APUNTES DE LABORATORIOS DE

ELECTRONICA
APLICACIONES DEL FET
PRACTICA N 3

I.- OBJETIVOS
Verificar el funcionamiento de un JFET en polarizacin por divisor de voltaje y autopolarizacin.
Experimentar circuitos con JFET cuando opera como amplificador.

II.- FUNDAMENTO TEORICO

En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeo voltaje de
entrada que controla la corriente de salida.
La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico
amperio). Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal como un
micrfono de condensador o un transductor piezo elctrico, los cuales proporcionan corrientes
insignificantes.
Los FETs, bsicamente son de dos tipos:
El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET.
El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambin conocido como
semiconductor de xido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.

EL JFET

El JFET esta constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o
anillo de silicio tipo P tal como se muestra en la Fig. A
Los terminales del canal N son denominados SURTIDOR (SOURCE) y DRENADOR
(DRAIN). El anillo forma el tercer terminal del JFET llamado COMPUERTA (GATE).
Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula
nicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la juntura PN.

El control de esta corriente se efecta por medio de la aplicacin de un voltaje de polarizacin

inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo elctrico el cual
limita el paso de la corriente a travs del canal N (Fig.B). Al aumentar el voltaje inverso,
aplicado a la compuerta, aumenta el campo elctrico, y la corriente de Surtidor a Drenador
disminuye.
Tambin se construyen JFETs con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N,
denominndose JFET canal P.
El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no debe sobrepasar el voltaje de
ruptura (tpicamente 50V) porque destruira el dispositivo.
Si se aplica polarizacin directa a la compuerta, circular una alta corriente por la compuerta
que puede destruir el JFET si no esta limitada por una resistencia en serie con la compuerta.

VALORES COMERCIALES PARA EL JFET

Voltaje VDS (V)

25,30,40,50

Potencia (W)

0.15,0.3,1.8,30

Para comprar un JFET se debe indicar su cdigo.

PRUEBA DEL JFET

Se comprueba con un ohmmetro en la escala de Rx1 Rx10.

Entre compuerta y surtidor o compuerta y Drenador debe marcar como si fuera un diodo de
silicio; es decir alta resistencia en un sentido y baja en el inverso.
Entre Drenador y surtidor, el valor hmico exclusivamente del material del canal. Su valor vara
entre 2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos.
III.- EQUIPO Y MATERIALES
Dos fuentes de voltaje ajustables de 0 a 15 V.
Un multitester digital o analgico
Un JFET K373
Resistores W: de 470K , 82K, 1.5K, 820.
Condensador Electroltico de 4.7F y 47F.

IV.- PROCEDIMIENTO

AUTOPOLARIZACION
Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID as como las tensiones en los diferentes
nudos y puntos del circuito.

Con los resultados se llena la siguiente tabla:

MAGNITUD

VALOR MEDIDO

VALOR CALCULADO

VG
VS
VD
VDS
IS
ID
IG
ANALISIS DE PEQUEA SEAL

Apague la fuente y agregue al circuito anterior los condensadores y la fuente de seales,

energice la fuente y aplique una seal de 0.01 V ( 10 mV a 1KHz) a travs de Vi y mida tanto la

salida VO como Vi con ayuda del Osciloscopio y determinar la ganancia AC del amplificador de
tensin.
Con los resultados se llena la siguiente tabla:
MAGNITUD

VALOR MEDIDO

VALOR CALCULADO

Vi
Vo
Av

POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID as como las tensiones en los diferentes
nudos y puntos del circuito.

Con los resultados se llena la siguiente tabla:

MAGNITUD
VG
VS
VD
VDS
IS

VALOR MEDIDO

VALOR CALCULADO

ID
IG

ANALISIS DE PEQUEA SEAL

Apague la fuente y agregue al circuito anterior los condensadores y la fuente de seales,
energice la fuente y aplique una seal de 0.01 V ( 10 mV a 1KHz) a travs de Vi y mida tanto la
salida VO como Vi con ayuda del Osciloscopio y determinar la ganancia AC del amplificador de
tensin.

Con los resultados se llena la siguiente tabla:

MAGNITUD
Vi
Vo
Av

VALOR MEDIDO

VALOR CALCULADO