EXPERIMENTO N 1

I.

OBJETIVOS: UTILIZAR CARACTERISTICAS DE OPERACIN DE LOS

DIODOS SEMICONDUCTORES

II.

INFORME PREVIO

EL DIODO
Las propiedades de los materiales semiconductores se conocan en 1874, cuando se
observ la conduccin en un sentido en cristales de sulfuro, 25 aos ms tarde se
emple el rectificador de cristales de galena para la deteccin de ondas. Durante la
Segunda Guerra Mundial se desarroll el primer dispositivo con las propiedades que
hoy conocemos, el diodo de Germanio.

POLARIZACIN

DIRECTA
El nodo se conecta al positivo de la
batera y el ctodo al negativo.

INVERSA
el nodo se conecta al negativo y el
ctodo al positivo de la batera

CIRCUITO

CARACTERSTICAS

El diodo conduce con una cada de tensin de 0,6 a

0,7V. El valor de la resistencia interna sera muy
bajo. Se comporta como un interruptor cerrado

El diodo no conduce y toda la tensin de la pila

cae sobre el. Puede existir una corriente de fuga
del orden de A. El valor de la resistencia interna
sera muy alto Se comporta como un interruptor
abierto.

DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo
conducen en
polarizacin directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no conducen. Estas
caractersticas
son las que permite a este tipo de diodo rectificar una seal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso
que
pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema
americano, la referencia consta del prefijo 1N seguido del nmero de serie, por
ejemplo: 1N4004. La N significa que se trata de un semiconductor, el 1 indica el
nmero de uniones PN y el 4004 las caractersticas o especificaciones exactas del
dispositivo. En el sistema europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por
ejemplo: BY254. En este caso, la B indica el material (silicio) y la Y el tipo
(rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean sus propias referencias, por
ejemplo: ECG581.

DIODO ZNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener
un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados
inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con
capacidad de watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828
BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia
mxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ)

DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP; si

este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar, amarilla,
verde o azul dependiendo de su composicin.
Los LEDs se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la cada de
voltaje directa (VF), el mximo voltaje inverso (VR), la mxima corriente directa (IF) y
la intensidad luminosa. Tpicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LEDs
con valores de IF desde menos de 20 mA hasta ms de 100 mA e intensidades desde
menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta ms de 4000 mcd. Entre mayor sea la
corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF depende del color,
siendo mnimo para LEDs rojos y mximo para LEDs azules.
Los LEDs deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la
corriente a travs de este a un valor seguro, inferior a la IF mxima.
Tambin deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso
superior a 5V causa generalmente su destruccin inmediata del LED.

DIODO TNEL
Los diodos tnel, tambin conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer
una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una regin de
resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje.
Esta ltima propiedad los hace muy tiles como detectores, amplificadores,
osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de alta frecuencia.

FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente
inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que
pasa por la ventana e incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz incidente,
mayor es la corriente inversa producida por que se genera un mayor nmero de
portadores minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en
fotografa, sistemas de iluminacin, contadores de objetos, sistemas de seguridad,
receptores de comunicaciones pticas y otras aplicaciones.

2.6 Principales caractersticas comerciales

A la hora de elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe cuidar que presente
unas caractersticas apropiadas para dicha aplicacin. Para ello, se debe examinar
cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las
caractersticas comerciales ms importantes de los diodos que aparecen en cualquier
hoja de especificaciones son:
1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente
continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra
ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento
por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres lmites:
o

Corriente mxima continua (IFM)

Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se

especifica tambin el tiempo que dura el pico

Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que

se especifica la frecuencia mxima del pico

1. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV;

Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el
fenmeno de ruptura por avalancha.
2. Tensin de pico inverso (Maximun Working Inverse Voltage): Es la
tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin
en inversa segura.
3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese
para diferentes valores de la tensin inversa

Resistencia dinmica
A la derivada de la tensin con respecto a la corriente en el punto de operacin se le
llama resistencia dinmica del diodo rD, y su expresin puede determinarse a partir del
modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede
despreciarse la unidad frente al trmino exponencial:

Como VT 25 mV, la expresin vlida para el clculo de la resistencia dinmica de un

diodo en funcin de la corriente de polarizacin continua puede escribirse de la
siguiente forma, llamada aproximacin de Shockley:

Esta aproximacin slo es vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa

del diodo.

III. MATERIALES YEQUIPOS:

1. Una fuente de corriente contina variable
2. Un multmetro
3. Un miliampermetro y un microamperimet4ro
4. Un diodo semiconductor de SI y GE
5. Un voltmetro de cc
6. Resistencia de 1k
7. Cables y conectores

IV. PROCEDIMIENTO
1. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de
silicio .registra los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1
a) Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y el voltaje
directo del diodo, registrar sus datos en la tabla 2.
b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos
procedentes como en a) registrando los datos en la tabla 3.

R directa

R inversa

30

Tabla 2
Vcc(v)

0,93
5

Id(mA)

0,1

Vd(v)

1,315 2,095 2,985

3,65

5,38

1,6

2,5

0,49 0,529 0,563 0,598

0,62

0,2

0,47

0,4

0,8

5,72 10,55
5

15,56 20,41

10

15

20

0,65 0,685

0,71

0,72

GRAFICA DE LA TABLA 2
25
20
15
Id(mA)

10
5
0
0.45

0.5

0.55

0.6
Vd(v)

Calculando la resistencia dinamica del diodo:

Para ID=0,2 mA

r D=

25 mV
0,2 mA

= 125

0.65

0.7

0.75

Para ID= 0,4mA

r D=

25 mV
=62,5
0,4 mA

Para ID= 5mA

r D=

25 mV
=5
5 mA

Tabla 3
vcc(v)
Vd(v)
Id(A)

0
0
0

2
0,595
1350

4
0,638
3450

6
8
0,66 0,675
5330 7400

Calculando la resistencia dinamica del diodo:

Para ID= 1350 A

r D=

25 mV
1350 A

Para ID= 3450

r D=

= 18,5

25 mV
=7,25
3450 A

Para ID= 7400

r D=

25 mV
=3,38
7400 A

10
0,686
9490

12
15
20
0,696 0,708 0,718
11400 14440 19400

GRAFICA DE LA TABLA 3
25000
20000
15000
Id(A)
10000
5000
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

Vd(v)

3. Usando el ohmmetro, medir la resistencia directa e inversa del diodo de germanio.

Registrar los datos en la tabla 4
TABLA 4
R directa
26

R inversa

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al paso

2 procederes a llenar la tabla 5 y 6.

vcc(v) 0,26
Id(mA
)
0
Vd(v)

0,26
TABLA 5

1,17
0,769 8

2,31
8

2,63
8

0,2

0,8
0,59
4

1,6
0,62
8

0,4
0,56
0,522 2

3,161 5,78

8,89

10,96 13,05 16,15 20,03

2,5

10

12

15

20

0,649 0,684 0,707 0,718 0,727 0,738 0,75

GRAFICA DE LA TABLA 5
25
20
15
Id(mA)

10
5
0
0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

Vd(v)

Calculando la resistencia dinamica del diodo:

Para ID=0,2 mA

r D=

25 mV
0,2 mA

= 125

Para ID= 0,8mA

r D=

25 mV
=31,25
0,8 mA

Para ID= 2,5mA

r D=

vcc(v) 0
Vd(v)

Id(A) 0
TABLA 6

25 mV
=10
2,5 mA

2
0,62
0,558 1
370

4
0,66
4

6
0,68
7

10

12

15

18

20

0,702 0,714 0,723 0,734 0,743 0,749

1100 1400 1700 1910
1300 3400 5300 7200 9200 0
0
0
0

GRAFICA DE LA TABLA 6
25000
20000
15000
Id(A)

10000
5000
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

Vd(v)

Para ID= 370 A

r D=

25 mV
370 A

Para ID= 3400

r D=

= 67,56

25 mV
=7,35
3400 A

Para ID= 9200

r D=

25 mV
=2.72
9200 A

Conclusiones:
Tanto el diodo de silicio como el de germanio conducen cuando lo polarizamos
directamente, se comportan como cortocircuito. Cuando estos se polarizan de manera
inversa se comportaran como circuito abierto tericamente pero en realidad existe una
pequea corriente fluye por el diodo en el orden de los microamperios ( A ).