta. Quais
as tenses dc de sada para uma tenso do secundrio de 12 Volts ac e C = 820 F? Qual
a ondulao de pico a pico? Quais as especificaes dos diodos e a tenso de isolao do
capacitor?

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4- Uma onda senoidal com um pico de 25 V aplicada ao circuito que aparece na figura
abaixo. Descreva a tenso de sada.

5- O ampermetro do circuito abaixo tem uma resistncia do medidor de 2 K e uma corrente


para fundo de escala de 50 A. Qual a tenso atravs desse ampermetro quando ele
indicar fundo de escala? Os diodos s vezes so ligados em derivao (shunted) atravs
do ampermetro, como mostra o circuito abaixo. Se o ampermetro estiver ligado em srie
com um circuito cuja resistncia Thevenin seja de 1 K, os diodos atravs do medidor
podem ser de grande utilidade. Para que voc acha que eles podem servir?

6- Voc mede 24 Vac atravs do secundrio do circuito do exerccio dois (2). Em seguida
voc mede 21,6 V dc atravs do resistor de carga. Sugira alguns problemas possveis.
7- A tenso de carga dc do circuito do exerccio (2) tem um valor um pouco mais baixo do que
deveria. Olhando para a ondulao com um osciloscpio, voc descobre que ela tem uma
freqncia de 60 Hz. Quais so as possveis causas?
8- No h tenso de sada no circuito do exerccio (2). Quais so as possveis causas?
9- Fazendo um teste com um ohmmetro, voc percebe que todos os diodos do exerccio (2)
esto abertos. Voc substitui os diodos. O que mais voc deve verificar antes de ligar a
alimentao?
10- Voc est construindo um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada. As
especificaes so uma tenso de carga dc de 15 V e uma ondulao de 1 V para uma
resistncia de carga de 680 . Que tenso de rms o enrolamento do secundrio deve
produzir para uma tenso de linha de 127 V ac? Qual deve ser o valor do capacitor do filtro
e sua tenso de isolao? Quais as especificaes mnimas para os seus diodos? Esboce
o circuito eltrico de seu projeto.
11- Projete um retificador de onda completa usando um transformador com derivao central
de 48 V ac que produza uma ondulao de 10 % atravs do filtro com capacitor de entrada
com uma resistncia de carga de 330 . Quais as especificaes mnimas dos diodos?

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12- A fonte de alimentao dividida do exerccio (3) tem uma tenso do secundrio de 9 V ac.
Escolha os capacitores de filtro, utilizando a regra dos 10 % para a ondulao.

13- Construa uma fonte de alimentao que preencha as seguintes especificaes: a tenso
de secundrio seja de 12,6 V ac, uma sada dc de aproximadamente 17,8 V em 120 mA, e
uma Segunda sada dc por volta de 35,6 V em 75 mA. Quais as especificaes mnimas
dos diodos?

14- A tenso do secundrio na figura abaixo de 25 Vac. Com a chave na posio mostrada
qual a tenso de sada ideal? Com a chave na posio mais baixa, qual a tenso de sada
ideal?

15- Projetar um retificador de onda completa com capacitor de filtro, para alimentar uma carga
que possui as seguintes caractersticas: V dc = 30 V, potncia dissipada pela carga de 300
mW. Apresentar: esquema eltrico, clculos, lista de componentes e lay out da placa
impressa.

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8. Diodo de referncia ou Diodo ZENER
Trata-se de uma juno PN que recebe uma dopagem mais acentuada fazendo com que o
dispositivo passe a trabalhar na regio de ruptura ( controlada ). O diodo Zener ser utilizado
como estabilizador de tenso em fontes de alimentao, fontes de corrente, geradores de onda
quadrada simples, etc.
O diodo Zener deve ser polarizado reversamente para manter as suas caractersticas de
regulador.
8-1. Diodo Zener
Os diodos retificadores e de pequeno sinal nunca devem operar intencionalmente na regio de
ruptura porque isto pode danific-los. Um diodo zener diferente; um diodo de silcio que o
fabricante otimiza para trabalhar na regio de ruptura. Em outras palavras, ao contrario dos
diodos comuns que nunca trabalham na regio de ruptura, os diodos zener trabalham melhor
nesta regio. s vezes chamado diodo de ruptura, o diodo zener a parte mais importante dos
reguladores de tenso, circuitos que mantm a tenso da carga praticamente constante apesar
das grandes variaes na tenso da rede e da resistncia de carga.
Alguns smbolos eltricos utilizados:

8-2. Curva caracterstica do dispositivo ( grfico I-V )

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Onde :

VZN Tenso zener nominal;


I ZT Corrente zener de teste;
I ZM Corrente zener mxima.
Ob.: Podemos notar que para uma grande variao da corrente do diodo zener, na regio de
ruptura controlada temos pouca variao da tenso em seus terminais, podemos considerar
VZN aproximadamente constante.
Especificaes do diodo Zener
1- Tenso zener nominal : VZN ;
2- Potncia zener mxima : PZ max ;
3- Coeficiente de temperatura;
4- Tolerncia A = 5% e B = 10%;
5- Corrente zener de teste ou mnima ( dada pelo fabricante ) - I Z max =

PZ max
VZN

Exerccios bsicos:
12345-

Um diodo zener tem 15 V aplicado sobre ele com uma corrente de 20 mA atravs
mesmo. Qual a potncia dissipada?
Se um diodo zener tiver uma especificao de potncia de 5W e uma tenso zener de
V; qual o valor da sua corrente mxima?
Um diodo zener tem uma resistncia zener de 5 . Se a corrente variar de 10 mA a
mA; qual a variao da tenso atravs do diodo zener?
Uma variao de corrente de 2 mA atravs de um diodo zener produz uma variao
tenso de 15 mV. Qual o valor da resistncia zener?
Conforme o circuito abaixo esboce a forma de onda de sada.

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do
20
20
de

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Responda as Questes:
123456-

Como utilizado o diodo zener?


Como se comporta o diodo zener?
O que tenso zener?
Quais as caractersticas do diodo zener?
Explique cada uma de suas caractersticas.
Explique a relao entre corrente e resistncia do diodo zener.

8-3. Regulador de tenso RZ ( sem carga e com tenso de entrada fixa )


Verificamos que o diodo zener pode manter em seus terminais uma tenso praticamente
constante dentro de uma certa faixa de corrente, assim iremos utiliza-lo para manter nos
terminais de uma carga uma tenso estvel. Para que o diodo funcione corretamente
devemos polariza-lo reversamente atravs de um resistor limitador de corrente a fim de
mante-lo dentro da regio de avalanche controlada. Se sairmos desta regio podemos
perder a regulao ou destruir o diodo por excesso de dissipao de potncia.
Observe o circuito abaixo para anlise:

Anlise do circuito sem carga ;

Vent . = VRS + VZ onde VRS = I .R


Vent . = I .R + VZ
I = Vent .

VZ
R

para I I Z max

Obs. : VSada = VZ como VZ = cte.


Vsada constante (cte. )
Exerccios ( Problemas )
1- O diodo zener do da fig. K abaixo tem uma tenso zener de 15 V e uma especificao de
potncia de 0,5 W. Se Vent. For de 40 V, qual o valor mnimo de Rs que impede que o
diodo seja destrudo?

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2- Para o mesmo circuito do exerccio um Vz = 18 V, Rz = 2 Ohms e Vent. 27 V. Qual o valor
da corrente zener? Se Vent. Aumentar para 40 V, qual o valor da variao na tenso da
carga?

8-4. Reta ou linha de carga


Trata-se de um mtodo grfico onde se traa uma reta na curva caracterstica do diodo a fim de
obter o seu ponto de operao denominado ponto Q ( quiescente = que existe ).
Para o circuito abaixo iremos determinar o ponto de operao do diodo para uma variao da
tenso de entrada de 20 V para 30 V.

Para Vent. = 20 V e R S = 1 K temos :


IS = IZ =

20 0
= 20mA
1x103

Para Vent. = 30 V, temos :


IS =

30 0
= 30mA
1x103

Concluso: Comparando os ponto Q1 e Q2 na figura abaixo, vemos que h mais corrente


atravs do diodo zener, mas aproximadamente a mesma tenso zener. Portanto, mesmo que a
tenso da fonte de entrada tenha variado de 20 V para 30 V, a tenso zener ainda
praticamente igual a 12 V. Esta a idia bsica de regulao de tenso.

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Obs.: Pelas especificaes do diodo zener analisadas, existem limites mximos e mnimos para
a tenso de entrada e para a resistncia limitadora de corrente, dentro das quais o diodo zener
mantm a tenso de sada constante e no corre o risco de se danificar.
Limites de Vent. e Rs
Consideraes:
1- Se Is < Izt zener no regula pois:

Vent . = VRS + VZ como I S = I Z


Vent. = I S .RS + VZ

ento :

Vent .(min) = RS (max) .I Z (min) + VZ


2- Se Is > Iz(max) o diodo zener se danifica por excesso de dissipao de potncia, e
portanto, devemos Ter:

Vent .(max) = RS (min) .I Z (max) + VZ


8-5. Regulador Zener
O circuito abaixo mostra um diodo zener usado para regular a tenso atravs da resistncia de
carga. Observe atentamente o circuito e estude bem os pontos a serem analisados.

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Pontos a serem analisados:


a) Se o diodo esta funcionando na regio de ruptura

RL
Vth =
RL + RS

.Vent .

b) Corrente em srie

IS =

Vent . VZ
{ Vsada VZ I L = VZ
RS
RL

IS = IZ + IL IZ = IS IL
Assim, faz-se necessria uma anlise mais detalhada do circuito regulador de tenso quando
neste ligada uma carga. Basicamente, o projeto de um regulador de tenso consiste no
clculo da resistncia limitadora de corrente ( Rs ), conhecendo-se as demais variveis do
circuito, a saber:

caracterstica da tenso de entrada ( constante ou com ripple );


caracterstica da carga ( fixa ou varivel );
tenso de sada ( valor desejado );
especificaes do diodo zener.

c) Dimensionamento do Zener; ondulao na sada e calculo de Rs


c.1) Para Vent.(min)

Vent .(min) = VRS (min) + VZ


VRS (min) = RS .I S (min) e I S (min) = I L (max) + I Z (min)
Vent . (min) = RS (I L (max) + I Z (min) ) + VZ

I L (max) + I Z (min) =

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Vent .(min) VZ
RS

denominaremos esta equao de equao 1

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c.2) Para Vent.(max)

Vent .(max) = VRS (max) + VZ


VRS (max) = RS .I S (max) e I S (max) = I L (min) + I Z (max)
o pior caso ocorre para R L = , ento I L = 0 e IS(max) = I Z

Vent . (max) = RS (I Z (max) ) + VZ

I Z (max) =

Vent .(max) VZ
RS

denominaremos esta equao de equao 2

Agora iremos relacionar a equao 1 com a equao 2 e obtemos:

I L (max) + I Z (min)
I Z (max)

Vent .(min) VZ
Vent .(max) VZ

] [

][

I Z (max) Vent .(min) VZ = I L (max) + I Z (min) Vent .(max) VZ

] [[VV

I Z (max) = I L (max) + I Z (min) .

ent .(max)

VZ

ent .(min)

VZ

]
]

Esta ultima equao o valor calculado da corrente mxima que ir atravessar o diodo zener,
assim devemos Ter sempre em mente que I Z (max) I Z (max)Calculado .
c.3) Ondulao

I S (max) =

Vent .(max VZ
RS

I S (min) =

Vent .(min) VZ
RS

A ondulao na carga ser a variao da tenso de entrada mais alta


menos a tenso de entrada mais baixa, assim subtrando as equaes temos :

I S (max) I S (min) =
I S =

Vent .(max) Vent .(min)


RS

Vent .
Vent . = RS .I S
RS

em intem anterior vimos que VZ = RZ .I Z


Considerando a razo entre a ondulao de entrada e a ondulao na sada temos:

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VZ
R .I
= Z Z para um R L cte. podemos escrever :
Vent . RS .I S
VZ
R
= Z
Vent. RS
c.4) Clculo de Rs

RS (max)

Vent .(min) VZ
I L (max) + I Z (min)

e RS (min)

Vent .(max) VZ
I Z (max)

Assim : RS (min) RS RS (max)


Problemas
1- A tenso da fonte varia de 40 V para 60 V no circuito abaixo. Se o diodo zener tiver
uma resistncia zener de 10 , qual a variao na tenso da carga?

2- No circuito eltrico abaixo, qual o valor aproximado da corrente zener para cada uma das
seguintes resistncia de carga:
a. RL = 100 K Ohms;
b. RL = 10 K Ohms;
c. RL = 1 K Ohms

3- Suponha que a fonte do circuito anterior tenha uma ondulao de pico a pico de 4 V. Se a
resistncia zener for de 10 , qual a ondulao de sada?
4- Para que valor da resistncia de carga o regulador anterior para de funcionar?

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5- Qual o valor crtico da resistncia em srie no circuito anterior, se a resistncia de carga for
de 1 K?
6- No 1N1594 do circuito abaixo, Vz = 12 V e Rz = 1,4 . Qual a tenso da carga? Qual a
corrente zener? Qual a ondulao de sada se na entrada a ondulao de 5 V de pico a
pico?

7- Escolha um valor de resistncia em srie para um regulador zener chegar s seguintes


especificaes: a tenso da fonte varia de 30 V para 40 V, a corrente de carga varia de 10
a 25 mA e a tenso da carga de 12 V.
8- Projete um regulador zener que preencha as seguintes especificaes : a tenso da carga
de 6,8 V, tenso da fonte de 20 V 20%, e corrente de carga de 30 mA 50%.
9- A ondulao de entrada num regulador zener de 4 Vpp. A tenso da fonte de 30 V, a
resistncia da fonte de 1 K Ohms e a resistncia de carga de 820 Ohms. A tenso de carga
deve ser de 12 V. Especifique um diodo zener que produzir um regulador zener
estabilizado.
10- Com relao ao exerccio dois, qual a tenso da carga para cada uma das condies
abaixo:
a.
b.
c.
d.

um diodo zener em curto;


um diodo zener aberto;
um resistor em srie aberto;
o resistor de carga em curto

Alem disso, o que acontece com a tenso da carga e com o diodo zener se o resistor em srie
estiver em curto?
11- Com relao ao exerccio seis, o diodo 1N1594 tem uma tenso zener de 12 V e uma
resistncia zener de 1,4 Ohms. Se voc medir aproximadamente 20 V para a tenso de
carga, que componente voc sugere que est com defeito? Explique por qu.
12- Utilize os mesmos dados do exerccio anterior, exceto que voc mede 30 V atravs da
carga e um ohmmetro indica que o diodo zener est queimado. Antes de substituir o diodo
zener, o que voc deve testar?
13- Para o circuito abaixo, desejamos calcular qual a mxima e mnima carga para o regulador
funcionar corretamente. Dados:
Vent. = 9 Volts 10%, Iz min = 10 mA, Pz max = 400 mW, Vz = 5,6 V e Rs = 47 Ohms x W.

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14- O diodo zener mostrado no circuito de ampliao de medidor; um diodo de referncia de
12 V. Para que valores o medidor pode ser ajustado? Considere a escala do medidor linear
de 0 a 500 mA e sua resistncia interna de 1 Ohm.

15- A figura abaixo mostra um circuito ac com diodo zener na sada. A curva caracterstica do
diodo est representada ao lado. Esboce a forma de onda de sada e determine o tempo
de conduo do diodo durante cada ciclo.

16- Determinar a corrente do LED para o circuito abaixo. Qual a aplicao bsica para este
circuito?

9. Transistor de juno Bipolar ( TjB )


Informaes preliminares
O transistor bipolar constitudo de duas junes PN conforme o esboo simplificado abaixo,
podemos obter dois dispositivos que so denominados: TjB do tipo NPN e TjB do tipo PNP. Os
eletrodos recebem os seguintes nomes: Emissor, Coletor e Base, cada regio tem uma funo
especifica e recebe uma dopagem diferenciada de forma simplificada temos: emissor
densamente dopado, base levemente dopada e muito estreita e o coletor recebe uma dopagem
intermediria.

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Potencial de Barreira
Para os transistores de silcio temos um V = 0,7 V @ 25C e para o transistor de germnio
temos V = 0,3 V @ 25C, as camadas de depleo so diferentes entre as duas junes para
ambos os transistores NPN e PNP, sendo base-emissor menor do que base-coletor.
Polarizao externa
Podemos Ter trs polarizaes saber: polarizao direta-direta, polarizao reversa-reversa e
a que nos interessa onde teremos o que denominamos de efeito transistor a polarizao diretareversa.
Parmetros Eltricos do Transistor
Pelo fato de termos trs terminais poderemos Ter formas distintas de conexo do TjB saber:
Base-Comum, Emissor-Comum e Coletor-Comum, cada configurao nos dar um parmetro
para analise.
a) Ganho de corrente esttico na configurao de Base-Comum (

h f B ou )

IC
; esta relao mostra o quanto a corrente de coletor se aproxima da corrente de
IE

emissor.

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b) Tenso de ruptura ( Breakdown )

BVBE Baixa
BVCE Alta

Estes valores dependem: - Camada de depleo e da dopagem das

junes.
c) Ganho de corrente esttico na configurao Emissor-Comum ( h f E ou )

d) Relao entre e
Exerccio Determinar sabendo-se que igual a 0,987.
Regio ativa
Para que o TjB opere na regio ativa devemos utilizar a seguinte tcnica de polarizao:
a. Diodo emissor diretamente polarizado;
b. Diodo coletor reversamente polarizado;
c. A tenso do diodo coletor no deve exceder a tenso de ruptura.
Assim quando estas condies so satisfeitas dizemos que o TjB um dispositivo ativo, pois
ele capaz de amplificar um sinal. Da o seu nome Transfer Resistor; ou seja temos um
Resistor de Transferncia, pois o mesmo capaz de transferir uma corrente de uma regio de
baixa resistncia para uma regio de alta resistncia.

Modelo equivalente do TjB ( Modelo de Ebers-Moll )


Este modelo leva em considerao as caractersticas estticas do transistor, limitando a
utilizao em baixas freqncias onde no so considerados os efeitos parasitas de
capacitncia. O modelo parte do princpio que o transistor um dispositivo simtrico, onde
qualquer um dos terminais pode assumir em relao base a funo de emissor ou coletor.
Exemplo:

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Da fsica dos semicondutores temos que o diodo emissor:

qVBE

I EF = I ES e K .T 1

qVCB

I CR= I CS e K .T 1

Com a polarizao direta no diodo emissor e inversa no diodo coletor, o modelo pode ser
simplificado, pois I EF R I CR , onde a corrente de fuga desprezvel em polarizao direta.
Esta equao implica em que I CR 0 . Desta maneira, o modelo assume a seguinte forma:

A corrente I CBO ento uma corrente de fuga da juno de coletor inversamente polarizada
que consiste de eltrons gerados termicamente na regio P da juno de coletor ( do diodo )
para a N e de buracos gerados no coletor que cruzam a juno em direo base. Os eltrons
de I CBO so ento altamente dependentes da temperatura, somando-se a corrente .I E ;
assim:
Temperatura aumenta (

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.I E + I CBO

) aumenta
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Efeitos pior caso temos avalanche trmica, e deslocamento do ponto de operao.
O modelo acima intuitivo em funo das junes PN utilizando uma aproximao simtrica de
dois diodos, caracterizando bem uma configurao Base-Comum. Para a configurao
Emissor-Comum temos a corrente I CRO de fuga onde com as equaes do modelo acima
temos:

I C = .I E + I BO e I E = I C + I B ; como exerccio desenvolver uma equao para I CEO .


Supondo no modelo que a corrente de fuga desprezvel obtemos um modelo resultante
simplificado.

Estas simplificaes so: A tenso VBE aproximadamente 0,7 V para o silcio, a queda de
'

tenso I B .r b desprezvel, I E aproximadamente igual a I C o que implica que alfa


aproximadamente igual a 1.
O modelo descrito acima um circuito equivalente do transistor para grandes sinais, j para
pequenos sinais, onde pequenas variaes da tenso ou corrente de entrada induzem a
pequenas variaes do ponto de polarizao do transistor, onde devem ser utilizados outros
circuitos equivalentes. Os mais conhecidos so o T, o Hbrido, sendo este ultimo adequado
altas freqncias. Em nosso curso apenas utilizaremos o modelo de Ebers-Moll, os demais
sero visto em um curso com maior profundidade.

9-1. Reta de Carga ( Caracterstica do Coletor ) I C xVCE


O tratamento grfico de um circuito transistorizado utiliza o conceito de reta de carga.
Considerando-se uma configurao emissor-comum, temos um resistor de carga de
coletor juntamente com a caracterstica grficos de sada I C xVCE .

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Supe-se uma reta as caractersticas de coletor cujo coeficiente angular representa a


caracterstica tenso-corrente da carga, no nosso caso resistncia de coletor. A equao de
sada do circuito de I C = f (VCE ) fica:

VCC = I C .RC + VCE I C =

VCC VCE
RC

Fazendo I C = 0, obtemos que VCE = VCC que o primeiro ponto da reta. Para o segundo
ponto, fazemos com que VCE = 0 , onde obtemos

IC =

VCC
.
RC

Estes dois pontos resulta em uma reta cuja inclinao


reta

y = a.x + b isto implica em :

IC =

1
. Lembrando que a equao da
RC

V
1
VCE + CC
RC
RC

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Para um aumento de

VCC no circuito temos um deslocamento da reta de carga. O ponto

quiescente de polarizao obtido ento em funo da definio da corrente de base. O


exemplo numrico abaixo est desenvolvido em funo do circuito de sada logo:

Especificaes Bsicas do TjB

VCEO = Tenso entre coletor e emissor com base aberta ( reverso );


VCBO = Tenso entre base e coletor com emissor aberto ( reverso );
VEBO = Tenso entre emissor e base com coletor aberto ( reverso );
PD = Potncia dissipada mxima do coletor;
I C = Corrente de coletor mxima.
PD = I C .VCE
Estas informaes e outras so fornecidas pelo fabricante em literatura especifica
denominadas de livros de dados os DATA BOOKS.
9-2. Operaes Bsicas do TjB
Temos duas operaes bsicas do transistor que pode ser observada na curva caracterstica
do coletor a saber:
a) Operao como crave;
b) Operao como fonte de corrente ( o TjB trabalha na regio de compliance ).

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Operao como Chave
Esta operao se destina em aplicaes onde desejamos que o transistor opere como se fosse
um interruptor ou seja ora esteja saturado e ora esteja cortado. Este tipo de aplicao encontra
utilidade quando desejamos controlar uma carga a partir de circuitos lgicos por exemplo. O
transistor operando como chave encontra grande aplicao nos circuitos lgicos ou seja na
construo de portas lgicas.
Acionamento de pequenas cargas
O circuito abaixo pode ser otimizado para acionarmos pequenas cargas, tais como lmpadas
piloto, diodos emissores de luz ( LED ) e rels. O que se faz produzir uma corrente de base
suficiente para saturar o TjB; assim o mesmo conduz fortemente e toda a tenso da fonte
aparece nos terminais da carga ( Rc ). Neste tipo de operao no se faz nenhuma tentativa de
colocar o TjB na regio ativa. Assim quando temos um sinal na sua base o mesmo satura e
quando retiramos o sinal de sua base o TjB corta. Veja o exemplo abaixo.

Exerccios bsicos
1- A fig. X1 abaixo mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado por uma
tenso em degrau. Determine a corrente de coletor e a tenso entre coletor e emissor para
zero Volts na base e +5 V. Na fig. X2 temos uma ligeira variao do projeto, o circuito pode
ser denominado comando do LED porque o transistor controla o LED. Determine a corrente
do LED para tenso da base igual a zero e depois para +5 V. Obs. tenso do LED 2,1 V.
2- Se a corrente do emissor for de 6 mA e a corrente do coletor de 5,75 mA, qual o valor da
corrente da base? Qual o valor de ?
3- Um transistor tem uma corrente de coletor de 100 mA e uma corrente de base de 0,5 mA.
Quais os valores de e ?
4- Qual a corrente da base para o circuito da fig. X3? Qual a tenso do coletor-emissor? O
transistor est em saturao ou em corte?
5- Suponha que ligamos um LED em srie com o resistor de coletor do circuito da fig. X3.
Qual o valor da corrente do LED? Comente a respeito do brilho do LED.
6- Qual o valor da corrente da base para o circuito da fig. X4? Qual a corrente do coletor?
Qual a tenso coletor-emissor?
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7- Desenhe a reta de carga para o circuito abaixo. Qual o valor de saturao da corrente do
coletor? Qual a tenso de corte?

8- Qual o valor da corrente do coletor para o circuito anterior? Qual a tenso entre o coletor e
o terra? Qual a tenso do coletor-emissor?

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9- Qual a mxima corrente possvel para o coletor do circuito abaixo? Se a tenso na base for
de 2 V, qual a tenso do coletor ao terra?

10- Para o circuito anterior, a tenso na base de 10 V. Qual a tenso do coletor-emissor?


11- Se a tenso na base para o circuito abaixo for de 5 V, qual a corrente do LED? Qual a
tenso do coletor para o terra?

Problemas de aplicao
1-

Conforme o circuito da fig. X5a abaixo determine o valor de RB para que o transistor
funcione como chave e acione o rel todas as vezes que tivermos nvel alto na base do
TjB. Dados: Corrente de atracamento do rel de 250 mA, tenso de sada do circuito
lgico 5 Vcc, ganho do transistor = 300 e Vcc = 12 V. Faa um comentrio a respeito da
funo do diodo D1 no circuito?

2-

Determinar o Valor de RB e RC para o acionamento do LED no circuito da fig. X5b. Dados


+ Vcc = 15 V, I LED = 25 mA, I B = 10% da corrente de coletor, Vbb = 2 V e = 400.

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Para o circuito da fig. X5c, calcular RE para que o LED funcione com suas caractersticas eltricas dada
pelo fabricante a saber I LED = 40 mA e tenso do LED de 2,2 V. Outros dados: Vcc = 12 V e Vbb = 5 V.
Qual a vantagem deste circuito em relao ao anterior ? Comente.

Verificao de defeitos
3-

No circuito do exerccio quatro (4) srie anterior, a tenso do coletor ao terra de 20 V.


Qual a causa provvel do problema?

a. Terminais do coletor-emissor em curto;


b. Resistor de 10 K Ohms aberto;
c. Resistor de 47 K Ohms aberto;
d. Terminais do coletor-base em curto.
Justifique.
4-

A tenso do coletor ao terra do circuito do exerccio sete (7) srie anterior indica uma
leitura de aproximadamente 3 V. Em qual das seguintes opes est a causa do
problema? Justifique.

a.
b.
c.
d.

Resistor de 10 K Ohms em curto;


Resistor de 1,8 K Ohms aberto;
Terminais da base-emissor em curto;
Terminais do coletor-emissor em curto.

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5- A tenso do coletor ao terra do circuito do exerccio sete (7) srie anterior indica uma
leitura de aproximadamente 3 V. Em qual das seguintes opes est a causa do problema?
Justifique.
a.
b.
c.
d.

Resistor de 10 K Ohms em curto;


Resistor de 1,8 K Ohms aberto;
Terminais da base-emissor em curto;
Terminais do coletor-emissor em curto.

6- Com a tenso da base retirada na exerccio seis (6) da srie anterior, a tenso do coletoremissor de aproximadamente zero. Relacione algumas das possveis causas.
7- O LED do exerccio onze (11) srie anterior esta ligado ou desligado para cada uma das
seguintes condies:
a.
b.
c.
d.

Terminais do coletor-emissor em curto;


Resistor de 100 Ohms aberto;
Terminais do coletor-emissor abertos;
Junta de solda fria na extremidade aterrada do resistor de 100 Ohms.

Projeto
1- Projete o circuito da figura X6, para obter uma corrente saturada de 5 mA para o coletor.
2- Projete a fonte de corrente da figura, X7 para estabelecer uma corrente do LED de
aproximadamente 35 mA para um Vbb de 5 V.

3- Projete um transistor chave semelhante ao do exerccio um (1) que atinja as seguintes


especificaes: Vcc = 15 V, Vbb = 0 ou 15 V e corrente de saturao do coletor de 5 mA.
4- Projete um acionador de LED como o do exerccio dois (2) que cheque s seguintes
especificaes: Vcc = 10 V, Vbb = 0 ou 10 V, e corrente do LED de 20 mA.
Desafio

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1-

Se Vbb = Vcc num transistor chave, uma rpida regra de projeto para a saturao deve
satisfazer esta condio:

RB
= 10 . Utilize recursos matemticos para provar que esta
RC

relao aproximadamente correta.


2-

A fig. abaixo mostra uma conexo Darlington de dois transistores. Responda s seguintes
perguntas:

a. Qual a tenso atravs do resistor de 100 Ohms?


b. Qual o valor aproximado da corrente do coletor no primeiro transistor se o segundo
transistor tiver um de 150?
c. Se o primeiro transistor tiver um de 100 e o segundo transistor tiver um de 150, qual a
corrente da base no primeiro transistor?

3-

Responda estas questes para o circuito da figura abaixo:

a. Qual o valor da corrente do LED quando Vbb for zero?


b. Qual a corrente do LED se Vbb for de 10 V?

10. Chaveamento em alta freqncia Anlise dos tempos reais de comutao do TjB

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Todo TjB necessita de um tempo finito para mudar de estado ou seja para ligar e para desligar.
Veremos agora quais so os fatores importantes que controlam os tempos de comutao para
um transistor de juno bipolar.
Capacitncias ( CBC e CBE ) estas capacitncias carregam e descarregam a cada
transio na entrada e levam um tempo finito para faz-lo, controlando os tempos tON e tOFF .
td tempo de atraso ( delay time ) o tempo decorrido entre o chaveamento na entrada at
90% de Vcc; devido CBE ;
tr tempo de subida ( rise time ) o tempo decorrido entre 90% 10% de Vcc. Serve para
estabelecer a concentrao de eltrons na base a fim de saturar o TjB;
A soma de td e tr fornece o tempo tON ou tempo de ligao ( Turn-On-Time ), assim

tON = td + tr .
ts tempo de armazenamento ( storage time ) decorre entre o chaveamento na entrada at
90% de Vcc. o tempo para remover o excesso de eltron da base;
tf tempo de descida ( fall time ) o tempo entre 90% de Vcc e 10% de Vcc. Serve para a
descarga de C BC .
A soma de ts e tf fornece o tempo tOFF ou tempo de desligamento ( Turn-Off-Time ).
Obs.: Todos os tempos envolvidos na operao do TjB como chave, determinam o limite de
operao do mesmo. Uma das maneiras de diminuir os tempos de comutao adicionar um
capacitor de comutao CC ou ( speed-up ). Este capacitor deve estar compreendido entre:

t
Qt
CC P
2.V pp
5.RB
Onde:

Qt = capacidade de carga do TjB;


CC = capacitor de comutao;
t P = largura do pulso de entrada;
RB = resistor de base;
VPP = tenso de pico a pico de entrada.

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Exemplo numrico Dados: = 150, corrente de coletor de saturao 50 mA, tenso entre
coletor e emissor de saturao 0,2 V, tenso de base e emissor de saturao 0,7 V,
capacidade de carga do TjB 400 pC e a forma de onda de entrada quadrada com 6 Vpp e
freqncia de 10 KHz.

10-1. Aplicao bsica da operao como chave


Multivibrador Biestvel
Trata-se de um circuito eletrnico que possui dois estados estveis possveis, e que pode ser
controlado pela aplicao de um impulso de curta durao. Uma vez disparado o biestvel
mantm o seu novo estado para alm da aplicao do impulso. Aos Biestveis d-se o nome
de Flip-Flop ou Latches, so constitudos a partir de dois comutadores transistores acoplados
em cruz. Temos duas sadas denominadas Q e Q ( Q trata-se do complemento de Q ) e duas
entradas denominadas de Set e Reset ( S e R ).
A ao de um biestvel pode ser descrita por uma tabela denominada tabela da verdade ou
simplesmente tabela verdade. Observe a tabela abaixo:

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Ent. R
Ent. S
0
0
0
1
1
0
1
1
* Estado anterior reter, manter ( Hold ).

Sada Q
1
0
1
Q*

Sada Q
1
1
0
Q*

Estado
Proibido
Reset
Set
No muda*

Para obtermos um multivibrador biestvel devemos fazer com que os transistores do circuito
operem como chave. Este tipo de aplicao utilizado na eletrnica industrial e digital como
comentado anteriormente. Assim faremos com que o TjB opere apenas em duas regies da
reta de carga no corte e/ou na saturao; lembrando:

Corte I B = 0 I C = I CEO VCE = VCC


Saturao I B = I B ( sat ) I C =

VCC
VCE = VCE ( sat ) 0,2 V.
RC

Anlise do circuito ( Observar os circuitos abaixo )

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11. Operao como fonte de corrente


Trata-se da aplicao mais importante do transistor pois com esta operao podemos
estabelecer atravs de circuitos denominados circuitos polarizadores um ponto de operao
que o TjB possa receber sinais eltricos e amplifica-los. Assim passaremos estudar o TjB
como fonte de corrente e analisar os diversos circuitos polarizadores no intuito de acharmos o
circuito melhor.
11-1. Polarizao dos Transistores de juno Bipolar ( TjB )
O objetivo dos circuitos polarizadores de manter o transistor em um ponto de operao fixo
determinado pelo projeto do circuito, mesmo em condies criticas; como variao da
temperatura, variao do beta e outros. Assim vamos verificar os circuitos comuns de
polarizao e separar o mtodo mais adequado ao funcionamento do circuito.
Tipos de polarizao
a)
b)
c)
d)
e)
f)

Polarizao da base;
Polarizao com realimentao do emissor;
Polarizao com realimentao do coletor;
Polarizao com realimentao do coletor e do emissor;
Polarizao por divisor de tenso ( Polarizao Universal );
Polarizao do emissor.

A partir de agora iremos apresentar um breve comentrio de cada uma das polarizaes
citadas, bem como o circuito especifico de cada polarizao. Porem a anlise do circuito,
comentrios de funcionamento e as equaes bsicas que rege cada polarizao ser feita em
sala de aula, pois uma anlise mais profunda iria tomar uma grande quantidade de paginas
desta apostila, tirando o objetivo da mesma que de oferecer uma informao bsica e rpida.
Mas fique tranqilo nas aulas tericas o assunto ser abordado com profundidade adequada
para o entendimento de projetos de polarizao.

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11-2. Circuitos Polarizadores
a) Polarizao da base
Trata-se do pior mtodo de polarizao, pois o ponto de operao ( ponto Q ) extremamente
instvel. O ganho do transistor ( ) pode variar muito de um transistor para outro alm disto o
parmetro varia muito com a temperatura. Isto significa que na troca de transistores e at
mesmo com aumento da temperatura teremos um ponto de operao extremamente instvel (
ponto Q mudando de posio sob a reta de carga ). Isto demonstra que para um circuito linear
torna impossvel o uso da polarizao de base. Abaixo o circuito bsico para posterior anlise.

Um exemplo numrico:
Seja os dados abaixo, determinar Rb e Rc.
Dados: Vcc = 15 V, Vce = 7,0 V, Ic = 50 mA, Vbe = 0,7 V e = 150
Resoluo:

IC =

RC =

(VCC VBE )
RB

RB =

(VCC VBE ) 150(15 0,7 )


IC

50 x10 3

= 42,9 K

15 7
VCC VCE
=
= 160
IC
50x10 3

Resolva para: Vcc = 12 V, Vbe = 0,67V, Ic = 1mA e = 120. Achar Rc e Rb.


b) Polarizao com realimentao do emissor
A idia de se usar um resistor de emissor para compensar as variaes em beta. A principio
a idia boa, mas na pratica deve se encontrar um valor para o resistor do emissor o maior
possvel, mas sem saturar o TjB. Obs.: A palavra realimentao usada para indicar uma
quantidade na sada ( Ic ) que produz uma variao em uma quantidade de entrada ( Ib ). O
resistor do emissor o elemento de realimentao, pois comum a entrada e a sada. Abaixo
temos o circuito bsico referente a polarizao para posterior anlise.
c) Polarizao com realimentao do coletor ( Autopolarizao )
Neste circuito o resistor da base reconduzido ao coletor e no a fonte de alimentao, esta
caracterstica o diferencia da polarizao da base. Abaixo temos o circuito bsico para posterior
anlise.

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Orientao para um projeto com realimentao do coletor


Desejamos que o ponto de operao ( ponto Q ) esteja situado nas proximidades do centro da
reta de carga assim V CE Q =

V CC
2

. Ento podemos escrever, utilizando o modelo acima e

LKT:

VCC = VRC + VCEQ VCC = I CQ .RC +


VCC

VCC
2

VCC
V
V
= I CQ .RC CC = I CQ .RC RC = CC
2
2
2.I CQ

V
I C .RB
R
V
VCC VBE = I CQ CC + B VCC VBE = CC + Q

2
2.I CQ
I C .RB
V
V

VCC VBE CC = Q
CC VBE . = I CQ .RB

2
2

. CC VBE
2

RB =
I CQ
Exerccios
1- Calcule o valor da corrente de saturao do coletor para o circuito abaixo. A seguir, calcule
a corrente de coletor para estes dois valores de : 100 e 300.

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2- Para o circuito abaixo, calcule a corrente do coletor para estes dois valores de : 100 e
300.

3- Para que valor aproximado de o circuito da figura abaixo se satura. Desenhe a reta de
carga para o mesmo circuito. Se o transistor tiver um = 80. Qual a tenso entre o coletor
e o terra?

4- Se Vcc = 10 V no circuito abaixo, qual a tenso do coletor em cada estgio? Se Vcc = 15V
para o circuito abaixo, qual a potncia dissipada em cada transistor?

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Novas Polarizaes:
d) Polarizao com realimentao do emissor e do coletor
Esta polarizao nada mais do que uma associao de ambas polarizao com
realimentao do emissor e coletor na inteno de reduzirmos ainda mais as variaes de e
evitarmos o disparo trmico. Abaixo temos o circuito bsico para posterior anlise
Obs.: na prtica costume utilizar para a tenso nos terminais do resistor do emissor uma
queda de tenso em torno de 10% da tenso de alimentao.

e) Polarizao por divisor de tenso ( Polarizao Universal )


Trata-se de uma das polarizaes mais adequada para se estabelecer um ponto de operao
estvel devido a isto esta polarizao denominada de polarizao universal e por ser a mais
amplamente utilizada. Abaixo temos o circuito bsico para posterior anlise dc.

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f)

Polarizao do emissor

Esta polarizao oferece tambm uma boa estabilidade do ponto de operao ( ponto Q )
semelhante ao divisor de tenso; o nico inconveniente que temos que dispor de uma fonte
de alimentao simtrica. Abaixo o circuito para este tipo de polarizao para posterior anlise
dc.

Problemas
1- Qual a corrente do LED para a figura K1?

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2- Qual a tenso do emissor relativamente ao terra para cada estgio da figura K2 se a
tenso de alimentao for de 10 V?

3- Calcule a corrente de saturao do coletor para cada estgio da fig. K2, para um Vcc de 15
V.
4- Faa uma anlise completa da figura K2 para Vcc = 20 V calculando para cada estgio os
seguintes valores: Vb, Ve, Vc, Ic e Pd ( potncia dissipada ).
5- Na figura K2 Vcc = 20 V. Indique se a tenso do coletor de Q1 aumenta, diminui, ou
permanece constante em cada um dos seguintes problemas:
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.

1,8 K Ohms est aberto;


coletor-emissor de Q1 em curto;
240 Ohms est aberto;
240 Ohms em curto;
300 Ohms est em curto;
1 K Ohms est aberto;
910 Ohms est aberto.

6- Examine o estgio Q3 da figura K2 para um Vcc de 20 V. A tenso do coletor ao terra


mais alta, mais baixa ou normal em cada uma das seguintes condies:
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
h.
i.
j.

1 K Ohms est aberto;


1 K Ohms em curto;
180 Ohms est aberto;
180 Ohms em curto;
620 Ohms est aberto;
620 Ohms em curto;
coletor-emissor de Q3 est em curto;
coletor-emissor de Q3 est aberto;
150 Ohms est aberto;
150 Ohms em curto

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7- A tenso de alimentao de 15 V na figura K2. Aqui esto as leituras do voltmetro:
Primeiro estgio : Ve = 1,5 V e Vc = 8,9 V;
Segundo estgio : Ve = 0 V e Vc = 15 V;
Terceiro estgio : Ve = 1,6 V e Vc = 8,6 V.
D trs defeitos possveis.
8- Projete um estgio com polarizao por realimentao do coletor para chegar s seguintes
especificaes: Vcc = 20V, Ic = 5 mA e = 150.
9- Projete um amplificador de dois estgios usando uma polarizao por divisor de tenso
estabilizada. A fonte de alimentao de 15 V e a corrente quiescente do coletor deve ser
de 1,5 mA em cada estgio. Admita um de 125.
10- Projete uma fonte de corrente pnp como a da figura K3 para atingir estas especificaes:
Vcc = 15 V, Vz = 7,5 V, Ic = 40 mA.

11- Calcule as seguintes quantidades na figura K4: Ve, Ic e Vc. ( Admita diodos de silcio ).
12- A figura K5 um exemplo de acoplamento direto entre estgios. Qual o valor de Vsada?
Se Vent. variar de 2 V para 3 V, qual o novo valor de Vsada?
13- Na figura K5, compliance da tenso de sada a faixa mxima da tenso que a sada pode
oscilar quando se varia a entrada. Qual a compliance da tenso na sada do circuito?

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Bem chegamos ao final de nosso estudo bsico sobre os transistores bipolares obviamente o
assunto aqui tratado no tem a pretenso de esgotar o assunto pois se trata de um tpico
extremamente amplo. O objetivo desta apostila volto a informar de oferecer ao aluno de
eletrnica um primeiro contato com o assunto de dispositivo semicondutores a fim de facilitar e
amenizar o trabalho futuro; no esquea de consultar sempre uma boa literatura tcnica
complementar e estudar outros assuntos relacionados pois os tpicos so extensos e tambm
procure sempre resolver novos exerccios isto lhe trar slidos conhecimentos na soluo de
problemas com dispositivos semicondutores.
BOA SORTE E UM ABRAO
Prof. Eng. Romeu Corradi Jnior.

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Anexos
Os anexos aqui comentados uma complementao de informaes bsicas a respeito de
fsica dos semicondutores e demais aspectos pertinentes ao assunto dispositivos
semicondutores. Teremos tambm algumas informaes sobre componente e dispositivos
semicondutores.
Anexo 1
Estruturas Semicondutoras Bsicas
J tivemos um estudo preliminar as respeito das junes PN que deram origem a diodos
semicondutores onde empregamos a maior parte deles em circuitos retificadores, iremos agora
dar uma nfase a junes que so capazes de emitir luz.
As fontes luminosas e os fotodetectores usados em comunicaes pticas so realizados com
materiais semicondutores e usam propriedades eltricas e pticas peculiares a esses materiais.
Essas propriedades so determinadas principalmente pela estrutura das bandas de energia
permitidas para os eltrons, quando os tomos desses materiais so dispostos numa rede
cristalina.
As Bandas de energia
semicondutores )

( complemento no anexo 2

equaes bsica que rege os

Num semicondutor intrnseco ( sem a presena de impurezas dopantes ) temperatura zero


grau absoluto ( 0 K ), os tomos estaro ligados entre si por ligaes covalentes, de maneira
que cada tomo consiga completar sua ltima camada eletrnica com os eltrons dos seus
vizinhos. Nesta situao, todos os nveis de energia da chamada camada banda de valncia
estaro ocupados com eltrons. As demais bandas de energia estaro, ento, vazias. Estando
os eltrons presos s ligaes covalentes e estando estas totalmente ocupadas, no h
possibilidade de conduo eltrica, o que torna o material isolante a o K.
Em temperaturas diferentes de zero, o efeito da agitao trmica da rede cristalina consiste em
fazer com que alguns eltrons se libertem dessas ligaes covalentes, ocupando estados de
energia superiores, e deixando vagos alguns estados na banda de valncia. Surge ento a
condutividade, que cresce com a temperatura. ( verificar equao no anexo 2 ).
O diagrama bsico das bandas de energia de um semicondutor intrnseco est mostrado na
figura 1.

Acima da banda de valncia, h um intervalo de nveis de energia onde no h nenhum estado


permitido: a chamada banda proibida ( band gap ).
A tabela 1.1 mostra, em eltrons Volts ( eV ), o valor da largura da banda proibida E g para os
principais materiais semicondutores utilizados. Acima da banda proibida, surge uma
aglomerao de nveis permitidos de energia conhecida como banda de conduo.

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Nesses nveis de energia, os eltrons no esto presos a nenhuma ligao covalente, podendo
ento mover-se livremente pelos espaos da rede cristalina, e ser acelerados por campos
eltricos. Por isso, a presena de eltrons da banda de conduo faz com que o material
apresente condutividade eltrica, que cresce com a temperatura.
Material

Tipo de
recombinao

Largura da banda
proibida E g (eV )

Coeficiente de
recombinao (

Ga As

1,43

cm3 xs 1 )
7,21x10 10

Ga Sb

0,73

2,39 x1010

0,35

8,50 x1011

In Sb

0,18

4,58 x1011

Si

1,12

1,79 x1015

0,67

5,25 x10 14

2,26

5,37 x10 14

In As

Ge
Ga P

Direto

indireto

Tabela 1.1 Caractersticas de recombinao de portadores em materiais semicondutores


A distncia interatmica tpica numa estrutura cristalina semicondutora da ordem de 5
Angstroms, ou seja, meio nanometro. Em camadas semicondutoras de espessura
micromtrica, h portanto milhares de tomos. Em conseqncia, h tambm milhares de
nveis distintos de energia na banda de conduo, fazendo com que esta se assemelhe a um
continuum. Em certo dispositivos modernos como, por exemplo, os lasers de mltiplos poos
qunticos ( multiple quantum wells, ou MQW ), h camadas extremamente finas, com apenas
dez nanometros de espessura, por exemplo. Nesse caso, a camada tem apenas algumas
dezenas de tomos e por isso sua banda de conduo aparece claramente formada por
pequeno nmero de nveis discretos. Disso depende a melhor monocromaticidade da radiao
produzida, como ser visto mais adiante.
Vrios mecanismos podem ser responsveis pelo bombeamento de eltrons da banda de
valncia para a banda de conduo. Os principais mecanismos so: a agitao trmica,
sempre presente em temperaturas no nulas; a absoro de ftons a injeo de eltrons,
presentes em fontes luminosas. Ao abandonar a banda de valncia, o eltron deixa uma
ligao covalente incompleta. Como essa ligao pode se mover pelos tomos da rede
cristalina, ela constitui um portador virtual de carga positiva, denominada lacuna.
Mecanismos de fotogerao
Os eltrons da banda de conduo acabam retornando banda de valncia por algum
mecanismo. Esse processo conhecido como recombinao, pois nele o eltron se
recombina com uma lacuna, liberando energia. Como essa energia pode ser liberada na
forma de um fton, a recombinao pode ser um mecanismo de fotogerao. Na realidade, ela
o mecanismo bsico da gerao da luz nas fontes semicondutoras. Da a relao existente
entre a freqncia da radiao emitida e a largura da banda proibida ( figura 2 ):

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Alm de conservar a energia, a recombinao deve tambm conservar momentum. Como o


momentum do fton muito pequeno quando comparado com o dos eltrons e lacunas, isto
significa que eltron e lacuna devem ter momentos semelhantes para se recombinarem
radiativamente, ou seja, com a emisso de um fton. Se isso no acontecer, a recombinao
exigir a presena de uma terceira partcula capaz de ceder momentum, denominada fonon,
que pode ser produzida, por exemplo, por vibraes da rede cristalina. Com a necessidade de
fonons torna a recombinao menos provvel, resulta que o processo mais eficiente ( para
gerar luz ) naqueles materiais onde eles no so necessrios. Esses materiais so conhecidos
como materiais de recombinao direta, ou de banda proibida direta. Neles, os eltrons e as
lacunas que se recombinam com mais facilidade ( respectivamente do fundo da banda de
conduo e do topo da banda de valncia ) tem momentos parecidos. A tabela 1.1 lista alguns
materiais de banda direta e de banda indireta. A necessidade de recombinao direta em
fontes semicondutoras impede o uso de materiais simples, como silcio e germnio, nessas
fontes. So utilizados materiais compostos, como o arsenieto de glio ( Ga As ), o arsenieto de
glio-alumnio ( Ga X Al1 X As ), e o arsenieto-fosfeto de glio-ndio ( In X Ga1 X AsY P1Y ), nos
quais a recombinao direta. Deve-se notar, entretanto, que eventuais defeitos na estrutura
cristalina do material podem gerar nesses locais grande nmero de recombinaes no
radiativas, prejudicando a eficincia da fonte. Em geral, recombinaes no radiativas geram
calor no lugar de luz, o que pode provocar degenerao dos efeitos, acentuando a perda de
eficincia etc. Da a importncia da integridade estrutural e material dos cristais utilizados nas
fontes semicondutoras. Alm de ocorrer espontaneamente, conforme descrito na equao 1, a
recombinao tambm pode ser estimulada pela presena de um fton:

Recombinao :1 eltron + 1 lacuna + 1 fton 2 ftons ( 3)


(estimulada)
Na recombinao estimulada, o novo fton gerado tende a ser emitido com a mesma fase do
fton que a estimulou. Por isso, o predomnio da recombinao estimulada sobre a
espontnea, que ocorre nos diodos lasers, est associado produo de uma luz mais
coerente. Deve-se notar tambm que a recombinao estimulada um mecanismo de ganho
ptico, podendo portanto ser utilizado em amplificadores pticos e osciladores ( lasers ).

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Da mesma forma que os ftons podem ser gerados por recombinao, eles podem tambm ser
reabsorvidos pelo material. Por isso, para produzir um dispositivo semicondutor que seja
eficiente na produo de luz, necessrio engenhar estruturas semicondutoras que produzam
um grande nmero de recombinaes concentradas em espaos limitados, e que guiem de
alguma forma os ftons resultantes para o exterior do dispositivo antes de sua perda por
absoro. Essas estruturas so necessariamente heterogneas, podendo envolver diferenciais
de dopagem ( especialmente em junes pn ), e materiais diferente, crescidos epitaxialmente
uns sobre os outros ( heteroestruturas ), para provocar diferenciais nos nveis da banda
proibida. A seguir, sero discutidas brevemente algumas dessas junes bsicas. Aqui voc
ter uma idia mais ampla de funcionamento de uma juno pn que foi utilizada na fabricao
de diodos semicondutores utilizados como retificadores.
A Juno pn
A juno pn surge quando o interior de um material semicondutor dopado com impurezas de
tal maneira que, de um lado da juno h predominncia de eltrons livres sobre lacunas,
enquanto do outro predominam as lacunas sobre os eltrons. O lado em que predominam
eltrons denominado tipo n, enquanto onde predominam as lacunas se diz que o material
do tipo p.
Num semicondutor intrnseco ( sem impurezas ), uma lacuna produzida toda vez que um
eltron livre gerado. Ento, as densidades de eltrons e lacunas so rigorosamente iguais
entre si, e so representadas por ni . A densidade ni funo crescente da temperatura.
Num material semicondutor simples como silcio ou germnio, a predominncia de eltrons
livres sobre lacunas pode ser obtida pela adio de impurezas do grupo V como fsforo e
arsnio, que tem cinco eltrons na camada eletrnica mais externa. Como apenas quatro
eltrons so suficiente para manter as ligaes covalentes com os tomos vizinhos ( que so
do grupo IV ), o quinto eltron fica muito fragilmente ligado ao tomo da impureza. Na
temperatura de zero absoluto, esses eltrons ocupam um nvel de energia dentro da banda
proibida, chamado nvel doador, muito prximo a banda de conduo ( figura 3 ). Em
temperaturas normais, a agitao trmica suficiente para que um eltron de cada tomo
doador pule deste nvel para a banda de conduo. Esses eltrons, porm, no deixam
lacunas livres na banda de valncia; deixam apenas cargas positivas presas na estrutura
cristalina, representadas pelos tomos doadores carregados positivamente.
Para obter o material tipo p, usa-se ( no silcio ou no germnio ) impurezas do grupo III,
denominadas aceitadoras. Com apenas trs eltrons na camada eletrnica externa, esse
tomos facilmente aceitam eltrons dos tomos vizinhos, criando lacunas livres sem a
contrapartida da subida de eltrons para a banda de conduo ( Figura 3b ).
Macroscopicamente, as lacunas so neutralizadas por cargas negativas presas, localizadas
nos tomos de impurezas aceitadoras.
interessante observar que, qualquer que seja a dopagem do semicondutor, a taxa
gerao de novos pares eltron-lacuna pelo efeito da agitao trmica a mesma
semicondutor intrnseco. Em condies de equilbrio, essa taxa igual taxa
recombinaes, que, naturalmente, proporcional densidade de eltrons n e densidade
lacunas p. Sendo g (T ) a taxa de gerao de pares eltron-lacuna, tem-se ento:

a) no semicondut or intrnseco : g (T) = K r x ni

de
do
de
de

b) no semicondut or dopado : g (T) = K r n0 p0

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Onde K r uma constante de proporcionalidade, n0 a densidade de equilbrio dos eltrons,


e p0 a densidade de equilbrio das lacunas. Comparando as duas expresses, tem-se:

n0 p0 = ni2 .
Tornando a densidade de impurezas dopantes bem superior a ni , pode-se determinar o
predomnio de n0 sobre p0 no semicondutor tipo n, ou de p0 sobre n0 no tipo p. No
semicondutor tipo p, p0 essencialmente dado pela concentrao de impurezas aceitadoras,
enquanto no semicondutor tipo n a concentrao de impurezas doadoras determina n0 .
Em materiais compostos como arsenieto de glio ( Ga As ) e o arseneto de glio-alumnio ( Ga
Al As ), comumente usados em fontes pticas, a dopagem feita com impurezas do grupo IV (
silcio, germnio ou estanho ), tanto para o material tipo p como para o tipo n. Quando o tomo
dopante do grupo IV substitui o tomo do grupo III ( glio ou alumnio ), ele funciona como
doador, pois tem um eltron a mais, resultando ento um material tipo n. Quando a mesma
impureza substitui o tomo de arsnio, porem, ela funciona como impureza aceitadora,
produzindo um material tipo p.
Conforme foi visto acima, a dopagem em si em nada altera a taxa de recombinaes num
material semicondutor homogneo: da a necessidade da juno pn para estimular as
recombinaes em regies localizadas do cristal. A idia que, como h abundncia de
lacunas no lado p da juno e de eltrons no lado n, as imediaes da superfcie de transio
entre aos dois lados possam ser um local privilegiado para a ocorrncia de recombinaes
fotogeradoras em fontes luminosas.
Para que isso ocorra, entretanto, necessrio que a juno seja polarizada, isto , que seja
estabelecida uma diferena de potencial entre os dois lados.
Se a juno no for polarizada, a difuso de eltrons, para o lado p, e de lacunas , para o lado
n, faz com que surja uma regio esvaziada ( em ingls, depleted region ) de portadores de
carga em torno da transio entre dopagens, pelo efeito das recombinaes ( figura 4 ).
Restam nesta regio esvaziada as cargas presas dos tomos dopantes, positivas no lado n e
negativas no lado p. Em conseqncia, surge na regio esvaziada um campo eltrico que age
no sentido de repelir a penetrao dos portadores majoritrios ( eltrons no lado n e lacunas no
lado p ), estancando as recombinaes na juno.

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A ao do campo eltrico na regio esvaziada pode ser vista como uma barreira de potencial
para os portadores majoritrios ( figura 5 ). Conectando-se o lado p a um potencial eltrico
superior ao lado n, tem-se o que conhecido como uma juno polarizada diretamente. Sob o
efeito da polarizao direta, os eltrons do lado n e as lacunas do lado p so empurrados na
direo da juno, produzindo um estreitamento da camada esvaziada e, consequentemente,
uma reduo da barreira de potencial. Parte da barreira transferida para a queda hmica no
material dos dois lados, de modo que a barreira fique reduzida ( figura 5b ). Essa reduo
facilita a penetrao de portadores de carga majoritrios de ambos os lados atravs da
barreira. Cria-se assim uma regio de coexistncia de grande nmero de recombinaes. Se o
material for recombinao direta, haver gerao de luz ( ftons ) caso dos LEDs; a regio
onde isso ocorre ento chamada de regio ativa. Tendo em vista a maior mobilidade dos
eltrons em relao s lacunas, a regio ativa tende a ocorrer mais para o lado p da juno.

Quando, por outro lado, o lado p conectado a um potencial inferior ao do lado n, dizemos que
a juno est polarizada reversamente. Nesse caso, os potenciais externos agem no sentido
de atrair os portadores majoritrios ( eltrons no lado n e lacunas no lado p ) para longe da
juno. Em conseqncia, a regio esvaziada se alarga e a barreira de potencial cresce at
igualar-se ao potencial externo. No havendo injeo de portadores de um lado para outro da
juno, a corrente fica ento limitada gerao de novos portadores na regio esvaziada, que
pode ocorrer segundo dois mecanismo principais: a) a agitao trmica, que gera a chamada
corrente escura ( dark current ), que independe da tenso reversa aplicada, sendo
essencialmente uma funo crescente da temperatura e decrescente da largura da banda
proibida do material utilizado; b) a absoro de ftons, que gera a fotocorrente nos
fotodetectores.

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Como pode ser visto, a juno pn pode ser usada como estrutura semicondutora bsica, tanto
em fotoemissores como em fotodetectores. Nos fotoemissores, a juno polarizada
diretamente para produzir luz a partir da corrente injetada de fora. Nos fotodetectores, a juno
polarizada reversamente para produzir a fotocorrente a partir da absoro de ftons
incidentes.
ANEXO 2
Um pouco de Fsica dos semicondutores
-

Nveis atmicos de energia

Potencial de ionizao processo que faz com que o eltron saia completamente da banda de
valncia, observe o grfico de energia abaixo:

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fenmeno de transporte em semicondutores

Corrente
METAL fluxo de eltrons ( cargas negativas )
SEMICONDUTOR - fluxo de ambas as cargas positiva ( lacunas ) e negativas ( eltrons )
densidade de corrente

Se n eltrons esto contidos em um condutor de comprimento L, e se um eltron leva t


segundos para atravessar a distncia de L metros no condutor, o nmero total de eltrons que

n
por
t
n.q
e =
definio i carga total por segundo pela rea, assim podemos escrever: i =
t
L
L
, assim podemos escrever :
velocidade mdia de deriva que dado por =
t =
t

n.q
n.q.
.
i=

L
L

passam atravs de qualquer seo reta do condutor, por unidade de tempo

Por definio densidade de corrente a corrente por unidade de rea do meio condutor,
assim :

i
J

n.q.
L n.q.
A
L. A

lembrando que compriment o x rea = volume, ento :


n
concentra o de eltrons por m 3 = M
L.A
J = M .q. onde M .q densidade de carga ( )
J = M .q. = .
Obs.: = velocidade mdia proporcional a = campo eltrico, ento
mobilidade das cargas no semicondutor a saber:

= 3900 (Ge) e 1350 (Si)

= 1900 (Ge) e 480 (Si)

condutividade

= .

, onde a

J = n.q. = n.q. .

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n.q. = condutivid ade (Ohms.metr o ) -1
J = . Lei de Ohm =

1
1
J = .
R
R

ANEXO 3
SENSORES
Iniciamos agora um anexo de grande importncia quando utilizamos circuitos eletrnicos para
deteco de algum tipo de fenmeno fsico como radiaes, temperaturas, presso, etc. Para o
projeto de tais circuitos necessitamos de dispositivos eltricos denominados transdutores,
dispositivos capazes de converter uma forma de energia em outra por exemplo: luminosa em
tenso, trmica em variao de resistividade, etc. Assim este anexo ser til na elaborao de
pequenos projetos envolvendo tais dispositivos.
A natureza da luz
A luz uma forma de energia eletromagntica oscilatria que se dispersa no meio em que se
encontra. Uma radiao luminosa se caracteriza por seu comprimento de onda. O comprimento
de onda ( ) dado em metros pela relao:

c
f

Onde: = comprimento de onda [ m ];


8

c = velocidade da luz - 3 x10


f = freqncia de oscilao

m/s

Uma radiao luminosa verde, por exemplo, tem uma freqncia de aproximadamente 566
GHz e seu comprimento de onda de 530 nm. A vista humana sensvel as radiaes
luminosas na faixa de 380 nm ( violeta ) at 780 nm ( vermelho escuro ), sendo que a
sensibilidade mxima em 555 nm amarelo esverdeado. A figura 1 mostra o espectro da
radiao luminosa visvel ao ser humano, acrescentando nos extremos as faixas de
infravermelho e ultravioleta que so invisveis.

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Muitos componentes sensveis luz tm a sua faixa de funcionamento definida em funo do
comprimento de onda da radiao onde apresentam maior rendimento.
Outra caracterstica importante de uma radiao luminosa a sua intensidade; a intensidade
de uma radiao luminosa dada em lux.
-

Caractersticas dos dispositivos fotosensveis

Quando um componente fotosensvel alm das suas caractersticas eltricas normais (


potncia mxima, corrente mxima, etc...), necessrio conhecer tambm as suas
caractersticas relativas dependncia da luz.
Sob este ponto de vista, as caractersticas mais importantes so:
a) Sensibilidade espectral;
b) Resposta em freqncia.
-

Sensibilidade espectral

a caracterstica que informa a sensibilidade de um componente em funo do comprimento


de onda ( ou freqncia da radiao incidente sobre ele. Permite verificar, por exemplo, se um
determinado componente sensvel luz ultravioleta, uma luz vermelha, etc. ...
Geralmente o fabricante fornece uma curva caracterstica que informa a sensibilidade relativa
do componente em relao ao comprimento de onda onde a sensibilidade mxima.
A figura 2 mostra a curva de sensibilidade espectral de um componente fotosensvel base de
sulfeto de cdmio.

Por esta curva se verifica que o componente tomado como exemplo tem sensibilidade mxima
para radiaes luminosas de aproximadamente 680 nm, que se situa na faixa das radiaes
visveis pelo ser humano. Verifica-se tambm que a sua sensibilidade 3 vezes menor ( 30%
do mximo ) para radiaes entre o azul e o verde ( 500 nm ). Em geral, admite-se como faixa
de funcionamento o intervalo de freqncias nas quais o componente tem um mnimo de 70%
de sensibilidade relativa. No grfico apresentado como exemplo, esta faixa seria entre 540 nm
e 760 nm. A sensibilidade tambm pode ser apresentada como um parmetro absoluto, para
um determinado tipo de luz. Por exemplo:
5 A/100 lux lmpada incandescente de tungstnio a 2500 C.

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-

Resposta em freqncia

Quando os dispositivos fotosensveis esto sujeitos a variaes de fluxo luminoso (


claro/escuro ) a sensibilidade tende a decrescer com o aumento da freqncia destas
variaes. Denomina-se de freqncia de corte aquela freqncia de variao luminosa em
que a sensibilidade do dispositivo cai para 70%.
Para as reas de eletricidade e eletrnica, o termo sensor se aplica a todo o dispositivo ou
componente capaz de transformar uma grandeza fsica ( ou sua variao ) em uma grandeza
eltrica. Assim, por exemplo, denominado de sensor de luminosidade um componente capaz
de transformar uma variao de intensidade luminosa em variao de resistncia eltrica.
Existem realmente componentes eletrnicos que so sensveis luz. Estes componentes so
ditos fotosensveis. Sendo sensveis luz, estes componentes podem ser utilizados como
sensores de:
-

existncia ou no de luz: utilizado principalmente para a contagem de objetos;


nvel de iluminamento: utilizado em fotmetros para os processos fotogrficos;
variao de iluminamento: utilizado, por exemplo, para o controle automtico da iluminao
em rodovias, para a deteco de objetos pela sua cor, etc. ...

Podemos citar como componentes fotosensveis os:


a) LDR Light Dependent Resistor;
b) Fotodiodos;
c) Fototransistores.
A) LDR
O LDR ou resistor dependente da luz um componente constitudo base de material
semicondutor que se caracteriza por apresentar uma resistncia varivel em funo da
intensidade da luz incidente.
As figuras 3, 4 e 5 mostram o formato construtivo tpico de um LDR e seus smbolos usados
usualmente para represent-la.

Os LDRs apresentam uma resistncia elevada quando colocados no escuro e sofrem uma
reduo de resistncia a medida que a incidncia de luz sobre o componente aumenta. Os
valores de resistncia dos LDRs no escuro e no claro variam de tipo para tipo, com variaes
tpicas que vo desde alguns MegaOhms no escuro at algumas centenas de Ohms quando
em ambientes com grande intensidade de luz.
Um aspecto importante que a variao de resistncia de um LDR em funo da luz no
linear, conforme mostra a curva caracterstica tpica da figura 6.

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Figura 6.

As figuras 7 e 8 mostram as curvas de sensibilidade espectral dos fotoresistores de sulfito de


cdmio e de sulfito de chumbo, comparando com a faixa de radiao visvel (curvas
tracejadas).

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O LDR pode ser utilizado em um divisor de tenso de forma que o resultado seria uma tenso
de sada dependente da intensidade luminosa ( figura 9 ).

Figura 9
Este divisor associado, por exemplo, a um disparador de Schimitt ( ver anexo 4 ), poderia ser
utilizado para comandar uma lmpada que s acenderia noite ( figura 10 ). Embora a tenso
de entrada varie vagarosamente medida que o ambiente escurece ou clareia, o disparador de
Schimitt se encarrega de chavear corretamente o rel que aciona a lmpada. Uma das
vantagens do LDR em relao aos outros sensores sensveis luz reside no fato de que,
apesar de ser semicondutor, no tem junes pn de forma que pode ser utilizado em tenses
de corrente alternada.
Outra vantagem a sua sensibilidade que a torna particularmente interessante em locais onde
o nvel de iluminao baixo. Sua maior desvantagem reside no tempo de resposta. O LDR
apresenta um tipo de memria luminosa que retarda a variao de resistncia do
componente sempre que a clula estiver exposta a uma certa quantidade de luz por algum
tempo. Isto limita a faixa de funcionamento em freqncias a, no mximo, algumas centenas de
Hertz.

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Figura 10
B) FOTODIODO
Trata-se de um diodo fabricado com um encapsulamento especial que permite a incidncia de
luz sobre a juno pn. Geralmente o encapsulamento metlico e possui uma lente para a
concentrao da luz sobre a juno ( figura 11 ). Um dispositivo conhecido o TIL 32 invlucro
plstico transparente.

A indicao do nodo ou ctodo varia de tipo para tipo, de forma que a maneira mais prtica de
identificar os terminais atravs do catlogo do fabricante ou teste com o multmetro. O
fotodiodo utilizado normalmente com polarizao reversa. Nesta situao a corrente
circulante uma corrente de fuga ( figura 12 ). A aplicao de luz no fotodiodo provoca a
liberao de portadores nos cristais, ocasionado um aumento na corrente reversa.

A figura 13 mostra a curva caracterstica tpica de um fotodiodo ( apenas na regio de utilizao


com polarizao reversa ).

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Nesta curva caracterstica est representada a corrente circulante no fotodiodo sem a presena
de luz. Esta corrente, denominada de corrente de escuro corrente negra, muito pequena, mas
sempre existe. Para verificarmos o comportamento do fotodiodo perante a variao da
intensidade luminosa pode-se traar uma perpendicular sobre a curva caracterstica, passando
por um determinado valor de tenso reversa. ( figura 14 ).

Conforme mostram as linhas tracejadas, a aplicao de uma tenso de 15 V reversos resulta


em uma corrente reversa de :
45 A para 400 lux de intensidade luminosa ( ponto A no grfico );
85 A para 800 lux de intensidade luminosa ( ponto B );
170 A para 1600 lux de intensidade luminosa ( ponto C ).
importante observar que a variao da corrente reversa se situa na faixa dos microampres.
Para que esta pequena variao de corrente possa dar origem a variaes de tenso
apreciveis costuma-se utilizar o fotodiodo em srie com resistores de valor elevado ( na faixa
das dezenas a centenas de K )( figura 15 ).

Um aspecto importante a considerar que a corrente de fuga tambm depende da temperatura


do diodo, o que pode causar problemas quando um fotodiodo utilizado em locais onde a
variao de temperatura muito ampla. A figura 16 mostra a curva caracterstica de
sensibilidade espectral de um fotodiodo de germnio, comparada com a faixa visvel ( Linha
tracejada ).

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Os fotodiodos tm maior sensibilidade em relao a outros dispositivos optoeletrnicos sendo


muito utilizado em aplicaes em que a intensidade luminosa seja muito varivel e podem
alcanar freqncias de corte da ordem de 500 KHz. A maior desvantagem dos fotodiodos
reside na pequena corrente de sada, mesmo quando sujeito a uma grande taxa de iluminao.
A) FOTOTRANSISTOR
Os fototransistores so transistores que apresentam um encapsulamento que permite a
incidncia de luz sobre os cristais semicondutores. A figura 17 mostra dois tipos de
encapsulamento tpicos para fototransistores. Conforme mostra a figura, a construo e os
terminais de um fototransistor so similares a de um transistor convencional. O smbolo de um
fototransistor o mesmo de um transistor convencional, acrescido das setas que indicam a
sensibilidade luz ( figura 18 ).

O funcionamento do fototransistor tem como base o fato da juno base-coletor, que sempre
polarizada inversamente, se comportar como um fotodiodo. A incidncia de luz sobre
fotodiodo base-coletor d origem a uma corrente reversa ( semelhante a Icbo ) que
amplificada beta ( ) vezes no coletor. Esta corrente proporcional a intensidade luminosa
qual o transistor est sujeito. Portanto podemos escrever:

I C hFE .I

onde I = corrente de base fotoinduzida.

A figura 19 mostra a curva caracterstica de um fototransistor tpico.

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Nestas curvas a corrente de base ( dos transistores convencionais ) foi substituda pelo
iluminamento. Apesar de possuir o terminal de base como qualquer outro transistor ( alguns
modelos ), este raramente utilizado, sendo mais comum a excitao somente atravs da luz (
figura 20 ). Caso seja necessrio, no entanto, alterar a tenso de coletor para um determinado
iluminamento, possvel polarizar a base da mesma forma que um transistor convencional (
figura 21 ).

Este mtodo, contudo, reduz a sensibilidade do circuito. Os fototransistores tm freqncia de


corte mais baixa que os fotodiodos, situando-se tipicamente em alguns KHz. Existem
fototransistores fabricados especialmente para trabalhar em conjunto com diodos emissores de
luz ( LED ). O transistor e o diodo formam um par casado em que o comprimento de onda
emitido pelo diodo o ideal para o funcionamento do fototransistor. Este tipo de utilizao
tornou-se to popular que foram criados os optoacopladores que so constitudos por um
encapsulamento tipo circuito integrado ( figuras 22 e 23 ).

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Devido a alta isolao eltrica existente entre o LED e o fototransistor ( acoplamento apenas
por luz ), os optoacopladores so muito utilizados como elo de ligao entre os estgios onde
existem tenses dc e ac.
Uma aplicao:
Baseado no circuito abaixo tente explicar o seu funcionamento, e apresente uma possvel
aplicao industrial para o mesmo.

TERMISTORES
So componentes semicondutores cuja resistncia eltrica varia com a temperatura. So
utilizados toda vez que se necessita transformar uma variao de temperatura em um sinal
eltrico. Dependendo da forma como a resistncia se altera com a temperatura, os termistores
podem ser do tipo PTC ou NTC. A figura 24 mostra o aspecto fsico destes componentes e os
smbolos. Os termistores podem ser utilizados em dc quanto em ac.

a. termistor PTC

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um termistor com coeficiente de temperatura positivo ( Positive Temperature Coeficient ), ou
seja, a resistncia aumenta com a elevao da temperatura.
A figura 25 ilustra o comportamento de um termistor PTC. Observa-se entre 70C e 100C o
comportamento tpico do PTC. Cada PTC tem uma faixa de temperatura onde existe grande
variao de resistncia em funo das variaes de temperatura. nesta faixa que se situa a
aplicao ideal do termistor.
b. termistor NTC
um termistor com coeficiente de temperatura negativo ( Negative Temperature Coeficient ),
ou seja, a resistncia diminui com o aumento da temperatura. A figura 26 mostra o grfico
tpico de um NTC ilustrando a variao de resistncia em funo da temperatura.

Aplicaes dos termistores

Os termistores, tanto o PTC como o NTC, podem ser utilizados de duas formas distintas:
a. atuando como sensores, se comportando de acordo com a temperatura do equipamento;
b. atuando sobre o equipamento, de acordo com as condies de tenso ou corrente do
mesmo.
Como sensores de temperatura, os termistores so utilizados, por exemplo, para a manuteno
do ponto de operao de transistores ( figura 27 ). ( verifique tambm a aplicao do mesmo no
anexo sobre estabilidade e compensao ).

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Neste circuito um aumento de temperatura tende a provocar um aumento na corrente de


coletor ( devido a Icbo ). Entretanto, o aumento na temperatura provoca uma reduo na
resistncia do NTC, reduzindo o Vbe do transistor e corrigindo o ponto de operao. Outro
exemplo de aplicao dos termistores o controle de temperatura ( figura 28 ). A variao na
temperatura do termistor ( NTC ou PTC ) provoca uma variao na tenso aplicada entrada
do disparador de Schimitt. Atravs do rel acoplado ao disparador pode-se comandar
resistncias de aquecimento ou aparelhos de refrigerao. A outra forma de utilizao
geralmente utiliza o termistor em srie com a carga, de forma que a corrente de carga ( ou
parte dela ) circule atravs do termistor. Neste tipo de aplicao a prpria dissipao de
potncia no termistor provoca o seu aquecimento, fazendo variar a sua resistncia. Nos
aparelhos de TV a cores existe uma bobina para desmagnetizao do tubo. Ao ligar o
aparelho, esta bobina deve produzir por alguns segundos um campo magntico intenso que
depois deve praticamente desaparecer. Para que isso acontea, a bobina de desmagnetizao
conectada em srie com um PTC ( figura 29 ). Ao ligar a alimentao, o PTC est frio e com
baixa resistncia. A corrente circulante intensa, produzindo o campo desmagnetizante. A
corrente da bobina circula atravs do PTC provocando uma dissipao que eleva a
temperatura do componente. Com a elevao da temperatura, a resistncia do PTC aumenta,
reduzindo a corrente circulante na bobina. Aps alguns segundos, o sistema atinge o equilbrio
com o PTC em alta resistncia, o que praticamente elimina o campo desmagnetizante que j
cumpriu a sua funo.

Exerccio de aplicao
Para o circuito representado abaixo, deseja se que o rel atraque para uma temperatura de
40C. Dados: NTC @ 25C = 5 K Ohms e a temperatura de 40C = 2,5 K Ohms; corrente de
atracamento do rel de 50 mA. Determinar R1 e R2.

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Questionrio
1. Defina:
a. Luz;
b. Comprimento de onda;
c. Espectro visvel.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

Quais as caractersticas principais dos dispositivos fotosensveis?


Explique cada uma delas.
O que so sensores ou transdutores?
Comente o comportamento dos principais dispositivos foto condutores.
O que um acoplador ptico e onde podem ser usados ? d um exemplo prtico.
O que so termistores? Explique o comportamento eltrico de um NTC e um PTC.
Onde podemos utilizar os termistores ? d um exemplo prtico com seu respectivo circuito
eltrico.

ANEXO 4
SCHIMITT TRIGGER ( DISPARADOR DE SCHIMITT )
Este circuito utilizado na deteco de nvel, regenerao de impulsos degradados e na
transformao de ondas quadradas. O Schimitt basicamente um circuito de comutao
rpida, cuja mudana de estado ocorre quando a entrada passa por um dado valor pr
estabelecido. Alm disto este circuito tm a particularidade de no efetuar a comutao para o
estado prvio assim que o sinal de entrada reduzido at o valor de limiar. Com efeito a
entrada ter de atingir um valor inferior ao necessrio para passar ao estado alto. Esta
propriedade de histerese ou folga permite eliminar rudos sobrepostos ao sinal de entrada.
Observar o circuito abaixo:

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Determinao dos componentes:

Ra = 3Re ; Rb = 0,1Rx ; Rx =

Rc =

IB

VCC VCE ( sat ) VRc


0,1VCC
; Rd = Rx Rb ; Re = 0,3Rd ; R f =
I EQ 2
I CQ 2

VT + =

VT

VCC VBEQ 2 VRc

Re
.VCC
( Re + Rd + Rb )

Rb
VCC + (VBE . R ).Re .Rc
c

=
[Rb .Rc + Rb .Re + Rc .( Rd + Re )]

Exemplo numrico : projetar um disparador de Schimitt para Ic = 10mA, beta = 200 e Vcc
= 12 V. Colocar os valores comerciais para os resistores e determinar o limiar superior,
inferior e a histerese.

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Anexo 5
Anlise de Sensibilidade ( Estabilidade e Compensao )
Supondo que o TjB seja substitudo por outro de mesmo tipo, os parmetros sofrero um certo
desvio, principalmente de , que pode variar at trs vezes de valor para uma dada corrente de
coletor. Deste modo, mantendo-se a corrente de base constante pela rede de polarizao de
entrada obtm-se uma significativa variao da corrente de coletor. Um outro fator
extremamente importante a instabilidade da polarizao devido as variaes da temperatura.

Com isso, a utilizao de circuitos realimentados de polarizao devem ser preferivelmente


utilizados, minimizando este problema. At este momento, o ponto de operao ( Q ), foi
definido para uma dada temperatura ambiente, necessrio que diferentes circuitos de
polarizao possam ser comparados quando a sensibilidade em relao as variaes das
correntes de fuga, por exemplo. Estas correntes fornecidas por I CBO sendo muito maiores nos
transistores de germnio, que so multiplicados por ( + 1 ) para configuraes emissorcomum e coletor-comum ( resistor de coletor reduzido zero Ohms ), alterando p ponto Q. O
desvio causado pela temperatura ou substituio de transistores na polarizao deve ser o
menor possvel, forando uma menor variao do ponto Q na reta de carga. As fontes de
instabilidade da corrente de coletor so basicamente trs:
a. Corrente de saturao reversa I CBO que aumenta com a temperatura, dobrando de valor a
cada 10C;
b. Tenso base-emissor ( Vbe ), que decresce na faixa de 2,5 mV/C, tanto para silcio como
para germnio;
c. Ganho de corrente esttico ( ), que aumenta com a temperatura.
A caracterstica de transferencia de qualquer circuito polarizador obtida combinando-se:
1- No circuito de base - equaciona-se utilizando a Segunda lei de Kirchhoff ( LKT );
2- Caracterstica de sada para a corrente de coletor considerando-se a temperatura I C = .I B + ( + 1).I CBO .
Desta forma passaremos a estudar a estabilidade dos circuitos polarizadores quanto . A
estabilidade de definida como sendo uma relao entre a variao na corrente de coletor e
a variao no prprio valor de . Assim a variao percentual da corrente de coletor K vezes
a variao percentual em ; matematicamente temos:

I C

I
I
K = C ento podemos escrever : C = K

IC

Obs.: Se K zero, uma variao em no produz qualquer mudana na corrente de coletor.


Isso ideal. O pior caso um valor unitrio para K; neste caso, uma certa mudana percentual

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98

Eletrnica Dispositivos de estado slido


em produz a mesma mudana percentual na corrente de coletor. Um exemplo numrico:
Dados: (min) = 50, (max) = 150, (tip) = 100; temos ento um = 50, para = 100 temos:

I C = 1 mA e I C = 0,5 mA , ento :
0 ,5 x10 3
50
= K
K =1
3
1x10
100
Obs.: Podemos verificar que tal circuito o pior caso para a estabilidade de beta (). Voc deve
recordar da polarizao de base fixa comentada anteriormente, naquele momento j havamos
comentado que o circuito era extremamente dependente das variaes de beta e neste ponto
comprovamos as informaes transmitidas.
Anlise do circuito de estabilidade de beta ( )
Estamos interessado na estabilidade do ponto de operao e sabemos que o mesmo
determinado pela anlise do circuito dc, assim iremos fazer uma anlise mais detalhada em um
circuito com realimentao e verificar a estabilidade de forma geral.
-

circuito para anlise: Realimentao do emissor.

Observe o circuito abaixo, aplicando LKT a malha de entrada temos:

VCC = VRB + VBE + VRE


VCC = I B .RB + VBE + I E .RE

VCC = I B .RB + VBE + (I C + I B )RE

VCC VBE = I B .RB + I B .RE + I C .RE


VCC VBE = I B (RB + RE ) + I C .RE
VCC VBE =

IC

(RB + RE ) + I C .RE eq. A

Obs.: Se o transistor for substitudo teremos novos valores de e corrente de coletor, ento
teremos: ( + ) e (I C + I C ) , assim substituindo estas variaes na equao A temos:

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99

Eletrnica Dispositivos de estado slido

VCC VBE =

(I C + I C ) (R
( + )

+ RE ) + (I C + I C ).RE eq. B

Subtraindo a equao A da equao B temos:

0=

(I C + I C ) (R
( + )

I C
IC
=

+ RE ) (RB + RE )

IC

+ (RE .I C )

1
1 + ( + )

RE
RB + RE

[ (RB + RE ) + .RE ( + )]I C = (RB + RE ).I C .


Resolvendo em termos de I C / I C , temos:

I C

RB + RE
=
.
(RB + RE ) + .RE + .RE
IC
Dividindo toda a equao por (RB + RE ) , temos:

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100

Eletrnica Dispositivos de estado slido


I C
1
=
I C 1 + ( + ).
I C
IC
=

RE
RB + RE

1
1 + ( + ).

RE
RB + RE

Podemos observar que o primeiro termo da equao nada mais do que o fator K, assim
temos que:

K=

1
1 + ( + ).

RE
RB + RE

Isto representa o fator de estabilidade de beta para todos os circuitos transistorizados.


Tabela para os circuitos polarizadores:
Polarizao de base
Resistor do emissor = ZERO
Pol. Com realimentao do
deduzido no exemplo
emissor
Pol. Com realimentao do
Rb = Rb ; Re = Rc
coletor
Divisor de tenso
Rb = R1//R2 e Re = Re

K=1
Equao acima
Se houver um Re fica Re =
Rc + Re

Correntes de fuga

I CBO - corrente de coletor base com o emissor aberto;


I CEO - corrente de coletor emissor com a base aberta.
De regras anteriores podemos escrever : I CEO = I CBO + .I CBO I CEO =

( + 1).I CBO .

Regras bsicas:
a.

I CBO dobra para cada aumento de 10C nos TjBs;

b. ento se o aumento da temperatura em C T, o numero de vezes que I CBO dobra N


ento : N = T / 10;
c.

e a corrente de fuga na temperatura mais alta

d. e consequentemente temos : I 'CEO =

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I 'CBO = 2 N .I CBO ;

( + 1).2 N .I CBO .

101

Eletrnica Dispositivos de estado slido


Sensibilidade de temperatura
Trata-se de uma relao entre a variao da corrente de coletor e a corrente de fuga, ou seja:

S=

I C
, a deduo desta expresso foge do escopo desta apostila; deixamos a cargo do
I CBO

estudante o desenvolvimento da mesma, assim temos como soluo a expresso abaixo:

S=

RE + RB
R
RE + B
1+

Compensao de polarizao
Escolhida uma determinada polarizao dentre as vistas anteriormente, podemos melhorar a
sua estabilidade utilizando-se de caractersticas no lineares e de sensibilidade a temperatura
de alguns dispositivos. Estas so denominadas tcnicas de compensao. Diferentemente das
tcnicas de estabilizao de um ponto Q, que mantm a corrente de coletor e a tenso entre
coletor e emissor com a menor variao possvel em funo da escolha dos resistores de uma
determinada configurao de polarizao, a compensao utiliza, diodos e transistores para
melhorar ainda mais o fator de estabilidade.
Compensao por termistores ( dispositivos visto no anexo sobre sensores )
a) Controle de tenso do emissor:

b) Controle de tenso na base:

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102

Eletrnica Dispositivos de estado slido

c) Compensao utilizando diodos:

d) Compensao de I CBO .

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103

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Pesquisa:
1-

Faa uma pesquisa sobre um circuito estabilizador de tenso com sada varivel e com
proteo contra curto-circuito, mas que utilize somente resistores, diodos, diodos zener e
transistores.

2-

Faa uma pesquisa sobre as caractersticas eltricas dos seguintes circuitos integrados
reguladores de tenso: 7805, 7905, 7812, 7912 e LM 317. Mostrar trs exemplos prticos:
uma fonte de tenso positiva, uma fonte de tenso simtrica e uma fonte de tenso
ajustvel empregando estes dispositivos.

3-

Faa uma pesquisa sobre fonte de corrente estabilizada que utilize apenas um diodo
zener, um transistor e resistores de limitao e polarizao.

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104

Eletrnica Dispositivos de estado slido


ANEXO 6
Caractersticas bsicas dos principais componentes utilizados nesta apostila
1- Cdigo de cores para resistores de 4 e 5 faixas

Se seu resistor tem quatro faixas, as primeiras duas faixas so nmeros, a terceira faixa o
multiplicador, e a Quarta faixa a tolerncia, e se seu resistor tem cinco faixas, as primeiras
trs so nmeros, a Quarta faixa o multiplicador, e a quinta faixa a tolerncia. Se no existir
a faixa para a tolerncia, a tolerncia de 20% do valor do resistor. Nota atualmente devido
ao avano tecnolgico voc no ir encontrar resistores com essa tolerncia, somente em
equipamento muito antigos em torno de mais de 20 anos. Assim para encontrar o valor do
resistor voc deve tomar os primeiros nmeros e multiplicar pelo fator de multiplicao e assim
voc ter o valor do resistor em Ohms.

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105

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2- Diodos Semicondutor

Caractersticas:
Diodos de Germnio
Cdigo

I F (mA)

VRRM (V )

Uso

AA 119
AAZ 18
OA 70
OA 95
AA 113
AA 116
AA 117
1N 34
1N 60

35
180
50
50
25
45
500
15
40

45
20
22,5
115
65
30
115
60
50

Detetor de AM discriminador FM e TV
Uso geral e comutao
Detetor de vdeo
Uso geral
Detetor AM/FM
Detetor AM/FM
Uso Geral
Uso Geral
Uso Geral

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106

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Principais encapsulamento:

I F [A ]
1

V RRM [V ]
50 - 100
1N4001
(50V)
1N4002
(100V)

200

400

600

800

1N4003

1N4004

1N4005

1N4007

1000

1200

1600

(DO-7)
12
12F20
12F100
(DO-4)
12FR20
12FR100
40
40HF10
40HF60
(DO-5
40HFR10
40HFR60
Ctodo rosqueado
nodo rosqueado
Importante: - As correntes de conduo direta citadas nos dispositivos de montagem
rosqueada so os valores nominais mximos. As informaes do fabricante devem sempre ser
consultadas j que, em alguns casos, os dispositivos precisam ser resfriados a ar
artificialmente para que a corrente nominal mxima citada possa ser obtida.

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107

Eletrnica Dispositivos de estado slido


DIODOS ZENER
Tolerncia de 5%
Principais encapsulamento

Fabr.

V Z N [V ]
2,4
2,7
3,0
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5

Philips
National National
Cod.
Cod.
Cod.
BZX79C BZX55C BZX85C
400 mW 500 mW
1,3 W
2V4
2V7
3V0
3V3
3V3
3V3
3V6
3V6
3V6
3V9
3V9
3V9
4V3
4V3
4V3
4V7
4V7
4V7
5V1
5V1
5V1
5V6
5V6
5V6
6V2
6V2
6V2
6V8
6V8
6V8
7V5
7V5
7V5

Philips
Cod.
BZV85C
1,3 W

Philips
Cod.
BZT03C
3W

_
Cod.
1N53
5W

33B

5V1
5V6
6V2
6V8
7V5

7V5

35B
36B
37B
38B
39B
41B
42B
43B

8,2
9,1
10
11
12

8V2
9V1
10
11
12

8V2
9V1
10
11
12

8V2
9V1
10
11
12

8V2
9V1
10
11
12

8V2
9V1
10
11
12

44B
46B
47B
48B
49B

13

13

13

13

13

13

50B

15

15

15

15

15

15

52B

16

16

16

16

16

16

53B

Prof. Corradi

Semicron Semicron
Cod.
Cod.
BZY93C BZY91C
20 W
75 W

7V5#
7V5R
8V2
9V1
10
11
12#
12R
13#
13R
15#
15R
16

10
12
15#
15R
108

Eletrnica Dispositivos de estado slido


18

18

18

18

18

18

55B

20

20

20

20

20

20

57B

22
24

22
24

22
24

22
24

22
24

22
24

59B

27

27

27

27

27

27

61B

30
33
36
39

30
33
36
39

30
33

30
33
36

30
33
36
39

30
33
36
39

63B
64B
65B
66B

43
47
51
56
62
68
75

43
47
51
56
62
68
75
82
91
100

43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
270

47
56
75

120
130
150
160
180
200
220
270

68B
69B
70B
72B
73B
74B
75B
77B
78B
79B

18#
18R
20#
20R
22
24#
24R
27#
27R
30
33
36
39#
39R
43
47
51
56
62
68
75

18

24
30
33
36
43
47
51
68
75

83B
84B
86B
88B

# DISPONVEL DA FORMA NORMA ( CTODO ROSQUEADO )


SUFIXO R INDICA TIPO COM POLARIDADE INVERTIDA (REVERSE).
Seleo de Zeners de potncia como diodos supressores de surto
Os zeners de potncia das sries BZY93 e BZY91 descritos acima so extremamente rpidos
no ceifamento, comutam em menos de 5 ns e, portanto, so recomendados para o uso em
supressores de transientes bem como reguladores de tenso.
Os supressores so normalmente escolhidos com uma tenso de separao igual tenso de
regime estvel da linha na qual sero usados. A tenso de separao a tenso reversa
mxima que pode ser aplicada sem provocar dissipao reversa significativa.
Nota: Na prtica, a tenso de separao de um dispositivo 3 estgios abaixo na srie da
tenso zener exibida no sufixo. Por exemplo, um BZY91-C15 deve ser usado como regulador
de tenso numa linha de 15 V, e como supressor de transiente numa linha de 11 V.

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109

Eletrnica Dispositivos de estado slido


Outros Zeners:

500 mW
Tipo
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N962
1N759
1N964
1N965
1N966
1N967
1N968
1N969
1N970
1N971
1N972
1N973

encapsulamento DO-35
Zz @ Iz
Iz (mA)
max ()
20
28
20
24
20
23
20
22
20
19
20
17
20
11
20
7
20
5
20
6
20
8
20
16
20
17
11,5
9,5
20
50
9,5
13
8,5
16
7,8
17
7
21
6,2
25
5,6
29
5,2
33
4,6
41
4,2
49
3,8
58

Diodos Zener
Tenso
Zener
VZn
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33

1W
Tipo
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
1N4738
1N4739
1N4740
1N4741
1N4742
1N4743
1N4744
1N4745
1N4746
1N4747
1N4748
1N4749
1N4750
1N4751
1N4752

encapsulamento DO-41
Zz @ Iz
Iz (mA)
max ()
76
10
69
10
64
9
58
9
53
8
49
7
45
5
41
2
37
3,5
34
4
32
4,5
28
5
25
7
23
8
22
9
19
10
17
14
15,5
16
14
20
12,5
22
11,5
23
10,5
25
9,5
35
8,5
40
7,5
45

Teste da juno PN com ohmmetro

Prof. Corradi

110

Eletrnica Dispositivos de estado slido


Transistores
Principais encapsulamento

Prof. Corradi

111

Eletrnica Dispositivos de estado slido

Teste com ohmmetro

Algumas dimenses dos principais encapsulamento ( em mm )

Prof. Corradi

112

Eletrnica Dispositivos de estado slido

Nomenclatura de Transistores
Identificao dos transistores e outros dispositivos semicondutores ( Cdigo Europeu )
Exemplo: cdigo com duas letras, trs nmeros e uma letra final ( BC 548C )
1- Significado da primeira letra:
A : dispositivo com uma ou mais juno constitudo por cristais de germnio;
B : dispositivo com uma ou mais junes constitudo por cristais de silcio;
C : dispositivo constitudo de cristais de arsenieto de glio ( GaAs );
D : dispositivo constitudo de cristais de antimoneto de ndio;
R : dispositivo com junes que utilizam materiais como empregados em clulas
fotocondutoras e geradores de efeito Hall ou materiais compostos; por exemplo Sulfeto de
Cdmio.
2- Significado da Segunda letra:
A : diodos detetores, diodos de comutao e diodos de baixo sinal;
B : diodos varicap ( diodos de capacitncia varivel );
C : transistores para udio freqncia de baixa potncia;
D : transistores para udio freqncia de mdia potncia;
E : diodo tnel;
F : transistores para rdio freqncia de baixa potncia;
G : diversos, miscelneas, dispositivos mltiplos;
H : prova de campos magnticos ( sensores );

Prof. Corradi

113

Eletrnica Dispositivos de estado slido


K : gerador Hall;
L : tiristores de rdio freqncia de potncia;
N : foto acoplador;
P : foto dispositivo ( detetor de radiao );
Q : gerador de radiao ( diodos emissores de luz );
R : SCR de baixa potncia, dispositivo de controle e comutao;
S : transistores para comutao de baixa potncia;
T : tiristores de potncia;
U : transistores de comutao de potncia;
X : diodos varicap ( multiplicadores );
Y : diodos retificadores;
Z : diodos de referncia ou reguladores ( zeners ); com a terceira letra W indica que o
dispositivo um supressor de transientes.
Obs.: Os nmeros aps as duas primeiras letras so utilizados apenas para ordenao; sem
significado tcnico. Exemplo: de 100 999 destinados a dispositivos comerciais.
3- Significado da ultima letra
Esta ultima letra tem a finalidade de indicar o ganho do dispositivo, para os transistores de
pequena potncia, e para os de mdia potncia indica a tenso entre o coletor e emissor com
base em aberto.
Transistores de baixa potncia
Letra
A
B
C
-

hFE
125 260
250 500
450 900
-

Transistores de mdia potncia


Letra
A
B
C
D
E

V CEO
100 V
200 V
300 V
400 V
500 V

Obs.: Norma Americana Indicao: 1NXXX diodos


2NXXX transistores

Prof. Corradi

114