UNVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS-ESPE

Departamento de Elctrica y
Electrnica
Electrnica de Potencia
NRC: 2261

INFORME DE LABORATORIO No. 2

INTEGRANTES:
Crdenas
Mara
Crdova Alex
Vaca Paul
Wilchez Allen
Quito 11 de Mayo de 2015
ELECTRONICA DE POTENCIA

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1. Tema de la prctica:
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
2. Objetivos
Encontrar la curva caracterstica del Transistor.
Conocer el comportamiento del transistor en regin de SATURACION.
3.

Materiales
Transistor BJT
Osciloscopio
Resistencia de 1 y 100 K
Cables lagarto-lagarto
Puntas de osciloscopio

4. Marco Terico
TRANSISTOR BIPOLAR BJT
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como
los diodos, puede ser de germanio o silicio.
Un transistor bipolar se forma aadiendo una segunda regin p o n a un
diodo
de
unin
pn.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de
la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de
cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres:
base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con
la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.

En la siguiente grafica se encuentra la curva caracterstica de salida de

corriente de colector Ic en funcin del voltaje colector-emisor V CE

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CONFIGURACION EMISOR COMUN

El emisor es comn a la entrada (base-emisor) y a la salida (colector-emisor).
(Rashid, 2004)

Y con esto podemos decir que:

Si variamos VCC no vara la malla 1 es decir no cambia IB

Si IB es suficientemente alta para que V CE sea bajo entonces el transistor
actuara como INTERRPTOR esto se da en la REGION DE
SATURACION.
Si IBsat es mayor que la corriente de base IB entonces el transistor trabaja
en la regin de CORTE

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5. SIMULACION
Circuito Usando Transistor 3904

Corriente Colector

Voltaje Colector Emisor

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Corriente de Base

En esta parte podemos constatar que a pesar de variar el voltaje Vcc no afecta
la primera malla es decir la corriente de base I B.
Voltaje Base y Colector

IC
IB

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3

11.827 10
6
113.687 10

=104.031

6. Tabulacin de datos

Tabla 1 Datos del circuito

Medido
s
Terico

Voltaje
secundario
[V]
14,2

Voltaje
max [V]

Voltaje
rms [V]

Voltaje
carga [V]

Corriente
caraga [mA]

Corriente
rms [mA]

19,8

14,8

10,804

12

12,6

12

16,971

12

12,3

10,804

12

7. Errores
Tabla 2 Errores entre valores teoricos y medidos

Voltaje
secundario [V]
Voltaje max [V]
Voltaje rms [V]
Voltaje carga
[V]
Corriente
caraga [mA]
Corriente rms
[mA]

error %
(Te/Me)
15,49

8. Anlisis de resultados
9. Conclusiones

10.

Recomendaciones

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14,28
18,92
12,16
9,96
4,7

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11.

Referencias

Rashid, M. (2004). Electronica de Potencia. En M. Rashid, Electronica de

Potencia circuitos, dispositivos y aplicaciones (pg. 39). PEARSON.
repository.upb.edu.co. (s.f.). Obtenido de
http://repository.upb.edu.co:8080/jspui/bitstream/123456789/74/1/Funda
mentos%20de%20Electr%C3%B3nica%20Industrial%20-%20Hern
%C3%A1n%20Valencia%20Gall%C3%B3n.pdf
Semiconductor, O. (s.f.). Diodo MBR340. Datasheet. On Semiconductor.

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Ilustracin 1 Datos obtenidos en la prctica

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(Semiconductor)

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