TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

Desarrollado en los Laboratorios Telefnicos Bell, ao1947.

Todos los dispositivos y sistemas electrnicos en la

actualidad son resultado del desarrollo del TBJ.

Existen dos tipos de transistores:

1. Transistor Bipolar de Juntura (TBJ).

2. Transistor de Efecto de Campo (FET).

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

La estructura de un transistor bipolar de juntura determina sus
caractersticas de operacin.
El TBJ se construye con 3-regiones de semiconductor
dopado, separadas por 2 junturas PN. Las 3-regiones se
denominan Emisor, Base, y Colector.

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

La juntura PN que une la regin de la Base con la de Emisor
se denomina juntura Base-Emisor [B-E].

La juntura que une la regin de la Base con la de Colector,
se denomina juntura Base-Colector [B-C].

Los terminales se etiquetan como E, B y C por Emisor, Base
y Colector, respectivamente

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

A fin de incrementar la Resistividad se emplea diferentes
niveles de dopaje.

OPERACIN DEL TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNTURA
Polarizacin Base-Emisor
La juntura Base-Emisor est
polarizada directamente,
provocando que la barrera de potencial disminuye,
esto hace que la corriente Emisor-Base sea alta.

OPERACIN DEL TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNTURA
Polarizacin Base-Colector
En este caso, la juntura Base-Colector queda polarizada
inversamente; entonces la barrera de potencial se hace ms
grande, la pequea corriente que fluye es la corriente de
saturacin inversa del diodo y se debe exclusivamente a los
portadores minoritarios.

OPERACIN DEL TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNTURA
Polarizacin Emisor, Colector respecto a la Base

IE=IB + IC

OPERACIN DEL TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNTURA

OPERACIN DEL TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNTURA

CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNTURA
Existen 3-configuraciones bsicas aceptables por su aplicabilidad:
Base-comn (B-C ),
Emisor-comn (E-C )y
Colector-comn (C-C )
El terminal comn sirve como referencia tanto para el terminal de entrada como
para el de salida

Dibuje las configuraciones restantes

CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNTURA

CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNTURA

CONFIGURACIN BASE-COMN
La base es comn para el terminal de entrada Emisor y para el de salida
Colector.
Las direcciones de las corrientes son las convencionales. (Portadores
mayoritarios)

En todos los casos:

Ie= Ic + Ib
Para describir totalmente el
funcionamiento del TBJ es
necesario
analizar
los
parmetros de entrada y salida.

CONFIGURACIN BASE-COMN
CURVAS CARACTERSTICAS DE ENTRADA EN BASE-COMN
Relaciona la corriente de entrada Ie con el voltaje de entrada Vbe para
varios niveles de voltaje de salida Vcb.

0.6 V: Cuando el transistor se encuentra

correctamente polarizado, transistor en
estado de conduccin, la juntura Base Emisor
adquiere el valor de 0,6V.

CONFIGURACIN BASE-COMN
CURVAS CARACTERSTICAS DE SALIDA EN BASE-COMN
Relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCE) para
diferentes valores de corriente de entrada (IE).
Regin Activa Normal
Conforme IE aumenta, tambin
aumenta IC en una magnitud casi
igual a IE.

Aqu se distinguen las diferentes

regiones de operacin.
Regin activa.
Regin de saturacin.
Regin de corte.

CONFIGURACIN BASE-COMN
CURVAS CARACTERSTICAS DE SALIDA EN BASE-COMN
A. Regin Activa
Los amplificadores lineales [sin distorsin], generalmente trabajan en la
regin activa normal.
En la regin activa normal, la juntura B-C est polarizada inversamente,
mientras que la juntura B-E est polarizada directamente.
Conforme IE aumenta, tambin aumenta IC en una magnitud casi igual a
IE.
B. Regin de Corte
Cuando Ie=0 la corriente del Colector es la corriente de fuga (en orden
de mili ampers).
En la regin de corte, las junturas B-C y B-E del transistor estn
polarizadas inversamente.
El diodo no conduce.

CONFIGURACIN BASE-COMN
CURVAS CARACTERSTICAS DE SALIDA EN BASE-COMN
A. Regin de Saturacin
En la regin de saturacin, las junturas B-C y B-E del transistor estn
polarizadas directamente.
Puede observarse el incremento exponencial de IC para
pequeos incrementos de VB.

CONFIGURACIN BASE-COMN

del transistor
La alfa en corriente directa se define como

dc =

IC
IE

Los valores tpicos son de 0.9 a 0.998.

Si el punto de operacin se desplaza sobre la curva caracterstica, se define la alfa de
corriente alterna

ac =

I C
I E

VCB = constante

Los valores tpicos de ac son prcticamente iguales dc.

CONFIGURACIN BASE-COMN
A. EJEMPLO
Hallar la amplificacin de voltaje del transistor en base comn .

La polarizacin de CD no aparece en la figura puesto que nuestro inters

se limitar a la respuesta de CA.

CONFIGURACIN BASE-COMN
A. EJEMPLO
Hallar la amplificacin de voltaje del transistor en base comn si:
Rin=20
Ro= 100 K
Vin=20 mV sen (wt)
Rc=2,7k
Alfa=0,99
CONCLUSIN:
La accin bsica de amplificacin se produce al transferir una corriente
I desde un circuito de baja resistencia a uno de alta, de ah el nombre
TRANSISTOR .

CONFIGURACIN EMISOR-COMN
Configuracin de emisor comn para transistores NPN y PNP.

Es necesario estudiar las curvas caractersticas de entrada y salida para esta

configuracin.

CONFIGURACIN EMISOR-COMN
CURVAS CARACTERSTICAS DE ENTRADA EN EMISOR-COMN
Las caractersticas de entrada en emisor comn relacionan la corriente de
emisor IE, con el voltaje en la unin de emisor-base VBE para diferentes
valores del voltaje de salida VCE.

CONFIGURACIN EMISOR-COMN
CURVAS CARACTERSTICAS DE SALIDA EN EMISOR-COMN
Las caractersticas de salida en emisor comn relacionan la corriente de
colector IC, con el voltaje en la unin de colector-base VCE para diferentes
valores de la corriente de entrada Ib.

Regin de Saturacin

Aqu se distinguen las diferentes

regiones de operacin.
Regin activa.
Regin de saturacin.
Regin de corte.

CONFIGURACIN EMISOR-COMN

EJERCICIO UNO
Un transistor opera en la regin activa normal y tiene una corriente IB= 0,12
mA que genera una corriente IC=19,5 mA Qu corriente IC resulta para
una IB=0.15 mA? Considere un constante.

CONFIGURACIN EMISOR-COMN

EJERCICIO DOS
Para el circuito de la figura determinar:
a) Corriente de cada uno de los terminales.
Considere =100; Rb=220 K; VBB=10V