Para que el BJT se polarice en su regin de operacin lineal o activa lo siguiente debe ser cierto:

1. La unin base-emisor debe polarizarse en directa (voltaje ms positivo en la regin p),

con el voltaje de polarizacin en directa resultante de cerca de 0.6 a 0.7 V.
2. La unin base-colector debe polarizarse en inversa (ms positivo en la regin n), con el
voltaje de polarizacin en inversa de cualquier valor dentro de los lmites del dispositivo.

[Observe que para la polarizacin en directa el voltaje a travs de la unin p-n es p positivo, en
tanto que para la polarizacin en inversa es opuesto (inverso) con n positiva. Este nfasis en la
letra inicial deber servir para memorizar la polaridad necesaria del voltaje.]

La operacin en las regiones de corte, saturacin y lineal de la caracterstica BJT se da como

sigue:
1. Operacin en la regin lineal:
Unin base-emisor polarizada en directa.
Unin base-colector polarizada en inversa.
2. Operacin en la regin de corte:
Unin base-emisor polarizada en inversa.
Unin base-colector polarizada en inversa.
3. Operacin en la regin de saturacin:.
Unin base-emisor polarizada en directa.
Unin base-colector polarizada en directa.

4.3 CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA

4.19 RESUMEN
Conclusiones y conceptos importantes
1. Independientemente de en qu tipo de configuracin se utilice un transistor, las relaciones
bsicas entre las corrientes siempre son las mismas y el voltaje de la base al emisor es el
valor de umbral si el transistor est en el estado de encendido.
2. El punto de operacin define dnde operar el transistor en sus curvas de caractersticas en
condiciones de cd. Para amplificacin lineal (distorsin mnima), el punto de operacin de
cd no deber estar demasiado cerca de los valores nominales mximos de potencia, voltaje
o corriente, y debern evitarse las regiones de saturacin y corte.
3. Para la mayora de las configuraciones, el anlisis se inicia determinando la corriente

de base.
4. Para el anlisis de una red de transistores, todos los capacitores se reemplazan por un equivalente
de circuito abierto.
5. La configuracin de polarizacin fija es la ms simple de las configuraciones de polarizacin
de transistores, aunque tambin es bastante inestable debido a la sensibilidad de la beta en
el punto de operacin.
6. La determinacin de la corriente del colector de saturacin (mxima) para cualquier configuracin
en general es fcil de realizar si se sobrepone un cortocircuito imaginario entre
el colector y el emisor del transistor. Entonces la corriente resultante a travs del corto es la
corriente de saturacin.
7. La ecuacin de la recta de carga de una red de transistores se determina aplicando la ley de
voltajes de Kirchhoff a la salida o a la red de colector. El punto Q se determina entonces
localizando la interseccin entre la corriente de base y la recta de carga trazada en las caractersticas
del dispositivo.
8. La configuracin de polarizacin estabilizada por emisor es menos sensible a los cambios
de beta, por lo que proporciona ms estabilidad para la red. Tenga en cuenta, sin embargo,
que cualquier resistencia en el emisor es vista en la base del transistor como un resistor
ms grande; un hecho que reducir la corriente de base de la configuracin.
9. La configuracin de polarizacin del divisor de voltaje es quiz la ms comn de todas las
configuraciones. Su popularidad se debe principalmente a su baja sensibilidad a los cambios
de beta de un transistor a otro del mismo lote (con la misma etiqueta de transistor). Se
puede aplicar el anlisis exacto a cualquier configuracin, aunque el aproximado slo
se puede aplicar si la resistencia de emisor reflejada vista en la base es mucho mayor que
el resistor de menor valor de la configuracin de polarizacin del divisor de voltaje conectada
a la base del transistor.
10. Al analizar la polarizacin de cd con una configuracin de realimentacin de voltaje, asegrese
de recordar que tanto el resistor de emisor como el resistor de colector se reflejan
de vuelta en el circuito de base por beta. La mnima sensibilidad a beta se obtiene cuando
la resistencia reflejada es mucho mayor que el resistor de realimentacin entre la base y el
colector.
11. Para la configuracin de base comn normalmente se determina la corriente de emisor
por la presencia de la unin base a emisor en la misma malla. Entonces se emplea el hecho
de que las corrientes de emisor y colector son esencialmente de la misma magnitud.
12. En general, una clara comprensin del procedimiento empleado para analizar una red con
un transistor en cd permitir un diseo de la misma configuracin con un mnimo de dificultad
y confusin. Basta que comience con las relaciones que reducen al mnimo el
nmero de incgnitas y luego tome algunas decisiones sobre los elementos desconocidos
de la red.
13. En una configuracin de conmutacin, un transistor cambia con rapidez entre la saturacin
y el corte, o viceversa. En esencia, la impedancia entre el colector y el emisor se puede
representar de forma aproximada como un cortocircuito en el caso de saturacin y
como circuito abierto en el caso de corte.
14. Cuando verifique la operacin de una red de transistor de cd, primero compruebe que el voltaje
de la base al emisor es de cerca de 0.7 V y que el voltaje del colector al emisor es de
entre 25% y 75% del voltaje aplicado VCC.
15. El anlisis de la configuracin pnp es exactamente el mismo que se aplic a transistores npn
excepto que las direcciones de la corriente se invertirn y los voltajes tendrn polaridades
opuestas.
16. Beta es muy sensible a la temperatura y VBE se reduce aproximadamente 2.5 mV (0.0025 229
V) por cada 1 de incremento de temperatura en la escala Celsius. La corriente de saturacin
en inversa por lo general se duplica por cada incremento de 10 de la temperatura Celsius.
17. Tenga en cuenta que las redes ms estables y menos sensibles a los cambios de temperatura
tienen los factores de estabilidad mnimos.