vg

Concepto de ganancia de potencia (I) (Gp:) Zg (Gp:) Amplificador de seal de RF (Gp:) + (Gp:) ZL (Gp:)
vg (Gp:) Ze (Gp:) Zs (Gp:) + (Gp:) vso (Gp:) ie (Gp:) is Potencia de entrada: pe = (ie ef)2Re[Ze] Potencia
de salida: ps = (is ef)2Re[ZL] Ganancia de potencia: Gp = ps/pe Para un amplificador dado (Ze y Zs
conocidas), GP es funcin de ZL Ojo: No valora la adaptacin de impedancias entre generador y
amplificador

Concepto de ganancia de potencia (II) Potencia de entrada: pe = (ve ef)2Re[Ye] Potencia de salida: ps =
(vs ef)2Re[YL] Ganancia de potencia: Gp = ps/pe (Gp:) vs (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) Amplificador de seal de
RF (Gp:) Zg (Gp:) + (Gp:) ZL (Gp:) vg (Gp:) Ye (Gp:) Ys (Gp:) iscc (Gp:) ve (Gp:) + (Gp:) - Con
un modelo de admitancias

Concepto de potencia disponible en un generador (Gp:) Zg (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) ZL Es la mxima

potencia que puede entregar un generador a una carga (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) ZL (Gp:) jXg (Gp:) Rg (Gp:)
RL (Gp:) jXL (Gp:) ig (Gp:) Zg Mxima transferencia de potencia (ZL = Zg*): Re[ZL] = Re[Zg] ? RL = Rg
Im[Ze] = - Im[Zg] ? XL = -Xg Pgd = (ig ef)2RL = (ig ef)2Rg = (vg ef/2Rg)2Rg = (vg ef)2/4Rg

Concepto de ganancia de potencia disponible de un amplificador (Gp:) Zg (Gp:) Amplificador de seal de

RF (Gp:) + (Gp:) ZL (Gp:) vg (Gp:) Ze (Gp:) Zs (Gp:) + (Gp:) vso Potencia disponible entrada: ped = (vg
ef)2/4Re[Zg] Potencia disponible de salida: psd = (vso ef)2/4Re[Zs] Ganancia de potencia disponible: Gpd
= psd/ped Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPd es funcin de Zg Valora la adaptacin de
impedancias entre generador y amplificador

Concepto de ganancia de potencia de transduccin de un amplificador Potencia disponible entrada: ped =

(vg ef)2/4Re[Zg] Potencia de salida: ps = (is ef)2Re[ZL] Ganancia de potencia de tranduccin: Gpt =
ps/ped Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPt es funcin de Zg y ZL (Gp:) Zg (Gp:)
Amplificador de seal de RF (Gp:) + (Gp:) ZL (Gp:) vg (Gp:) Ze (Gp:) Zs (Gp:) + (Gp:) vso (Gp:) is Valora
la adaptacin de impedancias entre generador y amplificador y entre amplificador y carga

(Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) + (Gp:) 20ve (Gp:) 75 W (Gp:) 50 W (Gp:) 300 W (Gp:) 75 W (Gp:) ve (Gp:) + (Gp:)
- (Gp:) vs (Gp:) + (Gp:) - Ejemplo de clculo de ganancias (I) AV = vs/ve = 2075/(300+75) = 4 = 20log(4)
[dB] = 12,04 dB pe = (ve ef)2/50 ps = 75[20ve ef/(300+75)]2 ped = (vg ef)2/(475) psd = (20ve ef)2/
(4300) ve = vg50/(50+75) Gp = ps/pe = 10,67 = 10log(10,67) [dB] = 10,28 dB Gpd = psd/ped = 16 =
10log(16) [dB] = 12,04 dB Gpt = ps/ped = 10,24 = 10log(10,24) [dB] = 10,10 dB

Condiciones para la mxima transferencia de potencia entre el generador de seal y el amplificador y

entre el amplificador y la carga (Gp:) Zg (Gp:) Amplificador de seal de RF (Gp:) + (Gp:) ZL (Gp:) vg (Gp:)
Ze Re[Ze] = Re[Zg] Im[Ze] = - Im[Zg] Ze = Zg* Re[ZL] = Re[Zs] Im[ZL] = -Im[Zs] ZL = Zs* (Gp:) Zs (Gp:) +
(Gp:) vso

Modo de conseguir la mxima transferencia de potencia (Gp:) Amplificador de seal de RF (Gp:) ZL (Gp:)
Zg (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) Ze (Gp:) Zs (Gp:) + (Gp:) vso (Gp:) Red adaptacin de entrada (no disip.) (Gp:)
Red adaptacin de entrada (no disip.) (Gp:) ZeRed ent = Zg* (Gp:) Red adapt. de entrada (Gp:) Ze (Gp:)
ZeRed sal = Zs* (Gp:) Red adapt. de salida (Gp:) ZL

Ejemplo de clculo de ganancias con redes de adaptacin de impedancias ve = 0,5vg ve =

(50/75)1/2ve vs = 0,520ve vs = (75/300)1/2vs AV = vs/ve = 10(75/300)1/2(50/75)1/2 = 4,08 =
20log(4,08) [dB] = 12,21 dB pe = ped = (vg ef)2/(475) ps = psd = (20ve ef)2/(4300) ve =
(50/75)1/20,5vg Gp = Gpd = Gpt = ps/pe = 16,67 = 10log(16,67) [dB] = 12,21 dB (coincide en este caso
particular con AV, pero es slo por ser Rg = RL) (Gp:) (75/50)1/2:1 (Gp:) (300/75)1/2:1 (Gp:) + (Gp:) vg
(Gp:) + (Gp:) 20ve (Gp:) 75 W (Gp:) 50 W (Gp:) 300 W (Gp:) 75 W (Gp:) ve (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) vs
(Gp:) + (Gp:) - (Gp:) ve (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) vs (Gp:) + (Gp:) -

Ejemplo de la importancia de la adaptacin de impedancias (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) + (Gp:) 50ve (Gp:) 200
W (Gp:) 50 W (Gp:) 200 W (Gp:) 50 W (Gp:) ve (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) vs (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) + (Gp:) vg
(Gp:) + (Gp:) 50ve (Gp:) 200 W (Gp:) 50 W (Gp:) 200 W (Gp:) 50 W (Gp:) ve (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) vs
(Gp:) + (Gp:) - (Gp:) ve (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) vs (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) 2:1 (Gp:) 2:1 Sin adaptacin: Gpt =
64 = 18,06 dB Con adaptacin: Gpt = 156,25 = 21,93 dB

Modos de medir le grado de adaptacin de impedancias Coeficientes de reflexin: En la entrada: Ge = (Ze

Zo)/(Ze + Zo) (Zo = impedancia de referencia) En la salida: Gs = (Zs Zo)/(Zs + Zo) (Zo = impedancia
de referencia) Relacin de Ondas Estacionarias (ROE, SWR): En la entrada: ROEe = (1 + Ge)/(1 Ge) En la salida: ROEs = (1 + Gs)/(1 - Gs) Prdidas de potencia por desadaptacin PL: En la
entrada: PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg)2] En la salida: PLs = -10log[1 - (Zs ZL*)/(Zs +
ZL)2]

Modos de medir le grado de adaptacin de impedancias en el ejemplo anterior Ge = (Ze Zo)/(Ze + Zo) =
50/150 = 0,33 Gs = (Zs Zo)/(Zs + Zo) = 150/250 = 0,6 ROEe = (1 + Ge)/(1 - Ge) = 2 ROEs = (1 +
Gs)/(1 - Gs) = 4 PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg)2] = 0,51 dB PLs = -10log[1 - (Zs
ZL*)/(Zs + ZL)2] = 1,94 dB (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) + (Gp:) 50ve (Gp:) 50 W (Gp:) 100 W (Gp:) 200 W
(Gp:) 50 W (Gp:) ve (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) vs (Gp:) + (Gp:) - Zo = Ro = 50 W Rg = RL = 50 W

Tipos de redes no disipativas de adaptacin de impedancias De banda ancha con transformador De

banda estrecha (Gp:) Redes no disipativas de adaptacin (Gp:) Con transformador Sin transformador
(Gp:) + (Gp:) nv1 (Gp:) ni2 (Gp:) v1 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i2 (Gp:) v2 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i1 (Gp:) 1:n
(Gp:) v1 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) v2 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i2 (Gp:) i1 Teora del transformador ideal (I) v2 = v1n
i2 = i1/n p1 = v1i1 = v2i2 = p2

v2 = v1n i2 = i1/n v2 = R2i2 Calculamos R1 = v1/i1: R1 = v2/(i2n2) = R2/n2 (Gp:) 1:n (Gp:) v1 (Gp:) +
(Gp:) - (Gp:) v2 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i2 (Gp:) i1 (Gp:) R2 (Gp:) + (Gp:) v1 Teora del transformador ideal (II)
R1 = R2/n2 (Gp:) R1 Primera aproximacin al comportamiento real: inductancia y corriente magnetizante
(I) (Gp:) im (Gp:) Lm i1 = i2n + im Calculamos i1/v1 = Y1: Y1(s) = n2/R2 + 1/(Lms) Z1(s) = v1/i1 = 1/Y1(s)
(Gp:) 1:n (Gp:) v1 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) v2 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i2 (Gp:) i1 (Gp:) ni2 (Gp:) R2 Modelo que
tiene en cuenta que la transferencia de energa se realiza por un campo mgntico

Hay un cero en cero y un polo en fC = R2 /(2pLm) Primera aproximacin al comportamiento real:

inductancia y corriente magnetizante (II) Por tanto: Z1(s) = 1/[n2/R2 + 1/(Lms)] (Gp:) Z1(s), Y1(s) (Gp:) im
(Gp:) Lm (Gp:) 1:n (Gp:) v1 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) v2 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i2 (Gp:) i1 (Gp:) ni2 (Gp:) R2 Si
llamamos R2 = R2/n2, obtenemos: Z1(s) = R2Lms/(R2 + Lms) Z1(jw) = jwR2Lm/(R2 + jwLm)
(Gp:) 0,1fC (Gp:) fC (Gp:) 10fC (Gp:) R2 (Gp:) R2/10 (Gp:) R2/100 (Gp:) Z1(jw) [W] (Gp:) fC (Gp:)
0,7R2

Segunda aproximacin al comportamiento real: inductancias magnetizante y de dispersin

(I) Modelos que tienen en cuenta que el acoplamiento entre devanados no es perfecto (Gp:) 1:n (Gp:) v1
(Gp:) + (Gp:) - (Gp:) v2 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i2 (Gp:) i1 (Gp:) ni2 (Gp:) im (Gp:) Lm (Gp:) Ld1 (Gp:) Ld2
(Gp:) Modelo en T (Gp:) 1:n (Gp:) v1 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) v2 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i2 (Gp:) i1 (Gp:) ni2
(Gp:) im1 (Gp:) Lm1 (Gp:) Ld (Gp:) im2 (Gp:) Lm2 (Gp:) Modelo en p

Segunda aproximacin al comportamiento real: inductancias magnetizante y de dispersin (II) (Gp:)

Modelo aproximado muy usado (Gp:) 1:n (Gp:) v1 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) v2 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i2 (Gp:) i1
(Gp:) ni2 (Gp:) im (Gp:) Lm (Gp:) Ld (Gp:) R2 (Gp:) Z1(s), Y1(s) Z1(s) = Lds + R2Lms/(R2 + Lms)
Z1(jw) = jwLd + jwR2Lm/(R2 + jwLm) (Gp:) 0,1fC (Gp:) fC (Gp:) 10fC (Gp:) R2 (Gp:) R2/10 (Gp:)
Z1(jw) [W] (Gp:) fCi (Gp:) 0,7R2 (Gp:) fCs (Gp:) 1,4R2 (Gp:) 10R2 Hay un cero en cero, un cero
en fCs = R2 /(2pLd) y un polo en fCi = R2 /(2pLm)

Tercera aproximacin al comportamiento real: inductancias y capacidades parsitas (I) (Gp:) Z1(s), Y1(s)
(Gp:) R2 (Gp:) 1:n (Gp:) v1 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) v2 (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) Lm (Gp:) Ld (Gp:) Cp1 (Gp:) Cp2
Modelos que tienen en cuenta acoplamientos capacitivos de los devanados entre s y con el ncleo (Gp:)
Cp3 (Gp:) f1 (Gp:) 10f1 (Gp:) R2 (Gp:) R2/10 (Gp:) Z1(jw) [W] (Gp:) 10R2 (Gp:) R2/100 (Gp:)
100f1 (Gp:) 1000f1

(Gp:) Margen de uso Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda ancha (I)
Solamente vlido en el caso de impedancias resistivas (Gp:) R2 = R2/n2 Por diseo: Rg = R2 (Gp:) R2
(Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) 1:n (Gp:) Lm (Gp:) Rg (Gp:) 0,1fC (Gp:) fC (Gp:) 10fC (Gp:) R2 (Gp:) R2 /10
(Gp:) Z1(jw) [W] (Gp:) Z1(jw)

(Gp:) Margen de uso (domina R2) Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda
ancha (II) Modelo ms elaborado Por diseo: Rg = R2 (Gp:) Z1(jw) (Gp:) R2 = R2/n2 (Gp:) R2 (Gp:)
1:n (Gp:) Lm (Gp:) Ld (Gp:) Cp1 (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) Rg (Gp:) f1 (Gp:) 10f1 (Gp:) R2 (Gp:) R2/10
(Gp:) Z1(jw) [W] (Gp:) 10R2 (Gp:) R2/100 (Gp:) 100f1 (Gp:) 1000f1 (Gp:) Domina Ld (Gp:) Domina
Lm (Gp:) Domina Cp1 (Gp:) Resonancia Cp1 Ld

Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda estrecha (I) (Gp:) R2 = R2/n2 (Gp:)
R2 (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) 1:n (Gp:) Lm (Gp:) Rg (Gp:) Z1(jw) (Gp:) Cr Se aade un condensador para
cancelar la reactancia inductiva de la inductancia magnetizante (Gp:) f1 (Gp:) 10f1 (Gp:) R2 (Gp:)
R2/10 (Gp:) Z1(jw) [W] (Gp:) 10R2 (Gp:) R2/100 (Gp:) 100f1 (Gp:) 1000f1 (Gp:) Con Cr (Gp:) Sin
Cr Con Cr conseguimos: Comportamiento selectivo. Comportamiento real a menor frecuencia para la
misma Lm (menor Lm si quisiramos comportamiento real a la misma frecuencia).

Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda estrecha (II) Si la admitancia de

entrada es parcialmente capacitiva, su efecto se aade al del condensador resonante (Gp:) R2 (Gp:) +
(Gp:) vg (Gp:) 1:n (Gp:) Lm (Gp:) Rg (Gp:) Cr (Gp:) C2 Cr = Cr + C2n2 (Gp:) fr = (Gp:) 1 (Gp:) 2p
LmCr (Gp:) Y1(jw) =1/R2 + jwC2

Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda estrecha (III) Con un modelo ms
exacto del transformador Comportamiento bastante independiente de los parsitos del transformador
(Gp:) Z1(jw) (Gp:) Cr (Gp:) R2 (Gp:) 1:n (Gp:) Lm (Gp:) Ld (Gp:) Cp1 (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) Rg (Gp:) R2
(Gp:) R2/10 (Gp:) Z1(jw) [W] (Gp:) 10R2 (Gp:) R2/100 (Gp:) f1 (Gp:) 10f1 (Gp:) 100f1 (Gp:)
1000f1 (Gp:) Con Cr (Gp:) Sin Cr

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (I) Supongamos
inicialmente impedancias resistivas en el generador y la carga (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) jXs (Gp:) Rg (Gp:)
RL (Gp:) jXp (Gp:) Ze [j(RL2Xs + Xp2Xs + RL2Xp) + Xp2RL]/(RL2 + Xp2) Condicin de Im[Ze] = 0 y
Re[Ze] = Re a wo: 0 = RL2Xs(wo) + Xp2(wo)Xs(wo) + RL2Xp (wo) (1) Re = Xp2(wo)RL/[RL2 +
Xp2(wo)] (2) De (2) se obtiene: Xp(wo) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 (3) Y de (1) y (3) se obtiene: -Xs(wo) =
[Re(RL-Re)]1/2 (4) Calculamos Ze: Ze = jXs + jXpRL/(jXp + RL) = jXs + jXpRL(RL - jXp)/(RL2 + Xp2) =

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (II) (Gp:) + (Gp:)
vg (Gp:) jXs (Gp:) Rg (Gp:) RL (Gp:) jXp (Gp:) Ze = Re Partimos de que para que Re[Ze] = Re y Im[Ze] =
0: Xp(wo) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 (3) -Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) Tambin: -Xs(wo) = [Re(RLRe)]1/2 (4) Xp(wo) = -RLRe/Xs(wo) (5) Conclusiones: De (1) 0 = RL2Xs(wo) + Xp2(wo)Xs(wo) +
RL2Xp(wo) se deduce que Xs y Xp deben ser de distinto tipo (un condensador y una bobina) De (3) y (4)
se deduce que en esta topologa tiene que ser Re < RL Posible realizaciones fsicas: Pasa bajos: Xs una
bobina y Xp un condensador Pasa altos: Xs un condensador y Xp una bobina

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (III) -Xs(wo) =
[Re(RL-Re)]1/2 (4) Xp(wo) = -RLRe/Xs(wo) (5) Re < RL (Gp:) jXs (Gp:) RL (Gp:) jXp (Gp:) Ze = Re (Gp:)
Pasa bajos (Gp:) Ze = Re (Gp:) RL (Gp:) L (Gp:) C Particularizamos: Xs(wo) = Lwo y Xp(wo) = -1/(Cwo)
Sustituimos en (4) (con signo -) y en (5): Lwo = [Re(RL-Re)]1/2 1/(Cwo) = RLRe/(Lwo) ? L/C = RLRe
Opcin pasa bajos Lwo = [Re(RL-Re)]1/2 L/C = RLRe Re < RL

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (IV) (Gp:) jXs
(Gp:) RL (Gp:) jXp (Gp:) Ze = Re Particularizamos: Xs(wo) = -1/(Cwo) y Xp(wo) = Lwo Sustituimos en (4)
(con signo +) y en (5): 1/(Cwo) = [Re(RL-Re)]1/2 Lwo = RLReCwo ? L/C = RLRe Opcin pasa
altos (Gp:) Pasa altos (Gp:) Ze = Re (Gp:) RL (Gp:) L (Gp:) C -Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) Xp(wo) =
-RLRe/Xs(wo) (5) Re < RL Cwo = [Re(RL-Re)]-1/2 L/C = RLRe Re < RL

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (V) Se puede
conseguir que se adapten impedancias con Re > RL? Para explicarlo, un poco de Teora de Circuitos
1 Teorema de Reciprocidad (Gp:) + (Gp:) v1 (Gp:) i2 (Gp:) + (Gp:) v1 (Gp:) Red pasiva (Gp:) a (Gp:) b
(Gp:) c (Gp:) d (Gp:) i2 (Gp:) Red pasiva (Gp:) a (Gp:) b (Gp:) c (Gp:) d Si excitamos en tensin entre ab y medimos la corriente de corto entre c-d, el resultado es mismo que si excitamos en tensin entre
c-d y medimos la corriente de corto entre a-b

2 Teorema de Reciprocidad para cuadripolos no disipativos, cargados con una resistencia y con
impedancia de entrada resistiva igual a la del generador (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) Rg (Gp:) d (Gp:) Red
pasiva no disipativa (Gp:) a (Gp:) b (Gp:) c (Gp:) iL (Gp:) RL Balance de potencias: pab = (vg ef)2/(4Rg) =
(iL ef)2RL Por tanto: (iL ef)2 = (vg ef)2/(4RgRL) (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) RL (Gp:) d (Gp:) Red pasiva no
disipativa (Gp:) a (Gp:) b (Gp:) c (Gp:) iL (Gp:) Rg Balance de potencias: pcd = (iL ef)2Rg Sustituyendo
el valor de iL ef: pcd = (vg ef)2/(4RL) Para que esto ocurra: Zcd = RL (Gp:) Rg pab pcd (Gp:) Zcd

Conclusin (Gp:) R2 (Gp:) d (Gp:) Red pasiva no disipativa (Gp:) a (Gp:) b (Gp:) c (Gp:) Zab = R1 Para
cuadripolos no disipativos, cargados con una resistencia y con impedancia de entrada resistiva Si se
cumple: Entonces: (Gp:) R1 (Gp:) d (Gp:) Red pasiva no disipativa (Gp:) a (Gp:) b (Gp:) c (Gp:) Zcd = R2

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (VI) (Gp:) jXs
(Gp:) R2 (Gp:) jXp (Gp:) Zab = R1 (Gp:) d (Gp:) a (Gp:) b (Gp:) c (Gp:) Zcd = R2 (Gp:) R1 (Gp:) jXs (Gp:)
jXp (Gp:) d (Gp:) a (Gp:) b (Gp:) c (Gp:) jXs (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) Rg (Gp:) RL (Gp:) jXp (Gp:) Ze = Re
-Xs(wo) = [R1(R2-R1)]1/2 Xp(wo) = -R2R1/Xs(wo) R1 < R2 -Xs(wo) = [RL(Re-RL)]1/2 Xp(wo) =
-ReRL/Xs(wo) RL < Re R1 = Re R2 = RL R1 = RL R2 = Re Dibujando de nuevo:

(Gp:) Pasa bajos (Gp:) Ze = Re (Gp:) RL (Gp:) L (Gp:) C Particularizamos: Xs(wo) = Lwo y Xp(wo) = -1/
(Cwo) Sustituimos en (4) (con signo -) y en (5): Lwo = [RL(Re-RL)]1/2 1/(Cwo) = ReRL/(Lwo) ?
L/C = ReRL Opcin pasa bajos Lwo = [RL(Re-RL)]1/2 L/C = ReRL RL < Re Teora general de las
redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (VII) (Gp:) jXs (Gp:) RL (Gp:) jXp
(Gp:) Ze = Re (Gp:) -Xs(wo) = [RL(Re-RL)]1/2 (4) Xp(wo) = -ReRL/Xs(wo) (5) RL < Re

Particularizamos: Xs(wo) = -1/(Cwo) y Xp(wo) = Lwo Sustituimos en (4) (con signo +) y en (5): 1/
(Cwo) = [RL(Re-RL)]1/2 Lwo = ReRLCwo ? L/C = ReRL Opcin pasa altos Cwo = [RL(Re-RL)]-1/2
L/C = ReRL RL < Re Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin
transformador (VIII) (Gp:) jXs (Gp:) RL (Gp:) jXp (Gp:) Ze = Re (Gp:) -Xs(wo) = [RL(Re-RL)]1/2 (4)
Xp(wo) = -ReRL/Xs(wo) (5) RL < Re (Gp:) Pasa altos (Gp:) Ze = Re (Gp:) RL (Gp:) L (Gp:) C

Resumen (Gp:) Cwo = [RL(Re-RL)]-1/2 L/C = ReRL RL < Re (Gp:) Ze = Re (Gp:) RL (Gp:) L (Gp:) C
(Gp:) Ze = Re (Gp:) RL (Gp:) L (Gp:) C (Gp:) Lwo = [RL(Re-RL)]1/2 L/C = ReRL RL < Re (Gp:) Ze = Re
(Gp:) RL (Gp:) L (Gp:) C (Gp:) Cwo = [Re(RL-Re)]-1/2 L/C = RLRe Re < RL (Gp:) Ze = Re (Gp:) RL (Gp:)
L (Gp:) C (Gp:) Lwo = [Re(RL-Re)]1/2 L/C = RLRe Re < RL

Circuito simblico que sintetiza los cuatro casos (Gp:) jXs (Gp:) R2 (Gp:) jXp (Gp:) d (Gp:) a (Gp:) b (Gp:)
c (Gp:) R1 -Xs(wo) = [R1(R2-R1)]1/2 Xp(wo) = -R2R1/Xs(wo) R1 < R2

Dos circuitos simblicos para sintetizar los cuatro casos (Gp:) Lwo = [R1(R2-R1)]1/2 L/C = R1R2 R1 <
R2 (Gp:) L (Gp:) C (Gp:) R2 (Gp:) d (Gp:) a (Gp:) b (Gp:) c (Gp:) R1 (Gp:) C (Gp:) L (Gp:) R2 (Gp:) d (Gp:)
a (Gp:) b (Gp:) c (Gp:) R1 (Gp:) Cwo = [R1(R2-R1)]-1/2 L/C = R1R2 R1 < R2

Ejemplo de adaptacin de impedancias en un amplificador (Gp:) 50 W (Gp:) + (Gp:) vg (Gp:) + (Gp:)

50ve (Gp:) 200 W (Gp:) 50 W (Gp:) 200 W (Gp:) ve (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) vs (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) vs
(Gp:) L = 1,38mH (Gp:) C = 138pF (Gp:) 200 W (Gp:) 200 W (Gp:) L = 1,38mH (Gp:) C = 138pF (Gp:) Ze
[W] (Gp:) 10 (Gp:) 14 (Gp:) 6 (Gp:) 0 (Gp:) 300 (Gp:) -200 (Gp:) f [MHz] (Gp:) Re[Ze] (Gp:) Im[Ze]
Frecuencia de operacin: 10 MHz (Gp:) Ze (Gp:) Ze = Ze (Gp:) Cambio de Ze con la frecuencia de
operacin

(Gp:) Ze = Re (Gp:) RL (Gp:) L (Gp:) C (Gp:) 10 (Gp:) 14 (Gp:) 6 (Gp:) Ze [W] (Gp:) 0 (Gp:) 300 (Gp:) -200
(Gp:) f [MHz] Caso A: Re = 200 W RL = 100 W L = 1,6 mH C = 80 pF Caso B: Re = 200 W RL = 20 W L =
0,95 mH C = 239 pF Comportamiento de la adaptacin de impedancias con el cambio de frecuencia
Frecuencia de diseo: 10 MHz Conclusin: cuanto mayor es la diferencia de impedancias, ms crtico es
el margen de frecuencia de adaptacin. Lo mismo ocurre en las otras redes (Gp:) Re[Ze], RL= 100W (Gp:)
Im[Ze], RL= 100W (Gp:) Re[Ze], RL= 20W (Gp:) Im[Ze], RL= 20W (Gp:) 200
Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos105/amplificadores-pequena-senal-rf/amplificadorespequena-senal-rf.shtml#ixzz3i8K7CtIy