apostila:
materiais
eltricos
Anna Diva Plasencia Lotufo e Carlos Roberto Minussi
MATERIAIS ELTRICOS
1. INTRODUO
2.1. Resistividade
ou:
= R
S
L
(2.1.1)
R=
L
S
(2.1.2)
sendo:
: resistividade ( m);
Resistividade definida como sendo a resistncia eltrica de um corpo de seo reta uniforme
com rea unitria, e cujo comprimento igual unidade.
(2.1.3)
sendo:
: condutividade.
Materiais
Resistividade ( m) a 20C
Prata
1,58 x 108
Cobre duro
1,7 x 108
Ouro
2,44 x 108
Alumnio
2,82 x 108
Tungstnio
5,6 x 108
condutores
1 x 107
Ferro
Tipo
Carbono
(3 60) x 105
Germnio
(1 500) x 103
Silcio
0,1 60
Vidro
109 1012
Borracha
1013 1015
semicondutores
isolantes
temperatura do material;
T0
(2.2.1)
(2.3.1)
sendo que:
: resistncia eltrica do material na temperatura inicial T0;
R0
LT = L0 [ 1 + K' ( TT - T0) ]
(2.4.1)
sendo:
LT :
L0
Comprimento a T0 0C;
K'
K'
L = L L0 = L0
sendo:
( 0 )
S E
(2.5.1)
L0
: esforo;
: esforo inicial;
: mdulo de elasticidade;
: seo do condutor.
3. MATERIAIS SUPERCONDUTORES
O fenmeno da supercondutividade mostra que a corrente eltrica, uma vez induzida num
lao de resistncia, circular indefinidamente, persistindo sem variaes, desde que seja
mantido o resfriamento na temperatura adequada.
Arkadyev demonstrou este fenmeno com o seu magneto suspenso (vide Figuras 3.3 e
3.4).
Efeito Meissner
T < Tc
O resfriamento mantido por hlio lquido, cujo ponto de liquefao est em torno de 4,2
K, o que encarece o uso, alm de no ser facilmente encontrado.
4. MATERIAIS CONDUTORES
4.1. Cobre
o cobre usado como condutores eltricos o cobre eletroltico que contm 99,9% de cobre
puro;
o tratamento para a fabricao de condutores, pode ser de dois tipos, que so: estiramento a
frio que resulta no cobre duro e o recozimento que resulta no cobre mole ou recozido;
Condutor
Resistividade
cm
Condutividade
Padro 100%
(cobre padro)
1,7564
98,16
1,75
96,66
1,7654
97,66
1,793
96,13
1,7745
97,16
propriedades mecnicas:
- a carga de ruptura estabelecida na EB 11 de 22 kg / mm2;
- o cobre recozido no apresenta limite de elasticidade definido;
L = L L0 = L0
( 0 )
A x E
(4.1.1)
sendo:
L : comprimento correspondente ao esforo ;
L0 : comprimento correspondente ao esforo 0;
: esforo;
E : mdulo de elasticidade;
A : seo do condutor.
por exemplo, a adio de cdmio ao cobre aumenta a resitncia mecnica e dureza com
uma pequena reduo na condutividade.
a seo total de um condutor composto a soma das sees dos componentes, assim como
o peso total. A condutncia total tambm a soma das condutncias dos componentes;
AS ES + A a E a
AS + A a
(4.3.1)
sendo:
E
ES :
AS :
Aa :
Ea
Nos cabos de alumnio com alma de ao, a resistncia mecnica dada pela alma de ao
enquanto o alumnio contribui com a condutividade eltrica.
4.4. Alumnio
Propriedade
Alumnio
Cobre
63
100
159
100
126
100
30,4
100
48,3
100
26
100
as ligas de alumnio apresentam uma resistncia mecnica maior. Por exemplo, a liga
conhecida como ALDREY que contm de 0,3 a 0,5% de Mg, 0,4 a 0,7% de Si e 0,2 a 0,3%
de Fe, quase to leve quanto ao alumnio puro, condutividade eltrica bastante prxima e
uma resistncia mecnica prxima a do cobre;
10
Material
Alumnio
Cobre
Condutibilidade %
a 00 C
K = 1/
55
0,00392
252,5
59
0,00423
236
60
0,00431
231
61
0,00438
228
62
0,00446
224
63
0,00454
220
65
0,00470
212,5
100
0,00427
234,5
4.5. Ferro e Ao
o mais comercial e mais barato metal usado como condutor com uma alta resistncia
mecnica. Mesmo o ferro puro tem uma resistividade alta comparada ao cobre e ao
alumnio, em torno de 0,1 m, o que acontece tambm com o ao que uma liga que
contm ferro com carbono principalmente;
Figura 4.5.1. Seo total de um condutor de alumnio (curva 1), com alma de ao (curva 2) e
resistncia de uma unidade de comprimento do condutor (3), como funo do
dimetro externo.
Figura 4.5.2.
Figura 4.5.3. Resistividade versus temperatura para ferro puro (curva 1), ao com 4% de
silcio (curva 2) e liga Fe-Ni-Cr (curva 3).
As ligas a base de ferro so principalmente usadas para aquecimento, o qual pode proteger
ou oxidar, causando um maior desgaste. o problema da corroso.
(m)
x 106 K-1
Temperatura
limite (0C)
Cromo
Nquel
Mangans
15 - 18
55 - 61
1,5
1,1 - 1,2
100 - 200
1000
20 - 23
75 - 78
1,5
1,0 - 1,1
100 - 200
1100
12
Cromo
Alumnio
Carbono
Silcio
Nquel
Mangans
12-15
3,5-5,5
0,15
1,0
0,7
1,26
150
750
16-19
4,0-6,0
0,12
1,2
0,7
1,3
60
850
16-19
4,0-6,0
0,06
0,6
0,6
0,7
1,3
60
950
23-27
4,5-6,5
0,12
1,2
0,7
1,4
50
1000
23-27
4,5-6,5
0,06
0,6
0,7
1,4
50
1400
Sua principal utilizao est nos circuitos eltricos para proteo. So compostas
principalmente de bismuto, cdmio, chumbo e estanho.
Composio
Ponto de
fuso 0C
Bismuto
Chumbo
Estanho
Cdmio
Mercrio
20
20
60
20
50
27
13
10
72
52
40
92
53
32
15
96
54
26
20
103
29
43
28
132
32
50
18
145
50
50
160
15
41
44
164
33
67
166
20
80
200
13
14
Prata
Ouro
Estanho
: Metal macio e malevel, que pode ser laminado em folhas muito finas.
resistente a corroso atmosfrica, estvel na gua e mais ou menos resistente
cidos. Usado em revestimentos eltricos para dar uma proteo durvel aos
acabamentos de metais, como um elemento de liga em bronzes e soldas leves.
Uma lmina de 6 a 8 mm empregada em alguns capacitores, geralmente
associado com 15% de chumbo e 1% de antimnio para facilitar o processo de
laminao e melhorar a resistncia mecnica. Lminas de 20 a 40 mm so usadas
como placas em capacitores de mica.
Chumbo
: Alta resistividade. Metal macio e plstico. Tem uma estrutura cristalina bastante
grande. Alta resistncia corroso, estvel na gua, cidos sulfrico e
hidroclordrico em baixas temperaturas. Usado em revestimentos de cabos
protegendo a isolao do cabo e tambm em placas de baterias, e fusveis.
Tambm usado como protetor contra radiaes, absorvendo por exemplo os raios
X. As ligas de chumbo com outros materiais como antimnio, telrio, cdmio,
cobre, clcio e estanho aumentam a resistncia mecnica, mas reduzem a
resistncia corroso comparado ao chumbo puro. So usados principalmente na
engenharia de cabos (blindagem).
Platina
Paldio
: Metal raro com propriedades prximas da platina. Suas ligas com cobre e prata
so usadas na produo de contatos eltricos.
Nquel
15
Cdmio
Zinco
Mercrio
R = v
L
S
(4.10.1)
= M / (L p)
peso especfico.
e
= v L p / M.
= v p
= m / v
= R. S / L
= M / S. L
= R. M / L 2
= 0,15328 m g.
16
5. CONDUTORES INDUSTRIAIS
Podem ser empregados fios nus e isolados. Existem tambm condutores sob a forma de
tubos ou barras de formas diversas nus ou isolados.
Fio
Condutor
Fio nu
Fio isolado
Cabo
Cabo isolado
Cabo singelo
Cabo mltiplo
Cabo armado
Cabo unipolar
Cabo Multipolar
Cordo
Cabo setorial
17
Isolao
Cobertura
Capa
Blindagem
Encordoamento
Enchimento
Armao
Cordoalha
Barra
18
Podem ser constitudas por materiais slidos e do tipo estratificado. Os slidos podem ser
termoplsticos (cloreto de polivinila e polietileno) e termofixos (borracha etileno-propileno
e polietileno reticulado). As do tipo estratificado utilizam papel impregnado. Este
utilizado em cabos de mdia e alta tenso. A isolao estratificada constituda, pois por
fitas delgadas de papel, colocadas helicoidalmente em diversas camadas, aps rigoroso
processo de secagem, por um material isolante cujas caractersticas variam com o tipo de
cabo.
O papel impregnado utilizado nos cabos a leo sob presso e nos cabos com massa no
escoante (usados em redes subterrneas em mdia tenso).
Caractersticas especficas:
Cloreto de Polivinila (PVC)
Com o condutor encordoado recoberto apenas por uma camada isolante, o campo eltrico
assume uma forma distorcida, acompanhando as irregularidades da superfcie do condutor,
provocando concentrao de esforos eltricos em determinados pontos. Estas solicitaes
eltricas podem exceder os limites permissveis pela isolao, ocasionando uma
depreciao na vida do cabo.
19
Nos cabos com isolao slida, a existncia de ar entre o isolante e o condutor pode dar
origem a ionizao, danificando o isolante.
Da mesma forma que a blindagem interna, a externa deve ser construda de maneira a
eliminar qualquer vazio entre ela e a superfcie externa da isolao.
Figura 5.4.1.
5.5. Protees
20
Protees metlicas
Este fenmeno, denomina-se efeito cortical ou efeito pelicular e tanto mais acentuado
quanto maior for a seo do condutor e mais elevada a frequncia da corrente; variando
tambm com a temperatura do condutor.
Figura 5.6.1.
sendo:
21
0,024/km. Valor este que varia com a variao da frequncia. Se fosse 50 Hz seria 0,022
/km.
Figura 5.6.2.
Uma reduo considervel no efeito pelicular pode ainda ser obtida empregando-se vrios
condutores ligados em paralelo, em cabos separados ou no mesmo cabo.
Figura 5.6.2.
6. MATERIAIS ISOLANTES
6.1. Campo Eltrico
Um corpo eletrizado pode ser considerado como aquele que possui uma certa quantidade
de eletricidade. A quantidade de eletricidade que se admite existir em um corpo eletrizado
a carga eltrica deste corpo.
22
6.2. Dieltricos
6.3. Vcuo
Considere o circuito mostrado na Figura 6.3.1., onde as duas placas metlicas paralelas PP'
encontram-se em um recipiente no qual se obtm um vcuo to perfeito quanto possvel.
Figura 6.3.1.
Pela chave K1 liga-se o polo positivo de E placa P, circulando uma corrente i1, que cessa
aps um certo tempo estando aberta K2.
A corrente i1 a corrente de carga do capacitor formado pelas placas PP' e pelo vcuo.
Abrindo K1 no existe corrente. Fechando K2 (K1 permanecendo aberta) h a circulao de
uma corrente i2 da placa P a P' atravs da resistncia R. Esta a corrente de descarga do
condensador, de sentido contrrio a i1 e de curta durao.
Se for empregado o mesmo dispositivo, mas com as placas PP' separadas por uma outra
substncia isolante que no for o vcuo, so observados diversos fenmenos dependendo
do isolante empregado.
possvel observar uma outra corrente i3 de mesmo sentido que i1 e que persiste enquanto
a bateria estiver ligada;
A corrente i3 a corrente de fuga do dieltrico; ela parte do polo positivo da bateria, passa
pela chave K1, placa P, dieltrico, placa P', voltando ao polo negativo da bateria. No incio
tem-se a superposio de i1 e i3 e depois somente i3;
Fechando K2, aps abrir K1 (antes de decorrido tempo suficiente para descarga do
condensador pela corrente de fuga), observa-se a circulao da corrente de descarga i2,
atravs da resistncia R, cessando rapidamente para pequenos valores de R.
Fechando K2 aps abrir K1, observa-se atravs de R uma corrente que atinge rapidamente
um valor elevado, decrescendo em seguida na mesma velocidade e depois cada vez mais
lento. Essa corrente total possui dois componentes: i2 correspondente a i1, e i5 a i4.
Para que i5 se anule pode requerer um tempo muito elevado, enquanto que i2 se extingue
rapidamente.
Caso K2 seja aberta antes de i5 se anular e seja fechada algum tempo depois, observa-se
novamente a circulao de i5, que pode apresentar um valor mais elevado que o observado
ao abrir K2.
Aps o novo fechamento de K2, a descarga continua decrescendo cada vez mais
lentamente; i5 a corrente anmala ou corrente residual; corresponde a uma carga durante
um certo tempo depois de ligadas as placas.
24
(6.6.1.)
sendo:
Q : carga eletrosttica ou quantidade de eletricidade recebida pelo condensador;
V : ddp aplicada entre as placas;
(6.6.2)
sendo :
kd : C / C0 a constante dieltrica da substncia considerada.
6.7. Rigidez Dieltrica
1,006
30
leo mineral
2,1
80 a 200
gua
80
Quartzo fundido
3,9
600
Mica
5,4
600
4 a 10
75 a 300
Material
Ar
Vidros
25
Quando dois condutores so separados por um material isolante, ao se aplicar uma ddp
entre os dois condutores corresponde a circulao de uma corrente de fuga;
A corrente de fuga pode seguir dois caminhos diferentes: um atravs da massa do isolante e
o outro pela superfcie;
Conforme o tipo de condutor industrial empregado cada uma dessas resistncias tem um
nvel de importncia;
Em uma linha area, onde os condutores nus so suportados por isoladores de porcelana,
importante considerar a corrente de fuga superficial;
Um isolante real, Figura 6.9.1, situado entre os pontos A e B de um circuito eltrico pode
ser representado pelo esquema da figura. R1 corresponde a perda dieltrica i12R1; a corrente
de carga e de absoro i1 atravessa C e R1; R2 corresponde a corrente de fuga i2. Em um
dieltrico perfeito R1 = 0 e R2 = .
Figura 6.9.1.
Isolante
- Eltricas
Constante Dieltrica
Ar
30
1,006
Titanato de brio
40
103 a 104
Ebonite
200
Mica
600
5,5 a 9
Porcelana
7,5
Quartzo
3,8
Polietileno
400
2,25
Teflon
800
leo de transformador
250
2,1
100
Material
7. POLARIZAO DE DIELTRICOS
7.1. Introduo
J nos dieltricos, onde os eltrons esto bem presos, estes no so facilmente arrancados
pela aplicao de campos eltricos comuns, permanecendo nas suas posies de equilbrio.
7.2. Polarizao
27
Na presena destes dipolos atmicos, diz-se que o dieltrico est polarizado ou que est
num estado de polarizao.
Os eltrons giram em rbitas ao redor do ncleo e agem como uma nuvem carregada
negativamente circundando o ncleo, e o tomo estando despolarizado, a nuvem circunda o
ncleo simetricamente e o momento de dipolo zero.
Figura 7.2.1.
Figura 72.2.
28
Figura 7.2.4.
O efeito dos dipolos atmicos pode ser descrito pela polarizao P ou momento de dipolo
por unidade de volume:
P = p / V = (Q d ) / V
(7.2.1)
sendo:
p : momento de dipolo
=Q d
(7.2.2)
P = p / V = (Q L) / (A L) = Q / A = sp
(7.2.3)
sendo:
sp : a densidade superficial de carga de polarizao que aparece nas faces da barra;
P tem dimenso de carga por rea.
Para definir P num ponto supe-se que o dieltrico na presena do campo eltrico tem uma
distribuio contnua de dipolos infinitesimais, isto uma polarizao contnua, apesar de
que os dipolos so tomos discretos polarizados.
Esta suposio no leva a erros pois se est trabalhando com regies microscpicas. Assim
o valor de p num ponto pode ser definido como:
p
V 0 V
P = lim
(7.2.4)
A aplicao do campo faz com que as cargas positivas se movam na direo do campo e as
cargas negativas na direo contrria.
Retirado o campo as cargas retornam ao seu estado inicial e os dipolos perdem a sua
orientao devido as flutuaes trmicas.
Considere agora um campo eltrico uniforme aplicado num capacitor de placas paralelas
separados por uma distncia d.
29
Figura 7.2.5.
Na parte superior o meio o vcuo com permissividade 0, a parte inferior contm uma
barra dieltrica de permissividade .
D0 = 0 E
(7.2.5)
sendo:
D
permissividade do vcuo;
V = E dL
(7.2.6)
(7.2.7)
o qual trabalho realizado por uma fonte externa ao mover uma carga unitria positiva de
um ponto ao outro em um campo eltrico. Trabalho realizado ao movimentar de b para a,
porque b frequentemente tomado no e a uma posio fixa.
Estas cargas induzem cargas livres de sinais contrrios nas placas do capacitor que traz
como consequncia um aumento na densidade superficial de cargas livres.
D 0 E sp
(7.2.8)
D 0E P
(7.2.9)
Esta uma equao vetorial de aplicao geral, apesar de ter sido desenvolvida para o caso
de um capacitor de placas paralelas.
No dieltrico:
D xE
sendo:
30
(7.2.10)
: permissividade do dieltrico;
E 0 E P
P
0
E
(7.2.11)
ou:
P
0 .
E
que tambm pode ser escrita como:
P
0
E
sendo:
suceptibilidade eltrica, = r - 1, onde r = permissividade relativa. No vcuo = 0
e r = 1
(7.2.12).
D 0 E P ( uma expresso mais geral)
8. RUPTURA EM DIELTRICOS
8.1. Introduo
(8.1.1)
sendo:
Ebr :
resistncia dieltrica;
Vbr :
tenso de ruptura;
espessura do dieltrico;
31
A ruptura eltrica est associada com o processo eletrnico que se desenvolve num campo
eltrico muito intenso no momento da descarga e provoca um crescimento rpido e
instantneo na densidade local de corrente.
Quando a tenso aplicada ao dieltrico for por um perodo muito longo, a ruptura pode ser
causada por processos eletroqumicos que se desenvolvem no dieltrico sob a influncia do
campo eltrico.
A energia adicional das partculas carregadas transferida s molculas com as quais elas
colidem. Se esta energia for suficientemente alta, os tomos e molculas se tornam
excitados e os eltrons se movem a distncias maiores que a sua rbita, at mesmo
deixando estas rbitas naturais, formando o que se conhece como ons positivos. Estes ons
acelerados vo colidir com as partculas neutras ionizando o gs.
(8.2.1)
sendo:
Wi :
energia de ionizao
W = q V ;
carga eltrica;
V :
(8.2.2)
O potencial de ionizao para vrios gases est entre 4 e 25 V, que corresponde a uma
energia de ionizao de 4 a 25 eV.
Em alguns casos, o eltron acelerado no est apto a ionizar a molcula, somente levando a
um estado de excitao. Num prximo momento, a molcula excitada libera sua energia
excessiva por radiao, emitindo um fton. Ento outras molculas absorvem o fton e
32
A resistncia dieltrica do ar como uma funo da distncia entre dois eletrodos mostrada
na figura.
Figura 8.2.1. Resistncia dieltrica do ar versus distncia entre eletrodos num campo uniforme.
Este fenmeno pode ser considerado pela dificuldade em fortalecer a descarga num
pequeno entreferro.
33
Figura 8.2.3.
Um campo no uniforme se forma entre dois pontos, ponto e plano, entre condutores de
uma linha de transmisso, superfcies esfricas espaadas em uma distncia superior ao
raio da esfera.
Figura 8.2.4.
Resistncia dieltrica do ar versus espaamento do entreferro num campo nouniforme de diferentes polaridades.
Em altas frequncias a tenso de ataque corona sempre coincida com a tenso de ruptura
que cresce suavemente com a distncia entre os eletrodos. Mas em frequncias comerciais,
a relao entre a tenso de ruptura e o espaamento do entreferro quase sempre linear.
Figura 8.2.4.
Esta descarga depende da forma do campo eltrico determinado pela configurao dos
eletrodos e dieltrico, frequncia do campo, estado da superfcie do dieltrico e presso do
ar.
Sob condies normais, os dieltricos lquidos tem uma resistncia dieltrica superior a dos
gases. Mas quase impossvel se obter dieltricos absolutamente puros. As impurezas
quase sempre presentes so gua, gases e partculas slidas, as quais so responsveis pela
ruptura do dieltrico.
A presena da gua no leo diminui sua resistncia dieltrica em temperaturas normais. Por
exemplo, a purificao de impurezas nos dieltricos lquidos pode aumentar a resistncia
dieltrica de 4 MV/m para 20 a 25 MV/m, para o caso dos leos de transformadores.
35
Cada um dos tipos ocorre em um dieltrico, e para o mesmo material depende das
caractersticas do campo eltrico (AC ou DC, alta ou baixa frequncia), defeitos no cristal,
tais como proximidade dos vazios, condies de resfriamento, perodo de ao da tenso.
A ruptura se d por um processo eletrnico no qual alguns eltrons iniciam uma avalanche
eletrnica. Nos seus movimentos os eltrons espalham a energia que ganharam no campo
eltrico causando vibraes elsticas na estrutura do cristal. Os eltrons que atingiram uma
certa velocidade crtica se chocam com novos eltrons livres nas suas rbitas,
desagregando o estado estacionrio e assim iniciando a ionizao por impacto (coliso) no
corpo slido.
Figura 8.4.1.1.
36
Ocorre na maioria dos dieltricos que contm impurezas gasosas. Como no caso
homogneo, a ruptura ocorre muito rapidamente.
Figura 8.4.3.
A resistncia dieltrica baixa tpica para dieltricos com poros abertos, tais como
mrmores, papel no impregnado, madeira e cermicas porosas. Os dieltricos slidos com
poros fechados tais como cermicas densas tm uma resistncia dieltrica alta.
A resistncia dieltrica alta especfica para dieltricos de estruturas fechadas que no tem
espaos preenchidos por gases. A este tipo pertencem a mica, papel impregnado com
dieltrico lquido e vidros.
37
Tabela 8.4.1.
Caracterstica
Vidro
100 - 300
Sal
100 150
Dieltricos, densos e
Homogneos
Mica
100 300
Papel impregnado
100 300
Filmes orgnicos
90 120
Material
Cermicas
10 - 30
Micalex
10 15
10 - 15
Mrmore
Cermicas porosas
4-5
1,5 2,5
Madeira
4-6
Papel no-impregnado
7 - 10
Dieltricos heterogneos
com poros fechados
Em altas frequncias, na maioria dos casos o calor removido por conveco atmosfrica.
o caso dos isoladores de suspenso e de suporte, capacitores cermicos.
38
Figura 9.1.1. Resistividade de volume de um espcime seco com impurezas eletrolticas em funo
da temperatura.
Para torn-los mais resistentes comum introduzir alguns fungicidas que retardam seu
crescimento, ou cobrir a isolao com vernizes contendo fungicidas. Os mais comuns
contm nitrognio, cloro e mercrio.
39
importante observar que para uma variedade de dieltricos (vidros, cermicas, maioria
dos plsticos, e outros), a resistncia compresso substancialmente maior que a trao e
flexo, enquanto que nos metais da mesma ordem de grandeza.
40
Qualidade dos materiais isolantes de resistirem a altas temperaturas sem falhas para um
perodo de tempo longo ou curto.
Para dieltricos orgnicos esta caracterstica determinada pela deformao sob trao ou
flexo.
: 65-750C
Poliestireno : -70-850C
Pertinax
: 150-1800C
Material
Condutividade Trmica
(/m oK)
Ar (entreferro)
0,05
Betume
0,07
Papel
0,10
Vernizes
0,13
gua
0,58
Quartzo fundido
1,25
Porcelana
1,6
Esteatita
2,2
Quartzo cristalino
12,5
Alumina
30
Magnsia
36
Berilio
218
41
Materiais com um baixo valor deste coeficiente mostram uma alta resistncia trmica e
vice-versa.
x 106 (K-1)
Material
Polivinilacetato
265
Polietileno
145
Acetato de celulose
120
Nylon
115
Politetrafluoretileno
100
Nitrocelulose
100
Poliestireno
68
Polivinil
64
Resinas epoxi
55
Mica
37
Vidro Slica
9,2
Cermicas
Esteatita
6,6
Porcelana
3,5
Quartzo fundido
0,55
42
10.1. Introduo
As propriedades dos materiais so requisitos para seu uso nos diversos equipamentos.
As propriedades do vidro variam de acordo com sua composio e seu tratamento trmico.
A resistncia compresso muito maior que trao.
43
Muitos dos materiais cermicos tm alta resistncia mecnica, alta resistncia trmica,
perdas dieltricas pequenas.
A porcelana feita de argilas especiais de grande pureza e outros materiais como quartzo e
feldspato.
O aquecimento serve para remover toda a gua e tornar a estrutura mais compacta durante
o processo de fabricao.
a caracterstica eltrica bsica dos isoladores usados em alta tenso. a tenso que
aparece entre os eletrodos atravs do isolador. Pode-se distinguir dois tipos, tenso de
descarga a seco, e tenso de descarga mida. A primeira a que acontece atravs dos
eletrodos sob condies normais, e a segunda em condies de chuva, mesmo chuva
simulada.
A tenso a seco maior em mdulo que a sob chuva, e esta tenso d uma idia do
comportamento do isolador sob chuva. tambm de interesse a tenso de ruptura atravs
do corpo do isolador, a qual obtida simulando vrias situaes.
A tenso de ruptura para alguns isoladores est entre 110 e 130 kV.
As nervuras e saias tm por finalidade aumentar o percurso, para reduzir a corrente de fuga
superficial do condutor para o suporte que corresponde a resistncia de isolamento.
Ao longo de uma diretriz do cilindro, o campo eltrico no ar, tambm mais intenso que
antes de introduzi-lo, podendo se ter uma descarga disruptiva contornando o cilindro.
44
A ddp estabelecida entre o fio metlico AA' de amarrao do condutor e o pino metlico
T. Se estivessem em um meio dieltrico homogneo, as linhas do campo eltrico teriam o
aspecto da figura, e caso s funcionassem a seco, a sua superfcie coincidiria com as linhas
de fluxo A'B'. Com a chuva, a resistncia eltrica superficial reduzida, recorrendo-se as
saias para alongar a linha de fuga e impedir que a chuva forme um percurso molhado
contnuo. Quando molhadas as superfcies superiores das saias comportam-se como
superfcies equipotenciais; as linhas de fluxo partindo da superfcie superior da saia
superior, atravessam as demais saias e os intervalos de ar; a posio das saias deve adaptarse s superfcies de nvel tericas.
Figura 10.2.2.1 Direo da descarga num isolador de pino testado para resistncia de
"flashover".
45
sendo:
AB, CD, EF- pores da superfcie do isolador molhado pela chuva.
10.3. leos
Os leos para cabos servem como impregnantes dos papis usados nestes cabos.
Aumentam a resistncia dieltrica do papel e tambm ajudam a remover o calor devido as
perdas dieltricas.
10.5. Resinas
As resinas naturais podem ser a goma laca, breu (resina de pinheiro) e o mbar:
Goma laca
= 1013 a 1015 .m
3,5
Breu
= 1012 a 1013 .m
mbar
= 1015 a 1017 .m
= 2,8.
46
10.6. Vernizes
Os vernizes adesivos so usados como cimento na junta de materiais isolantes com metais.
Se eles estiverem inicialmente no estado slido, devem ser aquecidos at atingirem uma
viscosidade suficiente. So usados como impregnantes e em enchimento.
10.7. Plsticos
So importantes pela sua capacidade de tomar formas de acordo com um molde quando sob
presso. So usados como isolantes e como materiais de construo.
Podem ser classificados ainda como termoplsticos que podem ser dissolvidos aps
moldagem que so os polivinil, derivados de celulose e resinas poliamidas, e os termofixos
os quais aps a ao do calor durante a moldagem passam para um estado insolvel. Citase os baseados em fenolformaldedo, carbamida e outras resinas termofixas.
10.8. Elastmeros:
47
10.9. Mica
106 a 108 .m
11 a 16 ou 23 a 46.
MICALEX um plstico fortemente preenchido com mica, e como aderente vidro pastoso.
Tem alto custo devido ao seu processo de fabricao ser muito difcil.
Permissividade de 2,5 a 3.
Ebr de 10 a 25 MV/m
Resistividade de 1013 a 1014 .m
So empregados na produo de vernizes e compostos.
10.11. Asbesto
o nome geral de uma variedade de fibras minerais. Ocorrem na rocha na forma de veios
consistindo de fibras que correm paralelas umas s outras. A vantagem que oferecem sobre
as fibras orgnicas sua alta resistncia trmica. Seu ponto de fuso 11500C e em
temperaturas entre 400 a 5000C se degradam a resistncia mecnica. Possuem alta
higroscopicidade que pode ser diminuda pela impregnao com resinas e betumes. As
propriedades de isolao eltrica no so altas, por isso no so muito viveis em altas
tenses e altas frequncias. s vezes contm certa quantidade de ferro, prejudicando suas
propriedades isolantes.
Atualmente so substitudas pela fibra de vidro que tem alta resistncia trmica e melhor
propriedade de isolao eltrica.
48
Sendo a perda por histerese proporcional a rea do lao, os aparelhos que funcionam com
fluxos alternados tm suas perdas aumentadas em funo do tipo de material e da
resistividade eltrica imposta, j que estes influenciam na propagao das correntes
induzidas no material.
11.2. Ferro
Figura 11.2.1.
O ferro que indicado para os dispositivos que funcionam em corrente contnua, possui
baixa resistividade, o que faz com que as perdas por efeito Foucault sejam relativamente
elevadas, quando alimentadas por correntes alternadas.
49
% Si
Resistividade
Perdas (W/kg)
Uso
( cm)
0,25-0,30
28
5,1
0,50-0,60
28
3,4
1,25-1,50
44
3,7
2,50-2,75
44
2,5
2,75-3,25
50
2,1
3,60-4,00
52
1,58
4,00-4,25
58
1,43
4,25-4,50
60
1,27
4,50-4,75
65
1,15
Na Tabela 11.3.1. pode-se observar as caractersticas magnticas das diversas ligas obtidas
com combinao entre o nquel e o ferro.
50
Tabela 11.3.1.
Nome
% Fe
inicial
% Ni
final
Bsaturao
cm
tesla
Permalloy-45
54
45
2500
25000
1,6
50
Permalloy-78
21
78
8000
100000
1,0
16
Permalloy-4-79
16
79
20000
80000
0,87
57
Hipernick
50
50
4000
80000
1,6
35
Mumetal
17
765
20000
110000
0,72
60
Supermalloy
15
79
100000
800000
0,8
60
Figura 11.3.1.
51
Material
Impurezas Impurezas
inicial
max
Fora
Coercitiva
%C
% O2
Ferro bruto
0,02
0,06
250
7000
0,064
Ferro eletroltico
0,02
0,01
600
15000
0,028
Ferro carbonyl
0,005
0,005
3300
21000
0,064
0,01
61000
0,072
0,005
0,003
6000
200000
0,032
Ferro extra
20000
340000
0,024
Monocristal de ferro
1430000
0,08
kA/m
11.4. Ao eltrico
As vezes o silcio afeta as propriedades mecnicas do ao, como tornar menos favorvel a
laminao da chapa.
52
Regio de desmagnetizao
Figura 12.1.1.
Para que se possa anular este fluxo residual, tem-se de fazer circular, pelo enrolamento
excitador uma corrente eltrica com tal sentido, que gere uma fora magntica motriz
responsvel por um fluxo que se oponha ao fluxo residual.
53
Tabela 12.1.1.
Material
Ao- Tungstnio
Cu
Si
Cr
0,7
Co
Ni
Al
Ao- Cromo
Ao- cobalto
ALNI
30
ALNISI
Propriedades Magnticas
Hc
Br
HBmax
kA
tesla
4,776
300000
4,776
0,9
275000
17,512
0,9
930000
25
14
43,18
0,55
1300000
34
14
63,680
0,4
1400000
ALNICO
12
17
10
39,8
0,7
1500000
MAGNICO
24
13
39,8
1,25
4350000
12.2. Generalidades
Um magneto na forma de um toride no libera sua energia para o ambiente. Para isto
acontecer necessrio a existncia de um entreferro entre os polos, isto , um circuito
magntico aberto.
Figura 12.2.1.
Figura 12.2.1.
54
HC : fora coercitiva;
BR : remanecncia;
BL : induo magntica;
WL : energia.
A energia no entreferro depende de sua largura; aqui a induo Bl no entreferro ser menor
que a induo residual Br devido ao efeito desmagnetizante dos polos magnticos. A
energia confinada num volume unitrio do entreferro pode ser representada pela seguinte
igualdade:
Wl = 0,5 Bl Hl
(12.2.1)
sendo:
Hl : intensidade de campo magntico correspondente a induo Bl.
Em certos valores de BL e HL, a energia alcana seu mximo, como observado na Figura
12.2.1.
A quantidade:
WL = 0,5 BL HL = 0,5. (BH)max = Wmax
(12.2.2)
define a mxima eficincia do magneto e assim prova ser a qualidade bsica caracterstica
dos materiais magnticos permanentes. Estes materiais so frequentemente descritos pelo
produto da energia mxima BLHL ou fator de convexidade da curva de desmagnetizao:
K con
( BH ) max
2 Br H c
(12.2.3)
12.3. Ligas de Ao
55
Cromo
(Cr)
0,95-1,1
Tungstnio
(W)
Cobalto
(Co)
Propriedade Magnticas
(valor mnimo)
Molibdnio
(Mo)
Br (tesla)
Hc (kA/m)
1,3-1,6
0,9
4,6
0,9-1,1
2,8-3,6
0,95
4,8
0,68-0,78
0,3-0,5
0,9-1,05
5,5-6,5
5,5-6,5
0,85
0,9-1,05
8-10,0
13,5-16,5
0,8
13,6
5,2-6,2
1,2-1,7
Com a energia magntica sendo a mesma, o MAGNICO quatro vezes mais leve que os
magnetos ALNI e 23 vezes mais leves que os magnetos feitos de ao cromo.
56
Hc
(kA/m)
BL (T)
Kcon
Wmax
kJ/m3
Nome
Comercial
Al-Ni-Cu4
0,5
40
0,3
24
7,2
0,36
3,6
ALNI3
Al-Ni-Cu12
0,5
52
0,29
30
8,8
0,34
4,4
Al-Ni-Cu8
0,6
44
0,37
28
10,4
0,39
5,2
Al-Ni-Cu-Co15
0,75
48
0,43
28
12
0,33
6,0
Al-Ni-Cu-Co18
0,9
55
0,57
34
19,4
0,38
9,7
Al-Ni-Cu-Co-Ti5
0,8
87
0,5
56
28
0,4
14
Al-Ni-Cu-Co-Ti2
1,1
58
0,77
38
29,4
0,46
14,8
ALNICO24
Al-Ni-Cu-Co24
!,23
44
0,95
34
32
0,59
16
MAGNICO
Al-Ni-Cu-Co-Nb
1,2
51
0,85
37
32
0,52
16
Al-Ni-Cu-Co25
1,33
54
1,14
46
52,8
0,74
26,4
Al-Ni-Cu-Co-Nb
1,28
62
1,05
50
52,8
0,67
26,4
Tipo
HL
BLHL
(kA/m) T.kA/m
ALNICO15
ALNICO18
Figura 12.4.1.
57
Como impossvel obter pedaos pequenos das ligas Fe-Ni-Al recorre-se s tcnicas
metalrgicas porosas, que permitem a produo de magnetos permanentes com ou sem
aglutinantes. Os do primeiro tipo, isto com aglutinantes so chamados magneto metal
cermicos e os do segundo, magneto metal plsticos.
Os magnetos metais plsticos tm uma alta resistividade eltrica, o que o torna capaz de
us-los em equipamentos apropriados para operar em campos magnticos de alta
frequncia.
Composio
Qumica % Fe
Br (T)
Hc kA/m
Kcon
Wmax kJ/m3
Metal
cermico
base MAGNICO
50
0,47
11,7
Metal plstico
0,3
38
0,28
1,62
Tipo do material
Br (T)
Hc (kA/m)
Wmax (kJ/m3)
36-38,5
0,77
0,54
55
36-38,5
0,82
0,56
65
36-38,5
0,85
0,52
65
36-38,5
0,90
0,50
72
% Cobalto
% Cobalto
Samrio
Samrio e
Praseodmio
Como visto na tabela, a fora coercitiva do material grande (to alta quanto as das ligas
de Al-Ni-Co-Fe) e, portanto, a energia magntica inicial excede a da maioria dos materiais
magnticos usados. A introduo de novos materiais na indstria assegura progresso no
desenvolvimento de dispositivos usando magnetos permanentes.
58
A mistura prensada e vulcanizada, tornando-se uma soluo slida, como, por exemplo,
ZnFe2O3. Por suas propriedades eltricas as ferrites so semicondutores e suas propriedades
magnticas so funes dos elementos que entram na mistura. Contrariamente aos
materiais magneto-dieltricos, as ferrites so saturveis. As ferrites formadas por xido de
zinco e de nquel possuem r inicial da ordem de 1000.
13.2. Ferrites
Figura 13.2.1.
Uma das diferenas est em que as ferrites tem uma estrutura cristalina com duas subgrades
que produzem fluxos magnticos no compensados antiparalelos, e a outra diferena que
as ferrites so de natureza no-metlica.
Por causa da alta resistividade, de 106 a 1011 vezes a do ferro, asseguram a no circulao
de correntes parasitas em altas frequncias. Apresentam propriedades magnticas
suficientemente altas, tornando-as bastante atrativas para aplicaes em altas frequncias.
59
As ferrites tem uma grade cristalina cbica, como a que ocorre naturalmente na forma
MgOAl2O3. Como o ferromagneto natural (magnetita), MgOFe2O3, a maioria das
composies deste tipo apresentam propriedades magnticas, enquanto ZnOFe2O3 e
CdOFe2O3 so no-magnticos. As pesquisas mostram que a presena ou ausncia de
propriedades magnticas depende da estrutura do cristal, em particular da localizao dos
ons dos metais divalentes e ferro entre ons de oxignio.
O processo de produo segue os seguintes passos: uma mistura dos xidos metlicos
calcinada, transformada em um p fino; atravs do lcool polivinlico toma um aspecto
plstico, sendo prensada para tomar forma sob alta presso ento sinterizada de 1100 a
14000C para formar solues slidas de ferrites.
Mesmo uma pequena quantidade de hidrognio no espao de um forno pode causar uma
reduo parcial do xido, conduzindo a um aumento aguado da perda magntica em
produtos prontos.
Observa-se da curva de histerese que esta ferrite tem uma induo mxima acima de 0,3 T
e uma fora coercitiva em torno de 16 A/m. As ferrites que mostram alta permeabilidade
em campos variveis dissipam muita energia. A perda de energia cresce rapidamente com a
frequncia.
60
As bandas de frequncia aproximada dentro das quais podem operar diferentes ferrites
dependem de suas caractersticas, permeabilidade e perda de energia conforme mostrado
na Figura 13.2.1.3.
inic
max
H A/m
em max
inic x
10-6 em
20 a
700C
Ni-Zn, alta
freqncia
Top 0C
(m)
6000
10000
12
0,2-1,5
60
0,005
0,1
110
2000
3500
20
-2 a 4,5
45
0,35
0,5
180
1000
2000
80
-0,5 a
8,5
45
0,7
0,5
180
700
2000
120
0,2-1,0
20
220
2000
7000
12
300
0,2
10
70
600
1600
56
125
1,2
100
110
200
300
160
65
1000
120
Mn-Zn
Freq.
tg/inic
Limite
6
x10 em
em MHz
H=8A/m
tg = 0,1
330
60
540
560
50
55
10
100
280
720
35
104
360
150
350
640
25
104
360
360
450
50
1170
800
10
70
10
10
40
3600
120
250
108
61
(13.2.2.1)
Figura 13.2.2.1.
Assim, uma temperatura que varia de 200C a 600C causa uma fora coercitiva de
diferentes classes de ferrites cair de 33 a 50%, e a densidade de fluxo residual de 35%.
Hc (A / m)
Br (T)
Krec
Sq (C/m)
8-300
0,1-0,25
0,7-0,98
14-340
26-53
Ncleos de permalloy *
8-40
0,7-1,5
0,92-0,98
480-780
25-100
Tipo de material
Sq : coeficiente de chavemento;
* : compostos de 2 a 10 m de chapas finas.
62
Tabela 13.2.3.1.
Composio
L/L x 106
FeO Fe2O3
40
Permalloy
45Ni, 55Fe
27
Ferrite manganesa
MnO Fe2O3
-2
-5
Material
Ferrite Ni-Zn
Ferrite de litio
Ferrite de cobalto
1+
3+
Li Fe
Co
2+
0,35
3+
Fe2 O4
Fe23+
O4
-8
Perto de -200
Magnetostrio:
Quando um monocristal ferromagntico colocado num campo magntico est sujeito a
encolher ou expandir. Esta propriedade a magnetostrio. Um monocristal de ferro
mostra variaes em magnetostrio sobre diferentes eixos no cristal. Quando magnetizado
ao longo de um cubo, expande na direo diagonal e encolhe na direo da magnetizao
em materiais policristalinos.
13.2.5. Magnetodieltricos
Ncleos a base de ferro carbonyl tm uma estabilidade suficientemente alta, baixa perda de
energia e coeficiente de temperatura de permeabilidade positivo. So disponveis para uso
em uma vasta classe de frequncia.
63
Por causa da presena das ferrites, agora disponveis no mercado dentro de um vasto
espectro, estas oferecem um nmero de vantagens sobre os magnetodieltricos, os quais
perderam um pouco sua importncia tcnica, ficando com aplicaes limitadas.
Tabela 13.2.5.1.
Tipo material
R x 106 K-1
tgH/Hinic
(m/A)
Frequncia
Limite
(MHz)
Base ferro-carbonyl
5-16
50-100
1,25-6,26
50
Base alsifer
20-65
-200 a -400
15-62,5
0,1
Composies
Complexas
baseadas em mistura de alsifer
com outros ferromagnetos
20-60
-150 a 50
15-62,5
Contm de 3,2 a 3,5% de carbono, silcio, mangans, fsforo e enxofre. So usados para
estruturas de mquinas eltricas, mancais magnticos, lminas.
13.3.2. Ao-Carbono
Contm de 0,08 a 0,2% de carbono e geralmente usado para partes fundidas que esto
sujeitas a recozimento de 850 a 9000C. Para mquinas eltricas especiais ou altamente
crticas e tambm para mquinas fracamente modeladas, necessrio usar ao com
propriedades mecnicas melhoradas, ligas com nquel, vandio, cromo e molibdnio. Aps
o endurecimento, as partes feitas com as ligas devem ser recozidas de 650 a 7000C para
aliviar tenses internas.
64
14. SEMICONDUTORES
14.1. Informaes Gerais
O controle da conduo eltrica em semicondutores por calor, luz, campo eltrico e fora
mecnica classifica os princpios de operao dos respectivos resistores trmicos
(termistores), fotorresistores, resistores no-lineares (varistores) e tensorresistores.
Tabela 14.1.1. Resistividade de Materiais a 20 oC.
Classe
Condutores
Semicondutores
Dieltricos
( m)
Sinal de
Tipo de Conduo
10-8 10-5
Eletrnica
-6
Eletrnica
16
Inica e eletrnica
10 10
10 - 10
Boro
III
1,1
Silcio
IV
1,12
Germnio
IV
0,72
Fsforo
1,5
Arsnico
1,2
Enxofre
VI
2,5
Selnio
VI
1,7
Telrio
VI
0,36
Iodo
VII
1,25
Elemento
65
Os semicondutores compostos tem a frmula geral AIVBIV, como SiC, AIIIBV, como InSb,
GaAs, GaP, e AIIBVI como CdS, ZnSe, e tambm alguns xidos como Cu2O e substncias
de composies complexas.
Dentre as propriedades dos semicondutores destacam-se: longa vida til; pequeno tamanho
e massa; construo potente, confivel e simples ( prova de choque e vibraes); ausncia
de filamentos nos circuitos, consumo baixo de pot6encia e alta velocidade de resposta; e
baixo custo quando produzido em larga escala.
Para cada eltron excitado, para a banda de conduo, fica uma lacuna em uma ligao
covalente, ou no conceito de bandas, um estado deixado livre.
Figura 14.2.1.
Uma vez que existem dois tipos de portadores de cargas carregadas em um semicondutor
intrnseco, a expresso da condutividade eltrica deve ser modificada para considerar a
contribuio da corrente de lacunas:
= n e e + p e e
(14.2.1.1)
sendo:
n
e e : mobilidade das lacunas, que sempre inferior a mobilidade dos eltrons nos
semicondutores.
66
Na perspectiva das bandas de energia este eltron pode ser visto como um novo nvel de
energia, localizado dentro da banda proibida, logo abaixo da banda de conduo.
Portanto, a energia necessria para excitar este eltron bem menor que a largura da banda
proibida.
Figura 14.2.2.1.1.
Se uma impureza com 3 eltrons na camada de valncia (boro, por exemplo) colocada na
rede cristalina do silcio, ou do germnio, hever deficincia de 1 eltron para compor as
ligaes covalentes com 4 tomos vizinhos. Desta forma, uma lacuna gerada.
Uma impureza deste tipo dita aceitadora e apenas 1 portador de carga, 1 lacuna, criada
quando um tomo deste tipo de impureza introduzido. Neste tipo de semicondutores o
nmero de lacunas (partculas carregadas positivamente) excede largamente o nmero de
eltrons e o semicondutor dito do tipo P.
Figura 14.2.2.2.1.
67
Figura 14.3.1.1. Relao entre densidade de carga e de temperatura para um semicondutor com vrias
concentraes de impurezas doadoras.
68
/
l / l
(14.3.2.1)
14.3.4. Fotoconduo
a mxima conduo eltrica mostrada por uma substncia quando exposta radiao
eletromagntica.
69
70
14.4.2. Silcio
14.4.3. Selnio
72
Densidade a 20 C, Mg/m
-1
Germnio
Silcio
Selnio
5,3
2,3
4,8
6x10
Condutividade trmica, /m K
-6
4,2x10
-6
50x10-6
55
80
333
710
330
936
1414
217-220
0,68 m
2000 m
0,72
1,12
1,7-1,9
0,39
0,14
0,19
0,05
0,2x10-4
Potencial de ionizao, V
8,1
8,14
9,75
Permissividade
16
12,5
0,6 N/m
0,72
0,11
Ponto de fuso, C
0
Resistividade intrnseca a 20 C
0
Mobilidade do eltron, m / V s
2
73
um mineral artificial, de composio SiCx (x1) que pertence a compostos AIVBIV, isto
composies do quarto grupo da tabela peridica. Sua composio estequiomtrica tem
70,045 % de Si e 29,955 % de C.
Figura 14.5.1.1.
Propriedade
Valor
Densidade, Mg/m
3,2
10-40
620-750
4 7 x 10-6
2,8 3,1
Mobilidade eletrnica a 20 C, m / V s
0,01 0,05
0,002 0,005
Permissividade
6,5 7,5
74
A conduo eltrica nos varistores causada pelas vrias cadeias paralelas de gros de
contato com uma larga faixa na tenso de ruptura entre os contatos nas vrias cadeias.
Sua banda de energia excede a do germnio e do silcio, embora no seja muito grande. Sua
mobilidade eletrnica maior que a do germnio e silcio, mas a mobilidade dos buracos
comparvel com a do silcio. A introduo de Zn, Cd e Cu serve como receptores cujos
nveis de energia passam de 0,08 a 0,37 eV e permanecem abaixo do mximo da banda de
valncia do GaAs.
Figura 14.5.2.1. Condutividade do AsGa tipo P com vrias concentraes de impurezas como
funo da temperatura.
75
produzido pela fuso de ndio de alta pureza e antimnio, tomado numa relao
estequiomtrica. As curvas de condutividade temperatura esto na figura.
materiais OLED (Organic Light Emitting Diode / Diodo Orgnico Emissor de Luz);
outros.
16. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
76