UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS

Caracterizacin de transistores MOS y Diseo de un amplificador Fuente comn
Brayan Fernando Buitrago Rincon Cod.2082092
Andrey Durian Plazas Rincon Cod. 2090486
Presentado al Ing. Andres Amaya

Resumen: Estudio y anlisis de los transistores N-MOS y

P-MOS de los transistores en orcad proporcionados por
el profesor.
I.

II.

OBJETIVOS

Para caracterizar este transistor se tom el modelo

proporcionado definiendo L=1u y w=20u.

Se simula manteniendo un valor contante de Vds=3,3V y

variamos Vgs de 0 a 3 haciendo regresin lineal el punto
de corte con el eje x ser nuestro valor de Vt0 (Anexo1)

Caracterisisar los transistores y obtener las

curvas de los modelos proporcionados.
Estimar los parametros mas representativos
de los transistores Nmos y Pmos tales como:
Lambda, vth, W ,L ,K.
Disear y simular un amplificador fuente
comun basadon en un modelo existente.
PROCEDIMIENTO/ RESULTADOS

N-MOS

Grafica Vgs Vs Id con Vgs fijo Nmos

Usando esta expresin puedo calcular un valor de:

Vto= 0.63V

Posteriormente Se simulo el circuito con unos vgs fijos de

1, 1.2 y 1.5 V y variando el Vds en un rango de 0-3.3v
esto con el fin de hallar el parmetro caracterstico lambda
del transistor.
Figura 1 transistor Nmos

Grafica simulacion anexo2

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De esta curva se tomaron los datos que nos permitan

analizar el cambio de trodo a saturacin del transistor.

Parmetros de mi transistor Nmos

Kn
Vto

120 u
0.63
0.019

__________________________________
P-MOS

Grafica Vds Vs Id con Vgs fijo Nmos

Se aplic regresin lineal a cada una de las curvas
obtenidas anteriormente en la zona en la cual el transistor
se encuentra operando en saturacin puntos para los
cuales la corriente se mantiene constante para obtener el
punto de corte con el eje x el cual corresponde al valor de
VA y se promedi para obtener un solo valor obteniendo de
esta forma el valor de :

Para caracterizar este transistor se tom el modelo

proporcionado definiendo L=1u y w=20u.

Va= 52,7
=

= 0,019

Se realizaron las mismas simulaciones y pruebas que en

el trasnsitor N-mos
Primero se vario Vgs para un valor fijo de Vds(Anexo3)

Para determinar Kn, se tom una serie de valores de Id

entre los Vgs de 1V y 1,5V y se obtuvo un promedio entre
todos estos valores de utilizando la expresin:

Kn= 120u [A/

]
Grafica Vgs Vs Id con Vgs fijo Pmos
y = 0,0005x - 0,0004
e la ecuacion de la recta obtengo que mi Vt0=0,78

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Se realiza la simulacion del trasnsitor Pmos con varios vds

fijos y vgs variando.(Anexo4)

III.

DISEO

Para el diseo del amplificador se tuvieron en cuenta

los siguientes parmetros o restricciones:

Amplificador fuente comn con carga

activa
Av <= 30 dB
Potencia total <= 1mW
Drout <= 2v
1<= KW/L <= 50u
L= 1E-6

Dela regresion lineal de la zona de saturacion obtengo mi

va:

= 0,042

Va=23,7

Para determinar Kp, se tom una serie de valores de Id

entre los Vgs de 1V y 1,5V y se obtuvo un promedio.

Kp= 52.76u [A/

Partiendo de las ecuaciones y utilizando los parmetros

previamente hallados de los Transistores N-mos y P-mos
Se obtuvo:

Parmetros de mi transistor Pmos

Kn
Vto

52,76u
0,78
0,042

Vov1 <= 0,8196[V]

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Se asume un valor de tensin Vov menor con el fin de aumentar la ganancia y a su vez dar un mayor rango dinmico a la
salida.
Vov1= 0.4 [V
Vov3=0.6 [V]
Vov2=0.5 [V]
Partiendo de estas suposiciones puedo hallar el valor de Vgs1= 1.03[V] y vgs2= 1.38[V].
Tambin el rango de excursin de mi seal
.DRout= Vdd Vov1 Vov2.
DRout= 2.4v.
Como en mi parmetro de diseo cuento con una restriccin de potencia utilizo la siguiente expresin para tomar una acorde
a mis especificaciones:
Pt= Vdd*2Id.
Ids <= 151.1[uA].
Para mi diseo tomo una corriente de 120[uA] y con esta hallo el parmetro W/L de mis transistores

W/L del N-mos me da un valor aproximado de 12.40.

W/L del P-mos me da un valor aproximado de 17.82.
Asumiendo que los transistores del espejo de corriente tienen los mismos parmetros.
Ya teniendo los datos procedo ha hacer la simulacin.

Ganancia (dB)
Vin (V)
Vout (V)

44.71
12m
2.07

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Diseo

Simulacion
1

3.0V

20mV

10mV
2.0V

0V

1.0V
-10mV

0V

>>
-20mV
0s
1

0.2ms
V(M5:d)

0.4ms
0.6ms
V(V4:-)

0.8ms

1.0ms

1.2ms

1.4ms

1.6ms

1.8ms

2.0ms

2.2ms

2.4ms

2.6ms

2.8ms

3.0ms

Time

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ANEXO 1
6.0mA

4.0mA

2.0mA

0A
0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

2.5V

3.0V

3.5V

ID(M1)
V_V1

Vds vs Id con Vgs constante en 1.2 v

ANEXO 2
600uA

400uA

200uA

0A
0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

ID(M1)
V_V2

Vgs vs Id con dgs constante en 3.3 v

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ANEXO 3
3.0mA

2.0mA

1.0mA

0A
0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

2.5V

3.0V

3.5V

IS(M3)
V_V3

Vgs vs Id con dgs constante en 3.3 v

ANEXO 4

300uA

200uA

100uA

0A
0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

IS(M3)
V_V4

Vds vs Id con Vgs constante en 1.2 v